KR20090127283A - 터치 패널, 터치 패널의 제조 방법 - Google Patents

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KR20090127283A KR1020097019633A KR20097019633A KR20090127283A KR 20090127283 A KR20090127283 A KR 20090127283A KR 1020097019633 A KR1020097019633 A KR 1020097019633A KR 20097019633 A KR20097019633 A KR 20097019633A KR 20090127283 A KR20090127283 A KR 20090127283A
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Abstract

내구성이 높은 터치 패널을 제공한다. 본 발명의 터치 패널(1)은 변형 가능한 가요성 패널(10)을 가지고 있고, 표시 장치(20)의 하부 전극막(27) 표면에 In2O3를 주성분으로 하며 Ti를 함유하는 투명 전극막(19)이 노출되어 있다. 이러한 투명 전극막(19)은 ITO박막과 같은 종래의 것에 비하여 내마모성이 높기 때문에, 하부 전극막(27)이 반복적으로 가압되어도 투명 전극막(19)에 백탁화야 크랙이 생기지 않는다. 따라서, 본 발명의 터치 패널(1)은 내구성이 높다.
터치패널, 제조 방법, 가요성, 전극막, 투명, 표시 장치, 박막, 내구성

Description

터치 패널, 터치 패널의 제조 방법{Touch panel and method for manufacturing touch panel}
본 발명은 터치 패널의 기술 분야에 관한 것이다.
종래부터, 터치 패널은 ATM이나 자동 판매기, 휴대 정보 단말기, 휴대 게임기, 전자 안내 표시판, 카 네비게이션, 휴대 전화 등에 널리 이용되고 있다.
터치 패널은 일반적으로, 표면에 ITO 박막 등의 투명 전극막이 형성된 2장의 패널을, 투명 전극막끼리를 대향한 상태에서 접합하여 작성된다. 2장의 패널 중, 적으로 한 쪽 패널은 가요성을 가지고 있으며, 가요성 패널을 가압하면, 가압한 장소에서 투명 전극막끼리가 도통한다. 이러한 터치 패널에는 매트릭스 방식이라고 불리는 것과, 저항막 방식이라고 불리는 것이 있다.
어떠한 방식의 것이라도, 투명 전극막끼리를 직접 또는 간접적으로 접촉시킴으로써 도통시키기 때문에, 같은 장소를 반복적으로 가압하면, 마찰에 의해 투명 전극막에 백탁화나 크랙이 생기는 경우가 있다. 특히, 가요성 패널로 가압되는 측의 패널의, 투명 전극에 대한 대응이 요구되고 있다.
특허 문헌 1: 일본 특허공개 2003-151366호 공보
본 발명은 상기 과제를 해결하기 위하여 이루어진 것으로, 그 목적은 내구성이 높은 터치 패널을 제공하는 것이다.
상기 과제를 해결하기 위하여 본 발명은, 판 형상의 표시 패널과 상기 표시 패널의 표면 상에 배치된 하부 전극막을 갖는 표시 장치, 및 가요성 필름과 상기 가요성 필름 표면 상에 배치된 상부 전극막을 갖는 가요성 패널을 가지며, 상기 표시 장치의 상기 하부 전극막측의 면 상에는 복수의 스페이서가 배치되고, 상기 가요성 패널은 상기 상부 전극막이 배치된 측의 면을 상기 하부 전극막으로 향하게 한 상태에서 상기 스페이서 상에 배치되고, 상기 가요성 패널을 가압하면, 상기 하부 전극막과 상기 상부 전극막이 도통하도록 구성된 터치 패널에 있어서, 상기 상부 전극막과 상기 상부 전극막 중 어느 한 쪽 또는 양쪽은 In2O3를 주성분으로 하고 Ti를 함유하는 투명 전극막을 가지며, 상기 투명 전극막이 상기 상부 전극막 표면과 상기 하부 전극막 표면 중 어느 한 쪽 또는 양쪽에 노출되는 터치 패널이다.
본 발명은 터치 패널에 있어서, 상기 하부 전극막은 ITO를 함유하는 보조 전극막을 가지며, 상기 보조 전극막은 상기 투명 전극막과 상기 표시 패널 사이에 위치하는 터치 패널이다.
본 발명은 터치 패널에 있어서, 상기 표시 장치는 반사 방지층을 가지며, 상기 반사 방지층은 상기 표시 패널과 상기 하부 전극막 사이에 배치된 터치 패널이다.
본 발명은, 제 1 기판의 표면 상에, 표면에 투명 전극막이 노출되는 제 1 전극막을 형성하여 제 1 패널을 작성하고, 제 2 기판의 표면 상에 제 2 전극막이 형성된 제 2 패널과 상기 제 1 패널을, 상기 제 1, 제 2 전극막이 대향하도록 접합하는 터치 패널의 제조 방법에 있어서, In2O3를 주성분으로 하고 Ti가 첨가된 타겟을, 상기 제 1 기판이 배치된 진공조 내에서 스퍼터링하여 상기 투명 전극막을 형성하는 터치 패널의 제조 방법이다.
본 발명은 터치 패널의 제조 방법으로서, ITO와 ZnO 중 어느 한 쪽 또는 양쪽으로 이루어지는 투명 도전 재료를 주성분으로 하는 타겟을, 상기 제 1 기판이 배치된 진공조 내에서 스퍼터링하여 상기 제 1 기판 표면 상에 보조 전극막을 형성한 후, 상기 보조 전극막의 표면에 상기 투명 전극막을 형성하여, 상기 보조 전극막과 상기 투명 전극막을 갖는 상기 제 1 전극막을 형성하는 터치 패널의 제조 방법이다.
본 발명은 터치 패널의 제조 방법으로서, 상기 보조 전극막을 형성한 후, 상기 보조 전극막을 형성한 상기 진공조 내에서 상기 투명 전극막을 형성하는 터치 패널의 제조 방법이다.
본 발명은 터치 패널의 제조 방법으로서, 상기 제 1 기판을 상기 진공조 내에서 이동시켜, In2O3를 주성분으로 하고 Ti가 첨가된 상기 타겟과 대면하는 위치를 여러 번 통과시켜 상기 투명 전극막을 형성하는 터치 패널의 제조 방법이다.
본 발명은 터치 패널의 제조 방법으로서, 상기 제 1 기판이 배치된 진공조 내부에, 산화 가스와 질화 가스 중 어느 한 쪽 또는 양쪽을 플라즈마화하면서, 상기 진공조 내에서 제 1 금속 타겟을 스퍼터링하여, 상기 제 1 기판 표면 상에 제 1 투명막을 형성한 후, 상기 제 1 기판을 상기 진공조 내에 배치한 채로, 상기 진공조 내부에서 산화 가스와 질화 가스 중 어느 한 쪽 또는 양쪽을 플라즈마화하면서, 상기 제 1 금속 타겟과 다른 종류의 금속을 주성분으로 하는 제 2 타겟을 스퍼터링하여, 제 1 투명막의 표면 상에 제 2 투명막을 형성하여 반사 방지층을 형성한 후, 상기 제 1 기판을 상기 진공조 내에 배치한 채로, 이 진공조 내에서 In2O3를 주성분으로 하고 Ti가 첨가된 상기 타겟을 스퍼터링하여 상기 투명 전극막을 형성하는 터치 패널의 제조 방법이다.
In2O3를 주성분으로 하고 Ti를 함유하는 투명 전극막은 ITO 등 종래의 투명 전극막에 비하여 내마모성이 높아, 반복적으로 가압하여도 파손되지 않는다. In2O3를 주성분으로 하고 Ti를 함유하는 투명 전극막은 ITO와 비교하여 투명성, 전기적 특성이 떨어지지 않는다. 보호막 형성 등, 보강을 위한 표면 처리가 불필요하기 때문에 투명성, 전기적 특성이 손상되지 않으며, 아울러 제조 비용이 낮아진다.
도 1은 본 발명 제 1예의 터치 패널을 설명하기 위한 단면도.
도 2는 본 발명에 이용하는 제조 장치를 설명하기 위한 단면도.
도 3은 본 발명 제 2예의 터치 패널을 설명하기 위한 단면도.
도 4는 접동 시험기를 설명하기 위한 모식적인 단면도.
도 5는 본 발명 제 3예의 터치 패널을 설명하기 위한 단면도.
도 6은 본 발명 제 4예의 터치 패널을 설명하기 위한 단면도.
(도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명)
1, 81, 82 터치 패널
10 가요성 패널
11 가요성 필름
15 반사 방지층
17 상부 전극막
18 보조 전극막
19 투명 전극막
20 표시 장치
21 표시 패널
27 하부 전극막
도 1의 부호 1은 본 발명의 터치 패널의 일예를 나타내고 있으며, 터치 패널(1)은 표시 장치(20)와 가요성 패널(10)을 가지고 있다.
표시 장치(20)는 LCD나 PDP 등의 판 형상의 표시 패널(21)을 가지고 있으며, 표시 패널(21)의 표면 또는 이면 중, 어느 한 쪽을 표시면(24)으로 하여, 이 표시면(24)에 도형이나 문자 등의 화상 정보가 표시되도록 구성되어 있다.
표시면(24) 상에는 반사 방지층(15)과 하부 전극막(27)이 배치되어 있다.
여기에서는, 반사 방지층(15)은 투명한 기판(22) 표면에 형성되고, 하부 전 극막(27)은 반사 방지층(15) 표면에 형성되어 있고, 기판(22)의 반사 방지층(15)과 반대측 면이 표시면(24)에 첩부됨으로써, 반사 방지층(15)과 하부 전극막(27)은 표시면(24) 상에 기재한 순서대로 적층되어 있는데, 반사 방지층(15)을 직접 표시면(24)에 설치할 수도 있다. 또한, 반사 방지층(15)을 설치하지 않고, 하부 전극막(27)을 직접 표시면(24)에 배치할 수도 있고, 하부 전극막(27)을 기판(22) 표면에 배치할 수도 있다.
가요성 패널(10)은 수지 필름 등의 가요성 필름(11)과, 가요성 필름(11) 표면 상에 형성된 상부 전극막(17)을 가지고 있다. 표시 장치(20)의 하부 전극막(27)이 배치된 측의 면에는 복수의 스페이서(29)가 간격을 두고 배치되어 있다.
가요성 패널(10)은 상부 전극막(17)이 형성된 면이 하부 전극막(27)을 향하고 있으며, 스페이서(29) 상에 올려져 있고, 따라서, 하부 전극막(27)과 상부 전극막(17)은 스페이서(29)의 높이만큼 이간하여 대향하고 있다.
가요성 필름(11)과 반사 방지층(15)과 상부 전극막(17)과 하부 전극막(27)과 기판(22)은 각각 투명하여, 상술한 바와 같이 표시면(24)에 표시되는 화상 정보를 가요성 패널(10)측으로부터 관찰할 수 있다.
반사 방지층(15)은 예를 들면, 굴절율이 서로 다른 투명막(12~14)이 복수(여기에서는 3층) 적층되어 구성되어 있다.
각 투명막(12~14)의 굴절율 및 막두께는, 태양광이나 조명광 등의 외광이 가요성 필름(11)을 투과하여 하부 전극막(27) 표면에서 반사한 표면 반사광에 대하여, 각 투명막(12~14) 표면에서 반사한 계면 반사광의 위상이 어긋나, 표면 반사광 이 계면 반사광으로 감쇠되도록 설계되어 있다. 따라서, 본 발명의 표시 패널(21)이 표시하는 화상을 선명하게 관찰할 수 있다.
상부 전극막(17)의 재질 및 막두께는 가요성 필름(11)과 함께 변형 가능한 것으로 되어 있어, 가요성 필름(11)이 휘어지면, 상부 전극막(17)이 함께 변형하여 가요성 패널(10) 전체가 변형 가능하게 되어 있다.
이 터치 패널(1)의 사용자는 표시 패널(21)의 화상 정보를 관찰하여, 그 화상 정보에 기초하여 위치를 선택하고, 선택한 위치에서 가요성 패널(10)을 가압한다. 가요성 패널(10)은 가압된 장소가 만곡하여, 그 가압 장소에서 상부 전극막(17)이 하부 전극막(27)에 접촉한다.
상부 전극막(17)과 하부 전극막(27)은 각각 분석 장치에 접속되어 있고, 터치 패널(1)이 저항막 방식인 경우에는, 가압한 위치에 따른 값의 전압치로부터 가압 위치를 알 수 있고, 매트릭스 방식인 경우에는, 가압에 의해 도통한 배선의 위치로부터 가압 위치를 알 수 있다.
하부 전극막(27)의 표면에는 In2O3를 주성분으로 하고 Ti를 함유하는 투명 전극막(19)이 노출되어 있다. 이 투명 전극막(19)은 도전성과 투명성을 갖고 있으며, ITO를 주성분으로 하는 종래의 투명 전극막에 비하여 내마찰성이 우수하기 때문에, 반복 가압되어도 하부 전극막(27)이 파손되지 않는다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 투명 전극막(19)의 표시 패널(21)측의 면에, 다른 투명 전극막(예를 들면 ITO막)을 보조 전극막(18)으로서 배치한 적층막으로 하 부 전극막(27)을 구성할 수도 있고, 도 3에 나타낸 바와 같이 In2O3를 주성분으로 하고 Ti를 함유하는 투명 전극막(19)의 단층막으로 하부 전극막(27)을 구성할 수도 있다.
이상은, 하부 전극막(27)에 투명 전극막(19)을 설치하는 경우에 대하여 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니다. 도 5, 6의 부호 81, 82는 본 발명 제 3, 제 4예의 터치 패널을 나타내고 있으며, 도 1의 터치 패널(1)과 같은 부재에는 같은 부호를 붙여 설명한다.
도 5, 6의 터치 패널(81, 82)은 상부 전극막(17)이 투명 전극막(19)을 가지고 있다. 여기에서는 상부 전극막(17)과 가요성 필름(11) 사이에 반사 방지층(15)이 배치되어 있지만, 반사 방지층(15)을 설치하지 않고, 상부 전극막(17)을 가요성 필름(11) 표면에 직접 배치할 수도 있다.
도 5의 터치 패널(81)은 상부 전극막(17)이 투명 전극막(19) 외에 보조 전극막(18)을 가지고 있고, 도 6의 터치 패널(82)은 상부 전극막(17)이 투명 전극막(19)으로 구성되어 있다. 어떠한 경우라도, 상부 전극막(17) 표면에 투명 전극막(19)이 노출되어 있어, 상부 전극막(17)이 하부 전극막(27)에 반복적으로 가압되어도 상부 전극막(17)이 파손되지 않도록 되어 있다.
투명 전극막(19)은 상부 전극막(17)과 하부 전극막(27) 중 어느 한 쪽뿐만 아니라, 양쪽의 표면에 노출되도록 배치할 수도 있다.
상부 전극막(17)과 하부 전극막(17) 중 어느 한 쪽 또는 양쪽 모두를, In2O3 를 주성분으로 하고 Ti를 함유하는 투명 전극막으로 구성할 수도 있지만, 그러한 투명 전극막은 ITO나 ZnO에 비하여 전기 저항이 높다.
따라서, 상부 전극막(17) 또는/및 하부 전극막(27)은 ITO와 ZnO 중 어느 한 쪽 또는 양쪽으로 이루어지는 투명 도전 재료를 주성분으로 하는 보조 전극막과, In2O3를 주성분으로 하고 Ti를 함유하는 투명 전극막의 2층 구조로 하는 것이 전체의 전기 저항이 낮아진다.
다음으로, 터치 패널(1)의 제조 공정을 설명한다.
도 2의 부호 50은 터치 패널(1) 중, 상술한 표시 장치(20)나, 가요성 패널(10)의 제조에 이용되는 제조 장치를 나타내고 있다.
이 제조 장치(50)는 진공조(51)와, 진공조(51) 내부에 배치된 기판 홀더(52)를 가지고 있다.
여기에서는 기판 홀더(52)는 기둥 형상이며, 미도시한 회전 수단에 접속되어 있어, 회전 수단의 동력이 전달되면, 중심 축선을 중심으로 하여 회전하도록 구성되어 있다.
기판 홀더(52)는 측면에 1장 또는 2장 이상의 처리 대상물을 지지 가능하게 구성되어 있고, 기판 홀더(52)가 회전하면 각 처리 대상물도 함께 회전하여, 처리 대상물은 기판 홀더(52)의 중심 축선을 중심으로 하는 원주상을 이동한다.
기판 홀더(52)의 주위에는 복수장의 타겟(61~64)이, 기판 홀더(52)와, 이온 건(55)이 기판 홀더(52)의 회전 방향을 따라 늘어서 있고, 기판 홀더(52)가 회전하 면, 처리 대상물은 각 타겟(61~64)과 대면하는 위치와, 이온건(55)과 대면하는 위치를 순서대로 통과한다.
각 타겟(61~64)은 전원(66~69)에 접속되어 있다. 진공조(51)에는 진공 배기계(59)와 가스 공급계(57)가 접속되어 있어, 진공 배기계(59)에서 진공조(51) 내부를 진공 배기하고, 가스 공급계(57)로부터 스퍼터 가스를 공급하면서 타겟(61~64)에 전압을 인가하면, 타겟(61~64)의 표면이 스퍼터링되어 스퍼터 입자가 방출되어, 처리 대상물은 타겟(61~64)과 대면하는 위치를 통과할 때에 표면에 스퍼터 입자가 도달한다.
이온 건(55)은 이온 빔을 방출하는 방출구가 기판 홀더(52)의 측면을 향하고 있다. 진공조(51) 내부를 진공 배기하고, 가스 공급계(57)로부터 반응 가스를 공급하면서 이온 건(55)으로부터 이온 빔을 방출하면, 반응 가스가 플라즈마하여, 처리 대상물은 방출구와 대면하는 위치를 통과할 때에 반응 가스의 플라즈마에 노출된다.
타겟(61~64)의 스퍼터링과, 반응 가스의 플라즈마화와, 기판 홀더(52)의 회전을 동시에 수행하면, 처리 대상물의 표면에 스퍼터 입자가 도달하여 원자층이 형성되고, 그 원자층은 반응 가스의 플라즈마에 노출되어, 원자층과 반응 가스의 반응 생성물인 박막이 형성된다(메타 모드).
타겟(61~64)의 스퍼터링과, 반응 가스의 플라즈마화를 계속하면서, 기판 홀더(52)를 회전시켜 원자층을 형성하는 공정과, 원자층을 플라즈마에 노출시키는 공정을 교대로 복수회씩 반복하면, 반응 생성물이 성장한다.
1회의 회전으로 수 개의 스퍼터 입자가 쌓이도록 기판 홀더(52)를 고속 회전시키면, 얇은 원자층이 반응 가스의 플라즈마에 노출되게 되기 때문에, 원자층의 반응이 빨라, 종래의 스퍼터링 장치에 비해 성막 속도가 빠르다.
또한, 처리 대상물을 정지시켜 성막을 수행하는 경우에 비하여, 타겟(61~64)으로부터의 열에 장시간 처리 대상물이 노출되지 않기 때문에, 수지 필름과 같은 처리 대상물에도 성막 가능하다.
다음으로, 이 제조 장치(50)를 이용하여 터치 패널(1)을 제조하는 공정에 대하여 설명한다.
진공조(51) 내부를 진공 배기하여 진공 분위기를 형성한 후, 이 진공 분위기를 유지하면서 처리 대상물인 기판(22; 제 1 기판)을 반입하여 기판 홀더(52)에 지지시킨다. 도 2는 기판 홀더(52)에 복수장의 기판(22)을 장착한 상태를 나타내고 있다.
타겟(61~64)으로는, 복수 종류의 금속 타겟(61, 62)과, In2O3를 주성분으로 하고 Ti가 첨가된 투명 도전 재료의 타겟(63)과, ITO를 주성분으로 하는 다른 투명 도전 재료 타겟(64)을 미리 배치해 둔다. 또한, 금속 타겟(61, 62)은 금속(규소도 포함)을 주성분으로 하는 타겟이다.
진공 배기를 계속하면서, 가스 공급계(57)로부터 Ar이나 Kr 등의 스퍼터 가스와 화학 구조 중에 산소 원자를 함유하는 산화 가스(반응 가스)를 공급하고, 기판 홀더(52)를 회전시키면서 산화 가스를 플라즈마화하여 하나의 금속 타겟(61)을 스퍼터링하면, 기판(22) 표면에 금속의 원자층이 형성된 후, 그 원자층이 산화 가스의 플라즈마와 반응하여 반응 생성물인 막(투명막(12))이 형성된다.
산화 가스의 플라즈마화와, 금속 타겟(61)의 스퍼터링을 계속하면서 기판 홀더(52)의 회전을 계속하면, 기판(22)은 금속 타겟(61)과 대면하는 위치와, 산화 가스의 플라즈마에 노출되는 위치를 교대로 복수회씩 통과한다.
기판(22)의 표면 상에는 금속의 원자층이 형성되는 공정과, 원자층이 산화 가스의 플라즈마와 반응하는 공정(산화)이 교대로 복수회씩 반복됨으로써, 투명막(12)이 성장한다.
투명막(12)이 소정 막두께에 도달하면, 상기 금속 타겟(61)의 스퍼터링을 정지한다. 그 금속 타겟(61)과는 다른 종류의 금속을 주성분으로 하는 다른 금속 타겟(62)을 스퍼터링하여, 먼저 형성된 투명막(12)의 표면 상에 다른 종류의 투명막(13, 14)을 1층 이상 성막하여, 기판(22) 표면에 투명막(12~14)의 적층막으로 이루어지는 반사 방지층(15)을 형성한다.
금속 타겟(61, 62)의 스프터링을 정지하는 동시에 이온 건(55)을 정지한 상태에서, 진공 배기와, 산화 가스 및 스퍼터 가스의 공급을 계속하면서, ITO를 주성분으로 하는 타겟(63)을 스퍼터링하여 보조 전극막(18)을 형성한다.
이 타겟(63)을 스퍼터링하면서 기판 홀더(52)의 회전에 의해 기판(22)을 진공조(51) 내를 이동시켜, 타겟(63)과 대면하는 위치를 복수회 통과시키면, 보조 전극막(18)이 성장한다.
보조 전극막(18)이 소정 막두께로 성장하면 타겟(63)의 스퍼터링을 정지하 고, 기판(22)을 진공조(51) 내에 배치한 채로 투명 전극막(19)을 형성한다. 투명 전극막(19)은, 예를 들면 이온 건(55)을 정지한 상태에서 진공 배기와, 산화 가스 및 스퍼터 가스의 공급을 하면서, In2O3를 주성분으로 하고 Ti가 첨가된 타겟(64)을 스퍼터링한다.
보조 전극막(18) 표면에는 In2O3을 주성분으로 하고 Ti가 첨가된 투명 전극막(19)이 형성된다.
타겟(64)을 스퍼터링하면서 기판 홀더(52)의 회전에 의해 기판(22)을 진공조(51) 내를 이동시켜, 타겟과 대면하는 위치를 복수회 통과시키면 투명 전극막(19)이 성장한다.
투명 전극막(19)이 소정 막두께까지 성장하여, 투명 전극막(19)과 보조 전극막(18)을 갖는 하부 전극막(27)이 형성되면, 기판(22)을 진공조(51)로부터 꺼낸다. 하부 전극막(27)이 형성된 기판(22)을 표시 패널(21)에 첩부하면 표시 장치(20; 제 1 패널)가 얻어진다.
기판(22) 대신에, 처리 대상물로서 표시 패널(21)의 투명 기판을 이용하여, 반사 방지층(15)과 하부 전극막(27)을 투명 기판에 직접 형성하고 나서 표시 패널(21)을 조립하여, 표시면(24)에 직접 반사 방지층(15; 또는 하부 전극막(27))이 형성된 표시 장치(20)를 작성할 수도 있다.
제 2 기판(가요성 필름(11))의 표면 상에, 제 2 전극(상부 전극막(17))이 형성된 제 2 패널(가요성 패널(10))을 준비하고, 표시 장치(20)와 가요성 패널(10) 을, 상부 전극막(17)과 하부 전극막(27)이 스페이서(29)를 사이에 두고 대향하도록 접합시키면 터치 패널(1)이 얻어진다.
이상은, 기판(22)을 제 1 기판으로 하여, 기판(22) 표면 상에 투명 전극막(19)을 형성하는 경우에 대하여 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 가요성 필름(11)을 제 1 기판으로 하여 가요성 필름(11) 표면 상에 투명 전극막(19)을 형성하여, 제 1 패널로서 도 5, 6에 나타낸 바와 같은 가요성 패널(10)을 작성할 수도 있다.
또한, 제 1, 제 2 기판(기판(22)과 가요성 필름(11)) 양쪽 모두의 표면 상에 투명 전극막(19)을 형성할 수도 있다.
산화 가스는 화학 구조 중에 산소 원자를 함유하는 것이면 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면, O2, O3, H2O를 단독 또는 2종류 이상 동시에 이용할 수 있다.
투명막(12~14)의 성막에 이용하는 반응 가스는 산화 가스에 한정되지 않고, 화학 구조 중에 질소 원자를 함유하는 질화 가스를 이용할 수도 있다. 질화 가스로는 N2, NH3 중 어느 하나 또는 양쪽 모두를 이용할 수 있다.
예를 들면, 투명막(12~14)의 주성분은, 금속 타겟이 Si 타겟, 반응 가스가 산화 가스인 경우에는 SiO2이고, 질화 가스인 경우에는 SiN이다. 또한, 금속 타겟이 Zr 타겟이고 반응 가스가 산화 가스인 경우에는 ZrO이고, 반응 가스가 질화 가스인 경우에는 ZrN이다. SiO2와, SiN과, ZrO와, ZrN은 서로 굴절율이 다르다.
또한, 금속 타겟(61, 62)의 종류를 바꾸지 않고, 반응 가스의 종류를 변경함 으로써, 굴절율이 다른 투명막(12~14)을 적층할 수도 있다.
금속 타겟(61, 62)의 종류도 Si와 Zr에 한정되지 않고, Si, Zr, Ti, Sb, Zn, Nb, Ta로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종류의 금속 재료를 주성분으로 하는 것을 이용하여, 그들 금속의 질화물 또는 산화물로 이루어지는 투명막(12~14)을 성막할 수도 있다.
투명 도전 재료의 타겟(63, 64)도 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 보조 전극막(18)의 형성에는 ITO와 ZnO 중 어느 하나 또는 양쪽 모두로 이루어지는 투명 도전 재료를 주성분으로 하는 타겟(64)을 이용할 수 있다.
투명 도전 재료의 타겟(63, 64)을 스퍼터링하는 순서나 종류도 특별히 한정되지 않지만, 마지막에 In2O3를 주성분으로 하고 Ti가 첨가된 타겟(64)을 스퍼터링하여, In2O3를 주성분으로 하고 Ti가 첨가된 투명 전극막(19)을 가요성 패널(10)의 표면에 노출시킨다.
타겟(63) 중의 Ti의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 0.1원자% 이상 30원자% 이하의 것을 이용하여, In2O3를 주성분으로 하고 Ti를 0.1원자% 이상 30원자% 이하를 포함하는 투명 전극막(19)을 성막하는 것이 바람직하다.
투명막(12~14)을 형성하는 공정부터 투명 전극막(19)을 형성하는 공정까지, 기판(22)을 진공조(51)로부터 꺼내지 않고 이들 공정을 모두 같은 진공조(51) 내에서 연속으로 수행하면, 반사 방지층(15)이나 전극막이 오염되지 않는다.
이상은 스퍼터링법에 의해 투명막(12~14), 투명 전극막(19) 및 보조 전극 막(18)을 성막하는 경우에 대하여 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니다.
투명막(12~14), 투명 전극막(19) 및 보조 전극막(18) 중 적어도 하나를 증착법으로 성막할 수 있다. 증착법으로는 특히 증착 가스를 진공조 내에 공급하여, 이 증착 가스를 활성화시킨 상태에서 증착 재료를 증착시켜 성막하는 활성 반응 증착법(ARE: Activated Reactive Evaporation)이 바람직하다.
증착 가스로는 Ar, Kr 등의 희가스만, 또는 희가스와 반응 가스 모두를 이용할 수 있고, 반응 가스로는 상술한 산화 가스와 질화 가스 중 어느 한 쪽 또는 양쪽 모두를 이용할 수 있다.
또한, 상부 전극막(17)뿐만 아니라, 하부 전극막(27)의 표면에도 In2O3를 주성분으로 하고 Ti를 함유하는 투명 전극막을 노출시킬 수 있는데, 이 경우, 터치 패널(1)의 내구성이 보다 높아진다.
실시예
(실시예 1)
Si 타겟과 Zr 타겟, Si 타겟을 기재한 순서대로 스퍼터링하여, 수지 필름으로 이루어지는 기판(22) 표면에 SiO2막, ZrO막, SiO2막을 기재한 순서대로 적층하여 반사 방지층(15)을 형성하였다.
이어서, In2O3를 주성분으로 하고 SnO2가 10중량% 첨가된 ITO 타겟과, In2O3를 주성분으로 하고 TiO2가 1중량% 첨가된 타겟을 기재한 순서대로 스퍼터링하여, ITO 를 주성분으로 하는 보조 전극막(18)과, In2O3를 주성분으로 하고 Ti가 첨가된 투명 전극막(19; 막두께 1nm)을 적층하여 하부 전극막(27)을 형성하여 표시 패널을 작성하였다.
수지 필름으로 이루어지는 가요성 필름(11)의 표면에 ITO 박막으로 이루어지는 상부 전극막(17)을 형성하여 가요성 패널(10)을 작성하였다. 상부 전극막(17)과 하부 전극막(27)을 대향시키고, 양면 테이프를 사이에 끼워 가요성 패널(10)과 표시 패널을 접합하여 실시예 1의 시험 패널을 작성하였다.
(실시예 2, 3)
투명 전극막(19)의 막두께를 5nm, 10nm으로 변경한 것 외에는 실시예 1과 같은 조건으로 실시예 2, 3의 시험 패널을 작성하였다.
(실시예 4)
보조 전극막(18)을 형성하지 않고, 하부 전극막(27)을 투명 전극막(19) 단층으로 구성한 것 외에는 실시예 1과 같은 조건으로 실시예 4의 시험 패널을 작성하였다.
(비교예 1)
투명 전극막(19)을 형성하지 않고, 하부 전극막(27)을 보조 전극막(18)으로만 구성한 것 외에는 실시예 1과 같은 조건으로 비교예 1의 시험 패널을 작성하였다.
상기 실시예 1~4, 비교예 1의 시험 패널을 이용하여 하기에 나타낸 접동 특 성 시험을 수행하였다.
(접동 특성 시험)
도 4의 부호 90은 접동 시험기를 나타내며, 접동 시험기(90)는 대(91)를 가지고 있고, 대(91) 상에는 볼 베어링(96)이 배치되며, 볼 베어링(96) 상에 스테이지(98)가 올려져 있다.
실시예 1~4, 비교예 1의 시험 패널을, 가요성 패널(10)을 상방으로 한 상태로 스테이지(98) 상에 올린다.
스테이지(98) 상의 진동자(94) 하단에 수지제의 진동자 선단부(95)를 장착하였다. 또한, 진동자(94)와 진동자 선단부(95)와 하중(93)의 합계가 각각 250gf, 500gf, 1000gf가 되도록 진동자(94) 상단에 하중(93)을 장착하였다. 진동자 선단부(95)로 가요성 패널(10)을 가압하면서, 하중 250gf로 30만 번, 하중 500gf로 6만 번과 10만 번, 하중 1000gf로 5만 번, 진동자(94)를 각각 왕복 이동시켰다.
왕복 이동 후의 시험 패널에 대하여, 하부 전극막(27) 표면에 상처가 보이지 않는 것을 ○, 부분적으로 상처가 보이는 것을 △, 접동한 부분 전체에 상처가 보이는 것을 ×로 하여 평가하였다. 평가 결과를 하기 표 1에 기재한다.
접동 특성 평가 결과
하중 (gf) 접동 왕복수 접동 측정 결과
비교예 1 실시예 1 실시예 2 실시예 3 실시예 4
보조 전극막 보조 전극막+투명 전극막(1nm) 보조 전극막+투명 전극막(5nm) 보조 전극막+투명 전극막(10nm) 투명 전극막
250 30만 × ○ ○ ○ ○
500 6만 △ ○ ○ ○ ○
500 10만 × ○ ○ ○ ○
1000 5만 × ○ ○ ○ ○
*보조 전극막:ITO
투명 전극막: In2O3를 주성분으로 하고, Ti를 함유한다(괄호 내는 막두께)
상기 표 1로부터 알 수 있듯이, 하부 전극막(27)의 표면에 In2O3를 주성분으로 하고 Ti가 첨가된 투명 전극막(19)을 형성한 실시예 1~4에서는, 막두께를 변경하여도 모든 접동 조건에서 상처가 보이지 않았다. 이상으로부터, 표면에 노출시키는 투명 전극막(19)은 막두께 등의 제한을 받지 않음을 알 수 있다.
본 발명은 터치 패널의 기술 분야에 관한 것이다.

Claims (8)

  1. 판 형상의 표시 패널과 상기 표시 패널의 표면 상에 배치된 하부 전극막을 갖는 표시 장치 및
    가요성 필름과 상기 가요성 필름 표면 상에 배치된 상부 전극막을 갖는 가요성 패널을 가지며,
    상기 표시 장치의 상기 하부 전극막측의 면 상에는 복수의 스페이서가 배치되고, 상기 가요성 패널은 상기 상부 전극막이 배치된 측의 면을 상기 하부 전극막으로 향하게 한 상태에서 상기 스페이서 상에 배치되고,
    상기 가요성 패널을 가압하면, 상기 하부 전극막과 상기 상부 전극막이 도통하도록 구성된 터치 패널에 있어서,
    상기 상부 전극막과 상기 상부 전극막 중 어느 한 쪽 또는 양쪽은 In2O3를 주성분으로 하고 Ti를 함유하는 투명 전극막을 가지며, 상기 투명 전극막이 상기 상부 전극막 표면과 상기 하부 전극막 표면 중 어느 한 쪽 또는 양쪽에 노출되는 것을 특징으로 하는 터치 패널.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 하부 전극막은 ITO를 함유하는 보조 전극막을 가지며,
    상기 보조 전극막은 상기 투명 전극막과 상기 표시 패널 사이에 위치하는 것 을 특징으로 하는 터치 패널.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 표시 장치는 반사 방지층을 가지며,
    상기 반사 방지층은 상기 표시 패널과 상기 하부 전극막 사이에 배치된 것을 특징으로 하는 터치 패널.
  4. 제 1 기판의 표면 상에, 표면에 투명 전극막이 노출되는 제 1 전극막을 형성하여 제 1 패널을 작성하고,
    제 2 기판의 표면 상에 제 2 전극막이 형성된 제 2 패널과 상기 제 1 패널을, 상기 제 1, 제 2 전극막이 대향하도록 접합하는 터치 패널의 제조 방법에 있어서,
    In2O3를 주성분으로 하고 Ti가 첨가된 타겟을, 상기 제 1 기판이 배치된 진공조 내에서 스퍼터링하여 상기 투명 전극막을 형성하는 것을 특징으로 하는 터치 패널의 제조 방법.
  5. 제 4항에 있어서,
    ITO와 ZnO 중 어느 한 쪽 또는 양쪽으로 이루어지는 투명 도전 재료를 주성분으로 하는 타겟을, 상기 제 1 기판이 배치된 진공조 내에서 스퍼터링하여 상기 제 1 기판 표면 상에 보조 전극막을 형성한 후,
    상기 보조 전극막의 표면에 상기 투명 전극막을 형성하여, 상기 보조 전극막과 상기 투명 전극막을 갖는 상기 제 1 전극막을 형성하는 것을 특징으로 하는 터치 패널의 제조 방법.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 보조 전극막을 형성한 후, 상기 보조 전극막을 형성한 상기 진공조 내에서 상기 투명 전극막을 형성하는 것을 특징으로 하는 터치 패널의 제조 방법.
  7. 제 4항에 있어서,
    상기 제 1 기판을 상기 진공조 내에서 이동시켜, In2O3를 주성분으로 하고 Ti가 첨가된 상기 타겟과 대면하는 위치를 여러 번 통과시켜 상기 투명 전극막을 형성하는 것을 특징으로 하는 터치 패널의 제조 방법.
  8. 제 4항에 있어서,
    상기 제 1 기판이 배치된 진공조 내부에, 산화 가스와 질화 가스 중 어느 한 쪽 또는 양쪽을 플라즈마화하면서,
    상기 진공조 내에서 제 1 금속 타겟을 스퍼터링하여, 상기 제 1 기판 표면 상에 제 1 투명막을 형성한 후,
    상기 제 1 기판을 상기 진공조 내에 배치한 채로, 상기 진공조 내부에서 산화 가스와 질화 가스 중 어느 한 쪽 또는 양쪽을 플라즈마화하면서,
    상기 제 1 금속 타겟과 다른 종류의 금속을 주성분으로 하는 제 2 타겟을 스퍼터링하여, 제 1 투명막의 표면 상에 제 2 투명막을 형성하여 반사 방지층을 형성한 후,
    상기 제 1 기판을 상기 진공조 내에 배치한 채로, 이 진공조 내에서 In2O3를 주성분으로 하고 Ti가 첨가된 상기 타겟을 스퍼터링하여 상기 투명 전극막을 형성하는 것을 특징으로 하는 터치 패널의 제조 방법.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101122949B1 (ko) * 2010-04-28 2012-06-12 삼성모바일디스플레이주식회사 터치 스크린 패널 및 그 제조방법
KR101241632B1 (ko) * 2011-01-25 2013-03-11 엘지이노텍 주식회사 터치 패널의 제조 방법
KR20160015780A (ko) * 2014-07-31 2016-02-15 엘지디스플레이 주식회사 터치 스크린을 포함하는 표시장치

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8243426B2 (en) * 2008-12-31 2012-08-14 Apple Inc. Reducing optical effects in a display
GB2481188B (en) 2010-06-04 2014-12-31 Plastic Logic Ltd Assembling a display device
JP5568398B2 (ja) * 2010-07-13 2014-08-06 株式会社カネカ 透明電極つき基板およびその製造方法
CN108153078A (zh) 2016-12-05 2018-06-12 达意科技股份有限公司 电泳式显示面板
CN110716663B (zh) * 2019-09-17 2023-04-07 友达光电（苏州）有限公司 电子设备

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3265399B2 (ja) * 1992-02-27 2002-03-11 株式会社アルバック シリコン酸化膜と透明導電膜の連続形成方法
JP3746094B2 (ja) 1995-06-28 2006-02-15 出光興産株式会社 ターゲットおよびその製造方法
JP3447163B2 (ja) 1995-11-30 2003-09-16 出光興産株式会社 透明導電積層体
JP3589519B2 (ja) 1995-11-30 2004-11-17 出光興産株式会社 タッチパネル
JP2002222055A (ja) 2001-01-26 2002-08-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd タッチパネル
US6896981B2 (en) * 2001-07-24 2005-05-24 Bridgestone Corporation Transparent conductive film and touch panel
JP2003151366A (ja) * 2001-08-02 2003-05-23 Bridgestone Corp 透明導電フィルム及びその製造方法並びにタッチパネル
JP2005141325A (ja) * 2003-11-04 2005-06-02 Gunze Ltd 透明タッチパネル
JP2004318899A (ja) * 2004-05-26 2004-11-11 Idemitsu Kosan Co Ltd タッチパネル
US8059109B2 (en) * 2005-05-20 2011-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic apparatus

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101122949B1 (ko) * 2010-04-28 2012-06-12 삼성모바일디스플레이주식회사 터치 스크린 패널 및 그 제조방법
US8623497B2 (en) 2010-04-28 2014-01-07 Samsung Display Co., Ltd. Touch screen panel and fabricating method for the same
KR101241632B1 (ko) * 2011-01-25 2013-03-11 엘지이노텍 주식회사 터치 패널의 제조 방법
KR20160015780A (ko) * 2014-07-31 2016-02-15 엘지디스플레이 주식회사 터치 스크린을 포함하는 표시장치

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Publication number Publication date
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US20100013787A1 (en) 2010-01-21

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