JP2010099726A

JP2010099726A - ろう材及びデバイス

Info

Publication number: JP2010099726A
Application number: JP2008275395A
Authority: JP
Inventors: Shoji Takahashi; 祥二高橋
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2008-10-27
Filing date: 2008-10-27
Publication date: 2010-05-06

Abstract

【課題】比較的低融点でロウ付けがしやすく、また修理や再はんだ付け等の再加熱にも十分耐えられるろう材を提供する。
【解決手段】ＡｕとＳｎを主成分とした合金であり、Ａｕに対するＳｎの重量比率が１６ｗ％〜２５ｗ％の範囲に設定されているろう材である。このろう材には、第３合金成分としてＣｏ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐｔの何れか１種類以上の金属が添加されている。
【選択図】図１

Description

本発明は、電子部品の接合に使用されるろう材及びこれを用いたデバイスに関する。

電子部品を収容する電子部品収納用パッケージとして、箱形状をなし、凹部内の底に半導体素子を接合して配置した絶縁材料からなるパッケージ本体と、パッケージ本体の開口部を閉じる金属製の蓋体とを備え、開口部の周縁部と蓋体とをろう材で接合することにより半導体素子を気密に封入する装置が知られている（例えば、特許文献１）。
上記のような電子部品収納用パッケージに使用するろう材として、電子部品単体の製造に扱いやすく、ロウ付け性能に優れた低温用（低融点）のろう材、Ｓｎ−３８ｗ％Ｐｂ半田（融点１８３℃）、Ｓｎ−８７ｗ％Ｐｂ半田（融点２５０℃）、Ａｎ−３ｗ％Ａｇ無鉛半田（融点２２１℃）、Ａｕ−２０ｗ％Ｓｎ合金（融点２８０℃）などが一般的に使用されている。
特許２７５０２３２号

しかし、上述した低温用（低融点）のろう材では、融点が低いために、半田リフロー・ラインを通過すると、電子部品のろう材が再溶融したり、実装後の修理や再ロウ付けで加熱されると、ろう材が溶融してパッケージの破損を招くおそれがある。ここで、より融点の高いろう材も開発されているが、高融点のろう材は加工が困難で所望の形状に加工するために多くの工数を要するという問題がある。

本発明は、上記従来技術の問題点に鑑み成されたものであって、比較的低融点でロウ付けがしやすく、また修理や再はんだ付け等の再加熱にも十分耐えられるろう材及びデバイスを提供することを目的としている。

上記目的を達成するために、本発明に係るろう材は、ＡｕとＳｎを主成分とした合金であり、Ａｕに対するＳｎの重量比率が１６ｗ％〜２５ｗ％の範囲に設定されている。
この発明によると、比較的低温でロウ付けを行うことができるとともに、ろう流れ、内部巣が発生せずロウ付け品質を良好とすることができる。
また、本発明に係るろう材は、第３合金成分としてＣｏ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐｔの何れか１種類以上の金属が添加されていることが好ましい。

この発明によると、従来のＡｕとＳｎとからなるろう材と比較して再融点の温度を高めることができる。
また、本発明に係るろう材は、前記Ｃｏのみを前記第３合金成分として添加し、前記Ｃｏの前記ろう材に対する重量比率を９ｗ％以上としてもよい。また、本発明に係るろう材は、前記Ｎｉのみを前記第３合金成分として添加し、前記Ｎｉの前記ろう材に対する重量比率を９ｗ％以上としてもよい。また、本発明に係るろう材は、前記Ｐｄのみを前記第３合金成分として添加し、前記Ｐｄの前記ろう材に対する重量比率を１７ｗ％以上としてもよい。さらに、本発明に係るろう材は、前記Ｐｔのみを前記第３合金成分として添加し、前記Ｐｔの前記ろう材に対する重量比率を２０ｗ％以上としてもよい。

このように、本発明が第３合金成分としてのＣｏ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐｔの何れか１種類を上記の条件で添加することにより、第３合金成分がＳｎとの金属結合が強くなるので、低融点のＡｕ−Ｓｎ共晶相が減少し、高融点のろう材となる。
また、本発明に係るろう材は、第３合金成分としてＣｏ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐｔのうち２種類以上を添加し、前記Ａｕと前記Ｓｎを合わせた重量比率に対する前記Ｓｎの重量比率（ｗ％）をＡ_Sn、前記Ｃｏの重量比率（ｗ％）をＡ_Co、前記Ｎｉの重量比率（ｗ％）をＡ_Ni、前記Ｐｄの重量比率（ｗ％）をＡ_Pd、前記Ｐｔの重量比率（ｗ％）をＡ_Ptで表すと、以下の（１）式を満足するように、第３合金成分の最小添加量を設定してもよい。

１．１２×Ａ_Co＋１．１２×Ａ_Ni＋０．６１×Ａ_Pd＋０．５１×Ａ_Ptｗ％
−Ａ_Sn＋１０＞０ ………（１）式
この発明によると、高融点のろう材とすることができる。

さらに、本発明に係るろう材は、第３合金成分としてＣｏ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐｔの２種類以上を添加し、前記Ａｕと前記Ｓｎを合わせた重量比率に対する前記Ｓｎの重量比率（ｗ％）をＡ_Sn、前記Ａｕの重量比率（ｗ％）をＡ_Au、前記Ｃｏの重量比率（ｗ％）をＡ_Co、前記Ｎｉの重量比率（ｗ％）をＡ_Ni、前記Ｐｄの重量比率（ｗ％）をＡ_Pd、前記Ｐｔの重量比率（ｗ％）をＡ_Ptで表すと、以下の（２）式を満足するように、第３合金成分の最大添加量を設定してもよい。

Ａ_Co／８．９＋Ａ_Ni／８．９＋Ａ_Pd／１２．２＋Ａ_Pt／２１．５
−（Ａ_Sn／７．３＋Ａ_Au／１９．３）×０．５＜０ ……（２）式
この発明によると、ろう流れ、内部巣が発生せずロウ付け品質を良好とすることができる。

一方、本発明に係るデバイスは、上記構成のろう材を用いた接合構造を有している。
この発明によると、接部のロウ付けを比較的低温で行なうことができ、ロウ付けの際には、ろう流れ、内部巣が発生せずロウ付け品質を良好とすることができる。また、ろう材は、ロウ付け後に融点が上昇して優れた耐熱性を有しているので、修理や再ロウ付け時の再加熱による劣化や破損を防止することができ、信頼性に優れ、取り扱いが容易なデバイスを提供することができる。

以下、本発明を実施するための最良の形態（以下、実施形態という。）を、図面を参照しながら詳細に説明する。
（ろう材）
本発明に係る１実施形態のろう材は、ＡｕとＳｎを主成分とした合金であり、Ａｕに対するＳｎの重量比率が１６ｗ％（重量％）〜２５ｗ％の範囲に設定されている。また、本実施形態のろう材には、ＡｕとＳｎを主成分とした合金に、第３合金成分としてＣｏ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐｔの何れか１種類以上の金属が粉末で添加されている。

本実施形態のろう材によると、ＡｕとＳｎを主成分とした合金のＡｕに対するＳｎの重量比率を１６ｗ％（重量％）〜２５ｗ％の範囲に設定したことで、比較的低温でロウ付けを行うことができるとともに、ろう流れ、内部巣が発生せずロウ付け品質を良好とすることができる。
また、本実施形態のろう材によると、ＡｕとＳｎを主成分とした合金に、第３合金成分としてＣｏ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐｔの何れか１種類以上を添加したことで、従来のＡｕとＳｎからなるろう材（Ａｕ−２０ｗ％Ｓｎ合金：融点２８０℃）と比較して再融点の温度を高めることができる。

ここで、ＡｕとＳｎを主成分とした合金に第３合金成分としてＣｏを添加する場合には、Ｃｏの重量比率は９ｗ％以上が好ましい。また、ＡｕとＳｎを主成分とした合金に第３合金成分としてＮｉを添加する場合には、Ｎｉの重量比率は９ｗ％以上が好ましい。また、ＡｕとＳｎを主成分とした合金に第３合金成分としてＰｄを添加する場合には、Ｐｄの重量比率は１７ｗ％以上が好ましい。さらに、ＡｕとＳｎを主成分とした合金に第３合金成分としてＰｔを添加する場合には、Ｐｔの重量比率は２０ｗ％以上が好ましい。

一方、本実施形態のろう材は、ＡｕとＳｎを主成分とした合金に、第３合金成分であるＣｏ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐｔのうち２種類以上を添加する場合、ＡｕとＳｎを合わせた重量比率に対するＳｎの重量比率（ｗ％）をＡ_Sn、Ｃｏの重量比率（ｗ％）をＡ_Co、Ｎｉの重量比率（ｗ％）をＡ_Ni、Ｐｄの重量比率（ｗ％）をＡ_Pd、Ｐｔの重量比率（ｗ％）をＡ_Ptで表すと、以下の（１）式を満足するように、第３合金成分の最小添加量が設定されていることが好ましい。
１．１２×Ａ_Co＋１．１２×Ａ_Ni＋０．６１×Ａ_Pd＋０．５１×Ａ_Ptｗ％
−Ａ_Sn＋１０＞０ ………（１）式

また、本実施形態のろう材は、ＡｕとＳｎを主成分とした合金に、第３合金成分としてＣｏ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐｔの２種類以上を添加する場合、ＡｕとＳｎを合わせた重量比率に対するＳｎの重量比率（ｗ％）をＡ_Sn、Ａｕの重量比率（ｗ％）をＡ_Au、Ｃｏの重量比率（ｗ％）をＡ_Co、Ｎｉの重量比率（ｗ％）をＡ_Ni、Ｐｄの重量比率（ｗ％）をＡ_Pd、Ｐｔの重量比率（ｗ％）をＡ_Ptで表すと、以下の（２）式を満足するように、第３合金成分の最大添加量が設定されていることが好ましい。
Ａ_Co／８．９＋Ａ_Ni／８．９＋Ａ_Pd／１２．２＋Ａ_Pt／２１．５
−（Ａ_Sn／７．３＋Ａ_Au／１９．３）×０．５＜０ ……（２）式

本実施形態のろう材によると、上述した（１）式、（２）式を満たすようにＡｕとＳｎを主成分とした合金に、第３合金成分であるＣｏ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐｔの２種類以上を添加することで、ロウ付け品質を良好にしつつ、再融点の温度を最適値まで上昇させることができる。

（ろう材の具体的な実施例）
上述した実施形態のろう材組成をさらに詳細に説明する。本実施例では、各材料を単体で混合するか、いくつかの材料を予め合金粉末化する方式とした。なお、各材料はガスアトマイズ法にて平均粒径１０μｍのものを使用し、所定量を乾式混合した後、高級アルコール類にてペースト化し、スクリーン印刷法にてロウ付けする２部材の一方に３０μｍの厚さで塗布した、その後、２部材の他方を載せ、所定の温度・時間加熱し、ロウ付け品質を調査した。

表１は、ＡｕとＳｎを主成分とした合金のＡｕに対するＳｎの重量比率の変化に対するろう材の品質の関係を示した結果である。ロウ付け温度は３５０℃で１５分間、アルゴンガス雰囲気中で行った。再測定融点は、ロウ付け後、再度ＤＳＣ等の熱分析装置により２部材を接合しているろう材の融点（再融点）を測定した値である。なお、Ｎｏ１〜５のろう材には第３合金成分としてＣｏが添加され、Ｎｏ６のろう材には第３合金成分としてＮｉが添加され、Ｎｏ７のろう材には第３合金成分としてＰｄが添加され、Ｎｏ８のろう材には第３合金成分としてＰｔが添加されている。なお、表１の品質欄の記号は、〇が良好、×が不良である。

表１の結果から、Ｎｏ１のＳｎの重量比率が１５ｗ％のろう材はろう流れが悪く、Ｎｏ２〜４、Ｎｏ６〜８のＳｎの重量比率が１６ｗ％〜２５ｗ％のろう材は、ろう流れ、内部巣が発生せずロウ付け品質が良好となる。そして、Ｎｏ５のＳｎ比率が２６ｗ％のろう材は内部巣が発生してしまう。

したがって、ＡｕとＳｎを主成分とした合金においてＡｕに対するＳｎの重量比率を１６ｗ％〜２５ｗ％の範囲に設定することで、比較的低温でロウ付けを行うことができるとともに、ろう流れ、内部巣が発生せずロウ付け品質を良好とすることができることがわかる。
次に、表２は、ＡｕとＳｎを主成分とした合金のＡｕに対するＳｎの重量比率を２０ｗ％とし、１種類の第３合金成分を添加した場合の融点及びロウ付け品質の変化を示した結果である。

Ｃｏの重量比率を８ｗ％としたＮｏ９のろう材は融点が低い。また、Ｃｏの重量比率を３１ｗ％としたＮｏ１２のろう材は、ろう流れ、内部巣が発生する。これらＮｏ９，１２のろう材に対して、Ｃｏの重量比率を９ｗ％〜３０ｗ％としたＮｏ１０，１１のろう材は、ロウ付け品質が良好（ろう流れ、内部巣が発生しない状態）であるとともに、融点温度が高くなる。

また、Ｎｉの重量比率を８ｗ％としたＮｏ１３のろう材は融点が低い。また、Ｎｉの重量比率を３２ｗ％としたＮｏ１６のろう材はろう流れ、内部巣が発生する。これらＮｏ１３，１６のろう材に対して、Ｎｉの重量比率を９ｗ％〜３０ｗ％としたＮｏ１４，１５のろう材は、ロウ付け品質が良好（ろう流れ、内部巣が発生しない状態）であるとともに、融点温度が高くなる。

また、Ｐｄの重量比率を１６ｗ％としたＮｏ１７のろう材は融点が低い。また、Ｐｄの重量比率を４３ｗ％としたＮｏ２０のろう材はろう流れ、内部巣が発生する。これらＮｏ１７，２０のろう材に対して、Ｐｄの重量比率を１６ｗ％〜３０ｗ％としたＮｏ１８，１９のろう材はロウ付け品質が良好（ろう流れ、内部巣が発生しない状態）であるとともに、融点温度が高くなる。

さらに、Ｐｔの重量比率を１９ｗ％としたＮｏ２１のろう材は融点が低い。また、Ｐｔの重量比率を７５ｗ％としたＮｏ２４のろう材はろう流れ、内部巣が発生する。これらＮｏ２１，２４のろう材に対して、Ｐｔの重量比率を２０ｗ％〜４８ｗ％としたＮｏ２２，２３のろう材はロウ付け品質が良好（ろう流れ、内部巣が発生しない状態）であるとともに、融点温度が高くなる。

ここで、第３合金成分の添加量変化によりろう材の融点が変化する原因について図１を参照して説明する。
図１は、ＡｕとＳｎを主成分とし（Ｓｎの重量比率を２０ｗ％）、第３合金成分としてＮｉの重量比率を変化させたろう材の融点変化を示している。この図１は、予めＡｕ，Ｓｎ，Ｎｉを必要量計量し、アルゴンガス中で溶解・鋳造し、インゴットから５０ｍｇをサンプリングして示差熱分析装置により融点を測定した結果である。

この図１からＮｉの重量比率が８ｗ％までは２８０℃近傍に熱吸収が見られ、溶解が発生している。しかし、Ｎｉの重量比率が９ｗ％を超えると、約２８０℃の熱吸収が不明瞭となり、５１０℃近傍における熱吸収が初期溶解温度となる。
このような現象を、図２及び図３の金属組織図を参照して説明する（これらの図の黒四角で示す領域は硬さ試験の圧痕である）。図２は、ＡｕとＳｎを主成分とし（Ｓｎの重量比率を２０ｗ％）、Ｎｉの重量比率を８ｗ％とした合金の組織を示し、図２は、ＡｕとＳｎを主成分とし（Ｓｎの重量比率を２０ｗ％）、Ｎｉの重量比率を９ｗ％とした合金の組織を示している。

Ｎｉの重量比率を８ｗ％とした図２の組織には、符号Ｂの領域で示すＡｕ−Ｓｎ共晶相（融点２８０℃）、符号Ｃの領域で示すＡｕ−Ｓｎζ相（融点５１０℃）、符号Ｄの領域で示すＡｕ＋Ｎｉ₃Ｓｎ₂組織（融点約６８０℃）が見られる。
一方、Ｎｉの重量比率を９ｗ％とした図３の組織には、符号ＢのＡｕ−Ｓｎ共晶相が見られず、符号Ｃの領域で示すＡｕ−Ｓｎζ相と、符号Ｄの領域で示すＡｕ＋Ｎｉ₃Ｓｎ₂組織のみが見られる。

Ｎｉは、Ａｕと比較してＳｎとの金属結合が強いことが知られている。このため、Ｎｉの重量比率を９ｗ％とした図３の組織には、低融点のＡｕ−Ｓｎ共晶相が減少し、その代わりにＮｉとＳｎとが金属結合した高融点のＡｕ＋Ｎｉ₃Ｓｎ₂組織が増大して５００℃以上の融点になることがわかる。
上記の第３合金成分としてＮｉの重量比率を９ｗ％以上添加したろう材と同様に、Ｃｏの重量比率を９ｗ％以上添加したろう材、Ｐｄの重量比率を１７ｗ％以上添加したろう材、Ｐｔの重量比率を２０ｗ％以上添加したろう材も、同様の要因で融点が高くなる。

したがって、ＡｕとＳｎを主成分とした合金に、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐｔの第３合金成分のうち１種類を所定量添加することで、融点温度が高くなることがわかる。
次に、表３は、ＡｕとＳｎを主成分とした合金のＡｕに対するＳｎの重量比率を２０ｗ％とし、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐｔのうち２種類以上の第３合金成分を添加した場合の融点とロウ付け品質の変化を示した結果である。

Ｎｏ２５，２６のろう材は、第３合金成分としてＣｏ，Ｐｄを添加したものであるが、Ｎｏ２５のろう材は、Ｃｏ，Ｐｄの添加量が少ないので（（１）式を満たさないので）融点が低い。これに対して、Ｎｏ２６のろう材は、Ｃｏ，Ｐｄの添加量が最適量とされているので（（１）式、（２）式を満たしているので）、ロウ付け品質が良好となり、融点温度が高くなる。

Ｎｏ２７，２８のろう材は、第３合金成分としてＮｉ，Ｐｄを添加したものであるが、Ｎｏ２７のろう材は、Ｎｉ，Ｐｄの添加量が少ないので（（１）式を満たさないので）融点が低い。また、Ｎｏ２８のろう材は、Ｎｉ，Ｐｄの添加量が多すぎるので（（２）式を満たさないので）、融点は高いが、ロウ付け品質が低下する（ろう流れ、内部巣が発生する）。

Ｎｏ２９，３０，３１のろう材は、第３合金成分としてＣｏ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐｔを添加したものであるが、Ｎｏ２９のろう材は、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐｔの添加量が少ないので（（１）式を満たさないので）融点が低い。また、Ｎｏ３１のろう材は、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐｔの何れかの添加量が多すぎるので（（２）式を満たさないので）、融点は高いが、ロウ付け品質が低下する（ろう流れ、内部巣が発生する）。これに対して、Ｎｏ３０のろう材は、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐｔの添加量が最適量とされているので（（１）式、（２）式を満たしているので）、ロウ付け品質が良好となり、融点温度が高くなる。

Ｎｏ３２，３３のろう材は、第３合金成分としてＣｏ，Ｐｔを添加したものであるが、Ｎｏ３２のろう材は、Ｃｏ，Ｐｔの添加量が少ないので（（１）式を満たさないので）融点が低い。また、Ｎｏ３３のろう材は、Ｃｏ，Ｐｔの添加量が最適量とされているので（（１）式、（２）式を満たしているので）、ロウ付け品質が良好となり、融点温度が高くなる。

さらに、Ｎｏ３４，３５のろう材は、第３合金成分としてＮｉ，Ｐｔを添加したものであるが、Ｎｏ３４のろう材は、Ｎｉ，Ｐｔの添加量が少ないので（（１）式を満たさないので）融点が低い。また、Ｎｏ３５のろう材は、Ｎｉ，Ｐｔの添加量が最適量とされているので（（１）式、（２）式を満たしているので）、ロウ付け品質が良好となり、融点温度が高くなる。

したがって、ＡｕとＳｎを主成分とした合金に、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐｔの第３合金成分のうち２種類以上を、（１）式、（２）式を満たす重量比率で添加することにより、ロウ付け品質が良好となり、融点温度が高くなることがわかる。
（半導体デバイス）
次に、図４は、本発明に係る半導体デバイス１の概略断面図、図５は図４のＡ−Ａ線に沿う断面における概略平面図である。

本発明のデバイスとしての半導体デバイス１は、フレーム部２及びベース部３からなるパッケージ本体４と、パッケージ本体４の内部に実装された半導体チップ５と、略矩形枠状のフレーム部２の上面にろう材６を介して接合されたアルミナ系セラミックスのリッド７とを備えている。
ろう材６は、フレーム部２と略同一の枠状に形成され、リッド７とパッケージ本体４とを気密に接合する。

ここで、ろう材６は、上述した本発明に係るろう材を使用している。
このため、リッド７とパッケージ本体４とを接合する際には、本発明に係るろう材６を使用することで比較的低温でロウ付けを行なうことができる。そして、ロウ付けの際には、ろう流れ、内部巣が発生せずロウ付け品質を良好とし、リッド７とパッケージ本体４とを高気密に接合することができる。

また、本発明に係るろう材６は、ロウ付け後に融点が上昇して優れた耐熱性を有しているので、修理や再ロウ付け時の再加熱による劣化や破損を防止することができ、信頼性に優れ、取り扱いが容易な半導体デバイス１を提供することができる。

ＡｕとＳｎを主成分とし、第３合金成分としてＮｉの重量比率を変化させたろう材の融点変化を示したグラフである。ＡｕとＳｎを主成分とし、Ｎｉの重量比率を８ｗ％とした合金の組織を示す図である。ＡｕとＳｎを主成分とし、Ｎｉの重量比率を９ｗ％とした合金の組織を示す図である。本発明に係る半導体デバイスの概略断面図である。図４のＡ−Ａ線に沿う断面における概略平面図である。

符号の説明

１…半導体デバイス１、２…フレーム部、３…ベース部、４…パッケージ本体、５…半導体チップ、６…ろう材、７…リッド

Claims

ＡｕとＳｎを主成分とした合金であり、Ａｕに対するＳｎの重量比率が１６ｗ％〜２５ｗ％の範囲に設定されていることを特徴とするろう材。
第３合金成分としてＣｏ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐｔの何れか１種類以上の金属が添加されていることを特徴とする請求項１記載のろう材。
前記Ｃｏのみを前記第３合金成分として添加し、前記Ｃｏの前記ろう材に対する重量比率を９ｗ％以上としたことを特徴とする請求項２記載のろう材。
前記Ｎｉのみを前記第３合金成分として添加し、前記Ｎｉの前記ろう材に対する重量比率を９ｗ％以上としたことを特徴とする請求項２記載のろう材。
前記Ｐｄのみを前記第３合金成分として添加し、前記Ｐｄの前記ろう材に対する重量比率を１７ｗ％以上としたことを特徴とする請求項２記載のろう材。
前記Ｐｔのみを前記第３合金成分として添加し、前記Ｐｔの前記ろう材に対する重量比率を２０ｗ％以上としたことを特徴とする請求項２記載のろう材。
第３合金成分としてＣｏ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐｔのうち２種類以上を添加し、前記Ａｕと前記Ｓｎを合わせた重量比率に対する前記Ｓｎの重量比率（ｗ％）をＡ_Sn、前記Ｃｏの重量比率（ｗ％）をＡ_Co、前記Ｎｉの重量比率（ｗ％）をＡ_Ni、前記Ｐｄの重量比率（ｗ％）をＡ_Pd、前記Ｐｔの重量比率（ｗ％）をＡ_Ptで表すと、以下の（１）式を満足するように、第３合金成分の最小添加量を設定したことを特徴とする請求項２記載のろう材。
１．１２×Ａ_Co＋１．１２×Ａ_Ni＋０．６１×Ａ_Pd＋０．５１×Ａ_Ptｗ％
−Ａ_Sn＋１０＞０ ………（１）式
第３合金成分としてＣｏ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐｔの２種類以上を添加し、前記Ａｕと前記Ｓｎを合わせた重量比率に対する前記Ｓｎの重量比率（ｗ％）をＡ_Sn、前記Ａｕの重量比率（ｗ％）をＡ_Au、前記Ｃｏの重量比率（ｗ％）をＡ_Co、前記Ｎｉの重量比率（ｗ％）をＡ_Ni、前記Ｐｄの重量比率（ｗ％）をＡ_Pd、前記Ｐｔの重量比率（ｗ％）をＡ_Ptで表すと、以下の（２）式を満足するように、第３合金成分の最大添加量を設定したことを特徴とする請求項２又は７に記載のろう材。
Ａ_Co／８．９＋Ａ_Ni／８．９＋Ａ_Pd／１２．２＋Ａ_Pt／２１．５
−（Ａ_Sn／７．３＋Ａ_Au／１９．３）×０．５＜０ ……（２）式
請求項１から８のいずれか１項に記載のろう材を用いた接合構造を有することを特徴とするデバイス。