TWI379319B - Touch panel - Google Patents

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TWI379319B
TWI379319B TW095109155A TW95109155A TWI379319B TW I379319 B TWI379319 B TW I379319B TW 095109155 A TW095109155 A TW 095109155A TW 95109155 A TW95109155 A TW 95109155A TW I379319 B TWI379319 B TW I379319B
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transparent
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Taninaka Yasunori
Ogino Etsuo
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Nippon Sheet Glass Co Ltd
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Description

1379319 九、發明說明·· 【發明所屬之技術領域】 :發明係關於一種用於各種電子裝置之輸入裝置的觸 4工 ΤΗ) 〇 【先前技術】 相觸控面板係經由使具有透明導電狀基板彼此 =提供，且經由當其中一個基板藉由利用筆或手指局 接:點而考曲時，使透明導電膜彼此接觸而作為電開關之 圖5顯示一展示習知觸控面才反η。之構造的概略剖面 圖三將透明導電膜142設置於透明基板12〇之一表面上。 =定第二透明基板122，使其與第—透明基板⑽平行。 將絕緣隔離物150插於第一與第二透明基板12〇、122之 間，、以使其彼此隔開一預定距離。將第二透明導電膜 =成於第二透明基板122之面對第一基板⑽的表面上。 々使用鈉鈣（soda-lime)玻璃作為透明基板時，典型上將 Si〇2膜或其類似物插於透明基板與透明導電膜之間方 止驗離子溶解（未說明於圖中）。 當利用手指或筆在第二透明基孝反122之表面上 定位置施壓時’具有小厚度之第二透明基板122彎曲，且 在透明導電膜142、144之間達到電接觸。此時，藉 透明導電膜142上設置點狀隔離物17〇，可僅在第二透曰 基板122經施壓的預定位置處獲得接觸。另一方面了在= 離物150上形成電路圖案，使其與透明導電膜142或透= 312XP/發明說明書(補件)/95-07/95109155 5 1379319 接觸’且其與撓性電路板16M目連接。接收透 _ 142、144之間的接觸或非接觸狀 性電路板⑽上之電佈線通達外部f路的錢 由^ fb-觸控面板中，可透過透明導電膜觀看到提供 而圖像的顯示，且經由對所需位 率度觸控面板之透明導電膜需要高透射 2得到高透射率，—種選擇係降低透明導電膜之厚度。
:均勺度成$10奈米或以下’則膜電阻的穩定性 會劣化。因此’藉由降低膜厚度而得到高透射率 ς有限制。為解決此問題，舉例來說]PH07-顚42A :::由在基板上形成透明介電材料之高折射率層及低 、。層’及於此等層上形成一透明導電膜，而改良透射 半 〇 然而，在將介電材料之高折射率層及低折射率層及透明 •導電膜連續形成於基板上之方法中，會在透射率曲線之可 見範圍内形成大的尖峰。因此，會有當將觸控面板使用於 衫色顯示器時’由於通過觸控面板中之膜層之光變色，因 * 而色調改變的問題。 . 【發明内容】 ^發明係要解決以上問題。本發明之目的係要提供一種 可得到同透射率，且通過觸控面板之光顏色為無色的觸控 ©板，及更明確言之，係要提供一種具有高可見度之彩色 顯示器觸控面板。 312XP/發明說明書(補件)/95-07/951091 % 7 1379319 為解決以上問題，本發明提供以 控面板具有以下的基本結構。八下的構造。本發明之觸 將於其一表面上且右一 於其-表面上具有二透明導^^電臈之第—透明基板與 彼此平行固定，以使透明導:之第二透明基板相對於 或手指在與其上設置透料目對。當經由利用筆 部施麗而使第一透明基板彎曲時，第—及第二局 透明導電膜會彼此電接觸。將一 月基板之 以用於調整相對之透明基板 :，於預定位置 作。 土取之間的距離而實現以上的操 置面板中’將第一個四層透明介電膜形成於設 導電膜之側的基板表面與該第一及第二透明美板 之至少一基板中之透明導電膜之間，及將第二個四層^ 介電膜形成於此透明基板中之與其上形成透明導電膜之 表面相對的表面上。 、 •因此，在至少一個透明基板中，經由在此透明基板之相 對表面上形成四層透明介電膜，可提供得到極高透射率且 通過觸控面板之光顏色為無色的觸控面板。特定言之可 ， 提供具高可見度的彩色顯示器觸控面板。 • 此外’在以上的基礎結構中，此透明基板之折射率係在 1.45-1.70之範圍内，由該透明基板之一側算起之該第一 及第二透明介電膜中之第一層及第三層的折射率係在 1. 6-2. 5之範圍内，第二層及第四層之折射率係在 1.35-1.5之範圍内’及該透明導電膜之折射率係在 312χρ/發明說明書(補件)/95_〇7/9510915 5 8 1379319 :.7-2. 2之範圍内。第一及第二透明介電膜中之第一層及 第二層之折射率係經選擇為較透明基板、第二層及第四層 鬌 第且7!電膜之折射率係經選擇為較透明二 中…四層之折射率高。此外，第一及第二透明介 电財之第:層之膜厚度係在7_45奈米之範圍内，第二 層之膜厚度係在10-63奈米之範圍内，第二 在9-125奈米之範圍内，第四層 第·;層之膜厚度係 米之範圍内，及透明導電膜之膜曰厚;予'糸在2〇 —130奈 ►圍内。 电胰之度係在10-30奈米之範 更明確言之’關於第二透明介電膜中之層厚度，第一層 米之範圍内，第二層之厚度係在37-63 層之厚度係在"3奈米之範圍内， 及第四層之厚度係在8卜13〇奈米之範圍内較佳。 中m與第二透明介電膜結合之第-透明介電膜 中^厚度’第一層之厚度係在1(M8奈米之範圍内，第 二ΓΛ度：在r21—35奈米之範 96-119奈米之範圍内，及第 之範圍内較佳。及第四層之厚度係在33-51奈求 此外，關於第一透明介電膜中之 係在HM8奈米之範圍内，第m旱一層之厚度 ^ r ^ ^吐一 弟層之厚度係在37-56奈米 四二”二:層度係在14,奈米之範圍内，及第 層之厗度係在56-85奈米之範圍内較佳。 二二^藉由在基板之一表面上連續形成高折射率層、 低折射率層、高折射率層、低折射率層及透明導電膜，以 312XP/發明說明書(補件)/95-07/95109155 9 1379319 及藉由在基板之相對表面上連續形成高折射率層、低折射 率層、高折射率層及低折射率層，可提供得到高透射率且 通過觸控面板之光顏色為無色的觸控面板。 在具有前述層合膜之觸控面板中，基於根據曰本工業標 準（JIS Z 8729)所提供之加b*之顏色表示系統之色體 *
的表示方法，對以2度視角透射通過於其之相對表面上層 合該透明介電膜之該透明基板之光e所得的色指數^ 及b*值係在-1至+1之範圍内較佳。 藉由將色指數設於以上範圍内，通過觸控面板之光顏色 可為無色。 此外，具400-650奈米波長範圍之光對具有前述層合膜 之透明基板的平均透射率不低於95%較佳。 藉由以上的構造，可提供通過觸控面板之光顏色為無色 且對可見範圍之光具高平均透射率的觸控面板。 根據本發明，藉由在基板之相對側上形成介電材料之層 合膜’可以具有透明導電臈之基板構造觸控面板，其中^ f高透射率且通過基板之光顏色為無色。因此，可提供具 问可見度且適用於彩色顯示器的觸控面板。 【實施方式】 以下將詳細說明本發明。 圖1顯示展現根據本發明之觸控面板1〇之一具體例的 概略剖面圖。將由第一個四層透明介電膜及第一透明導電 膜ΠΤΟ膜）所構成之層合膜30言曼置於由納好玻璃製成之 第-透明基板2〇的-表面上。將另一由四層透明介電膜 312XP/發明說明書(補件)/95-07/95109155 10 ㈣成之層合膜31設置於與基板20之此表面相對的表面 上。 ，亦由㈣㈣製成之第：透明基板22與基板2〇平行 黏者。將絕緣隔離物50插於第一與第二透明基板2〇、22 =使其彼此以預定的距離隔開。將透明導電膜⑽設 第—透明基板22之面對第—透明基板Μ的表面上。 透明導電膜係彼此相對，以致當利用手指或筆對 '22辦曲^基板22之表面上之預定位置施壓使得透明基板 22 $曲時，可於其間達到電接觸。 提供作為支承元件以決定或調整透明基板2G、22間之 距離的隔離物50係位在一定位置處，以致當其中一個基 板文到局^力而料時，透明基板20、22可彼此接觸。 同時’藉由將絕緣點狀隔離物7〇言史置於第一 膜上，可僅在預定位置處得到透明基板間 止在其他位置的接觸。 啊 了防 、將佈線圖案設置於隔離物5〇上，以分別與透明導電膜 連接，且使佈線圖案與撓性電路板6〇連接。 圖2顯示展現根據本發明之層合膜3〇、31 略剖面圖。 再运的概 .將作為第-層之高折射率透明介電膜32、作為第二声 之低折射率透明介電膜34、作為第三層之高折射率透； 介電膜36、作為第四層之低折射率透明介電膜 合於透明基板20之一表面上。接荽禺a、$ nn 逆項層 者層合翻導電膜40作 為第五層。換吕之，層合膜係經由在透明基板上交替形成 312XP/發明說明書(補件)/95·〇7/95109】55 ι】 I379319 及 ;兩：：高折射率透明介電膜及 進一步在其上形成透明導電臈所構成。月"電膜 此外’將作為第一層之高折射率透明介 一層之低折射率透明介電膜44、作為 思、作為 :透明介電膜46及作為第四層 射：二高折射 連續層合於透明基板⑼之相對表面上二介電膜48 係經由在透明基板上交替形成各兩層的=二：合膜 電膜及低折射率透明介電膜，及進—步在 ^明介 電臈所構成。 〃、上形成透明導 透明基板Μ可由_玻璃（折射率：152)、其他 關於V. 7〇 ^圍内之折射率的玻璃或透明樹脂材料势成。 ㈣材料，可列舉聚碳酸醋（折射率：i.59)、聚對笨 一甲酸乙二酯（折射率：166)或其類似物。 關於高折射率透明介電膜，可使用具較透 射率的氧化物介電材料諸如A i 2〇3、τi 〇2、心〇5、如;等之等折 或包含以上物質作為主成分的結合氧化物材料。缺而，* 透明介電膜用之材料並不限於以上物質。關於低= 射率透明介電膜，可使用具在UW.50範圍内之折射率 的Si〇2 MgF2等等。然而’低折射率透明介電膜用之材料 並不限於以上物質。關於透明導電膜，希望使用具在 2. 2範圍内之折射率的材料，諸如銦錫氧化物（HQ)。 然而，透明導電膜用之材料並不限於以上物質。 為形成具不同折射率之膜，可使用一般所知曉的形成方 法諸如濺鍍（spattering)、電子束蒸鍍。以下將詳細說明 312XP/發明說明書(補件)/95-07/95109155 1379319 層合膜的特定實施例。 [實施例1 ] 在此實施例中，將說明利用濺鍍方法形成透明介電膜及 透明導電膜。 首先’將三種靶材-Si、Ti及ITO -裝設於線上錢 鑛裝置中。將作為透明基板之鈉鈣玻璃裝置於裝置中。然 後將裝置抽真空。之後將混合30% Ar氣體之〇2氣體引入 至裝置中，及經由在裝置之内部壓力為〇·3 Pa的條件下 籲將DC電力供給至Ti靶而進行放電。附帶一提，將放電功 率設為2仟瓦（kW)。 將尽度1.1宅米之納#5玻璃基板輸送通過乾的正面，因 而形成厚度13. 1奈米之Ti〇2膜（折射率：2.50)。 接下來’在混合30% Ar氣體之〇2氣體的大氣中將DC 電力供給至S i靶。進行放電。放電功率為2仟瓦。將其 上經形成Ti〇2膜之鈉鈣玻璃基板輸送通過si靶的正面， 鲁因而形成厚度46. 3奈米之Si〇2膜（折射率：I.46)。 此外，將鈉鈣玻璃基板輸送通過Ti靶的正面，因而形 成厚度17. 8奈米之Ti〇2膜（折射率：2. 50)。 接下來，在混合30% Ar氣體之〇2氣體的大氣中將DC 電力供給至S i靶。進行放電。放電功率為2仟瓦。將其 上經形成TiCh膜之鈉鈣玻璃基板輸送通過si靶的正面， 因而形成厚度106.0奈米之Si(h膜（折射率：1.46)。 之後’將基板翻轉，以如前所述之方式將厚度12.4奈 米之Ti〇2膜’接著厚度28. 9奈米之Si〇2膜，厚度106. 8 312XP/發明說明書(補件y95,〇7/95〗09! 55 13 1379319 奈㈣顧形狀基板之相 此:卜，於將裝置中之氣體抽空後，將混合2% Q2氣體之
Ar氣體引入至裝置中，及將裝置之内部壓力調整為0.3 ψ
以。然後將直流電力供給至π〇靶以進行放電。將放電功 率調整為2仟瓦。將經形成各兩層Ti〇2膜及抓膜之鈉 鈣玻璃輸送通過ίτ〇靶的正面，因而形成厚度2〇奈米之 ίτο層（折射率：1 93)。 ♦藉由如前所述之方法，在鈉鈣玻璃基板之相對侧上形成 膜厚度示於表1之構造為：Ti〇2/Si〇2//Ti〇2/Si〇2/iT() 及 Ti〇2/Si〇2/Ti〇2/Si〇2 的層合膜。 附帶一提，雖然在以上的膜形成方法申，先將第一層合 膜形成於透明基板之一表面上，接著再經由翻轉基板而將 第二層合膜形成於透明基板之相對表面上，但本發明之膜 形成方法並不限於以上的方法。藉由使用將靶材裝設於基 鲁板之兩側上的裝置，可同時將層合膜形成於透明基板之二 對側上。 對所製得之具有層合膜的基板測量光譜透射率。測量結 .果示於圖3。結果顯示基板在500_600奈米之波長範圍内 .具有約97%之高透射率。此外，基板在45〇_6〇〇奈米之可 見光波長範圍内具有96. 5%之高平均透射率（見表2)。 此外，基於根據由日本工業標準（jIS Z 8729，彩色顯 示器方法-L*a*b*顏色表示系統及顏色表示系 統）所提供之L*a*b*之顏色表示系統之色體的表示方法’，' 312XP/發明說明書(補件)/95-07/95109155 14 1379319 •得出色指數。使標準光c自板的一側照射，及在板的相 .側上以2度之視角測量透射通過板的光。將所得的色指數 a木值及b罐示於表2。透射光譜顯示在可見波長範圍内極 少變化及南的透射率。此外，由於a*值及b*值小，因而 *明瞭此實施例之層合膜具有高透射率且通過層人膜 .顏色為無色。 a σ 、 7b [實施例2] 鳙將說明利用真空蒸鍍法形成介電多層膜之方法。 、利用真空蒸㈣’在厚度丨」毫米之_玻璃基板上形 成1[1〇2膜（厚度：11.4奈米），及接著再形成]^1?2膜（厚度： 50.8奈米，折射率：丨.”）。以類似方式形成Ti〇2膜^ 度：14. 0奈米）及MgF2膜（厚度：118. 〇奈米）。 之後，將基板翻轉，先形成Ti〇2膜（膜厚度：13.7奈米）， 接著再形成Mgh膜（膜厚度：26. 7奈米，折射率：h 38)。 以類似方式形成Ti(h膜（厚度：20.〇奈米），而製得具有 鲁表1所示構造的層合膜。圖3顯示層合膜之透射率的測量 結果，及表2顯示平均透射率以及#值及b*值。在可見 •波長範圍内之平均透射率高至97.4%，且通過膜之光顏色 * 為無色。 * [實施例3] 利用如實施例1所述之濺鍍方法，將Ti〇2膜（膜厚度： 11·6奈米）、“〇2膜（膜厚度：51·2奈米）、丁1〇2膜（=厚 度：16.2奈米）及Si〇2膜（膜厚度：108 4奈米）連續形成 於厚度1.1毫米之鈉鈣玻璃基板上。接著將基板翻轉，連 312XP/發明說明書(補件)/95-07/95109155 15 1379319 .績形成以〇2膜（膜厚度：13.6奈米）、8丨〇2膜（膜厚度：47.1 .奈米）、Ti〇2膜（膜厚度：20.8奈米）、Si〇2膜（膜厚度：7〇5 奈米）、及ITO膜（膜厚度：150奈米），而製得如表i所 示之層合膜。 • 圖3顯示層合膜之透射率的測量結果，及表2顯示平均 .透射率以及a*值及1^值。在可見波長範圍内之平均透射 率高至96.3%，且通過膜之光顏色為無色。 •[實施例4 ] 利用如貫施例2所述之真空蒸鍍方法，將了丨〇2膜（膜厚 度：10. 5奈米）、^^卩2膜（膜厚度：52. 8奈米）、^⑴膜（膜 厚度：13.5奈米）及MgFz膜（膜厚度：118·5奈米）連續形 成於厚度1. 1毫米之鈉鈣玻璃基板上。接著將基板翻轉， 形成Τι〇2膜（膜厚度：13.8奈米）及MgF2膜（膜厚度：46. 7 奈米），及類似地形成Ti〇2膜（膜厚度：19·5奈米）及MgF2 膜（膜厚度：72. 8奈米）。之後形成IT0膜（膜厚度· 15. 〇 籲奈米）’而製得如表1所示之層合膜。 圖3顯示層合膜之透射率的測量結果，及表2顯示平均 透射率以及a*值及b*值。在可見波長範圍内之平均透射 • 率高至97. 5%，且通過膜之光顏色為無色。 .[比較實施例1 ] 為與本發明之實施例作比較，利用如實施例1所述之濺 鍍方法，將單一層之具3〇. 〇奈米膜厚度之Si〇2膜，及具 20.0奈米臈厚度之IT0膜形成於以〇2膜上，而製得如表j 所示之層合膜。此比較實施例係一般用於觸控面板之具有 312ΧΡ/發明說明書(補件)/95·〇7/95109155 16 1379319 沾明導電膜之基板的其中一種膜構造。如圖4所示，測量 結果顯示與如上所述之發明實施例相比，此比較實施例的 透射率小。表2顯示此比較實施例之平均透射率以及0 值及b*值。平均透射率低至87. 1%，| b*值大且通過膜 之光顏色為黃色。 、 .[比較實施例2] 利用如實施例1所述之濺鍍方法，將具1〇〇 〇奈米膜厚 •度之?。2膜及具30。奈米膜厚度之SiG2膜形成於厚度 1.1毫米之鈉鈣玻璃基板上，及將具23 0奈米膜厚度之 ιτο膜形成於Si〇2膜上，而製得如表！所示之層合膜。此 實施例藉由如前述之JP H07_242442A所述連續形成高折 射率層、低折射率層及透明導電膜，而較諸比較實施:i 改良透射率。圖4顯示層合膜之透射率的測量結果，及表 2顯示平均透射率以及a*值及b*值。雖然透射率較諸比~ 較貫施例1獲得改良，但通過膜之光顏色帶黃色。 鲁[比較實施例3 ] 利用如實施例1所述之濺鍍方法，將Ti〇2膜（膜厚度： 13. 1奈米）、Si〇2膜（膜厚度：46. 3奈米）、Ti〇2膜（膜厚 .度：17.8奈米）及Si〇2膜（膜厚度：106 〇奈米）連續形成 •於厚度1.1毫米之鈉鈣玻璃基板上。接著將基板翻轉，連 續形成Ti〇2膜（膜厚度：12.4奈米）、Si〇2膜（膜厚度：28 9 奈米）、Ti〇2膜（膜厚度：14〇.〇奈米）、Si〇2膜（膜"厚度’： 42.3奈米）、及ITO膜（膜厚度：2〇〇奈米），而製彳二表 1所示之層合膜。此比較實施例具有類似於發明實施例之 312XP/發明說明書(補件)/95-07/95109155 17 1379319 構造，其中將四層介電膜形成於基板之相對側上。献而， 將錢明導電膜側上之第三層（Ti〇2膜）的膜厚度形成為 較育施例1厚。 .圖4顯示層合膜之透射率的測量結果，及表2顯示平均 透射率以及a*值及b*值。此比較實施例之透射率在可見 波長範圍内高。然而，透射率變化高，其顯現顯著的尖峰。 =外，a*值之絕對值高且㈣顯現負值，以致觀察得通 過膜之光顏色帶綠色。 [期望構造之概述] 根據前述實施例，在本發明之觸控面板中，在具 之折射率之透明基板的相對表面上，從基板： 异起連、，形成以下層較佳··作為第—層之且在了_45太 =範圍内厚度之具L6 —2.5之折射率的高折射率介; 、，作為第-層之具在1G_63奈米範圍内厚度之且 •35+50之折射率的低折射率介電膜；作為第三層之^ 膜125奈米厚度之具uu之折射率的高折射率介電 M，=為第四層之具在2(M3〇奈米範圍内厚度之且 1.35-1.50之折射率的低折射率介電臈。 八 之臈厚度之具在！ 7-2 2 在1G_3G奈米範圍内 作馬第五=Λ 之折射率的透明導電膜 第ί二^透明基板之折射率選擇為較 及第二層之折射率高，且將透明導電膜 為較第二及第四層之折射率高。 、 ’…、擇 312ΧΡ/發明說明書(補件)/95-07/95109155 更明確言之’關於設置在觸控面板之未設置透明導電膜 18 ^/9319 .=外側上之透明介電臈，第一層之膜厚度係在7_18奈米 軏圍内，第二層之膜厚度係在37_63奈米範圍内，第三層 之膜厚度係在9-23奈米範圍内，第四層之膜厚度係： 8卜130奈米範圍内較佳。 、此外，關於在透明導電膜側上之透明介電膜，對應於實 施例1及2，第一層之膜厚度係在1〇一18奈米範圍内，第 二層之膜厚度係在2卜35奈米範圍内，第三層之膜厚度係 _在96-119奈米範圍内，第四層之膜厚度係在33 51奈米 範圍内較佳，及對應於實施例3及4，第一層之膜厚度係 在10-18奈米範圍内，第二層之膜厚度係在37_56奈米範 圍内第—層之膜厚度係在14-25奈米範圍内，第四層之 膜厚度係在56-85奈米範圍内亦較佳。 在本發明，藉由將介電膜形成於基板之相對表面上，可 、’二由適¥ 计各膜的膜構造而校正通過基板的光顏色。因 此，可獲得通過基板之無色的光顏色，同時仍維持高透射 •率。 如值落於上述範圍外，則即使使用四層介電膜構造，仍 會在透射光譜中出現尖峰，且a*值及b*值變高，以致會 發生膜的變色。 如a*值及b*值係在-1至+ 1之範圍内，則由於在實施例 中幾乎不會觀察到膜變色，因而膜構造為較佳。 基板對於可見光波長範圍（4〇〇奈米-650奈米）之透射 率平均不低於95%較佳。如膜構造落於上述範圍外，則無 法獲得此一高透射率。 312XP/發明說明書(補件)/95-07/95109155 19 明導電m35:，於第二透明基板㈡之表面與透 ;二；22之相對表面上。藉由c形成於第 改⑷率，且可進-V:Z'表面上的情-進-步
312XP/發明說明書(補件)/95-07/95109155 20 1379319 (Eo .91)1/(^8.^)^(19.601/0^.^)^(18.0001/3/0^.001/0^00.21-0)^(19.001)1/0^90611¾ (ioLOI)I/(目Lnm)s/(昌°°oc<I)i/o^r^)s/(i9coI)l/o(UIU9.II)l/(i^ILO)s/(UIUCNIcoI)l/(irooOI)s (i0.03)I/(ir^)s/(i6.I>-0I)l/(gr9CNI)N/(ircoI)l/3/(irII)l/c^8.GLO)M/(！01a)l/(UIU0ooII)w (目 0 O<Nl)I/(ico.CNl3s/(层8.901)1/(目 6oocvl)s/(圉 rooDl/OAirooOlAicoco^SAiooTJXIAiocdoos (I/O 62)1/(1 .ss/(— .02)1/(1.8§/(irsl/3/(层rsl/(— .9s/(— ·51/(— .90OS(目 0co2)I/(go .oco)s/(io .001)1/0 (旨 002)1/(旨 0oco)s/o ^ it coi_$駟z i—駟 I霉駟 § 璁_齋铝^綦：0011:1 si6!s "s6C; - SI 60-6-0-6/(^31).¾^¾ 鎞/dXZ ι ε 1379319
[表2 ] 平均透 射率 色座標 (%) a木 b* 實 施 例 1 96. 5 -0. 09 0. 52 實 施 例 2 97. 4 -0· 06 0. 20 實 施 例 3 96. 3 -0. 10 0. 82 實 施 例 4 97. 5 -0. 02 0. 57 比 較 實 施 例1 87. 1 -〇· 49 1 . 97 比 較 實 施 例2 89. 9 0. 36 4. 33 比 較 實 施 例3 93. 5 -1 . 80 -〇· 53 312XP/發明說明書(補件)/95-07/9510915 5 22 1379319 【圖式簡單說明】 圖1顯示根據本發明之觸控面板的概略剖面圖。 圖2顯示根據本發明之介電膜的構造。 圖3顯示根據本發明之實 板的透射率特性。 “例之具有透明導電膜之基 圖4顯示根據本發明之比較 之基板的透射率特性。 、&例之具有透明導電膜 圖5顯示習知觸控面板的概略 【主要元件符號說明】 圖。 10 觸控面板 20 第一透明基板 22 第二透明基板 30 層合膜 31 層合膜 32 高折射率透明介電膜 34 低折射率透明介電膜 35 透明導電膜 36 高折射率透明介電膜 38 低折射率透明介電膜 40 透明導電膜 42 南折射率透明介電膜 44 低折射率透明介電臈 46 高折射率透明介電膜 48 低折射率透明介電膜 312XP/發明說明書(補件)/95.〇7/951〇9155 23 1379319 50 絕緣隔離物 60 撓性電路板 70 絕緣點狀隔離物 110 習知觸控面板 120 第一透明基板 122 第二透明基板 142 第一透明導電膜 144 第二透明導電膜 ® 150 .絕緣隔離物 160 撓性電路板 170 點狀隔離物
312XP/發明說明書(補件)/95-07/95109155 24

Claims (1)

  1. ^79319 十、申請專利範圍： 1. 一種觸控面板，包括： 第一透明基板，其一表面上設置有透明導電膜； —第二透明基板，其一表面上設置有透明導電膜，該第 基板及該第二基板為彼此平行固定，使得該 犋為彼此相對；及 等電
    一支承元件，用以調整該等相對基板之間的距離； 其中當該第一透明基板藉由在與該第一基板上設 ^透明電膜之表面為相對之表面上作局部施壓而彎曲 i連t第：及第二透明基板之該等透明導電膜彼此接觸而 :中於該第一及第二透明基板之至少-者中，將第一個 =透明介電膜形成於對應透明基板上設置有透明導電 膜之側的表面與料”錢之間，及 介電膜形成於盥盆上形忐右、# B日道+ —個四層透明 表面上。 /、，、形成有透明導電膜之表面為相對的 2·如申請專利範圍第i項之觸控 f板:折射率係在一之範圍内，由 二:::::’之範圍内，及該透明導丄; 耵半係在1.7-2.2之範圍内； 板該層之折射率係經選擇為較該透明基 層及該第四層之折射率高，且該透明導電膜之 312ΧΡ/發明說明書(補件)/95-〇7/951〇9】55 25 1379319 高擇為及較該第-及第二透明介電膜中之該第 7 ― 及第二透明介電膜中之該第一層之膜厚度係在 —不米之範圍内，該第二層之膜厚度係在10_63太 圍Γ該第三層之膜厚度係*9—125奈米之範二: :電：：之膜厚度係在20-130奈米之範圍内’及該透明 導電膜之膜厚度係在10-30奈米之範圍内。 3·如申請專利範圍第2項之觸控面 i •二…，該第一層之膜厚度係在7:18== °玄第—層之膜厚度係在37_63奈米之範圍内，該第三 層=膜厚度係在9-23奈米之範圍内，該第四層之膜料 係在81-130奈米之範圍内。 4.如申請專利範圍第2項之觸控面板，其中在該第 明介電膜中’㈣-層之膜厚度係在1()_18奈米之範圍 内，該第二層之膜厚度係在2卜35奈米之範圍内，該第三 •層之膜厚度係在96-119奈米之範圍内，該第四層之 度係在33-51奈米之範圍内。 5.如申請專利範圍帛2項之觸控面板，其中在該第—透 明介電膜中’該第-層之膜厚度係在1(Μ8奈米之範圍 内，該第二層之膜厚度係在37_56奈米之範圍内，該第二 層之膜厚度係在^25奈米之範圍内，該第四層之膜厚= 係在56-85奈米之範圍内。 a 業 6·如申請專利範圍第1項之觸控面板’其中依據日本工 標準UIS Ζ 8729)所提供之之顏色表示系統對 312XP/發明說明書(補件)/95-07/95109155 26 1379319 於色體的表示方法，對以2度視角透射通過在相對表面上 層合有該等透明介電膜之該透明基板之光C所得的色指 數a*值及b*值係在q至+1之範圍内。 7.如申請專利範圍第6項之觸控面板，其中具有 400-650奈米波長範圍之光對於在相對表面上層合有該等 透月’I電冑之δ亥透明基板的平均透射率係不低於娜。
    312ΧΡ/發明說明書(補件)/95-07/95109155 27
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