JP4494873B2 - プリント配線板、プリント配線板の製造方法およびその製造装置 - Google Patents
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- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Description
図1は、本発明の第1の実施の形態によるプリント配線板10Aの層構造を模式的に示す断面図である。プリント配線板10Aは、絶縁性のプラスチック基板1の表面に、中間層2Aを介して、銅シード層3が形成された構成を有している。
図において、縦軸はピール強度(g/cm)、横軸は150℃熱処理時間(hr)である。また、白丸は中間層の生成物質がクロムと窒素の化合物薄膜である場合の評価(本発明)を示し、黒丸は中間層の生成物質がクロム単体薄膜(従来例)の評価を示している。
図4Aは窒素添加なしのサンプルの熱負荷試験前の界面組成分析結果を示し、図4Bは窒素添加なしのサンプルの熱負荷試験(150℃、167時間)後の界面組成分析結果を示している。また、図5Aは窒素5%添加の熱負荷試験前の界面組成分析結果を示し、図5Bは窒素5%添加の熱負荷試験(150℃、167時間)後の界面組成分析結果を示している。
図6は、本発明の第2の実施の形態によるプリント配線板10Bの層構造を模式的に示す断面図である。本実施の形態のプリント配線板10Bは、絶縁性のプラスチック基板1の表面に、中間層2Bを介して、銅シード層3(および銅めっき層4)が形成された構成を有している。
2A,2B 中間層
3 銅シード層
4 銅めっき層
10A,10B プリント配線板
20A、20B1,20B2 プリント配線板の製造装置
21 真空チャンバ
22 巻出し部
23 巻取り部
25 前処理室
26 スパッタ室
26a〜26e ターゲット
30a アルゴンと窒素の混合ガス導入配管
31 窒素の導入用局所ノズル
Claims (13)
- プラスチック基板の表面に銅系金属薄膜が形成されたプリント配線板において、
前記プラスチック基板と前記銅系金属薄膜との界面に、中間層として、前記プラスチック基板に面している側よりも前記銅系金属薄膜に面している側の方が窒素含有量が少ない、金属と窒素との化合物薄膜が形成されていることを特徴とするプリント配線板。 - 前記中間層は、クロム、ニッケル、モリブデン、タングステン、チタン、ニオブ、タンタル、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、けい素、ゲルマニウムのうち1種以上を含む金属または合金と窒素との化合物薄膜でなる請求項1に記載のプリント配線板。
- 前記銅系金属薄膜は、前記中間層の上に形成された銅系金属の蒸着層と、この蒸着層の上に形成された銅系金属の電解めっき層とでなる請求項1に記載のプリント配線板。
- 前記プラスチック基板は、ポリイミドフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリカーボネートフィルムまたは液晶ポリマーフィルムでなる請求項1に記載のプリント配線板。
- プラスチック基板の表面に銅系金属薄膜が形成されたプリント配線板の製造方法において、
前記プラスチック基板の表面に、中間層として、金属と窒素との化合物の蒸着層を形成する工程と、形成した前記中間層の上に、銅系金属の蒸着層を形成する工程とを有し、
前記中間層を形成する工程は、前記蒸着層を、前記プラスチック基板に面している側よりも前記銅系金属薄膜に面している側の方が窒素含有量が少なくなるように形成することを特徴とするプリント配線板の製造方法。 - 前記中間層の形成は、クロム、ニッケル、モリブデン、タングステン、チタン、ニオブ、タンタル、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、けい素、ゲルマニウムのうち1種以上を含む金属または合金のターゲットと、アルゴンと窒素を含む混合ガスとの反応性スパッタで行う請求項5に記載のプリント配線板の製造方法。
- 前記窒素の導入を前記中間層の成膜初期に限って行う請求項6に記載のプリント配線板の製造方法。
- 前記中間層形成用の金属ターゲットを複数段に分けて設置し、その前段側にのみ前記窒素を導入する請求項6に記載のプリント配線板の製造方法。
- 前記銅系金属の蒸着層の上に、銅系金属のめっき層を形成する工程を有する請求項5に記載のプリント配線板の製造方法。
- プラスチック基板の表面に中間層を介して銅系金属薄膜が形成されたプリント配線板の製造装置において、
真空チャンバと、
前記真空チャンバ内に、プラスチックフィルムを連続的に繰り出す巻出し部と、
前記巻出し部から繰り出されたプラスチックフィルムを巻き取る巻取り部と、
前記巻出し部と前記巻取り部との間に配置された前記中間層形成用スパッタ室および前記銅系金属薄膜形成用スパッタ室とを備え、
前記中間層形成用スパッタ室は、アルゴンガスと窒素ガスの導入管を有しており、前記プラスチック基板と前記銅系金属薄膜との界面に、中間層として、前記プラスチック基板に面している側よりも前記銅系金属薄膜に面している側の方が窒素含有量が少ない、金属と窒素との化合物薄膜を形成することを特徴とするプリント配線板の製造装置。 - 前記中間層形成用スパッタ室には、クロム、ニッケル、モリブデン、タングステン、チタン、ニオブ、タンタル、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、けい素、ゲルマニウムのうち1種以上を含む金属または合金のターゲットが設けられている請求項10に記載のプリント配線板の製造装置。
- 前記中間層形成用スパッタ室には、アルゴンガスの導入管と窒素ガスの導入管とが別々に構成されており、前記中間層の成膜初期に限って前記窒素ガスが導入される請求項10に記載のプリント配線板の製造装置。
- 前記中間層形成用スパッタ室は、前記プラスチック基板の繰り出し方向に沿って複数段に分割され、その前段に対してのみ前記窒素ガスの導入管が設けられていることを特徴とする請求項10に記載のプリント配線板の製造装置。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9905459B1 (en) | 2016-09-01 | 2018-02-27 | International Business Machines Corporation | Neutral atom beam nitridation for copper interconnect |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006306009A (ja) * | 2004-07-27 | 2006-11-09 | Kakogawa Plastic Kk | 2層フィルム、2層フィルムの製造方法およびプリント基板の製造方法 |
JP2008198953A (ja) * | 2007-02-16 | 2008-08-28 | Hyomen Shori System:Kk | フレキシブル回路基板およびその製造方法 |
TW200836609A (en) * | 2007-02-16 | 2008-09-01 | Metal Finishing System Co Ltd | Flexible circuit board and process for producing the same |
KR100889625B1 (ko) | 2007-07-19 | 2009-03-20 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 접합방법 및 그를 이용한 유기전계발광표시장치의 제조방법 |
JP5436995B2 (ja) * | 2009-09-14 | 2014-03-05 | 新光電気工業株式会社 | 配線基板及びその製造方法 |
JP2011100846A (ja) * | 2009-11-05 | 2011-05-19 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 2層フレキシブル基板とその製造方法、2層フレキシブル配線板とその製造方法並びにプラズマ処理装置 |
CN102469700B (zh) * | 2010-11-12 | 2014-07-09 | 北大方正集团有限公司 | 制作电路板的方法及电路板 |
JP2022029308A (ja) | 2020-08-04 | 2022-02-17 | 新光電気工業株式会社 | 配線基板及び配線基板の製造方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5225868B2 (ja) * | 1972-10-12 | 1977-07-11 | ||
JPH08330728A (ja) * | 1995-05-26 | 1996-12-13 | Toyo Metaraijingu Kk | フレキシブルプリント配線用基板 |
JP2003218516A (ja) * | 2002-01-23 | 2003-07-31 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 配線基板の製造方法 |
-
2004
- 2004-06-02 JP JP2004164060A patent/JP4494873B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5225868B2 (ja) * | 1972-10-12 | 1977-07-11 | ||
JPH08330728A (ja) * | 1995-05-26 | 1996-12-13 | Toyo Metaraijingu Kk | フレキシブルプリント配線用基板 |
JP2003218516A (ja) * | 2002-01-23 | 2003-07-31 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 配線基板の製造方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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