TWI389618B - ２層薄膜，２層薄膜之製造方法及印刷基板之製造方法 - Google Patents

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Tomohiro Baba
Kunihiko Saino
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Kakogawa Plastics Co Ltd
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Description

2層薄膜，2層薄膜之製造方法及印刷基板之製造方法
本發明係有關2層薄膜，2層薄膜之製造方法及印刷基板之製造方法；尤其，有關於金屬層與高分子層之密著強度較高的2層薄膜及其製造方法。
近年來，隨著電氣電子製品之小型化，而推進著印刷配線基板之導體寬度及導體間的狹窄化、多層化、高密度化。作為此等基板，先前大多使用紙/酚樹脂浸泡系、紙/環氧樹脂浸泡系、玻璃布/環氧樹脂浸泡系或是陶瓷材料等絕緣材料。這些材料缺乏可撓性，而有難以對應使用之多樣化的問題。因此，使用一種在塑膠薄膜上形成銅薄膜的可撓性印刷配線用基板。塑膠薄膜富有可撓性，絕緣性也高；又若使用聚對苯二甲酸乙二酯薄膜、聚醯亞胺薄膜等對熱安定之塑膠薄膜，則對熱也有耐性，其用途更廣。但是形成於塑膠薄膜上之銅薄膜，亦有於製造工程或使用時容易剝落的缺點。因此為了增加銅薄膜之黏著強度，提案有於氮環境下以濺鍍形成銅薄膜者(參考專利文件1)。
【專利文件1】日本專利第2982851號公報(段落0016、0017)
但是，以上述方法形成之銅薄膜，如果用於高密度印刷配線，也會有密著強度不足的問題。因此本發明之目的，為提供一種即使用於高密度印刷配線，金屬層也具有足夠密著強度的高分子-金屬之2層薄膜、其製造方法、以及使用該方法之印刷基板的製造方法。
為了達成上述目的，申請專利範圍第1項所記載之發明的2層薄膜，係例如第1圖所示，具備：高分子薄膜10；和形成於高分子薄膜10上，並包含60重量%以上100重量%以下之含氮原子之鎳的第1金屬膜12；和形成於第1金屬膜12上，以銅為主成分的第2金屬膜14。
若如此構成，則使包含60重量%以上100重量%以下之含氮原子之鎳的第1金屬膜12作用為黏著層，而成為以銅為主成分之金屬膜與高分子薄膜其密著強度較高的2層薄膜。
又，申請專利範圍第2項所記載之發明的2層薄膜，係例如第2圖所示，於高分子薄膜10上，在含氮氣環境下使用真空蒸鍍法或離子鍍法或濺鍍法，形成包含60重量%以上100重量%以下之鎳的第1金屬膜；並於第1金屬膜上，形成以銅為主成分的第2金屬膜。
若如此構成，則因為第1金屬膜乃平均形成，故會成為密著強度安定的2層薄膜。更且因為使用真空蒸鍍法或離子鍍法或濺鍍法形成1金屬膜，故會成為適合工業生產 的2層薄膜。
又，申請專利範圍第3項所記載之發明的2層薄膜，係針對申請專利範圍第1項或第2項所記載之2層薄膜，其中高分子薄膜與第1金屬膜之密著強度，初期在490N/m以上，且以120℃ 240小時乾燥後的上述密著強度在294N/m以上。
若如此構成，則即使例如使用於高密度印刷配線板，也會是具有適當密著強度的2層薄膜。
為了達成上述目的，申請專利範圍第4項所記載之發明的2層薄膜，係例如第1圖所示，具備：高分子薄膜10；和形成於高分子薄膜10上，包含60原子%以上96原子%以下之鎳原子，且含氮原子4原子%以上20原子%以下的第1金屬膜12；和形成於第1金屬膜12上，以銅為主成分的第2金屬膜14。
若如此構成，則使包含60原子%以上96原子%以下之鎳，且含氮原子4原子%以上20原子%以下的第1金屬膜12作用為黏著層，而成為以銅為主成分之金屬膜與高分子薄膜之密著強度較高的2層薄膜。
又，申請專利範圍第5項所記載之發明的2層薄膜，係針對申請專利範圍第4項所記載之2層薄膜，例如第1圖及第2圖所示，第1金屬膜12亦可在含氮氣環境下，使用真空蒸鍍法或離子鍍法或濺鍍法形成。
若如此構成，則因為第1金屬膜乃平均形成，故會成為密著強度安定的2層薄膜。更且因為使用真空蒸鍍法或 離子鍍法或濺鍍法形成1金屬膜，故會成為適合工業生產的2層薄膜。
又，申請專利範圍第6項所記載之發明的2層薄膜，係針對申請專利範圍第4項或第5項所記載之2層薄膜，其中高分子薄膜10與第1金屬膜12之密著強度，初期在590N/m以上，且以120℃ 240小時乾燥後的上述密著強度在294N/m以上者即可。
若如此構成，則即使例如使用於高密度印刷配線板，也會是具有十分強大密著強度的2層薄膜。
又，申請專利範圍第7項所記載之發明的2層薄膜，係針對申請專利範圍第1項至第6項之任一項所記載之2層薄膜，其中高分子薄膜10係以含氮原子之高分子所形成。
若如此構成，因為高分子薄膜含有氮原子，故高分子薄膜對鎳之密著性會提高；在2層薄膜之加工過程中，會是容易加工的2層薄膜。例如要由2層薄膜製造印刷基板，會變得比較容易製造。
又，申請專利範圍第8項所記載之發明的2層薄膜，係針對申請專利範圍第7項所記載之2層薄膜，其中含氮原子之高分子，係包含來自聚醯亞胺、聚醚醯亞胺、聚醯胺醯亞胺以及醯胺所構成之群中的任一個。
若如此構成，因為聚醯亞胺、聚醚醯亞胺、聚醯胺醯亞胺以及醯胺任一個對高溫都有耐性，所以會是即使於例如印刷基板加工時，以錫銲曝露於高溫下也不易受傷的2 層薄膜。
又，申請專利範圍第9項所記載之發明的2層薄膜，係例如第1圖所示，針對申請專利範圍第1項至第8項之任一項所記載之2層薄膜，其中第1金屬膜12之厚度在3nm以上100nm以下，而第2金屬膜14之厚度在20nm以上5000nm以下。
若如此構成，則第1金屬膜之厚度會是得到較高密著強度之厚度；又第2金屬膜之厚度，會是例如提高後段之鍍敷加工生產性，且容易進行蝕刻加工之範圍的厚度，所以會是有適當厚度的2層薄膜。
又，申請專利範圍第10項所記載之發明的2層薄膜，係例如第1圖(c)所示，針對申請專利範圍第1項至第9項之任一項所記載之2層薄膜，其中在第2金屬膜14上，用電沈積法或無電解鍍法形成以銅為主成分的第3金屬膜16。
若如此構成，則會是與高分子薄膜密著強度較高，且銅膜較厚的2層薄膜。
為了達成上述目的，申請專利範圍第11項所記載之發明的2層薄膜之製造方法，係例如第2圖所示，具備於高分子薄膜10上，在含氮氣環境下使用真空蒸鍍法或離子鍍法或濺鍍法，形成包含60重量%以上100重量%以下之鎳之第1金屬膜的工程；和於第1金屬膜上，形成以銅為主成分之第2金屬膜的工程。
若如此構成，則因為第1金屬膜乃平均形成，故會成 為密著強度安定的2層薄膜。更且因為使用真空蒸鍍法或離子鍍法或濺鍍法形成第1金屬膜，故會成為適合工業生產的2層薄膜之製造方法。
為了達成上述目的，申請專利範圍第12項所記載之發明的2層薄膜之製造方法，係例如第1圖及第2圖所示，具備：於高分子薄膜10上，使用包含75重量%以上之鎳之膜材料22，在含氮氣環境下以真空蒸鍍法或離子鍍法或濺鍍法，形成第1金屬膜12的工程；和於第1金屬膜12上，形成以銅為主成分之第2金屬膜14的工程。
若如此構成，則第1金屬膜為以鎳為主體而含有氮的膜，第1金屬膜作用為黏著層，而成為以銅為主成分之金屬膜與高分子薄膜之密著強度較高的2層薄膜之製造方法。又，因為第1金屬膜乃平均形成，故會成為密著強度安定的2層薄膜之製造方法。更且因為使用真空蒸鍍法或離子鍍法或濺鍍法形成1金屬膜，故會成為適合工業生產的2層薄膜之製造方法。
又申請專利範圍第13項所記載之發明的2層薄膜之製造方法，係針對申請專利範圍第11項或第12項所記載之2層薄膜之製造方法，其中含氮氣之環境含有30體積%以上100體積%以下之氮氣。
若如此構成，因為第1金屬膜含有氮原子，故會是以銅為主成分之金屬膜與高分子薄膜之密著強度較高的2層薄膜之製造方法。
又申請專利範圍第14項所記載之發明的2層薄膜之 製造方法，係針對申請專利範圍第11項至第13項之任一項所記載之2層薄膜之製造方法，其中另外具備有在第2金屬膜上，用電解法或無電解鍍法形成以銅為主成分的第3金屬膜的工程。
若如此構成，則會是與高分子薄膜之密著強度較高，且銅膜較厚的2層薄膜之製造方法。
更且，申請專利範圍第15項所記載之印刷基板之製造方法，係例如第3圖所示，具備以申請專利範圍第11項至第14項之任一項所記載之2層薄膜之製造方法，來製造2層薄膜的工程(St11~16)；和於2層薄膜，形成印刷圖案的工程(St21~25)；和於形成有印刷圖案之2層薄膜，配置元件的工程(St41)。
若如此構成，則因為使用形成有與高分子薄膜具有較高密著強度之金屬膜的2層薄膜，加以配線，並於其上配置元件，故會是配線強度較高的印刷基板之製造方法。
又申請專利範圍第16項所記載之印刷基板之製造方法，係例如第3圖所示，針對申請專利範圍第15項所記載之印刷基板之製造方法，在形成印刷圖案的工程(St21~25)和配置元件的工程(St41)之間，具備用電解法或無電解鍍法，形成以銅為主成分之鍍膜的工程(St29)。
若如此構成，則藉由於形成有印刷圖案之2層薄膜，重疊形成以銅為主成分之鍍層，即可形成形狀整齊之精細圖案，故導電性會變好。
本發明之2層薄膜中，因為具備：高分子薄膜；和形成於高分子薄膜上，並包含60重量%以上100重量%以下之含氮原子之鎳的第1金屬膜；和形成於第1金屬膜上，以銅為主成分的第2金屬膜；而包含60重量%以上100重量%以下之含氮原子之鎳的第1金屬膜12，係作用為黏著層，故會是金屬層與高分子層難以剝落的2層薄膜。又，本發明之2層薄膜中，因為具備：高分子薄膜；和形成於高分子薄膜上，包含60原子%以上96原子%以下之鎳原子，且含氮原子4原子%以上20原子%以下的第1金屬膜；和形成於第1金屬膜上，以銅為主成分的第2金屬膜；且第1金屬膜作用為黏著層，故會是即使用於高密度印刷配線，金屬層與高分子層也會以十分強大之密著強度密著的2層薄膜。
又本發明之2層薄膜之製造方法，因為具備：於高分子薄膜上，在含氮氣環境下使用真空蒸鍍法或離子鍍法或濺鍍法，形成包含60重量%以上100重量%以下之鎳之第1金屬膜的工程；和於第1金屬膜上，形成以銅為主成分之第2金屬膜的工程；且第1金屬膜作用為黏著層，故會是金屬層與高分子層難以剝落的2層薄膜之製造方法。又，本發明之2層薄膜之製造方法，因為具備：於高分子薄膜上，使用包含90重量%以上之鎳之膜材料，在含氮氣環境下以真空製膜法，形成第1金屬膜的工程；和於第1金 屬膜上，形成以銅為主成分之第2金屬膜的工程；且第1金屬膜作用為黏著層，故會是即使用於高密度印刷配線，金屬層與高分子層也會以十分強大之密著強度密著的2層薄膜。更且使用以上述製造方法所製造之2層薄膜，來製造印刷基板，則會是金屬層與高分子層難以剝落的印刷基板之製造方法。
以下參考圖示，說明本發明之實施方式。另外各圖中對互相相同或相當的裝置，係附加相同符號而省略重複說明。
第1圖(a)中，係表示本發明之第1實施方式，亦即2層薄膜1~3的剖面圖。2層薄膜1~3，主要是使用於用以製造印刷基板用的印刷配線板用薄膜。第1圖(a)所示之2層薄膜1，係具備：高分子薄膜10，和形成於高分子薄膜10上之第1金屬膜12，和形成於第1金屬膜12上之第2金屬膜14。在此，2層薄膜1雖然具備高分子薄膜10、第1金屬膜12、及第2金屬膜14，但是因為具有1層高分子薄膜10和1層金屬膜(第1金屬膜12和第2金屬膜14)，故稱為2層薄膜。
作為高分子薄膜10，對於在其上形成金屬膜時曝露於高溫下的情況，或是於2層薄膜上錫銲元件及導線而曝露於高溫的情況等，係適合使用具有耐熱性的高分子製薄膜。又，以對基板加工時之蝕刻等處理具有抗蝕性的高分子 為佳。含氮原子之高分子通常密著性較佳，故較適合。更且，通常適於使用大部分為耐熱性優良，且含氮原子的高分子薄膜。尤其，理想地使用有聚醯亞胺、聚醚醯亞胺、聚醯胺醯亞胺以及醯胺等具有高耐熱性者。另外氮原子亦可未包含於高分子薄膜之主原料的分子構造，而包含於添加劑中。又高分子薄膜之厚度，是作為1μm以上500μm以下，以3μm以上為佳，10μm以上更佳；又以300μm以下為佳，150μm以下更佳。若高分子薄膜之厚度太薄，則難以處理為電路基板用途，也難以進行鍍敷處理。若高分子薄膜之厚度太厚，則會變的硬直，而成為沒有柔軟性的2層薄膜。
第1金屬膜12，係形成於高分子薄膜10上之膜，包含60重量%以上100重量%以下之含氮原子的鎳。在此，鎳為60重量%以上100重量%以下，剩下的一般則是銅、鈦等，但並不限於此。又，若以例如高解析拉塞福反向散射譜學法(High Resolution Rutherford backscattering spectroscopy(RBS))來檢測第1金屬膜12，則氮濃度包含1原子%以上10原子%以下，理想上在3原子%以上，而包含5原子%以上之氮原子更佳。另外，即使含有如此程度之氮原子，對鎳之重量%之影響也是小到可以忽略的程度。
第1金屬膜12，理想上係以真空蒸鍍法、離子鍍法或濺鍍法等真空下的製膜法(以下稱為真空製膜法)來形成，而得到平均的膜。若使用此等真空製膜法，因為在真空 中離子化之金屬離子會在高分子薄膜上析出，而形成膜，故即使作為金屬離子來源之膜材料中，或是靶中含有氮的雜質，也會於離子化時被去除；故一般來說，所形成之金屬膜不會含有氮。但是藉由在含氮氣環境下以真空製膜法形成金屬膜，會形成含氮原子的金屬膜。在此很明顯地，本說明書中所謂濺鍍，並不只代表以氬等惰性氣體離子衝撞金屬等靶，使從靶彈出之金屬原子附著於被著體(以濺鍍附著於膜)表面的現象，而是代表包含以下現象之廣義濺鍍。亦即取代惰性氣體而使用氮氣作為反應性氣體，藉此從金屬等靶彈出金屬原子，並且於金屬原子與氮氣之間產生反應，而附著於被著體表面來形成薄膜。此種現象，就稱為反應性濺鍍。又，此時氮離子會碰觸被著體表面，而表面成為被氮離子處理過的狀態。此種處理稱為離子轟擊，也有時組合這些現象，統稱為電漿處理。若使用濺鍍，則被離子衝撞而彈出之金屬原子，或伴隨著反應性氣體的粒子，會衝撞被著體，故容易提高密著力。另外第1金屬膜12，亦可由真空製膜法以外的方法來製膜。
第1金屬膜12，係有作為高分子膜10和第2金屬膜14之黏著層的作用。第1金屬膜12之厚度，以3nm以上100nm以下即可。理想為10nm以上且30nm以下。作為如此厚度，高分子薄膜10和第1金屬膜12以及第2金屬膜14之密著強度會變高。詳細來說，以日本印刷電路工會JPCA規格「可撓性印刷配線板用銅箔層積板(黏著劑及無黏著型)」JPCA-BM03-2003為基準之密著強度，初 期在490N/m以上為佳，且以120℃ 240小時乾燥後的密著強度仍在294N/m以上為佳。有如此密著強度，使2層薄膜1即使受熱而曝露於高溫下，金屬膜也不會剝落，而成為適合用於高密度印刷配線之2層薄膜。
第2金屬膜14，係以銅為主成分來形成。在此所謂「以銅為主成分」，係代表以銅為主體來形成，其成分中以銅含有最多。理想上銅之含有量為70重量%以上，而以90重量%以上為更佳。第2金屬膜因為也是以真空製膜法形成，膜平均且細密，故為理想。第2金屬膜14，是加工為印刷配線者，厚度以20nm以上5000nm以下為佳。理想上係50nm以上3000nm以下為佳。若第2金屬膜14形成地較厚，則後述之第3金屬膜16就容易形成，或是有作為配線之導電度良好安定的效果；但若是太厚，則製膜時間過長，成本也過高，故不理想。更且因製膜時的熱，會造成產生翹曲或捲曲等變形，或加工為配線時難以蝕刻的缺點。因此以上述範圍之厚度較理想。第2金屬膜14，為了成為上述厚度，以真空製膜法中的真空蒸鍍法形成者尤其理想。真空蒸鍍法因為金屬蒸發速度快，故可高速製膜，而容易製造厚膜。又比起濺鍍，蒸發金屬粒子所具有的能量較低，故對被著體造成的傷害較小。
如第1圖(b)之剖面圖所示，2層薄膜2，可以在高分子薄膜10之兩面，具有第1金屬膜12及第2金屬膜14。使用兩面具有第1金屬膜12及第2金屬膜14的2層薄膜2，就可在兩面加工印刷配線，故可達到基板之小型化 。另外此時，因為也是有1層高分子薄膜和金屬膜，故稱為2層薄膜。
又如第1圖(c)之剖面圖所示，2層薄膜3也可於第2金屬膜14上形成第3金屬膜16。第3金屬膜16，係以銅為主成分之膜，與第2金屬膜14之材料類似，密著強度較高。第3金屬膜16因為形成較厚，故以電沈積(電鍍或電鑄)法或無電解鍍敷(化學鍍敷)法來形成者為佳。第3金屬膜16之厚度，以1μm以上100μm以下為佳。第3金屬膜16，也是被加工為配線板之配線。
接著參考第2圖，說明本發明之第1實施方式，亦即2層薄膜1之製造方法。另外，也適當參考第1圖。第2圖，係於真空槽33中以濺鍍於高分子薄膜10形成第1金屬膜12，以蒸鍍形成第2金屬膜14，2層薄膜1之製造裝置的示意剖面圖。組合其他真空製膜法而形成2層薄膜1的情況下，也可用相同方法製造。又，可以用此處說明之方法，在高分子薄膜10之兩面形成第1金屬膜12及第2金屬膜14，而製造2層薄膜2。又，若使用以此處說明之方法所製造之2層薄膜，以電沈積或無電解鍍敷來形成第3金屬膜16，則可製造2層薄膜3。
真空槽33，係用以保持內部真空之高氣密性容器，例如長3m×寬5m×高3m的圓筒型容器。真空槽33係連接於吸氣管34，另一端連接於真空泵35。真空槽33內，設置有高分子薄膜10被捲成滾筒狀的原布41。高分子薄膜10，係從原布41被導向至導引輥32，而到達輥31之下部。 輥31係為圓筒型，於高分子薄膜10被運送之方向(第2圖中的箭頭)的相同方向，以相同速度旋轉。輥31係連接有冷媒配管36、37。冷媒配管36、37，係連接於真空槽33外部之冷媒冷卻裝置(未圖示)，然後將冷媒r供給至輥31內，並且再回來。輥31則以冷媒r來冷卻，保持為低溫。沿著輥31下部表面而接觸的高分子薄膜10，其前端被導引輥32’所導引，而被捲收至製品輥42。
輥31下方，設置有儲存著蒸鍍材24之容器23。容器23，係構成為可由電來加熱(未圖示)。電造成之加熱，不論是電阻加熱、介電加熱、高頻感應加熱，或其他加熱方法，只要是將蒸鍍材24加熱至比熔點高很多的溫度，而可維持溫度的方法即可。作為蒸鍍材24，以使用銅為佳。輥31之下部和容器23上面之間的空隙，係根據銅材料之種類、溫度條件等而適當變化，而在1~數百mm之範圍內，但並不限於上述範圍內。
於原布41與輥31之間之高分子薄膜10的行進路徑，配置有鎳合金或是鎳來作為靶(以下稱為靶)22。靶22連接有陰極，而相對於靶22之高分子薄膜10連接於陽極，在此等電極之間施加電壓。靶22和高分子薄膜10之間附近，設置有供給氮氣N2之反應氣體管43的噴出口44。反應氣體管43，係從外部之氮氣供給源，將氮氣供給至靶22附近。
使用上述裝置來製造2層薄膜1，首先必須將原布41設置於真空槽33內，如上述般將高分子薄膜10導引至製 品輥42。接著使真空槽33內為氣密，將殘留於真空槽33內的氣體以真空泵35減壓至例如0.667~0.00133Pa的真空度。
在真空下於靶22和高分子薄膜10之間的電極施加電壓，藉此使真空槽33內的氣體游離，使游離之離子衝撞靶22，而從靶飛出鎳及合金原子。飛出之鎳及合金原子，係隨著環境中之氮氣而附著於高分子薄膜。這就是濺鍍。從反應氣體管43所供給之氮氣，氮濃度以30體積%以上100體積%以下為佳。以50體積%以上為佳，70體積%以上較佳，80體積%以上更佳。在含有如此氮氣之環境中進行濺鍍，則可使形成於高分子薄膜10上之鎳或鎳合金膜含有氮。使鎳或鎳合金含有氮，可提高與高分子薄膜10的密著性。
又，加熱儲存有銅24作為蒸鍍材的容器23，將銅24加熱到比其熔點(純銅為1083℃)更高200~1200℃的溫度並維持溫度。另外銅24不必是純銅，也可包含其他金屬成分。在真空中使銅24成為比熔點更高200~1200℃的溫度，則會產生銅24的蒸氣。
所產生之蒸氣，會附著於容器23上方的高分子薄膜10。這就是蒸鍍。蒸氣在附著於高分子薄膜10時還是高溫的，故高分子薄膜10有可能因熱而受損。因此預先以冷媒r來冷卻輥31。沿著輥31而接觸之高分子薄膜10，會由與輥31之接觸面開始冷卻，即使附著有蒸鍍材之蒸氣也不會變成高溫，而可防止因熱所造成的損傷。
此狀態下，係使高分子薄膜10從原布41，向著製品輥42行走。行走中，會在含氮氣之環境下的濺鍍，以靶22形成鎳或鎳合金膜作為第1金屬膜12。之後於輥31之下部，會以蒸鍍在高分子薄膜10附著有銅24作為第2金屬膜14。於高分子薄膜10上形成第1金屬膜12和第2金屬膜14的2層薄膜1，會被捲收於製品輥42。高分子薄膜10之行走速度，以1~100m/分鐘左右為佳，但並不限制於上述範圍。
因為可以用上述方法製造2層薄膜1，故可工業化製造大量的2層薄膜1。尤其同時進行以濺鍍形成第1金屬膜12，和以蒸鍍形成第2金屬膜14，故製造效率會變高。另外上述說明中，雖說明同時進行以濺鍍形成第1金屬膜12，和以蒸鍍形成第2金屬膜14，但也可以分別進行第1金屬膜12之形成和第2金屬膜14之形成。此時，第1次高分子薄膜10之行進僅形成第1金屬膜12，而將捲收於製品輥42之高分子薄膜10作為原布41再度行進，僅形成第2金屬膜14。若如此構成，則可分別調整第1金屬膜12之厚度和第2金屬膜14之厚度。又第1金屬膜12之形成，並不限於濺鍍，也可以是其他真空製膜法；第2金屬膜14之形成，並不限於蒸鍍，也可以是其他真空製膜法或其他製膜法。
接著再次參考第1圖，說明本發明之第2實施方式，亦即2層薄膜1~3。在此，第2實施方式之2層薄膜1，僅第1金屬膜12與作為第1實施方式所說明之2層薄膜 不同，其他構造都相同，故僅說明第1金屬膜12，省略其他說明。
第1金屬膜12係形成於高分子薄膜10上的膜，包含鎳60原子%以上96原子%以下，且含氮原子4原子%以上20原子%以下。在此，除了鎳原子及氮原子以外，剩下的一般會是銅、鈦等，但並不限於這些。鎳或氮之含有率(原子%)，例如使用形成第1金屬膜12的樣本，在第1金屬膜12側例如濺鍍氣體粒子等1分鐘，加以蝕刻，剝除第1金屬膜12表面，之後以X射線光電子分光裝置進行成分分析，則可加以測定。使第1金屬膜12包含鎳原子60原子%以上，且含氮原子4原子%以上，可增強高分子薄膜10與第2金屬膜14的黏著力。惟若氮原子超過20原子%般大量含有時，黏著力會降低。
第1金屬膜12，理想上係以真空蒸鍍法、離子鍍法或濺鍍法等真空製膜法來形成，而得到平均且細密的膜。若使用此等真空製膜法，因為在真空中離子化之金屬離子會在高分子薄膜上析出，而形成膜，故即使作為金屬離子來源之膜材料中含有氮的雜質，也會於離子化時被去除；故一般來說，所形成之金屬膜不會含有氮。但是藉由在含氮氣環境下以真空製膜法形成金屬膜，會形成含氮原子的金屬膜。另外第1金屬膜12，亦可由真空製膜法以外的方法來製膜。另外作為膜材料，在真空蒸鍍法來說係被蒸鍍之膜材料，亦即蒸鍍材；在濺鍍法來說，則是成為膜材料之靶等；針對各製膜法，則是指作為形成膜之基礎的材料。
第1金屬膜12，係有作為高分子薄膜10和第2金屬膜14之黏著層的作用。第1金屬膜12之厚度，以3nm以上100nm以下即可。理想為5nm以上，更理想為10nm以上，且在30nm以下。作為如此厚度，高分子薄膜10和第1金屬膜12以及第2金屬膜14之密著強度會變高。詳細來說，以日本印刷電路工會JPCA規格「可撓性印刷配線板用銅箔層積板(黏著劑及無黏著型)」JPCA-BM03-2003為基準之密著強度，初期在590N/m以上為佳，且以120℃ 240小時乾燥後的密著強度仍在294N/m以上為佳。有如此密著強度，使2層薄膜1即使受熱而曝露於高溫下，金屬膜也不會剝落，而成為適合用於高密度印刷配線中，具有充分強大密著強度之2層薄膜。
其次參考第1圖及第2圖，說明第2實施方式之2層薄膜之製造方法。第2實施方式之2層薄膜之製造方法，基本上與之前說明的第1實施方式之2層薄膜之製造方法相同即可，但是用以形成第1金屬膜12之膜材料的條件不同。第2圖中，配置於原布41與輥31之間之高分子薄膜10的行進路徑之作為濺鍍靶之鎳(以下稱為靶)22，係含鎳75重量%以上的高純度鎳材料。理想上若含鎳99重量%以上，製膜時膜含有鎳的含有率會提高，而增強高分子薄膜10與第2金屬膜14的黏著力。更且，例如為含鎳99.9重量%以上，成為實質上的鎳單體，則製膜時膜含有鎳的含有率會更提高，而更加增強高分子薄膜10與第2金屬膜14的黏著力。靶22連接有陰極，而相對於靶22 之高分子薄膜10連接於陽極，在此等電極之間施加電壓。靶22和高分子薄膜10之間附近，設置有供給氮氣N2之反應氣體管43的噴出口44。反應氣體管43，係從外部之氮氣供給源，將氮氣供給至靶22附近。從反應氣體管43所供給之氮氣，氮濃度以30體積%以上100體積%以下為佳。若較佳為形成為50體積%以上，更佳為形成為70體積%以上時，以減少被製造之第1金屬膜所包含之鎳及氮原子以外的原子含有率為理想。更且若成為80體積%以上，則幾乎不含其他原子而為理想。在含有氮氣之環境中進行濺鍍，則可使形成於高分子薄膜10上之鎳膜含有氮。使鎳含有氮，可提高與高分子薄膜10的密著性；同時可防止高溫下的黏著力降低。第2實施方式之2層薄膜之製造方法中的其他工程，與第1實施方式之2層薄膜之製造方法所說明的相同，故省略重複說明。
接著參考第3圖之流程圖，說明使用第1實施方式之2層薄膜而製造印刷基板的製造方法例。第3圖中，以虛線所示之路徑(St16、St27~28及St29)，為不一定要通過(執行)之路徑，而不會通過St16和St27~28兩邊。
首先於形成為真空的真空槽內供給氮氣(St11)，一邊供給氮氣一邊以濺鍍形成鎳膜(St12)。更且在真空槽內，重疊鎳膜而形成銅膜，變成2層薄膜(St13)。如至此所說明一般，藉由一邊供給氮氣一邊形成鎳膜，可形成具有氮原子之鎳膜；重疊鎳膜而形成銅膜，可形成與高分子薄膜密著強度較高的2層薄膜。又2層薄膜之製造方法 ，也如至此所說明般可以是其他方法。
例如為負片型時，係在2層薄膜之銅膜上，塗佈具有不會被後段顯影工程溶出之性質的物質，而形成阻劑(St21)。於阻劑上曝光遮罩圖案(St22)。阻劑會因曝光而硬化，即使在後段的顯影工程中也不會溶解。因此藉由顯影可溶出未硬化之阻劑，在銅膜上留下遵照遮罩圖案的阻劑(St23)。若被顯影，則實施蝕刻(St24)。藉由蝕刻將阻劑溶出之部分下的銅膜溶出。亦即僅於曝光後之部分，留下銅膜與阻劑。剝除阻劑使留下之銅膜成為導電路徑，而製造出形成有印刷圖案的基板(St25)。
於形成有印刷圖案的基板錫銲導線(St31)，並裝配特定元件，而製造出印刷基板(St41)。若依此印刷基板之製造方法，金屬層與高分子層之密著強度較高，配線難以剝落，故可縮小導體寬度及導體間距，而可實現印刷基板的小型化。另外於形成有印刷圖案的基板，更可以電解法或無電解鍍法形成以銅為主成分的鍍膜(St29)。以銅為主成分之鍍層，雖會形成於以銅膜形成之銅電路上，但不會形成於高分子膜露出的部分；亦即於形成有印刷圖案的基板形成鍍膜，可加厚導電路徑。若導電路徑變厚，則電導性會提高而為理想。
2層薄膜形成後(St13)，可更以鍍敷或其他方法重疊形成銅膜(St16)。重疊形成銅膜可增厚銅膜之厚度，亦即加寬被印刷的導電路徑，減少電阻。如此一來，不必改變被印刷之平面上的寬度，就可加寬導電路徑，而不需 要加大印刷基板尺寸，故為理想。
或是也可以於2層薄膜曝光遮罩圖案，在顯影(St23)之後，如以下般製造形成有印刷圖案的基板。首先藉由顯影，僅留下遵從遮罩圖案的阻劑，之後鍍上銅(St27)。這麼一來因為阻劑上不會被鍍，故會藉由顯影，而僅於銅膜露出之部分鍍上銅。因此藉由去除阻劑與其下之銅膜，則可製造形成有印刷圖案的基板(St28)。此方法係稱為半添加法(Semi-Additive)，曝光部分為印刷有導電路徑之部分，與至此之前所說明的相反，係被稱為正片型的曝光。另外沒被曝光之部分會成為導電路徑的曝光，則稱為負片型。藉由使用此半添加法，可輕易加厚導電路徑之寬度(銅膜厚度)；而且比起顯影前鍍上銅膜之方法，可減少溶出之銅的量，亦即可減少銅的消耗量。
印刷基板之製造方法並不限於上述者，而可採取各種方法；但是使用於高分子薄膜上，在含氮氣之環境下以真空製膜法形成含鎳60重量%以上之第1金屬膜，其上形成以銅為主成分之第2金屬膜的2層薄膜，來製作形成有印刷圖案之基板，並配置元件而製造出印刷基板，則可製造出金屬層與高分子層之密著強度較高，且配線難以剝落的印刷基板。
使用第2實施方式之2層薄膜來製造印刷基板，只要針對上述印刷基板之製造方法，使用純度較高之鎳作為膜材料等，將第1金屬膜形成為含鎳原子60原子%以上，含氮原子4原子%以上者即可。如此製造印刷基板，可使金 屬層與高分子層的密著強度更高，而製造配線更不易剝落的印刷基板。
實施例1
以下由實施例與比較例，確認本發明之2層薄膜的效果。首先，說明第1實施方式之2層薄膜的實施例1~3。
於真空槽內，設置厚度25μm，寬500mm，長200m之聚醯亞胺薄膜(註冊商標：Kapton EN，日本TORAY‧DuPont公司製造)。設為0.04Pa之真空度。之後以鎳Ni與銅Cu之合金(Ni：Cu=70：30重量%)為靶，一邊對真空槽內供給100體積%之氮氣100ml/分鐘，一邊進行濺鍍而製造第1金屬膜。其厚度係20nm。以真空蒸鍍法在第1金屬膜表面製造銅膜，而形成厚度200nm之第2金屬膜。將所製成之薄膜裝配於批式電解鍍槽中，形成厚度18μm之銅鍍膜(第3金屬膜)，而製造2層薄膜。
實施例2
於真空槽內，設置厚度25μm，寬500mm，長200m之聚醯亞胺薄膜(註冊商標：Kapton EN，日本TORAY‧DuPont公司製造)。設為0.04Pa之真空度。之後以鎳Ni與銅Cu之合金(Ni：Cu=80：20重量%)為靶，一邊對真空槽內供給100體積%之氮氣150ml/分鐘，一邊進行濺鍍而製造第1金屬膜。其厚度係20nm。以真空蒸鍍法在第1金屬膜表面製造銅膜，而形成厚度200nm之第2金屬膜。 將所製成之薄膜裝配於批式電解鍍槽中，形成厚度18μm之銅鍍膜，而製造2層薄膜。
實施例3
於真空槽內，設置厚度50μm，寬500mm，長200m之聚醯亞胺薄膜(註冊商標：Kapton EN，日本TORAY‧DuPont公司製造)。設為0.04Pa之真空度。之後以鎳Ni與鈦Ti之合金(Ni：Ti=90：10重量%)為靶，一邊對真空槽內供給100體積%之氮氣150ml/分鐘，一邊進行濺鍍而製造第1金屬膜。其厚度係15nm。以真空蒸鍍法在第1金屬膜表面製造銅膜，而形成厚度250nm之第2金屬膜。將所製成之薄膜裝配於批式電解鍍槽中，形成厚度18μm之銅鍍膜，而製造2層薄膜。
為了比較實施例1~3，係針對實施例1之製造方法，僅改變濺鍍靶，而以下述比較例1~3來製造2層薄膜。
[比較例1]
以與實施例1相同之方法，改變濺鍍靶為銅單體，而製造2層薄膜。
[比較例2]
以與實施例1相同之方法，改變濺鍍靶為鎳Ni與銅Cu之合金(Ni：Cu=30：70重量%)，而製造2層薄膜。
[比較例3]
以與實施例1相同之方法，改變濺鍍靶為鎳Ni與銅Cu之合金(Ni：Cu=50：50重量%)，而製造2層薄膜。
對上述實施例1~3及比較例1~3所製造的2層薄膜，測定製造後之模樣(初期)的密著強度，和耐熱後之密著強度。耐熱後之密著強度，係使用吉爾恒溫箱(Geer oven)於120℃保持240小時後，測定2層薄膜之密著強度。密著強度，係以日本印刷電路工會JPCA規格「可撓性印刷配線板用銅箔層積板(黏著劑及無黏著型)」JPCA-BM03-2003為基準來測定。
第4圖，係整合表示實施例1~3及比較例1~3之2層薄膜的密著強度測定結果。由第4圖明顯可知，實施例1~3之2層薄膜不論哪個情況，都顯示500N/m以上的較高初期密著強度；又耐熱後之密著強度，也維持在300N/m以上的密著強度的結果。另一方面，比較例1~3中初期強度為290~400N/m左右，而耐熱後之密著強度則降到0~30N/m。從而，作為第1金屬膜，鎳含有率較高會影響初期密著強度及耐熱後密著強度，而具有60重量%以上之鎳含有量者為佳；又，顯示出第1實施方式之2層薄膜之初期密著強度及耐熱後密著強度也較高。
實施例4
於上述實施例1所製作之2層薄膜的銅鍍層上，層積鹼性顯影型感光性阻劑薄膜(日本旭化成股份有限公司製 造：AQ-1558)，曝光出電路用之遮罩圖案。之後以1重量%之碳酸鈉溶液，在40℃顯影30秒。之後以10重量%之氯化銅蝕刻液，在45℃蝕刻30秒。接著以2重量%之氫氧化鈉溶液，在30℃處理3分鐘剝除阻劑，而形成印刷圖案。依此，獲得L(線寬)/S(線間距離)=40/40μm的電路。將導線錫銲連接於此電路。將此電路以120℃，240小時乾燥加熱後，進行導通及剝落等觀察。結果，完全沒有問題而為良好者。
實施例5
接著，說明第2實施方式之2層薄膜的實施例5~10。於真空槽內，設置厚度25μm，寬500mm，長200m之聚醯亞胺薄膜(註冊商標：Kapton EN，日本TORAY‧DuPont公司製造)。設為0.04Pa之真空度。之後以鎳Ni(100重量%)為靶，一邊對真空槽內供給100體積%之氮氣300ml/分鐘，一邊進行濺鍍而製造第1金屬膜。其厚度係11nm。以真空蒸鍍法在第1金屬膜表面製造銅膜，而形成厚度200nm之第2金屬膜。將所製成之薄膜裝配於批式電解鍍槽中，形成厚度8μm之銅鍍膜(第3金屬膜)，而製造2層薄膜。
實施例6
於真空槽內，設置厚度25μm，寬500mm，長200m之聚醯亞胺薄膜(註冊商標：Kapton EN，日本TORAY‧ DuPont公司製造)。設為0.04Pa之真空度。之後以鎳Ni(100重量%)為靶，一邊對真空槽內供給100體積%之氮氣400ml/分鐘，一邊進行濺鍍而製造第1金屬膜。其厚度係23nm。以真空蒸鍍法在第1金屬膜表面製造銅膜，而形成厚度200nm之第2金屬膜。將所製成之薄膜裝配於批式電解鍍槽中，形成厚度8μm之銅鍍膜，而製造2層薄膜。
實施例7
於真空槽內，設置厚度25μm，寬500mm，長200m之聚醯亞胺薄膜(註冊商標：Kapton EN，日本TORAY‧DuPont公司製造)。設為0.04Pa之真空度。之後以鎳Ni(100重量%)為靶，一邊對真空槽內供給100體積%之氮氣250ml/分鐘，一邊進行濺鍍而製造第1金屬膜。其厚度係10nm。以真空蒸鍍法在第1金屬膜表面製造銅膜，而形成厚度200nm之第2金屬膜。將所製成之薄膜裝配於批式電解鍍槽中，形成厚度8μm之銅鍍膜，而製造2層薄膜。
實施例8
於真空槽內，設置厚度25μm，寬500mm，長200m之聚醯亞胺薄膜(註冊商標：Kapton EN，日本TORAY‧DuPont公司製造)。設為0.04Pa之真空度。之後以鎳Ni與銅Cu之合金(Ni：Cu=80：20重量%)為靶，一邊對真 空槽內供給100體積%之氮氣300ml/分鐘，一邊進行濺鍍而製造第1金屬膜。其厚度係20nm。以真空蒸鍍法在第1金屬膜表面製造銅膜，而形成厚度200nm之第2金屬膜。將所製成之薄膜裝配於批式電解鍍槽中，形成厚度8μm之銅鍍膜，而製造2層薄膜。
實施例9
於真空槽內，設置厚度25μm，寬500mm，長200m之聚醯亞胺薄膜(註冊商標：Kapton EN，日本TORAY‧DuPont公司製造)。設為0.04Pa之真空度。之後以鎳Ni(100重量%)為靶，一邊對真空槽內供給100體積%之氮氣300ml/分鐘，一邊進行濺鍍而製造第1金屬膜。其厚度係5nm。以真空蒸鍍法在第1金屬膜表面製造銅膜，而形成厚度200nm之第2金屬膜。將所製成之薄膜裝配於批式電解鍍槽中，形成厚度8μm之銅鍍膜，而製造2層薄膜。
實施例10
於真空槽內，設置厚度25μm，寬500mm，長200m之聚醯亞胺薄膜(註冊商標：Kapton EN，日本TORAY‧DuPont公司製造)。設為0.04Pa之真空度。之後以鎳Ni(100重量%)為靶，一邊對真空槽內供給100體積%之氮氣300ml/分鐘，一邊進行濺鍍而製造第1金屬膜。其厚度係8nm。以真空蒸鍍法在第1金屬膜表面製造銅膜，而形 成厚度200nm之第2金屬膜。將所製成之薄膜裝配於批式電解鍍槽中，形成厚度8μm之銅鍍膜，而製造2層薄膜。
為了比較實施例5~10，係針對實施例5~10之製造方法，製造出不供給氮氣而製膜第1金屬膜之比較例4、5所表示的2層薄膜。
[比較例4]
以與實施例5相同之方法，一邊供給氬氣而非氮氣，一邊以濺鍍製膜第1金屬膜。亦即於真空槽內，設置厚度25μm，寬500mm，長200m之聚醯亞胺薄膜(註冊商標：Kapton EN，日本TORAY‧DuPont公司製造)。設為0.04Pa之真空度。之後以鎳Ni(100重量%)為靶，一邊供給100體積%之氬氣100ml/分鐘而非氮氣300ml/分鐘，一邊進行濺鍍而製造第1金屬膜。其厚度係11nm。以真空蒸鍍法在第1金屬膜表面製造銅膜，而形成厚度200nm之第2金屬膜。將所製成之薄膜裝配於批式電解鍍槽中，形成厚度8μm之銅鍍膜，而製造2層薄膜。
[比較例5]
以與實施例5相同之方法，一邊供給氬氣而非氮氣，一邊以濺鍍製膜第1金屬膜。亦即於真空槽內，設置厚度25μm，寬500mm，長200m之聚醯亞胺薄膜(註冊商標：Kapton EN，日本TORAY‧DuPont公司製造)。設為 0.04Pa之真空度。之後以鎳Ni與銅Cu之合金(Ni：Cu=80：20重量%)為靶，一邊供給100體積%之氬氣100ml/分鐘而非氮氣300ml/分鐘，一邊進行濺鍍而製造第1金屬膜。其厚度係10nm。以真空蒸鍍法在第1金屬膜表面製造銅膜，而形成厚度200nm之第2金屬膜。將所製成之薄膜裝配於批式電解鍍槽中，形成厚度8μm之銅鍍膜，而製造2層薄膜。
針對以上述實施例5~10及比較例4、5之方法製造的2層薄膜，測定製造後之模樣(初期)的密著強度，和耐熱後之密著強度。強度之測定方法，係與之前說明的實施例1~3相同。又針對實施例5~10及比較例4、5，以使用X射線光電子分光裝置的成分分析，測定其鎳原子及氮原子的含有率。
第5圖，係整合表示實施例5~10及比較例4、5之2層薄膜的密著強度測定結果。第5圖中，亦一併表示之前所說明之比較例1~3之2層薄膜的密著強度測定結果。實施例5~10中，不論何種情況都包含鎳原子60原子%以上，並含氮原子5原子%以上。然而未供給氮氣而是供給氬氣之比較例4、5中，則包含鎳原子60原子%以上，但含氮原子僅有不滿0.5原子%。另外本測定方法中，氮原子0.5原子%為測定極限，未滿0.5原子%則代表沒有檢測出氮原子。又比較例1~3中雖未測定鎳原子之含有率，但依據靶材料之組成，可推斷鎳原子低於60原子%。
由第5圖可明顯得知，實施例5~10之2層薄膜不論 哪個情況，都顯示500N/m以上的較高初期密著強度；尤其第1金屬膜若在10nm以上，會顯示600N/m以上的更高初期密著強度。此外，耐熱後之密著強度亦顯示維持300N/m以上的密著強度。從而即使用於高密度印刷配線，也會是金屬層具有充分強大密著強度之高分子層與金屬層的2層薄膜。另一方面，比較例中初期強度為290~410N/m左右，但耐熱後之密著強度則降到0~80N/m。亦即，確認了第2實施方式之2層薄膜的效果。又，若參考第4圖所示之實施例1~3，沒有測定第1金屬膜之鎳原子及氮原子含有率，但是將靶材料之鎳含有率從實施例1到實施例3慢慢提高，可得知密著強度也在上升。因此得知為了得到具有例如590N/m以上之充分強大密著強度的2層薄膜，必須有高含有率的鎳原子和氮原子。
1~3‧‧‧2層薄膜
10‧‧‧高分子薄膜
12‧‧‧第1金屬膜
14‧‧‧第2金屬膜
16‧‧‧第3金屬膜
22‧‧‧靶
23‧‧‧(蒸鍍材)容器
24‧‧‧蒸鍍材
31‧‧‧輥
32、32’‧‧‧導引輥
33‧‧‧真空槽
34‧‧‧吸氣管
35‧‧‧真空泵
36、37‧‧‧冷媒配管
41‧‧‧原布
42‧‧‧製品輥
43‧‧‧反應氣體管
44‧‧‧噴出口
r‧‧‧冷媒
【第1圖】本發明之實施方式之2層薄膜的剖面圖。(a)係於高分子薄膜單面形成第1金屬膜及第2金屬膜的2層薄膜、(b)係於高分子薄膜兩面形成第1金屬膜及第2金屬膜的2層薄膜、(c)係於高分子薄膜單面形成第1金屬膜及第2金屬膜，更加形成第3金屬膜的2層薄膜
【第2圖】2層薄膜之製造裝置的示意剖面圖
【第3圖】說明使用了2層薄膜之印刷基板製造方法範例的流程圖
【第4圖】針對本發明第1實施方式之實施例與比較例的2層薄膜，整合了密著強度之測定結果的圖
【第5圖】針對本發明第2實施方式之實施例與比較例的2層薄膜，整合了密著強度之測定結果的圖
1~3‧‧‧2層薄膜
10‧‧‧高分子薄膜
12‧‧‧第1金屬膜
14‧‧‧第2金屬膜
16‧‧‧第3金屬膜

Claims (15)

  1. 一種2層薄膜，其特徵係具備：含氮原子之高分子薄膜；和形成於上述高分子薄膜上，並包含60重量%以上100重量%以下之含氮原子之鎳的第1金屬膜；和形成於上述第1金屬膜上，以銅為主成分的第2金屬膜；上述第1金屬膜係包含1原子%以上10原子%以下之氮原子。
  2. 一種2層薄膜，其特徵係：於含氮原子之高分子薄膜上，在含氮氣環境下使用真空蒸鍍法或離子鍍法或濺鍍法，形成包含60重量%以上100重量%以下之鎳的第1金屬膜；並於上述第1金屬膜上，形成以銅為主成分的第2金屬膜；上述含氮氣環境包含30體積%以上100體積%以下之氮氣。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所記載之2層薄膜，其中，上述高分子薄膜與第1金屬膜之密著強度，初期在490N/m以上，且以120℃ 240小時乾燥後的上述密著強度在294N/m以上者。
  4. 一種2層薄膜，其特徵係具備：含氮原子之高分子薄膜；和形成於上述高分子薄膜上，包含60原子%以上96 原子%以下之鎳原子，且含氮原子4原子%以上20原子%以下的第1金屬膜；和形成於上述第1金屬膜上，以銅為主成分的第2金屬膜。
  5. 如申請專利範圍第4項所記載之2層薄膜，其中，上述第1金屬膜，係在含氮氣環境下，使用真空蒸鍍法或離子鍍法或濺鍍法所形成者。
  6. 如申請專利範圍第4項或第5項所記載之2層薄膜，其中，上述高分子薄膜與上述第1金屬膜之密著強度，初期在590N/m以上，且以120℃ 240小時乾燥後的上述密著強度在294N/m以上者。
  7. 如申請專利範圍第1項、第2項、第4項或第5項之任一項所記載之2層薄膜，其中，上述高分子薄膜係以含氮原子之高分子所形成。
  8. 如申請專利範圍第7項所記載之2層薄膜，其中，上述含氮原子之高分子，係包含來自聚醯亞胺、聚醚醯亞胺、聚醯胺醯亞胺以及醯胺所構成之群中的任一個者。
  9. 如申請專利範圍第1項、第2項、第4項或第5項之任一項所記載之2層薄膜，其中，上述第1金屬膜之厚度在3nm以上100nm以下，而上述第2金屬膜之厚度在20nm以上5000nm以下者。
  10. 如申請專利範圍第1項、第2項、第4項或第5項之任一項所記載之2層薄膜，其中，係在上述第2金屬 膜上，用電沈積法或無電解鍍法形成以銅為主成分的第3金屬膜者。
  11. 一種2層薄膜之製造方法，其特徵係具備：於含氮原子之高分子薄膜上，在含氮氣環境下使用真空蒸鍍法或離子鍍法或濺鍍法，形成包含60重量%以上100重量%以下之鎳之第1金屬膜的工程；和於上述第1金屬膜上，形成以銅為主成分之第2金屬膜的工程；上述含氮氣環境包含30體積%以上100體積%以下之氮氣。
  12. 一種2層薄膜之製造方法，其特徵係具備：於含氮原子之高分子薄膜上，使用包含75重量%以上之鎳之膜材料，在含氮氣環境下以真空蒸鍍法或離子鍍法或濺鍍法，形成第1金屬膜的工程；和於上述第1金屬膜上，形成以銅為主成分之第2金屬膜的工程；上述含氮氣環境包含30體積%以上100體積%以下之氮氣。
  13. 如申請專利範圍第11項或第12項所記載之2層薄膜之製造方法，其中，係另外具備有：在上述第2金屬膜上，用電解法或無電解鍍法形成以銅為主成分的第3金屬膜的工程。
  14. 一種印刷基板之製造方法，其特徵係具備：以申請專利範圍第11項或第12項所記載之2層薄膜 之製造方法，來製造2層薄膜的工程；和於上述2層薄膜，形成印刷圖案的工程；和於形成有上述印刷圖案之2層薄膜，配置元件的工程。
  15. 如申請專利範圍第14項所記載之印刷基板之製造方法，其中，在上述形成印刷圖案的工程和上述配置元件的工程之間，具備用電解法或無電解鍍法，形成以銅為主成分之鍍膜的工程。
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