TWI363301B - Manufacturing apparatus for ic chip package - Google Patents

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TWI363301B
TWI363301B TW94120817A TW94120817A TWI363301B TW I363301 B TWI363301 B TW I363301B TW 94120817 A TW94120817 A TW 94120817A TW 94120817 A TW94120817 A TW 94120817A TW I363301 B TWI363301 B TW I363301B
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Inventor
Taichi Inoue
Masashi Morita
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Shinko Electric Co Ltd
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Description

1363301 Π) 九、發明說明 [發明所屬之技術領域】 本發明是關於一種如ID標籤的1C晶片安裝體的製造裝 置° 【先前技術】 取近，所謂射頻方式辨認（RFID: Radio Frequency J Identificati〇n )卡的IC晶片安裝體逐漸上市。典乃在內部 具有記憶體與小型天線，藉由與讀入天線非接觸進行資訊 傳送’記錄著記錄器上所需要的資訊，視需要使用讀寫器 等的通訊機器在短時間內進行資訊的記錄、重寫、讀出者 〇 作爲如該RFID的1C晶片安裝體的製造裝置，有例如 提案一種藉由運送機來搬運在一面具有黏接性的底薄片， 而在該黏接面黏貼形成有天線電路及1C晶片的電路薄片， J 又藉由在一面黏貼具有黏接性的覆蓋薄片，來製造1C晶片 安裝體者（例如參照專利文獻1)。又也提案一種藉由運 送機來搬運黏接劑塗布於一面的底薄片，在該黏接面黏貼 與上述同樣的電路薄片，又經由黏接劑而藉由黏貼覆蓋薄 片來製造1C晶片安裝體，或是藉由運送機搬運在一面形成 天線電路的薄膜基板，與在該天線電路連接地藉由裝載1C 晶片，來製造1C晶片安裝體（參照例如專利文獻2、3 )。 專利文獻！ ··日本特開2003-6596號公報（第1圖） 專利文獻2 :日本特開2003-58848號公報（第1圖） (7) 1363301 在該發明的1C晶片安裝體的製造裝置中，以高壓氣體 f 浮起薄膜基板及一對加壓帶，可減低搬運之際的摩擦係數 〇 又’本發明的1C晶片安裝體的製造裝置，上述加熱部 是從上述吐出孔吐出高溫高壓空氣進行加熱裝載有上述1C 晶片的薄膜基板較理想。 在該發明的1C晶片安裝體的製造裝置中，從吐出孔吐 Φ 出高溫高壓氣體來進行薄膜基板，而以一對加壓帶加以夾 持進行加壓。 依照本發明，在薄膜基板上裝載1C晶片者，不必暫時 地停止薄膜基板而可裝載1C晶片之故，因而可提高1C晶片 安裝體的製造效率。又，在1C晶片供給部與滾子之間不必 設置用以移載1C晶片的其他機構之故，因而使得1C晶片裝 載部的構造成爲單純，而可提高裝置的可靠性。 又，依照本發明的1C晶片安裝體的製造裝置，在形成 Φ有天線電路的上薄膜基板上裝載1C晶片，當熱壓接時，不 必暫時地停止薄膜基板而裝載1C晶片，可進行熱壓接之故 ，因而可提高1C晶片安裝體的製造效率。因此，可謀求1(： 晶片安裝體的降低成本。又，在筒狀熱壓接部本體周面形 成搬運路徑，沿著該搬運路徑一面搬運裝載有1C晶片的薄 膜基板，一面進行熱壓接，可減低熱壓接所必需的空間。 【實施方式】 實施例1 -11 - (8) (8)1363301 以下，一面參照第1圖至第9圖一面說明本發明的1C晶 片安裝體的製造裝置的第一實施形態。 本實施形態所造成的1C晶片安裝體的製造裝置1 ’是 作爲1C晶片安裝體例如製造ID標籤2的製造裝置。 如第1圖所示地，該ID標籤2是藉由在所定位置形成有 天線電路3a的薄膜基板3，及裝載於該天線電路3a上的所 定位置的1C晶片4，及覆蓋薄片5所構成。 天線電路3a是藉由印刷技術或蝕刻事先形成在薄膜基 板3上，如第2圖所示地，等間隔地連續地形成在薄膜基板 3,上。 1C晶片4是在背面4a設有用以連接於天線電路3a的例 如以銅或金所形成的凸塊4b，而經由如以各向異性導電性 糊所形成的黏接劑6而與天線電路3 a相連接。 覆蓋薄片5是一面具有黏接性，覆蓋著薄膜基板3及1C 晶片4。 如第3圖所示地，該1C晶片安裝體的製造裝置是由： 收容薄膜基板3的薄膜基板（收容部）11，及在將裝載1C 晶片4於薄膜基板3的位置塗布黏接劑6的黏接劑印刷部12 ，及將1C晶片4裝載於薄膜基板3的所定位置的1C晶片裝載 部13，及乾燥黏接劑6的加熱器14，及黏貼於裝載有1C晶 片4的薄膜基板3表面的覆蓋薄片黏貼部15，及捲取黏貼有 覆蓋薄片5的薄膜基板3的成晶捲取部（搬運部）16，及控 制此些的控制部17所構成。 薄膜基板收容部11是收容表示於第2圖的薄膜基板3的 -12- (9) 1363301 滾子21’而且利用控制部17使得薄膜基板3被控制成爲一 定速度且一定拉力。 又’從該薄膜基板收容部11所送出的薄膜基板3，朝 黏接劑印刷部1 2被連續搬運。 黏接劑印刷部12是具備：CCD攝影機22，及將黏接劑 6塗布於薄膜基板3的所定位置的印刷部23。塗布黏接劑6 的位置是藉由CCD攝影機22被確認，而利用控制部17被控 p 制。又，從該黏接劑印刷部1 2所送出的薄膜基板3，朝IC 晶片裝載部13水平方向地被連續搬運。 1C晶片裝載部13是具備裝載於搬送ic晶片4的薄膜基 板3的4組裝載裝置25。 如第4圖至第8圖所示地，該裝載裝置25是藉由1C晶片 供給部26，及同步滾子部2 7所構成。 如第4圖所示地，IC晶片供給部2 6是藉由：收容IC晶 片4的輥筒31，及以一定速度朝一定方向搬運1C晶片4的線 ϋ型進給器（晶片送出部）32，及將1C晶片4從線型進給器 3 2搬運至輥筒31的回行進給器（未圖示），及將振動給予 輥筒31，線型進給器32及回行進給器的振動驅動器（未圖 示），及攝影1C晶片4的CCD攝影機34所構成。又，作爲 給予振動的方法，是例如使用電磁振動。 輥筒31是螺旋狀搬運路36形成於其內周壁，而被收容 的1C晶片4利用振動以一定速度在搬運路36上一直被搬運 至線型進給器32的搬運路37。 線型進給器32是將藉由輥筒31所搬運的1C晶片4同樣 (10) 1363301 藉由振動而搬運至搬運路（供給通路）36的前端。 如第5圖所示地，在搬運路36的前端部設有：吸附搬 運路37上所搬運的1C晶片4的吸附孔（晶片保持部）32a及 夾持IC晶片4的止動件（晶片保持部）32b。止動件32b是 以第5圖的箭號A1所示方向藉由進行上下動作來夾持1C晶 片4。 藉由控制部1 7來控制此些吸附孔3 2 a所致的I C晶片4的 | 吸附，及止動件32b所致的1C晶片4的夾持。抑制搬運路37 上所搬運的1C晶片4，就可調整從線型進給器32至下述的 同步滾子41的1C晶片4的移載。 CCD攝影機34是分別配設有線型進給器32的搬運路37 的大約中央與前端，並將分別所攝影的畫像信號傳送至控 制部1 7。 鼓風是配置在搬運路37上，藉由控制部17而在CCD攝 影機34所攝影的1C晶片4被辨別爲表面（凸塊4b爲向下方 φ )的情形，則將該1C晶片4排出至回行進給器。 回行進給器是將藉由鼓風所排出的1C晶片4排出至輥 筒31。 如第6圖至第8圖所示地，同步滾子部27是具備：同步 滾子41 ’及將同步滾子41進行動作的驅動馬達42，及對於 薄膜基板3朝前後左右地移動同步滾子41的平台（驅動機 構）43’及攝影同步滾子41的1C晶片4的CCD攝影機44。 同步滾子41是具有大約圓柱形狀；於其周方向的5個 部位等間距地形成著晶片保持溝（1C晶片保持部）41a。 -14- (11) 1363301 晶片保持溝41 a是在同步滾子41周面與線型進給器32 相對向的一側，其深度形成比1C晶片4的厚度稍薄厚度’ 而於內部形成有吸附孔（IC晶片保持部）41b。在該晶片 保溝41a載置著從線型進給器32所搬運的1C晶片4，而且在 吸附孔4 1 b藉由吸附IC晶片4而穩定地定位IC晶片4 驅動馬達42是接受控制部17的控制’使得同步滾子41 停止在每72度地設定於其旋轉中心軸周圍的指標位置的方 | 式進行旋轉驅動。藉由該指標動作’如第7圖所示地’同 步滾子4 1的晶片保持溝4 1 a及吸附孔4 1 b，是在側面視中暫 時地停止在與位置Sc重疊的位置Sa，及位置Sb〜Se。 平台43是具有X軸馬達45及Y軸馬達46。藉由該平台 43，使得同步滾子41以及第8圖的箭號A2所示的方向成爲 可朝線型進給器3 2接近遠離的狀態。如第8圖所示地，該 平台43是藉由驅動馬達42所致的指標動作而在同步滾子41 暫時地停止時，在位於朝線型進給器32近接同步滾子41的 φ 位置Sa的晶片保持溝41a載置1C晶片4。由此，從線型進給 器32遠離同步滾子41。又，在第8圖中，省略驅動馬達42 的圖式。 該平台43是藉由控制部17依據CCD攝影機22所造成的 薄膜基板3上的天線電路3a的位置資訊與CCD攝影機44所 造成的1C晶片4的位置資訊所算出的修正量，適當地驅動 X軸馬達45及Y軸馬達46來修正其位置。 4組的裝載裝置25中，配設位於在從薄膜基板收容部 1 1最遠離的位置的1組，是將1C晶片4裝載於藉由他3組的 -15- (12) (12)1363301 1C晶片裝載部13未裝載有1C晶片4的天線電路3a上所用的 後備專用。亦即，因1C晶片4爲背面而被排出至回行進給 器，或因有不良而未設置於同步滾子41的吸附孔41b，未 能裝載於天線電路3a上時，則由後備用的1組供給1C晶片4 而裝載於天線電路3a上。 加熱器14是將裝載有1C晶片4的薄膜基板3的黏接劑6 進行乾燥，溫熱處理。 黏貼部15是具備：黏貼裝載有1C晶片4的薄膜基板3與 覆蓋薄片5的接合滾子51，及收容覆蓋薄片5的滾子52的覆 蓋薄片收容部53。 接合滾子51是成爲與成品捲取部16—起從薄膜基板收 容部11搬進薄膜基板3的搬運部；由覆蓋薄片收容部53拉 出覆蓋薄片，並黏貼薄膜基板3與覆蓋薄片5。 成品捲取部16是捲取藉由黏貼覆蓋薄片5所製造的ID 標籤2收容作爲滾子55。 如第9圖所示地，控制部1 7是具備：控制薄膜基板收 容部11，接合滾子51及成品捲取部54的驅動的驅動控制部 6 1，及控制黏接劑印刷部1 2的驅動的印刷控制部62，及控 制加熱器14的驅動的加熱器控制部63，及控制1C晶片供給 部26的振動的振動控制部64，及控制吸附孔32a所造成的 1C晶片4的吸附及止動件32b所造成的1C晶片4的夾持的供 給控制部65，及控制同步滾子27的指標動作及平台43所造 成的對於線型進給器32的接近遠離的動作控制部66。控制 部17是又具備：進行藉由CCD攝影機22、36、44所攝影的 -16- (13) (13)1363301 各畫像的畫像處理的畫像處理部67、68、69，及將修正量 從藉由畫像處理部67、69所處理的畫像送訊至同步滚子部 27的平台43的修正控制部72，及從畫像處理部68所處理的 畫像來判定1C晶片4的表背並控制1C晶片供給部26的表背 判定部73。 以下，使用第10圖說明ID標籤的製造方法。 首先，接合滾子51及成品捲取部16是以一定速度將薄 膜基板3從薄膜基板收容部11搬運至黏接劑印刷部12 (步 驟 ST1 )。 然後，黏接劑印刷部12的CCD攝影機22進行攝影薄膜 基板3的天線電路3a，依據畫像處理部67所攝影的畫像來 確認形成於薄膜基板的天線電路3 a的位置。印刷部26是依 據該位置資訊，以如輪轉機的塗布裝置而不必停止薄膜基 板3，將黏接劑6塗布於薄膜基板3的裝載有1C晶片4的位置 (步驟ST2 )。 之後，晶片裝載部13是將1C晶片4裝載於天線電路3a 的所定位置（步驟ST3 )。 然後，加熱器14是加熱裝載有1C晶片4的薄膜基板3， 使黏接劑6成爲硬化，而將1C晶片4固定於薄膜基板3 (步 驟ST4)。 之後，黏貼部15是黏貼覆蓋薄片5成爲覆蓋天線電路 3a及1C晶片4 (步驟ST5 )。 最後，成品捲取部16是捲取黏貼有覆蓋薄片5的薄膜 基板（步驟ST6 )。 -17- (14) (14)1363301 以下’使用第1 1圖詳述晶片裝載部13所進成的1C晶片 4的裝載方法。 首先，振動控制部64進行驅動振動驅動器，而1C晶片 供給部26是藉由振動以等速，等間距而將位於輥筒31的1C 晶片4連續地搬運至搬運路37上。此時，CCD攝影機34是 從上面側進行攝影搬運在線型進給器32的搬運路37上的1C 晶片4，而使得控制部17的畫像處理部68進行CCD攝影機 34的攝影畫像所攝影的1C晶片4的表背判定（步驟ST1 1 ) 。在此，將設有凸塊4b的一面作爲背面。 在步驟ST1 1中，若畫像處理部68將1C晶片4判定爲表 面時，表背判定部73是將該1C晶片4排出至回行進給器。 所排出的1C晶片4是藉由回行進給器被搬運至輥筒31 (步 驟 ST12)。 在步驟ST1 1中，若表背判定部73將1C晶片4判定爲背 面時，線型進給器32是朝搬運路37的前端更搬運1C晶片4 。吸附孔32a及止動件32b是藉由吸附或夾持1C晶片4而被 抑制（步驟S T 1 3 )。 同步滚子14是藉由驅動馬達42進行每旋轉72度停止的 指標動作。 在藉由指標動作暫時地停止同步滾子41的期間’如第 8圖所示地，平台43是將同步滾子41接近於線型進給器32 。供給控制部65是解除了 1C晶片4的吸附及夾持’使得線 型進給器32將1C晶片4移載至位於表示於第7圖的位置5a的 晶片保持溝41a。如第8圖所示地’平台43是當1C晶片4被 -18 - (15) 1363301 載置於晶片保持溝41a時，則從線型進給器32遠離同步滾 子41 (步驟ST14 )。 之後，同步滾子41是再進行指標動作而將從線型進給 器32所移載的1C晶片4移動至表示於第7圖的位置Sb。在該 狀態下CCD攝影機44是攝影同步滾子41上的1C晶片4 (步 驟ST15)。修正控制部72是由畫像處理部67所造成的天線 電路3a的位置資訊及畫像處理部69所造成的1C晶片4的位 | 置資訊來算出同步滾子41的位置修正量。平台43是在藉由 該指標動作使得同步滾子41暫時停止的期間，將同步滾子 41接近於線型進給器32而進行1C晶片4的移載。 又，同步滾子41進行指標動作，同時平台43是藉由修 正控制部72來修正同步滾子41的位置（步驟ST16)。 然後，同步滾子41再進行指標動作，而且藉由朝下方 移動同步滾子41，在表示於第7圖的位置Sc與Sd之間抵接 薄膜基板3與1C晶片4，而從吸附孔41b解除1C晶片4之後將 φ 1C晶片4裝載於薄膜基板3 (步驟ST17)。因此，1C晶片4 是在與薄膜基板3之接觸位置中，藉由指標動作不停止地 配置在薄膜基板3上。 又，1C晶片4在背面而被排出至回行進給器，或是1C 晶片4爲不良品而被排出，因此在二組裝載裝置25中任一 同步滾子4 1的吸附孔4 1 b有不吸附IC晶片4的情形。如此地 在天線電路3a上未裝載有1C晶片4的情形，則後備專用的 裝載裝置25裝載著1C晶片4。 依照如此所構成的1C晶片安裝體的製造裝置，不必暫 -19- (16) 1363301 時地停止薄膜基板3而裝載著1C晶片4此可提高ID標籤2的 製造效率。 又，藉由同步滾子41接近於線型進給器32來供給1C晶 片4，因此在1C晶片供給部26與同步滾子部27之間不必設 置用以移載1C晶片4的其他機構。由此，可單純化1C晶片 裝載部13的構造。而可提高裝置的可靠性。 又，設有吸附孔32a及止動件32b，可調整線型進給器 _ 3 2所致的1C晶片4的移載，而穩定1C晶片4的移載。 又，使用了 3台裝載裝置25來裝載1C晶片4，因此可增 每一單位時間可製造的1C晶片安裝體的數量。 在上述實施形態中說明ID標籤的製造裝置，惟也可適 用於安裝1C晶片的卡的製造裝置。 又，說明1C晶片裝載部具備4組裝載裝置的例子，惟 裝載裝置是1組或是其他的複數組也可以。 又，說明1台後備用裝載裝置的例子，惟複數或沒有 φ 後備用裝載裝置也可以。 又，表示在薄膜基板事先形成有天線電路的例子，惟 在黏接劑印刷裝置之前配置製作天線電路的裝置，而爲供 給未形成有天線電路的薄膜基板的裝置也可以。 又，作成覆蓋薄片能夾住地覆蓋著天線電路與1C晶片 的構造也可以。 又，薄膜基板的滾子21是作成旋轉自如的狀態也可以 〇 又，驅動馬達41是內設於框體者也可以。 -20- (17) (17)1363301 以下，參照第12圖至第14圖說明在1C晶片安裝體的製 造裝置中進行將1C晶片4裝載於薄膜基板3的所定位置的同 步滾筒的其他構成例。 參照第12圖，同步滾子部127是具備：同步滾子141， 及將同步滾子141施以動作的驅動馬達142，及將同步滾子 141對於薄膜基板3朝前後左右地移動的平台（驅動機構） 143，及攝影同步滾子141上的1C晶片4的CCD攝影機144。 如第13B圖所示地，同步滾子141是形成大約圓筒形狀 ，於該周方向的1〇部位等間距地形成有突出部（1C晶片保 持部）141a。如第13A圖所示地，突出部141 a是形成於將 在同步滾子141周面的從線型進給器直線上排列的狀態下 所送出的1C晶片加以搬運的搬運路132相對向的一側，具 有吸附孔（1C晶片保持部）141b。又，同步滾子141是藉 由驅動馬達142朝箭號R方向被旋轉驅動。在同步滾子141 的空隙141c，配置著空氣電路切換閥148。空氣電路切換 閥148是具有複數閥葉片148〜148d，被固定配置於同步滾 子141。又，同步滾子141的空隙141c與閥葉148a〜148d是 形成複數隔間室。形成於閥葉片148a與閥葉片148b之間的 隔間室是設有配管149a，成爲藉由外部電磁閥等的空氣壓 力控制機器可切換大氣壓與負壓。又，形成於閥葉片148 a 與閥葉片148b之間的隔間室是相對配置於線型進給器的搬 運路132。因此，形成於同步滾子141的吸附孔141b位於該 隔間室時，會吸附載置從上述搬運路132所搬運的1C晶片4 。在此些吸附中，以除去靜電爲目的也可倂用游離器。 -21 - (18) (18)1363301 在形成於閥葉片148b與閥葉片148c之間的隔間室’設 有負壓配管149b而經常地被維持在負壓狀態。在形成於閥 葉片148c與閥葉片148d之間的隔間室，也設有負壓配管 149c而經常地被維持在負壓狀態。因此，可將以吸附孔 141b所吸附的1C晶片4與同步滾子141的旋轉一起被保持搬 運而可成爲穩定的定位。又，在形成於閥葉片148d與閥葉 片148a之間的隔間室，設有正壓配管149d，經常地被維持 在正壓或大氣壓狀態。又，該隔間室是近接地配置於薄膜 基板3。 驅動馬達142是進行同步滾子141於該旋轉中心軸周圍 以3 6 °間距旋轉而停止的指標動作。藉由該指標動作，如 第13B圖所示地，同步滾子141的突出部141 a及吸附孔141b (1C晶片保持部），是構成側面觀看位於重疊於位置Sa與 Se的位置會暫時地停止，而依次重複同步旋轉，停止，1C 晶片吸附，同步旋轉。 平台143是具有X軸馬達145及Y軸馬達146。藉由該平 台143，使得同步滾子141以第14圖的箭號A3所示的方向 朝線型進給器的搬運路132可接近，遠離的狀態。如第14 圖所示地，該平台143是藉由驅動馬達142所造成的指標動 作使得同步滾子141暫時地停止時，朝線型進給器的搬路 近接同步滾子141，利用外部電磁閥等的空氣壓力控制機 器經配管149 a而將閥葉片148a與閥葉片148b之間的隔間室 作成負壓。由此，於位於位置Sa的突出部141a吸附1C晶片 4’並從線型進給器的搬運路132遠離同步滾子141。又， -22- (19) (19)1363301 在第I4圖中，省略驅動馬達142的圖式。又，也模式地表 示搬運路132的位置。 該平台143是使用依據省略圖式的CCD攝影機所造成 的薄膜基板3上的天線電路3a的位置資訊與CCD攝影機144 所造成的1C晶片4的位置資訊而控制部所算出的修正量， 藉由X軸馬達145及Y軸馬達146被適當地驅動而可修正位 置。又，代替X軸馬達145，也可藉由第12圖的同步滾子 及驅動馬達的旋轉量修正位置。 以下，說明上述裝置所造成的ID標籤的製程槪要。 首先，吸附1C晶片，判定吸附前1C晶片4是否朝所定 方向（一般爲表面方向），以判定爲所定方向作爲條件， 朝同步滾子141的吸附位置供給1C晶片4。被判定爲背面方 向的1C晶片，是經由未圖示的回行搬運路，被回流至零件 進給器等的零件供給部。 同步滾子141是進行藉由驅動馬達142每一次旋轉36° 的指標動作。如此，藉由指標動作使得同步滾子141暫時 地停止的期間，如第14圖所示地，平台143是將同步滾筒 141接近於搬運路132。在該狀態下，將1C晶片4移載至搬 運路132位於表示於第13B的位置Sa的突出部141a。如第Μ 圖斷示地，平台143是當1C晶片4被載置於突出部141a，則 從搬運路132遠離同步滾子141。 同步滾子141是再進行指標動作而將從搬運路132所移 載的1C晶片4移動至表示於第13B圖的位置Sb。此時，CCD 攝影機144是攝影同步滾子141上的1C晶片4»使用藉由該 -23- (20) 1363301 攝影所得到的畫像，而依據1C晶片4的位置資訊，及省略 圖示的CCD攝影機所造成的薄膜基板3上的線型進給器3a 的位置資訊，利用省略圖示的控制部來演算位置修正量。 之後，藉由同步滾子141進行旋轉，在表示於第13B的 位置Sc與位置Sa之間抵接薄膜基板3與線型進給器4，從吸 附孔141b解除1C晶片4而將1C晶片4裝載於薄膜基板3上的 塗布各向異性導電性黏接劑等的位置。1C晶片4是在與薄 | 膜基板3的接觸位置，藉由同步滾子141的旋轉不停止地配 置在薄膜基板3上。 依照如此所構成的1C晶片安裝體的製造裝置，不必暫 時地停止薄膜基板3而裝載著1C晶片4此可提高ID標籤2的 製造效率。 在本實施例中，如第13B圖所示地，薄膜基板是1C晶 片的裝載位置的前後全面藉由面支持滾子（時脈滾子） 160朝箭T方向不停止地搬運支撑著。藉由同步滾子141接 φ近於搬運路132而供給1C晶片4，因此在1C晶片供給部132 與同步滾子141之間不必設置用以移載1C晶片4的其他機構 。由此，可單純化1C晶片裝載部的構造，而可提高裝置的 可靠性。 又，上述構成是可施加各種變更。 例如，在上述說明中，同步滾子141是設置10處突出 部（1C晶片保持部）141 a者，惟該以上或該以下都可以。 又，在1C晶片搬運路上各處，使用用以除去靜電的游 離器也可以 -24- (21) (21)1363301 又’在接觸1C晶片的搬運路底面設置溝，可避免1C晶 片與搬運路的底面緊密地面接觸的現象，在防止發生靜電 上有效。 實施例2 以下，參照第15圖至第20圖說明本發明的第2實施 例所造成的1C晶片安裝體的製造裝置。 如第1 5圖所示地，第2實施例所造成的1C晶片安裝 體的製造裝置201是由：收容薄膜基板3的薄膜基板收容部 21 1，及將1C晶片4裝載於薄膜基板3的所定位置的1C晶片 裝載部212，及熱壓接1C晶片4與薄膜基板3的熱壓接部213 ，及捲取裝載有1C晶片4的薄膜基板3的成品捲取部214, 及控制此些的控制部2 1 5所構成。 薄膜基板收容部211是收容表示於第2圖的薄膜基板3 的滾子216，而且藉由控制部215使得薄膜基板3控制成一 定速度且一定拉力。從該薄膜基板收容部211所送出的薄 膜基板3，是朝1C晶片裝載部2 12連續地搬運。 1C晶片裝載部212是在搬運1C晶片4的薄膜基板3的天 線電路3a上裝載1C晶片4，被搬運至熱壓接部213。 如第16圖至第18圖所示地，熱壓接部213是具備：設 有搬運1C晶片4裝載於周面的薄膜基板3的搬運路徑的熱壓 接部本體221，及一面搬運裝載有搬運路徑上的1C晶片4的 薄膜基板3 —面進行加熱的高溫送風機構（加熱部）222’ 及一面搬運裝載有搬運路徑上的1C晶片4的薄膜基板3—面 -25- (22) 1363301 進行加壓的加壓部223。 熱壓接部本體221是具有大約圓筒形狀，搬運1C晶片4 裝載於其周面的薄膜基板3的搬運路徑設成螺旋狀地捲繞 之狀態。在該壓接部本體221，形成有沿著該搬運路噴射 來自高溫送風機構22 2的高溫壓縮空氣的噴射孔（吐出孔 )221a，從熱壓接部本體221的周面浮起被搬運搬運路徑 上的薄膜基板3而且進行加熱。又，在熱壓接部本體221， | 對於熱壓接部本體22 1的周面經由間隙配置有以熱壓接部 本體221的周方面的等間隔具有導電性的板狀通電棒（通 電部）224。 加壓部223是藉由分別分別配置於裝載有1C晶片4的薄 膜基板3兩面的具磁鐵的帶（加壓帶）225及磁性體帶（加 壓帶）226所構成。 具磁鐵的帶22 5及磁性體帶226是在裝載有1C晶片4的 薄膜基板3被搬運於熱壓接部本體22 1之前，藉由表示於第 φ 15圖的配置滚子22 7分別配置於薄膜基板3的上下兩面，在 薄膜基板3從熱壓接部本體22 1的搬運之後，藉由表示於第 15圖的間隔滾子228來分離薄膜基板3。具磁鐵的帶22 5及 磁性體帶226是分別連接有熱壓接部本體221的搬入側與搬 出側，成爲無端環帶。 具磁鐵的帶225是永久磁鐵配置於該一面，構成在與 磁性體帶226之間發生磁性吸引力。配置於裝載有1C晶片4 的薄膜基板3的上下兩面的具磁鐵的帶225及磁性體帶22 6 ，是藉由該磁性吸引力來夾持薄膜基板3並加壓1C晶片4及 -26- (23) (23)1363301 薄膜基板3。 在上述的通電棒224朝以第18圖的箭號A4所示的方向 流動直流電流，則洛淪茲力作用於具磁鐵的帶225。薄膜 基板3，具磁鐵的帶225及磁性體帶226藉由該洛倫茲力沿 著熱壓接部本體221的周面朝以第17圖的箭號A5所示的方 向被搬運。藉由高溫壓縮空氣而使得薄膜基板3，具磁鐵 的帶225及磁性體帶226浮起，因此順利地被搬運。 流在通電棒224的直流電流的大小是薄膜基板3，具磁 的帶225及磁性體帶226藉由浴倫茲力沿著熱壓接部本體 221的周面所搬運的搬運速度，被控制成與薄膜基板3的搬 運速度同步並等速。 上述的熱壓接部本體221與通電棒224的間隙，是成爲 將具磁鐵的帶225及磁性體帶226配置於裝載有1C晶片4的 薄膜基板3兩面的厚度還充分寬者。又，如第18圖所示地 ，在具磁鐵的帶225與薄膜基板3之間，依磁性吸引力或爲 了調整壓力而介裝間隔件229也可以。 成品捲取部214是捲取所製造的ID標籤2而收容作爲滾 子 23 1。 控制部215是具備：進行控制高溫送風機構222的送風 量或溫度的高溫壓縮空氣控制部241，及控制流在通電棒 224的電流量的電流控制部242。 以下，使用第19圖說明依第2實施形態的ID標籤的 製造方法》 首先，成品捲取部214是將薄膜基板3以一定速度從薄 -27- (24) 1363301 膜基板收容部211搬運至晶片裝載部213(步驟ST2 01)。 之後，晶片裝載部213是將1C晶片4裝載至天線電路3a 的所定位置（步驟ST202 )。 然後，熱壓接部213是熱壓接1C晶片4與薄膜基板3 ( 步驟 ST203 )。 最後，成品捲取部214是捲取裝載有1C晶片4的薄膜基 板（步驟ST204 )。 p 在此，使用第20圖詳述依熱壓接部213的1C晶片4與薄 膜基板3的熱壓接方法。 首先，在裝載有1C晶片4的薄膜基板3的上下兩面，分 別配置具磁鐵的帶225及磁性體帶226。1C晶片4與薄膜基 板3是藉由具磁鐵的帶225及磁性體帶226的磁性吸引力被 加壓（步驟S T 2 1 1 )。 被搬運至熱壓接部本體221的薄膜基板3，是一面藉由 從噴射孔22 1 a所噴射的高溫壓縮空氣被加熱，一面藉由具 φ 磁鐵的帶225及磁性體帶226的磁性吸引力被加壓（步驟 ST212 )。在通電棒224流著直流電流，因此藉由具磁鐵的 帶225與直流電流發生洛倫茲力，薄膜基板3是一面藉由具 磁鐵的帶22 5及磁性體帶226所夾持的狀態一面沿著熱壓接 部木體221的搬運路徑被搬運。又，藉由從噴射孔22 la所 噴射的高溫壓縮空氣，使得薄膜基板3與具磁鐵的帶22 5與 磁性體帶22 6對於熱壓接部本體221的表面浮起，因此順利 地進行洛倫茲力所致的搬運。 從熱壓接部本體22 1所搬出薄膜基板3，分別分離具磁 -28- (25) 1363301 鐵的帶225及磁性體帶226 (步驟ST213)。如上所述地熱 壓接薄膜基板3與1C晶片4。 依照如此所構成的1C晶片安裝體的製造裝置’不必暫 時地停止薄膜基板3就可進行熱壓接，因此可提高ID標籤2 的製造效率。 又，在熱壓接部本體221的周面形成環旋狀搬運路徑 ，爲了進行熱壓接1C晶片4與薄膜基板3而可刪減所需要的 | 專有空間。 又，控制流著通電棒224的直流電流的大小，可進行 穩定地搬運薄膜基板3。 在上述實施形態中，說明將本發明適用於ID標籤的製 造裝置的例子，惟也可適用於安裝1C晶片的卡的製造裝置 〇 又，在薄膜基板事先形成有天線電路，惟將製作天線 電路的裝置配置於黏接劑印刷裝置之前，供給未形成有天 φ 線電路的薄膜基板的裝置。 又，覆蓋薄片是作成覆蓋成天線電路及1C晶片的構造 也可以。 又，薄膜基板的滾子221是作成旋轉自如之狀態也可 以。 又，熱壓接部本體22 1是藉由馬達搬運薄膜基板也可 以’作爲搬運路徑形成有溝也可以。 本發明是並不限定於上述實施形態者，在不超越本發 明的要旨的範圍中可做各種變更。 -29- (26) (26)1363301 依照本發明的1C晶片安裝體的製造裝置，不必暫時地 停止薄膜基板而裝載1C晶片之故，因而可提高1C晶片安裝 體的製造效率。又，在1C晶片供給部與滾子之間不必設置 用以移載1C晶片的其他構造之故，因而使得1C晶片裝載部 的構造成爲單純’而可提高裝置的可靠性。依照實施例的 1C晶片安裝體的製造裝置，當熱壓接時，不必暫時地停止 薄膜基板而裝載1C晶片，可熱壓接之故，因而可提高1C晶 片安裝體的製造效率，可謀求1C晶片安裝體的降低成本， 又，可減低熱壓接所必需的空間。 【圖式簡單說明】 第1A圖是表示藉由本發明所製造的ID標籤的一例子 的俯視圖。 第1B圖是表示圖於於第1A圖的ID標籤的斷面圖。 第2圖是表示圖示於第1A圖及第1B圖的薄膜基板的一 例子的俯視圖。 第3圖是表示本發明的第1實施形態的1C晶片安裝體 的製造裝置的槪略側面圖。 第4圖是表示圖示於第3圖的1C晶片安裝體的製造裝置 的1C晶片供給部的立體圖。 第5圖是表示圖示於第4圖的1C晶片供給部的線型進給 器前端部的槪略斷面圖。 第6圖是表示圖示於第3圖的1C晶片安裝體的製造裝置 的同步滾子部的立體圖。 -30- (27) (27)1363301 第7圖是表示圖示於第6圖的同步滾子部的指標動作的 吸附孔的停止位置的槪略斷面圖。 第8圖是表示圖示於第6圖的同步滾子部的動作的俯視 圖。 第9圖是表示圖示於第3圖的1C晶片安裝體的製造裝置 的控制部的方塊圖。 第10圖是表示本發明的第1實施形態的ID標籤的製 造順序的流程圖。 第11圖是表示圖示於第10圖的ID標籤的製造順序的1C 晶片的裝載順序的流程圖。 第12圖是表示圖示於第3圖的1C晶片安裝體的製造裝 置的同步滾子部的其他例子的立體圖。 第13A圖是表示圖示於第12圖的同步滾子的槪略斷面 圖。 第13B圖是表示圖示於第13A圖的A— A線槪略斷面圖 〇 第14圖是表示圖示於第12圖的同步滾子部的動作的俯 視圖。 第1 5圖是表示本發明的第2實施形態的1C晶片安裝 體的製造裝置的槪略側視圖。 第16圖是表示圖示於第15圖的1C晶片安裝體的製造裝 置的熱壓接部的前視圖。 第17圖是表示圖示於第16圖的1C晶片安裝體的製造裝 置的熱壓接部的仰視圖。 -31 - (28) (28)1363301 第18圖是表示圖示於第17圖的熱壓接部本體的局部擴 大斷面圖。 第19圖是表示本發明的第2實施形態的10標籤的製 造順序的流程圖。 第圖是表示圖示於第I9圖的ID標籤的製造順序的熱 壓接順序的流程圖。 【主要元件符號說明】 1 : 1C晶片安裝體的製造裝置 2 : ID標籤（1C晶片安裝體） 3 :薄膜基板 4 : 1C晶片 5 :覆蓋薄片 1 1 :收容部（搬運部） 13 : 1C晶片裝載部 1 5 :覆蓋薄片黏貼部 16:成品捲取部（搬運部） ， 26 : 1C晶片供給部 32:線型進給器（晶片送出部） 32a:吸附孔（晶片保持部） 32b:止動件（晶片保持部） 36:搬運路（供給通路） 41 :同步滾子（滾子） 41a:晶片保持溝（Ic晶片保持部） -32- (29) (29)1363301 41b :吸附孔（1C晶片保持部） 43 :平台（驅動機構） 51:接合滾子（搬運部） 141:同步滾子（滾子） 141a :突出部（1C晶片保持部） 141b:吸附孔（1C晶片保持部） 1 4 1 c :空隙 143 :平台（驅動機構） 149a:(正壓/負壓）配管 149b、149c:負壓配管 1 49d :正壓配管 211:薄膜基板收容部（搬運部） 212 : 1C晶片裝載部 213 :熱壓接部 214:成品捲取部（搬運部） 221 :熱壓接部本體 221a :噴射孔（吐出孔） 222 :高溫送風機構（加熱部） 2 2 3 :加壓部 224 :通電棒（通電部） 225 :具磁鐵的帶（加壓帶） 226 :磁性體帶（加壓帶） -33-

Claims (1)

1363301 __ " p年(月丨多日修正本 .. 第094120817號專利申請案中文申請專利範圍修正本 民國101年1月 13日修正 :十、申請專利範圍 • 1.—種1C晶片安裝體的製造裝置，其特徵爲： 具備： 搬運薄膜基板的搬運部；及 在上述薄膜基板上裝載1C晶片的1C晶片裝載部， φ 上述1C晶片裝載部是具備： 在周面形成有1C晶片保持部而藉由保持上述1C晶片並 進行旋轉俾將1C晶片裝載於上述薄膜基板上的滾子； 具有依次供給複數上述1C晶片的供給通路的1C晶片供 給部；以及 上述供給通路處的供給端與上述晶片保持部彼此面對 的狀態下，將上述1C晶片從該供給端送出至上述晶片保持 部的晶片送出部。 φ 2.如申請專利範圍第1項所述的1C晶片安裝體的製造 裝置，其中，上述滾子設有可接近/遠離之驅動機構，以 使上述滾子對於上述供給端可接近/遠離。 3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的1C晶片安裝 體的製造裝置，其中，在上述供給通路處的供給端設有暫 時地保持上述1C晶片而停止其移動的晶片保持部。 4. 如申請專利範圍第3項所述的1C晶片安裝體的製造 裝置’其中，上述晶片保持部具備真空吸附上述1C晶片的 吸附機構。 1363301 5. 如申請專利範圍第1項所述的1C晶片安裝體的製造 裝置，其中，上述1C晶片保持部是由：設於滾子內的複數 隔間室，及從該隔間室朝周面開口的吸附孔所構成；藉由 控制上述隔間室內的空氣壓而進行保持或解除上述1C晶片 〇 6. 如申請專利範圍第5項所述的1C晶片安裝體的製造 裝置，其中，上述隔間室是隨著滾子的旋轉而變化成負壓 狀態與正壓狀態。 7. 如申請專利範圍第5項或第6項所述的1C晶片安裝 體的製造裝置，其中，上述隔間室是由上述滾子內的空隙 與氣體電路切換閥所構成。 8. 如申請專利範圍第7項所述的1C晶片安裝體的製造 裝置，其中，上述氣體電路切換閥是備負壓配管與正壓配 管。 9. —種1C晶片安裝體的製造裝置，其特徵爲： 具備： 搬運薄膜基板的搬運部： 在上述薄膜基板上裝載1C晶片的1C晶片裝載部；以及 熱壓接上述1C晶片及上述薄膜基板的熱壓接部， 上述熱壓接部是具有： 在搬運裝載有上述1C晶片的薄膜基板的搬運路徑上’ 不停止地加壓裝載有上述搬運路徑上的上述1C晶片的薄膜 基板的加壓部，及 不停止地加熱裝載有上述搬運路徑上的上述1C晶片的 1363301 薄膜基板的加熱部。 . 10.如申請專利範圍第9項所述的1C晶片安裝體的製 造裝置，其中，上述搬運路徑是螺旋狀地設於上述熱壓接 部的周面。 Π ·如申請專利範圍第9項或第1 〇項所述的1C晶片安 裝體的製造裝置’其中，上述加壓部是藉由配置於裝載有 上述1C晶片的薄膜基板上下兩面而具有相對的引力的一對 φ 加壓帶所構成；藉由夾持利用上述一對加壓帶裝載有上述 1C晶片的薄膜基板’進行加壓裝載有上述1C晶片的薄膜基 板。 12. 如申請專利範圍第1 1項所述的1C晶片安裝體的製 造裝置’其中，上述一對加壓帶是藉由磁性引力進行加壓 裝載有上述1C晶片的薄膜基板。 13. 如申請專利範圍第12項所述的1C晶片安裝體的製 造裝置，其中’具備朝與上述搬運路徑交叉的方向流動直 • 流電流的通電部； 上述通電部利用流動上述直流電流而藉由發生在與具 磁鐵的帶之間的洛倫茲（Lorentz )力，沿著上述搬運路 徑進行搬運裝載有上述1C晶片的薄膜基板。 14. 如申請專利範圍第11項所述的ic晶片安裝體的製 造裝置，其中’在上述搬運路徑形成有吐出高壓空氣的吐 出孔；以上述高壓空氣一面浮起一面搬運裝載有上述1C晶 片的薄膜基板及上述一對加壓帶。 1 5 .如申請專利範圍第1 4項所述的I c晶片安裝體的製 1363301 造裝置，其中，上述加熱部是從上述吐出孔吐出高溫高壓 空氣進行加熱裝載有上述ic晶片的薄膜基板。
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