TWI380414B - Hermetic sealing cap, electronic component storage package and method of manufacturing hermetic sealing - Google Patents

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九、發明說明： f發明所屬之技術領域】. 本發明係有關於一種氣密封止 及氣密封止用蓋之製造方法，M盖、電子零件收納用盒 電子零件之氣密封止用一寺別是有關於一種用於收納 用蓋之製造方法。 子零件收納用盒及氣密封止 【先前技術】 之训遽波器 之氣密封止的― 裝型元件封裝）等的電子突 we)封裝（表面安 用盒是由已搭载了電H H用盒。該電子零件收納 c㈣、盘用於將雷零件的電子零件收納構件（盒 封止用蓋所構成Ϊ 納構件予以氣密封止的氣密 溶化而被接合在電子零件_===皮2將焊錫層 由於會被設計成具備高的 Μ封止用蓋 止用莫來隸名—虹 濕性’因此當利用氣密封 的二則會有焊錫層在氣密封止用蓋 w 止用蓋的封止面“二如，般’當烊錫層在氣密封 件收納構件，禪踢會不足，而子零 生。又，當焊錫層在氣密封止用蓋降低的問題發 零件收納二接電子零件與電子 口線（b dlng wire)的問題發生。又， 备收納石英歸器及振盪器㈣子零件時，因為焊錫層會 312XP/發明說明書(補件)/96-06/96105654 5 iJ0U414 在氣密封止用罢沾# L τ , 屎&丨使1 、 上濡濕擴展到内側，因此濡濕济 匕：:：焊錫會飛散而附著在石英振盈器及振。 荨遂導致電子零件的頻率特性發生變動 =題發生。在此，提出一當利用氣密封止用 内可以抑制焊錫層在氣密封止用蓋的封止面上 ΐ=Γ的氣密封止用蓋。如此的氣密封止用蓋被 揭路於例如日本專利特開平4-96256號公報。 ^上述日本專利特開平4_96256號公報中揭露 =子零件收納構件被接合的封止面上實施Ni電鑛外， 在電子零件收納構件被接合之領域的 。、屬臬萩饴式猞封蓋，由於是利用雷射讓子零 =構件被接合之領域的内側氧化’因此金屬製氣密^密 封盍之被氧化領域的焊錫濡濕性會降低。藉此，在利用金 屬製氣密式密封蓋來針對f子零件收納構件進行氣密封 止時，則可以抑制焊錫層會在金屬製氣密式密封蓋的封止. 面上濡濕擴展到内侧。又’在上述日本專利特開平4_9咖 號公報中，當利用雷射使金屬製氣密式密封蓋之電子零件 钱構件被接合之領域的内侧氧化時，為了要抑制金屬製 氣密式密封蓋之電子零件收納構件被接合之領域被氧 化，因此利用鋁板來罩住（mask)金屬製氣密式密封蓋之 電子零件收納構件被接合的領域。 然而，在上述曰本專利特開平4-96256號公報中，當利 用雷射使金屬製氣密式密封蓋之電子零件收納構件^接 312XP/發明說明書(補件)/96-06/96105054 合之領域的内側氧化瞎， 封蓋之雷不兩从 時由於為了要抑制金屬製氣密式密 板來罩住^制=構件被接合之領域被氧化，而利用紹 合的領域，目&子零件收納構件被接 =驟㈣題發生。二要:==光罩： 當金屬製氣密式密f之雷Μ#化之㈣此外， 屬製氣密式密封签夕平.板未此罩住時，由於位於金 ，電鍵會變得容易被氧化，因此會有二= 二題發子生零件收的構件被接合的領域的咐濕= 【發明内容】 本發明係為了要解決上述 目的在於提供-種能夠複本:二個 夠抑制焊錨展y w , w我柱炱侍複雜，而一邊能 用芸雷工/ 面上會濡濕擴大到内側之氣密封止 Γ旅件收納用盒及氣密封止用蓋之製造方法。 發明之第1 ·態樣之氣密封止用 子零#夕王兩π 盈你用於包含收納電 2Γ 、㈣件的電子零件㈣用盒的氣密 封止用盘，具備有：基材、被形成在基 η 電鍍層、及被形成在第1電鍍層之表面 、 難以被氧化的第2雪㈣队 較苐1電鍍層 ρ化的第2電錢層’除了將位在電子零件 被接a領域内側之領域的第2 去，而绩膂鱗層的至J 一部分除 而讓苐1電鍍層的表面露出外， 之領域所露出的第1電鍍層的表面也被氧化。電錢層 312ΧΡ/發明說明書(補件)/96-06/96105654 7 1380414 於夢著二了^ 樣之氣密封止用蓋，如上所述般，由 領在電子零件收納構件被接合領域内侧之 面層的至少：部分除去而讓第1電鍍層的表 電鍍芦的表面將在已除去第2電鍍層之領域所露出的第1 焊錫可以降低第1電鑛層之被氧化領域的 =錫^=’因此在針對電子零件收納構件進行氣密封止 擴散層在氣密封止用㈣帛1電制上漂座 之較第2二r著設置較在第1電錢層表面上所形成 孝第1電鍍層難以氧化的第2電 :面露出而氧化時，由於為了要抑制第2== 領域表面的氧化時不= 密接合之領域，能夠抑制氣 在上述第1態樣之氣痒：本+ ,μ田焚+ W電鍍層，第2電##Α ’最好第1電鍵層係 容易讓黛Μ 電鑛層。若如此地構成時， -第1電鍍層表面氧化而降低第 域的谭錫濡澄性。又，藉著由Nlt㈣構成二 :讀Nl電鐘層難以氧化的AU電鍍層來構成第二曰， 層，因此能夠容易在第i雷❹以 稱成第2電鍍 層難以氧化川=㈣㈣成較第1電錢 好在電子零件收納構件被接合領 c鐘層的至少其卜個的表面上形電錄 二金所構成的痒錫層。若如此地構成時 二n 及第2電錢層的至少其中-個的表面上容易讓 312XP/發明說明書(補件)/96_〇6/961〇5654 8 1380414 化來接合。 在上述第1態樣之氣密封止用蓋中， 露出而被氧化的領域從上面來看乃被=電制之 地構成時，相較於將電子零件收納構件被成為：：如此 全部領域的第2電鍰層除去的情形，由==側之 ^域變窄’因此當利用雷射等來除去第== 1縮短除去第2電鍍層之步驟所需要的時間、則 上述第1態樣之氣密封止用蓋中，最好在 饭氧化之7頁域之内側的領域上形成第2 + 如此地構成時，能夠藉由第 又曰右 出而姑“ α稚田弟z電鍍層來抑制第1電鍍層露 氧化之領域之内侧的領域受到侵蝕。 :上述第1態樣之氣密封止用蓋中，最好在與 «路出而被氧化之領域之電子零件 = 域的邊界線，其中位在氣密封止用甚夕j件被接"之領 位在氣密封止用h Λ 部的邊界線係較 ”封止用盍之角邛以外之領域的上述邊界線被配 置成更外側。若如此地構成時，由於在氣蓋 部能夠抑制電子零件收納構件被接合之領域在内盖= 大’因此此夠抑制電子零件收納構件被接合之領域變大。 2此，當在電子零件收納構件被接合的領域形成焊锡層 時’由於能夠抑制焊錫積留在電子零件收納構件被接合之 領域的角部’因此能夠抑制位在氣密封止用蓋之角部之焊 錫層的厚度會變得較位在電子零件收納構件被接合領域 之角部以外之焊錫層的厚度為大。 在上述第1態樣之氣密封止用蓋中，最好第1電鍍層露 312ΧΡ/發明說明書(補件)/96.06/96丨〇5654 9 出而被氧化的領域被形成為 地構成時，當要除去第 /、有私疋冰度的溝狀。若如此 能夠”地除!;t電:=讓第1電錢層露出時， 本發明之第2態樣之電：：：1電鍵層露出。 封止用蓋：包含有基材、被:用：’具備有：氣密 電鍍層、及被形成在第〗番成在基材之表面上的第i 難以姑 > 電錢層之表面’而較第1雷妒 難以破虱化的第2電鍍層，而⑽ 電鍍層 件被接人@ & μ 牙、了將位在電子零件收納構 卞饭接。領域内側之領域 ㈣ 去，而讓第1電鍍声的矣而：電鍍層的至少-部分除 铲屏夕…面露出外，也將在已除去第2雷 &層之7員域所露出的第1 電 納構件·· 4氣密封止用蓋所^的表^化，電子零件收 若如此地構成時，能夠得到;1於收納電子零件。 得複雜，且-邊防止焊錫心：=一邊抑制製程變 氣密封止用蓋的電子零展到内側之 一 trr第3態樣之氣密封止用蓋之製造方法，主要是 件收納用子零件收納構件的電子零 材的步蓋之製造方法，具備有:準備基 電ΒΗ 形成第1電鍍層的步驟、在第1 層^驟、Γ上形成較第1電鑛層難以被氧化的第2電鍍 :、&了將位在電子零件收納構件被接合領域内 的表面•的第2電鑛層的至少一部分除去而讓第1電鑛層 路出外，也將在已除去第2電鍍層之領域所露出的 第1電鍍層的表面氧化的步驟。 在本發明之第3態樣之氣密封止用蓋之製造方法中，如 312XP/發明說明書(補件)/96·〇6/96105654 10 丄夕ου呼丄呼 由於藉著具備除了將位在電子零件收納構件被 去而讓心之内側的領域的第2 f鍍層的至少部分除 … 鍍層的表面露出外，也將在已除去第2電鍍 夠降低第1電铲丄氧化的步驟，因此能 雷^發*電鍍層之被氧化之領域的焊錫濡溼性，在針對 密封行氣密封止時，能夠抑制焊錫層在氣 一 、 電鍍層上濡濕擴展到内側。又，藉著# 第：二第1電鍍層之表面形成較第1電鍍層難以“化： 第2電鍍層的步驟，在 由於為了要抑制第2 /丄 表面露出而氧化時， 之領域之電子零件收_件被接合 件收納構件被接人之硝祕_ L 電鍍層之電子零 製程變得複雜。7」因此能夠抑制氣密封止用蓋的 成iti第3態樣之氣密封正用蓋之製造方法中，最好形 的”包含了形成由Νι電㈣所構成的第 ^電鑛層的步驟，形成第2電鍍層的步驟包含了形成由Au 電鑛層所構成的第2電鍍層的牛 + 著容易續出心“ 若如此地構成時，藉 :易讓由Nl電㈣所構成的第1電鑛層的表面產生氧 ’ j降低第m層之被氧化之領域的焊職澄性。 的牛置形成由Ni電鑛層所構成的第1電鑛層 铲二1 ’也没置形成由Au電鍍層所構成的上述第2電 鍍層的步驟，因此能夠容易在第！電鑛層的表面形成 1電鍍層難以氧化的第2電鍍層。 此時，最好更具備有：在電子零件收納構件被接合之領 312XP/發明說明書(補件)/96-06/961〇5654 丄兆0414 :::2電鍍層的表面上將由Au_Sn系合金所構 =化而加以接合的步驟。若如此地構成時，在氣密^ 盍之電子零件收納構件被接合之領域的表面卜^且 成焊錫層。 貞域的表面上容易形 化ΐ二3==二蓋:製造方法中，最好氧 電子愛件含有不單住第2電鍍層之 铲声二至I、’、構件被接合的領域’而利用雷射除去第2電 鍍層的至少-部分來使第1電鍍層的表面露出的步驟。！ =籌成時，容易一邊抑制因為形成罩住所導二： 項：之二且一邊能夠除去在電子零件收納構件被接合之 層的表=域的第2電鑛層的至少一部分而讓第1電鍵 在上述帛3態樣之氣密封止用蓋之製造方法中， 化第1電鍍層之表面的步驟係包含有將第工電鍵層之 露出成環狀而氡化的步驟。若如此地構成時，相^於 •子零件收納構件被接合之領域之内側的全部領域 電鍍層除去的情形，由於能夠使得要除去的領域變窄 此例如當利用雷射等來除去第2電錢層時，則能夠縮短除 ν 去第2電鍍層之步驟所需要的時間。 ‘ 在上述第3態樣之氣密封止用蓋之製造方法中，最好除 去第2電鑛層之至少—部分的步驟係包含有在讓要除二 之領域之内側的第2電鍍層殘留的狀態下除去第2電鍍層 的步驟。若如此地構成時，能夠藉由第2電鑛層來抑^第 1電鍍層露出而被氧化之領域之内側的領域受到侵蝕。 312ΧΡ/發明說明書(補件)/96-06/96105654 12 1上述第3態樣之氣密封止 線較位在構件被接合之領域的邊^ 甘虱在封止用盍之角部以 更為外側的方式，而形成第 7 Ρ述邊界線 領域之步驟。若如此地構成時，；二出而氧化的 部能夠抑制電子零件收構 垃孔孩封止用蓋的角 大，因此能夠抑制電==接合之領域在内側變 萨此，〜收納構件被接合之領域變大。 0 田在電子零件收納構件人 時，由於能夠抑制烊錫積留在電子的7員域形成焊錫層 頃域的角部，因此能夠抑制電子 =口之 之角部之烊錫層的件所接合領域 人领妯岛加, s夂侍較位在電子零件收納所接 口項或角邛以外之焊錫層的厚度為大。 去第3態樣之氣密封止用蓋之製造方法中，最好除 一部分而讓第1電鏟層露出的= 鍍】鑛層的至少一部分外，也將第1電 成 °p/刀只除去指定深度的步驟。若如此地構 虽要除去第2電鍍層而讓第j電鍍層露出時，能夠 貫地除去第2電鍍層而讓第1電鍍層露出。 【實施方式】 以下根據圖式來說明本發明之實施形態。 (第1實施形態） · 首先’請參照圖1來說明本發明之第i實施形態之電子 零件收納用盒的構造。 13 3l2Xp/發明說明書(補件)/96-〇6/961〇5654 示:==用_態之電:零件收納用盒，如圖〗所 及用於收钿當 盍卜石央振盪器等的電子零件10、 .該電子零件lit10的電子零件收納構件20所構成。 絕緣性材料所構成：二：了由氧化銘⑷—)等的 面的一定的猶Λ 及在陶究基板21之表 材料所孀士構成收納空間之由氧化鋁等的絕緣性 材枓所構成的陶瓷框靜99 ^ . 1 包圍之收納空間内_£_21在上位於被陶a框體22所 安裝有電子零件1〇。又卿）n 鶴層23&Ni_c〇人全展=陶是才匚體22的上面上形成有 面上 〇金層24。因此，在陶莞框體22的上 鍚層5接合。〇&金層24係與後述的氣密封止用蓋1的焊 之=封2〜圖4來說明本發明之第1實施形態 心矹在釘止用盍1的構造。 第1實施形態之氣密封止用蓋1，如圖2所示 面Ϊ Fe-Nl_C〇合金所構成的基材2、如包圍基 :=Γ:表成::有!化領域…^ 7 3之表面的一定的領域上所形成的Au電鍍層 屏s 在接合領域S2而由Au-Sn合金所構成的焊錫 :必夕’ Nl電鍍層3為本發明的「第1電鍍層」，Au 電鍍層4為本發明的「第2電鍍層」的一例。 9 5體說基材2被形成為約UK縱）x約 .mm尹、、約0.08mm的厚度。又，Ni電鍍層3被形成 為約2㈣的厚度。又’Ni電鍍層3之位在氧化領域81(參 312XP/發明說明書(補件y96._61Q5654 1380414 』3)的Μ，其表面乃被氧化。藉 之下面上的氧化領域S1，其焊錫漂濕性會在^鑛層3 電鑛層3的氧化領域s卜如圖4所 成=，Mi 度DU約Ο.1 —又，電錄層3= 二深 如圖3所示般被形成為從平面來看具有約 肩域Si， 的核狀。又’ AU電鍍層4除了被形成為約= f外，相較於Nl電鑛層3,其表面比較難被氧二厚 11電鐘層4，如圖2及圖3所示般被配置在 的側面上及上面上、位在Ni電鍍層 電鍍層3 域S1的内側。此外，由於在接合領域S2,除了：ί:: 5炼化前形成Au電錢層4外，在燁錫層5 : 電鑛層4中的Au會擴散到焊錫層5，因在= 會成為在Nl電…的表面上形成有焊錫層5: 狀態。又’焊錫層5’如圖3所示般被形成在位於 鑛層3之下面上之電子零件收納構件2〇被接合的接合領 域S2。又’焊錫層5除了從平面來看，在氣密封止用蓋【 的4個角部具有約〇.36mm的寬度π外，在氣密封止用^蓋 1的角部以外的部分具有約0· 25mm的寬度。 接著請參照圖卜圖2及圖4〜圖1〇來說明本發明之第 1實施形態之氣密封止用蓋丨的製造方法。 首先，如圖5所示般，藉由衝壓加工將由Fe_Ni_c〇合 金所構成的板狀線圈（co i 1)實施打穿而形成約】.(縱） 父約2.35111111(橫）、具有約〇.〇8111111之厚度而由1^_^卜(：〇合 金所構成的基材2。在該基材2之整個表面，如圖6所示 312XP/發明說明書(補件)/96.06/96105654 15 丄叶丄卄 == 約2"峨電鏟層3。此外，在Νι電鍰層3 鑛^ 圖7所示般形成厚度約的Au電 而接著，如圖8及圖9所示般，在位於Au電鍵層4之下 =二電子科收納構件2〇(參照圖⑽接合的接合領 域S2(參照圖9)的内側，則利用以γν〇4(γ价_ ⑽ =〇xlde)為媒體的雷射，以約刚的雷射強度 2〇:20_的寬度位在氧化領域心Au電鍵層*，此 :Νι電鑛層3之表面的—部分也同時被除去約〇1" 、D1)的深度。此時’藉由除去Au電鍍層4而露出的η 電鑛層3的表面係藉由雷射照射所產生的熱而在短時間 内破氧化。如此-來在氧化領域S1中，Ni電 面被氧化。 衣 接著，如圖10所示般，在Au電鍍層4之下面之接合領 域f的表面上則配置有除了是由Au_Sn合金（Au:約 籲質里％)所構成外，具有約丨.85mm(縱）乂約2 35m畝橫）的外 形、約1· 55mm(縱）x約2. 05mm(橫）的開口部、及具有約 〇.〇25mm〜約〇. 038inm之厚度的環狀的焊錫5a。因此，在 體及H2氣體環境中，在約28(rc〜約32〇ΐ的溫度下， •藉著讓焊錫5a熔化，如圖2所示般，在電子零件收納構 ，件20被接合的接合領域％上形成具有指定厚度的焊錫層 5。此時，在接合領域S2上的Au電鍍層4則擴散到由乩一如 合金所構成的焊錫層5中。因此，熔化後的焊錫層5成為 被形成在Ni電鍍層3之表面上的構造。如此一來形成本 312XP/發明說明書(補件)/96-06/96105654 16 1 划 414 發明之第1實施形態之氣密封止用蓋1β 接者請參照圖1及圖U來 .之電子零件收納用盒之製造方法。實施形態 上的陶竞，準備有在已配置在陶究基板21 有凸零件收納構件20。之後，將且 有凸β η的電子零件10安裝在陶 ι 然後，將根據上述方法所# _ 的上面上。 ^ w 一 所形成之氣密封止用蓋1的焊錨屏 =成與陶£框· 22的上面接觸 ：曰 在約28G°C〜約31(rc的溫度下 ^真工十， 化而將氣密封止用蓋i接入龍」讓知锡層5再度炫

Au層25(參照圖1 j )，如 面。此時， 张姐α 如圖1所不般擴散到由Au-Sn人八 所構成的焊錫層5中。如此 金 之電子零件收納用盒。 m弟1實施形態 在第1實施形態中’如上所述般， 二用蓋！之電子零件收納構件2〇被接合的接=封 内側的氧化領域S1的Au _層4而讓 ^域S2之 面露出外，也讓露出在已除去Au電鍍層4之氧的表 ::電鍍層3的表面氧化’因此能夠降低”域Si 軋化領域Si的焊錫儒濕性，又當針對電子^層3之 2〇進行氣密封止時，能夠抑制焊錫層5在氣令密封^構件 ^電鑛層3上霜澄到内侧。又，藉著在=止， 表面上設置較Ni電錄層3難以氧化的層3的 312XP/發明說明書(補件)/96-06/96105654 1電鍍層3的表面露出而氧化時’為了要抑制^電2 17 1380414 4生=子！件收納構件2°被接合的接合領域s2之表面產 虱化，由於不需要罩住Au電鍍層4之電

件2〇被接合的接合領域S2，因此能夠^用 1的製程變得複雜。 仰制乳在封止用盍 " 隹弟1實施形態中，藉著將Ni電鍍層3之露 S1形成環狀，相較於將位在電子零件收納構件 :皮接合的接合領域S2之内側的全部領域的 =情形，由於能夠縮窄要除去的領域，因此利用雷射 來除去Au電鍍層4的步驟所需要的時間能夠縮短。 产’在第1實施形態中’藉著在Ni電鍍層3之露出的 乳化領域si之内側的領域形成Au電鑛層4，則可以藉由 Au電鍍層4來抑制位在Ni電鍍層3之露出的氧化領域以 之内側的領域受到腐餘。 (實施例） ^接著針對為了要確認上述第丨實施形態之氣密封止用 籲蓋1的效果所進行的比較實驗來說明。首先，針對在對氣 雄封止用盍1進行氣禮、封止前的焊錫層的寬度及厚度實 施測量的比較實驗來說明。在該比較實驗中製作出與第工 實施形態相對應的實施例丨〜3的試料及比較例丨的試料。 賞施例1〜3的試料是利用與上述第丨實施形態之氣密 ，封止用蓋1相同的製程所製造。此外，實施例丨〜3的試 料分別利用具有約〇· 〇25mm、約〇. 030mm及約〇 〇38mm之 厚度的環狀焊錫5a所製造。又，比較例丨的試料則與上 述第1實施形態不同，是在未除去位在All電鍍層4之下 312XP/發明說明書(補件)/96-06/96105654 18 1380414 子零件收納構件20被接合的接合領域S2之内側 0 0月3心所製造。此外’比較例1的試料是利用具有約 刺、曰職之厚度的環狀烊錫5a所製造。而針對此等的試 圖^量^焊錫層的寬度及厚度。將其結果表示在圖12及 料声的施例1〜3的簡及比較们的試料之 15 ::擴大的情形。將其結果表示在》“及圖 =，將焊錄層的寬度的測量位置(A〜H)及厚度的測 ，置（ί點〜P點）表示在圖16及圖17。 之：:二H12、圖14及圖15可知實施例1〜3的試料 声Τ係與在形成焊錫層5時所使用的環狀焊 :里由乂 :而是大約相同的大小。而此是基於以下 5之接人_ „ 卜3的試料’藉由讓位在焊錫層 s項域S2之内側的氧化領域^]惫/ 濕性’能夠抑制焊錫層5在氣密封止用 ：：：:需 擴展到内側。又，比較例i的試料相二=面1濕 試料，其谭錫層的寬度變大，可知^^立實在〜3的 蓋之4個角部的測量位置（E、F、G及Η) 1孔您封止用 度大幅地變大。而此，基於以下的）；；、焊錫層的寬 ::，=容_展到氣密封二= G及= 量位置(㈠、 内侧所致。此外，圖15之斜線的領域需濕擴展到 之試料的焊錫層較實施例1的試料多出來2比較例1 領域。又，實施例1〜3的試料及比較例1的試= 312XP/發明說明書(補件)/96-06/96105654 j9 l38〇414 氣密封止用蓋之4個角部的測量位 錫層的寬度會較在氣㈣止二及== 位置（A、B、C及D)之烊錫層的寬度為大。、利里 接著請參照® 13可知實施例丨的試料之 &會較比較例1的試料之焊錫層且二、厚 施例丨的試㈣錫層5的厚度會二 也說實 〜左右。又，例心之::: 的==及3的試料之焊錫層的厚度相同= 由於ί錫居^下的理由。亦即，比較例1的試料， 層會在氣密封止用蓋的表面上進行濡 此此科即會W焊錫層的厚度減少 實施 的試料及比較们的試料，其在氣密封止用 ==，、κ點…)之‘： 曰在㈣封止用盍之4個邊之中央 點、〇點及Ρ點)之焊锡層的厚度為大。置(Μ點、Ν =根據Ε⑽5〇(島津製作所製造）來測量實施例 之電鐘層3的氧化領餐

:電^敦化領域si的表面形成具有約lnm〜約2: :又的Nl0層(未圖示）。如此般在第1實施形態中，由 雷射讓Ni電鍍層3的表面產生氧化而形成厚 ^大（約lnm〜約2nm)的Ni0層，因此能夠讓 m化領域51確實地產生氧化。此外，利用 J 離拿製作所製造）的測量是在x_Ray(Mg):〔㈣、施A〕（島 蝕xi(Ar).〔2kV、20mA、3.2nm/inin〕的條件下進行。 312XP/發明說明書(補件)/96-06/96105654 20 1380414 之ί Γ對觀察在製作電子零件收納用盒後（氣密封止後） 驗中，制_的'需濕擴展情形的比較實驗來說明。在此比較實 '較例2的1實施形態相對應的實施例4的試料及比 \^ΓΓ4的試料是利用與上述第1實施形態之電子零件 用上if :同樣的製程所製造。此外’實施例4的試料是利 用上述實施例1的Μ 飞疋〜 的試料是利用m卜 製造。又，比較例2 2的m 的試料來製造。此外’比較例 的：：之其他的構造及製程則是與 蓋1撥離而觀察桿錫層的收:構件將氣密封止用 圖u及圖18。 的需濕擴展情形。將其結果表示在 參照圖14及圖18，可知訾A 密封止用蓋1德因^ 、霄 4的試料，與製造完氣 制焊锡声5在#二：，連在進行完氣密封止後也能夠抑 止用蓋1的表面上產生厲濕擴展的情 層5也會試料可知連在進行完氣密封止後焊錫 形。此外，圆Π二用盍的表面上產生濡濕擴展的情 、此外’圖18的斜線的領域S4則表示比較 的：錫層較實施例4的試料多出之霜濕擴展的領域厂 ^二在針對實_4及比較例2的簡 則與氣密封止後之石英振^ (電子在孔在封止 之變動情形的實驗中，可知實二）之頻率特性 2的試料，其石英振盈器(電子零;較於比較例 乃大幅地減少。而此是基於 ：特：之變動 由亦即，實施例4 312XP/發明說明書(補件)/96-06/96105654 2] 1380414 的試料’由於能夠抑制焊錫層5在氣密封止用蓋丨的封止 面上濡濕擴展内側，因此能夠抑制因為儒濕擴^到内側2 焊錫的飛散等所導致之石英振盪器之頻率特性之變 化）之故。 w (第2實施形態） 參照圖1及圖19來說明在該第2實施形態中之變更形 成焊錫層之領域之形狀的情形。 本發明之第2實施形態的電子零件收納用盒盥上述 實施形態同樣地’在電子零件收納構件2〇(參照圖〇之陶 究框體22的上面上接合了氣密封止用蓋3〇(參照圖⑻。 =上第二施形態的電子零件收納用盒之其他的 疋與上述第1實施形態相同。 接f參照圖19來說明本發明之第2實施形態之氣密封 止用盍30的構造。本發明之第2實 ” 盍30與上述弟丄實施形態相同，在氧化領域&，除了讓 已除去Au電鑛層32 ^Ni電鍍層31的表面露出外，該露 出的Νι電鍍層31的表面也被氧化 ^ # 31 伋虱化。错此，位於Ni電鍍 二之下面上的乳化領域S5其辉錫漂濕性會降低。此 外’以電鍍層31是本發明的「第！電鍍層」。 在此’關於第2實施形態，Ni雷雜 被形成為具有約0.20mm之寬 二，乳化領域S5 蓋…個角部附近則形成二 度又，在Ni電鑛層31之氧广_大的寬 _ 氧"^匕7員域S5内側的領域則 元成有Au電鍍層32。又，Ni電 电緞層31之氧化領域S5與 wxw發明說明書(補件)/96_06/96刪54 22 1380414 接合領域S6的邊界線則是由具 — 外周的4個J； H Jkp ^ ' “ 用盍30之 徊罝線。(W刀S5a的線所形成。此外， 32疋本發明的「第2電鍍層」 二電鍍層 具有設定之厚产妯妯艰士+ 坏锡層33係 与度地被形成在位於Ni電鑛 電子零件收納構件20的接合領域％。曰31之下面上之 S己置在t第φ2實知形態中焊錫層33(接合領域⑻則被 置在，電錄層31之氧化領域S5 ): 乂-占b5b的外側。亦即，Ni ^ S5與接合領域Χ ® 之氧化領域 位在角部以外之:域之邊/;位在角部的邊界線被配置在 除了在氣密封止用的外側。又，焊錫層33, W5^K t 角邛以外的部分具有約〇.25mm :寬度，，η 2實施形態相較於上匕有= 態（角部的寬度W1 :幼 ^ Λ % ^ W2 ： 〇. 25) » ^ ^ _、角部以外的部分的寬度 焊錫芦33锣大、㉛饴封止用蓋3〇的4個角部能夠抑制 30 /a 因此能夠抑制焊錫積留在氣密封止用蓋 4個角部之焊錫二;1 在氣密封止用蓋3〇之 ^之知錫層33的厚度變得較 之：角部以外之部分的焊錫層33的厚度為二用蓋3〇 納用：之之氣密封止用蓋30及電子零件收 省略二日Γ 與上述第1實施形態相同，因此 態第2實施形態之其他的效果則與上述第1實施形 312XP/發明說明書(補件)/9<5-〇6/96105654 23 1380414 (實施例） #接著針對為了要確認上述第2實施㈣之氣 =30的效果所進行的比較實驗來 ^ :作好氣密封止用蓋3。後之輝錫層33之厚 ^明。在該比較實驗+，製作與第2實施形態相對二 “列5的試料，而針對與上述第i實施 施们的試料、及上述比較们的試料進行比較 實 實施例5的試料是利用盥卜、+、# m # Qn , 寸疋和用與上述弟2實施形態之氣密封止 2盖〇相同的製程來製作。此外，實施例5的試料是利 =具㈣〇· G38mra之厚度之環狀焊錫5a 试料測量焊錫層33之厚度。將其結果表示在㈣ 參：圖20 ’可知實施例5的試料相較於實施 料，其在氣密封止用蓋30之4個角部的測量位置（1^ J點、K點及L點）之焊錫層33的厚度與在氣密封止用罢 3 〇之4個邊之中央的測量位置（M點、N點、〇點及p點皿） =錫層33的厚度的差會變小。而此除了將已形成焊錫 層33的接合領域S6，在氣密封止用蓋3〇之角部以外的 部分形成為約〇· 25·的寬度W5外，在氣密封止用蓋3〇 ,4個角部形成較寬度W5稍大之約Q a—的寬度μ， 藉此，實施例5相較於較角部的寬度W1稍大的實施例丨（角 部的寬度wn約0.36顏、角部以外的寬度旧：約〇25)， 由於在氣密封止用蓋3G的4個角部能夠抑制焊錫層犯變 大，因此能夠抑制焊錫積留在氣密封止用蓋3〇的4個角 部。結果，能夠抑制位在氣密封止用蓋3〇之4個角部之 312XP/發明說明書(補件)/96-06/96105654 24 1380414

2層33的厚度變得較位在氣密封止用蓋30之4 从外之部分的焊錫層33的厚度為 J ·=焊锡層33的厚度係與實施例1的試料;= 軼比較例1之試料之焊錫層33的厚度為大。 此外’在此次所揭露的實施形態及實施 3舉例而已，並非是一限制性的内容。本發= =述實施形態及實施例的說明，而是根據中請專利範 更且也包含了與申請專職圍為均等之 祀圍内之所有的變更。 例如在上述第丨及第2實施形態中，雖然是 子零件收納構件而將焊錫層形成在氣密封 子2的例子，但本發明並不限定於此，為了要接合到電 零件收’也可^將焊㈣形成錢密封止用 。此時，於將氣密封止用蓋接合至電子零件收納構件 封止用蓋與電子零件收納構件之接合部之間， 牙、了配置環狀的焊錫外，也讓焊錫熔化。 在上述第1及第2實施形態中，雖然是表示-將 ^鑛層之被氧化的領域形成為具有約〇 2〇随之寬度的 發明並不限定於此，也可以將Nl電鍍層之被 、7二形成為具有約〇.20職以外的寬度。此時，最 ::1電鍍層之被氧化的領域形成為具有約0.02顧以上的 二此般，若是將Ni電鍍層之被氧化的領域形成為 ' .〇2mm以上的寬度時，則在Ni電鍍層之被氧化之 領域的外側所形成的焊錫層會超越Ni電鑛層之被氧化之 312XP/發明說明書(捕件 V96-06/961O5654 25 丄380414 領域，而很容易抑制會與在Ni電鍍層之被氧化之 内側所形成的Au電鑛層產生接觸而發生霜濕擴 形。 月

又，在上述第1及第2實施形態中，雖然是表示—在

Ni電鍍層的表面形成較Ni電鍍層難以氧化之Au電鍍層 的例子’但本發明並不限定於此，也可以在Ni電鍛層的 表面形成較Ni電鍍層難以氧化之由其他金屬所形^ 鍍層。 电 又，在上述第1及第2實施形態中，雖然是表示一在 N i電鑛層之被氧化之領域的内侧配置au電鑛層的例子， 但本發明並不限定於此，也可以不在Ni電鍍層之被氧化 之領域的内側形成Au電鍍層。 又，在上述第1及第2實施形態中，雖然是表示一焊錫 層使用Au-Sn合金（AU··約8〇質量％)的例子，但本發明並 〇不限定於此，也可以將焊錫層之Au的含有率設為8〇質量 %以外的含有率，也可以使用由其他的組成所構成的焊錫。 【_式簡單說明】 圖1係表示本發明之第丨實施形態之電子零件收納用盒 之構造的剖面圖。 a 圖2係表示本發明之第1實施形態之氣密封止用蓋之 造的剖面圖。 圖3係表示本發明之第丨實施形態之氣密封止用蓋之構 造的仰視圖。 圖4係表示本發明之第1實施形態之氣密封止用蓋之詳 312XP/發明說明書(補件)/96〇6/961〇5654 26 細構造的剖面圖。 密所示之本發明之第1實施形態之氣 在封止用盍之製造方法的剖面圖。 41==1所示之本發明之第1實施形態之氣 在封止用盍之製造方法的剖面圖。 所示之本發明之第1實施形態之氣 在封止用盍之製造方法的剖面圖。 =:於:明圖2所示之本發明之施形態之氣 在封止用盍之製造方法的剖面圖。 :二用於：明圖2所示之本發明之 在封止用盍之製造方法的剖面圖。 氣2所示之本發明之第1實施形態之 礼在封止用盍之製造方法的剖面圖。 圖11係用於說明利用圖”斤 零件收納❹之製造方法的剖面圖/ 電子 封：：蓋確認本發明之第1實施形態之氣密 ί止用盖之效果所進行之實驗的剖面圖。 圖13係5兑明為了要確認本發明之自产 封止用蓋之效果所進行之實驗的剖面圖。&〜乳密 封：：蓋=明果:了要確認本發明之第1實施形態之氣密 對止用蓋之效果所進行之實驗的剖面圖。 封：：蓋=果為/要確認本發明之第1實施形態之氣密 用盍之效果所進行之實驗的剖面圖。 θ係說月為了要確認本發明之第i實施形態之氣密 312XP/發明說明書(補件)/96〇6/96丨〇5654 27 封= 之效果所進行之實驗的剖面圖。 封：二說二為了要確認本發明之第丨實施形態之氣密 ?盍之效果所進行之實驗的剖面圖。 圖18係說明為了要碹切 ^[要確°心本發明之第1實施形態之氣密 封止用盍之效果所進行之實驗的剖面圖。 圖19係表示本發明之笛9 構造的仰視圖。只施形態之氣密封止用蓋之 ? 20係发明為了要確認本發明之第2實施形態之氣密 1止用蓋之絲料行之實驗的剖面圖。 1 氣密封止用蓋 2 基材 3 Ni電鍍層 4 Au電鍍層 5 焊錫層 5a 焊錫 10 電子零件 11 凸部 20 電子零件收納構件 21 陶瓷基板 22 陶瓷框體 23 鎢層 24 N i -Co合金層 25 Au層 【主要元件符號說明】 312XP/發明說明書(補件)/96-06/96105654 28 1380414 30 31 32 ' 33 • SI S2 S3、S4 55 • S5a S5b 56 氣密封止用蓋 Ni電鍍層 Au電鍍層 焊錫層 氧化領域 接合領域 領域 氧化領域 直線部分 交點 接合領域 312XP/發明說明書(補件)/96-06/96105654 29

Claims (1)

1380414 十、申請專利範圍： 電子零件用之電 ，其特徵為具備 L一種氣密封止用蓋，係用於包含收納 子零件收納構件的電子零件收納用各 有： 基材； 的第1電鍍層；及 表面，而較上述第1電錢層難

被形成在上述基材表面上 被形成在上述第1電鍍層 以被氧化的第2電鑛層， 將位在上述電子零件收納構件被接合領域内側 的上述第2電鍍層的至少一部分除去，讓上述第i電铲芦 的表面露出，同時，在已除去t、f筮 ’又曰 出的上”…㈣ 電鍍層之領域所露 出的上述第1電鍍層的表面係被氧化。 2. 如申請專利範圍第丨項之氣密封止用蓋，盆中，上 第1電鑛層係、Mi t鍍層，上述第2電鑛層係、Au電鑛/ 3. 如申請專利範圍第2項之氣密封止用蓋，其中，在\ 述位在上述電子零件收納構件被接合領域之上述第1 鍍層及上述第2電錄層的至少其中一個表面上，形成有由 Au-Sn糸合金所構成的烊錫層。 4.如申請專利範圍帛！項之氣密封止用[其中，上述 第^鍍層之露出而被氧化的領域，從上面來看係被形成 為壤狀。 5·如申請專利範圍第！項之氣密封止用|，其令，在位 於上述第1電鑛層露出而被氧化之領域内側的領域上，形 成上述第2電鍍層。 312XP/發明說明書(補件)/9<5-〇6/96105654 30 丄 上=請雷專:，第1項之氣密封止用蓋，其中，在與 、 1層露出而被氧化之領域之上述電子跫件收 用蓋域的邊界線，係配置成在上述氣密封止 部以外=上=較位在上述氣密封止用蓋之角 貝场的上述邊界線更為外側。 7.=請專利範圍第μ之氣㈣止用蓋，其中， 層露“被氧化的領域，係被形成為具有指定深 ^ 一種電子零件收納用盒，係具備有： 氣役封止用蓋，其包合右 上的第"已3有基材、被形成在上述基材表面 述及被形成在上述第1電鑛層表面而較上 兩 、又θ難以被氧化的第2電鍍層，將位在上述 :至破接合領域内側之領域的上述第2電鍍層 時，二電鍍層的表面露出，同 電鑛層的表面氧化Γ層之領域所露出的上述第1 電子零件收納構件，其由 用於收納電子零件。 Μ㈣止用麵封止，而 9. 一種氣密封止用篆夕制、A + a〆 焚株田夕士 ^ 製以方法，係用於包含收納電子 徵I::有電子零件收納構件的電子零件收納⑽ 準備基材的步驟； 在上述基材表面上形成第1電鍍層的步驟； 在上述第1電鑛層表面上形成較上述第1電鍍層難以被 312XJV 發明說明書(補件)/96_〇6/961〇5654 31 1J8U414 氧化的第2電鍍層的步驟；及 述電子零件收納構件被接合 電鍍層的至少一部分除去，讓上述 2 的表面露出，同時將靈ψ 电鐵層 •步驟。 4將路出的上述第1電鍍層的表面氧化的 法1，〇盆如中請專利範圍第9項之氣密封止用蓋之製造方 形成上述第1電鍍層的步驟係 w電鑛層所構成的上述電㈣的步驟^3了$成由 所==】電鍍層的步驟係包含了形成由Au電鍵層 斤構成的上述苐2電鍍層的步驟。 η·如申請專利範圍帛10項之氣密封止用蓋之製造方 二更具備有：在位於上述電子零件收納構件被接 口/員域之上述第2電鑛層的表面上，將由Au-Snf、合金所 構成的焊錫層熔化而加以接合的步驟。 a如中請專利範圍第9項之氣密封业用蓋之製造方 '、1化上述第1電鑛層之表面的步驟係包含：不 =上述第2電鍍層之上述電子零件㈣構件被接合的 7貝域’利用雷射除辛上述第2電鍍層的至少一部分，讓上 述第1電錢層的表面露出的步驟。 刀讓上 13·如中請專利範圍第9項之氣密封止用蓋之製造方 +、^巾1化上述第1電鑛層之表面的步驟係包含有將 上述第1電鍍層之表面露出成環狀而氧化的步驟。 、14.如申請專利範圍帛9項之氣密封止用蓋之製造方 法其中’除去上述第2電鑛層之至少一部分的步驟係包 3i2XP/發明說明書(補件)/96-06/96105654 32 1380414 態下’除去上述第T電之鍍内層：上驟述第2電錢層殘留的狀 法二7= = :9項之氣密封止用蓋之製造方 包含··以與位在上述氣密==出而氧化的步驟係 ::件:接合之領域的邊界線二== 卜之領域的上述邊界線更為外側的方式，來配置二 述弟1電鍍層露出而氧化的領域的步驟。 =申請專利範圍第9項之氣密封止用蓋之製造方 ’ ，、t ’除去上述第2電鍍層的至少一部分而讓上述第 電鑛層表面露出的步驟係包含：除去上述第2電鑛層的 至少-部分，並同時將上述第！電鑛層表面之一部分只除 去指定深度的步驟》

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