JP2000256008A - 疎水性煙霧シリカ及びその製造方法 - Google Patents
疎水性煙霧シリカ及びその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】シリコーン樹脂等に添加した際、樹脂の透明性
を損なわず、粘度を低く維持できる疎水性煙霧シリカ。 【解決手段】表面が有機珪素化合物により疎水化されて
なり、８０〜３００ｇ／ｌの嵩密度を有し、単位表面積
あたりのＯＨ基が０．５個／ｎｍ2以下であり、且つ粒
子径４５μｍ以上の凝集粒子が２０００ｐｐｍ以下であ
ることを特徴とする疎水性煙霧シリカ。
を損なわず、粘度を低く維持できる疎水性煙霧シリカ。 【解決手段】表面が有機珪素化合物により疎水化されて
なり、８０〜３００ｇ／ｌの嵩密度を有し、単位表面積
あたりのＯＨ基が０．５個／ｎｍ2以下であり、且つ粒
子径４５μｍ以上の凝集粒子が２０００ｐｐｍ以下であ
ることを特徴とする疎水性煙霧シリカ。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、疎水性煙霧シリ
カ、詳しくは、表面に十分な量の疎水基を有し、嵩密度
が高く、且つ凝集粒子が少なく、シリコーン樹脂等に添
加した際、樹脂の透明性を損なわず、粘度を低く維持で
きる疎水性煙霧シリカ、及びその製造方法に関する。
カ、詳しくは、表面に十分な量の疎水基を有し、嵩密度
が高く、且つ凝集粒子が少なく、シリコーン樹脂等に添
加した際、樹脂の透明性を損なわず、粘度を低く維持で
きる疎水性煙霧シリカ、及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】クロロシランの火炎加水分解によって煙
霧シリカが製造され、樹脂等の充填剤、補強剤、増粘剤
等に広く利用されている。こうした用途に使用するため
には、煙霧シリカ表面に存在するＯＨ基を有機珪素化合
物と反応させ、シリカ表面を疎水化することがしばしば
必要とされている。例えば、シリコーン樹脂の充填・補
強材として使用する場合には、疎水化することでシリカ
粒子の分散性を高めてシリコーン樹脂の伸びや機械的強
度を向上させることができる。
霧シリカが製造され、樹脂等の充填剤、補強剤、増粘剤
等に広く利用されている。こうした用途に使用するため
には、煙霧シリカ表面に存在するＯＨ基を有機珪素化合
物と反応させ、シリカ表面を疎水化することがしばしば
必要とされている。例えば、シリコーン樹脂の充填・補
強材として使用する場合には、疎水化することでシリカ
粒子の分散性を高めてシリコーン樹脂の伸びや機械的強
度を向上させることができる。
【０００３】そして、このような疎水性煙霧シリカは、
できるだけ嵩密度が高い方がシリコーン樹脂への充填時
或いは充填後の取り扱い性において有利である。即ち、
疎水性煙霧シリカの嵩密度が高いと、樹脂に充填する際
に投入時間及び混練時間が短くなり、また粉塵の発生が
少ない。さらに、得られた樹脂組成物の粘度が低くなる
ことで、成形時の取り扱い性も改善される。
できるだけ嵩密度が高い方がシリコーン樹脂への充填時
或いは充填後の取り扱い性において有利である。即ち、
疎水性煙霧シリカの嵩密度が高いと、樹脂に充填する際
に投入時間及び混練時間が短くなり、また粉塵の発生が
少ない。さらに、得られた樹脂組成物の粘度が低くなる
ことで、成形時の取り扱い性も改善される。
【０００４】疎水性煙霧シリカの嵩密度を高める方法と
しては、疎水性煙霧シリカを真空圧密する方法が汎用さ
れている。しかし、かかる真空圧密による方法では、一
般的に２５ｇ／ｌ程度までの嵩密度を有している疎水性
煙霧シリカの嵩密度を６０〜８０ｇ／ｌ程度に高めるの
がせいぜいであり、それ以上高めることは困難であっ
た。
しては、疎水性煙霧シリカを真空圧密する方法が汎用さ
れている。しかし、かかる真空圧密による方法では、一
般的に２５ｇ／ｌ程度までの嵩密度を有している疎水性
煙霧シリカの嵩密度を６０〜８０ｇ／ｌ程度に高めるの
がせいぜいであり、それ以上高めることは困難であっ
た。
【０００５】従って、上記のような問題をより高度に改
善するために、機械的外力により疎水性煙霧シリカを粉
砕して、それにより圧密して高嵩密度の疎水性煙霧シリ
カを得ることが提案されている。具体的には、煙霧シリ
カを機械的に粉砕して嵩密度を高めた後疎水化する方法
や、煙霧シリカを有機珪素化合物と共に機械的に粉砕し
疎水化と高嵩密化を同時に行う方法（特開昭５０−５１
４９４号公報）などが挙げられる。
善するために、機械的外力により疎水性煙霧シリカを粉
砕して、それにより圧密して高嵩密度の疎水性煙霧シリ
カを得ることが提案されている。具体的には、煙霧シリ
カを機械的に粉砕して嵩密度を高めた後疎水化する方法
や、煙霧シリカを有機珪素化合物と共に機械的に粉砕し
疎水化と高嵩密化を同時に行う方法（特開昭５０−５１
４９４号公報）などが挙げられる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな方法によれば疎水性煙霧シリカの嵩密度は８０ｇ／
ｌ以上の高いものを得ることが可能であるが、これらに
は粒子径４５μｍ以上の凝集粒子が多量に含有されてし
まい、これをシリコーン樹脂の充填用に使用した際に、
樹脂が白濁する問題が生じていた。これは、上記方法で
は、煙霧シリカが疎水化されていない流動性が悪い状態
において、強い機械的外力が加わるために、該煙霧シリ
カの過度の凝集が生ずるためと推定される。
うな方法によれば疎水性煙霧シリカの嵩密度は８０ｇ／
ｌ以上の高いものを得ることが可能であるが、これらに
は粒子径４５μｍ以上の凝集粒子が多量に含有されてし
まい、これをシリコーン樹脂の充填用に使用した際に、
樹脂が白濁する問題が生じていた。これは、上記方法で
は、煙霧シリカが疎水化されていない流動性が悪い状態
において、強い機械的外力が加わるために、該煙霧シリ
カの過度の凝集が生ずるためと推定される。
【０００７】こうしたことから、特開平６−８７６０９
号公報には、煙霧シリカを疎水化した後、得られた疎水
性煙霧シリカを機械的に粉砕して嵩密度を高めることが
開示されている。この方法によれば、高嵩密度でしかも
前記したような凝集粒子もほとんど含まれない疎水性煙
霧シリカを製造することが可能である。
号公報には、煙霧シリカを疎水化した後、得られた疎水
性煙霧シリカを機械的に粉砕して嵩密度を高めることが
開示されている。この方法によれば、高嵩密度でしかも
前記したような凝集粒子もほとんど含まれない疎水性煙
霧シリカを製造することが可能である。
【０００８】ところが、上記方法により得られた疎水性
煙霧シリカも、シリコーン樹脂の充填用に使用した場
合、十分に低粘度の樹脂組成物にならず、また、その透
明性もかなり改善されるものの、今一歩満足できるもの
ではなかった。これは、上記方法では機械的粉砕が疎水
性煙霧シリカに対して行われるために、粉砕されたシリ
カに疎水化されていない破砕面が新たに生成し、それに
より表面ＯＨ基量が増大して、シリコーン樹脂への濡れ
性が悪化し、シリカの分散性が低下するためと考えられ
る。
煙霧シリカも、シリコーン樹脂の充填用に使用した場
合、十分に低粘度の樹脂組成物にならず、また、その透
明性もかなり改善されるものの、今一歩満足できるもの
ではなかった。これは、上記方法では機械的粉砕が疎水
性煙霧シリカに対して行われるために、粉砕されたシリ
カに疎水化されていない破砕面が新たに生成し、それに
より表面ＯＨ基量が増大して、シリコーン樹脂への濡れ
性が悪化し、シリカの分散性が低下するためと考えられ
る。
【０００９】従って、機械的粉砕により高嵩密度化した
疎水性煙霧シリカを用いても、得られるシリコーン樹脂
の性状は、前記粘度と透明性において今一歩満足できる
ものではなく、その改善が望まれていた。
疎水性煙霧シリカを用いても、得られるシリコーン樹脂
の性状は、前記粘度と透明性において今一歩満足できる
ものではなく、その改善が望まれていた。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記課題
に鑑み鋭意研究を続けてきた。その結果、疎水化した煙
霧シリカを機械的に粉砕した後、或いは粉砕しつつ再度
疎水化すれば、上記粉砕により形成された破砕面に疎水
基が導入されて上記の課題が解決されることを見出し、
本発明を完成するに至った。
に鑑み鋭意研究を続けてきた。その結果、疎水化した煙
霧シリカを機械的に粉砕した後、或いは粉砕しつつ再度
疎水化すれば、上記粉砕により形成された破砕面に疎水
基が導入されて上記の課題が解決されることを見出し、
本発明を完成するに至った。
【００１１】即ち、本発明は、表面が有機珪素化合物に
より疎水化されてなり、８０〜３００ｇ／ｌの嵩密度を
有し、単位表面積あたりのＯＨ基が０．５個／ｎｍ2以
下であり、且つ粒子径４５μｍ以上の凝集粒子が２００
０ｐｐｍ以下であることを特徴とする疎水性煙霧シリカ
である。
より疎水化されてなり、８０〜３００ｇ／ｌの嵩密度を
有し、単位表面積あたりのＯＨ基が０．５個／ｎｍ2以
下であり、且つ粒子径４５μｍ以上の凝集粒子が２００
０ｐｐｍ以下であることを特徴とする疎水性煙霧シリカ
である。
【００１２】また、本発明は、上記したような疎水性煙
霧シリカの製造方法として、煙霧シリカを有機珪素化合
物によって疎水化し、次いで機械的粉砕した後又は機械
的粉砕と同時に、該煙霧シリカを再度疎水化することを
特徴とする疎水性煙霧シリカの製造方法も提供する。
霧シリカの製造方法として、煙霧シリカを有機珪素化合
物によって疎水化し、次いで機械的粉砕した後又は機械
的粉砕と同時に、該煙霧シリカを再度疎水化することを
特徴とする疎水性煙霧シリカの製造方法も提供する。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明に用いられる煙霧シリカ
は、ハロゲン化シランの火炎加水分解によって得られる
無定型シリカである。好適には、四塩化珪素ガスを酸素
と水素の火炎中に通じ高温下で加水分解させて得たシリ
カが用いられる。
は、ハロゲン化シランの火炎加水分解によって得られる
無定型シリカである。好適には、四塩化珪素ガスを酸素
と水素の火炎中に通じ高温下で加水分解させて得たシリ
カが用いられる。
【００１４】本発明の疎水性煙霧シリカは、上記煙霧シ
リカの表面が有機珪素化合物により疎水化されている。
この疎水化は、煙霧シリカの表面ＯＨ基に有機珪素化合
物が反応して疎水基として結合することにより行われ
る。そして、本発明の疎水性煙霧シリカは、全表面に渡
ってＯＨ基に高い割合で該有機珪素化合物が反応してお
り、該シリカは高い疎水性を有している。従って、残存
する表面ＯＨ基量は少なく、単位表面積あたりのＯＨ基
が０．５個／ｎｍ2以下、好適には０．４個／ｎｍ2以下
でしかない。ここで、本発明において、上記ＯＨ基量は
後述するカールフィッシャー法にて測定される。疎水性
煙霧シリカの表面ＯＨ基量が０．５個／ｎｍ2より大き
い場合、シリコーン樹脂に充填した際に煙霧シリカと樹
脂との濡れ性が悪くなり、樹脂の粘度が上昇し、透明性
が悪化する。
リカの表面が有機珪素化合物により疎水化されている。
この疎水化は、煙霧シリカの表面ＯＨ基に有機珪素化合
物が反応して疎水基として結合することにより行われ
る。そして、本発明の疎水性煙霧シリカは、全表面に渡
ってＯＨ基に高い割合で該有機珪素化合物が反応してお
り、該シリカは高い疎水性を有している。従って、残存
する表面ＯＨ基量は少なく、単位表面積あたりのＯＨ基
が０．５個／ｎｍ2以下、好適には０．４個／ｎｍ2以下
でしかない。ここで、本発明において、上記ＯＨ基量は
後述するカールフィッシャー法にて測定される。疎水性
煙霧シリカの表面ＯＨ基量が０．５個／ｎｍ2より大き
い場合、シリコーン樹脂に充填した際に煙霧シリカと樹
脂との濡れ性が悪くなり、樹脂の粘度が上昇し、透明性
が悪化する。
【００１５】また、本発明の疎水性煙霧シリカは、８０
〜３００ｇ／ｌ、好適には１００〜２００ｇ／ｌの嵩密
度を有している。疎水性煙霧シリカの嵩密度が８０ｇ／
ｌより小さい場合、シリコーン樹脂への充填性や取り扱
い性が悪くなる。また、疎水性煙霧シリカの嵩密度が３
００ｇ／ｌより大きい場合、凝集粒子が多く含まれ、分
散性が悪くなる。
〜３００ｇ／ｌ、好適には１００〜２００ｇ／ｌの嵩密
度を有している。疎水性煙霧シリカの嵩密度が８０ｇ／
ｌより小さい場合、シリコーン樹脂への充填性や取り扱
い性が悪くなる。また、疎水性煙霧シリカの嵩密度が３
００ｇ／ｌより大きい場合、凝集粒子が多く含まれ、分
散性が悪くなる。
【００１６】本発明の疎水性煙霧シリカは、粒子径４５
μｍ以上の凝集粒子を２０００ｐｐｍ以下、好適には１
７００ｐｐｍ以下しか含んでいない。粒子径４５μｍ以
上の凝集粒子は全く含有されていないのが最も望ましい
が、２０００ｐｐｍ以内であれば、シリコーン樹脂に混
錬した際の透明性はほとんど低下せず許容される。ここ
で、粒子径４５μｍ以上の凝集粒子が２０００ｐｐｍよ
り多く含有されるようになると、シリコーン樹脂に混錬
した際に白濁が生じ透明性が大きく低下する。なお、疎
水性煙霧シリカ中の上記粒子径以上の凝集粒子の含有量
は、メタノールと水の混合液にシリカを懸濁させた液
を、目開き４５μｍの篩に通過させた時の残さの重量を
はかることにより測定される。
μｍ以上の凝集粒子を２０００ｐｐｍ以下、好適には１
７００ｐｐｍ以下しか含んでいない。粒子径４５μｍ以
上の凝集粒子は全く含有されていないのが最も望ましい
が、２０００ｐｐｍ以内であれば、シリコーン樹脂に混
錬した際の透明性はほとんど低下せず許容される。ここ
で、粒子径４５μｍ以上の凝集粒子が２０００ｐｐｍよ
り多く含有されるようになると、シリコーン樹脂に混錬
した際に白濁が生じ透明性が大きく低下する。なお、疎
水性煙霧シリカ中の上記粒子径以上の凝集粒子の含有量
は、メタノールと水の混合液にシリカを懸濁させた液
を、目開き４５μｍの篩に通過させた時の残さの重量を
はかることにより測定される。
【００１７】また、本発明の疎水性煙霧シリカは、比表
面積が４０〜４５０ｍ2／ｇ、好適には８０〜３００ｍ2
／ｇであり、炭素含有量が０．１〜１０．０重量％、好
適には０．５〜５．０重量％であり、平均１次粒子径が
５〜１００ｎｍであるのが一般的である。
面積が４０〜４５０ｍ2／ｇ、好適には８０〜３００ｍ2
／ｇであり、炭素含有量が０．１〜１０．０重量％、好
適には０．５〜５．０重量％であり、平均１次粒子径が
５〜１００ｎｍであるのが一般的である。
【００１８】上記のような性状を有する本発明の疎水性
煙霧シリカは、以下の方法により製造することができ
る。即ち、煙霧シリカを有機珪素化合物によって疎水化
し、次いで機械的粉砕した後又は機械的粉砕と同時に、
該煙霧シリカを再度疎水化する方法である。
煙霧シリカは、以下の方法により製造することができ
る。即ち、煙霧シリカを有機珪素化合物によって疎水化
し、次いで機械的粉砕した後又は機械的粉砕と同時に、
該煙霧シリカを再度疎水化する方法である。
【００１９】上記方法において、原料に用いる煙霧シリ
カは、ハロゲン化シラン、例えば、四塩化珪素の火炎加
水分解によって製造された直後のものが好適である。通
常、５０〜５００ｍ2／ｇ、好適には１００〜３５０ｍ2
／ｇの比表面積を有するものが、制限なく使用される。
また、こうした煙霧シリカは、単位表面積あたりのＯＨ
基を１個／ｎｍ2以上有しているのが一般的である。
カは、ハロゲン化シラン、例えば、四塩化珪素の火炎加
水分解によって製造された直後のものが好適である。通
常、５０〜５００ｍ2／ｇ、好適には１００〜３５０ｍ2
／ｇの比表面積を有するものが、制限なく使用される。
また、こうした煙霧シリカは、単位表面積あたりのＯＨ
基を１個／ｎｍ2以上有しているのが一般的である。
【００２０】この原料煙霧シリカは、まず、有機珪素化
合物により疎水化される。疎水化は、煙霧シリカの表面
ＯＨ基と有機珪素化合物とが反応して、該表面が有機化
されることにより行われる。かかる疎水化処理は、炭素
含有量が０．１〜１０．０重量％、好適には０．５〜
５．０重量％、単位表面積あたりのＯＨ基が０．７個／
ｎｍ2以下、好適には０．５個／ｎｍ2以下になるように
行えば良い。
合物により疎水化される。疎水化は、煙霧シリカの表面
ＯＨ基と有機珪素化合物とが反応して、該表面が有機化
されることにより行われる。かかる疎水化処理は、炭素
含有量が０．１〜１０．０重量％、好適には０．５〜
５．０重量％、単位表面積あたりのＯＨ基が０．７個／
ｎｍ2以下、好適には０．５個／ｎｍ2以下になるように
行えば良い。
【００２１】有機珪素化合物としては、シリカの疎水化
剤として使用されている公知のものが特に制限なく使用
される。具体的には、下記式 （Ｒ1 3Ｓｉ）2ＮＲ1′ 〔式中、Ｒ1及びＲ1′は水素又は低級アルキル基であ
る〕、又は Ｒ2 3ＳｉＹ 〔式中、Ｙはハロゲン原子、−ＯＨ、−ＯＲ2′、また
は−ＮＲ2′2から選ばれる基であり、（Ｒ2及びＲ2′は
前記Ｒ1及びＲ1′と同じである）である〕で示される化
合物が用いられる。ここで、上記化合物において、
Ｒ1、Ｒ1′、Ｒ2及びＲ2′の低級アルキル基は、メチル
基、エチル基、プロピル基等の炭素数１〜５、好適には
炭素数１〜３のものが好ましい。特に、Ｒ1及びＲ2はメ
チル基のものが、疎水性の強いトリメチルシリル基をシ
リカに導入することができるため好ましい。好ましい。
また、Ｙのハロゲン原子は、塩素、フッ素、臭素、ヨウ
素等が挙げられ、特に塩素が好ましい。
剤として使用されている公知のものが特に制限なく使用
される。具体的には、下記式 （Ｒ1 3Ｓｉ）2ＮＲ1′ 〔式中、Ｒ1及びＲ1′は水素又は低級アルキル基であ
る〕、又は Ｒ2 3ＳｉＹ 〔式中、Ｙはハロゲン原子、−ＯＨ、−ＯＲ2′、また
は−ＮＲ2′2から選ばれる基であり、（Ｒ2及びＲ2′は
前記Ｒ1及びＲ1′と同じである）である〕で示される化
合物が用いられる。ここで、上記化合物において、
Ｒ1、Ｒ1′、Ｒ2及びＲ2′の低級アルキル基は、メチル
基、エチル基、プロピル基等の炭素数１〜５、好適には
炭素数１〜３のものが好ましい。特に、Ｒ1及びＲ2はメ
チル基のものが、疎水性の強いトリメチルシリル基をシ
リカに導入することができるため好ましい。好ましい。
また、Ｙのハロゲン原子は、塩素、フッ素、臭素、ヨウ
素等が挙げられ、特に塩素が好ましい。
【００２２】上記（Ｒ1 3Ｓｉ）2ＮＲ1′で示される有機
珪素化合物を例示すれば、ヘキサメチルジシラザン、Ｎ
−メチル−ヘキサメチルジシラザン、Ｎ−エチル−ヘキ
サメチルジシラザン、ヘキサメチル−Ｎ−プロピルジシ
ラザン等が挙げられ、ヘキサメチルジシラザンを用いる
のが特に好適である。他方、Ｒ2 3ＳｉＹで示される有機
珪素化合物を例示すれば、トリメチルクロロシラン、ト
リメチルシラノール、メトキシトリメチルシラン、エト
キシトリメチルシラン、プロポキシトリメチルシラン、
ジメチルアミノトリメチルシラン、ジエチルアミノトリ
メチルシラン等が挙げられ、エトキシトリメチルシラン
を用いるのが特に好適である。
珪素化合物を例示すれば、ヘキサメチルジシラザン、Ｎ
−メチル−ヘキサメチルジシラザン、Ｎ−エチル−ヘキ
サメチルジシラザン、ヘキサメチル−Ｎ−プロピルジシ
ラザン等が挙げられ、ヘキサメチルジシラザンを用いる
のが特に好適である。他方、Ｒ2 3ＳｉＹで示される有機
珪素化合物を例示すれば、トリメチルクロロシラン、ト
リメチルシラノール、メトキシトリメチルシラン、エト
キシトリメチルシラン、プロポキシトリメチルシラン、
ジメチルアミノトリメチルシラン、ジエチルアミノトリ
メチルシラン等が挙げられ、エトキシトリメチルシラン
を用いるのが特に好適である。
【００２３】また、本発明において、有機珪素化合物と
しては、ジメチルジクロロシラン、ジメチルジエトキシ
シラン、ジメチルジメトキシシラン等のジメチルシラン
類や、オクタメチルシクロテトラシロキサン、ヘキサメ
チルトリシクロシロキサン等のオルガノシクロシロキサ
ン類、末端基を−Ｈ、−ＯＨ、又はアルキル基等で封止
された、１分子あたり２から１０００個のシロキサン単
位を有するポリジメチルシロキサンなども好適に使用で
きる。
しては、ジメチルジクロロシラン、ジメチルジエトキシ
シラン、ジメチルジメトキシシラン等のジメチルシラン
類や、オクタメチルシクロテトラシロキサン、ヘキサメ
チルトリシクロシロキサン等のオルガノシクロシロキサ
ン類、末端基を−Ｈ、−ＯＨ、又はアルキル基等で封止
された、１分子あたり２から１０００個のシロキサン単
位を有するポリジメチルシロキサンなども好適に使用で
きる。
【００２４】上記有機珪素化合物の使用量は特に限定は
されないが、十分な疎水化の効果を得るためには、煙霧
シリカに対し１〜５０重量％の処理量が好適である。
されないが、十分な疎水化の効果を得るためには、煙霧
シリカに対し１〜５０重量％の処理量が好適である。
【００２５】疎水化処理は、如何なる反応形態で実施し
ても良く、例えば連続式、バッチ式のいずれでも良い。
有機珪素化合物は、液相で反応させても良いが、好適に
は気相での反応が、反応性が高く好ましい。また、反応
装置も、流動床式、固定床式のいずれでも良く、単なる
混合機、圧力容器等を用いて実施しても良い。反応を促
進するため、水やアンモニア等の塩基性物質を添加して
反応を実施しても良い。反応前には有機珪素化合物が分
解しないように、不活性なガス、例えば窒素等で、反応
器内雰囲気をパージすることが望ましい。反応後につい
ても、未反応物や副生物を除去および乾燥させるため
に、不活性なガス、例えば窒素等で、パージすること望
ましい。反応温度、時間については特に制限はないが、
常温〜６００℃、好ましくは５０〜４００℃の温度範囲
で、１０分以上、好ましくは６０〜１８０分保持し反応
を行なえばよい。
ても良く、例えば連続式、バッチ式のいずれでも良い。
有機珪素化合物は、液相で反応させても良いが、好適に
は気相での反応が、反応性が高く好ましい。また、反応
装置も、流動床式、固定床式のいずれでも良く、単なる
混合機、圧力容器等を用いて実施しても良い。反応を促
進するため、水やアンモニア等の塩基性物質を添加して
反応を実施しても良い。反応前には有機珪素化合物が分
解しないように、不活性なガス、例えば窒素等で、反応
器内雰囲気をパージすることが望ましい。反応後につい
ても、未反応物や副生物を除去および乾燥させるため
に、不活性なガス、例えば窒素等で、パージすること望
ましい。反応温度、時間については特に制限はないが、
常温〜６００℃、好ましくは５０〜４００℃の温度範囲
で、１０分以上、好ましくは６０〜１８０分保持し反応
を行なえばよい。
【００２６】次ぎに、このようにして疎水化された煙霧
シリカは、機械的に粉砕される。機械的粉砕によって、
疎水性煙霧シリカは粉砕と同時に圧密され、嵩密度が増
加する。また、該疎水性煙霧シリカは、疎水化されてい
ることにより流動性が良好であるため、このように機械
的粉砕処理を施しても、過度な凝集が生じて凝集粒子が
生じるようなことがない。
シリカは、機械的に粉砕される。機械的粉砕によって、
疎水性煙霧シリカは粉砕と同時に圧密され、嵩密度が増
加する。また、該疎水性煙霧シリカは、疎水化されてい
ることにより流動性が良好であるため、このように機械
的粉砕処理を施しても、過度な凝集が生じて凝集粒子が
生じるようなことがない。
【００２７】ここで、上記機械的粉砕は、ボールミル、
振動ミル、タワーミル、コニカルミル等の公知の粉砕機
を用いることにより実施できる。ボールミル、振動ミル
を用いるのが最も好適である。
振動ミル、タワーミル、コニカルミル等の公知の粉砕機
を用いることにより実施できる。ボールミル、振動ミル
を用いるのが最も好適である。
【００２８】粉砕条件としては特に制限はなく、煙霧シ
リカに過度の負荷がかからない条件で、常法に従って実
施すればよい。例えば、ボールミルを使用する場合、ミ
ル回転数、粉砕時間、ボール径、ボール充填量、煙霧シ
リカ充填量等によって粉砕の程度を制御できる。ミル径
で定まる臨界回転速度の２５〜８０％の回転数で実施す
るのが好ましく、ボール充填量は２０〜９０％が好まし
い。粉砕時間は、１０分〜５時間の範囲が一般的であ
る。
リカに過度の負荷がかからない条件で、常法に従って実
施すればよい。例えば、ボールミルを使用する場合、ミ
ル回転数、粉砕時間、ボール径、ボール充填量、煙霧シ
リカ充填量等によって粉砕の程度を制御できる。ミル径
で定まる臨界回転速度の２５〜８０％の回転数で実施す
るのが好ましく、ボール充填量は２０〜９０％が好まし
い。粉砕時間は、１０分〜５時間の範囲が一般的であ
る。
【００２９】こうした機械的粉砕により、前記疎水性煙
霧シリカを嵩密度を、８０〜３００ｇ／ｌまで、好適に
は１００〜２００ｇ／ｌまで増加させる。なお、該値ま
で嵩密度が増加された疎水性煙霧シリカは、疎水化され
ていない破砕面が新たに生じ、単位表面積あたりのＯＨ
基が０．７〜１．２個／ｎｍ2程度に増加している。Ｏ
Ｈ基が増加することにより、煙霧シリカと樹脂との濡れ
性が悪くなり、分散不良を起こし、白濁の原因となるこ
とは前記したとおりである。
霧シリカを嵩密度を、８０〜３００ｇ／ｌまで、好適に
は１００〜２００ｇ／ｌまで増加させる。なお、該値ま
で嵩密度が増加された疎水性煙霧シリカは、疎水化され
ていない破砕面が新たに生じ、単位表面積あたりのＯＨ
基が０．７〜１．２個／ｎｍ2程度に増加している。Ｏ
Ｈ基が増加することにより、煙霧シリカと樹脂との濡れ
性が悪くなり、分散不良を起こし、白濁の原因となるこ
とは前記したとおりである。
【００３０】本発明では、上記機械的粉砕処理により嵩
密度が増加した疎水性煙霧シリカを、再度疎水化する。
この再疎水化処理により、上記機械的粉砕処理により生
成した破砕面の表面ＯＨ基が疎水化され、極めて疎水性
が高くシリコーン樹脂への分散性に優れるシリカが得ら
れる。この再疎水化処理は、単位表面積あたりのＯＨ基
が０．５個／ｎｍ2以下、好適には０．４個／ｎｍ2以下
になるように行えば良い。この再疎水化処理も、前記し
た一段目の疎水化処理と同様の方法により適宜実施すれ
ば良い。
密度が増加した疎水性煙霧シリカを、再度疎水化する。
この再疎水化処理により、上記機械的粉砕処理により生
成した破砕面の表面ＯＨ基が疎水化され、極めて疎水性
が高くシリコーン樹脂への分散性に優れるシリカが得ら
れる。この再疎水化処理は、単位表面積あたりのＯＨ基
が０．５個／ｎｍ2以下、好適には０．４個／ｎｍ2以下
になるように行えば良い。この再疎水化処理も、前記し
た一段目の疎水化処理と同様の方法により適宜実施すれ
ば良い。
【００３１】また、上記の如く疎水化した煙霧シリカを
機械的粉砕した後、再度疎水化する態様に代えて、該機
械的粉砕しつつ再疎水化処理を施しても良い。このよう
な態様によっても、機械的粉砕により新たに生成する破
砕面には、該粉砕工程において疎水性基が導入され、上
記と同様の疎水性煙霧シリカが得られる。
機械的粉砕した後、再度疎水化する態様に代えて、該機
械的粉砕しつつ再疎水化処理を施しても良い。このよう
な態様によっても、機械的粉砕により新たに生成する破
砕面には、該粉砕工程において疎水性基が導入され、上
記と同様の疎水性煙霧シリカが得られる。
【００３２】以上により、８０〜３００ｇ／ｌの嵩密度
を有し、単位表面積あたりのＯＨ基が０．５個／ｎｍ2
以下であり、粒子径４５μｍ以上の凝集粒子が２０００
ｐｐｍ以下である疎水性煙霧シリカを良好に製造するこ
とができる。
を有し、単位表面積あたりのＯＨ基が０．５個／ｎｍ2
以下であり、粒子径４５μｍ以上の凝集粒子が２０００
ｐｐｍ以下である疎水性煙霧シリカを良好に製造するこ
とができる。
【００３３】
【発明の効果】本発明の本発明の高嵩密度煙霧シリカ
は、高嵩密度であるために充填時の取り扱い性に優れ
る。そして、非極性樹脂、特に、シリコーン樹脂に充填
する場合、該樹脂との濡れ性が極めて良く、高い分散性
で混練することができ、透明性に優れる樹脂組成物を得
ることができる。
は、高嵩密度であるために充填時の取り扱い性に優れ
る。そして、非極性樹脂、特に、シリコーン樹脂に充填
する場合、該樹脂との濡れ性が極めて良く、高い分散性
で混練することができ、透明性に優れる樹脂組成物を得
ることができる。
【００３４】
【実施例】以下に実施例を揚げて本発明を詳細に説明す
るが、本発明はこれらに限定されるものではない。な
お、以下の実施例及び比較例における各種の物性測定は
以下の方法による。
るが、本発明はこれらに限定されるものではない。な
お、以下の実施例及び比較例における各種の物性測定は
以下の方法による。
【００３５】１．比表面積 柴田理化学社製比表面積測定装置（ＳＡ−１０００）を
用いて、窒素吸着ＢＥＴ１点法により測定した。
用いて、窒素吸着ＢＥＴ１点法により測定した。
【００３６】２．嵩密度 ２００ｍｌのシリンダー（内径３０ｍｍ）に８分目ほど
煙霧シリカを入れ３０回タッピングを行い、２０分間静
置し、その後の体積と重量との比を嵩密度とした。
煙霧シリカを入れ３０回タッピングを行い、２０分間静
置し、その後の体積と重量との比を嵩密度とした。
【００３７】３．表面ＯＨ基数 カールフィッシャー水分計（ＭＫＳ−２１０型；京都電
子工業社製）を用い測定を行った。即ち、２５℃、相対
湿度８０％の雰囲気中に試料の疎水性煙霧シリカを４５
日放置した（この操作により水分が吸着平衡に達し、潜
在的に存在するＯＨ基が平衡に達する）。その後、試料
を１２０℃で１２時間乾燥し（この操作により、表面吸
着水がなくなる）た後、メタノールを溶媒として表面Ｏ
Ｈ基量を定量した。滴定試薬には、「ＨＹＤＲＡＮＡＬ
ＣＯＭＰＯＳＩＴＥ ５Ｋ」（Ｒｉｅｄｅｌ-ｄｅHａ
ｅn社製）を用いた。
子工業社製）を用い測定を行った。即ち、２５℃、相対
湿度８０％の雰囲気中に試料の疎水性煙霧シリカを４５
日放置した（この操作により水分が吸着平衡に達し、潜
在的に存在するＯＨ基が平衡に達する）。その後、試料
を１２０℃で１２時間乾燥し（この操作により、表面吸
着水がなくなる）た後、メタノールを溶媒として表面Ｏ
Ｈ基量を定量した。滴定試薬には、「ＨＹＤＲＡＮＡＬ
ＣＯＭＰＯＳＩＴＥ ５Ｋ」（Ｒｉｅｄｅｌ-ｄｅHａ
ｅn社製）を用いた。
【００３８】表面ＯＨ基数は、上記の方法で測定された
シリカ表面の表面ＯＨ基量から下記式により計算によっ
て求めた。
シリカ表面の表面ＯＨ基量から下記式により計算によっ
て求めた。
【００３９】表面ＯＨ基数（個／ｎｍ2）＝６６８．９
×表面ＯＨ基量（ｗｔ％）／比表面積（ｍ2／ｇ） ４．凝集粒子量 疎水性煙霧シリカを５ｇはかり取り、まず、メタノール
５０ｍｌで湿潤し、純水５０ｍｌを加え湿潤させた。次
いで、目開き４５μｍ、開口面積１２．６ｃｍ2の篩を
用い、５ｌ／分で水を流しながら、上記疎水性煙霧シリ
カ懸濁液を流し、５分後篩上に残ったシリカを乾燥後定
量した。
×表面ＯＨ基量（ｗｔ％）／比表面積（ｍ2／ｇ） ４．凝集粒子量 疎水性煙霧シリカを５ｇはかり取り、まず、メタノール
５０ｍｌで湿潤し、純水５０ｍｌを加え湿潤させた。次
いで、目開き４５μｍ、開口面積１２．６ｃｍ2の篩を
用い、５ｌ／分で水を流しながら、上記疎水性煙霧シリ
カ懸濁液を流し、５分後篩上に残ったシリカを乾燥後定
量した。
【００４０】５．炭素含有量 疎水性煙霧シリカを、１１００℃の温度下、酸素雰囲気
中で焼成し、シリカ表面に化学結合する疎水性基をＣＯ
2に熱分解した後、微量炭素分析装置（堀場製作所社
製）により、シリカの含有する炭素量を求めた。
中で焼成し、シリカ表面に化学結合する疎水性基をＣＯ
2に熱分解した後、微量炭素分析装置（堀場製作所社
製）により、シリカの含有する炭素量を求めた。
【００４１】６．粘度 シリコーンオイル（粘度１０００ｃｓ(センチストーク
ス)、ＳＨ２００：東レ・ダウ・コーニング社製）１７
０ｇに疎水性煙霧シリカ９．３５ｇを添加し、常温にお
いて２分間分散（ホモミキサー；特殊機化工業社製）さ
せた後、２５℃の恒温槽に２時間放置し、ＢＬ型回転粘
度計を用い６０ｒｐｍでの粘度を測定した。
ス)、ＳＨ２００：東レ・ダウ・コーニング社製）１７
０ｇに疎水性煙霧シリカ９．３５ｇを添加し、常温にお
いて２分間分散（ホモミキサー；特殊機化工業社製）さ
せた後、２５℃の恒温槽に２時間放置し、ＢＬ型回転粘
度計を用い６０ｒｐｍでの粘度を測定した。
【００４２】７．透明性 粘度測定で作成したサンプルを真空脱気し、７００ｎｍ
の吸光度を測定し、この時の吸光度により透明性を評価
した。数値の小さい方が透明性は良い。
の吸光度を測定し、この時の吸光度により透明性を評価
した。数値の小さい方が透明性は良い。
【００４３】８．分散性 粘度測定で作成したサンプルを真空脱気し、７００ｎ
ｍ、４６０ｎｍの吸光度を測定し、その吸光度を下記の
式に代入し、得られた数値を分散性の指標とした。数値
の大きい方が分散性は良い。
ｍ、４６０ｎｍの吸光度を測定し、その吸光度を下記の
式に代入し、得られた数値を分散性の指標とした。数値
の大きい方が分散性は良い。
【００４４】分散性＝２．３８２×ｌｎ〔（４６０ｎｍ
吸光度）／（７００ｎｍ吸光度）〕 尚、吸光度をはかることによる透明性、分散性の評価の
正当性はJournal of theCeramic Society of Japan 101
[6] 707-712 (1993) に示されているとおりである。
吸光度）／（７００ｎｍ吸光度）〕 尚、吸光度をはかることによる透明性、分散性の評価の
正当性はJournal of theCeramic Society of Japan 101
[6] 707-712 (1993) に示されているとおりである。
【００４５】実施例１ 煙霧シリカ（トクヤマ社製：商品名ＱＳ１０２（比表面
積２０７ｍ2／ｇ、嵩密度４０ｇ／ｌ、単位表面積あた
りのＯＨ基が１．５０個／ｎｍ2））５．０ｋｇを内容
積３００ｌのミキサー中にて撹拌混合し、窒素雰囲気に
置換を行なった。反応温度２００℃において、ヘキサメ
チルジシラザンを２００ｇ／分で７５分供給して１時間
疎水化を行なった。反応後４０ｌ／分で窒素を３０分供
給し脱アンモニアを行なった。上記により、炭素含有量
が２．４重量％であり、単位表面積あたりのＯＨ基が
０．５０個／ｎｍ2の疎水性煙霧シリカが得られた。
積２０７ｍ2／ｇ、嵩密度４０ｇ／ｌ、単位表面積あた
りのＯＨ基が１．５０個／ｎｍ2））５．０ｋｇを内容
積３００ｌのミキサー中にて撹拌混合し、窒素雰囲気に
置換を行なった。反応温度２００℃において、ヘキサメ
チルジシラザンを２００ｇ／分で７５分供給して１時間
疎水化を行なった。反応後４０ｌ／分で窒素を３０分供
給し脱アンモニアを行なった。上記により、炭素含有量
が２．４重量％であり、単位表面積あたりのＯＨ基が
０．５０個／ｎｍ2の疎水性煙霧シリカが得られた。
【００４６】この疎水性煙霧シリカを１ｍ3の連続振動
ミル（１００ｇ／分、ボール充填量８０％、振幅５ｍ
ｍ）にて粉砕した。粉砕後、嵩密度は１３５ｇ／ｌであ
った。また、単位表面積あたりのＯＨ基が０．８５個／
ｎｍ2に増加していた。
ミル（１００ｇ／分、ボール充填量８０％、振幅５ｍ
ｍ）にて粉砕した。粉砕後、嵩密度は１３５ｇ／ｌであ
った。また、単位表面積あたりのＯＨ基が０．８５個／
ｎｍ2に増加していた。
【００４７】このようにして高嵩密度化された疎水性煙
霧シリカを３００ｌのミキサー内に投入し撹拌混合下、
ヘキサメチルジシラザンにより前記と同様にして再度疎
水化した。反応終了後、１５０℃で乾燥した。
霧シリカを３００ｌのミキサー内に投入し撹拌混合下、
ヘキサメチルジシラザンにより前記と同様にして再度疎
水化した。反応終了後、１５０℃で乾燥した。
【００４８】以上により得られた疎水性煙霧シリカの物
性を表１に示した。
性を表１に示した。
【００４９】比較例１ 実施例１において、再疎水化を行なわない以外は実施例
１と同様の方法に疎水性煙霧シリカを得た。この疎水性
煙霧シリカの物性を表１に示した。
１と同様の方法に疎水性煙霧シリカを得た。この疎水性
煙霧シリカの物性を表１に示した。
【００５０】比較例２ 煙霧シリカ（トクヤマ社製：商品名ＱＳ１０２）５．０
ｋｇを１ｍ3の連続振動ミルにて粉砕（１００ｇ／分、
ボール充填量７０％、振幅５ｍｍ）した。粉砕後、嵩密
度は１２５ｇ／ｌであった。
ｋｇを１ｍ3の連続振動ミルにて粉砕（１００ｇ／分、
ボール充填量７０％、振幅５ｍｍ）した。粉砕後、嵩密
度は１２５ｇ／ｌであった。
【００５１】得られた煙霧シリカを３００ｌのミキサー
中に投入し、窒素雰囲気に置換を行なった。撹拌混合し
ながら反応温度２００℃において、ヘキサメチルジシラ
ザンを２００ｇ／分で７５分供給して、シリカの疎水化
を行なった。反応後４０ｌ／分で窒素を３０分供給し脱
アンモニアを行なった。この疎水性煙霧シリカの物性を
表１に示した。
中に投入し、窒素雰囲気に置換を行なった。撹拌混合し
ながら反応温度２００℃において、ヘキサメチルジシラ
ザンを２００ｇ／分で７５分供給して、シリカの疎水化
を行なった。反応後４０ｌ／分で窒素を３０分供給し脱
アンモニアを行なった。この疎水性煙霧シリカの物性を
表１に示した。
【００５２】実施例２ 実施例１において、煙霧シリカとして比表面積：１４５
ｍ2／ｇ、嵩密度４０ｇ／ｌ、単位表面積あたりのＯＨ
基が１．５個／ｎｍ2の性状を有するものを用いる以外
は、実施例１と同様の方法により疎水性煙霧シリカを製
造した。なお、一段目の疎水化終了後のシリカは、炭素
含有量が１．６重量％であり、単位表面積あたりのＯＨ
基が０．５個／ｎｍ2であった。また、振動ミルによる
粉砕後、シリカの嵩密度は１５０ｇ／ｌであり、単位表
面積あたりのＯＨ基は０．８０個／ｎｍ2であった。
ｍ2／ｇ、嵩密度４０ｇ／ｌ、単位表面積あたりのＯＨ
基が１．５個／ｎｍ2の性状を有するものを用いる以外
は、実施例１と同様の方法により疎水性煙霧シリカを製
造した。なお、一段目の疎水化終了後のシリカは、炭素
含有量が１．６重量％であり、単位表面積あたりのＯＨ
基が０．５個／ｎｍ2であった。また、振動ミルによる
粉砕後、シリカの嵩密度は１５０ｇ／ｌであり、単位表
面積あたりのＯＨ基は０．８０個／ｎｍ2であった。
【００５３】得られた疎水性煙霧シリカの物性を表１に
示した。
示した。
【００５４】実施例３ 内容積２０ｌのオートクレーブ中に煙霧シリカ（トクヤ
マ社製：商品名ＱＳ１０２）８００ｇを投入し窒素置換
した後、トリメチルエトキシシランを２００ｇ供給し、
反応温度７０℃において３時間疎水化を行なった。反応
後、窒素（２ｌ／分、３０分で供給）にて置換を行なっ
た。上記により炭素含有量が２．４重量％であり、単位
表面積あたりのＯＨ基が０．５０個／ｎｍ2の疎水性煙
霧シリカが得られた。
マ社製：商品名ＱＳ１０２）８００ｇを投入し窒素置換
した後、トリメチルエトキシシランを２００ｇ供給し、
反応温度７０℃において３時間疎水化を行なった。反応
後、窒素（２ｌ／分、３０分で供給）にて置換を行なっ
た。上記により炭素含有量が２．４重量％であり、単位
表面積あたりのＯＨ基が０．５０個／ｎｍ2の疎水性煙
霧シリカが得られた。
【００５５】この疎水性煙霧シリカ２００ｇを７ｌボー
ルミルにて粉砕（ボール径φ１０、ボール充填３０％、
５０ｒｐｍ）した。粉砕後、嵩密度は１５５ｇ／ｌであ
った。また、単位表面積あたりのＯＨ基は０．８０個／
ｎｍ2に増加していた。
ルミルにて粉砕（ボール径φ１０、ボール充填３０％、
５０ｒｐｍ）した。粉砕後、嵩密度は１５５ｇ／ｌであ
った。また、単位表面積あたりのＯＨ基は０．８０個／
ｎｍ2に増加していた。
【００５６】このようにして高嵩密度化された疎水性煙
霧シリカを、内容積２ｌのミキサーに投入し撹拌混合
下、トリメチルエトキシシラン５０ｇにより前記と同様
にして再度疎水化した。尚、反応の前後で０．８ｌ／分
の流量で３０分間窒素置換を行った。反応終了後、１５
０℃で乾燥した。
霧シリカを、内容積２ｌのミキサーに投入し撹拌混合
下、トリメチルエトキシシラン５０ｇにより前記と同様
にして再度疎水化した。尚、反応の前後で０．８ｌ／分
の流量で３０分間窒素置換を行った。反応終了後、１５
０℃で乾燥した。
【００５７】以上により得られた疎水性煙霧シリカの物
性を表１に示した。
性を表１に示した。
【００５８】比較例３ 煙霧シリカ（トクヤマ社製：商品名ＱＳ１０２）２００
ｇとトリメチルエトキシシラン５０ｇを、７ｌボールミ
ル（ボール径φ１０、ボール充填３０％、５０ｒｐｍ）
に投入し、７０℃で３時間粉砕を行った。粉砕後、内容
物を窒素雰囲気にして１５０℃で乾燥し、未反応物、反
応副生物を除去した。
ｇとトリメチルエトキシシラン５０ｇを、７ｌボールミ
ル（ボール径φ１０、ボール充填３０％、５０ｒｐｍ）
に投入し、７０℃で３時間粉砕を行った。粉砕後、内容
物を窒素雰囲気にして１５０℃で乾燥し、未反応物、反
応副生物を除去した。
【００５９】得られた疎水性煙霧シリカの物性を表１に
示した。
示した。
【００６０】実施例４ 内容積２０ｌのオートクレーブ中に煙霧シリカ（トクヤ
マ社製：商品名ＣＰ１０２（比表面積２０７ｍ2／ｇ、
嵩密度９０ｇ／ｌ、単位表面積あたりのＯＨ基が１．５
０個／ｎｍ2）））８００ｇを投入し窒素置換した後、
オクタメチルシクロテトラシロキサンを２４０ｇ供給
し、反応温度３００℃において１時間疎水化を行なっ
た。反応後、窒素（２ｌ／分、３０分で供給）にて置換
を行なった。上記により炭素含有量が２．１重量％であ
り、単位表面積あたりのＯＨ基が０．５０個／ｎｍ2の
疎水性煙霧シリカが得られた。
マ社製：商品名ＣＰ１０２（比表面積２０７ｍ2／ｇ、
嵩密度９０ｇ／ｌ、単位表面積あたりのＯＨ基が１．５
０個／ｎｍ2）））８００ｇを投入し窒素置換した後、
オクタメチルシクロテトラシロキサンを２４０ｇ供給
し、反応温度３００℃において１時間疎水化を行なっ
た。反応後、窒素（２ｌ／分、３０分で供給）にて置換
を行なった。上記により炭素含有量が２．１重量％であ
り、単位表面積あたりのＯＨ基が０．５０個／ｎｍ2の
疎水性煙霧シリカが得られた。
【００６１】この疎水性煙霧シリカ２００ｇを７ｌボー
ルミルにて粉砕（ボール径φ１０、ボール充填３０％、
５０ｒｐｍ）した。粉砕後、嵩密度は１７５ｇ／ｌであ
った。また、単位表面積あたりのＯＨ基は１．００個／
ｎｍ2に増加していた。
ルミルにて粉砕（ボール径φ１０、ボール充填３０％、
５０ｒｐｍ）した。粉砕後、嵩密度は１７５ｇ／ｌであ
った。また、単位表面積あたりのＯＨ基は１．００個／
ｎｍ2に増加していた。
【００６２】このようにして高嵩密度化された疎水性煙
霧シリカを、内容積２ｌのミキサーに投入し混合撹拌
下、オクタメチルシクロテトラシロキサン３０ｇにより
前記と同様にして再度疎水化した。反応終了後、シリカ
は、１５０℃で乾燥した。
霧シリカを、内容積２ｌのミキサーに投入し混合撹拌
下、オクタメチルシクロテトラシロキサン３０ｇにより
前記と同様にして再度疎水化した。反応終了後、シリカ
は、１５０℃で乾燥した。
【００６３】以上により、得られた疎水性煙霧シリカの
物性を表１に示した。
物性を表１に示した。
【００６４】
【表１】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 美谷 芳雄 山口県徳山市御影町１番１号 株式会社ト クヤマ内 Ｆターム(参考） 4G072 AA25 BB05 BB13 CC16 DD02 DD03 DD04 DD05 DD06 DD07 GG03 HH19 JJ47 TT01 TT04 TT30 UU09 4J002 CP001 DJ016 FB096 FB116 FB146 FB266 FD016
Claims (2)
- 【請求項１】表面が有機珪素化合物により疎水化されて
なり、８０〜３００ｇ／ｌの嵩密度を有し、単位表面積
あたりのＯＨ基が０．５個／ｎｍ2以下であり、且つ粒
子径４５μｍ以上の凝集粒子が２０００ｐｐｍ以下であ
ることを特徴とする疎水性煙霧シリカ。 - 【請求項２】煙霧シリカを有機珪素化合物によって疎水
化し、次いで機械的粉砕した後又は機械的粉砕と同時
に、該煙霧シリカを再度疎水化することを特徴とする疎
水性煙霧シリカの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6069999A JP2000256008A (ja) | 1999-03-08 | 1999-03-08 | 疎水性煙霧シリカ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6069999A JP2000256008A (ja) | 1999-03-08 | 1999-03-08 | 疎水性煙霧シリカ及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000256008A true JP2000256008A (ja) | 2000-09-19 |
Family
ID=13149814
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6069999A Pending JP2000256008A (ja) | 1999-03-08 | 1999-03-08 | 疎水性煙霧シリカ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000256008A (ja) |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001139814A (ja) * | 1999-11-11 | 2001-05-22 | Dow Corning Toray Silicone Co Ltd | シリコーンゴム組成物およびその製造方法 |
| JP2003176122A (ja) * | 2001-09-13 | 2003-06-24 | Wacker Chemie Gmbh | シリカのシラノール基含有率が低いシリカ |
| WO2004099075A1 (ja) | 2003-05-06 | 2004-11-18 | Tokuyama Corporation | 疎水性ヒュームドシリカ |
| EP1657283A1 (en) | 2004-11-16 | 2006-05-17 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Process for producing hydrophobic silica powder |
| WO2006077717A1 (ja) * | 2005-01-19 | 2006-07-27 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | 高純度シリカ粉の製造方法及び装置、並びに高純度シリカ粉 |
| US7186440B2 (en) | 2005-07-04 | 2007-03-06 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Process for producing hydrophobic silica powder |
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