TWI374560B - Light emitting diode package employing lead terminal with reflecting surface - Google Patents
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1374560 24298pif2 、 爲第刪_號中文說明書無劃線修正本 修正日期101年7月17日 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明關於一種發光二極體封裝’且更特定言之，關 於一種使用具反射面之引線端的發光二極體封裝。 【先前技術】 一般而言，藉由根據系統之所要用途將LED晶片安 於各種封裝中來建構使用發光二極體（LED)晶片之2 系統。將侧面發光LED封裝安置於導光板之側面以提供= 因此’側面發光_封裝主要用於各種 圖1以及圖2分別為說明習知側面發光咖封 ^圖以及透視圖，且圖3為沿圖1中之線aa截取^剖視 參看圖1至圖3’側面發光led 端，亦即，第一引線端U以及第 —對引線 第二引線端自_青銅板製成之引線框°第一以及 銀（Ag)之表面以改良其反射率。第一 ，且具有鍍 二引線端I3由封裝主體丨5支樓。 線為丨丨以及第 (PPA)嵌入成型引線端而形成封農曰主=聚鄰笨二甲醯胺 為描述之簡便起見，可相對於第—引15山° 引線端13之位置將封裝主體15分 立線端11以及第二 及下部封裝主體15b。 乃 ^封裝主體15a以 上部封裝主體15a具有藉以暴露第一 二弓I線端13的空腔16。第一引錄 弓I線蠕11以及第 糾11以及第二弓丨線端13
24298piG 修正曰期101年7月17日 爲第96116453號中文說明書無gg線修 位於空腔16之底部（亦即，位於下部封裝主體…上）， 且在空腔内彼此間隔開。另外，第一引線端U錢第 線端13突出於封|主體15之外面用以電連接至外 源。向外突出之第一引線端Π以及第二引線端13可具有 多種形狀且可以不同形式f曲。i以及圖2展示橫 曲於封裝主體15之下部表面處用以確保表©黏著之引線 端11以及13。 1 LED晶片17在空腔16内被安裝於第一引線端n上 並電連接至此第線端u，且接錢由接線電連接至第 二引線端13。可用光傳輸樹脂23填充空腔％且在樹 可含有磷光體。 在習知側面發光LED封裝中，空腔16形成為伸長的， 且界疋空腔之側壁（尤其是主軸線方向上之側壁15评）經 形成而為麟的使得視肖在主減方向上增加。相應地’， 可能提供適用作顯示器之背光的㈣發光LED封裝，且進 步長:供月b夠視LED晶片以及磷光體之適當選擇而發射 白光之側面發光LED封裝。 然而，習知側面發光LED封裝之問題在於自LED晶 片向内壁15w發射之光由封裝主體之内壁15w吸收並散 射，此具有低反射率，導致光效率之劣化。另外，自LED 晶片直接入射於封裝主體15上之光使由ppA材料製成之 封裝主體之内壁複色。因此，當使用LED封裝較長時間 時’光效率更被劣化，從而導致降低LED封裝之使用壽命。 此外，由於由諸如PPA之材料製成之封裝主體15具 24298pi〇 修正日期101年7月Π曰 爲第96116453號中文說明書無劃線修正本 有不良散熱效能，因而LED晶片中所產生之熱不能容易地 分散至外面^>結果，接面溫度在操作LED晶片期間於LED 曰曰片中增加’攸而導致光效率之劣化。 同時’若用含有磷光體之光傳輸樹脂23填充空腔16, 則光傳輸樹脂23之上部表面為彎液面之形式，導致光效率 之劣化。若增加光傳輸樹脂23之量以解決此問題，則光傳 輸樹脂23向上突出於封裝主體15之上部表面之外並因此 可能容易被外力損壞。因此，已進行關於藉由將.少量含有 填光體之液體樹脂打點於LED晶片上而形成限制於空腔 16内之波長轉換部件的方法的研究。然而，由於液體樹脂 知因於空腔16之平坦底部而向下流動，因而難以形成&面 波長轉換部件。 【發明内容】 【技術問題】
本t月之目的在於提供—種具有改良光效率之LED *本發明之另-目的在於提供―種哪 輕歸^自咖晶片發射之細封裝之内壁Ϊ褪色 由對含有目的在於提供—種LED封裝，其中可藉 換部件。 樹脂進行打點而容易地形成波長轉 【技術解決方案】 (LE^C供「:使用具反射面之引線端的發光二極體 ()輯。簡本㈣之態_娜魄為具有安裝 1374560 24298pif2 爲第類6453號中文說明書無劃線修正本 修正日期1〇1年7月17日 於空腔内之LED晶片的LED封裝用以以視角輻射自LEd 晶片發射之光。LED封裝包括彼此間隔開之第一以及第二 引線端。第一引線端具有具LED晶片安裝區域之下部部分 以及藉由自下部部分彎曲而形成之至少一反射面。同時， 封裝主體支撐第一以及第二引線端並界定藉以暴露第一引 線端之LED晶片安裂區域以及反射面以及第二引線端之 一部分的空腔。第一以及第二引線端延伸於封裝主體之外 面。第一以及第二引線端由藉由處理金屬板並大體鍍有具 有咼反射率之材料而形成之引線框架製備。相應地，自 LED晶片發射之光可以高反射率而反射於反射面上，使得 封裝之光效率可被改良且歸因於自LED晶片發射 封裝主體之褪色可被防止或減輕。 ^ 在本發明之某些實施例中，第一引線端包含藉由自下 部部分彎曲而形成之級狀部分以及用以界定下部部分與級 狀部分之間的反射面之第一傾斜表面。相應地，由於自安 裝於LED aB>}女裝區域中之LED晶 >；發射的光被反射於 第一傾斜表面上，因而改良發光效率，且歸因於藉由第一 傾斜表面之光的阻斷而防止封裝主體之褪色。 同時’空腔可具有伸長形狀。此時，第—弓丨線端之第 -傾斜表面可跨越空腔之主軸線方向，且可與位於次袖線 方向上之封裝主體之内壁會合，或可終止於與内壁會合之 前。因此，可能提供側面發光LED封裝。、 曰口 此外，第一引線端可更包含藉由自下部部分彎曲而形 成且經定位以面朝第一傾斜表面之第二傾斜表面。因此， 7 1374560 24298pif2 ' 爲第96116453號中文說明書無劃線修正本 修正曰期⑻年7月17日 可能防止封裝主體之兩側内壁的褪色且更可能改良led 封裝之發光效率。 此外’第一引線端可更包含藉由自下部部分彎曲而形 成且相鄰於苐一以及第二傾斜表面而定位之第三以及第四 傾斜表面。因此，反射面形成於LED晶片周圍以更改良發 光效率且更防止封裝主體之褪色。 同時’可將LED晶片安裝於下部部分之led晶片安 裝區域t，且接線可將LED晶片連接至第二引線端。此 外，波長轉換部件可圍繞LED晶片。波長轉換部件含有用 以轉換自LED晶片發射之光之波長的磷光體。因此，可能 藉由組合LED晶片與磷光體而建構具有各種色彩之 其是白光。 波長轉換部件可經定位以由第一引線端之下部部分以 及傾斜表面限制。可藉由對液體樹脂進行打點來形成二長 轉換部件。糾’由於波長職部件由下料分以及傾斜 表面限制，因而可防止波長轉換部件突出於封|主體之上 部表面之外。此外，透明部件可填充空^ 轉換部件。 畏対及我 在本七月之某些實施例中，弟一弓丨線端具有用以藉由 自下部部分向上彎曲叫朝彼此而界定傾斜表面之翼开)部 分。此時，反射面包括由翼形部分界定之傾斜表面。因此°， 可增強自腦晶片發射之光的反射效率，從而產生^之 發光效率的改良’且可止封裝主體之褪色。 、 同時’封裝主體可與翼形部分一起形成界定空腔之内 24298pif2 修正日期101年7月17曰 爲第96116453號中文說明書無劃線修 壁。因此’封裝主體之側壁的厚度降低且熱可經由翼形部 分而分散，使得LED封裝之散熱效能被改良。 為形成彼此對稱之兩個側反射面，翼形部分可具有相 對於翼形部分所連接至的下部部分之對稱結構。·然而，翼 形部分不限減㈣騎構，而是連接至下部部分之一側 之翼形部分中之-者的寬度可大於連接至下部部分之另一 侧之另X形部分的寬度。因此，可以各種方式控制自封 裝所輻射之光的分佈。 同時，此等翼形部分之至少一者可具有在遠離下部部 刀之方向上增加之寬度。因此，純於兩個側反射面之間 ^内壁傾斜’财能藉由具有增加寬度之翼形部分形 宽反射而。 翼形部分之外部表面可由封裝主體覆蓋。然而，並非 限於此。可將翼形部分之外縣_至少-部分暴露於外 面露之翼形部分更改良LED封裝之散熱效能。 ㈣^時’第二弓丨線端可具有下部部分以及用以藉由自下 刀向上彎曲以面朝彼此而界定傾斜表面之翼形部分。 =目=於第i線端之翼形部分並排安置第二引線端之翼 ^二此時，封裝主體可與第—以及第二引線端之翼形 口P刀一起形成界定空腔之内壁。 此外，空腔可經形成而為伸長的。此時，可相對於空 方向且沿此方向將由第—以及第二引線端之翼 形。P刀界疋之兩個側反射面安置於兩侧上。因此，將翼形 部/刀安置於較寬側以改良光反射效率。 24298pif2 修正日期1〇1年7月17曰 爲第96116453號中文說明書無劃線修正本 將LED晶片安裝於第一引線端之下部部分的LED晶 片安裝區域中，且接線將LED晶片連接至第二引線端。此 外，另一接線可將LED晶片連接至第一引線端。 同時’波長轉換部件可覆蓋LED晶片。波長轉換部件 含有鱗光體並因此使自LED晶片發射之光的至少一部分 經受波長轉換。 【有利效應】 根據本發明，可能提供一種LED封裝，此LED封裝 使用由引線端之彎曲部分形成之反射面使得發光效率可被 改良且封裝主體之褪色可被減少。另外，可使用具有翼形 部分之引線端以提供反射面並改良封裝之 ^ 7 外，可能提供-種封裝，其中可#由對含有構光體^ ，體樹脂進行打點而料地形成具有適切狀之波長轉換 部件。 、 【實施方式】 在下文中，將參看所附圖式詳細描述 二=說明r的而提供下列實施例以將本發丄 1 ^所^ ΐ至熟習此項技術者。因此’本發明不限於本文 :說而可以不同形式加以實施。在圖式中，可 者:二组件之寬度、長度、厚度及其類似 门> 考數子在蛻明書中始終指示相同元件。 說明可應祕雜本㈣之料狀㈣封圖裝6 1374560
24298piC 修正曰期101年7月17日 爲第96116453號中文說明書無劃線修正本 的多種第一引線端，且圖7說明可應用於根據本發明之另 一實施例之侧面發光LED封裝的第一引線端。 參看圖4以及圖5，側面發光LED封裝包括一對引線 端，亦即，第一引線端51以及第二引線端53。第一引線 端51包括下部部分51b、藉由自下部部分彎曲而形成之級 狀部分51a以及形成於下部部分與級狀部分之間的第一傾 斜表面51c (見圖6(a))。下部部分51b包括LED晶片安裝 區域。同時，第二引線端53與第一引線端51間隔開且^ 安置於與第-引線端51之級狀料51a相同之水平面處。 第-引線端51錢第二引線端53由藉由處理諸如碌 二銅板之金屬板所製成之引線框架形成。特定言之，藉由 彎曲引線框架之某些部分而形成第—引線端51之級^ 分51a以及第—傾斜部分51ee為改良反射率 〔 端51以及第二引線端53可鍍有Ag、&、初、如、^ ^ 金、Mg合金、A1與Mg之合金或其類似物。 σ 同時，第一引線端51可更包括藉由自 ^曲而形成且經安置以面朝第_傾斜表面51第: 表面(見圖_)。此外，第一引線 第一傾斜 第二傾斜表面51d延伸且水平安置於與級狀部自 之水平面處的末端部分51e (見圖_。末=&相同 供平滑底部表面以改良光反射率。⑶^部分5卜提 第-引線端51以及第二弓丨線端53由 =藉由嵌入成型引線端Μ以及53來;成= 為描述之簡便起見，可相對於第-引線4=
II 1374560 24298pif2 修正日期101年7月17日 爲第96116453號中文說明書無劃線 51a與第二引線端53之位置將封震主 主體55a以及下部封裝主體55b。 刀成上。卩封裴 封裝主體55可具有μ u县咖 引線端53之伸長空腔56 ^由=一引線端51以及第二 下部部分Mb以及傾斜表自56 f露第一引線端之 級狀部分51a的-部分。腔56暴露第一引線端之 方向界定為主轴線方向，且將 將伸長空腔56之縱向 定為次軸線方向。將垂直於此縱向方向之方向界 第引線端51與第二引線端53在空腔％内 開。此外，第一引線端51以 4隔 時穿透封裝主體55之側壁用53向外延伸同 伸之引線端51以及53可且；?^至外部電源。向外延 曲。此處，展不検向¥曲於封裝主體&之下部表 ^ 確保表面黏著之引線端51以及幻。 用乂 ^-引線端之下部部* 51b經定位以朝向下部封裝主 H凹陷’ 此，凹面部分形成於空腔56之底部^同 1引線端之第-傾斜表面51e跨越空腔56之 方向’且與位於次㈣方向上之封裝域55之㈣會t 士於與内壁會合之前。亦即，經由空腔56暴露之第-面51c賴的而非連續的。因此，可能在不改變 方向上之視角之特性的情況下改良主軸線方向上： 且可祕立控制主軸線方向以及次軸線方向上之 y刀佈。第一引線端之第二傾斜表面51d亦跨越空腔56 12 1374560
24298piO 爲第96116453號中文說明書無劃線修正本 修正日期101年7月17日 ίίί線：向’且與位於次軸線方向上之封裝主體55之内 壁會合，或終止於與㈣會合之前。亦即，第二 ^經形成以與第—傾斜表面化對稱，從而產生對^光 將LED晶片57安裝於下部部分训之咖晶片安 區域中並接著藉由接、線59將LED晶片57電連接至第二^ 線端53。因此，自LED晶片57向位於主轴線方向上^封 裝主體55之内壁55w發射之光在到達封裝主體％之内壁 55w之前被反射於第—傾斜表面5U以及第二傾斜表面 51d上。由於第一引線端51鍍有具有高反射率之金屬因 而可能達成與由諸如PPA之歸製成之龍讀相比更高 之反射率。因此’由於自LED晶片發射之光之—部分以高 反射率而反射於傾斜表面51c以及51d上’因而側面發光 led封裝之光效率被改良。另外，可能減少直接入射於封 裝主體之内壁上之光的量’進而減輕封裝主體55之内壁的 褪色並因此廷長封裝之使用壽命。 同時，為改良次軸線方向上之反射率並防止位於次軸 線方向上的封裝主體55之内壁的褪色，第一引線端可包括 自下部部分51b向次軸線方向上的空腔％之兩側延伸之翼 幵>部分51f (見圖7)。翼形部分藉由自下部部分彎曲而形 成以界定第二以及第四傾斜表面，且第三以及第四傾斜表 面亦暴露於空腔56内。由於翼形部分51f與第一傾斜表面 51c以及第二傾斜表面51d分離，因而此等翼形部分51f 可經彎曲以具有不同於第一以及第二傾斜表面之傾角的傾 13 24298pi£2 修正日期101年7月17曰 爲第96116453號中文說明書無劃線修正本 角，進而獨立控制主以及次軸線方向上之反射特性。下文 將參看圖8至圖12詳細描述翼形部分之特徵。 再次參看圖5 ’可在LED晶片57上形成含有磷光體 之波長轉換部件63。可藉由將含有磷光體之液體樹脂打點 於下部部分51b上所界定之凹面部分内來形成波長轉換部 件。因此，可能形成受凹面部分限制之凸面波長轉換部件 63。由於習知侧面發光LED封裝具有平坦底部表面，因而 難以藉由對液體樹脂進行打點來形成波長轉換部件。然 =，由於在根據本發明之實施例之空腔56内形成凹面部 分’因而可能藉由使用液雜脂容㈣形成受凹面部分限 制之波長轉換部件。 且可乂右田 …、丨广口^艰軋驭矽氧樹脂製成， 以將自LED晶片57發射之光（例如， :::光⑽，可以各種方=== W光體以建構多種色彩。 片7以及 凹可用波長轉換部件63填充空腔56或可_由在 凹面。P分内形成波長轉換部 糟由在 成型部件來填充空腔56。 t在工㈣形成透明 圖8為說明根據本發明之另一每#/丨 封裝的示意圖，其作)為看，二側面發光咖 ，。，取之剖視圖牙=开=，)為沿 的，t之線D_D截取之剖視圖(_形。旧虛線指示 ，看圖8’_發紅EDm包㈣刪 丄374560
24298piC 修正曰期101年7月17日 爲第96116453號中文說明書無劃線修 第一引線端71以及第二引線端73。第一引線端71以及第 二引線端73由以諸如磷青銅板之金屬板製成之引線框架 形成’且可鍍以Ag、Cu、Ni、Au、A1合金、Mg合金、 A1與Mg之合金或其類似物以改良反射率。 第一引線端71包括具有LED晶片安裝區域之下部部 分71a以及翼形部分7lw，此等翼形部分71以藉由自下部 部分向上彎曲而形成傾斜表面使得翼形部分面朝彼此。傾 斜表面在LED Baa>j安裝區域之兩細彡成反射面。同時，第 二引線端73可包括下部部分…以及翼形部分^，此等 翼形，分73w藉由自下部部分仏向上彎曲而形成傾斜表 面使得翼科分面朝彼此H線端71與第二引線 73彼此間隔開，且其翼形部分、以及73w經並排安置 以形成兩個側反射面。如圖式中所展示的，翼形部分71评 以及73w可具有分助對於翼形部分所連接至的下部部分 71a以及73a之對稱結構。因此，可能獲取對稱光分佈。 然而’翼形部分71w以及73w並非限於此等對稱結構而可 具有不同寬度之不對稱結構。 同日守，使封裝主體75與第一引線端71以及第二引 端73轉合以支撐引線端。職主體75可藉由嵌入成型引 線端J1 一以及73而形成。封裝主體75覆蓋第一引線端71 以及第二引線端73之底部表面並圍繞翼形部分^以及 73评之外部表面。另外，封裝主體75可填充第一引 下部部分71a與第二引線端之下部部分73a之間的間隙以 及翼形部分71w與73w之間的間隙。此外，封裝主體乃 15 1374560
24298piG 爲第96116453號中文說明書無劃線修正本 ， 修正日期101年7月17日 可覆蓋翼形部分71w以及73W之上部末端表面。 第一引線端71以及第二引線端73延伸於封 之外面用以電連接至外部電源。向外突出之第 以及第二引線端73可具有多種形狀並可以不同料=71 同時，第一引線端71以及第二引線端73之翼^曲二 71w以及73w、經並排安置以形成兩個側反射面^刀 體75可與翼形部分一起形成空腔之内壁。特定令、又主 主體75形成連接由翼形部分71w以及73w界定，裝 的兩個侧内壁75W。如圖式中所展示的，内壁乃你=面 成而為傾斜的。同時，第一引線端71以及 鉍形 之下部部分71a以及73a形成空腔之底部表面。相^ 73 如圖8(a)中所展示形成空腔。 ％也’
同時，LED晶片77被安裝於第一引線端7 晶片安裴區域中且接著藉由接線79被連接至 LED 73°LED晶片77可藉由兩根接線79連接至第一、泉端 以及第二躲端73或可藉由導電雜難I接=端71 脚且藉由-根接線79電連接至第二弓 =3第;引 引線端71 #有長於第二引線端73之下部部分的下部 71a用以將LED晶片77安裝其上。 。丨刀 同時，波長轉換部件（未圖示）可覆蓋LED晶片77。 波長轉換料可由（例如）環氧或魏樹脂製成，且可含 有磷光體用以將自LED晶片77發射之光（例如，誌光『 轉換成黃光使得自LED晶片發射之光的至少一部^受 波長轉換。可以各種方式選擇LED晶片77以及磷光& = 1374560 24298pif2 爲第96116453號中文說明書無劃線修正本 修正曰期101年7月17曰 建構具有各種色彩之光。可將波長轉換部件定位 或空腔上。 、 根據此實施例，將引線端安置於空腔之底部表面以及 2個側表遽使得自LEDW 77發射之柄反射效率可 :改良。特定言之’在具有伸長空腔之側面發光咖 处攸而導致在較寬區域上形成反射面。同時，翼 以及73w反射朝向封裝主體75人射之光進而減少 =光的封裝主體75之褪色。另外’由於熱可經由翼形部 f政目而可改良封裝之散熱效能。此外 ^部分之料表_縣域75之厚度，職進經= 扁主體之政熱，從而更改良散熱效能。 如®此實施例中之第—引線端71卩及第二引線端73可由 钱ΓΙΓ樣示之引線框架形成。亦即，藉由衝壓或擠壓 =山銅板之平坦金屬板而形成彼關隔開之第一引線 =二及第二引線端73。第一引線端71以及第二引線端 延翼开;分71 a以及73a以及自下部部分之兩側 伸之翼W刀7hv以及73w。當翼形部分71w以及73w 向上^時，在兩側形成反射面。 儘：在此實施例中將第一引線端71以及第二引線端 、示〜、有矩形翼形部分71w以及73w，但其並非限於 如、® 10 t所展示的’可能使用具有各自擁有在遠離下 卩刀81a或83a之方向上增加的寬度之翼形部分“Μ以 3W的第一引線端81以及第二引線端83。具有增加之 17 24298pif2 修正日期101年7月17曰 爲第96116453辦文翻書細線修正本 反二^翼开:广8^以及83W可在伸長之兩側處提供較寬 傾斜時如此<· d成而如圖8中所展示為 為說明根據本發明之另—實施例之侧面發光 為的其中⑷為看穿封農主體之平面圖，(b) 見，省略LED W从接缘，_。_之簡便起 L£d2之T封裝具有與參看圖8所描述之侧面發光 翼二 ==8同的Γ。然而，不同之處在於將 外 W之外部表面暴露於封裝主體85之 外w t P實施例中，將翼形部分71W以及73w之 =表_至少-部分暴露於外面。 熱可=翼形部分分散至外面，從而改良散=產生之 LED 明根據本發明之又—實施例之側面發光 為沿中⑷為看穿封裝如 見，省略LED心及^取之糊。為撒簡便起 LEd2之LED封裝具有與參看圖8所描述之側面發光 LED封裝讀件大縣_組件 一引線端91之下部部分之處在於第 93a以及第一以及[二:：第；引線^ 93之下部部分 ^ 一引線端之翼形部分91W以及93w妹 形成而長於圖8之相應組件，且翼形部分W以及93^ 2!298ρίβ •:第96116453號中文說明書無劃線修正本 修正日期101年7月17日 構封裝之兩個侧表面之大部分。同時，封裝主體95耦合第 :引線端91與第二引線端93並支撐此等引線端。封裝主 體95覆蓋苐一引線端91以及第二引線端％之底部表面， 真充苐與弟一引線端之間的間隙以使此等引線端相互 耦^。另外，封裝主體95形成於由翼形部分91W以及93w 界定之兩個側反射面之間，進而形成内壁95w。内壁“π 可經形成而為傾斜的。 根據實施例’可藉由增加翼形部分91w以及93w之寬 度幾封裝主體95之寬度來纽良散熱效率。 儘嘗已關於具有伸長之空腔的側面發光LED封 由實例描述並說明了本發明之實施例，但本發明並不限^ 光LED封裝而是可應用於使用塑膠封裝主體以及 空腔各種封裝，例如’甚至應用於具有圓形或矩形 笛一 ^ Ιί本㈣之實關巾，若僅將翼形部分提供於 、·' W則第二引線端之下部部 * 5底部表面之寬度。同時，第-引線端之咖以 區域可延伸以圍繞第二引線端之下部部分之兩側。因^ 纏而建構具有更大面積之兩 【圖式簡單說明】 圖1為說明習 圖2為說明習 圖3為說明習 知側面發光LED封裝之平面圖。 知側面發光LED封裝之透視圖。 知側面發光LED姆的沿圖丨中之線 19 1374560 24298pif2 . 爲第96刪號中文說明書無劃線修正本 修ϊ日期崎7月17曰 A-A截取之剖視圖。 圖4為說明根據本發明之實施例之侧面發光LED封穿 的平面圖。 〜 圖5為說明根據本發明之實施例之側面發光LED封裝 的沿圖4中之線B-B戴取之剖視圖。 圖6為示意地說明根據本發明之實施例的側面發光 LED封裝之第—引線端的透視圖。 圖7為說明根據本發明之另一實施例的侧面發光LED 封裝之第一引線端的透視圖。 圖8為說明根據本發明之另一實施例之側面發光LED 封裝的示意圖。 圖9為說明用以製造根據本發明之另〆實施例的侧面 I光LED封裝之引線框架的平面圖。 S 為說明引線框架之另一實例的平面圖。 圖11為說明根據本發明之另一實施例之側面發光 LED封裝的示意圖。 圖12為說明根據本發明之又一實施例之側面發光 LED封裴的示意圖。 【主要元件符號說明】 11 :第一引線端 13 .第二引線端 15 :封裝主體 15a:上部封裝主體 15b :下部封裝主體 20 1374560 修正日期101年7月17曰
24298piC 爲第96116453號中文說明書無劃線修正本 15w :側壁 16 :空腔 17 : LED晶片 23 :光傳輸樹脂 51 :第一引線端 51a :級狀部分 51b :下部部分 51c :第一傾斜表面 51d :第二傾斜表面 51e :末端部分 51f :翼形部分 53 :第二引線端 55 :封裝主體 55a :上部封裝主體 55b :下部封裝主體 55w :内壁 56 :空腔 57 : LED晶片 59 :接線 63 :波長轉換部件 71 :第一引線端 71a :下部部分 71w :翼形部分 73 :第二引線端 21 1374560 24298pif2 修正曰期101年7月17曰 爲第96116453號中文說明書無劃線修正本 73a :下部部分 73w :翼形部分 75 :封裝主體 75w :内壁 77 : LED晶片 79 :接線 81 :第一引線端 81a :下部部分 81w :翼形部分 83 :第二引線端 83a :下部部分 83w :翼形部分 85 :封裝主體 91 :第一引線端 91a :下部部分 91w :翼形部分 93 :第二引線端 93w :翼形部分 95 :封裝主體 95w :内壁 22
Claims (1)
1374560 修正日期101年7月Π曰 24298pi£2 爲第96116453號Φ文說明書無劃線修正本 七、申請專利範圍： 1.一種發光二極體（LED)封裝，其具有安裝於空腔 内之LED晶片用以以視角輻射自所述LED晶片發射之 光，所述LED封裝包含： 第一引線端’其具有具LED晶片安裝區域之下部部 分，以及藉由自所述下部部分彎曲而形成之至少一反射面； 第二引線端，其與所述第一引線端間隔開；以及 封裝主體’其用以支撐所述第一引線端以及所述第二 引線端並界定藉以暴露所述第一引線端之所述LED晶片 安裝區域以及所述第二引線端之一部分的所述空腔， 其中所述第一引線端以及所述第二引線端延伸於所述. 封裝主體之外面， 所述第一引線端之所述至少一反射面之外部表面的至 少一部分暴露於外面， 所述第一引線端具有藉由自所述下部部分向上彎曲以 面朝彼此而形成傾斜表面的翼形部分， 所述反射面包括由料翼形部分形成頓述傾斜表 面， 所述翼形部分之所述外部表面的至少一部分暴露於外 所形部分之所述外部表面的所述部分暴露於外 面’且自所述翼形部分的下部部分向上f曲 斜 面是與所述翼形部分的側面對立。 义悄斜表 2.如申請專利範圍第1項所述之發光二極體（Led) 23 1374560 24298pif2 · 爲第96116453號中文說明書無劃線修正本 修正日期101年 夕 平7月17曰 封裝，其中所述第一引線端包含藉由自所述下部部分彎曲 而形成之級狀部分，以及在所述下部部分與所述級狀 之間形成第二反射面之第一傾斜表面。 刀 3. 如申請專利範圍第2項所述之發光二極體（LEd) 封裝，其中所述第一引線端更包含藉由自所述下部部分彎 曲而形成且經定位以面朝所述第一傾斜表面的第二傾斜表 面。 4. 如申請專利範圍第3項所述之發光二極體（LEd) 封裝，其中所述第一引線端更包含藉由自所述下部部分彎 曲而形成且相鄰於所述第一傾斜表面以及所述第二傾斜表 面而定位之第三傾斜表面以及第四傾斜表面。 5. 如申請專利範圍第3或4項所述之發光二極體 (LED)封裝，更包含： 至夕一 LED晶片，其安裝於所述下部部分之所述LEd 晶片安裝區域中； 接線，其將所述LED晶片連接至所述第二引線端；以 及 波長轉換部件，其圍繞所述LED晶片。 6. 如申凊專利範圍第5項所述之發光二極體（LED) 封裝其中所述波長轉換部件經定位以由所述第一引線端 之所述下部部分以及所述傾斜表面限制。 7. 如申睛專利範圍第6項所述之發光二極體（LED) 、更包含填充所述空腔以囊封所述波長轉換部件之透 明成型部件。 24 1374560 24298piG 修正曰期101年7月17曰 爲第96116453號中文說明書無劃線修正本 8. 如申請專鄕圍第1項所述之發光二極體 (LED) 封裝’其中所述封|主體與所述翼形部分—起形成界定所 述空腔之内壁。 9. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體（LED) 封裝，其中所述翼形部分之至少—者具有在遠離所述下部 部分之方向上増加之寬度。 10. 如申β專利範圍第1項所述之發光二極體（LED) 封裝，其中所述翼形部分之外部表面被所述封装主體覆蓋。 11. 如申》月專利範圍第1項所述之發光二極體（LED) 封裝，其中所述第二引線端具有下部部分以及藉由自所述 下部部分向上彎曲以面朝彼此而形成傾斜表面的翼形部 分，且 所述第二引線端之所述翼形部分相對於所述第一引線 端之所述翼形部分並排安置。 12. 如申δ月專利範圍第η項所述之發光二極體（[ED) 封裝，其中所述封裝主體與所述第一引線端以及所述第二 引線端之所述翼形部分一起形成界定所述空腔之内壁。 13. 如申凊專利範圍第u項所述之發光二極體（LED) 封裝，其中所述第一引線端以及所述第二引線端之所述翼 形部分之外部表面被所述封裝主體覆蓋。 14_如申凊專利範圍第u項所述之發光二極體（led) 封裝，其中所述第一引線端以及所述第二引線端之所述翼 形部分之所述外部表面的至少一部分暴露於外面。 15.如申請專利範圍第4項所述之發光二極體（led) 25 1374560 24298pif2 爲第96116453號中文說明書無割線修正本 修正日期101年7月！7日 封裝，其中所述第三傾斜表面以及所述第四傾斜表面是與 所述第一傾斜表面以及所述第二傾斜表面分離的。 16.如申請專利範圍第14項所述之發光二極體（led) 封裝，其中所述第一引線端以及所述第二引線端之所述 形部分之所述外部表面的所述部分暴露於外面，^ 第-引線端収所述第二引線端之㈣翼 ^ 分向上彎曲之所述傾斜表面，是各自與所述第:=。山口 及所述第二引線端之所述翼形部分的側面對立。引線鈿以 乂 26 1374560 24298pif2 修正日期101年7月17曰 爲第96116453號中文說明書無劃線修正本 四、 指定代表圖： (一) 本案指定代表圖為：圖（5) (二) 本代表圖之元件符號簡單說明： 51 :第一引線端 51a :級狀部分 51b :下部部分 51c :第一傾斜表面 51d :第二傾斜表面 51e :末端部分 53 :第二引線端 55 :封裝主體 55a :上部封裝主體 55b :下部封裝主體 57 : LED晶片 59 :接線 63 :波長轉換部件 五、 本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵 的化學式： 無 3
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| KR101488453B1 (ko) * | 2008-06-30 | 2015-02-02 | 서울반도체 주식회사 | 다면 리드단자를 갖는 ｌｅｄ 패키지 및 그의 표면실장용리드프레임 구조체 |
| KR100986202B1 (ko) * | 2008-07-01 | 2010-10-07 | 알티전자 주식회사 | 사이드 뷰 발광 다이오드 패키지 |
| KR101101134B1 (ko) * | 2008-07-03 | 2012-01-05 | 삼성엘이디 주식회사 | Ｌｅｄ 패키지 및 그 ｌｅｄ 패키지를 포함하는 백라이트 유닛 |
| US8258526B2 (en) * | 2008-07-03 | 2012-09-04 | Samsung Led Co., Ltd. | Light emitting diode package including a lead frame with a cavity |
| JP2010021259A (ja) * | 2008-07-09 | 2010-01-28 | Toshiba Corp | 光半導体装置 |
| JP5444654B2 (ja) * | 2008-07-29 | 2014-03-19 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| JP5233478B2 (ja) * | 2008-07-29 | 2013-07-10 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| TWI456784B (zh) * | 2008-07-29 | 2014-10-11 | Nichia Corp | 發光裝置 |
| KR101523003B1 (ko) * | 2008-09-29 | 2015-06-25 | 서울반도체 주식회사 | 사이드뷰 ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법 |
| KR101007131B1 (ko) * | 2008-11-25 | 2011-01-10 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 패키지 |
| US8288785B2 (en) * | 2008-12-03 | 2012-10-16 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Lead frame having light-reflecting layer, light emitting diode having the lead frame, and backlight unit having the light emitting diode |
| JP2010141058A (ja) * | 2008-12-10 | 2010-06-24 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置 |
| JP5212089B2 (ja) * | 2008-12-25 | 2013-06-19 | 豊田合成株式会社 | Ｌｅｄ発光装置 |
| US8058667B2 (en) * | 2009-03-10 | 2011-11-15 | Nepes Led Corporation | Leadframe package for light emitting diode device |
| US8039862B2 (en) * | 2009-03-10 | 2011-10-18 | Nepes Led Corporation | White light emitting diode package having enhanced white lighting efficiency and method of making the same |
| US8120055B2 (en) * | 2009-04-20 | 2012-02-21 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Light source |
| US9111778B2 (en) | 2009-06-05 | 2015-08-18 | Cree, Inc. | Light emitting diode (LED) devices, systems, and methods |
| JP5496570B2 (ja) * | 2009-08-05 | 2014-05-21 | シャープ株式会社 | 発光装置 |
| US20110125546A1 (en) * | 2009-11-20 | 2011-05-26 | Xerox Corporation | System, method and computer-usable medium for generating financial data based on long term demand data |
| TW201214804A (en) | 2010-03-09 | 2012-04-01 | Lg Innotek Co Ltd | Light emitting device package, and display apparatus and lighting system having the same |
| US8598612B2 (en) * | 2010-03-30 | 2013-12-03 | Micron Technology, Inc. | Light emitting diode thermally enhanced cavity package and method of manufacture |
| KR101047676B1 (ko) * | 2010-04-01 | 2011-07-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 장치 및 이를 구비한 라이트 유닛 |
| JP5734581B2 (ja) | 2010-05-21 | 2015-06-17 | シャープ株式会社 | 半導体発光装置 |
| US8269244B2 (en) * | 2010-06-28 | 2012-09-18 | Cree, Inc. | LED package with efficient, isolated thermal path |
| JP2012049348A (ja) | 2010-08-27 | 2012-03-08 | Sharp Corp | 発光装置 |
| KR101750559B1 (ko) * | 2010-10-13 | 2017-06-23 | 엘지디스플레이 주식회사 | 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법 |
| KR101693642B1 (ko) * | 2010-12-21 | 2017-01-17 | 삼성전자 주식회사 | 발광소자 패키지 제조방법 |
| TW201251140A (en) | 2011-01-31 | 2012-12-16 | Cree Inc | High brightness light emitting diode (LED) packages, systems and methods with improved resin filling and high adhesion |
| CN103348496A (zh) | 2011-02-07 | 2013-10-09 | 克利公司 | 用于发光二极管（led）发光的部件和方法 |
| US9312460B2 (en) * | 2011-02-10 | 2016-04-12 | Nichia Corporation | Light emitting device, method for manufacturing light emitting device, and package array |
| US9284448B2 (en) | 2011-04-14 | 2016-03-15 | Ticona Llc | Molded reflectors for light-emitting diode assemblies |
| US9453119B2 (en) | 2011-04-14 | 2016-09-27 | Ticona Llc | Polymer composition for producing articles with light reflective properties |
| US8480254B2 (en) * | 2011-04-14 | 2013-07-09 | Ticona, Llc | Molded reflective structures for light-emitting diodes |
| US9062198B2 (en) | 2011-04-14 | 2015-06-23 | Ticona Llc | Reflectors for light-emitting diode assemblies containing a white pigment |
| CN103534821B (zh) * | 2011-05-03 | 2017-03-29 | 克利公司 | 发光二极管（led）的封装、系统、装置及相关方法 |
| JP5993943B2 (ja) * | 2011-06-08 | 2016-09-21 | ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド | 発光ダイオードパッケージ |
| JP5978572B2 (ja) * | 2011-09-02 | 2016-08-24 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| JP5698633B2 (ja) * | 2011-09-21 | 2015-04-08 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置、発光モジュール、および半導体発光装置の製造方法 |
| CN103262269B (zh) * | 2011-11-24 | 2018-06-19 | 惠州科锐半导体照明有限公司 | Led封装件 |
| JP5914933B2 (ja) * | 2011-12-21 | 2016-05-11 | 住友化学株式会社 | 半導体用パッケージの製造方法、半導体用パッケージ及び半導体発光装置 |
| CN104204055B (zh) | 2011-12-30 | 2016-05-25 | 提克纳有限责任公司 | 用于发光装置的反射器 |
| JP5721668B2 (ja) | 2012-06-29 | 2015-05-20 | シャープ株式会社 | 発光装置、照明装置および表示装置用バックライト |
| JP2016504459A (ja) | 2012-12-18 | 2016-02-12 | ティコナ・エルエルシー | 発光ダイオードアセンブリ用の成形反射体 |
| TWM462450U (zh) * | 2013-01-24 | 2013-09-21 | Lumenmax Optoelectronics Co Ltd | 發光二極體支架結構 |
| KR101509230B1 (ko) * | 2013-08-30 | 2015-04-10 | 서울반도체 주식회사 | 발광 디바이스 |
| US20150176800A1 (en) * | 2013-12-25 | 2015-06-25 | I-Chiun Precision Industry Co., Ltd. | Supporting base for semiconductor chip |
| DE102014208960A1 (de) * | 2014-05-12 | 2015-11-12 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Oberflächenmontierbares optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines oberflächenmontierbaren optoelektronischen Bauelements |
| JP6387787B2 (ja) | 2014-10-24 | 2018-09-12 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置、パッケージ及びそれらの製造方法 |
| JP6168096B2 (ja) | 2015-04-28 | 2017-07-26 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置、パッケージ及びそれらの製造方法 |
| KR102503215B1 (ko) | 2016-03-28 | 2023-02-24 | 삼성전자 주식회사 | 발광 소자 패키지 |
| JP6388012B2 (ja) | 2016-09-30 | 2018-09-12 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3914786A (en) * | 1974-04-19 | 1975-10-21 | Hewlett Packard Co | In-line reflective lead-pair for light-emitting diodes |
| JPS60180176A (ja) * | 1984-02-27 | 1985-09-13 | Oki Electric Ind Co Ltd | 光結合半導体装置 |
| JPH0799345A (ja) * | 1993-09-28 | 1995-04-11 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光ダイオード |
| JPH07283352A (ja) * | 1994-04-11 | 1995-10-27 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその搬送方法 |
| TW414924B (en) * | 1998-05-29 | 2000-12-11 | Rohm Co Ltd | Semiconductor device of resin package |
| JP4009097B2 (ja) * | 2001-12-07 | 2007-11-14 | 日立電線株式会社 | 発光装置及びその製造方法、ならびに発光装置の製造に用いるリードフレーム |
| EP1548905A4 (en) * | 2002-09-30 | 2006-08-09 | Sanyo Electric Co | ELECTROLUMINESCENT ELEMENT |
| JP2004146815A (ja) | 2002-09-30 | 2004-05-20 | Sanyo Electric Co Ltd | 発光素子 |
| KR100550856B1 (ko) * | 2003-06-03 | 2006-02-10 | 삼성전기주식회사 | 발광 다이오드(ｌｅｄ) 소자의 제조 방법 |
| JP2005183531A (ja) | 2003-12-17 | 2005-07-07 | Sharp Corp | 半導体発光装置 |
| JP2005294736A (ja) | 2004-04-05 | 2005-10-20 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光装置の製造方法 |
| JP2005317661A (ja) * | 2004-04-27 | 2005-11-10 | Sharp Corp | 半導体発光装置およびその製造方法 |
| JP2006024645A (ja) | 2004-07-06 | 2006-01-26 | Rohm Co Ltd | 半導体発光装置 |
| KR100670918B1 (ko) * | 2004-10-15 | 2007-01-18 | (주)대신엘이디 | 방열 구조를 구비한 ｌｅｄ 램프 |
| JP2007042700A (ja) * | 2005-08-01 | 2007-02-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 表面実装型半導体装置 |
| TWI302041B (en) | 2006-01-19 | 2008-10-11 | Everlight Electronics Co Ltd | Light emitting diode packaging structure |
-
2007
- 2007-04-13 KR KR1020070036516A patent/KR100772433B1/ko not_active IP Right Cessation
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