JP6980415B2 - 電子部品収納用パッケージの製造方法および電子部品収納用パッケージ - Google Patents
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Description
図1は、本発明の一実施の形態における半導体素子収納用パッケージ70(電子部品収納用パッケージ)の構成を概略的に示す図であり、図2の線I−Iに沿う断面図である。図2は、図1の概略上面図である。
図5は、本実施の形態における半導体素子収納用パッケージ70の製造方法を概略的に示すフロー図である。図6は、図5のフロー図の一部を他の観点で概略的に示すフロー図である。図7〜図11のそれぞれは、半導体素子収納用パッケージ70の製造方法の第1〜第5の工程を概略的に示す断面図である。これらの図を参照しつつ、半導体素子収納用パッケージ70の製造方法について、以下に具体的に説明する。
図12は、比較例の半導体素子収納用パッケージ70Vの構成を示す断面図である。半導体素子収納用パッケージ70Vの製造方法は、ステップS50(図5)の選択的エッチング処理が省略されている点で、上記本実施の形態の製造方法と相違している。ステップS40(図5)によって本比較例の放熱用基板10Vの外面S2が研磨された直後は、外面S2の比較的大きな割合が、外面S2に露出されたW結晶粒によって占められており、本比較例においてはそのような状態の外面S2上にめっき層30が形成される。Wには表面酸化膜が形成されやすく、よってめっき層との密着性が低くなりやすい。その結果、図13に示すように、外面S2上においてめっき層30に、膨れBL1が生じやすい。
本実施の形態の半導体素子収納用パッケージ70の製造方法によれば、放熱用基板10の外面S2が平滑化された後に、Cuのエッチング速度に比して速い母材料のエッチング速度を有するエッチング条件を用いて、放熱用基板10の外面S2がエッチングされる。このエッチング処理は、放熱用基板10の巨視的な形状である反りには大きな影響を及ぼすことなく、外面S2のうちWからなる部分を選択的に除去する。これにより、放熱用基板10の外面S2の反りを抑制しつつ、放熱用基板10の外面S2のうちCuではなくWからなる部分の割合を低減させることができる。よって、支持部材に取り付けられることになる外面S2の反りを抑制しつつ、信頼性確保のために放熱用基板10の外面S2とめっき層30との間の高い密着性を確保することができる。
まず半導体素子収納用パッケージを製造するための部材が準備された(図7)。放熱用基板の材料としては、80wt%のWと、20wt%のCuとを有するものが用いられた。放熱用基板の平面視(図2に対応する視野)での大きさは30mm×12.7mmとされた。放熱用基板の厚み(図1における縦方向の寸法)は0.5mmとされた。セラミック入出力端子部の表面には、予めNiめっき処理が施された。シールリングとしてはコバールリングが準備された。
実施例1〜5および比較例の各々について、放熱用基板の外面上でのめっき層の膨れ発生率が検査された。また、放熱用基板の外面の反りが測定された。反り測定は、図15の矢印MSに示す方向に沿って、測定長26mmで行われた。ここで、図16に示す反りを「正の反り」と定義し、図17に示す反りを「負の反り」と定義する。また、異常な変色の有無が検査された。これらの結果を、以下の表1にまとめる。
図19は、半導体素子収納用パッケージが有する放熱用基板の外面の重量比の測定結果を示すグラフ図である。図中、左側が研磨直後の測定結果であり、右側が30秒のエッチング処理後(実施例2に対応)の測定結果である。放熱用基板としては全体として20wt%のCu重量比を有するものが準備されたが、その研磨面のCu重量比は、より小さい4.62wt%であった。この原因は、放熱用基板の表面近傍ではその内部に比べてCu量が小さくなりやすいため、または、研磨においてCuに比してWが削れにくいためと推測される。
図20は、放熱用基板(Cu−W基板)の外面と、めっき層(Ni/Au層)との界面近傍を示す電子顕微鏡写真(SEM)である。Wの結晶粒の大きさ程度の寸法変化による表面形状について観察すると、放熱用基板の外面は、比較例においては比較的平坦であったが、実施例2においてはWの結晶粒の大きさに対応した凹部形状が認められた。すなわち、熱処理によって形成された外面は比較的平坦であったが、エッチング処理によって形成された外面にはWの結晶粒の大きさに対応した凹部形状が認められた。
S2 外面(第2の面)
30 めっき層
10 放熱用基板(基板)
10d 凹部形状
11 W領域(第1の領域)
12 Cu領域(第2の領域)
21 金属枠体
22 セラミック入出力端子部
23 リードフレーム
24 シールリング
31 下層
32 上層
41,42 ろう付け部
70 半導体素子収納用パッケージ
81 半導体素子
82 蓋体
Claims (7)
- 第1の面と、前記第1の面と反対の第2の面と、を有し、タングステンおよびモリブデンの少なくともいずれかの材料からなり多孔質構造を有する第1の領域と、銅からなり前記多孔質構造を充填する第2の領域と、を含む基板を準備する工程と、
前記基板の前記第1の面に金属枠体を接合する工程と、
前記金属枠体を接合する工程の後に、前記基板の前記第2の面を平滑化する工程と、
前記基板の前記第2の面を平滑化する工程の後に、銅のエッチング速度に比して速い前記材料のエッチング速度を有するエッチング条件を用いて前記基板の前記第2の面をエッチングする工程と、
前記基板の前記第2の面をエッチングする工程の後に、前記基板の前記第2の面上にめっき層を形成する工程と、
を備える、電子部品収納用パッケージの製造方法。 - 前記金属枠体を接合する工程は、ろう付けによって行われる、請求項1に記載の電子部品収納用パッケージの製造方法。
- 前記金属枠体を接合する工程の後かつ前記基板の前記第2の面を平滑化する工程の前に、めっき処理を行う工程をさらに備える、請求項1または2に記載の電子部品収納用パッケージの製造方法。
- 前記金属枠体上にセラミック入出力端子部を接合する工程と、前記セラミック入出力端子部にリードフレームを接合する工程と、前記セラミック入出力端子部上にシールリングを形成する工程と、をさらに備える、請求項1から3のいずれか1項に記載の電子部品収納用パッケージの製造方法。
- 金属枠体と、
前記金属枠体が接合された第1の面と、前記第1の面と反対の第2の面と、を有し、タングステンおよびモリブデンの少なくともいずれかの材料からなり多孔質構造を有する第1の領域と、銅からなり前記多孔質構造を充填する第2の領域と、を含む基板と、
前記基板の前記第2の面上に設けられためっき層と、
を備え、
前記基板の前記第2の面には、前記第1の領域の結晶粒の大きさに対応した大きさを有する複数の凹部形状が設けられており、
前記基板は全体として、前記第1の領域および前記第2の領域のうち前記第2の領域からなる部分の重量比Xを有しており、前記基板の前記第2の面は、前記第1の領域および前記第2の領域のうち前記第2の領域からなる部分の重量比Yを有しており、前記重量比Yは前記重量比Xよりも大きい、電子部品収納用パッケージ。 - 前記複数の凹部形状が設けられていることによって、前記基板の前記第2の面は、0.15μm以上0.50μm以下の算術平均粗さRaと、1.0μm以上5.0μm以下の最大高さRzとを有している、請求項5に記載の電子部品収納用パッケージ。
- 前記金属枠体上に配置されたセラミック入出力端子部と、前記セラミック入出力端子部に取り付けられたリードフレームと、前記セラミック入出力端子部上に配置されたシールリングと、をさらに備える、請求項5または6に記載の電子部品収納用パッケージ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2017108913A JP6980415B2 (ja) | 2017-06-01 | 2017-06-01 | 電子部品収納用パッケージの製造方法および電子部品収納用パッケージ |
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2018206879A JP2018206879A (ja) | 2018-12-27 |
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Family
ID=64957404
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2017108913A Active JP6980415B2 (ja) | 2017-06-01 | 2017-06-01 | 電子部品収納用パッケージの製造方法および電子部品収納用パッケージ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6980415B2 (ja) |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2804812B2 (ja) * | 1990-01-30 | 1998-09-30 | 三菱マテリアル株式会社 | 半導体素子搭載用部材の製造方法 |
JP2012094627A (ja) * | 2010-10-26 | 2012-05-17 | Kyocera Corp | 素子収納用パッケージ、およびこれを備えた電子装置 |
JP5982303B2 (ja) * | 2013-03-06 | 2016-08-31 | 株式会社東芝 | 半導体装置用パッケージ、およびその製造方法、並びに半導体装置 |
-
2017
- 2017-06-01 JP JP2017108913A patent/JP6980415B2/ja active Active
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2018206879A (ja) | 2018-12-27 |
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