JP7451638B2 - セラミックス金属回路基板の製造方法および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
また、セラミックス金属回路基板に半導体素子を実装した半導体装置は樹脂モールドされることが多い。樹脂モールドすることにより、生産性の向上、および導通不良防止や劣化防止を行うことができる。例えば、特開2002-83917号公報(特許文献2)には、リードフレームの表面に凹部をつけてモールド樹脂とのアンカー効果を得ている。
一方、特許文献3は、セラミックス基板と、セラミックス基板の少なくとも表面に接合された金属板とを具備するセラミックス回路基板であって、金属板のセラミックス基板との接合面と反対面側の外周縁部内側に、複数の孔を形成することを開示している。特許文献3において、金属板の外周縁部内側に複数の孔を設けているのは、金属板の外周端部への応力を緩和するためである。
特許文献4は、銅回路の半導体搭載領域端部から0.3mm~2.0mmの範囲に、銅回路とろう材の合計厚さDに対し20~60%の厚さdの薄肉部分を設けることにより、熱衝撃によるはんだ層やセラミックス基板に発生するクラックの発生を抑制することを開示している。また、特許文献4には、半導体搭載領域端部から2.0mmを超える範囲に薄肉部分を設けると、熱衝撃試験においてクラックが発生することが記載されている。
本発明は、このような課題に対応するためのものであり、モールド樹脂との密着性に優れたセラミックス金属回路基板及び半導体装置を提供するためのものである。
図1に実施形態にかかるセラミックス金属回路基板の一例を示した。図1は凹部を有する金属回路板を上からみた上面図である。また、図中、1はセラミックス金属回路基板、2はセラミックス基板、3は凹部を設けた金属回路板、3-1は凹部を設けた第1の金属回路板、3-2は凹部を設けた第2の金属回路板、4は金属回路板(凹部を設けていない金属回路板)、5は凹部、である。
まず、セラミックス基板の少なくとも一方の面に複数の金属回路板が接合されている。金属回路板はセラミックス基板の片面のみに設けても良いし、両面に設けても良い。また、金属回路板を片面のみに設けた場合は、その反対側は放熱板としての裏金属板を接合してもよいものとする。また、金属回路板は銅、銅合金、アルミニウム、アルミニウム合金のいずれか1種からなることが好ましい。
金属回路板の面積は、(長辺の長さL1)×(短辺の長さL2)で求められる。金属板が長方形以外の場合は、その表面の面積を求めるものとする。長方形以外のL字、H字、S字、円形など様々な形状が挙げられる。
凹部の形成面積が1%未満であると、モールド樹脂とのアンカー効果が不十分である。また、凹部の形成面積が70%を超えて大きいと半導体素子を実装する領域が不足する。このため、凹部を設ける領域は面積100mm2以上の金属回路板の3~70%の範囲である必要がある。また、凹部が設けられた面積が一つの金属回路板表面の30~70%の範囲内であることが好ましい。さらには、半導体素子または端子を搭載した後に、半導体素子実装部および端子実装部を除いた半導体素子非搭載領域の30~95%の範囲に凹部を設けた構造となることが好ましい。従って、半導体素子及び端子を搭載する前のセラミックス金属回路基板においては、金属回路板の主面のうちの半導体素子実装部用領域および端子実装部用領域を除いた非搭載領域の30~95%の範囲に凹部を設けた構造となることが好ましい。
図9は、凹部を有する金属回路板の他の一例を示す上面図である。図中、3は凹部を設けた金属回路板、5は凹部、10は半導体素子実装部、11は端子実装部、である。
半導体素子実装部10および端子実装部11の面積は、半導体素子等を実装した半導体装置を観察することにより、求めることができる。得られた面積を半導体素子実装部用領域および端子実装部用領域の面積とする。また、半導体素子を実装するためのはんだ層(またはろう材層)がはみ出た場合は、はみ出たはんだ層は半導体素子実装部11に含めるものとする。同様に端子についても、はんだ層がはみ出た場合は、端子実装部11に含めるものとする。凹部をはんだ層で埋めてしまうと、後述する樹脂モールドとの密着性を向上させることができなくなるためである。
また、面積100mm2以上の金属回路板に凹部を設けているため、半導体素子または端子を実装する面積を十分に確保できる。また、あまり小さな金属回路板や細長い金属回路板では半導体素子を実装する面積を確保することができない。言い換えれば、面積100mm2以上の金属回路板を設けたセラミックス金属回路基板に好適である。
また、半導体素子及び端子を実装前のセラミックス金属回路基板では、設計図を用いて凹部の面積率を求める方法が有効である。
また、半導体素子または端子を実装後のセラミックス金属回路基板、及びこの金属回路基板を含む半導体装置では、光学顕微鏡で上面写真を測定する。上面写真から凹部の面積率を求める方法が有効である。
また、樹脂モールドした半導体装置では、X線を用いた方法、樹脂を除去して測定する方法が有効である。X線を用いた方法はX線CT観察が挙げられる。X線CT観察の画像を用いて凹部の面積率を求めることができる。また、3D画像を用いることにより、凹部の深さも併せて測定することができる。
また、樹脂を除去する方法は、レーザ処理、薬液処理、研削処理が挙げられる。レーザ処理は、レーザで樹脂を溶かして除去する方法である。レーザ開封とも呼ばれている。薬液処理は、薬液により樹脂を溶かす方法である。また、研削処理は、樹脂を削り取る方法である。一定量を研削処理した後、レーザ処理または薬液処理する方法も有効である。樹脂を除去した後は、光学顕微鏡で観察して凹部の面積率を求めることが有効である。
また、凹部の深さは0.02mm以上である。凹部の深さが0.02mm未満ではモールド樹脂とのアンカー効果が不十分である。また、凹部の深さは、金属回路板の厚みの10~90%の範囲内になることが好ましい。また、凹部の一部は貫通型であってもよい。すなわち、貫通型凹部と非貫通型凹部の双方が金属回路板に設けられていても良い。
また、平均最小径dまたは平均最小溝幅Wの測定方法は、凹部を有する金属回路板を上から光学顕微鏡で撮影することを含む。一つの金属回路板内で、個々の凹部の最小径dを測定する。小数点2桁目を四捨五入することにより、凹部の最小径dとする。一つの金属回路板内の全ての凹部の最小径dを測定する。個々の最小径dの中で、最小値と最大値を除いた値を平均して平均最小径dとする。平均最小溝幅Wも同様の方法で求めるものとする。
また、平均最小径d(または平均最小幅W)が0.5mm未満では、凹部の入り口が小さすぎて、モールド樹脂が十分入り込まない恐れがある。また、平均最小径d(または平均最小幅W)が2mmを超えて大きいと、モールド樹脂が抜け易くなる恐れがある。このため、モールド樹脂とのアンカー効果を得るためには凹部の平均最小径d(または平均最小幅W)が0.5~2mmの範囲内であることが好ましい。また、この範囲であれば、個々の凹部の最小径d(または最小幅W)は同じであっても良いし、異なっていても良い。また、形状についても、統一されていても良いし、異なる形状の組み合わせであってもよい。また、すべての最小径dが0.5~2mmの範囲内であることが好ましい。同様に、すべての最小幅wが0.5~2mmの範囲内であることが好ましい。
また、凹部同士の平均最短距離pがd/2(mm)以上であることが好ましい。凹部同士の最短距離pとは、一つの凹部に対し、その周囲にある凹部の中で最も近い距離を示す。凹部同士の最短距離pは凹部のピッチともいう。平均最短距離pがd/2より小さいと、凹部同士のピッチ間の強度が不十分となる恐れがある。例えば、金属回路板が0.3mm以上、さらには0.8mm以上と厚くなったときにピッチ間の強度が不足すると返ってモールド樹脂との密着性が低下する恐れがある。また、最小幅Wに対しても、凹部同士の平均最短距離pがW/2(mm)以上であることが好ましい。また、凹部同士の最短距離pはすべてがd/2(mm)以上またはW/2(mm)以上を満たすことが好ましい。
ここで、平均最短距離pの測定方法を説明する。凹部を有する金属回路板を上から光学顕微鏡で撮影する。一つの金属回路板内で、凹部同士の最短距離pを測定する。小数点2桁目を四捨五入することにより、凹部の最短距離pとする。一つの金属回路板内の全ての凹部の最短距離pを測定する。個々の最短距離pの中で、最小値と最大値を除いた値を平均して平均最短距離pとする。
これらの中では図4d(f)の円形または図4e(g)の三角形状がモールド樹脂との接着強度を向上させ易い。円形形状または三角形状の凹部は、凹部の入り口に対して内部の方が広くなっている。このような構造であれば、モールド樹脂が固化した後に抜け難くなる。その他の長方形、V字、U字は凹部を形成し易い構造である。そのため、量産性を考慮すると長方形、V字、U字の方が好ましい。また、凹部の断面形状は、一つの金属回路板内で統一されていてもよいし、異なっていても良い。また、図4fの(h)に示す通り、凹部5の端部である開口端周縁に凸部22ができている形状であってもよい。凹部5の端部に凸部22が形成されていると、モールド樹脂がずれることを防ぐことができる。開口端周縁に凸部を有する凹部は、例えば、金属回路板にレーザ加工を施すことにより形成することができる。
また、凹部の断面形状は、図4a~図4fに示したものに限定されるものではない。これ以外には、ネジ溝形状などが挙げられる。
また、凹部の形状は溝形状であってもよい。図5に、溝形状の凹部を有する金属回路板の一例を示した。図中、3は凹部を有する金属回路板、5は凹部、wは凹部の最小幅、pは凹部同士の最短距離、である。図5では、凹部の上面図が長方形をしている。溝形状の凹部は長方形に限らず、S字、M字などの曲線形状であってもよい。また、断面形状は図4a~図4fに示したものが適用できる。また、凹部は、円形形状と溝形状を組み合わせることも可能である。
また、凹部は連続した溝形状であってもよい。図6に、連続した溝形状の凹部を有する金属回路板の上面図を例示した。図中、3は凹部を有する金属回路板、5は凹部、wは凹部の最小幅、pは凹部同士の最短距離、である。図6では、四角形状に連続した溝形状の凹部を示している。このように、連続した溝形状とは、凹部がつながった形状を示している。連続した溝形状は、四角形状に限らず、多角形、円形、楕円など様々な形状を用いることができる。また、前述の図3a~図3bや図4a~図4fのような形状のものと組み合わせることも可能である。
また、凹部5は凹部を有する金属回路板3の中心から外側に向けて2個以上または2列以上配置された箇所が少なくとも1箇所存在することが好ましい。中心(内側)から外側に向かって凹部を設けることにより、モジュールド樹脂がずれることを防ぐことができる。上記配置を有する金属回路板の例として、図1、図2、図5、図9、図10が挙げられる。例えば図1、図10に示す通り、3個以上または3列以上になっている箇所があることが好ましい。ここで、凹部を有する金属回路板の中心は、対象となる金属回路板の外接長方形の二本の対角線の交点とする。
また、金属回路板の厚さが0.3mm以上であることが好ましい。さらに、金属回路板の厚さは0.8mm以上であることが好ましい。金属回路板を厚くすることにより、セラミックス金属回路基板の放熱性を向上させることができる。動作温度の高い半導体素子を搭載するセラミックス金属回路基板として有効である。
セラミックス基板の表面サイズが12cm2以上(1200mm2以上)であると、複数の金属回路板を設け易い構造となる。また、面積100mm2以上の金属回路板を2つ以上設けやすくなる。また、凹部を設けた金属回路板を2つ以上設けることにより、モールド樹脂との密着性をより強固にすることができる。
なお、セラミックス基板の表面サイズの上限は特に限定されるものではないが、100cm2以下が好ましい。100cm2を超えて大きいと、樹脂モールド加工が困難となる恐れがある。例えば、トランスファーモールド法は、金型内にセラミックス金属回路基板を配置して、樹脂モールドを行う。セラミックス基板があまり大きいと、初期あるいはモールド中の反り量増大等によって金型内への配置が困難となる恐れがある。そのため、セラミックス基板の表面サイズは12~100cm2が好ましく、さらには20~50cm2が好ましい。また、セラミックス基板2は単板であってもよいし、多層構造などの立体構造を有するものであってもよい。
通常の窒化アルミニウム基板、アルミナ基板は3点曲げ強度が300~450MPa程度である。アルジル基板は、酸化アルミニウムと酸化ジルコニウムを混合した焼結体である。アルジル基板の強度も550MPa前後である。550MPa以下の強度では基板厚さを0.4mm以下と薄くすると、モールド時に基板が割れる可能性が高くなったり、半導体装置としてのTCT(熱サイクル)特性が低下する。特に、TCT試験の高温側を175℃以上と高くしたときに耐久性が低下する。
窒化珪素基板は、3点曲げ強度600MPa以上、さらには700MPa以上と高強度にすることができる。また、熱伝導率は50W/m・K以上、さらには80W/m・K以上のものがある。特に、近年は高強度と高熱伝導の両方を併せ持つ窒化珪素基板もある。3点曲げ強度600MPa以上、熱伝導率80W/m・K以上の窒化珪素基板であれば、基板厚さを0.30mm以下と薄型化することもできる。特に、基板サイズを12cm2以上、さらには20cm2以上と大型化したときに窒化珪素基板であることが好ましい。
なお、3点曲げ強度はJIS-R-1601、熱伝導率はJIS-R-1611に準じたレーザフラッシュ法にて測定するものとする。
また、セラミックス基板と金属回路板の接合方法は、活性金属法、直接接合法など特に限定されるものではない。
また、図7に例示される通り、セラミックス基板2の金属回路板3を設けた面に対する裏面に裏金属板8を設けた構造であっても良い。裏金属板8は、放熱板または回路板として用いることができる。また、裏金属板8に凹部を設けた構造としても良い。裏面(裏金属板8を設けた面)を樹脂モールドするときに有効である。また、後述するように、実装基板9と裏金属板8を接合するときにグリース層が用いられる。裏金属板8に凹部を設けることにより、グリース層との密着性を向上させることができる。
また、セラミックス基板の表面(両方の主面)のうち、金属回路板が設けられていない箇所の少なくとも一部に凹部を設けてもよい。なお、裏金属板を設ける場合、セラミックス基板の表面(両方の主面)のうち、裏金属板が設けられていない表面の少なくとも一部に凹部を設けてもよい。図10に、セラミックス基板に凹部を設けた一例を示した。図中、1はセラミックス金属回路基板、2はセラミックス基板、3は凹部を設けた金属回路板、4は凹部を設けていない金属回路板、5は凹部、12はセラミックス基板に設けた凹部、である。第1の金属回路板3-1及び第2の金属回路板3-2は、セラミックス基板2の一方の主面に設けられている。第1の金属回路板3-1には、中心から外側に向かって二列に並んだ凹部が形成されている。一方、第2の金属回路板3-2には、中心から外側に向かって三列に並んだ凹部が形成されている。
図10は、金属回路板を設けた面を例示したものである。セラミックス基板2の金属回路板(凹部を設けた金属回路板3および凹部を設けていない金属回路板4)を設けていない箇所のうち、セラミックス基板2の端部に凹部12を形成している。セラミックス基板2に凹部12を形成することにより、モールド樹脂との密着性をより向上させることができる。
また、凹部12は、凹部に起因するセラミックス基板2の絶縁性の低下を回避するため、非貫通型の凹部が好ましい。また、モールド樹脂と直接接するセラミックス基板2の表面面積の30~95%の範囲内で凹部12を設けることが好ましい。凹部の最小径dまたは最小幅Wは0.5~2mmの範囲内であることが好ましい。
図7に樹脂モールドした半導体装置の一例を示した。図中、2はセラミックス基板、3は凹部を設けた金属回路板、6は半導体素子、7はモールド樹脂、8は金属板、9は実装基板、20は半導体装置、である。
図7では、凹部を設けた金属回路板を2つ接合している。そのうち1つは半導体素子を2つ搭載し、もう一方は半導体素子を1つ搭載している。実施形態にかかる半導体装置は、このような構造に限られるものではなく、凹部を設けた金属回路基板に1つまたは2つ以上の半導体素子を搭載できるものとする。
凹部を設けた金属回路板は、面積100mm2以上の大きな金属板である。このため、2つ以上の半導体素子を搭載することができる。一方、半導体素子は発熱源となる。樹脂モールドしたとき、半導体素子の近傍は熱応力により樹脂がはがれ易い。このため、凹部を設けることにより、モールド樹脂がはがれ難くなる。
特に、半導体素子の動作温度が170℃以上であるものに有効である。動作温度は、いわゆるジャンクション温度のことである。半導体素子の発熱量が大きくなったとしても、凹部を設けることにより、モールド樹脂のはがれを抑制することができる。また、半導体素子の導通には、ワイヤボンディングやリードフレームなどが使われる。樹脂はがれがおきるとワイヤボンディングが断線し易くなる。また、リードフレームは銅板やアルミニウム板などの金属板で形成される。金属板は熱膨張し易いため、モールド樹脂のはがれにつながり易い。このため、凹部を設けることにより、モールド樹脂のはがれを防ぐことは有効である。
図7に例示する半導体装置は、ケースを備えていないものである。このような半導体装置に限定されるものではなく、ケースを備えた半導体装置も本実施形態に含まれる。この一例を図8に示す。半導体装置20のセラミックス基板2の一方の主面に、凹部を設けた金属回路板3が互いに間隔を隔てて複数設けられている。金属回路板3それぞれの主面に半導体素子6が搭載されている。搭載する素子の数は、金属回路板3毎に異ならせても良い。セラミックス基板2の他方の主面に金属板8が設けられている。このような構造のセラミックス基板2の金属板8が実装基板9に接合されている。ケース21は、ドーム形状を有し、その開口端が実装基板9の表面に接合されている。モールド樹脂7は、実装基板9とケース21で囲まれた空間内に充填されている。モールド樹脂7は、例えば、ポッティングゲルを使ったモールド方法により形成される。この場合、ケース21が金型を兼ねる。また、ケース21は蓋と側壁が分かれたものであってもよい。
まず、セラミックス基板を用意する。セラミックス基板は、窒化珪素基板、窒化アルミニウム基板、アルミナ基板、アルジル基板など様々なものが適用できる。また、セラミックス基板は、厚さ1mm以下のものが好ましい。また、3点曲げ強度が600MPa以上の場合は厚さ0.4mm以下が好ましい。強度の高い基板としては窒化珪素基板が挙げられる。また、窒化珪素基板は3点曲げ強度600MPa以上かつ熱伝導率50W/m・K以上のものが好ましい。
また、必要に応じ、セラミックス基板に凹部を設ける工程を行うものとする。セラミックス基板に凹部を設ける工程は、ショットブラスト加工、レーザ加工、ドリル加工などが挙げられる。また、金属板を接合した後に、セラミックス基板に凹部を設ける工程を行っても良いものとする。
次に、金属回路板を接合する。金属回路板は、銅板、銅合金板、アルミニウム板、アルミニウム合金板などが挙げられる。また、金属回路板の厚さは0.3mm以上、さらには0.8mm以上のものが好ましい。
また、接合方法は、活性金属接合法または直接接合法が挙げられる。活性金属接合法は、Ti、Zr、Hf、Siから選ばれる1種または2種以上を含有した接合ろう材を用いるものである。活性金属接合法は、酸化物系セラミックス基板、窒化物系セラミックス基板の両方に適用できる。
Ti,Zr,Hfから選ばれる1種を用いる場合は、銀(Ag)、銅(Cu)を含有するろう材が好ましい。また、必要に応じ、インジウム(In)や錫(Sn)を添加するものとする。このような接合ろう材は銅板の接合に好適である。
また、Siを用いる場合は、アルミニウム(Al)を含有するろう材が好ましい。このような接合ろう材はAl板の接合に好適である。
また、直接接合法は、接合ろう材を使わずに接合する方法である。銅板と酸化物系セラミックス基板の接合に好適な方法である。接合ろう材を使わないため、コストを低減することが可能である。
また、金属板が0.3mm以上、さらには0.8mm以上と厚くなったときには、金属板の側面を傾斜構造となるようにエッチング処理を施してもよいものとする。金属板側面を傾斜構造とすると、金属板とセラミックス基板の接合端部の熱応力を緩和できるため、TCT特性が向上する。
レーザー加工は、凹部を設けたい箇所にレーザー加工を施すものとする。レーザの出力やスポット径を制御することにより、凹部の最小径や深さを調整することができる。
また、ドリル加工は、ドリルの径を調整することにより、凹部の最小径を調整することができる。また、ドリルの形状は、ネジ溝形状や針形状など様々なものが挙げられる。また、ドリルを突き刺す深さで凹部深さを調整することができる。
また、ホーニング加工は、凹部を設けない箇所にマスクをつける。マスクを付けていない箇所にホーニング加工を施すものである。ホーニング加工は、凹部深さの小さなものを形成するのに有効である。
また、エッチング加工は、凹部を設けない箇所にエッチングレジストを設ける。レジストを設けていない箇所をエッチング加工するものである。エッチングレジストの塗布形状によって、凹部の最小径を制御できる。また、エッチング時間を制御することにより、凹部深さを調整できる。また、エッチング加工は、図4dの(f)のような断面円形の凹部5を形成できる。貫通孔としないエッチング加工をハーフエッチング加工と呼ぶ。
また、凹部を設ける箇所は、面積が100mm2以上の金属回路板表面の1~70%の範囲になるようにするものとする。また、凹部の深さは0.02mm以上になるようにするものとする。また、前記凹部が設けられた面積が一つの金属回路板表面の中で半導体素子実装部領域および端子実装部領域を除いて30~95%の範囲内となるようにすることが好ましい。
また、凹部形成後にマスクまたはエッチングレジストを取り除くものとする。
次に、半導体素子の導通を図る工程を行う。ワイヤボンディングやリードフレームを設けるものとする。また、半導体装置(半導体素子を搭載したセラミックス回路基板)を実装基板に実装する。半導体装置の実装基板への実装工程は、ハンダ、接着剤、ネジ止めなどが挙げられる。
なお、半導体装置の実装基板への実装工程と樹脂モールド工程は順番が逆であっても良い。
(実施例1~13、比較例1~2)
セラミックス基板として表1に示すものを用意した。
また、実施例12として、実施例1のセラミックス金属回路基板のセラミックス基板に凹部を設けたものを用意した。また、実施例13として、実施例8のセラミックス金属回路基板のセラミックス基板に非貫通型の凹部を設けたものを用意した。セラミックス基板に設けた凹部は、凹部の直径dは1mmに統一した。また、セラミックス基板の凹部は金属板を接合した領域を除いた部分の面積の30%になるようにした。セラミックス基板の外側に設けた。
また、比較例7のように、金属回路板の端(端部から1mm)に設けただけでは、モールド樹脂との密着強度が不十分であった。
また、セラミックス基板に凹部を設けた実施例12、実施例13はそれぞれ性能が向上した。このため、セラミックス基板に凹部を設けることも有効であることが分かる。
以上、本発明のいくつかの実施形態を例示したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更などを行うことができる。これら実施形態やその変形例は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。また、前述の各実施形態は、相互に組み合わせて実施することができる。
以下に、本願の出願当初の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
[1] セラミックス基板の少なくとも一方の面に複数の金属回路板が接合されたセラミックス金属回路基板において、面積が100mm2以上の金属回路板の少なくとも1つは表面の1~70%の範囲に、深さ0.02mm以上の凹部を有し、前記凹部は前記金属回路板の端部から3mm以上内側に形成されていることを特徴とするセラミックス金属回路基板。
[2] 前記凹部が設けられた面積が一つの金属回路板表面の3~70%である[1]記載のセラミックス金属回路基板。
[3] 前記凹部が設けられた面積が一つの金属回路板表面の中で半導体素子実装部用領域および端子実装部用領域を除いて30~95%の範囲内である[1]ないし[2]のいずれか1項に記載のセラミックス金属回路基板。
[4] 前記凹部の深さが金属回路板の厚みの10~90%の範囲である[1]ないし[3]のいずれか1項に記載のセラミックス金属回路基板。
[5] 前記凹部を上から見たときの平均最小径d(mm)または平均最小溝幅wが0.5~2mmの範囲内である[1]ないし[4]のいずれか1項に記載のセラミックス金属回路基板。
[6] 前記凹部同士の平均最短距離pがd/2(mm)以上またはw/2(mm)以上である[1]ないし[5]のいずれか1項に記載のセラミックス金属回路基板。
[7] 前記凹部の断面形状が、U字、V字、長方形、円形から選ばれる1種である[1]ないし[6]のいずれか1項に記載のセラミックス金属回路基板。
[8] 前記金属回路板の厚さが0.3mm以上である[1]ないし[7]のいずれか1項に記載のセラミックス金属回路基板。
[9] 前記セラミックス基板の表面サイズが12cm2以上である[1]ないし[8]のいずれか1項に記載のセラミックス金属回路基板。
[10] 前記セラミックス基板の前記金属回路板を設けた面と反対側に裏金属板を設けた構造を有する[1]ないし[9]のいずれか1項に記載のセラミックス金属回路基板。
[11] 前記裏金属板に凹部を設けた構造を有する[10]記載のセラミックス金属回路基板。
[12] 前記セラミックス基板が窒化珪素基板である[1]ないし[11]のいずれか1項に記載のセラミックス金属回路基板。
[13] 前記セラミックス基板の表面(少なくとも前記金属回路板が設けられている部分を除く)の少なくとも一部に凹部を設けた[1]ないし[12]のいずれか1項に記載のセラミックス金属回路基板。
[14] [1]ないし[13]のいずれか1項に記載のセラミックス金属回路基板の凹部を設けた金属回路板に半導体素子を実装した半導体装置。
[15] 前記凹部を設けた金属回路板に、複数の半導体素子を実装した[14]記載の半導体装置。
[16] 前記半導体素子のジャンクション温度が170℃以上である[14]ないし[15]のいずれか1項に記載の半導体装置。
[17] 樹脂モールドが施されている[14]ないし[16]のいずれか1項に記載の半導体装置。
2…セラミックス基板
3…凹部を設けた金属回路板
3-1…凹部を設けた第1の金属回路板
3-2…凹部を設けた第2の金属回路板
4…金属回路板(凹部を設けていない金属回路板)
5…凹部
6…半導体素子
7…モールド樹脂
8…金属板(裏金属板)
9…実装基板
10…半導体素子実装部
11…端子実装部
12…セラミックス基板に設けられた凹部
20…樹脂モールドが施された半導体装置
d:凹部の最小径
w:凹部の最小幅
p:凹部同士の最短距離
L1:金属回路板の長辺の長さ
L2:金属回路板の短辺の長さ
以下に、本願の出願当初の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
[1] セラミックス基板の少なくとも一方の面に複数の金属回路板が接合されたセラミックス金属回路基板の製造方法において、面積が100mm 2 以上の金属回路板の少なくとも1つは表面の1~70%の範囲に、深さ0.02mm以上の凹部を有し、前記凹部は前記金属回路板の端部から3mm以上内側に形成されていることを特徴とするセラミックス金属回路基板の製造方法。
[2] 前記凹部が設けられた面積が一つの金属回路板表面の3~70%である[1]記載のセラミックス金属回路基板の製造方法。
[3] 前記凹部が設けられた面積が一つの金属回路板表面の中で半導体素子実装部用領域および端子実装部用領域を除いて30~95%の範囲内である[1]ないし[2]のいずれか1項に記載のセラミックス金属回路基板の製造方法。
[4] 前記凹部の深さが金属回路板の厚みの10~90%の範囲である[1]ないし[3]のいずれか1項に記載のセラミックス金属回路基板の製造方法。
[5] 前記凹部を上から見たときの平均最小径d(mm)または平均最小溝幅wが0.5~2mmの範囲内である[1]ないし[4]のいずれか1項に記載のセラミックス金属回路基板の製造方法。
[6] 前記凹部同士の平均最短距離pがd/2(mm)以上またはw/2(mm)以上である[1]ないし[5]のいずれか1項に記載のセラミックス金属回路基板の製造方法。
[7] 前記凹部の断面形状が、U字、V字、長方形、円形から選ばれる1種である[1]ないし[6]のいずれか1項に記載のセラミックス金属回路基板の製造方法。
[8] 前記金属回路板の厚さが0.3mm以上である[1]ないし[7]のいずれか1項に記載のセラミックス金属回路基板の製造方法。
[9] 前記セラミックス基板の表面サイズが12cm 2 以上である[1]ないし[8]のいずれか1項に記載のセラミックス金属回路基板の製造方法。
[10] 前記セラミックス基板の前記金属回路板を設けた面と反対側に裏金属板を設けた構造を有する[1]ないし[9]のいずれか1項に記載のセラミックス金属回路基板の製造方法。
[11] 前記裏金属板に凹部を設けた構造を有する[10]記載のセラミックス金属回路基板の製造方法。
[12] 前記セラミックス基板が窒化珪素基板である[1]ないし[11]のいずれか1項に記載のセラミックス金属回路基板の製造方法。
[13] 前記セラミックス基板の表面(少なくとも前記金属回路板が設けられている部分を除く)の少なくとも一部に凹部を設けた[1]ないし[12]のいずれか1項に記載のセラミックス金属回路基板の製造方法。
[14] [1]ないし[13]のいずれか1項に記載の製造方法によるセラミックス金属回路基板の凹部を設けた金属回路板に半導体素子を実装した半導体装置。
[15] 前記凹部を設けた金属回路板に、複数の半導体素子を実装した[14]記載の半導体装置。
[16] 前記半導体素子のジャンクション温度が170℃以上である[14]ないし[15]のいずれか1項に記載の半導体装置。
[17] 樹脂モールドが施されている[14]ないし[16]のいずれか1項に記載の半導体装置。
Claims (17)
- セラミックス基板の少なくとも一方の面に複数の金属回路板が接合されたセラミックス金属回路基板の製造方法において、面積が100mm2以上の金属回路板の少なくとも1つは表面の1~70%の範囲に、上から見た形状が円形または四角形である、深さ0.02mm以上の凹部を有し、前記凹部は前記金属回路板の端部から3mm以上内側にのみ形成されていることを特徴とするセラミックス金属回路基板の製造方法。
- 前記凹部が設けられた面積が一つの金属回路板表面の3~70%である請求項1記載のセラミックス金属回路基板の製造方法。
- 前記凹部が設けられた面積が一つの金属回路板表面の中で半導体素子実装部用領域および端子実装部用領域を除いて30~95%の範囲内である請求項1ないし請求項2のいずれか1項に記載のセラミックス金属回路基板の製造方法。
- 前記凹部の深さが金属回路板の厚みの10~90%の範囲である請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載のセラミックス金属回路基板の製造方法。
- 前記凹部を上から見たときの平均最小径d(mm)または平均最小溝幅wが0.5~2mmの範囲内である請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載のセラミックス金属回路基板の製造方法。
- 前記凹部同士の平均最短距離pがd/2(mm)以上またはw/2(mm)以上である請求項1ないし請求項5のいずれか1項に記載のセラミックス金属回路基板の製造方法。
- 前記凹部の断面形状が、U字、V字、長方形、円形から選ばれる1種である請求項1ないし請求項6のいずれか1項に記載のセラミックス金属回路基板の製造方法。
- 前記金属回路板の厚さが0.3mm以上である請求項1ないし請求項7のいずれか1項に記載のセラミックス金属回路基板の製造方法。
- 前記セラミックス基板の表面サイズが12cm2以上である請求項1ないし請求項8のいずれか1項に記載のセラミックス金属回路基板の製造方法。
- 前記セラミックス基板の前記金属回路板を設けた面と反対側に裏金属板を設けた構造を有する請求項1ないし請求項9のいずれか1項に記載のセラミックス金属回路基板の製造方法。
- 前記裏金属板に凹部を設けた構造を有する請求項10記載のセラミックス金属回路基板の製造方法。
- 前記セラミックス基板が窒化珪素基板である請求項1ないし請求項11のいずれか1項に記載のセラミックス金属回路基板の製造方法。
- 前記セラミックス基板の表面(少なくとも前記金属回路板が設けられている部分を除く)の少なくとも一部に凹部を設けた請求項1ないし請求項12のいずれか1項に記載のセラミックス金属回路基板の製造方法。
- 請求項1ないし請求項13のいずれか1項に記載の製造方法によるセラミックス金属回路基板の凹部を設けた金属回路板に半導体素子を実装した半導体装置の製造方法。
- 前記凹部を設けた金属回路板に、複数の半導体素子を実装した請求項14記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体素子のジャンクション温度が170℃以上である請求項14ないし請求項15のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 樹脂モールドが施されている請求項14ないし請求項16のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
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