JP2007043106A - 気密封止用リッド材およびその製造方法ならびに電子部品用パッケージ - Google Patents
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Abstract
【課題】Pbを含有せず、パッケージを回路基板にはんだ付けする際にも接合状態を保ち、コスト面でも有利でかつ亀裂発生による気密性の低下の問題を解決できる気密封止用リッド材を提供する。
【解決手段】Ag、CuまたはAg−Cu系合金のいずれか一種からなる箔材の一方の面側に蓋材となる金属層を有し、前記箔材の他方の面側にSn層を有する気密封止用リッド材であり、好ましくは前記AgまたはCuの箔材の平均厚さが10〜100μmで、また好ましくは前記Fe−Ni系合金層の平均厚さが30〜300μmであり、さらに好ましくは前記Sn層の平均厚さが10〜30μmである。
【選択図】 図1
【解決手段】Ag、CuまたはAg−Cu系合金のいずれか一種からなる箔材の一方の面側に蓋材となる金属層を有し、前記箔材の他方の面側にSn層を有する気密封止用リッド材であり、好ましくは前記AgまたはCuの箔材の平均厚さが10〜100μmで、また好ましくは前記Fe−Ni系合金層の平均厚さが30〜300μmであり、さらに好ましくは前記Sn層の平均厚さが10〜30μmである。
【選択図】 図1
Description
本発明は、電子部品用パッケージの気密封止に用いられるリッド材、およびその製造方法ならびに電子部品用パッケージに関するものである。
携帯電話などの移動通信機器に搭載されるSAWフィルターや水晶振動子といったセラミックパッケージでは、パッケージに内装される素子の特性を安定させるために、真空または不活性ガスを用いた気密封止が行なわれている。気密封止の方法としては、箱型のセラミック基材に、セラミック基材と熱膨張係数の近いFe−Ni−Co系合金やFe−42mass%Ni合金などからなる蓋となるリッド材を接合する方法が採用されている。このセラミック基材は、アルミナ(Al2O3)等が用いられ、リッド材との接合面にGNDとなるCuやWからなる電極が形成されて使用されることが多い。
セラミック基材とリッド材とを接合し封止する方法としては、はんだ接合が一般的である。融点が300℃程度の封止用はんだ合金をセラミック基材とリッド材との間に挟み、局所的または全体を加熱してはんだ合金を溶融させ溶着させる。例えば特許文献1ではPbを主成分とする封止用はんだ合金を表面に形成したリッド材をセラミック基材上に載せ、加熱することで融着している。また特許文献2および特許文献3ではAu−20%mass%Sn合金やAu−Snめっき層を形成したリッド材を用い、同様に加熱することで封止している。封止後のセラミックパッケージは後工程で回路基板にはんだ付けされるが、その際に使われるSn−Pb共晶はんだやSn−Ag−Cu系はんだは融点が200℃程度、はんだ付け温度が250℃程度である。一方、封止に用いられるPbを主成分とするはんだやAu−Sn合金はそれよりも融点が高いため、封止箇所はパッケージを回路基板にはんだ付けする際に再溶融せず接合状態を保つといった特徴を持つ。
特開平11−191601号公報
特開平1−318250号公報
特開2003−229504号公報
上述した特許文献1に開示されるリッド材は、パッケージを回路基板にはんだ付けする際に封止箇所が再溶融せず接合状態を保つという点で有利であるものの、はんだ中にPbを含有するため自然環境や人体への負荷が大きい。一方、特許文献2や特許文献3に開示されるリッド材は、はんだ付け時に再溶融せず接合状態を保つことに加え、Pbを含有しないため環境負荷が小さいという点で有利であるものの、Auは非常に高価であるためセラミックパッケージの製品コストが著しく上昇する。加えて、Au−Sn合金は非常に脆いため、移動通信機器で問題となる落下衝撃が負荷された場合に封止箇所に亀裂が発生して気密性が低下し、素子が損傷してしまうといった問題がある。
本発明の目的は、Pbを含有せず、パッケージを回路基板にはんだ付けする際にも接合状態を保ち、コスト面でも有利でかつ亀裂発生による気密性の低下の問題を解決できる気密封止用リッド材を提供することである。
本発明の目的は、Pbを含有せず、パッケージを回路基板にはんだ付けする際にも接合状態を保ち、コスト面でも有利でかつ亀裂発生による気密性の低下の問題を解決できる気密封止用リッド材を提供することである。
本発明者は、気密封止用リッド材を構成する封止用はんだとして、高融点金属であるAg、CuまたはAg−Cu系合金のいずれか一種からなる箔材の一方の面側に蓋材となる金属層を形成し、前記箔材の他方の面側に低融点金属であるSn層を形成することで、Pbを含有せず、パッケージを回路基板にはんだ付けする際にも接合状態を保ち、コスト面でも有利でかつ亀裂発生による気密性の低下の問題を解決できることを見出し本発明に到達した。
すなわち本発明は、Ag、CuまたはAg−Cu系合金のいずれか一種からなる箔材の一方の面側に蓋材となる金属層を有し、前記箔材の他方の面側にSn層を有する気密封止用リッド材である。
好ましくは前記Ag、CuまたはAg−Cu系合金の箔材の平均厚さが10〜100μmである。
また好ましくは蓋材となる金属層の平均厚さが30〜300μmである。また、好ましくは前記Sn層の平均厚さが10〜30μmである。
また、本発明の蓋材となる金属層はFe−Ni系合金が好ましい。前記蓋材となる金属層はNiも好ましい。
本発明の気密封止用リッド材の製造方法は、Ag、CuまたはAg−Cu系合金のいずれか一種からなる箔材の一方の面側に蓋材となる金属層を有し、前記箔材の他方の面側にSn層を有する気密封止用リッド材の製造方法において、前記箔材と前記蓋材となる金属層とを重ねてロール加圧により形成し、次いでSn層を形成する気密封止用リッド材の製造方法である。
また、本発明は、Ag、CuまたはAg−Cu系合金のいずれか一種からなる箔材の一方の面側に蓋材となる金属層を有し、前記箔材の他方の面側にSn層を有する気密封止用リッド材の製造方法において、前記箔材に接着層を形成させつつ、蓋材となる金属層と前記箔材とを減圧雰囲気中で貼り合わせて形成し、次いでSn層を形成する気密封止用リッド材の製造方法である。
前記Sn層の形成は、減圧雰囲気中で蒸着により形成することが好ましく、めっきにより形成してもよい。
また、本発明は、Ag、CuまたはAg−Cu系合金のいずれか一種からなる箔材の一方の面側に蓋材となる金属層を有し、前記箔材の他方の面側にSn層を有する気密封止用リッド材の製造方法において、前記箔材に接着層を形成させつつ、蓋材となる金属層と前記箔材とを減圧雰囲気中で貼り合わせて形成し、次いでSn層を形成する気密封止用リッド材の製造方法である。
前記Sn層の形成は、減圧雰囲気中で蒸着により形成することが好ましく、めっきにより形成してもよい。
また、蓋材側に形成した、Ag、CuまたはAg−Cu系合金のいずれか一種からなる接合促進層が、接合面方向に連続したSn相が実質的に存在しないSn化合物層でなる接合層で電子部品を収納する基材とを接合されてなる電子部品用パッケージである。
Sn化合物層はSn相が点在するものであってもよい。
Sn化合物層はSn相が点在するものであってもよい。
本発明によれば、Pbを含有せず、パッケージを回路基板にはんだ付けする際にも接合状態を保ち、コスト面でも有利でかつ亀裂発生による気密性の低下の問題を飛躍的に改善することができ、気密封止用リッド材の実用化にとって欠くことのできない技術となる。
上述したように、本発明の重要な特徴は、Ag、CuまたはAg−Cu系合金のいずれか一種からなる箔材の一方の面側に蓋材となる金属層を有し、前記箔材の他方の面側にSn層を有することにある。封止のための加熱時にSn層が溶融して前記箔材を構成していたAg、CuまたはAg−Cu系合金のいずれか一種と反応し、Snよりも融点の高いAg−Sn系金属間化合物やCu−Sn系金属間化合物を箔材と基材との間に形成させて接合することができる。これらの金属間化合物はAu−Sn系化合物と比較して延性に富むため、落下衝撃が負荷された際も亀裂が発生しづらい。
また、Ag、CuまたはAg−Cu系合金のいずれか一種からなる箔材の一方の面側に蓋材となる金属層を形成する方法としては、Ag、CuまたはAg−Cu系合金の一種からなる箔材と、蓋材となる金属層とを重ねてロール加圧により形成することができる。またAg、CuまたはAg−Cu系合金の一種からなる箔材に接着層を形成させつつ、蓋材となる金属層とを減圧雰囲気中で貼り合わせても良い。接着層としてはTi、Ni、Cu、Agなどが使用できる。
Sn層の形成方法としては、例えば真空蒸着法あるいはめっき法で形成することができる。これらの方法では厚いSn層を形成することが容易であり、生産速度を速くすることができる。また蒸着法は前記利点に加え、減圧雰囲気中でSn層を形成するため、Sn層の酸化や異物による汚染を低減できる。
また、前記Ag、CuまたはAg−Cu系合金からなる箔材の平均厚さは10〜100μmであることが好ましい。これは箔の厚さが10μm以上であれば、気密封止用リッド材作製時やはんだ付け時のハンドリングが容易であり、逆に100μmを超えると厚さが厚くなり、基材に例えばセラミックを用いたパッケージの薄型化には不向きである。
前記蓋材となる金属層の平均厚さは30〜300μmであることが好ましい。30μmよりも薄くても封止自体は可能であるが、リッド材としての強度が低いため、例えばセラミックを用いた基材上に設置する際にリッド材がたわみやすく、ハンドリングが容易でない他、蓋材の打抜きが困難になる。一方、300μmよりも厚い場合、リッド材の厚さが厚くなり、基材にセラミックを用いたパッケージの薄型化に向かない。
また、前記Sn層の平均厚さは10〜30μmであることが好ましい。10μmよりも薄くても封止自体は可能であるが、反応できるSn層が少ないためはんだ付けが容易ではない。一方30μmよりも厚い場合、はんだ付けは容易であり気密性も確保できるが、封止箇所の厚さが厚くなり、例えば基材にセラミックを用いたパッケージの薄型化に向かない。
本発明の気密封止用リッド材は、蓋材は箔材と接合できる金属であれば良い。中でも、Fe−Ni系合金がよい。
前記蓋材となる金属層としてFe−Ni系合金が良い理由は、Fe−Ni系合金は、熱膨張係数が基材にセラミックを用いたパッケージと比較的近いため、はんだ付け時や実際に移動通信機器として使用する際に熱が負荷されても、熱膨張係数の違いによる熱応力による封止箇所の損傷を低減できるためである。具体的にはFe−25〜50mass%NiやFe−25〜50mass%Ni−15〜20mass%Co系合金等の熱膨張係数の低い材料が挙げられる。
前記蓋材となる金属層としてFe−Ni系合金が良い理由は、Fe−Ni系合金は、熱膨張係数が基材にセラミックを用いたパッケージと比較的近いため、はんだ付け時や実際に移動通信機器として使用する際に熱が負荷されても、熱膨張係数の違いによる熱応力による封止箇所の損傷を低減できるためである。具体的にはFe−25〜50mass%NiやFe−25〜50mass%Ni−15〜20mass%Co系合金等の熱膨張係数の低い材料が挙げられる。
また、前記蓋材となる金属層としては、Niも良い。これは金属のなかでも熱膨張係数が比較的小さいため、基材にセラミックを用いたパッケージとの熱膨張係数の違いによる熱応力が相対的に小さいうえ、耐食性に優れるため高温高湿下での使用にも気密性が損なわれない。
また、前記蓋材となる金属層としては、チタンやステンレス鋼でも良い。このような金属も熱膨張係数が比較的小さいため、基材にセラミックを用いたパッケージとの熱膨張係数の違いによる熱応力が相対的に小さいうえ、耐食性に優れるため高温高湿下での使用にも気密性が損なわれない。
本発明の電子部品用パッケージは、Ag、CuまたはAg−Cu系合金のいずれか一種からなる接合促進層が、Sn化合物層もしくはSnが点在するSn化合物層でなる接合層で蓋材となる金属層と電子部品を収納する基材とを接合する必要がある。その理由として、Sn化合物は融点が300℃以上あるため、後工程で封止後の電子部品用パッケージが回路基板に250℃程度ではんだ付け温度されても再溶融せず、封止が損なわれないためである。また、Snの融点は232℃であるため、Snが層状に残存する場合は、リッド材が再溶融したSn層から剥がれてしまう恐れがある。これに対し、Sn化合物のみもしくはSn相が点在するような場合は、Snが溶融してもSn化合物により接合が維持されるため封止が損なわれない。
基材に例えばセラミックを用いた場合は、セラミック基材の表面にはめっき法などによりNi、Pd、Au、Coのうち一種以上からなる層を形成しても良い。これによりセラミック基材側の接合面とSnとの反応性が増し、より強固な接合が得られる。
表1に示す条件で、本発明の一例である気密封止用リッド材を作製した。
実施例1から6、13から18として、厚さ30μmまたは50μmのAg箔の一方の面側と、厚さ100μmのFe−42mass%Ni箔またはNi箔の一方の面側にTi層を真空蒸着法により形成しつつ、Ti層蒸着面同士を貼り合わせることで、Ag箔の一方の面側にFe−42mass%Ni層またはNi層を形成した。次にAg箔のもう一方の面に、厚さ7μmから20μmのSn層を真空蒸着法により形成し、気密封止用リッド材を作製した。ここで、箔材と蓋材との接合方法として、表1に真空蒸着と記す。
実施例1から6、13から18として、厚さ30μmまたは50μmのAg箔の一方の面側と、厚さ100μmのFe−42mass%Ni箔またはNi箔の一方の面側にTi層を真空蒸着法により形成しつつ、Ti層蒸着面同士を貼り合わせることで、Ag箔の一方の面側にFe−42mass%Ni層またはNi層を形成した。次にAg箔のもう一方の面に、厚さ7μmから20μmのSn層を真空蒸着法により形成し、気密封止用リッド材を作製した。ここで、箔材と蓋材との接合方法として、表1に真空蒸着と記す。
また、実施例7から9として、厚さ30μmまたは40μmのAg−15mass%Cu箔と、厚さ100μmから270μmのFe−29mass%Ni−17mass%Co箔とを重ねて圧延しクラッド化した後、Ag−15mass%Cuのクラッド化されていないもう一方の面に、厚さ7μmから15μmのSn層を真空蒸着法により形成し、気密封止用リッド材を作製した。ここで、箔材と蓋材との接合方法として、表1に圧延クラッドと記す。
また、実施例10から12として、厚さ18μmから50μmのCu箔と、厚さ40μmのFe−36mass%Ni箔または厚さ100μmのFe−42mass%NiとをTi層を介して接合し、接合されていないもう一方のCu箔の面に、厚さ9μmから21μmのSn層を真空蒸着法により形成し、気密封止用リッド材を作製した。ここで、箔材と蓋材との接合方法として、表1に真空蒸着と記す。
さらに比較例として、Ag箔とSn層を接合したものの代わりにAu−Sn合金層を形成する以外は実施例1と同条件で形成した気密封止用リッド材を作製した。
次に、幅3mm、長さ6mmの寸法に気密封止用リッド材を切り出した後、Sn層形成面が接するように、無電解Ni/Auめっきまたは電解Ni/Auめっきを施した基材の上に置き、窒素雰囲気中で280℃まで加熱してロウ付けを行った。ここで、実施例1から12、18は、セラミックにCu電極を形成した場合を想定して、ガラスエポキシ樹脂の上面にCu層を形成して基材として用いた。また、実施例13から17と比較例1は、アルミナ(Al2O3)にW層を形成した基材を用いた。
接合しているかどうかを確認するため断面組織観察を行った。図1は実施例1の気密封止用リッド材を無電解Ni/Auめっき基材に接合した場合の断面組織である。Ag箔側にAg−Sn化合物、基材側にNi−Sn−Au化合物が形成され、接合が十分に行えていることがわかった。また、図2から8はそれぞれ実施例2から6および8、9のリッド材を無電解Ni/Auめっき基材に接合した場合の断面組織である。実施例1のリッド材と同様に、AgまたはAg−Cu箔側にAg−Sn化合物、基材側にNi−Sn−Au化合物が形成され、十分に接合されていた。 また、接合層にSn相が残存する場合も、層状ではなく、Sn化合物間に点在して形成されており、Snが再溶融しても接合が確保されることがわかる。
接合しているかどうかを確認するため断面組織観察を行った。図1は実施例1の気密封止用リッド材を無電解Ni/Auめっき基材に接合した場合の断面組織である。Ag箔側にAg−Sn化合物、基材側にNi−Sn−Au化合物が形成され、接合が十分に行えていることがわかった。また、図2から8はそれぞれ実施例2から6および8、9のリッド材を無電解Ni/Auめっき基材に接合した場合の断面組織である。実施例1のリッド材と同様に、AgまたはAg−Cu箔側にAg−Sn化合物、基材側にNi−Sn−Au化合物が形成され、十分に接合されていた。 また、接合層にSn相が残存する場合も、層状ではなく、Sn化合物間に点在して形成されており、Snが再溶融しても接合が確保されることがわかる。
また、図9および10はそれぞれ実施例11および12の気密封止用リッド材を無電解Ni/Auめっき基材に接合した場合の断面組織である。Cu箔と基材側との間にCu−Ni−Sn−Au化合物の一種類のみ形成され、接合が十分に行えていることがわかった。
また、図11は実施例13の気密封止用リッド材を電解Ni/Auめっき基材に接合した場合の断面組織である。Ag箔と基材側との間にAg−Sn化合物、基材側にNi−Sn化合物が形成され、さらに両化合物の間にAu−Sn−Ni化合物の三種類の化合物が形成されており、十分に接合されていた。また、残存Snは層状ではなく、Sn化合物間に点在して形成されており、Snが再溶融しても接合が確保されることがわかる。
また、図12から14は実施例14から16の気密封止用リッド材を電解Ni−Co/Auめっき基材に接合した場合の断面組織である。Ag箔と基材側との間にAg−Sn化合物、基材側にNi−Sn−Co化合物が形成され、さらに両化合物の間にAu−Sn−Ni化合物の三種類の化合物が形成されており、十分に接合されていた。また、残存Snは層状ではなく、Sn化合物間に点在して形成されており、Snが再溶融しても接合が確保されることがわかる。
また、図15は実施例18の気密封止用リッド材をCu基材に接合した場合の断面組織である。Ag箔と基材側との間にAg−Sn化合物、基材側にCu−Sn化合物が形成されており、十分に接合されていた。
一方、Au−Sn合金を用いたリッド材では全く接合しなかった。
次に接合信頼性、特に耐落下衝撃性を評価するため、以下の落下試験を実施した。まず前述と同様の手順で作製した気密封止用リッド材を基材にロウ付けして試料を作製し、目視により接合状態を確認した。次にドロップテーブルに試料を水平に固定した後、水平姿勢を保ったまま500mmの高さから自由落下させた。この自由落下を30回繰り返し、基材から剥離した気密封止用リッド材の数を測定した。作製した試料数と目視検査による未接合試料数,および落下試験後の剥離数を表1に示す。これよりすべての気密封止用リッド材がロウ付けにより基材に接合されており、30回落下させても基材から剥落したリッド材はすべての実施例で0であった。このことから本発明における気密封止用リッド材は落下衝撃が負荷された場合にも十分な接合状態を保つことがわかった。
1 Ag箔
2 基材
3 無電解Niめっき層
4 Ag―Sn化合物
5 Au−Ni−Sn化合物
6 Fe−42mass%Ni
7 Ti層
8 Sn
9 Ag−15mass%Cu箔
10 Fe−29mass%Ni−17mass%Co
11 Cu−Ni−Sn−Au化合物
12 Cu層
13 電解Niめっき層
14 Ni−Sn化合物
15 電解Ni−Coめっき層
16 Sn−Ni−Co化合物
17 Cu−Sn化合物
2 基材
3 無電解Niめっき層
4 Ag―Sn化合物
5 Au−Ni−Sn化合物
6 Fe−42mass%Ni
7 Ti層
8 Sn
9 Ag−15mass%Cu箔
10 Fe−29mass%Ni−17mass%Co
11 Cu−Ni−Sn−Au化合物
12 Cu層
13 電解Niめっき層
14 Ni−Sn化合物
15 電解Ni−Coめっき層
16 Sn−Ni−Co化合物
17 Cu−Sn化合物
Claims (12)
- Ag、CuまたはAg−Cu系合金のいずれか一種からなる箔材の一方の面側に蓋材となる金属層を有し、前記箔材の他方の面側にSn層を有することを特徴とする気密封止用リッド材。
- 前記Ag、CuまたはAg−Cu系合金の箔材の平均厚さが10〜100μmであることを特徴とする請求項1に記載の気密封止用リッド材。
- 前記蓋材となる金属層の平均厚さが30〜300μmであることを特徴とする請求項1または2に記載の気密封止用リッド材。
- 前記Sn層の平均厚さが10〜30μmであることを特徴とする請求項1乃至3の何れかに記載の気密封止用リッド材。
- 前記蓋材となる金属層はFe−Ni系合金であることを特徴とする請求項1乃至4の何れかに記載の気密封止用リッド材。
- 前記蓋材となる金属層はNiであることを特徴とする請求項1乃至4の何れかに記載の気密封止用リッド材。
- Ag、CuまたはAg−Cu系合金のいずれか一種からなる箔材の一方の面側に蓋材となる金属層を有し、前記箔材の他方の面側にSn層を有する気密封止用リッド材の製造方法において、前記箔材と前記蓋材となる金属層とを重ねてロール加圧により形成し、次いでSn層を形成することを特徴とする気密封止用リッド材の製造方法。
- Ag、CuまたはAg−Cu系合金のいずれか一種からなる箔材の一方の面側に蓋材となる金属層を有し、前記箔材の他方の面側にSn層を有する気密封止用リッド材の製造方法において、前記箔材に接着層を形成させつつ、蓋材となる金属層と前記箔材とを減圧雰囲気中で貼り合わせて形成し、次いで前記Sn層を形成することを特徴とする気密封止用リッド材の製造方法。
- 前記Sn層の形成は、減圧雰囲気中で蒸着により形成することを特徴とする請求項7または8に記載の気密封止用リッド材の製造方法。
- 前記Sn層の形成は、めっきにより形成することを特徴とする請求項7または8に記載の気密封止用リッド材の製造方法。
- 蓋材側に形成した、Ag、CuまたはAg−Cu系合金のいずれか一種からなる接合促進層が、接合面方向に連続したSn相が実質的に存在しないSn化合物層でなる接合層で電子部品を収納する基材とを接合されてなることを特徴とする電子部品用パッケージ。
- Sn化合物層にはSn相が点在することを特徴とする請求項11に記載の電子部品用パッケージ。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007324364A (ja) * | 2006-05-31 | 2007-12-13 | Kyocera Kinseki Corp | 気密容器 |
US10595424B2 (en) | 2014-12-26 | 2020-03-17 | Hitachi Metals, Ltd. | Hermetic sealing lid member |
-
2006
- 2006-06-21 JP JP2006171182A patent/JP2007043106A/ja active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007324364A (ja) * | 2006-05-31 | 2007-12-13 | Kyocera Kinseki Corp | 気密容器 |
US10595424B2 (en) | 2014-12-26 | 2020-03-17 | Hitachi Metals, Ltd. | Hermetic sealing lid member |
US11178786B2 (en) | 2014-12-26 | 2021-11-16 | Hitachi Metals, Ltd. | Method for manufacturing hermetic sealing lid member |
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