JP2002043338A - 半導体デバイス及びその製造装置並びに製造方法 - Google Patents
半導体デバイス及びその製造装置並びに製造方法Info
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Abstract
理を容易化し、また、ダイボンド工程に際し、上記フィ
ルム片を任意の寸法及び形状に成形可能な半導体製造装
置及び製造方法を提供する。 【解決手段】 ダイボンドフィルムを順次供給するフィ
ルム供給手段と、該フィルム供給手段により供給された
ダイボンドフィルムから、所定の形状及び寸法のダイボ
ンド用のフィルム片を成形するフィルム片成形手段とを
有し、更に、上記フィルム片成形手段が、先端部周縁の
少なくとも一部に切刃を備え、所定方向に往復式に可動
である雄刃部材と、該雄刃部材の先端部側に開口する開
口部を有し、該開口部の内周縁に、雄刃部材側の切刃に
対応する受け刃を備えた雌刃部材とを有しており、上記
雄刃部材及び雌刃部材が変更可能で、それらの切刃及び
受け刃により規定されるフィルム片の形状及び寸法が任
意に設定可能である。
Description
びその製造装置並びに方法に関する。
いて、リードフレーム上に、フィルム材からなる接合材
を介し、ダイシング工程後の半導体チップを載置して接
着するダイボンド工程が知られている。この工程では、
通常、半導体チップが載置される前に、基材の両面に接
着剤が塗布されてなる帯状のフィルム材が、所定のサイ
ズ及び形状に切断され、上記リードフレーム上に貼り付
けられる。
れた、ダイボンド工程時に帯状のダイボンドフィルムか
ら所定のサイズ及び形状を備えたフィルム片を成形する
構成を概略的に示す。この構成では、送りローラ65が
所定量回転させられるに伴ない、ダイボンドフィルム6
1が、リールガイド62からガイドローラ63及びガイ
ドプレート64に導かれて、フィルム片成形部70にお
ける雌刃部材71と雄刃部材72との間に供給される。
雄刃部材72は、保持部材74の内壁部に沿って、矢印
D4の方向に摺動可能である。雄刃部材72が雌刃部材
71に向かって移動すると、ダイボンドフィルム61が
その先端側で切断される。これによって、ダイボンドフ
ィルム61から、所定長さの矩形のフィルム片61aが
成形される。
先端面からピックアップされ、図8に示すように、リー
ドフレーム85上に搬送され、貼り付けられる。この
後、リードフレーム85がピッチ搬送され、別のユニッ
ト(不図示)により搬送されてきた半導体チップ81
が、フィルム片61a上に載置され、リードフレームに
接合される。
来の構成によれば、フィルム片61aの長さが、ダイボ
ンドフィルム61の先端部からフィルム切断部70によ
る切断位置までの距離で決定され、その精度は、ダイボ
ンドフィルム61の送り動作の精度に依存している。こ
のため、フィルム片61aの長さの精度管理が難しく、
特にサイズ精度が要求される構造を備えた半導体デバイ
ス(例えばスタックドパッケージ等)を製造対象とする
場合には、所定以上の品質を確保し得なくなる惧れがあ
る。
ルム片61aの幅が、ダイボンドフィルム61の幅によ
り決まるため、半導体チップ81のサイズに応じて、フ
ィルム片61aの幅を変更する場合には、ダイボンドフ
ィルム61を取り替える必要がある。これは、ダイボン
ド工程を効率的に行なう上で大きな妨げとなる。また、
フィルム片61aの幅については、好ましくは公差±
0.15以下の精度が要求されるが、これを実現するに
は、ダイボンドフィルム61の十分な精度管理が必要と
なる。
体チップの裏面側に設けられた電極とリードフレームの
裏面とが、リードフレームに形成された貫通孔内に挿通
するワイヤでボンディングされた後に、半導体チップの
貫通孔に対向する部位及びワイヤが樹脂封止されてなる
BOC(Board on chip)構造の半導体デバイスを製造
する場合、上記貫通孔の両側にフィルム片が貼り付けら
れ、1つの半導体チップに対して、2枚のフィルム片が
必要である。このため、製造に要する時間は非常に長く
なる。また、かかる半導体デバイスの構造では、上記半
導体チップの貫通孔に対向する面やワイヤを樹脂封止す
る工程に際して、2枚のフィルム片の両端における間
隙、すなわちチップとリードフレームとの間で接着が実
現されていない部分から、ポッティング樹脂等の樹脂材
が漏れる惧れがある。
たもので、ダイボンド用のフィルム片のサイズの精度管
理を容易化し、また、ダイボンド工程に際し、上記フィ
ルム片を任意の寸法及び形状に成形可能な半導体製造装
置及び製造方法を提供することを目的とする。
化し、また、封止工程に際して、樹脂材の漏れを防止し
得るBOC構造を備えた半導体デバイスを提供すること
を目的とする。
さ方向に貫通する貫通孔を備えたリードフレーム上に、
所定のサイズ及び形状を備えたダイボンド用のフィルム
片を介して半導体チップが接合され、該半導体チップの
裏面側に設けられた電極とリードフレームの裏面とが、
上記貫通孔を挿通するワイヤでボンディングされた後
に、上記半導体チップの貫通孔に対向する部位及びワイ
ヤが封止されてなる半導体デバイスにおいて、上記フィ
ルム片が、上記リードフレームの貫通孔の外周に沿った
内周形状を有する孔部を備え、該孔部が貫通孔の周囲を
取り囲むように、上記リードフレーム上で位置決めされ
ていることを特徴としたものである。
のダイボンド工程に際して、ダイボンドフィルムからリ
ードフレーム上で半導体チップを接合するフィルム片を
成形し、該フィルム片をリードフレーム上の所定位置に
貼り付ける構成を備えた半導体製造装置において、上記
ダイボンドフィルムを順次供給するフィルム供給手段
と、該フィルム供給手段により供給されたダイボンドフ
ィルムから、所定の形状及び寸法のダイボンド用のフィ
ルム片を成形するフィルム片成形手段とを有し、更に、
上記フィルム片成形手段が、先端部周縁の少なくとも一
部に切刃を備え、所定方向に往復式に可動である雄刃部
材と、該雄刃部材の先端部側に開口する開口部を有し、
該開口部の内周縁に、雄刃部材側の切刃に対応する受け
刃を備えた雌刃部材とを有しており、上記雄刃部材及び
雌刃部材が変更可能で、それらの切刃及び受け刃により
規定されるフィルム片の形状及び寸法が任意に設定可能
であることを特徴としたものである。
明において、上記フィルム片成形手段が、その雄刃部材
の先端面が略鉛直下方に指向するように配設されるとと
もに、フィルム片成形手段の下側に、該フィルム片成形
手段により打ち抜かれ、上記雌刃部材の開口部を通じて
下方へ落下してきたフィルム屑を収納し得る収納ケース
が設けられていることを特徴としたものである。
2又は第3の発明において、上記フィルム片成形手段
が、その雄刃部材の先端面が略鉛直上方を指向して、成
形されたフィルム片が上記先端面上に保持されるように
配設されるとともに、更に、上記雄刃部材の先端面上に
保持されるフィルム片を、ピックアップ可能なヘッドで
吸着保持し、リードフレーム上の所定位置まで搬送する
搬送手段を有していることを特徴としたものである。
チップのダイボンド工程に際して、ダイボンドフィルム
からリードフレーム上で半導体チップを接合するフィル
ム片を成形し、該フィルム片をリードフレーム上の所定
位置に貼り付ける半導体製造方法において、先端部周縁
の少なくとも一部に切刃を備え、所定方向に往復式に可
動である雄刃部材と、該雄刃部材の先端部側に開口する
開口部を有し、該開口部の内周縁に、雄刃部材側の切刃
に対応する受け刃を備えた雌刃部材とを有するフィルム
片成形手段を構成する雄刃部材及び雌刃部材を交換可能
として、それらの切刃及び受け刃により規定されるフィ
ルム片の形状及び寸法を任意に設定することを特徴とし
たものである。
5の発明において、その雄刃部材の先端面が略鉛直下方
に指向するように配設されたフィルム片成形手段の下側
に上方へ開口する収納ケースを設け、上記フィルム片成
形手段により打ち抜かれ、上記雌刃部材の開口部を通じ
て下方へ落下してきたフィルム屑を収納することを特徴
としたものである。
5又は第6の発明において、その雄刃部材の先端面が略
鉛直上方を指向するように配設されたフィルム片成形手
段において、上記雄刃部材の先端面上に保持されるフィ
ルム片を、ピックアップ可能なヘッドで吸着保持し、リ
ードフレーム上の所定位置まで搬送することを特徴とし
たものである。
て、添付図面を参照しながら説明する。 実施の形態1.図1に、本発明の実施の形態1に係る半
導体製造装置に組み込まれた、帯状のダイボンドフィル
ムからリードフレーム上で半導体チップを接合するため
のフィルム片を成形する構成を概略的に示す。この実施
の形態1では、複数の半導体チップが積み重ねられてな
るS‐CSP(Stacked Chip Scale Package)構造の半
導体デバイス(図3参照)を製造対象とする。
塗布されてなる帯状のダイボンドフィルム1を順次供給
する供給ローラ2と、モータ駆動してダイボンドフィル
ム1を送る送りローラ5と、送られてきたフィルム1か
ら、フィルム片1a(図2参照)を成形するフィルム片
成形部10と、フィルム片1aが取り除かれた後のダイ
ボンドフィルム1を巻き取る巻取りローラ8とを有して
いる。この構成は、更に、送りローラ5と対をなし該送
りローラ5の駆動に伴ない回転する従動ローラ6と、ダ
イボンドフィルム1を所定の経路に沿ってガイドする部
材としての、ガイドローラ3,7及び送りローラ5の上
流側にあるガイドプレート4とを有している。
フィルム1が、フィルム片成形部10へ所定長さ送られ
る。フィルム片成形部10は、基本的に、所定方向に往
復式に可動である雄刃部材12と、該雄刃部材12の往
復動作をガイドするガイド部材14と、上記ダイボンド
フィルム1を介して雄刃部材12と対向する雌刃部材1
1とを有している。この実施の形態1では、雄刃部材1
2が、断面矩形状の棒状体からなり、その先端部周縁を
なす四辺において、切刃12aを備えている。雄刃部材
12は、ガイド部材14の内壁部14aに沿って、矢印
D1で示す方向(この実施の形態では鉛直方向)に摺動
可能である。また、一方、雌刃部材11は、該雄刃部材
12の先端側に開口する開口部11aを有し、この開口
部11aの内周縁をなす四辺には、雄刃部材12側の切
刃12aに対応する受け刃11bが設けられている。雌
刃部材11は、フィルム片成形に際して受け刃11bが
ダイボンドフィルム1に圧接するように予め配設されて
いる。
ィルム1が雄刃部材12と雌刃部材11との間に供給さ
れた状態で、雄刃部材12が雌刃部材11へ向かって移
動すると、雄刃部材12側の切刃12a及び雌刃部材1
1側の受け刃11bが互いに係合し、これら受け刃11
b及び切刃12aに規定される形状及び寸法のフィルム
片1a(図2参照)が打ち抜かれる。このフィルム片成
形部10によれば、成形されるフィルム片1aの形状及
び寸法が、受刃11b及び切刃12aにより規定される
ため、フィルム片1aの幅及び長さ寸法の精度は、ダイ
ボンドフィルム1の送り動作の精度に依存することな
く、非常に高精度で安定したものとなる。
材12及び雌刃部材11が変更可能であり、これによ
り、これらの切刃12a及び受け刃11bにより規定さ
れるフィルム片1aの形状及び寸法が任意に設定可能で
ある。この実施の形態1では、図3を参照して後述する
ように、寸法の異なる半導体チップが積み重ねられる構
造の半導体デバイスを製造するために、寸法の異なるフ
ィルム片1aが必要となるが、フィルム片1aの形状及
び寸法が任意に設定可能であるので、かかる必要にも容
易に対応可能である。これにより、所望の寸法のフィル
ム片1aを単一工程で生産することができ、半導体製造
装置の生産性を向上させることができる。
より成形されたフィルム片1aが、リードフレーム25
上に搬送される手順について説明する。なお、この図で
は、図面の明瞭化を図り、ガイドローラ7の表面にハッ
チングを施している。雄刃部材12が雌刃部材11(図
1参照)へ向かって移動するに伴ない、雄刃部材12側
の切刃12aと雌刃部材11の受け刃11bとに規定さ
れる形状及び寸法のフィルム片1aが打ち抜かれる。こ
の実施の形態1では、フィルム片成形部10が、その雄
刃部材12の先端面12bが鉛直上方に指向するように
配設されている。このため、ダイボンドフィルム1から
打ち抜かれたフィルム片1aは、そのまま、雄刃部材1
2の先端面12b上に保持される。その後、フィルム片
1aは、ピックアップヘッド17(仮想線で示す)で吸
着保持され、リードフレーム25上に搬送されて貼り付
けられる。この方式では、フィルム片1aが、リードフ
レーム25の所定位置に精度良く搬送され得る。フィル
ム片1dの貼付け後、リードフレーム25はピッチ搬送
され、別ユニット(不図示)により搬送されてきた半導
体チップ21が、フィルム片1a上に載置されて、リー
ドフレーム25に接合される。なお、フィルム片1aの
ピックアップ後、不要なダイボンドフィルム1は、ガイ
ドローラ7に導かれ、巻取りローラ8(図1参照)上に
巻き取られて回収される。
程及びワイヤボンド工程後の半導体デバイスの縦断面図
である。この半導体デバイス20は、2つの半導体チッ
プ21,22がリードフレーム25上に積み重ねられて
なるS−CSP構造を有している。この構造では、下段
側の半導体チップ21が、フィルム片1aを介してリー
ドフレーム25上に載置され、また、下段側の半導体チ
ップ21より小型の上段側の半導体チップ22が、フィ
ルム片24aを介して半導体チップ21上に載置されて
いる。更に、下段側及び上段側の半導体チップ21,2
2は、それぞれワイヤ28,27を介して、リードフレ
ーム25にボンディングされている。
段側の半導体チップ21の上面周縁で、ワイヤ28の接
合点である電極(不図示)の領域を確保するために、ま
た、モールド成形性に基づき、上段側の半導体チップ2
2とフィルム片24aとの段差(オーバハング量)を管
理する必要があるために、下段側の半導体チップ21に
対するフィルム片24aの貼付け精度が要求される。こ
れに伴ない、また、フィルム片24aの外形寸法の精度
が要求される。前述したようなフィルム片成形部によれ
ば、成形されるフィルム片24aの形状及び寸法が、受
け刃及び切刃により規定されるので、上記の要求に応じ
て、高精度のフィルム片の寸法精度を実現することがで
きる。また、この半導体デバイス20のように、寸法の
異なるフィルム片1a,24aが必要とされる場合に
も、フィルム片成形部における雄刃部材及び雌刃部材を
変更することにより、フィルム片1aの形状及び寸法が
任意に設定可能であるため、容易に対応可能である。
成形部10にて雄刃部材12及び雌刃部材の一動作によ
りフィルム片1aが1つのみ成形される場合について説
明したが、これに限定されることなく、雄刃部材及び雌
刃部材が、その一動作により複数のフィルム片1aが打
ち抜かれ成形されるように構成されてもよい。また、成
形部10にてフィルム片1aが4辺打抜きによって成形
される場合について説明したが、これに限定されること
なく、矩形を構成する4辺をダイボンドフィルム1の幅
方向及び送り方向に沿った辺に分け、2辺ずつ切断を行
ない、矩形のフィルム片を成形するようにしてもよい。
明する。なお、以下の説明では、上記実施の形態1にお
ける場合と同じものには、同一の符号を付し、それ以上
の説明を省略する。 実施の形態2.図4に、本発明の実施の形態2に係る半
導体製造装置に組み込まれた、ダイボンドフィルムから
フィルム片を成形する構成を概略的に示す。この実施の
形態2では、半導体チップの裏面側に設けられた電極と
リードフレームの裏面とが、リードフレームに形成され
た貫通孔内に挿通するワイヤでボンディングされた後
に、半導体チップの該貫通孔に対向する部位及びワイヤ
が樹脂封止されてなるBOC構造の半導体デバイスを製
造対象とする。
形の孔部を形成し得る第1のフィルム片成形部30と、
ダイボンドフィルム1の先端側から上記孔部を含むフィ
ルム片1dを切断する第2のフィルム片成形部40とが
設けられている。第1のフィルム片成形部30は、上記
実施の形態1にて説明されたフィルム片成形部10とほ
ぼ同様の構成を有するもので、この実施の形態2では、
雌刃部材32がダイボンドフィルム1の下側に配置さ
れ、雄刃部材31及びそのガイド部34がダイボンドフ
ィルム1の上側に配置されている。雄刃部材31は、矢
印D2に示す方向(鉛直方向)に往復式に可動である。
ンドフィルム1が雄刃部材31と雌刃部材32との間に
供給された状態で、雄刃部材31が雌刃部材32へ向か
って移動すると、雄刃部材31側の切刃と雌刃部材32
側の受け刃が係合して、これら切刃及び受け刃に規定さ
れる矩形のフィルム屑1bが打ち抜かれる。これによ
り、ダイボンドフィルム1には、矩形の孔部1c(図5
参照)が形成される。この孔部1cは、リードフレーム
25に設けられた貫通孔25aの外周に沿った内周形状
を有するものである。打ち抜かれたフィルム屑1bは、
上記雌刃部材32の開口部32aを通じて下方へ落下
し、第1のフィルム片成形部30の下側に設けられて上
方へ開口する収納ケース38に収納される。
ィルム片成形部30の下流側にあり、基本的に、所定方
向に往復式に可動である雄刃部材42と、該雄刃部材4
2の往復動作をガイドするガイド部材44と、上記ダイ
ボンドフィルム1を介して雄刃部材42と対向する雌刃
部材41とを有している。雄刃部材42は、断面矩形状
の棒状体からなり、その先端部周縁をなす一辺(この場
合には、最も上流側に位置する辺)に、切刃を備えてい
る。この雄刃部材42は、ガイド部材44の内壁部に沿
って、矢印D3で示す方向(この実施の形態では鉛直方
向)に摺動可能である。また、一方、雌刃部材41は、
雄刃部材42側の切刃に対応する受け刃を備えている。
ダイボンドフィルム1が雄刃部材42と雌刃部材41と
の間に供給された状態で、雄刃部材42が雌刃部材41
へ向かって移動すると、雄刃部材42側の切刃及び雌刃
部材41側の受け刃とが互いに係合し、第1のフィルム
片成形部30にて形成された孔部を含む所定長さのフィ
ルム片1dが、ダイボンドフィルム1の先端側から切断
される。これにより、フレーム状のフィルム片1dが成
形される。
40により成形されたフィルム片1dが、リードフレー
ム25上に搬送される手順について説明する。雌刃部材
41(図4参照)と雄刃部材42との間に、孔部1cを
備えたダイボンドフィルム1が供給された状態で、雄刃
部材42が上方へ移動すると、雄刃部材42の切刃42
aと雌刃部材41の受け刃(不図示)とが互いに係合
し、ダイボンドフィルム1が、その先端側から所定長さ
を置いて幅方向に沿って切断される。これにより、孔部
1cを含む所定長さのフィルム片1dが、ダイボンドフ
ィルム1の先端側から切断される。
部材42の先端面42bが鉛直上方に指向するように配
設されており、これにより、切断されたフィルム片1d
は、そのまま、雄刃部材42の先端面42b上に保持さ
れる。その後、フィルム片1dは、上記実施の形態1に
おける場合と同様のピックアップヘッド(不図示)で吸
着保持され、リードフレーム25上の所定位置に搬送さ
れる。この実施の形態2では、リードフレーム25に
は、厚さ方向に貫通する貫通孔25aが設けられてい
る。搬送されてきたフィルム片1dは、リードフレーム
25上で、その孔部1が貫通孔25aの全周囲を取り囲
むように位置決めされ、貼り付けられる。フィルム片1
dの貼付け後、リードフレーム25はピッチ搬送され、
別ユニット(不図示)により吸着搬送されてきた半導体
チップ21が、順次、フィルム片1d上に載置されて、
リードフレーム25に接合される。
程及びワイヤボンド工程後の半導体デバイスの縦断面図
である。この半導体デバイス50の構造では、半導体チ
ップ21がフィルム片1dを介してリードフレーム25
に接合された上で、半導体チップ21の裏面側に設けら
れた電極(不図示)とリードフレーム25の裏面とが、
リードフレームに形成された貫通孔25a内に挿通する
ワイヤ57でボンディングされ、更に、半導体チップ2
1の該貫通孔25aに対向する部位及びワイヤ57が液
状のポッティング樹脂53で封止されている。
片1dが、その孔部1cがリードフレーム25の貫通孔
25aの周囲を取り囲むように位置決めされ、リードフ
レーム25の表面側で貫通孔25aを完全にシールする
ので、ポッティング樹脂53を用いた封止工程後にも、
半導体チップ21とリードフレーム25との間から、ポ
ッティング樹脂が漏れ出すことを防止することができ
る。
限定されるものでなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲
において、種々の改良及び設計上の変更が可能であるこ
とは言うまでもない。前述した実施の形態では、例えば
フィルム片成形部における雄刃部材及び雌刃部材として
は、それらの切刃及び受け刃が、例えばO字状及びU字
状等の矩形以外の形状を規定するものを用いてもよい。
また、前述した実施の形態では、BOC構造の半導体デ
バイスに用いるフィルム片1dを、フレーム状に成形す
る場合について説明したが、これに限定されることな
く、ポッティング樹脂の漏れ防止を実現し得る形状であ
れば、いかなる形状に成形してもよい。
れたフィルム片が、リードフレームに形成された貫通孔
の外周に沿った内周形状を有する孔部を備え、該孔部が
貫通孔の周囲を取り囲むように、上記リードフレーム上
で位置決めされるため、リードフレームの表面側で貫通
孔が完全にシールされ、ポッティング樹脂を用いた封止
工程後にも、半導体チップとリードフレームとの間か
ら、ポッティング樹脂が漏れ出すことを確実に防止する
ことができる。
ィルム片成形手段における雄刃部材及び雌刃部材が変更
可能で、それらの切刃及び受け刃により規定されるフィ
ルム片の形状及び寸法が任意に設定可能であるため、寸
法及び形状の異なるフィルム片を容易に成形することが
できる。また、これにより、所望の寸法及び形状のフィ
ルム片を単一工程で生産することができ、半導体製造装
置の生産性を向上させることができる。更に、ここで
は、成形されるフィルム片の形状及び寸法が、上記受刃
及び切刃により規定されるため、フィルム片の幅及び長
さ寸法の精度は、ダイボンドフィルムの送り動作の精度
に依存することなく、非常に高精度で安定したものとな
る。
記フィルム片成形手段が、その雄刃部材の先端面が略鉛
直下方に指向するように配設されるとともに、フィルム
片成形手段の下側に、該フィルム片成形手段により打ち
抜かれ、上記雌刃部材の開口部を通じて下方へ落下して
きたフィルム屑を収納し得る収納ケースが設けられるの
で、フィルム片の成形過程で生じるフィルム屑を容易に
収納し回収することができる。
ば、上記フィルム片成形手段が、その雄刃部材の先端面
が略鉛直上方を指向して、成形されたフィルム片が上記
先端面上に保持されるように配設されるとともに、更
に、上記雄刃部材の先端面上に保持されるフィルム片
を、ピックアップ可能なヘッドで吸着保持し、リードフ
レーム上の所定位置まで搬送する搬送手段を有している
ため、成形されたフィルム片をリードフレーム上の所定
位置に精度良く搬送することが可能である。
ば、フィルム片成形手段における雄刃部材及び雌刃部材
が変更可能で、それらの切刃及び受け刃により規定され
るフィルム片の形状及び寸法が任意に設定可能であるた
め、寸法及び形状の異なるフィルム片を容易に成形する
ことができる。また、これにより、所望の寸法及び形状
のフィルム片を単一工程で生産することができ、半導体
製造装置の生産性を向上させることができる。更に、こ
こでは、成形されるフィルム片の形状及び寸法が、上記
受刃及び切刃により規定されるため、フィルム片の幅及
び長さ寸法の精度は、ダイボンドフィルムの送り動作の
精度に依存することなく、非常に高精度で安定したもの
となる。
ば、その雄刃部材の先端面が略鉛直下方に指向するよう
に配設されたフィルム片成形手段の下側に上方へ開口す
る収納ケースを設け、上記フィルム片成形手段により打
ち抜かれ、上記雌刃部材の開口部を通じて下方へ落下し
てきたフィルム屑を収納するので、フィルム片の成形過
程で生じるフィルム屑を容易に収納し回収することがで
きる。
ば、その雄刃部材の先端面が略鉛直上方を指向するよう
に配設されたフィルム片成形手段において、上記雄刃部
材の先端面上に保持されるフィルム片を、ピックアップ
可能なヘッドで吸着保持して、リードフレーム上の所定
位置に精度良く搬送することができる。
に組み込まれた、ダイボンドフィルムからダイボンド用
のフィルム片を成形する構成を概略的に示す図である。
ーム上に搬送する手順を説明する図である。
導体デバイスの縦断面図である。
に組み込まれた、ダイボンドフィルムからダイボンド用
のフィルム片を成形する構成を概略的に示す図である。
フレーム上に搬送する手順を説明する図である。
ワイヤボンド工程後の半導体デバイスの縦断面図であ
る。
ボンド用のフィルム片を成形する構成を概略的に示す図
である。
する手順を説明する図である。
ィルム片,1c 孔部,2 供給ローラ,10 フィル
ム片成形部,11 雌刃部材,11a 開口部,11b
受け刃,12 雄刃部材,12a 切刃,17 ピッ
クアップヘッド,20 S−CSP構造の半導体デバイ
ス,21 半導体チップ,25 リードフレーム,38
収納ケース,50 BOC構造の半導体デバイス,5
3 ポッティング樹脂
Claims (7)
- 【請求項1】 厚さ方向に貫通する貫通孔を備えたリー
ドフレーム上に、所定のサイズ及び形状を備えたダイボ
ンド用のフィルム片を介して半導体チップが接合され、
該半導体チップの裏面側に設けられた電極とリードフレ
ームの裏面とが、上記貫通孔を挿通するワイヤでボンデ
ィングされた後に、上記半導体チップの貫通孔に対向す
る部位及びワイヤが封止されてなる半導体デバイスにお
いて、上記フィルム片が、上記リードフレームの貫通孔
の外周に沿った内周形状を有する孔部を備え、該孔部が
貫通孔の周囲を取り囲むように、上記リードフレーム上
で位置決めされていることを特徴とする半導体デバイ
ス。 - 【請求項2】 半導体チップのダイボンド工程に際し
て、ダイボンドフィルムからリードフレーム上で半導体
チップを接合するフィルム片を成形し、該フィルム片を
リードフレーム上の所定位置に貼り付ける構成を備えた
半導体製造装置において、 上記ダイボンドフィルムを順次供給するフィルム供給手
段と、 上記フィルム供給手段により供給されたダイボンドフィ
ルムから、所定の形状及び寸法のダイボンド用のフィル
ム片を成形するフィルム片成形手段とを有し、 更に、上記フィルム片成形手段が、 先端部周縁の少なくとも一部に切刃を備え、所定方向に
往復式に可動である雄刃部材と、該雄刃部材の先端部側
に開口する開口部を有し、該開口部の内周縁に、雄刃部
材側の切刃に対応する受け刃を備えた雌刃部材とを有し
ており、 上記雄刃部材及び雌刃部材が変更可能で、それらの切刃
及び受け刃により規定されるフィルム片の形状及び寸法
が任意に設定可能であることを特徴とする半導体製造装
置。 - 【請求項3】 上記フィルム片成形手段が、その雄刃部
材の先端面が略鉛直下方に指向するように配設されると
ともに、フィルム片成形手段の下側に、該フィルム片成
形手段により打ち抜かれ、上記雌刃部材の開口部を通じ
て下方へ落下してきたフィルム屑を収納し得る収納ケー
スが設けられていることを特徴とする請求項2記載の半
導体製造装置。 - 【請求項4】 上記フィルム片成形手段が、その雄刃部
材の先端面が略鉛直上方を指向して、成形されたフィル
ム片が上記先端面上に保持されるように配設されるとと
もに、 更に、上記雄刃部材の先端面上に保持されるフィルム片
を、ピックアップ可能なヘッドで吸着保持し、リードフ
レーム上の所定位置まで搬送する搬送手段を有している
ことを特徴とする請求項2又は3に記載の半導体製造装
置。 - 【請求項5】 半導体チップのダイボンド工程に際し
て、ダイボンドフィルムからリードフレーム上で半導体
チップを接合するフィルム片を成形し、該フィルム片を
リードフレーム上の所定位置に貼り付ける半導体製造方
法において、 先端部周縁の少なくとも一部に切刃を備え、所定方向に
往復式に可動である雄刃部材と、該雄刃部材の先端部側
に開口する開口部を有し、該開口部の内周縁に、雄刃部
材側の切刃に対応する受け刃を備えた雌刃部材とを有す
るフィルム片成形手段を構成する雄刃部材及び雌刃部材
を交換可能として、それらの切刃及び受け刃により規定
されるフィルム片の形状及び寸法を任意に設定すること
を特徴とする半導体製造方法。 - 【請求項6】 その雄刃部材の先端面が略鉛直下方に指
向するように配設されたフィルム片成形手段の下側に上
方へ開口する収納ケースを設け、 上記フィルム片成形手段により打ち抜かれ、上記雌刃部
材の開口部を通じて下方へ落下してきたフィルム屑を収
納することを特徴とする請求項5記載の半導体製造方
法。 - 【請求項7】 その雄刃部材の先端面が略鉛直上方を指
向するように配設されたフィルム片成形手段において、
上記雄刃部材の先端面上に保持されるフィルム片を、ピ
ックアップ可能なヘッドで吸着保持し、リードフレーム
上の所定位置まで搬送することを特徴とする請求項5又
は6に記載の半導体製造方法。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR100653571B1 (ko) * | 2003-08-14 | 2006-12-05 | 에이에스엠 어쌤블리 오토메이션 리미티드 | 필름을 인덱스하고 절단하는 장치 및 방법 |
Families Citing this family (4)
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US7157790B2 (en) * | 2002-07-31 | 2007-01-02 | Microchip Technology Inc. | Single die stitch bonding |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100653571B1 (ko) * | 2003-08-14 | 2006-12-05 | 에이에스엠 어쌤블리 오토메이션 리미티드 | 필름을 인덱스하고 절단하는 장치 및 방법 |
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