JPH07211144A - 透明導電体 - Google Patents
透明導電体Info
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- JPH07211144A JPH07211144A JP571794A JP571794A JPH07211144A JP H07211144 A JPH07211144 A JP H07211144A JP 571794 A JP571794 A JP 571794A JP 571794 A JP571794 A JP 571794A JP H07211144 A JPH07211144 A JP H07211144A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】初期の電気抵抗値が低く、しかも表面硬度なら
びに透明性に優れた透明導電体を提供する。 【構成】透光性樹脂基板と透明導電層との間に、フッ素
系樹脂と金属酸化物からなる混合被膜が形成されてい
る。
びに透明性に優れた透明導電体を提供する。 【構成】透光性樹脂基板と透明導電層との間に、フッ素
系樹脂と金属酸化物からなる混合被膜が形成されてい
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、透光性樹脂を基板とす
る導電性に優れた透明導電体に関する。
る導電性に優れた透明導電体に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、樹脂基板上に透明導電層を形成す
る場合、その樹脂基板としてポリカーボネート、ポリエ
チレンテレフタレート等が使用されている。しかしなが
ら、これらの樹脂基板は、表面硬度が低いため透明導電
層を形成するには、表面硬度を向上させる必要があり、
具体的には、例えば、樹脂基板上に中間層として有機系
ハードコート層又は金属酸化物層を形成したり、有機系
ハードコート層と金属酸化物層の積層構造を形成するこ
とにより、表面硬度の向上を図る方法が開示されている
（特開昭５２−１１６８９６号公報、特開昭６０−１２
７６０８号公報、特開昭６１−１３００４５号公報、特
開昭６３−９０６号公報、特開昭６３−１０８６１４号
公報等）。
る場合、その樹脂基板としてポリカーボネート、ポリエ
チレンテレフタレート等が使用されている。しかしなが
ら、これらの樹脂基板は、表面硬度が低いため透明導電
層を形成するには、表面硬度を向上させる必要があり、
具体的には、例えば、樹脂基板上に中間層として有機系
ハードコート層又は金属酸化物層を形成したり、有機系
ハードコート層と金属酸化物層の積層構造を形成するこ
とにより、表面硬度の向上を図る方法が開示されている
（特開昭５２−１１６８９６号公報、特開昭６０−１２
７６０８号公報、特開昭６１−１３００４５号公報、特
開昭６３−９０６号公報、特開昭６３−１０８６１４号
公報等）。
【０００３】上記透明導電層の電気特性を左右する要因
として、成膜中の酸素の影響が挙げられるが、樹脂基板
上に直接導電層を形成すると、成膜中に樹脂基板表面か
ら水分が蒸発し、これが膜内部に浸入して膜中酸素濃度
が上昇し、電気抵抗が増加するという問題点があった。
また、樹脂基板表面に有機ハードコート層が設けられて
いても、その層自体が水分を吸着していたり、樹脂基板
から水分の浸入を防止するためのバリヤー性が不足して
いた。また、金属酸化物層についても同様の問題点が指
摘されている。
として、成膜中の酸素の影響が挙げられるが、樹脂基板
上に直接導電層を形成すると、成膜中に樹脂基板表面か
ら水分が蒸発し、これが膜内部に浸入して膜中酸素濃度
が上昇し、電気抵抗が増加するという問題点があった。
また、樹脂基板表面に有機ハードコート層が設けられて
いても、その層自体が水分を吸着していたり、樹脂基板
から水分の浸入を防止するためのバリヤー性が不足して
いた。また、金属酸化物層についても同様の問題点が指
摘されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記欠点に
鑑みてなされたものであり、その目的は、初期の電気抵
抗値が低く、しかも表面硬度ならびに透明性に優れた透
明導電体を提供することにある。
鑑みてなされたものであり、その目的は、初期の電気抵
抗値が低く、しかも表面硬度ならびに透明性に優れた透
明導電体を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の透明導電体は、
透光性樹脂基板と透明導電層との間にフッ素系樹脂と金
属酸化物とからなる混合被膜が形成されている。
透光性樹脂基板と透明導電層との間にフッ素系樹脂と金
属酸化物とからなる混合被膜が形成されている。
【０００６】上記透光性樹脂基板としては、ポリカーボ
ネート、ポリメチルメタクリレート、ポリエチレンテレ
フタレート等の樹脂シートが挙げられる。
ネート、ポリメチルメタクリレート、ポリエチレンテレ
フタレート等の樹脂シートが挙げられる。
【０００７】上記透明導電層は、特に限定されるもので
はなく、従来公知の酸化インジウム、酸化錫、酸化亜鉛
等の金属酸化物被膜、あるいはこれらの金属酸化物被膜
中に金属不純物（ドーパント）が混入されたものから形
成されていてもよい。
はなく、従来公知の酸化インジウム、酸化錫、酸化亜鉛
等の金属酸化物被膜、あるいはこれらの金属酸化物被膜
中に金属不純物（ドーパント）が混入されたものから形
成されていてもよい。
【０００８】上記透明導電層の膜厚は、要求される物性
や用途等によって異なるが、電気抵抗の制御性や透明性
を考慮すると、１００〜１０００Åが好ましい。
や用途等によって異なるが、電気抵抗の制御性や透明性
を考慮すると、１００〜１０００Åが好ましい。
【０００９】上記透明導電層を形成する方法としては、
真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング
法、ＣＶＤ法等が挙げられるが、樹脂基板の熱変形温度
を考慮すると、真空蒸着法又はスパッタリング法による
成膜が好ましい。
真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング
法、ＣＶＤ法等が挙げられるが、樹脂基板の熱変形温度
を考慮すると、真空蒸着法又はスパッタリング法による
成膜が好ましい。
【００１０】上記混合被膜に用いられるフッ素系樹脂と
しては、例えば、ポリテトラフルオロエチレン（以下Ｐ
ＴＦＥという）、テトラフルオロエチレン−ヘキサフル
オロプロピレン共重合体（以下ＦＥＰという）、ポリク
ロロトリフルオロエチレン、テトラフルオロエチレン−
エチレン共重合体、ポリビニルフルオライド、ポリビニ
リデンフルオライド、テトラフルオロエチレン−パーフ
ルオロアルキルビニルエーテル共重合体等が挙げられる
が、特にＰＴＦＥ、ＦＥＰが好ましい。
しては、例えば、ポリテトラフルオロエチレン（以下Ｐ
ＴＦＥという）、テトラフルオロエチレン−ヘキサフル
オロプロピレン共重合体（以下ＦＥＰという）、ポリク
ロロトリフルオロエチレン、テトラフルオロエチレン−
エチレン共重合体、ポリビニルフルオライド、ポリビニ
リデンフルオライド、テトラフルオロエチレン−パーフ
ルオロアルキルビニルエーテル共重合体等が挙げられる
が、特にＰＴＦＥ、ＦＥＰが好ましい。
【００１１】上記混合被膜に用いられる金属酸化物とし
ては、例えば、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｚｎ、
Ｓｎ、Ｉｎ、Ｙ、Ｗ、Ｃａ等の金属の酸化物が挙げら
れ、これらの金属酸化物の１種又は２種以上が使用され
る。
ては、例えば、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｚｎ、
Ｓｎ、Ｉｎ、Ｙ、Ｗ、Ｃａ等の金属の酸化物が挙げら
れ、これらの金属酸化物の１種又は２種以上が使用され
る。
【００１２】上記混合被膜中、金属酸化物成分の含有量
が多くなると水分に対するバリヤー性が低下し、フッ素
系樹脂成分の含有量が多くなると表面硬度が低下するの
で、両成分の比（金属酸化物成分：フッ素系樹脂成分）
は２０：８０〜８０：２０（Ｖｏｌ％）の範囲が好まし
い。
が多くなると水分に対するバリヤー性が低下し、フッ素
系樹脂成分の含有量が多くなると表面硬度が低下するの
で、両成分の比（金属酸化物成分：フッ素系樹脂成分）
は２０：８０〜８０：２０（Ｖｏｌ％）の範囲が好まし
い。
【００１３】上記フッ素系樹脂と金属酸化物との混合被
膜を形成する方法としては、真空蒸着法、スパッタリン
グ法が用いられる。真空蒸着法としては、例えば、フッ
素系樹脂と金属酸化物を個々のるつぼに入れ、同時に蒸
発させて基板上に成膜する方法が挙げられる。また、ス
パッタリング法としては、例えば、フッ素系樹脂と金属
酸化物とをそれぞれターゲットとし、各ターゲットに各
々独立した電力を投入して同時にスパッタリングを行
い、基板上に成膜する方法が挙げられる。
膜を形成する方法としては、真空蒸着法、スパッタリン
グ法が用いられる。真空蒸着法としては、例えば、フッ
素系樹脂と金属酸化物を個々のるつぼに入れ、同時に蒸
発させて基板上に成膜する方法が挙げられる。また、ス
パッタリング法としては、例えば、フッ素系樹脂と金属
酸化物とをそれぞれターゲットとし、各ターゲットに各
々独立した電力を投入して同時にスパッタリングを行
い、基板上に成膜する方法が挙げられる。
【００１４】また、上記混合被膜成膜の次工程で行われ
る透明導電層の成膜を考慮すると、上記混合被膜と透明
導電層を同一の真空槽内で形成するのが好ましく、この
ような観点から真空蒸着法又はスパッタリング法による
成膜が好ましい。
る透明導電層の成膜を考慮すると、上記混合被膜と透明
導電層を同一の真空槽内で形成するのが好ましく、この
ような観点から真空蒸着法又はスパッタリング法による
成膜が好ましい。
【００１５】以下、本発明２について説明する。本発明
２の透明導電体は、透光性樹脂基板と透明導電層との間
に中間層を有する。
２の透明導電体は、透光性樹脂基板と透明導電層との間
に中間層を有する。
【００１６】上記透光性樹脂基板としては、本発明で用
いられるものと同一の樹脂シートが使用される。
いられるものと同一の樹脂シートが使用される。
【００１７】上記中間層は、透光性樹脂基板上にＳｉＯ
2 被膜が形成され、次いで該ＳｉＯ 2 被膜上にフッ素系
樹脂とＳｉＯ2 との混合被膜が積層され、さらに該混合
被膜上にＳｉＯ2 被膜が積層された積層体から形成され
る。
2 被膜が形成され、次いで該ＳｉＯ 2 被膜上にフッ素系
樹脂とＳｉＯ2 との混合被膜が積層され、さらに該混合
被膜上にＳｉＯ2 被膜が積層された積層体から形成され
る。
【００１８】上記樹脂基板上に形成されるＳｉＯ2 被膜
は、樹脂基板との密着性を向上させるために設けられる
ものであり、その膜厚は１００〜１０００Åが好まし
い。
は、樹脂基板との密着性を向上させるために設けられる
ものであり、その膜厚は１００〜１０００Åが好まし
い。
【００１９】上記フッ素系樹脂とＳｉＯ2 との混合被膜
中、金属酸化物成分の含有量が多くなると水分に対する
バリヤー性が低下し、フッ素系樹脂成分の含有量が多く
なると表面硬度が低下するので、両成分の比（金属酸化
物成分：フッ素系樹脂成分）は２０：８０〜８０：２０
（Ｖｏｌ％）の範囲が好ましい。
中、金属酸化物成分の含有量が多くなると水分に対する
バリヤー性が低下し、フッ素系樹脂成分の含有量が多く
なると表面硬度が低下するので、両成分の比（金属酸化
物成分：フッ素系樹脂成分）は２０：８０〜８０：２０
（Ｖｏｌ％）の範囲が好ましい。
【００２０】上記フッ素系樹脂とＳｉＯ2 との混合被膜
の膜厚は１０００〜３００００Å（３μｍ）が好まし
く、より好ましくは１００００〜２００００Å（１〜２
μｍ）である。
の膜厚は１０００〜３００００Å（３μｍ）が好まし
く、より好ましくは１００００〜２００００Å（１〜２
μｍ）である。
【００２１】上記混合被膜上に積層されるＳｉＯ2 被膜
は、ハードコート性を向上させるために設けられるもで
あり、その膜厚は薄くなると十分なハードコート性が得
られず、厚くなるとＳｉＯ2 被膜の応力で樹脂基板が変
形を起こすので、１００００〜５００００Å（１〜５μ
ｍ）が好ましい。
は、ハードコート性を向上させるために設けられるもで
あり、その膜厚は薄くなると十分なハードコート性が得
られず、厚くなるとＳｉＯ2 被膜の応力で樹脂基板が変
形を起こすので、１００００〜５００００Å（１〜５μ
ｍ）が好ましい。
【００２２】上記ＳｉＯ2 被膜ならびにフッ素系樹脂と
ＳｉＯ2 との混合被膜を形成する方法としては、特に限
定されず、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレ
ーティング法、ＣＶＤ法等が挙げられるが、樹脂基板の
熱変形温度を考慮すると、真空蒸着法又はスパッタリン
グ法による成膜が好ましい。
ＳｉＯ2 との混合被膜を形成する方法としては、特に限
定されず、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレ
ーティング法、ＣＶＤ法等が挙げられるが、樹脂基板の
熱変形温度を考慮すると、真空蒸着法又はスパッタリン
グ法による成膜が好ましい。
【００２３】上記透明導電層はＺｎＯを主成分とし、比
抵抗を低下させるためにＳｉが不純物として添加された
ものから形成される。Ｓｉの量は、ＺｎＯに対して０．
１〜２０ｗｔ％が好ましく、より好ましくは５〜１５ｗ
ｔ％である。
抵抗を低下させるためにＳｉが不純物として添加された
ものから形成される。Ｓｉの量は、ＺｎＯに対して０．
１〜２０ｗｔ％が好ましく、より好ましくは５〜１５ｗ
ｔ％である。
【００２４】上記透明導電層の膜厚は、要求される性能
や用途等によって異なるが、電気抵抗の制御性、透明性
などを考慮すると、１００〜１０００Åが好ましい。
や用途等によって異なるが、電気抵抗の制御性、透明性
などを考慮すると、１００〜１０００Åが好ましい。
【００２５】上記透明導電層を形成する方法としては、
特に限定されず、真空蒸着法、スパッタリング法、イオ
ンプレーティング法、ＣＶＤ法等が挙げられるが、樹脂
基板の熱変形温度を考慮すると真空蒸着法又はスパッタ
リング法による成膜が好ましい。また、混合被膜と透明
導電層とを同一の真空槽で成膜するのが好ましく、この
ような観点からも真空蒸着法又はスパッタリング法が好
ましい。
特に限定されず、真空蒸着法、スパッタリング法、イオ
ンプレーティング法、ＣＶＤ法等が挙げられるが、樹脂
基板の熱変形温度を考慮すると真空蒸着法又はスパッタ
リング法による成膜が好ましい。また、混合被膜と透明
導電層とを同一の真空槽で成膜するのが好ましく、この
ような観点からも真空蒸着法又はスパッタリング法が好
ましい。
【００２６】上記中間層及び透明導電層を真空蒸着法に
より形成する方法としては、例えば、ＳｉＯ2 、フッ素
系樹脂及びＺｎＯを別々のるつぼに入れ、まず、ＳｉＯ
2 、次いでＳｉＯ2 とフッ素系樹脂を同時に、次にＳｉ
Ｏ2 、最後にＳｉＯ2 とＺｎＯを同時に蒸発させて、樹
脂基板上に成膜する方法が挙げられる。上記 ＳｉＯ2
とＺｎＯを同時に蒸発させるには、ＺｎＯに予めＳｉＯ
2 が添加された焼結体を用いてもよい。
より形成する方法としては、例えば、ＳｉＯ2 、フッ素
系樹脂及びＺｎＯを別々のるつぼに入れ、まず、ＳｉＯ
2 、次いでＳｉＯ2 とフッ素系樹脂を同時に、次にＳｉ
Ｏ2 、最後にＳｉＯ2 とＺｎＯを同時に蒸発させて、樹
脂基板上に成膜する方法が挙げられる。上記 ＳｉＯ2
とＺｎＯを同時に蒸発させるには、ＺｎＯに予めＳｉＯ
2 が添加された焼結体を用いてもよい。
【００２７】また、上記中間層及び透明導電層をスパッ
タリング法により形成する方法としては、例えば、Ｓｉ
Ｏ2 、ＺｎＯ単体又はＺｎＯにＳｉＯ2 を添加したもの
をターゲットとして、各々のターゲットにそれぞれ独立
した電力を投入し、各ターゲット個別又は同時にスパッ
タリングを行い、樹脂基板上に成膜する方法が挙げられ
る。
タリング法により形成する方法としては、例えば、Ｓｉ
Ｏ2 、ＺｎＯ単体又はＺｎＯにＳｉＯ2 を添加したもの
をターゲットとして、各々のターゲットにそれぞれ独立
した電力を投入し、各ターゲット個別又は同時にスパッ
タリングを行い、樹脂基板上に成膜する方法が挙げられ
る。
【００２８】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。実施例１
〜６及び比較例１〜４は請求項１に対応し、実施例７〜
１０及び比較例５〜８は請求項２に対応する。 （実施例１）ポリカーボネート基板（旭硝子社製、１０
０×１００×２ｍｍ）表面をエタノールで洗浄して表面
の油分を除去した後、スパッタリング装置内に入れ、装
置内を２×１０-5Ｔｏｒｒ以下になるまで真空排気し
た。次いで、装置内にＡｒガスを５×１０-3Ｔｏｒｒに
なるまで導入し、基板上にＳｉＯ2 とＰＴＦＥターゲッ
トを同時にスパッタリングして、表１に示した膜厚のフ
ッ素系樹脂と金属酸化物の混合被膜を形成した。次に、
Ａｒガス９７ｖｏｌ％、酸素ガス３ｖｏｌ％の混合ガス
を３×１０-3Ｔｏｒｒになるまで導入し、この雰囲気中
で酸化錫を１０ｗｔ％含有する酸化インジウム焼結体を
ターゲットとしてスパッタリングを行い、上記混合被膜
上に、表１に示した膜厚の錫含有酸化インジウム（ＩＴ
Ｏ）からなる透明導電層を形成することにより、透明導
電体を得た。
〜６及び比較例１〜４は請求項１に対応し、実施例７〜
１０及び比較例５〜８は請求項２に対応する。 （実施例１）ポリカーボネート基板（旭硝子社製、１０
０×１００×２ｍｍ）表面をエタノールで洗浄して表面
の油分を除去した後、スパッタリング装置内に入れ、装
置内を２×１０-5Ｔｏｒｒ以下になるまで真空排気し
た。次いで、装置内にＡｒガスを５×１０-3Ｔｏｒｒに
なるまで導入し、基板上にＳｉＯ2 とＰＴＦＥターゲッ
トを同時にスパッタリングして、表１に示した膜厚のフ
ッ素系樹脂と金属酸化物の混合被膜を形成した。次に、
Ａｒガス９７ｖｏｌ％、酸素ガス３ｖｏｌ％の混合ガス
を３×１０-3Ｔｏｒｒになるまで導入し、この雰囲気中
で酸化錫を１０ｗｔ％含有する酸化インジウム焼結体を
ターゲットとしてスパッタリングを行い、上記混合被膜
上に、表１に示した膜厚の錫含有酸化インジウム（ＩＴ
Ｏ）からなる透明導電層を形成することにより、透明導
電体を得た。
【００２９】（実施例２）フッ素系樹脂と金属酸化物の
混合被膜の膜厚を、表１に示した膜厚となるように成膜
したこと以外は、実施例１と同様にして、透明導電体を
得た。
混合被膜の膜厚を、表１に示した膜厚となるように成膜
したこと以外は、実施例１と同様にして、透明導電体を
得た。
【００３０】（実施例３）フッ素系樹脂と金属酸化物の
混合被膜を、表１に示した膜厚となるように成膜したこ
と以外は、実施例１と同様にして、透明導電体を得た。
混合被膜を、表１に示した膜厚となるように成膜したこ
と以外は、実施例１と同様にして、透明導電体を得た。
【００３１】（実施例４）フッ素系樹脂と金属酸化物の
混合被膜を表１に示した膜厚となるように成膜したこと
以外は、実施例１と同様にして、透明導電体を得た。
混合被膜を表１に示した膜厚となるように成膜したこと
以外は、実施例１と同様にして、透明導電体を得た。
【００３２】（実施例５）金属酸化物として酸化錫を１
０ｗｔ％含有する酸化インジウム焼結体に代えて、Ａｌ
2 Ｏ3 を５ｗｔ％含有するＺｎＯ焼結体を使用したこと
以外は、実施例２と同様にして、透明導電体を得た。
０ｗｔ％含有する酸化インジウム焼結体に代えて、Ａｌ
2 Ｏ3 を５ｗｔ％含有するＺｎＯ焼結体を使用したこと
以外は、実施例２と同様にして、透明導電体を得た。
【００３３】（実施例６）金属酸化物としてＺｒＯ2 を
使用したこと以外は、実施例２と同様にして、透明導電
体を得た。
使用したこと以外は、実施例２と同様にして、透明導電
体を得た。
【００３４】（比較例１）基板上にフッ素系樹脂と金属
酸化物の混合被膜を全く形成しなかったこと以外は、実
施例１と同様にして、基板上に表１に示した膜厚の錫含
有酸化インジウム（ＩＴＯ）からなる透明導電層を有す
る透明導電体を得た。
酸化物の混合被膜を全く形成しなかったこと以外は、実
施例１と同様にして、基板上に表１に示した膜厚の錫含
有酸化インジウム（ＩＴＯ）からなる透明導電層を有す
る透明導電体を得た。
【００３５】（比較例２）ポリカーボネート基板を実施
例１と同様に洗浄した後、シリコーン樹脂系ハードコー
ト剤（信越化学社製「ＫＰ−８５」）をディッピング法
によって塗布し、１２０℃×２時間加熱して硬化させ、
表１に示した膜厚のハードコート被膜を形成した。次い
で、スパッタリング装置内に入れ、装置内を２×１０-5
Ｔｏｒｒ以下になるまで真空排気した後、装置内にＡｒ
ガス９７ｖｏｌ％、酸素ガス３ｖｏｌ％の混合ガスを装
置内圧力が３×１０-3Ｔｏｒｒになるまで導入し、この
雰囲気中で、酸化錫を１０ｗｔ％含有する酸化インジウ
ム焼結体を用いてスパッタリングを行い、上記ハードコ
ート被膜上に、表１に示した膜厚の錫含有酸化インジウ
ム（ＩＴＯ）からなる透明導電層を形成することによ
り、透明導電体を得た。
例１と同様に洗浄した後、シリコーン樹脂系ハードコー
ト剤（信越化学社製「ＫＰ−８５」）をディッピング法
によって塗布し、１２０℃×２時間加熱して硬化させ、
表１に示した膜厚のハードコート被膜を形成した。次い
で、スパッタリング装置内に入れ、装置内を２×１０-5
Ｔｏｒｒ以下になるまで真空排気した後、装置内にＡｒ
ガス９７ｖｏｌ％、酸素ガス３ｖｏｌ％の混合ガスを装
置内圧力が３×１０-3Ｔｏｒｒになるまで導入し、この
雰囲気中で、酸化錫を１０ｗｔ％含有する酸化インジウ
ム焼結体を用いてスパッタリングを行い、上記ハードコ
ート被膜上に、表１に示した膜厚の錫含有酸化インジウ
ム（ＩＴＯ）からなる透明導電層を形成することによ
り、透明導電体を得た。
【００３６】（比較例３）ポリカーボネート基板を実施
例１と同様に洗浄した後、スパッタリング装置内に入
れ、装置内を２×１０-5Ｔｏｒｒ以下になるまで真空排
気した。次いで、装置内にＡｒガスを装置内圧力が３×
１０-3Ｔｏｒｒになるまで導入し、フッ素系樹脂を全く
使用せず、金属酸化物としてＳｉＯ2 をスパッタリング
して、表１に示した膜厚の被膜を形成した。続いて、装
置内にＡｒガス９７ｖｏｌ％、酸素ガス３ｖｏｌ％の混
合ガスを装置内圧力が３×１０-3Ｔｏｒｒになるまで導
入し、この雰囲気中で、酸化錫を１０ｗｔ％含有する酸
化インジウム焼結体を用いてスパッタリングを行い、上
記ＳｉＯ2 被膜上に、表１に示した膜厚の錫含有酸化イ
ンジウム（ＩＴＯ）からなる透明導電層を形成すること
により、透明導電体を得た。
例１と同様に洗浄した後、スパッタリング装置内に入
れ、装置内を２×１０-5Ｔｏｒｒ以下になるまで真空排
気した。次いで、装置内にＡｒガスを装置内圧力が３×
１０-3Ｔｏｒｒになるまで導入し、フッ素系樹脂を全く
使用せず、金属酸化物としてＳｉＯ2 をスパッタリング
して、表１に示した膜厚の被膜を形成した。続いて、装
置内にＡｒガス９７ｖｏｌ％、酸素ガス３ｖｏｌ％の混
合ガスを装置内圧力が３×１０-3Ｔｏｒｒになるまで導
入し、この雰囲気中で、酸化錫を１０ｗｔ％含有する酸
化インジウム焼結体を用いてスパッタリングを行い、上
記ＳｉＯ2 被膜上に、表１に示した膜厚の錫含有酸化イ
ンジウム（ＩＴＯ）からなる透明導電層を形成すること
により、透明導電体を得た。
【００３７】（比較例４）比較例２と同様にして、ポリ
カーボネート基板上にシリコーン樹脂系ハードコート被
膜を形成した後、スパッタリング装置内に入れ、装置内
を２×１０-5Ｔｏｒｒ以下になるまで真空排気した。次
いで、装置内にＡｒガスを装置内圧力が５×１０-3Ｔｏ
ｒｒになるまで導入し、フッ素系樹脂を全く使用せず、
金属酸化物としてＳｉＯ2 をスパッタリングして、表１
に示した膜厚の被膜を形成した。続いて、装置内にＡｒ
ガス９７ｖｏｌ％、酸素ガス３ｖｏｌ％の混合ガスを装
置内圧力が３×１０-3Ｔｏｒｒになるまで導入し、この
雰囲気中で、酸化錫を１０ｗｔ％含有する酸化インジウ
ム焼結体を用いてスパッタリングを行い、上記ＳｉＯ2
被膜上に、表１に示した膜厚の錫含有酸化インジウム
（ＩＴＯ）からなる透明導電層を形成することにより、
透明導電体を得た。
カーボネート基板上にシリコーン樹脂系ハードコート被
膜を形成した後、スパッタリング装置内に入れ、装置内
を２×１０-5Ｔｏｒｒ以下になるまで真空排気した。次
いで、装置内にＡｒガスを装置内圧力が５×１０-3Ｔｏ
ｒｒになるまで導入し、フッ素系樹脂を全く使用せず、
金属酸化物としてＳｉＯ2 をスパッタリングして、表１
に示した膜厚の被膜を形成した。続いて、装置内にＡｒ
ガス９７ｖｏｌ％、酸素ガス３ｖｏｌ％の混合ガスを装
置内圧力が３×１０-3Ｔｏｒｒになるまで導入し、この
雰囲気中で、酸化錫を１０ｗｔ％含有する酸化インジウ
ム焼結体を用いてスパッタリングを行い、上記ＳｉＯ2
被膜上に、表１に示した膜厚の錫含有酸化インジウム
（ＩＴＯ）からなる透明導電層を形成することにより、
透明導電体を得た。
【００３８】
【表１】 なお、表１に示した膜厚は電子顕微鏡（日本電子社製
「ＪＳＭ−Ｔ３００」）により測定した。
「ＪＳＭ−Ｔ３００」）により測定した。
【００３９】透明導電体の性能評価 上記実施例及び比較例で得られた透明導電体につき下記
の性能評価を行い、その結果を表２に示した。但し、水
分バリヤー性については、別途試験用透明導電体を調製
した。 （１）水分バリヤー性 １８０μｍのポリカーボネートフィルム基材上に、各実
施例及び比較例に対応する混合被膜、透明導電層等を形
成した後、ＪＩＳ Ｚ０２０８に準拠して、透湿度を測
定した。
の性能評価を行い、その結果を表２に示した。但し、水
分バリヤー性については、別途試験用透明導電体を調製
した。 （１）水分バリヤー性 １８０μｍのポリカーボネートフィルム基材上に、各実
施例及び比較例に対応する混合被膜、透明導電層等を形
成した後、ＪＩＳ Ｚ０２０８に準拠して、透湿度を測
定した。
【００４０】（２）電気抵抗 抵抗率計（三菱油化社製「ロレスタＭＣＰ−Ｔ５０
０」、四端子測定）を用いて測定した。
０」、四端子測定）を用いて測定した。
【００４１】（３）光線透過率 自記分光光度計（島津製作所製「ＵＶ−３１０２Ｐ
Ｃ」）を用いて、全光線透過率を測定した。
Ｃ」）を用いて、全光線透過率を測定した。
【００４２】（４）表面硬度 ＪＩＳ Ｋ５４００に準拠して、鉛筆硬度を測定した。
【００４３】（５）混合被膜の組成 ＥＳＣＡにより混合被膜中の組成（ｖｏｌ％）を評価し
た。
た。
【００４４】
【表２】
【００４５】（実施例７）ポリカーボネート基板を実施
例１と同様に洗浄した後、ターゲットとしてＺｎＯ、Ｓ
ｉＯ2 及びＰＴＦＥが取り付けられたスパッタリング装
置内に入れ、装置内を２×１０-5Ｔｏｒｒ以下になるま
で真空排気した。次いで、装置内にＡｒガスを６×１０
-3Ｔｏｒｒ以下になるまで導入し、ＳｉＯ2 のみをスパ
ッタリングして、表３に示した膜厚の中間層第１層を形
成した。続いて、上記雰囲気中でＳｉＯ2 とＰＴＦＥと
を同時にスパッタリングして、表３に示した膜厚の中間
層第２層を形成した。さらに、上記雰囲気中で、再度Ｓ
ｉＯ2 のみをスパッタリングして、表３に示した膜厚の
中間層第３層を形成した。次に、Ａｒガス９７ｖｏｌ
％、酸素ガス３ｖｏｌ％の混合ガスを装置内圧力が３×
１０-3Ｔｏｒｒになるまで導入し、この雰囲気中でＺｎ
ＯとＳｉＯ2 とを同時にスパッタリングして、表３に示
した膜厚のＳｉ含有ＺｎＯからなる透明導電層を形成す
ることにより、透明導電体を得た。
例１と同様に洗浄した後、ターゲットとしてＺｎＯ、Ｓ
ｉＯ2 及びＰＴＦＥが取り付けられたスパッタリング装
置内に入れ、装置内を２×１０-5Ｔｏｒｒ以下になるま
で真空排気した。次いで、装置内にＡｒガスを６×１０
-3Ｔｏｒｒ以下になるまで導入し、ＳｉＯ2 のみをスパ
ッタリングして、表３に示した膜厚の中間層第１層を形
成した。続いて、上記雰囲気中でＳｉＯ2 とＰＴＦＥと
を同時にスパッタリングして、表３に示した膜厚の中間
層第２層を形成した。さらに、上記雰囲気中で、再度Ｓ
ｉＯ2 のみをスパッタリングして、表３に示した膜厚の
中間層第３層を形成した。次に、Ａｒガス９７ｖｏｌ
％、酸素ガス３ｖｏｌ％の混合ガスを装置内圧力が３×
１０-3Ｔｏｒｒになるまで導入し、この雰囲気中でＺｎ
ＯとＳｉＯ2 とを同時にスパッタリングして、表３に示
した膜厚のＳｉ含有ＺｎＯからなる透明導電層を形成す
ることにより、透明導電体を得た。
【００４６】（実施例８〜１０）中間層第２層と第３層
との膜厚を、表３に示したように変えたこと以外は、実
施例７と同様にして、透明導電体を得た。
との膜厚を、表３に示したように変えたこと以外は、実
施例７と同様にして、透明導電体を得た。
【００４７】（比較例５）中間層第１層〜第３層を全く
形成しなかったこと以外は、実施例７と同様にして、表
３に示した膜厚の透明導電層を有する透明導電体を得
た。
形成しなかったこと以外は、実施例７と同様にして、表
３に示した膜厚の透明導電層を有する透明導電体を得
た。
【００４８】（比較例６）比較例２と同様にしてポリカ
ーボネート基板上に、表３に示した膜厚のハードコート
被膜を形成し、さらに中間層第１層〜第３層を全く形成
しなかったこと以外は、実施例７と同様にして、表３に
示した膜厚の透明導電層を有する透明導電体を得た。
ーボネート基板上に、表３に示した膜厚のハードコート
被膜を形成し、さらに中間層第１層〜第３層を全く形成
しなかったこと以外は、実施例７と同様にして、表３に
示した膜厚の透明導電層を有する透明導電体を得た。
【００４９】（比較例７）実施例１と同様にして洗浄さ
れたポリカーボネート基板をスパッタリング装置に入
れ、装置内を２×１０-5Ｔｏｒｒ以下になるまで真空排
気した後、ＳｉＯ2のみをスパッタリングして、表３に
示した膜厚の中間層第１層を形成した。続いて、Ａｒガ
ス９７ｖｏｌ％、酸素ガス３ｖｏｌ％の混合ガスを装置
内圧力が３×１０-3Ｔｏｒｒになるまで導入し、この雰
囲気中でＺｎＯとＳｉＯ2 とを同時にスパッタリングし
て、表３に示した膜厚のＳｉ含有ＺｎＯからなる透明導
電層を形成することにより、透明導電体を得た。
れたポリカーボネート基板をスパッタリング装置に入
れ、装置内を２×１０-5Ｔｏｒｒ以下になるまで真空排
気した後、ＳｉＯ2のみをスパッタリングして、表３に
示した膜厚の中間層第１層を形成した。続いて、Ａｒガ
ス９７ｖｏｌ％、酸素ガス３ｖｏｌ％の混合ガスを装置
内圧力が３×１０-3Ｔｏｒｒになるまで導入し、この雰
囲気中でＺｎＯとＳｉＯ2 とを同時にスパッタリングし
て、表３に示した膜厚のＳｉ含有ＺｎＯからなる透明導
電層を形成することにより、透明導電体を得た。
【００５０】（比較例８）比較例２と同様にしてポリカ
ーボネート基板上に、表３に示した膜厚のハードコート
被膜を形成し、スパッタリング装置に取り付けた。次い
で、装置内を２×１０-5Ｔｏｒｒ以下になるまで真空排
気した後、ＳｉＯ 2 のみをスパッタリングして、表３に
示した膜厚の中間層第１層を形成した。続いて、Ａｒガ
ス９７ｖｏｌ％、酸素ガス３ｖｏｌ％の混合ガスを装置
内圧力が３×１０-3Ｔｏｒｒになるまで導入し、この雰
囲気中でＺｎＯとＳｉＯ2 とを同時にスパッタリングし
て、表３に示した膜厚のＳｉ含有ＺｎＯからなる透明導
電層を形成することにより、透明導電体を得た。
ーボネート基板上に、表３に示した膜厚のハードコート
被膜を形成し、スパッタリング装置に取り付けた。次い
で、装置内を２×１０-5Ｔｏｒｒ以下になるまで真空排
気した後、ＳｉＯ 2 のみをスパッタリングして、表３に
示した膜厚の中間層第１層を形成した。続いて、Ａｒガ
ス９７ｖｏｌ％、酸素ガス３ｖｏｌ％の混合ガスを装置
内圧力が３×１０-3Ｔｏｒｒになるまで導入し、この雰
囲気中でＺｎＯとＳｉＯ2 とを同時にスパッタリングし
て、表３に示した膜厚のＳｉ含有ＺｎＯからなる透明導
電層を形成することにより、透明導電体を得た。
【００５１】
【表３】 なお、表１に示した膜厚は電子顕微鏡（日本電子社製
「ＪＳＭ−Ｔ３００」）により測定した。
「ＪＳＭ−Ｔ３００」）により測定した。
【００５２】上記実施例及び比較例で得られた透明導電
体につき、実施例１と同様な項目の性能評価を行い、そ
の結果を表４に示した。但し、水分バリヤー性について
は、別途試験用透明導電体を調製した。
体につき、実施例１と同様な項目の性能評価を行い、そ
の結果を表４に示した。但し、水分バリヤー性について
は、別途試験用透明導電体を調製した。
【００５３】
【表４】
【００５４】
【発明の効果】本発明の透明導電体は、上述の構成であ
り、透光性樹脂基板と透明導電層との間に、撥水性を有
するフッ素系樹脂と金属酸化物との混合層が設けられて
いるので、初期の電気抵抗が小さく、しかも表面硬度な
らびに透明性に優れている。本発明２の透明導電体は、
上述の構成であり、透光性樹脂基板と透明導電層と間
に、撥水性を有するフッ素系樹脂と金属酸化物との混合
層が設けられているので、初期の電気抵抗が小さく、し
かも表面硬度ならびに透明性に優れている。
り、透光性樹脂基板と透明導電層との間に、撥水性を有
するフッ素系樹脂と金属酸化物との混合層が設けられて
いるので、初期の電気抵抗が小さく、しかも表面硬度な
らびに透明性に優れている。本発明２の透明導電体は、
上述の構成であり、透光性樹脂基板と透明導電層と間
に、撥水性を有するフッ素系樹脂と金属酸化物との混合
層が設けられているので、初期の電気抵抗が小さく、し
かも表面硬度ならびに透明性に優れている。
Claims (2)
- 【請求項１】透光性樹脂基板と透明導電層との間に、フ
ッ素系樹脂と金属酸化物からなる混合被膜が形成されて
いることを特徴とする透明導電体。 - 【請求項２】透光性樹脂基板と透明導電層との間に中間
層を有する透明導電体であって、該中間層は、ＳｉＯ2
被膜、フッ素系樹脂とＳｉＯ2 との混合被膜及びＳｉＯ
2 被膜が透光性樹脂基板上にこの順序で積層された積層
体から形成され、上記透明導電層がＳｉを含有するＺｎ
Ｏ被膜から形成されていることを特徴とする透明導電
体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP571794A JPH07211144A (ja) | 1994-01-24 | 1994-01-24 | 透明導電体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP571794A JPH07211144A (ja) | 1994-01-24 | 1994-01-24 | 透明導電体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07211144A true JPH07211144A (ja) | 1995-08-11 |
Family
ID=11618878
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP571794A Pending JPH07211144A (ja) | 1994-01-24 | 1994-01-24 | 透明導電体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07211144A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012167359A (ja) * | 2011-01-26 | 2012-09-06 | Mitsubishi Materials Corp | 水蒸気バリア膜 |
-
1994
- 1994-01-24 JP JP571794A patent/JPH07211144A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012167359A (ja) * | 2011-01-26 | 2012-09-06 | Mitsubishi Materials Corp | 水蒸気バリア膜 |
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