TWI407337B - 觸控面板，觸控面板之製造方法 - Google Patents

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Satoru Takasawa
Isao Sugiura
Atsushi Ota
Satoru Ishibashi
Haruhiko Yamamoto
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Description

觸控面板，觸控面板之製造方法
本發明係關於觸控面板的技術領域。
從先前以來，觸控面板係被廣泛地使用於ATM、或自動販賣機、或攜帶式資訊終端、攜帶式遊藝機、電子導引顯示板、汽車導航、攜帶式電話等。
觸控面板係一般而言，將在表面形成了ITO薄膜等的透明電極膜之2片面板，以將透明電極膜相互間相對的狀態黏合而作成。2片面板之中，至少一方的面板係具有可撓性，一按壓可撓性面板，則在被按壓的場所，透明電極膜相互間導通。對如此的觸控面板，係有被稱為矩陣方式、和阻抗膜方式。
不論哪個方式之物，因為都以使透明電極膜相互間直接或間接地接觸，使其導通，所以若反覆按壓相同場所，則有因為摩擦而在透明電極膜產生白濁化或破裂。特別是，被要求在可撓性面板被按壓側的面板之，對於透明電極之對應。
[專利文獻1]日本特開2003-151366號公報
本發明係為了解決上述課題而為之物，其目的為提供 ：耐久性高的觸控面板。
為了解決上述課題，本發明，係具有：有板狀的顯示面板、和被配置於前述顯示面板的表面上的下部電極膜之顯示裝置、和有可撓性薄膜、和被配置於前述可撓性薄膜表面上的上部電極膜之可撓性面板，在前述顯示裝置的前述下部電極膜側的面上，係配置複數的間隔物，前述可撓性面板，係在將配置了前述上部電極膜之側的面，以朝向前述下部電極膜之狀態，配置於前述間隔物上，若按壓前述可撓性面板，則以前述下部電極膜與前述上部電極膜進行導通的方式構成之觸控面板；該觸控面板係前述上部電極膜、和前述下部電極膜中之任一方或雙方，係具有以In2 O3 作為主成分，含有Ti的透明電極膜，前述透明電極膜為露出於前述上部電極膜表面與前述下部電極膜表面中之任一方或雙方。
本發明為觸控面板，前述下部電極膜係有含有ITO之輔助電極膜，前述輔助電極膜，係位於前述透明電極膜與前述顯示面板之間。
本發明為觸控面板，前述顯示裝置係有防反射層，前述防反射層，係配置於前述顯示面板與前述下部電極膜之間。
本發明係在第一基板的表面上，形成透明電極膜露出在表面之第一電極膜而作成第一面板，在第二基板的表面 上形成第二電極膜之第二面板、和前述第一面板，以前述第一、第二電極膜相對的方式黏合之觸控面板的製造方法，該觸控面板之製造方法，係將以In2 O3 作為主成分，添加了Ti的靶，在配置了前述第一基板的真空槽內進行濺鍍而形成前述透明電極膜。
本發明係觸控面板之製造方法，其中，將由ITO和ZnO之中的任一方或雙方所構成的透明導電材料作為主成分之靶，在配置了前述第一基板的真空槽內進行濺鍍，在前述第一基板表面上形成了輔助電極膜之後，於前述輔助電極膜的表面形成前述透明電極膜，形成具有前述輔助電極膜和前述透明電極膜之前述第一電極膜。
本發明係觸控面板之製造方法，在形成前述輔助電極膜後，在形成了前述輔助電極膜的前述真空槽內，形成前述透明電極膜。
本發明係觸控面板之製造方法，使前述第一基板在前述真空槽內移動，在面對於以In2 O3 作為主成分，被添加Ti的前述靶之位置，使其複數次通過，形成前述透明電極膜。
本發明係觸控面板之製造方法，在配置了前述第一基板的真空槽內部，一邊將氧化氣體與氮化氣體中之任一方或雙方進行電漿化，同時在前述真空槽內，濺鍍第一金屬靶，於前述第一基板表面上形成了第一透明膜後，將前述第一基板維持配置在前述真空槽內，在前述真空槽內部，一邊將氧化氣體與氮化氣體中之任一方或雙方進行電漿化 ，同時將以與前述第一金屬靶不同種類的金屬作為主成分之第二靶進行濺鍍，在前述第一透明膜的表面上形成第二透明膜而形成了防反射層之後，將前述第一基板維持配置在前述真空槽內，在該真空內，將以In2 O3 作為主成分，添加了Ti的前述靶進行濺鍍，形成前述透明電極膜。
以In2 O3 作為主成分，含有Ti的透明電極膜，係比起ITO等先前的透明電極膜，耐磨耗性高，即使反覆按壓亦不破損。以In2 O3 作為主成分，含有Ti的透明電極膜，係透明性、電性上的特性並不亞於ITO。因為不需要形成保護膜等，用以補強的表面處理，所以不損及透明性、電性上的特性，而且，製造成本變便宜。
第1圖的符號1係表示本發明的觸控面板的一例，觸控面板1係具有顯示裝置20、與可撓性面板10。
顯示裝置20，係具有LCD或PDP等的板狀的顯示面板21，在顯示面板21的表面或裏面之中，將任一方作為顯示面24，於該顯示面24以顯示圖形或文字等的畫像資訊的方式來構成。
於顯示面24上，係配置防反射層15、和下部電極膜27。
在此係以，防反射層15為形成於透明的基板22表面，下部電極膜27係形成於防反射層15表面，與基板22的防反射層15相反側的面係被黏在顯示面24上，而防反射層15和下部電極膜27係以已記載的順序層積於顯示面24上，但是將防反射層15直接設置於顯示面24亦佳。而且，不設置防反射層15，將下部電極膜27直接配置於顯示面24亦佳，而且將下部電極膜27配置於基板22表面亦佳。
可撓性面板10，係具有：樹脂薄膜等的可撓性薄膜11、和已形成於可撓性薄膜11表面上的上部電極膜17。在配置了顯示裝置20的下部電極膜27側的面，係複數的間隔物29為空出間隔而配置。
可撓性面板10係形成了上部電極膜17的面為朝向下部電極膜27，放在間隔物29上，因此，下部電極膜27和上部電極膜17係就間隔物29的高度分離而相對。
可撓性薄膜11、和防反射層15、和上部電極膜17、和下部電極膜27、和基板22係個別為透明，如上述地，可將被顯示於顯示面24的畫像資訊，從可撓性面板10側進行觀察。
防反射層15，係例如：複數(在此為3層)層積了折射率不同的透明膜12~14而構成。
各透明膜12~14的折射率及膜厚，係設計為：太陽光或照明光等的外光，係透過可撓性薄膜11，對於在下部電極膜27表面反射的表面反射光，在各透明膜12~14表 面反射光而被衰減。因而，可鮮明地觀察本發明的顯示面板21顯示之畫像。
上部電極膜17的材質及膜厚，係被作為可與可撓性薄膜11一起變形，若可撓性薄膜11彎曲，則上部電極膜17一起變形，可撓性面板10全體成為可變形。
觸控面板1的使用者，係觀察顯示面板21的畫像資訊，根據該畫像資訊而選擇位置，在已選擇的位置按壓可撓性面板10。可撓性面板10係被按壓的場所會彎曲，在該按壓場所，上部電極膜17接觸於下部電極膜27。
上部電極膜17與下部電極膜27，係個別被連接於分析裝置，在觸控面板1為阻抗膜方式的情況，係由於以對應到已按壓位置大小的電壓值來了解按壓位置，在矩陣方式的情況，係藉由按壓而導通的配線之位置來了解按壓位置。
於下部電極膜27的表面，係露出：以In2 O3 作為主成分，含有Ti的透明電極膜19。此透明電極膜19係具有導電性和透明性，而且，因為比起以ITO作為主成分之先前的透明電極膜，耐摩擦性優良，所以即使反覆按壓，下部電極膜27亦不破損。
如第1圖所示地，在透明電極膜19的顯示面板21側的面，以其他的透明電極膜(例如ITO膜)作為輔助電極膜18而配置之層積膜來構成下部電極膜27亦佳，而且如第3圖所示地，以In2 O3 作為主成分，含有Ti的透明電極膜19的單層膜來構成下部電極膜27亦佳。
以上，說明了關於在下部電極膜27設置透明電極膜19的情況，但本發明係不限定於此。第5、6圖的符號81、82係表示本發明第三、第四例的觸控面板，在與第1圖的觸控面板1相同構件，係附上相同符號而進行說明。
第5、6圖的觸控面板81、82，係上部電極膜17為具有透明電極膜19。在此，係在上部電極膜17與可撓性薄膜11之間配置著防反射層15；但是，亦可不設置防反射層15，而將上部電極膜17直接配置於可撓性薄膜11表面。
第5圖的觸控面板81，係上部電極膜17為除了透明電極膜19以外還具有輔助電極膜18，第6圖的觸控面板82係上部電極膜17為以透明電極膜19構成。哪一個情況，在上部電極膜17表面都露出透明電極膜19，即使上部電極膜17被反覆按壓至下部電極膜27，上部電極膜17亦成為不破損。
透明電極膜19，係不僅露出在上部電極膜17與下部電極膜27的任一方，以露出至雙方的表面的方式配置亦佳。
將上部電極膜17或下部電極膜27的任一方或雙方，以將In2 O3 作為主成分，含有Ti的透明電極膜構成亦佳，但如此的透明電極膜，係比起ITO或ZnO而言，電阻較高。
因而，上部電極膜17或是/以及下部電極膜27，係作為：由ITO或ZnO的任一方或雙方所構成的透明導電材料作為主成分之輔助電極膜、和以In2 O3 作為主成分， 含有Ti的透明電極膜的二層構造的一方，全體的電阻降低。
接著，說明觸控面板1的製造工程。
第2圖的符號50係表示在觸控面板1之中，被使用於上述的顯示裝置20、或可撓性面板10的製造之製造裝置。
此製造裝置50，係具有：真空槽51、和配置於真空槽51內部的基板夾具52。
在此，基板夾具52為柱狀，而被連接於不圖示的旋轉手段，以：一傳達旋轉手段的動力，則以中心軸線作為中心而旋轉的方式構成。
基板夾具52係以在側面可保持1或2片以上的處理對象物般地構成，若基板夾具52旋轉，則各處理對象亦一起旋轉，處理對象物係在以基板夾具52的中心軸線作為中心之圓周上移動。
在基板夾具52的周圍，複數片的靶61~64與離子槍55沿著基板夾具52的旋轉方向而排列，若基板夾具52旋轉，則處理對象物，係依序通過與各靶61~64面對的位置、和與離子槍55面對的位置。
各靶61~64係被連接於電源66~69。於真空槽51，係連接真空排氣系59和氣體供給系57，以真空排氣系59將真空槽51內部進行真空排氣，若一邊從氣體供給系57供給濺鍍氣體、同時施加電壓於靶61~64，則靶61~64的 表面被濺鍍而放出濺鍍粒子，處理對象物，係在通過與靶61~64面對的位置時，濺鍍粒子到達表面。
離子槍55係進行放出離子束的放出口為朝向基板夾具52的側面。一邊將真空槽51內進行真空排氣，從氣體供給系57供給反應氣體、同時從離子槍55放出離子束，則反應氣體電漿化，處理對象物係在通過與放出口面對的位置時，曝露於反應氣體的電漿。
若同時進行靶61~64的濺鍍、和反應氣體的電漿化、和基板夾具52的旋轉，則濺鍍粒子到達處理對象物表面而形成原子層，該原子層係曝露於反應氣體的電漿，而形成原子層與反應氣體的反應生成物的薄膜(Meta Mode)。
如繼續進行靶61~64的濺鍍、和反應氣體的電漿化、同時使基板夾具52旋轉，將形成原子層的工程、與將原子層曝露在電漿的工程，交互地各複數次反覆進行，則反應生成物進行成長。
若以一次的旋轉而層積數個濺鍍粒子的方式使基板夾具52高速旋轉，則因為薄的原子層變成被曝露於反應氣體的電漿，所以比起先前的濺鍍裝置而言，成膜速度較快。
另外，比起使處理對象物靜止而進行成膜的情況，因為處理對象物並不長時間曝露在來自靶61~64的熱量，所以對於如樹脂薄膜般的處理對象物，亦可成膜。
接著，說明關於使用此製造裝置50而製造觸控面板 1的工程。
將真空槽51內部進行真空排氣，成形了真空氛圍後，一邊維持該真空氛圍、同時搬入為處理對象物之基板22(第一基板)，使其保持於基板夾具52。第2圖為表示在基板夾具52安裝了複數片的基板22之狀態。
作為靶61~64，係事先配置：複數種類的金屬靶61、62、和以In2 O3 作為主成分，被添加了Ti的透明導電材料的靶63、和以ITO作為主成分的其他透明導電材料64。另外，金屬靶61、62係以金屬(含矽)作為主成分的靶。
一邊繼續真空排氣、同時從氣體供給系57，供給Ar或Kr等的濺鍍氣體、和在化學構造中含有氧原子的氧化氣體(反應氣體)，一邊使基板夾具52旋轉、同時氧化氣體進行電漿化，若濺鍍一金屬靶61，則在基板22表面形成了金屬的原子層之後，該原子層係與氧化氣體的電漿反應，形成反應生成物的膜(透明膜12)。
若一邊繼續氧化氣體的電漿化、和金屬靶61的濺鍍、同時繼續基板夾具52的旋轉，則基板22係交互地各複數次通過：與金屬靶61面對的位置、和曝露於氧化氣體的電漿的位置。
在基板22的表面上，係成為交互地各複數次反覆：形成金屬的原子層的工程、和原子層與氧化氣體的電漿反應的工程(氧化)，而透明膜12進行成長。
如透明膜12達到特定膜厚，則停止上述金屬靶61的 濺鍍。將對於該金屬靶61係以不同種類的金屬作為主成分的其他金屬靶62，進行濺鍍，在之前已形成的透明膜12的表面上，將不同種類的透明膜13、14，以1層以上成膜，在基板22表面形成由透明膜12~14的層積膜所構成的防反射層15。
在停止金屬靶61、62的濺鍍，而且停止了離子槍55的狀態，一邊繼續真空排氣、和氧化氣體及濺鍍氣體的供給、同時濺鍍以ITO作為主成分的靶63，來形成輔助電極膜18。
一邊濺鍍該靶63、同時藉由基板夾具52的旋轉，使基板22在真空槽51內移動，若使其在面對靶63的位置複數次通過，則輔助電極膜18進行成長。
如輔助電極膜18成長至特定膜厚，則停止靶63的濺鍍，維持將基板22配置於真空槽51內，而形成透明電極膜19。透明電極膜19係，例如：在停止了離子槍55的狀態，一邊真空排氣、和氧化氣體及濺鍍氣體的供給、同時濺鍍以In2 O3 作為主成分，添加了Ti的靶64。
於輔助電極膜18的表面，係形成：以In2 O3 作為主成分，添加了Ti的透明電極膜19。
一邊濺鍍靶64、同時藉由基板夾具52的旋轉，使基板22在真空槽51內移動，若使其在面對靶64的位置複數次通過，則透明電極膜19進行成長。
透明電極膜19成長至特定膜厚，如形成了具有透明電極膜19和輔助電極膜18的下部電極膜27，則將基板 22從真空槽51取出。如將形成了下部電極膜27的基板22，黏貼在顯示面板21，則可得到顯示裝置20(第一面板)。
改為基板22，作為處理對象物而使用顯示面板21的透明基板，將防反射層15和下部電極膜27直接形成於透明基板之後，安裝顯示面板21，作成在顯示面24直接形成了防反射層15(或下部電極膜27)的顯示裝置20亦佳。
在第二基板(可撓性薄膜11)的表面上，準備已形成了第二電極(上部電極膜17)的第二面板(可撓性面板10)，如將顯示裝置20、與可撓性面板10，以上部電極膜17與下部電極膜27為挾持間隔物29而相對的方式黏合，則可得觸控面板1。
以上，係說明關於將基板22作為第一基板，於基板22表面上形成透明電極膜19的情況，但本發明係不限定於此，將可撓性薄膜11作為第一基板，在可撓性薄膜11表面上形成透明電極膜19，作為第一面板，作成如第5、6圖所示的可撓性面板10亦佳。
而且，在第一、第二基板(基板22和可撓性薄膜11)的雙方表面上，形成透明電極膜19亦佳。
氧化氣體，係如在化學構造中含有氧原子之物則不特別限定，例如可將O2 、O3 、H2 O單獨或2種以上同時使用。
使用在透明膜12~14的成膜之反應氣體，係不限定於 氧化氣體，亦可使用在化學構造中含有氮原子的氮化氣體。作為氮化氣體，係可使用N2 、NH3 的任一方或雙方。
例如：透明膜12~14的主成分，係金屬靶為Si靶、在反應氣體為氧化氣體的情況為SiO2 、在氮化氣體的情況為SiN。另外，在金屬靶為Zr靶、反應氣體為氧化氣體的情況為ZrO、在反應氣體為氮化氣體的情況為ZrN。SiO2 、與SiN、與ZrO、與ZrN係相互的折射率不同。
而且，不改變金屬靶61、62的種類，以改變反應氣體的種類，來層積折射率不同的透明膜12~14亦佳。
金屬靶61、62的種類亦不限定於Si和Zr，可使用由Si、Zr、Ti、Sb、Zn、Nb、Ta所構成的群選擇至少一種的金屬材料作為主成分之物，亦可將由這些金屬的氮化物或氧化物所構成的透明膜12~14加以成膜。
透明導電材料的靶63、64亦不特別限定。例如：在輔助電極膜18的形成，係可使用由ITO、或ZnO的任一方或雙方所構成的透明導電材料作為主成分的靶64。
不特別限定將透明導電材料的靶63、64進行濺鍍的順序或種類，但最後濺鍍以In2 O3 作為主成分、添加了Ti的靶64，使以In2 O3 作為主成分、添加了Ti的透明電極膜19，露出至可撓性面板10的表面。
靶63中的Ti含有量係不特別限定，但使用0.1原子%以上30原子%以下之物，而成膜：以In2 O3 作為主成分、含有Ti 0.1原子%以上30原子%以下的透明電極膜19為最佳。
從形成透明膜12~14的工程，到形成透明電極膜19的工程，如不將基板22從真空槽51取出，而將這些工程全部在相同的真空槽51內連續進行，則防反射層15或電極膜不會被污染。
以上，係說明關於：藉由濺鍍法而將透明膜12~14、透明電極膜19以及輔助電極膜18進行成膜的情況，但本發明係不被限定於此。
透明膜12~14、透明電極膜19、以及輔助電極膜18之中，可將至少一個以蒸鍍法成膜。作為蒸鍍法，係特別是：將蒸鍍氣體供給於真空槽內，以使該蒸鍍氣體活性化的狀態，使蒸鍍材料蒸發而成膜之活性反應蒸鍍法(ARE: Activated Reactive Evaporation)為理想。
作為蒸鍍氣體，係可僅以Ar、Kr等的稀有氣體、或是使用稀有氣體和反應氣體雙方，作為反應氣體係可使用上述的氧化氣體或氮化氣體的任一方或雙方。
另外不僅上部電極膜17，在下部電極膜27的表面，使以In2 O3 作為主成分，含有Ti的透明電極膜露出亦佳，在此情況，觸控面板1的耐久性更變高。
[實施例] ＜實施例1＞
將Si靶、Zr靶、和Si靶以記載的順序進行濺鍍，在由樹脂薄膜所構成的基板22表面將SiO2 膜、ZrO膜、SiO2 膜以記載的順序層積，形成防反射層15。
接著，將以In2 O3 作為主成分，添加了SnO2 10重量%的ITO靶、和以In2 O3 作為主成分，添加了TiO2 1重量%的靶，依記載的順序進行濺鍍，層積以ITO作為主成分的輔助電極膜18、和以In2 O3 作為主成分，添加了Ti的透明電極膜19(膜厚1nm)來形成下部電極膜27，作成顯示面板21。
在樹脂薄膜所構成的可撓性薄膜11的表面形成由ITO薄膜所構成的上部電極膜17，作成可撓性面板10。讓上部電極膜17與下部電極膜27相對，將雙面膠帶挾持在其中間，黏合可撓性面板10與顯示面板21，作成實施例1的試驗面板。
<實施例2、3>
將透明電極膜19的膜厚，改為5nm、10nm以外，係以與實施例1相同條件來作成實施例2、3的試驗面板。
<實施例4>
不形成輔助電極膜18，將下部電極膜27以透明電極膜19單層構成以外，係以與實施例1相同條件來作成實施例4的試驗面板。
<比較例1>
不形成透明電極膜19，將下部電極膜27僅以輔助電極膜18構成以外，係以與實施例1相同條件來作成比較 例1的試驗面板。
使用上述實施例1~4、比較例1的試驗面板而進行表示於下述的摺動特性試驗。
<摺動特性試驗>
第4圖的符號90係表示摺動試驗機，摺動試驗機90係具有基台91，於基台91上係配置滾珠軸承(ball bearing)96，在滾珠軸承96上承載著平台98。
將實施例1~4、比較例1的試驗面板，以將可撓性面板10朝向上方的狀態而承載於平台98上。
在平台98上的振動元件94下端安裝了樹脂製的振動元件先端部95。而且，振動元件94、和振動元件先端部95、和荷重93的合計，以個別成為250gf、500gf、1000gf的方式，於振動元件94上端安裝荷重93。在振動元件先端部95一邊按壓可撓性面板10、同時在荷重250gf以30萬次、在荷重500gf以6萬次和10萬次、在荷重1000gf以5萬次，使振動元件94個別往復移動。
關於往復移動後的試驗面板，在下部電極膜27表面看不到傷痕者作為○，部分上可見傷痕者作為△、在已摺動部分全體可見傷痕者作為×而進行評估。將評估結果記載於下述表1。
如由上述表1明暸地，在下部電極膜27的表面，形成以In2 O3 作為主成分，添加了Ti的透明電極膜19之實施例1~4，係即使改變膜厚，在全部的摺動條件下亦看不到傷痕。由以上的情事，了解：使其露出至表面的透明電極膜19係不受到膜厚等的限制。
1、81、82‧‧‧觸控面板
10‧‧‧可撓性面板
11‧‧‧可撓性薄膜
12‧‧‧透明膜
13‧‧‧透明膜
14‧‧‧透明膜
15‧‧‧防反射層
17‧‧‧上部電極膜
18‧‧‧輔助電極膜
19‧‧‧透明電極膜
20‧‧‧顯示裝置
21‧‧‧顯示面板
22‧‧‧基板
24‧‧‧顯示面
27‧‧‧下部電極膜
29‧‧‧間隔物
50‧‧‧製造裝置
51‧‧‧真空槽
52‧‧‧基板夾具
55‧‧‧離子槍
57‧‧‧氣體供給系
59‧‧‧真空排氣系
61‧‧‧靶
62‧‧‧靶
63‧‧‧靶
64‧‧‧靶
66‧‧‧電源
67‧‧‧電源
68‧‧‧電源
69‧‧‧電源
90‧‧‧摺動試驗機
91‧‧‧基台
93‧‧‧荷重
94‧‧‧振動元件
95‧‧‧振動元件先端部
96‧‧‧滾珠軸承
98‧‧‧平台
[第1圖]用以說明本發明第一例的觸控面板之剖面圖。
[第2圖]用以說明被使用在本發明的製造裝置之剖面圖。
[第3圖]用以說明本發明第二例的觸控面板之剖面圖。
[第4圖]用以說明摺動試驗機之模式上的剖面圖。
[第5圖]用以說明本發明第三例的觸控面板之剖面圖。
[第6圖]用以說明本發明第四例的觸控面板之剖面圖。
1‧‧‧觸控面板
10‧‧‧可撓性面板
11‧‧‧可撓性薄膜
12‧‧‧透明膜
13‧‧‧透明膜
14‧‧‧透明膜
15‧‧‧防反射層
17‧‧‧上部電極膜
18‧‧‧輔助電極膜
19‧‧‧透明電極膜
20‧‧‧顯示裝置
21‧‧‧顯示面板
22‧‧‧基板
24‧‧‧顯示面
27‧‧‧下部電極膜
29‧‧‧間隔物

Claims (6)

  1. 一種觸控面板，係構成如下：具有：有板狀的顯示面板、與被配置於前述顯示面板的表面上的下部電極膜之顯示裝置，和有可撓性薄膜、與被配置於前述可撓性薄膜的表面上的上部電極膜之可撓性面板；在前述顯示裝置的前述下部電極膜側的面上，配置複數的間隔物；前述可撓性面板，係在將配置了前述上部電極膜側的面，以朝向前述下部電極膜之狀態，配置於前述間隔物上，若按壓前述可撓性面板，則前述下部電極膜與前述上部電極膜進行導通；其特徵為：前述上部電極膜、和前述下部電極膜中之任一方或雙方，係具有輔助電極膜與透明電極膜；該輔助電極膜以ITO和ZnO中之任一方或雙方所構成的透明導電材料為主成分；該透明電極膜係被形成在前述輔助電極膜上且被露出，以In2 O3 作為主成分，含有Ti。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載的觸控面板，其中，前述顯示裝置係具有防反射層；前述防反射層，係配置於前述顯示面板與前述下部電極膜之間。
  3. 一種觸控面板之製造方法，係在第一基板的表面 上，形成透明電極膜露出在表面之第一電極膜而作成第一面板，使在第二基板的表面上形成第二電極膜之第二面板、和前述第一面板，以前述第一、第二電極膜相對的方式黏合之觸控面板的製造方法；其特徵為：將由ITO與ZnO之中的任一方或雙方所構成的透明導電材料作為主成分之靶予以進行濺鍍，在前述第一基板表面上形成了輔助電極膜之後，將以In2 O3 作為主成分，添加了Ti的靶，在配置了前述第一基板的真空槽內進行濺鍍而形成前述透明電極膜在前述輔助電極膜上。
  4. 如申請專利範圍第3項所記載的觸控面板之製造方法，其中，在形成前述輔助電極膜後，在形成了前述輔助電極膜的前述真空槽內，形成前述透明電極膜。
  5. 如申請專利範圍第3項所記載的觸控面板之製造方法，其中，使前述第一基板在前述真空槽內移動，在面對於以In2 O3 作為主成分，添加了Ti的前述靶之位置，使其複數次通過，形成前述透明電極膜。
  6. 如申請專利範圍第3項所記載的觸控面板之製造方法，其中，在配置了前述第一基板的前述真空槽內部，一邊將氧化氣體與氮化氣體中之任一方或雙方進行電漿化， 同時在前述真空槽內，濺鍍第一金屬靶，於前述第一基板表面上形成了第一透明膜後，將前述第一基板維持配置在前述真空槽內，在前述真空槽內部，一邊將氧化氣體與氮化氣體中之任一方或雙方進行電漿化，同時將以與前述第一金屬靶不同種類的金屬作為主成分之第二靶進行濺鍍，在前述第一透明膜的表面上形成第二透明膜而形成了防反射層之後，將前述第一基板維持配置在前述真空槽內，在該真空槽內，將以In2 O3 作為主成分，添加了Ti的前述靶進行濺鍍，形成前述透明電極膜。
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