TWI395711B - 疏水性矽石粉末之製造方法 - Google Patents

疏水性矽石粉末之製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI395711B
TWI395711B TW095124196A TW95124196A TWI395711B TW I395711 B TWI395711 B TW I395711B TW 095124196 A TW095124196 A TW 095124196A TW 95124196 A TW95124196 A TW 95124196A TW I395711 B TWI395711 B TW I395711B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
vermiculite
hydrophobic
dispersion
colloidal
mass
Prior art date
Application number
TW095124196A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200710037A (en
Inventor
Keiko Yoshitake
Hirokazu Kato
Original Assignee
Nissan Chemical Ind Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nissan Chemical Ind Ltd filed Critical Nissan Chemical Ind Ltd
Publication of TW200710037A publication Critical patent/TW200710037A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI395711B publication Critical patent/TWI395711B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09C—TREATMENT OF INORGANIC MATERIALS, OTHER THAN FIBROUS FILLERS, TO ENHANCE THEIR PIGMENTING OR FILLING PROPERTIES ; PREPARATION OF CARBON BLACK  ; PREPARATION OF INORGANIC MATERIALS WHICH ARE NO SINGLE CHEMICAL COMPOUNDS AND WHICH ARE MAINLY USED AS PIGMENTS OR FILLERS
    • C09C1/00—Treatment of specific inorganic materials other than fibrous fillers; Preparation of carbon black
    • C09C1/28—Compounds of silicon
    • C09C1/30—Silicic acid
    • C09C1/3081—Treatment with organo-silicon compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/113—Silicon oxides; Hydrates thereof
    • C01B33/12—Silica; Hydrates thereof, e.g. lepidoic silicic acid
    • C01B33/18—Preparation of finely divided silica neither in sol nor in gel form; After-treatment thereof
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/113—Silicon oxides; Hydrates thereof
    • C01B33/12—Silica; Hydrates thereof, e.g. lepidoic silicic acid
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/113—Silicon oxides; Hydrates thereof
    • C01B33/12—Silica; Hydrates thereof, e.g. lepidoic silicic acid
    • C01B33/14—Colloidal silica, e.g. dispersions, gels, sols
    • C01B33/145—Preparation of hydroorganosols, organosols or dispersions in an organic medium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/113—Silicon oxides; Hydrates thereof
    • C01B33/12—Silica; Hydrates thereof, e.g. lepidoic silicic acid
    • C01B33/14—Colloidal silica, e.g. dispersions, gels, sols
    • C01B33/146—After-treatment of sols
    • C01B33/149—Coating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09C—TREATMENT OF INORGANIC MATERIALS, OTHER THAN FIBROUS FILLERS, TO ENHANCE THEIR PIGMENTING OR FILLING PROPERTIES ; PREPARATION OF CARBON BLACK  ; PREPARATION OF INORGANIC MATERIALS WHICH ARE NO SINGLE CHEMICAL COMPOUNDS AND WHICH ARE MAINLY USED AS PIGMENTS OR FILLERS
    • C09C1/00—Treatment of specific inorganic materials other than fibrous fillers; Preparation of carbon black
    • C09C1/28—Compounds of silicon
    • C09C1/30—Silicic acid
    • C09C1/3009—Physical treatment, e.g. grinding; treatment with ultrasonic vibrations
    • C09C1/3036—Agglomeration, granulation, pelleting
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09C—TREATMENT OF INORGANIC MATERIALS, OTHER THAN FIBROUS FILLERS, TO ENHANCE THEIR PIGMENTING OR FILLING PROPERTIES ; PREPARATION OF CARBON BLACK  ; PREPARATION OF INORGANIC MATERIALS WHICH ARE NO SINGLE CHEMICAL COMPOUNDS AND WHICH ARE MAINLY USED AS PIGMENTS OR FILLERS
    • C09C1/00—Treatment of specific inorganic materials other than fibrous fillers; Preparation of carbon black
    • C09C1/28—Compounds of silicon
    • C09C1/30—Silicic acid
    • C09C1/309—Combinations of treatments provided for in groups C09C1/3009 - C09C1/3081
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/60—Particles characterised by their size
    • C01P2004/62—Submicrometer sized, i.e. from 0.1-1 micrometer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/60—Particles characterised by their size
    • C01P2004/64—Nanometer sized, i.e. from 1-100 nanometer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/12—Surface area
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/80—Compositional purity
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/29—Coated or structually defined flake, particle, cell, strand, strand portion, rod, filament, macroscopic fiber or mass thereof
    • Y10T428/2982—Particulate matter [e.g., sphere, flake, etc.]
    • Y10T428/2991—Coated

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Pigments, Carbon Blacks, Or Wood Stains (AREA)

Description

疏水性矽石粉末之製造方法
本發明係關於以水性矽膠為原料所製造之對有機溶媒具優良再分散性的疏水性矽石粉末之製造方法。
以往，疏水性矽石粉末製造所使用之矽石原體，大多為沉降性矽石、氯矽烷(Chlorosilane)經火炎熱分解所製造之細微矽石(一般稱為燻矽(fumed silica))。疏水性處理方法係矽石粉末與疏水性劑，例如介面活性劑、矽油、或烷基鹵化矽烷、烷基烷氧矽烷、烷基二矽胺烷等之矽化劑氣體接觸而疏水性處理之方法，於含水之親水性有機溶媒中使其與矽化劑接觸的疏水性處理方法等。
然而任一種疏水性處理方法，均使用沉降性矽石、燻矽時因為矽石原體自身凝集，因此無法得到具優良分散性之疏水性矽石粉末。
以下將實際明示使用沉降性矽石、燻矽之疏水性處理方法。任一種方法均未說明矽石原體的一次粒徑與疏水性處理後凝集粒徑之關係，因而無法得到高分散性之疏水性矽石粉末。
親水性沉澱矽石之水性懸濁液為促進有機矽化合物與親水性沉澱矽石之反應與充足數量之水一混合性有機溶媒的共存下與觸媒量的酸及有機矽烷化合物接觸，產生疏水性沉澱矽石之方法(參考專利文獻1)。
平均一次粒徑為5~50 nm，封鎖以六甲基二矽胺烷表面處理之粒子表面40%以上之矽烷醇基，且殘存之矽烷醇基濃度為1.5個/nm2 以下之氧化矽粒子之獲得方法(參考專利文獻2)。
煙霧矽石於六甲基二矽胺烷等有機矽化合物下，特徵為具高密度之疏水性80~300g/l、每單位表面積平均之OH基0.5個/nm2 以下，且粒徑45μm以上之凝集粒子2000ppm以下之疏水性煙霧矽石及其製造方法(參考專利文獻3)。
燻矽以聚矽氧烷處理後，特徵為再以三甲基矽烷化劑處理之疏水性矽石粉末之製造方法(參考專利文獻4)。
經矽油系處理劑一次表面處理、一次表面處理後之輥碎，以及輥碎後以烷基矽氮烷系處理劑進行二次表面處理為特徵之高分散疏水性矽石粉末及其製造方法(參考專利文獻5)。
另一方面作為矽石原體以分散性優良之矽膠作為初始原料之疏水性方法亦廣為人知。以乙醇等之親水性有機溶媒或水與親水性有機溶媒之混合溶媒作為分散媒之矽膠中，使其與烷基鹵化矽烷、烷基烷氧矽烷、烷基二矽氧烷等矽化劑反應後去除溶媒，得到疏水性矽石粉末。該等製造具機溶媒分散矽膠之方法極繁瑣，有必須取代和去除溶媒等缺點。再者以烷基鹵化矽烷疏水性會產生腐蝕性酸之副生成物的缺點。此外，烷基烷氧矽烷中，單體烷氧矽烷之反應性略低，二烷氧矽烷及三烷氧矽烷容易產生縮合反應，有時因縮合反應粒子間會產生交聯，難以得到分散性良好之疏水性矽石粉末。而且難以去除烷氧矽烷的自體縮合物。此外，烷基二矽氧烷作為觸媒時必須與大量礦酸同時反應，因此會產生腐蝕問題之原由和自疏水性處理矽石去除觸媒之酸的步驟繁瑣的缺點。以下將列舉所明示之技術例。
水分為10質量%以下之有機矽膠中添加矽化劑並使其反應後，去除溶媒，結合膠體次元之矽石粒子表面中碳數1~36之矽基1~100/10nm2 ，可得到於有機溶媒中可均質分散之矽石粉末(參考專利文獻6)。
平均粒子直徑大於4 nm之親水性膠體狀矽添加濃鹽酸、異丙醇、六甲基二矽氧烷之混合溶媒後疏水性處理，接著以疏水性有機溶媒萃取疏水性膠體狀矽石，加熱環流後，添加矽烷化合物，進行加熱迴流之疏水性處理(參考專利文獻7)。
藉由將四烷氧矽烷化合物與鹽基性物質同時加水分解，調製親水性矽石微粒子水性分散液，去除乙醇。接著以烷基三烷氧矽烷化合物將矽石微粒子疏水性，將溶媒以丙酮類溶媒取代，以矽氮烷化合物或三烷基烷氧矽烷化合物將矽石微粒子表面所殘存之反應性基有機三甲矽烷化，最後減壓蒸餾去除溶媒得到表面處理之矽石(參考專利文獻8)。
將甲醇中加水分解烷基矽酸鹽所得之甲醇分散矽石，相對於含1莫耳矽石添加5莫耳%以上之三甲基矽烷化劑 使其反應後，蒸餾去除剩餘之三甲基矽烷化劑及分散溶媒，得到表面矽烷化處理，且分散性優良之矽石粉末。例如四甲氧矽烷於甲醇中在氨水存在下加水分解所得之甲醇分散矽石中，相對於含1莫耳矽石添加20莫耳%之甲氧三甲基矽烷化劑，回收過剩之矽烷化劑後，乾燥得到疏水性矽石粉末(參考專利文獻9)。
〔專利文獻1〕特開2000-327321號公報
〔專利文獻2〕特開平07-286095號公報
〔專利文獻3〕特開2000-256008號公報
〔專利文獻4〕特開2002-256170號公報
〔專利文獻5〕特開2004-168559號公報
〔專利文獻6〕特開昭58-145614號公報
〔專利文獻7〕特開2000-080201號公報
〔專利文獻8〕特開2000-044226號公報
〔專利文獻9〕特開平03-187913號公報
本發明係提供一種對有機溶媒之再分散性優良之疏水性矽石粉末之製造方法。
本發明之疏水性矽石粉末之製造方法，在含有比表面積5.5~550 m2 /g之親水性膠體狀矽石之水性矽膠中，相對於該水性矽膠之水，混合質量比為0.12~2.5之親水性有機溶媒後，得到矽石濃度為5~50質量%之混合溶媒矽膠中，將式(1)(R1 3 Si)2 NH (1)(式中，R1 為分別獨立選擇之碳數1~6之烷基或苯基)所示之二矽胺烷化合物，以每100 m2 之表面積之親水性膠體狀矽石中添加0.1~20毫莫耳，藉由於50~100℃之溫度加熱經熟成得到疏水性處理膠體狀矽石之泥漿狀(slurry)分散液，等含上述疏水性處理步驟之疏水性矽石粉末製造方法。
其最佳狀態如以下所示。
繼續該疏水性處理步驟，所得疏水性處理膠體狀矽石之泥漿狀分散液於攪拌下以50~100℃之溫度加熱後經熟成，於該分散液中將該疏水性處理之膠體狀矽石造粒為顆粒狀之步驟。
其實施狀態如以下所示。
包含下述(A)、(B)、(C)及(D)步驟之疏水性矽石粉末之製造方法。
(A)：在含有比表面積5.5~550 m2 /g之親水性膠體狀矽石的水性矽膠中，相對於該水性矽膠之水，混合質量比為0.12~2.5之親水性有機溶媒，所得矽石濃度為5~50質量%之混合溶媒矽膠中，將式(1)(R1 3 Si)2 NH (1)(式中，R1 為分別獨立選擇碳數1~6之烷基或苯基)所示之二矽胺烷化合物，以每100 m2 表面積之親水性膠體狀矽石中添加0.1~20毫莫耳，藉由於50~100℃之溫度加熱經熟成得到疏水性處理膠體狀矽石之泥漿狀分散液之疏水性處理步驟，(B)：將(A)步驟所得泥漿狀分散液於攪拌下以50~100℃之溫度加熱後經熟成，以於分散液中將疏水性處理之膠體狀矽石造粒為顆粒狀之步驟，(C)：將(B)步驟所得造粒為顆粒狀之疏水性處理之膠體狀矽石與該分散液中的液相區分之步驟，(D)：將(C)步驟所得顆粒狀之疏水性處理的膠體狀矽石餅乾燥之步驟。
上述式(1)所示之二矽胺烷化合物使用六甲基二矽胺烷。
本發明之製造方法對於具各種粒徑之水性矽膠均有效。藉由使用對矽石原體具高度分散性之水性矽膠，經疏水性處理後對各種有機溶媒亦具有高度分散性之疏水性矽石粉末；藉由於水性矽膠中混合親水性有機溶媒，促進二矽胺烷化合物與親水性膠體狀矽石之接觸；以及藉由疏水性處理後之泥漿狀、最好為顆粒狀之經疏水性處理膠體狀矽石的液相區別，經過濾等簡便方法可取出疏水性之矽石等，依據本發明之製造方法可以更簡便之裝置經簡單之疏水性處理步驟，製造疏水性矽石粉末。
本發明所得之疏水性矽石粉末，對電子印刷等印刷粉用外添劑、樹脂的內添劑、強化塗層劑、防水劑、難燃劑等為有用的。
〔實施本發明之最佳狀態〕
本發明所使用之水性矽膠的比表面積為5.5~550 m2 /g，雖然最好使用含5.5~300 m2 /g之親水性膠體狀矽石之矽石濃度5~55質量%之水性矽膠，但是使用矽石濃度10~55質量%之水性矽膠更好。水性矽膠可由眾所周知的方法，例如以水玻璃為原料製造。
親水性膠狀矽石之粒徑由氮吸附法(BET法)所求得之比表面積S(m2 /g)以D(nm)＝2720/S之式計算。因此，親水性膠狀矽石之BET法之粒徑為5nm以上，最好為9nm以上。親水性膠狀矽石之BET法粒徑未滿5nm之水性矽膠不易高濃度化，表面處理時該膠體狀矽石之平均單位質量需要再多量的矽烷化劑。
使用之水性矽膠最好為未含游離鹼金屬離子之水性矽膠。如果使用含游離鹼金屬離子之鹼性水性矽膠為原料，則矽烷化劑與親水性膠體狀矽石表面之矽烷醇基的反應性降低，矽烷化劑的反應率降低，以及對疏水性矽石粉末的疏水化度具負面影響。不含游離鹼金屬離子之水性矽膠，例如含Na離子之鹼性水性矽膠之游離Na離子可經陽離子交換等方法去除。所得水性矽膠如酸性水性矽膠。此外氨、胺基等亦可使用為安定化之水性矽膠原料。
本發明所使用之疏水性劑為二矽胺烷化合物，詳細由六甲基二矽胺烷、次－n－丁基四甲基二矽胺烷、二乙烯四甲基二矽胺烷、二苯基四甲基二矽胺烷、四苯基二甲基二矽胺烷所成群中選擇至少一種以上之化合物為佳，六甲基二矽胺烷最佳。於水性矽膠中混合親水性有機溶媒所得之混合溶媒矽膠中，以每100 m2 表面積之親水性膠體狀矽石中添加二矽胺烷化合物0.1~20毫莫耳，最好0.5~10毫莫耳。即使使用過多之二矽胺烷化合物於疏水性反應中並未消耗，經濟上亦無效率。此外，如果二矽胺烷不足會導致疏水性不充分。
本發明之疏水性處理後之形態，為疏水性處理膠體狀矽石之泥漿狀分散液或疏水性處理膠體狀矽石之顆粒狀生成物，必需分相成液相之狀態。所謂泥漿狀為膠體狀矽石凝集所形成之微粒子於混合溶媒中分散，可經市售的濾紙等過濾區別的狀態。此外，所謂顆粒狀為泥漿狀分散液中，疏水性處理膠體狀矽石為0.1mm以上之造粒狀態。為得到疏水性處理膠體狀矽石之泥漿狀分散液或顆粒狀生成物，混合溶媒矽膠之親水性有機溶媒與水之質量比極為重要。
本發明之混合溶媒矽膠中，為促進二矽胺烷化合物與親水性膠體狀矽石之接觸需存在足夠量之親水性有機溶媒。該混合溶媒矽膠相對於使用水性矽膠之水，最好混合調製0.12~2.5質量比之親水性有機溶媒。該質量比未滿0.12時對混合溶媒之二矽胺烷化合物的溶解性低，二矽胺烷化合物與親水性膠體狀矽石的接觸不充分，因為疏水性之膠體狀矽石與混合溶媒之親和性差，因此進行疏水性反應的同時，疏水性處理之膠體狀矽石以塊狀析出製造上變困難。因此，該質量比大於2.5時疏水性膠體狀矽石於混合溶媒中呈溶膠狀分散，無法得到泥漿狀分散液，無法過濾之狀況，和疏水性處理步驟中變不安定凝膠狀濃稠增加之狀況，後者之狀況無法實質上製造。
親水性有機溶媒如與水可互溶之甲醇、乙醇、1－丙醇、異丙醇、tert－丁醇等沸點100℃以下之醇類為佳，水與矽胺烷之混合性及乾燥步驟中以去除之難易度之觀點來看最好為異丙醇。此外，混合溶媒矽膠中適宜之親水性有機溶媒與水之質量比依親水性有機溶媒的種類而異，親水性有機溶媒與水及二矽胺烷化合物之混合性越好，相對於混合溶媒矽膠之水親水性有機溶媒之質量比越小。
混合溶媒矽膠中，矽石濃度最好為5~50質量%。混合溶媒矽膠中之矽石濃度如低於5質量%，則疏水性矽石粉末之製造效率降低，且親水性膠體狀矽石與二矽胺烷化合物之接觸效率降低，親水性膠體狀矽石表面積平均之二矽胺烷的必需量增加較不受歡迎。此外該矽石濃度如超過50質量%，疏水性處理步驟中混合溶媒矽膠黏稠度明顯增加，攪拌變困難難以進行均質之疏水性處理。
為得到疏水性處理膠體狀矽石之泥漿狀分散液，適宜之混合溶媒矽膠中之矽石濃度及親水性有機溶媒與水之質量比，取決於親水性膠體狀矽石之BET法粒徑及親水性有機溶媒之種類。此外，為調製適宜組成之混合溶媒矽膠，親水性膠體狀矽石之BET法粒徑越小，相對於親水性膠體狀矽石之質量添加親水性有機溶媒之質量有變多之傾向。
本發明方法，對添加二矽胺烷化合物時之混合溶媒矽膠的溫度雖無特別限定，為促進親水性膠體狀矽石與二矽胺烷化合物之反應，添加二矽胺烷化合物時混合溶媒矽膠的溫度最好調整為50℃~70℃。超過70℃則反應激烈，因為二矽胺烷化合物反應時發生之氨會產生氣泡。此外，藉由添加二矽胺烷化合物後混合溶媒矽膠以50℃~100℃之溫度加熱0.5小時以上熟成，亦可至混合溶媒矽膠形成疏水性處理膠體狀矽石之泥漿狀分散液為止促進疏水性反應。熟成時間未滿0.5小時則疏水性處理不完全。藉由形成泥漿狀，於疏水性處理膠體狀矽石液相容易分離，以過濾等簡便方法可簡單取出疏水性處理膠體狀矽石。
再持續疏水性處理步驟，將所得之疏水性處理膠體狀矽石之泥漿狀分散液於攪拌下以50℃~100℃之溫度加熱後經熟成，於分散液中可將疏水性處理膠體狀矽石造粒為0.1mm以上之顆粒狀。經由攪拌操作造粒為顆粒狀，可顯著改善疏水性處理後實施液相之分離步驟之作業。造粒步驟之液相溫度雖然可與疏水性處理工程以相同溫度實施，但於疏水性處理步驟時以較高溫度實施可促進造粒。此顆粒的大小及其粒度分佈雖無特別限制，最好平均大小為5mm以下。大於5mm造粒時攪拌阻力增大，造粒後難於從反應裝置中取出。
疏水性處理後，與液相之分離方法雖無特別限制，可由眾所周知的方法如泥漿狀或顆粒狀之疏水性處理膠體狀矽石可與液相分離。例如，依據過濾之過濾區別和離心分離、液相之蒸餾去除等。
分離步驟所得之泥漿狀或顆粒狀之疏水性處理膠體狀矽石餅之乾燥方法雖無特別限制，可以熱風乾燥和微波乾燥、紅外線乾燥、超音波乾燥、真空乾燥等眾所周知的方法乾燥。乾燥溫度雖無特別限制，最好為200℃以下。如高於200℃則疏水性處理膠體狀矽石表面殘存之矽烷醇基經縮合容易引起一次粒子間相互結合。此結合以乾式粉碎難以分離，結果造成疏水性矽石粉末對有機溶媒的再分散性變差。此外分離步驟與乾燥步驟中使用篩檢乾燥等裝置可進行連貫的步驟。如此所得之疏水性矽石於醇類、酮類、醚類、芳香族碳氫類、脂肪族碳氫類等大部分有機溶媒中均質分散。
此外乾燥步驟過程中進行粉碎可縮短乾燥時間。
乾燥之疏水性處理矽石於粉狀用磨碎機等粉碎，可得到粉末狀之疏水性矽石。粉碎方法雖無特別限制，可使用噴射式磨碎機、振動式磨碎機、球磨式粉碎機、磨碎機(Attritor)等乾式粉碎裝置。
 〔實施例〕
將各實施例及比較例於以下之攪拌條件下實施疏水性處理步驟及造粒步驟。
實施例1 1升玻璃製反應容器；內徑85mm法厄德拉(Pfaudler)翼(直徑70mm)，每分鐘250回轉造粒步驟之溫度：74℃
實施例2、4 2升玻璃製反應容器；內徑130mm法厄德拉翼(直徑100mm)，每分鐘250回轉造粒步驟之溫度：75℃
實施例3、5 2升玻璃製反應容器；內徑130mm法厄德拉翼(直徑100mm)，每分鐘150回轉造粒步驟之溫度：76℃
比較例1、3、5 1升玻璃製反應容器；內徑85mm法厄德拉翼(直徑70mm)，每分鐘200回轉
比較例2、4 1升玻璃製反應容器；內徑85mm法厄德拉翼(直徑70mm)，每分鐘500回轉
實施例1市售之酸性水性矽膠(商品名：Snotex(註冊商標)－O，日產化學工業(股)製)，矽石濃度20質量%，pH3.0，BET法粒徑12nm)以旋轉蒸餾器濃縮至矽石濃度之33%，得到濃縮酸性水性矽膠。接著，於備有攪拌機、滴下漏斗、冷卻管、溫度計之1升玻璃製反應容器內，添加該濃縮酸性水性矽膠450g、純水75g、異丙醇(IPA)225g，調製矽石濃度20.0質量%、IPA濃度30.0質量%、水分50質量%之混合溶媒矽膠。此混合溶媒矽膠加熱至65℃，滴下六甲基二矽胺烷(親水性膠體狀矽石每100 m2 表面積平均1.4毫莫耳)75g。該混合溶媒矽膠混合30分鐘後，加熱至70℃經1小時熟成，得到疏水性處理膠體狀矽石之泥漿狀分散液。接著，該疏水性處理膠體狀矽石之泥漿狀分散液於環流狀態下攪拌下經3小時熟成造粒為顆粒狀。以布式漏斗(Buchnerfunnel)(ADVANTEC製定性濾紙No.131)過濾顆粒狀之疏水性處理膠體狀矽石與液相，所得顆粒狀之疏水性處理膠體矽石餅於120℃下乾燥。接著，乾燥顆粒狀之疏水性處理膠體狀矽石於粉體用磨碎機進行粉碎，再於150℃下乾燥得到150g疏水性矽石粉末。所得之疏水性矽石粉末於甲基乙基甲酮中再分散為溶膠狀。
再者此疏水性矽石粉末於其他有機溶媒，甲醇、乙醇、異丙醇、甲基異丁基酮、乙酸乙酯、甲苯、甲基丙烯酸甲酯單體、聚二甲基矽氧烷、n－己烷、四羥基呋喃中如甲基乙基酮之狀況時同樣再分散為溶膠狀。
實施例2於備有攪拌機、滴下漏斗、冷卻管、溫度計之2升玻璃反應容器內，添加酸性水性矽膠(矽石濃度31.5質量%、pH2.5、BET法粒徑80nm)1200g、純水75g、異丙醇(IPA)350g，調製矽石濃度23.3質量%、IPA濃度21.5質量%、水分55.2質量%之混合溶媒矽膠。將此混合溶媒矽膠加熱至65℃，滴下六甲基二矽胺烷(親水性膠體狀矽石每100 m2 表面積平均3.9毫莫耳)80g。該混合溶媒矽膠混合30分鐘後，加熱至70℃經1小時熟成，得到疏水性處理膠體狀矽石之泥漿狀分散液。接著，該疏水性處理膠體狀矽石之泥漿狀分散液於環流狀態下攪拌下經3小時熟成造粒為顆粒狀。以布式漏斗(ADVANTEC製定性濾紙No.131)過濾顆粒狀之疏水性處理膠體狀矽石與液相，所得顆粒狀之疏水性處理膠體矽石餅於120℃下乾燥。接著將乾燥之顆粒狀疏水性處理膠體狀矽石於粉體用磨碎機進行粉碎，再於200℃下乾燥得到疏水性矽石粉末380g。所得疏水性矽石粉末於甲基乙基酮中再分散為溶膠狀。
實施例3於備有攪拌機、滴下漏斗、冷卻管、溫度計之2升玻璃反應容器內，添加市售鹼性水性矽膠(產品名：MP－2040，日產化學工業(股)製，矽石濃度40質量%、pH9.4、BET法粒徑120nm)與陽離子交換所得酸性水性矽膠(矽石濃度35質量%、pH2.0)1430g、純水270g、異丙醇(IPA)300g，調製矽石濃度25.0質量%、IPA濃度15.0質量%、水分60.0質量%之混合溶媒矽膠。將此混合溶媒矽膠加熱至65℃，滴下六甲基二矽胺烷(親水性膠體狀矽石每100 m2 表面積平均5.0毫莫耳)86g。該混合溶媒矽膠混合15分鐘後，經加熱至70℃於30分鐘熟成得到疏水性處理膠體狀矽石之泥漿狀分散液。接著，該疏水性處理膠體狀矽石之泥漿狀分散液於環流狀態下攪拌下經3小時熟成造粒為顆粒狀。以布式漏斗(ADVANTEC製定性濾紙No.131)過濾顆粒狀之疏水性處理膠體狀矽石與液相，所得顆粒狀之疏水性處理膠體矽石餅於120℃下乾燥。接著乾燥之顆粒狀疏水性處理膠體狀矽石於粉體用磨碎機進行粉碎，再於200℃下乾燥得到疏水性矽石粉末500g。所得疏水性矽石粉末於甲基乙基酮中再分散為溶膠狀。
實施例4實施例2中，於120℃下乾燥之顆粒狀疏水性處理膠體狀矽石未不以粉體用磨碎機粉碎，除了於200℃下乾燥以外，進行同樣之操作。所得疏水性矽石粉末於甲基乙基酮中再分散為溶膠狀。
實施例5實施例3中，於120℃下乾燥之顆粒狀疏水性處理膠體狀矽石未不以粉體用磨碎機粉碎，除了於200℃下乾燥以外，進行同樣之操作。所得疏水性矽石粉末於甲基乙基酮中再分散為溶膠狀。
比較例1於備有攪拌機、滴下漏斗、冷卻管、溫度計之1升玻璃反應容器內，添加酸性水性矽膠(矽石濃度31.5質量%、pH2.5、BET法粒徑80nm)150g、純水270g、異丙醇(IPA)30g，調製矽石濃度10.50質量%、IPA濃度6.7質量%、水分82.8質量%之混合溶媒矽膠。將此混合溶媒矽膠加熱至65℃，滴下六甲基二矽胺烷(親水性膠體狀矽石每100 m2 表面積平均3.9毫莫耳)10g。添加之六甲基二矽胺烷未直接與混合溶媒矽膠混合而懸浮於表層。該混合溶媒矽膠混合30分鐘後，加熱至70℃經1小時熟成，仍未得到疏水性處理膠體狀矽石之泥漿狀分散液。再以環流狀態下攪拌3小時經熟成後亦未得到疏水性處理膠體狀矽石之泥漿狀分散液。
疏水性處理後之溶膠狀態下，使用布式漏斗之漏紙(ADVANTEC製定性濾紙No.131)無法過濾，因此將溶膠狀生成物移至金屬製大缸，於120℃下使其乾燥。所得溶膠狀生成物因未分離液相，乾燥效率顯著降低且乾燥需花費長時間。乾燥之疏水性處理膠體狀矽石以粉體用磨碎機進行粉碎，於200℃下乾燥得到疏水性矽石粉末48g。所得疏水性矽石粉末之一部分於甲基乙基酮中雖然再分散，但是產生未再分散之沉澱物。
比較例2市售之酸性水性矽膠(商品名：Snotex(註冊商標)－O，日產化學工業(股)製)，矽石濃度20質量%，pH3.0，BET法粒徑12nm)於旋轉式蒸餾器濃縮矽石濃度至33%質量。接著，於備有攪拌機、滴下漏斗、冷卻管、溫度計之1升玻璃反應容器內，添加濃縮酸性水性矽膠200g、異丙醇(IPA)400g，調製矽石濃度11.0質量%、IPA濃度66.7質量%、水分22.3質量%之混合溶媒矽膠。將此混合溶媒矽膠加熱至65℃，滴下六甲基二矽胺烷(親水性膠體狀矽石每100 m2 表面積平均1.4莫耳)34g。該混合溶媒矽膠混合30分鐘後，加熱至70℃經1小時熟成，呈溶膠狀而未能得到疏水性處理膠體狀矽石之泥漿狀分散液。接著於環流狀態下攪拌3小時熟成後生成黏稠度增加之溶膠狀物，未能得到疏水性處理膠體狀矽石之泥漿狀分散液。該生成物為溶膠狀疏水性處理矽石，使用布式漏斗經濾紙(ADVANTEC製定性濾紙No.131)無法過濾，因此將溶膠狀生成物移至金屬製大缸，投入120℃之乾燥機中。該生成物因含液相，乾燥效率顯著降低且乾燥需花費長時間。乾燥之疏水性處理矽石於粉體用磨碎機進行粉碎，再於150℃下乾燥得到疏水性矽石粉末69g。所得疏水性矽石粉末之一部分於甲基乙基酮中雖然再分散，但產生未再分散之沉澱物。
比較例3於備有攪拌機、滴下漏斗、冷卻管、溫度計之1升玻璃反應容器內，添加酸性水性矽膠(矽石濃度31.5質量%、pH2.5、BET法粒徑80nm)333g純水、87g、異丙醇(IPA)30g，調製矽石濃度23.3質量%、IPA濃度5.0質量%、水71.7質量%之混合溶媒矽膠。將此混合溶媒矽膠加熱至65℃，滴下六甲基二矽胺烷(親水性膠體狀矽石每100 m2 表面積平均3.9毫莫耳)22.5g。添加之六甲基二矽胺烷未直接與混合溶媒矽膠混合而懸浮於表層。該混合溶媒矽膠混合30分鐘後，加熱至70℃經1小時熟成得到疏水性處理膠體狀矽石之泥漿狀分散液。再於環流狀態下攪拌熟成，熟成過程中因為產生大量疏水性處理膠體狀矽石之塊狀生成物攪拌阻力增大，攪拌無法進行因此停止製造。
比較例4市售之酸性水性矽膠(商品名：Snotex(註冊商標)－O，日產化學工業(股)製)，矽石濃度20質量%，pH3.0，BET法粒徑12nm)以旋轉式蒸餾器，一邊加入異丙醇一邊減壓餾出水與乙醇。此操作持續至得到矽石濃度33質量%、水分5.7質量%之異丙醇分散矽膠。接著，於備有攪拌機、滴下漏斗、冷卻管、溫度計之1升玻璃反應容器內，添加該異丙醇分散矽膠364g、177g異丙醇(IPA)、純水59g，調製矽石濃度20.0質量%、IPA濃度66.7質量%、水分量13.3質量%之混合溶媒矽膠。將此混合溶媒矽膠加熱至65℃，滴下六甲基二矽胺烷(親水性膠體狀矽石每100 m2 表面積平均1.4毫莫耳)62g。持續加熱與混合時明顯黏稠度增加，無法攪拌內容物因此停止製造。
比較例5於備有攪拌機、滴下漏斗、冷卻管、溫度計之1升玻璃反應容器內，添加100g市售之沉降性矽石粉末(商品名：Zeosil(註冊商標)1165MP，Rhodia製，矽石濃度90質量%，比表面積165 m2 /g，雷射回折式分散粒徑273μm)、異丙酮(IPA)135g、純水215g，調製矽石濃度20.0質量%、IPA濃度30.0質量%、水分50.0質量%之沉降性矽石之泥漿狀分散液。將此沉降性矽石之泥漿狀分散液加熱至65℃，滴下六甲基二矽胺烷(親水性膠體狀矽石每100 m2 表面積平均1.9毫莫耳)45g。該泥漿狀分散液混合30分鐘後，加熱至70℃經1小時熟成。再於環流狀態下攪拌3小時熟成得到疏水性處理沉降性矽石之泥漿狀分散液。使用布式漏斗經濾紙(ADVANTEC製定性濾紙No.131)過濾泥漿狀之疏水性處理沉降性矽石與液相，所得疏水性處理沉澱矽石餅於120℃下乾燥。接著將乾燥之疏水性處理沉降性矽石餅於粉體用磨碎機進行粉碎，再於200℃下乾燥得到疏水性矽石粉末98g。所得疏水性矽石粉末僅於甲基乙基酮中潤濕，未再分散為溶膠狀。
評量 〔疏水性矽石粉末之分析方法〕
(1)疏水性矽石粉末中之碳含量使用CHNS/O分析儀(PE2400系列Ⅱ Perkin Elmer製)測量所得之疏水性矽石粉末之碳含量。疏水性矽石粉末每單位表面積平均三甲矽基之數量(個/n m2 )依以下計算式(α)計算。
A：三甲矽基含量(質量%)＝碳含量(質量%)×(73.19/36.03)。
B：疏水性矽石粉末每1g平均之三甲矽基(個)＝6.02×102 3 ×(A/73.19)×10－ 2 。
C：疏水性矽石粉末每1g平均之表面積(n m2 )＝疏水性矽石粉末之比表面積(m2 /g)×101 8 ×固體分(質量%)×10－ 2 。
疏水性矽石粉末每單位表面積平均之三甲矽基數量(個/nm2 )＝B/C(α)。
此處所指之固體分為所得疏水性矽石粉未於800℃燒結所取得之燒結殘餘部分。
(2)疏水性矽石粉末之分散粒徑所得疏水性矽石粉末分散於甲基乙基酮中，分散粒徑以動態光散亂法(亞微型粒子分析儀model N4,Beckman Coulter製)測量。
(3)疏水化度：稱量矽石粉未樣品0.20g(0.20±0.01g)，於100cc玻璃燒杯中加入50ml純水，矽石粉未呈懸浮於液面狀態。用磁力攪拌器攪拌之同時，使用滴定管直接注入液體中以防止甲醇接觸到樣品，液面上無法辨別矽石粉末時結束。此時之甲醇使用量為Xml，依下式計算疏水化度。
疏水化度(%)＝X/(50＋X)×100
評量結果如表1所示。
(4)有機溶媒之分散性評量如下述進行。
玻璃製20cc小瓶中，將所得疏水性矽石粉末1g添加至9g甲基乙基酮中，用磁力攪拌器混合30分鐘後，於市售之超音波洗淨器中使其分散30秒調製分散液。接著將所得之分散液用甲基乙基酮適當地稀釋，依動態光散亂法(亞微型粒子分析儀model N4,Beckman Coulter製)測量分散粒徑。
比較例1、2中因為分散液中存在沉澱成分，適當稀釋上面澄清部分測定。此外，比較例5中未分散為溶膠狀，無法使用動態光散亂法測量，因此使用雷射回折式粒度分佈測定裝置(SALD－7000，島津製作所製)測量分散粒徑。疏水性矽石粉末之分散粒徑與原料所使用之水性矽膠之分散粒徑相較，進行有機溶媒分散性評量。
以上依本發明之製造方法，經簡便之裝置、簡單之疏水性處理步驟可製造疏水性矽石粉末。本發明所得之疏水性矽石粉末，對電子印刷等印刷粉用外添劑、樹脂的內添劑、強化塗層劑、防水劑、難燃劑等為有用的。

Claims (4)

  1. 一種含下述疏水性處理步驟之疏水性矽石粉末之製造方法，前述疏水性處理步驟為在含有比表面積5.5~550 m2 /g之親水性膠體狀矽石的水性矽膠中，相對於該水性矽膠之水，混合質量比為0.12~2.5之親水性有機溶媒後，所得矽石濃度為5~50質量%之混合溶媒矽膠中，將式(1)(R1 3 Si)2 NH (1)(式中，R1 為分別獨立選擇之碳數1~6之烷基或苯基)所示之二矽胺烷(Disilazane)化合物，以每100 m2 之表面積之親水性膠體狀矽石中添加0.1~20毫莫耳，藉由於50~100℃之溫度加熱經熟成得到疏水性處理膠體狀矽石之泥漿狀(slurry)分散液。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載之製造方法，其中該疏水性處理膠體狀矽石之泥漿狀分散液於攪拌下以50~100℃之溫度加熱後經熟成，將該分散液中將疏水性處理之膠體狀矽石造粒為顆粒狀之步驟。
  3. 如申請專利範圍第1項所記載之疏水性矽石粉末之製造方法，其包含下述(A)、(B)、(C)以及(D)之步驟： (A)：在含有比表面積5.5~550 m2 /g之親水性膠體狀矽石的水性矽膠中，相對於該水性矽膠之水，混合質量比為0.12~2.5之親水性有機溶媒後，所得矽石濃度為5~50質量%之混合溶媒矽膠中，將式(1)(R1 3 Si)2 NH (1)(式中，R1 為分別獨立選擇之碳數1~6之烷基或苯基)所示之二矽胺烷(Disilazane)化合物，以每100 m2 之表面積之親水性膠體狀矽石中添加0.1~20毫莫耳，藉由於50~100℃之溫度加熱經熟成得到疏水性處理膠體狀矽石之泥漿狀分散液之疏水性處理步驟，(B)：將(A)步驟所得泥漿狀分散液於攪拌下以50~100℃之溫度加熱後經熟成，以於該分散液中將疏水性處理之膠體狀矽石造粒為顆粒狀之步驟，(C)：將(B)步驟所得造粒為顆粒狀之疏水性處理之膠體狀矽石與該分散液中的液相區分之步驟，(D)：將(C)步驟所得顆粒狀之疏水性處理的膠體狀矽石餅乾燥之步驟。
  4. 如申請專利範圍第1~3項中任一項所記載之製造方法，其中式(1)所示之二矽胺烷(Disilazane)化合物為六甲基二矽胺烷。
TW095124196A 2005-07-04 2006-07-03 疏水性矽石粉末之製造方法 TWI395711B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005194765 2005-07-04

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200710037A TW200710037A (en) 2007-03-16
TWI395711B true TWI395711B (zh) 2013-05-11

Family

ID=36981187

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW095124196A TWI395711B (zh) 2005-07-04 2006-07-03 疏水性矽石粉末之製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7186440B2 (zh)
EP (1) EP1741672B1 (zh)
KR (1) KR101302646B1 (zh)
CN (1) CN1891626B (zh)
TW (1) TWI395711B (zh)

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8435474B2 (en) * 2006-09-15 2013-05-07 Cabot Corporation Surface-treated metal oxide particles
US8202502B2 (en) 2006-09-15 2012-06-19 Cabot Corporation Method of preparing hydrophobic silica
US8455165B2 (en) * 2006-09-15 2013-06-04 Cabot Corporation Cyclic-treated metal oxide
US20080070146A1 (en) 2006-09-15 2008-03-20 Cabot Corporation Hydrophobic-treated metal oxide
TWI436947B (zh) * 2007-03-27 2014-05-11 Fuso Chemical Co Ltd 膠體矽石及其製法
JP5194563B2 (ja) 2007-05-28 2013-05-08 信越化学工業株式会社 耐擦傷性コーティング組成物、及び被覆物品
EP2220156A4 (en) 2007-11-09 2013-01-23 Pacific Polymers Pty Ltd HYDROPHOBIC MODIFICATION OF MINERAL CHARGE MATERIALS AND MIXED POLYMER SYSTEMS
EP2454330B1 (de) * 2009-07-16 2013-06-12 Evonik Degussa GmbH Dispersion und verfahren zum modifizieren einer oberfläche mit hydrophobierter kieselsäure
CN101880478A (zh) * 2010-06-17 2010-11-10 华南理工大学 一种粒径可控的疏水性纳米二氧化硅的制备方法
JP5811620B2 (ja) 2010-12-13 2015-11-11 富士ゼロックス株式会社 シリカ粒子の製造方法
CN102381713B (zh) * 2011-08-30 2013-04-10 中国石油化工股份有限公司 一种用于油气回收的疏水性硅胶
JP5906635B2 (ja) * 2011-09-26 2016-04-20 富士ゼロックス株式会社 シリカ粒子分散液の製造方法
JP5772755B2 (ja) * 2012-08-02 2015-09-02 信越化学工業株式会社 太陽電池電極用ペースト組成物
CN103254665B (zh) * 2013-05-14 2015-06-03 刘荣翾 硅烷偶联剂组合物及其制备方法和用途
WO2016013673A1 (ja) * 2014-07-24 2016-01-28 電気化学工業株式会社 シリカ微粉末及びその用途
KR101933208B1 (ko) 2014-12-23 2018-12-31 주식회사 엘지화학 수분산 에어로젤 및 그 제조 방법
PL3178887T3 (pl) * 2015-12-09 2018-11-30 Evonik Degussa Gmbh Krzemionka hydrofobowa do kompozycji tonera elektrofotograficznego
CN106751859A (zh) * 2016-12-20 2017-05-31 湖北环宇化工有限公司 一种以微波处理亲水型白炭黑制备脱醇型硅橡胶的方法
JP6778662B2 (ja) * 2017-08-01 2020-11-04 信越化学工業株式会社 造粒処理シリカの製造方法
JP6817916B2 (ja) * 2017-09-04 2021-01-20 信越化学工業株式会社 静電荷像現像用トナー外添剤の製造方法
CN111040472B (zh) * 2019-11-12 2021-09-14 中国石油天然气集团公司 改性纳米二氧化硅及其改性方法、防腐涂料和涂层
CN111377454B (zh) * 2020-03-30 2023-06-06 东南大学 一种串珠式纳米硅溶胶及其制备方法
CN114618465A (zh) * 2020-12-10 2022-06-14 中国科学院大连化学物理研究所 一种催化剂的制备方法及其应用

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5919298A (en) * 1998-01-12 1999-07-06 Dow Corning Corporation Method for preparing hydrophobic fumed silica
TW524772B (en) * 2000-01-28 2003-03-21 Jsr Corp Method for manufacturing hydrophobic colloidal silica

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58145614A (ja) 1982-02-23 1983-08-30 Shokubai Kasei Kogyo Kk 有機溶剤に均質に分散可能な粉末状シリカとその製造法
FR2613708B1 (fr) 1987-04-13 1990-10-12 Rhone Poulenc Chimie Silice de precipitation hydrophobe, son procede de preparation et son application au renforcement des elastomeres silicones
JPH0684477B2 (ja) * 1988-08-23 1994-10-26 信越化学工業株式会社 オルガノポリシロキサン組成物
JPH02180963A (ja) * 1989-01-06 1990-07-13 Shin Etsu Chem Co Ltd オルガノポリシロキサン組成物
JPH0764544B2 (ja) 1989-12-15 1995-07-12 信越化学工業株式会社 シリカ粉末の製造方法
JP3284743B2 (ja) 1994-04-19 2002-05-20 東レ株式会社 粒子分散性に優れたポリエステル組成物の製造方法
US6025455A (en) 1997-05-26 2000-02-15 Nissan Chemicals Industries, Ltd. Process of producing hydrophobic organosilica sol
US5908660A (en) * 1997-09-03 1999-06-01 Dow Corning Corporation Method of preparing hydrophobic precipitated silica
WO1999036355A2 (en) * 1998-01-15 1999-07-22 Cabot Corporation Method of preparing hydrophobic silica
JP3756339B2 (ja) 1998-05-18 2006-03-15 信越化学工業株式会社 シラン表面処理シリカ系微粒子、その製造方法およびそれを含有する有機樹脂組成物
EP0959102B1 (en) 1998-05-18 2005-09-28 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Silica particles surface-treated with silane, process for producing the same and uses thereof
US6051672A (en) 1998-08-24 2000-04-18 Dow Corning Corporation Method for making hydrophobic non-aggregated colloidal silica
JP2000256008A (ja) 1999-03-08 2000-09-19 Tokuyama Corp 疎水性煙霧シリカ及びその製造方法
US6184408B1 (en) 1999-04-28 2001-02-06 Dow Corning Corporation Method for preparation of hydrophobic precipitated silica
US6579929B1 (en) * 2000-01-19 2003-06-17 Bridgestone Corporation Stabilized silica and method of making and using the same
JP4828032B2 (ja) 2001-03-05 2011-11-30 株式会社トクヤマ 疎水性シリカ粉末およびその製造方法
JP2004168559A (ja) 2002-11-15 2004-06-17 Nippon Aerosil Co Ltd 高分散高疎水性シリカ粉末とその製造方法
US7811540B2 (en) * 2004-10-20 2010-10-12 Cabot Corporation Method of preparing hydrophobic silica directly from an aqueous colloidal silica dispersion

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5919298A (en) * 1998-01-12 1999-07-06 Dow Corning Corporation Method for preparing hydrophobic fumed silica
TW524772B (en) * 2000-01-28 2003-03-21 Jsr Corp Method for manufacturing hydrophobic colloidal silica

Also Published As

Publication number Publication date
TW200710037A (en) 2007-03-16
US20070003701A1 (en) 2007-01-04
CN1891626B (zh) 2012-03-21
EP1741672B1 (en) 2017-03-01
EP1741672A1 (en) 2007-01-10
KR101302646B1 (ko) 2013-09-03
CN1891626A (zh) 2007-01-10
KR20070004431A (ko) 2007-01-09
US7186440B2 (en) 2007-03-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI395711B (zh) 疏水性矽石粉末之製造方法
JP5267758B2 (ja) 疎水性シリカ粉末の製造法
EP1657283B1 (en) Process for producing hydrophobic silica powder
CN101796144B (zh) 经环状物处理的金属氧化物
JP5644789B2 (ja) 粉体組成物
KR101450781B1 (ko) 실리카 입자의 제조 방법
JP6061910B2 (ja) 疎水性処理された金属酸化物
JP5032328B2 (ja) 水性コロイドシリカ分散液からの直接的疎水性シリカの製造法
CN101796145B (zh) 经表面处理的金属氧化物颗粒
JP5080061B2 (ja) 中性コロイダルシリカの製造方法
JP4888633B2 (ja) 疎水性シリカ粉末の製造法
JP7155046B2 (ja) 疎水性シリカ粉末及びトナー樹脂粒子
JP4458396B2 (ja) 高純度親水性有機溶媒分散シリカゾルの製造方法及びその方法で得られる高純度親水性有機溶媒分散シリカゾル並びに高純度有機溶媒分散シリカゾルの製造方法及びその方法で得られる高純度有機溶媒分散シリカゾル
JPH01145317A (ja) 真球状シリカ微粒子の製法
JPH0586251B2 (zh)
JP3888728B2 (ja) 高純度球状シリカの製造法
JPH0217932A (ja) 改質無機質粒子及びその製法
TWI841694B (zh) 疏水性氧化矽粉末及色劑樹脂粒子
JP7470508B2 (ja) シリカ粉体、シリカ粉体の製造方法、および焼成シリカ粉体の製造方法
KR950001657B1 (ko) 무기질 미립자 분체의 제조방법
JP2024044917A (ja) シリカ粒子の製造方法
JP2005103345A (ja) 水系で合成した無機粒子を単粒子粉体として取出す方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees