TWI363049B - Method for producing highpurity quaternary ammonium salt - Google Patents

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Kazutaka Hirano
Akinori Oka
Yoshinobu Abe
Akihiro Nabeshima
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Description

U63049 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 - 本發明係有關一種四級銨鹽的製造方法，其係在做為 雙電詹電容器（electric double layer capacitor)或電解電容 器等蓄電元件之電解質而使用之四級銨鹽中，使做為雜質 "而内含之三級胺及三級胺之質子酸鹽減少。 【先前技術】 以往’四級銨鹽的製造方法係已知有使三級胺與鹵烷 • (alkyl halide)反應而製成鹵化四級銨鹽，再使其與酸反應 之方法；此外，已知有使三級胺與碳酸二酯反應而生成四 .級叙鹽，接著使其與酸反應而去缓基（decarb〇Xylati〇n)之方 •法。 當任一方法皆未完全進行三級胺之四級化反應時，未 反應之二級胺係通常在下一步驟中與酸反應而生成三級胺 之質子酸鹽，然後混入做為主生成物之四級銨鹽中。 籲此外，有時也經由鹵化四級銨鹽或四級銨鹽之熱分解 而生成二級胺。所生成之三級胺係在四級銨鹽之製造過程 中使二級胺之質子酸鹽生成。由於三級胺之質子酸鹽之陽 離子之氫原子易以質子之形式而被釋放出，故對於還原反 應為特別不安定’而已知會成為降低雙電層電容器、電解 電谷盗之耐電壓及長期可靠性之原因（例如，專利文獻。 因此’為了得到可靠性高之雙電層電容器、電解電容 器’則必須使做為電解質而使用之四級銨鹽中之三級胺及 三級胺之質子酸鹽減少。 5 319599 li-63049 '咸少四、及銨现中之二級胺及三級胺之質子酸鹽的方 t已知有將該鹽在有機溶劑中再結晶之方法(專利文獻！、 2).0 —然而’因進仃再結晶會造成收率降低等，做為在 ^貫％之方法並不適#。此外，#四賴鹽在常溫下 態之物質時，係難以進行再結晶。
[專利文獻1]日本特開2〇〇〇_311839號公報 [專利文獻2]曰本特開2〇〇4_186246號公報 本發明之目的係提供一種四級銨鹽的製造方法，其係 使四級銨鹽中所含有之做為雜質之三級胺及三級胺之質子 酸鹽減少。 、 【發明内容】 本發明係有關以下之發明。 1.一種高純度四級銨鹽的製造方法，其特徵為\(1)在 含有二級胺之質子酸鹽做為雜質的四級銨鹽中，添加屬於 第1至2族、第12至13族之金屬之氧化物或氫氧化物， 以使上述三級胺之質子酸鹽藉由該金屬之氧化物或氫氧化 物而中和，在轉換成三級胺與水之同時，亦使該金屬之氧 化物或氫氧化物轉換成金屬鹽；（2)將生成之三級胺、水、 金屬鹽予以夫除至反應系統外。 • t 2·—種高純度四級銨鹽的製造方法，其特徵為：（”使 二級胺與可具有取代基之鹵烷反應而得到鹵化四級銨鹽； (2)使該_化四級銨鹽與酸化合物反應而得到含有三級胺 之質子酸鹽做為雜質的四級銨鹽；（3)在該四級銨鹽中添加 319599 6 Π63049 屬於第1至^ 1 O S 1 -3 人 物，㈣、、弟 屬之氧化物或氫氧化 物 ^使上述三級胺之質子酸越與由兮 二匕物而中二’在轉換成三級胺與水之同時，亦使該金屬 氧化物或氫氧化物轉換成金屬鹽 7t > ^ Μ ^ ^ 肘生成之二級胺、 κ金屬鹽予以去除至反應系統外。 在本發明令，三級胺之質子酸鹽係指在分子中 释放出之H+的三級胺鹽。 八有Ύ 為'·二：：係：種高純度四級銨鹽的製造方法，其特徵 . 3有二級胺之質子酸鹽做為雜質的四級銨鴎中， 添加屬於第1至2施、笛^ Ψ 弟無之金屬之氧化物或氫 乳，物，以使上述三級胺之質子酸鹽藉由該金屬之氧化物 或虱氧，物而t和，在轉換成三級胺與水之同時，亦使該 金屬之氧化物或氫氧化物轉換成金屬鹽；（2)將生成之三級 胺、水、金屬鹽予以去除至反應系統外。 本發明中所使用之四級銨鹽之四級銨陽離子可舉例 如·.四烷基銨離子、四烷基鱗離子、咪唑陽離子 (lmidazolium)、吡唑陽離子（pyraz〇lium)、吡唆陽離子 Ojyridinium；)二哇陽離子⑽犯…腿卜嗒哄陽離子 (pyridazinium) 1¾唾陽離子（thiaz〇iium)、卩等。坐陽離子 (oxazolium)、嘧啶陽離子（pyrimidinium)、吡哄陽離子 (pyrazinium)等。 具體而言，可例示如下述之化合物。 四烷基銨離子可舉例如：四乙銨離子、四甲銨離子、 四丙銨離子、四丁録離子、三乙基甲基銨離子、三甲基乙. 319599 13,63049 v % 基銨離子、二甲基二乙基銨離子、三曱基丙基銨離子、三 甲基丁基錢離子、二甲基乙基丙基錄離子、曱基乙某丙美 • 丁基銨離子、N，N-二甲基吡咯啶陽離子（N，N_dimethyl • Pyrrolidinium) ' N-乙基-N-曱基吼洛咬陽離子、曱基 丙基吡咯啶陽離子、N-乙基·Ν-丙基吡咯啶陽離子、^,N_ 二甲基哌啶陽離子（N，N-dimethyl Piperidinium)、N_ 甲基_N_ 乙基哌啶陽離子、N-曱基丙基哌啶陽離子、N_乙基-N_ 鲁丙基哌啶陽離子、N，N-二甲基嗎啉陽離子 m〇rph〇linium)、N_曱基-N_乙基嗎啉陽離子、n_甲基善丙 基嗎啉陽離子、N_乙基-N-丙基嗎啉陽離子、三甲基甲氧基 曱基銨離子、二曱基乙基甲氧基甲基銨離子、二甲基丙^ 甲氧基甲基銨離子、二甲基丁基甲氧基甲基錢離子、二乙 基T基T氧基甲基銨離子、甲基乙基丙基甲氧基甲基録離 子、三乙基甲氧基甲基銨離子、二乙基丙基f氧基甲基銨 離子、二乙基丁基甲氧基甲基銨離子、二丙基甲基甲氧基 •甲基録離子、二丙基乙基甲氧基甲基録離子、三丙基甲氧 離子、三丁基甲氧基甲基絲子、三甲基乙氧基 土錄離子、—甲基乙基乙氧基甲基銨離子、二甲基丙基 ^氧基f基㈣子、二f基丁紅氧基甲基絲子、二乙 ^基乙氧基甲基㈣子、三乙基乙氧基甲基銨離子、二 丙基乙氧基甲基㈣子、二乙基丁基乙氧基甲基錄離 :錄：：鮮基乙氧基7基鍵離子、二丙基乙基乙術 丙基乙氧基甲基錄離子、三丁基乙氧基甲基 叙離子、NHN·甲氧基甲基対㈣離子、Ν•乙基4 319599 8 Ι3ί63049 甲氧基甲基吡咯啶陽離子、Ν-丙基-Ν-甲氧基甲基吡咯啶陽 離子、Ν-丁基-N-f氧基甲基吡咯啶陽離子、Ν_甲基_Ν•乙 氧基甲基吡咯啶陽離子、Ν_甲基_Ν_丙氧基甲基吡咯啶陽離 子、Ν-甲基丁氧基甲基吡咯啶陽離子、Ν_甲基·ν_甲氧 基甲基哌啶陽離子、Ν_乙基_Ν_甲氧基甲基吡咯啶陽離子、 Ν-甲基-Ν-乙氧基Τ基吡咯啶陽離子、Ν_丙基_ν•甲氧基甲 基比σ各定陽離子、Ν_曱基-Ν-丙氧基甲基吡咯啶陽離子、4_ 偶鼠螺〔3,4〕辛院（4個niaspir〇〔3,4〕⑽叫、^偶氮螺 〔2,4〕庚院、5_偶氮螺〔4,4〕壬燒、&偶氮螺〔5,5〕十 一烷等。 四烧基鱗離子可舉例如：四乙鱗離子、四甲鱗離子、 四丙鱗離子、四了鱗離子、三乙基甲基鱗離子、三甲基乙 基‘離子、—甲基二乙基鱗離子、三甲基丙基鎸離子、三 甲基丁基鱗離子、二甲基乙基丙基鳞離子、甲基乙基丙基 丁基鱗離子等。 - ❹陽離子可舉例如：1，3_4基_销離子、^ 基I甲基味唑陽離子、U-二乙基味唾陽離子、Γ，2-二 基-3-乙基咪销離子、丙㈣謂離子等 陽料可舉例如：1，2-二甲基対陽離子、） 7 土比唑除離子、1•丙基_2•曱基吡唑陽離子、 -2-丁基吡唑陽離子等。 τ °比σ定陽離子可盤彳丨l 、 咬陽離子'甲基㈣陽離子、Ν-乙基 三。坐陽離子、Μ基^陽離子等。 可舉例如：1·曱基三唾陽離，子、丨_乙基 319599 9 Π63049 金屬之氫氧化物係以Ca(OH)2、Mg(〇H)2、Ba(〇H)2 或A1(〇H)3為佳。金屬之氧化物係以CaO、Mg〇、Ba〇、 ZnO或Al2〇3為佳。 . 做為本發明之雜質的三級胺之質子酸鹽，係在製造四 級銨鹽％生成。此外，也會在四級銨鹽受到熱分解時生成。 具體而吕，例如在合成N-甲氧基甲基-N-甲基吼咯啶陽離 子之BF4鹽時，在原料之氯甲基曱基醚中所含有之做為雜 籲質之鹽酸，會與另一原料之三級胺之甲基吡洛.啶反應而生 成甲基吡咯啶之鹽酸鹽。或是甲基吡咯啶’更進一步因溶 劑中所含有之微量水故使氣曱基甲基醚水解而生成鹽酸， 也經由相同反應而生成曱基吡咯啶之鹽酸鹽。該鹽酸鹽會 經由使用HBF4之鹽轉換反應而成為非常難以去除之甲基 吡咯啶之HBF4鹽。並且在以13〇至2〇〇〇c高溫進行合成 BF*鹽時’經由N_甲氧基曱基_N_曱基吡咯啶鹽（鹽酸鹽、. BF*鹽）之熱分解，生成量雖少但仍會生成甲基吼咯啶之 鲁HBF4鹽。此外’過量使用甲基吼p各咬時，在n_甲氧基曱 基-N-甲基吼嘻咬陽離子鹽酸鹽中會殘留甲基n比嘻咬，繼而 轉換成BF4鹽，而生成N-甲基比各咬之HBF4鹽。 二級胺，具體而言可例不如下述之化合物.。 可列舉如：三乙胺、三曱胺、三丙胺、三丁胺、二甲 基乙基胺、二曱基丙基胺、二甲基丁基胺、二乙基曱基胺、 二乙基丙基胺、二乙基丁基胺、二丙基丁基胺、二丁基丙 基胺、甲基乙基丙基胺、曱基乙基丁基艇、乙基丙基丁基 胺、N-曱基。比咯咬、N-乙基吼洛咬、N-丙基°比σ各咬、N- 11 319599 小時，而以30分鐘至i〇小時為佳。 各扎反應後’屬於第1至2族、第12至13族之金屬之4 =氣氧化物係轉換成金屬鹽，而三級胺之叫 氧化广此•’當使用例如氧储、氧化鎂、 :化鋇專金屬氡化物時，該金屬鹽係轉換成該陰離子之 氟硼2鋇鹽：具體而言’當生成四氟硼酸鹽時係成為四 ’’弓、四氟硼酸鎂、四氟硼酸鋇。此外也可與生成之 t應而轉換成氫氧㈣、氫氧化韻、氫氧化鋇，而亦能 减少水分量。 金屬鹽之去除方法，係能經由例如過濾、管柱精製等 而去除。 寸 二級胺及水之蒸财除方法，係能依據㈣方法而基 館’且可合併減壓或者加熱。此外，可一面進行加熱，同、 時注入不會與四級銨鹽反應之氮、氬、空氣等而進行去除。 蒸餾去除三級胺及水之溫度係20至2〇(rc，而以90 專17(TC為佳。時間係〇5至24小時，而以$至η小時 為佳。 、 去除雜質後之四級銨鹽，係經減少做為雜質的三級 胺、.二級胺之質子酸鹽。. 在本發明中所製造之高純度四級銨鹽，係能適合做為 雙電層電容器、電解電容器、電池等之電解質或者電解液 而使用。從降低雙電層電容器、電解電容器或電池之耐電 壓、及降低長期可靠性之觀點來看，此種非水電解液用電 解質所需之電解質中三級胺之質子酸鹽含量係越少越佳。 319599 14 1363049 一般含量係在200ppm以下，而以在lOOppm以下為佳，以 在5Oppm以下更佳，以在3 Oppm以下特佳。最佳係在1 Oppm — 以下。 三級胺之質子酸鹽之濃度係能依液相層析法分析。依 液相層析法分析係例如能以如下述所示之條件進行。
Inertsil 管柱 ODS-3 250mmx4.6mm I.D. 5.0//m(GL Sciences公司製），偵測器L-7490 RI偵測器（日立製作所公 司製），移動相{Na2HP04 lmM+KH2P04 9mM+NaC104 籲 10mM}/H2O，流速 1.0mL/min，管柱溫度 40°C。 【實施方式】 以下，按照實施例具體說明本發明，但並非限定於此 等。 (實施例1) 在露點-60°C之氬氣大氣之手套箱内，在下述組成之電 解液100g中添加氧化1弓l.Og。 鲁N-曱氧基甲基-N-曱基吡咯啶陽離子四氟硼酸鹽30重量％ 碳酸伸丙酯 70重量％ ! H20 30ppm 曱基吼17各σ定四氟鄉酸鹽 300ppm 在40°C攪拌1小時後，以膜濾器過濾，去除生成之四 氟棚酸辦、氫氧化i弓、及過量之氧化妈。滤液係在1 mmHg 之減壓下、於25 °C維持1小時，然後去除曱基吡咯啶、水。 於露點-60°C之氬氣中恢復至常壓，並供以分析。 N-曱氧基甲基-N-曱基吡咯啶陽離子四氟硼酸鹽30重量％ 15 319599 1363049 在40°C攪拌 ！小日产/
ImmHg之減壓下、於25j ’㈣遽器㈣°濾、液係在 氣中恢復至常；1，並供以分析持1小時。於露點_6()°C之氬 N-甲氧基甲基-N-甲基吡 碳酸伸乙醋 哫除離子四氟硼酸鹽30重量％ 70重量％ H2〇 7 /ppm 甲基吡咯啶四氟硼酸蹿 ^ 偵測極限（10Ppm>：) (實施例4) v 在露點_60t<氬氣大氣之套 解液_中添加氧化鋅1〇g。套相内，在下述組成之電 30重量％ 70重量％ 30ppm 300ppm ，以臈濾器過濾。濾液係在 於露點-60°C之氬 30重量％ 70重量％ 9ppm 谓挪極限（l Oppm > ) N-乙基-N-甲基咪唑陽離子四氟硼酸鹽 碳酸伸丙酯 1 h2〇 乙基咪唑四氟硼酸鹽 在60°C攪拌1小時後 lmmHg之減壓下、於25它維持！ 氣中恢復至常壓，並供以分析。、 N-乙基-N-甲基咪唾陽離子四氟哪酸鹽 碳酸伸丙酯 & H20 乙基咪唑四氟硼酸鹽 (實施例5) 在露點-60°C之氬氣大氣之手套 、、 解液100g中添加氧化们Gg。目’下边組成之電 319599 17 1363049 * 甲氧基甲基-N_甲基0比洛π定陽離子四氟硼酸鹽3 0重量％ ‘ 碳酸伸丙酯 70重量％ -H2〇 3°ppm 曱基0比洛咬四氟删酸鹽 3〇〇ppm 在80°C攪拌1小時後’以膜濾器過濾。濾液係在 ImmHg之減壓下、於25 C維持1小時。於露點_6〇。〇之氬 氣中恢復至常壓，並供以分析。 N-甲氧基甲基-N-甲基吡咯啶陽離子四氟硼酸鹽30重量％ 籲碳酸伸丙酯 70重量％ H2O I5ppm 曱基吡咯啶四氟硼酸鹽 50ppm (實施例6) 將N-曱基吡咯啶（試藥：東京化成製）3〇〇g溶於醋酸 曱酯120g中，進行氮取代。在5。〇下以1小時滴入氣甲基 曱基醚(試藥：東京化成製）31.2g。在5°C攪拌1 .小時後緩 φ緩升溫，在室溫攪拌10小時後結束反應。過濾反應液，並 將所得之固體以醋酸甲酯15〇g、丙酮15〇g洗淨。減壓乾 燥後得到N-曱氧基.甲基_N_甲基β比咯啶陽灕子氯化物 53.7g。將該氣化物鹽53 7g溶於曱醇.125g中，並添加 30%刪4之甲醇溶液99.6g。在i3(rc進行氮氣起泡，而得 到已去除甲醇、水及氯化氫與過量HBF4之目標電解質之 曱氧基甲基-N_甲基吡咯啶陽離子四氟硼酸鹽(水 分值20ppm)。使用該電解質，在露點_6〇。[之氬氣大氣之 手套箱内’調製下述組成之電解液1〇〇g後，添加氧化舞 319599 18 13.63049 l.Og 〇 > N-甲氧基甲基-N-甲基料咬陽離子四氟侧酸鹽3〇重量％ *碳酸伸丙酯 70重量％ H2〇 18ppm •甲基吡咯啶四氟硼酸鹽 400ppm ,在机攪掉1 +時後，以膜濾、器過遽。遽液係在 ImmHg之減£下於25 c維持丨小時。於露點_6〇ι^之氬 氣中恢復至常壓，並供以分析。 Ν甲氧基甲基Ν·甲基各咬陽離子四氣棚酸鹽％重量。/〇 碳酸伸丙S旨 70重量％ 8ppm 甲基吡咯啶四氟冊酸鹽偵測極限（！ 〇ppm > ) (實施例7) 在路點60 C之氬氣大氣之手套箱内’在下述組成之電 解液100g中添加氫氧化鈣1〇g。 變N-甲氧基甲基_N_甲基料㈣離子四氟賴鹽％重量％ 碳酸伸丙酯 70重量°/。 H2° 2〇ppm 曱基扯咯啶四氟硼酸鹽 3〇〇ppm 在4〇°C攪拌i小時後，以膜據器過渡。滤液係在 mmHg之減壓下、於2穴維持i小時。於露點_6代之氬 氣中恢復至常壓，並供以分析。 N-曱氧基甲基·Ν_甲基料。定陽離子四氟餐I%重量％ 碳酸伸丙S旨 7〇重量％ 319599 19 1363049 h2o • 曱基吡咯啶四氟硼酸鹽 '(實施例8) 12ppm 偵測極限（l〇ppm>) 在露點-60°C之氬氣大氣之手套箱内，在下述組成之電 解液100g申添加氫氧化鋁1.0^ N_甲氧基甲基_N_甲基。叫t陽離子四氟3Q重量％ 礙酸伸丙醋 70重量％ H20 _ 甲基吡咯啶四氟硼酸鹽 20ppm 300ppm 在4〇°C攪拌1小時後，以膜遽器過濾。遽液係在 ImmHg之減壓下、於25t：維持1小時。於露點·6〇t：之氬 氣中恢復至常壓’並供以分析。 N-甲氧基甲基甲心叫⑦陽離子四酸鹽3()重量％ 碳酸伸丙酉旨 70重量％ h2o _甲基吼咯啶四氟硼酸鹽 (實施例9) 12ppm 4貞測極限（1 〇ppm > ) 除了使用氧化鋇1.〇g與氫氧化鋇l.Og代替實施例8 中之氫氧化幻.Gg以外係與實施例8同樣操作，而得到下 述組成之電解液。 N甲氧基甲基-：^_甲基吡咯啶暢離子四氟硼酸鹽3〇重量％ 碳酸伸丙S旨 70重量％ h2o 曱基σ比咯啶四氟硼酸鹽 1 Oppm 積測極限（1 Oppm > ) 20 319599 1363049 氟離子 lppm (實施例10). 除技用氡化鋇i.Og與氮氧化鎮1〇g代替實施例8 中之1氧化銘l.Gg以外係與實施例8同樣操作，而得到下 述組成之電解液。 甲氧基甲基N-甲基。比洛咬陽離子四說侧酸鹽％重％ 碳酸伸丙醋 70重量％ h2o lOppm ^比嘻咬四氟哪酸鹽偵測極限（i〇ppm> ) 氣子 lppm (實施例11) 中之^ = ?化辦LOg與氯氧化約丄08代替實施例8 辻徂I、之雷鯭0g以外係與實施例8同樣操作，而得到下 述組成之電解液。 ^j ^ N-甲氧基甲基甲 .… 碳酸伸丙g旨 h20 甲基吼嘻咬四氟蝴酸_ 氟離子 1 (實施例12) _ 暴比嘻啶險離子四氟硼酸鹽30重量％ 70重量％ 1 Oppm 偵測極限（1 Oppm > ) lppm 除了使用氧化叙 中之氫氧化銘1.0&、.〇g與風氧化1呂W代替實施例8 述組成之電解液 N-甲氧基甲基-Nit τ基吡咯啶陽離子 以外係與實施例8同樣操作，而得到下 四氟硼酸鹽30重量〇/〇 319599 21 70重量％ lOppm 偵測極限（1 Opp.m > ) lppm 碳酸伸丙酯 h2o •曱基0比洛咬四氟硼酸鹽 氟離子 (實施例13) 除了使用氣务避! Λ , 中之气董… 氫氧化鋇…代替實施例δ ' 、.〇g以外係與實施例8同樣操作，而得到
述組成之電解液。 行^下 曱氧基甲基-N-甲基』比略咬陽離子四i硼酸鹽％重 碳酸伸丙醋 70重量％ h2o t lOppm 曱基°比洛°定四氟蝴酸鹽 _極限（10 p p m > ) 氟離子 ， lppm (實施例14) 將N甲基比洛β疋（试藥.東京化成製p 〇g溶於醋酸甲 •酿120g中，進行氮取代。在5。〇下以i小時滴入氯甲基甲 基鱗(試藥：東京化成製）31.2g。在5。〇攪拌1小時後緩緩 升溫，在室溫攪拌1 〇小時後結束反應。過濾反應液，並將 所件之固體以醋酸甲酯15〇g、丙嗣15〇g洗淨。減壓乾燥 後得到N-甲氧基甲基甲基吡ir各咬陽離子氯化物53 7g。 在該氯化物鹽53.7g中添加42%1^卩4水溶液71.2§，使其 溶解。在130。(：進行氮氣起泡，並去除水及氣化氫與過量 之HBF4。在此溶液中加入甲醇70ml，並在130°C進行氮 氣起泡，進一步得到已去除水及氯化氫與過量HBF4之目 22 319599 q63049 才示電解貝之N-曱氧甲基-Ν·甲基》比哈咬陽離子四氟蝴酸鹽 68.2g(水分30ppm、甲基吡咯啶四氟硼酸鹽4〇〇〇ppm)。 在露點-601：之氬氣大氣之手套箱内，在該電解質 68.2g中添加氧化鋇2 〇g、甲醇7〇m卜在13〇<5c進行氮氣 起泡並蒸餾去除曱醇後，以膜濾器過濾後，供於分析。 N-甲氧基甲基_ν·甲基吡咯啶陽離子四氟硼酸鹽1〇〇重 量％(惟’含有下述ppm程度之雜質） lOppm 伯測極限（1 Oppm > ) h2o f基吡咯啶四氟硼酸鹽 (實施例15) 除了使用氧化辦2.0g代替實施例14中之氧化鎖2 〇g 以耗與實施例14同樣操作，而得到下述組成之電解質。 =曱氧基甲基·Ν·甲基n定陽離子四i蝴酸冑⑽重 量％(惟，含有下述ppm程度之雜質） lOppm 偵測極限（l〇ppm> ) h2o 甲基σ比略咬四氟删酸鹽 (實施例16) 除了使用氫氧化鈣2.0g 2.0g以外係與實施例14同樣 解質。 代替實施例14中之氧化鋇 操作，而得到下述組成之電 100 .重 N-甲氧基曱基曱基《比哈π定陽工产 旦0//也Λ 疋场離子四氟硼酸鹽 里。（惟，S有下述ppm程度之雜質 h2o 7 iOppm 甲基°叫相氟_鹽 _極限（1GPpm>) 319599 23 ^03049 (實施例17) . 中之L了卜=氧化鎖2.0g與氣氧化鎖2·〇δ代替實施例u 述組成之電解.Γ外係與實施例14同樣操作，而得到卞 旦。基曱基*甲基吡咯啶陽離子四氟硼酸鹽10〇 I 里/〇(惟’含有下述ppm程度之雜質） 重 h2〇 lOppm :^叫咬四氟哪酸鹽彳貞測極限⑽ppm〉） 鼠離子 -— lppm (實施例18) — . 中之，If用氧化鎖2.〇g與氯氧化鎮2.0g代替實施例14 甲氧基甲基f基吡吸晗晤錘工卜 旦, 丞比各疋％離子四氟硼酸鹽100重 I/。(惟，含有下述ppm程度之雜質）. H2° lOppm 甲基吡咯啶四氟硼酸鹽债測極 氟離子 , ^ lppm (實施例19) 中之轰J·!吏用氧化鈣2 〇g與氫氧化鈣2.〇g代替實施例14 I之^们.Gg以外係與實施例14同樣操作，下 述組成之電解質。 N-甲氧基甲基-基吡 睹 旦 . 各疋除離子四鼠硼酸鹽100重 里〇(惟’ s有下述ppm程度之雜質） 319599 24 i4〇3U4y i4〇3U4y 1 Oppm 偵測極限（10ppm> ) lppm H20 甲基n比咯啶四氟硼酸鹽 氟離子 (實施例20) 中之氧化舞2’與氫氧化紹^代替實施例u ，、.0§以外係與實施例14同樣操作，而得到卞 述組成之電解質。 J下 曱氧基甲基N·甲基t各咬陽離子四氟爛酸鹽_ .量％(惟’含有下述ppm程度之雜質） * H2° lOppm … 曱基啦t定四氟顯鹽彳貞測極限⑽㈣〉） 鼠離子 1 lppm (實施例21) 除了使用氧化鎮2.0g與氫氧化鋇2.〇g代替實施例 中之氧化鋇2.Gg以外係與實施例14同樣操作，而得 述組成之電解質。 甲氧基甲基-N_甲基吡咯啶陽離子四氟硼酸鹽1〇〇重 量％(惟’含有下述ppm程度之雜質） 仏〇 lOppm 甲基吡咯啶四氟硼酸鹽 偵測極限（1〇ppm>) 鼠離子 lppm (實施例22) 在露點-60°C之氬氣大氣之手套箱内，在下述組成之電 解質7〇g中添加氧化鋇2.0g。 . 319599 25 1^63049 N-曱基-N-乙基咪唑陽離子四氟硼酸鹽1〇〇重量％(惟，含 • 有下述Ppm程度之雜質） H2〇 30ppm 乙基咪哇四氟硼酸鹽 300ppm 添加甲醇7〇ml ’並在13(TC進行氮氣起泡且蒸餾去除 曱醇後，以膜濾器過濾後供於分析。
N-曱基-N-乙基咪唑陽離子四氟硼酸鹽1〇〇重量％(惟，含 有下述ppm程度之雜質） lOppm 偵測極限（1 Oppm > ) H20 乙基咪嗦四氟硼酸鹽 (實施例23) 除了使用氧化鋇2.〇g與氫氧化鋇2.Og代替實施例22 中之氧化鋇2，Gg以外係與實施例22同樣操作，而得到下 述組成之電解質。 N-曱基·Ν-乙基咪唑陽離子四氟硼酸鹽100重量％(惟，含 有下述ppm程度之雜質） H20 乙基咪唑四氟硼酸鹽 氟離子 (產業上之利用可能性） lOppm 偵測極限（1 Oppm > ) lppm —根據本發明，能減少四級銨鹽中所含有之做為雜質之 二級胺及三級胺之質子酸鹽。 加經減少雜質之四級銨鹽係能適合使用做為雙電層電容 器和電解電容器等蓄電元件之電解質。 319599 26 1^63049 此外，使用該電解質之雙電層電容器、電解電容器係 * 能提高耐電壓及長期可靠性。 27 319599

Claims (1)

1363049 十、申請專利範圍： A年Q修正替換頁 第96134799號專利申請案 101年2月7日修正替換頁 1.種作為蓄電元件之電解質使用的高純度四級錢鹽的 製造方法，其特徵為： (1)在含有二級胺之質子酸鹽做為雜質的四級銨鹽中，添 加屬於第1至2族、第12至13族之金屬之氧化物或 氫氧化物，其中四級銨鹽之陰離子選自由CF3C〇2_、 cf3so3、bf4· ' A1F4·、C1BF3· ' (FS02)2N-、pf6-、 AsF6、C104-、N(CF3S03)2-、RfS〇3-、Rfc〇2-(其中， Rf係具有碳數1至8之氟烷基）、（Rris〇2)(Rr2S〇2)N_ 及（RrlS02)(Rr2C02)-(其中，Rri、Rr2係表示碳數J至 8之氟烷基，Rrl、係可相同或不同）所成群組； 以及其令質子酸鹽之質子酸係選自由CF3c〇2H、 cf3so3h、hbf4、haif4、hcibf3、（fso2)2nh、HPF6、 HAsF6、hcio4、NH(CF3S〇3)2、hc(cf3so2)3、 RfS〇3H、RfC〇2H(其中，Rf係表示碳數i至8之氟 烷基）、（RrlS〇2)(Rr2S〇2)NH 及（RrlS02)(Rr2C02)H(其 中，Rrl、Rr2係表示碳數i至8之氟烷基，Rrl、Rr2 係可相同或不同）所成群組，然後使上述三級胺之質 子酸鹽藉由該金屬之氧化物或氫氧化物而中和，在 轉換成三級胺與水之同時，亦使該金屬之氧化物或 氫氧化物轉換成金屬鹽， (2)將生成之三級胺、水、金屬鹽予以去除至反應系統 外。 2· —種作為蓄電元件之電解質使用的高純度四級銨鹽的 319599(修正本) 28
第96134799號專利申請案 101年2月7日修正替換頁 1363049 製造方法，其特徵為 (1) 使三級胺與可具有取代基之處烷反應而得到鹵化四 級銨鹽， (2) 使該齒化四級銨鹽與酸化合物反應而得到含有三級 胺之質子酸鹽做為雜質的四級銨鹽，其中酸化合物 選自由 CF3C02H、CF3S03H、HBF4、HA1F4、HC1BF3、 (FS〇2)2NH、HPF6、HAsF6、hcio4、NH(CF3S〇3)2、 HC(CF3S02)3、RfS03H、RfC02H(其中，Rf 係表示 碳數1至8之氟烷基）、（RrlS〇2)(Rr2S〇2)NH及 (RHS02)(Rr2C02)H(其中，Rrl、R/2 係表示碳數 i 至 8 之氟烷基’ 、Rr2係可相同或不同）所成群組；以 及其中質子酸鹽之質子酸係選自由cf3co2h、 cf3so3h、HBF4、HA1F4、HC1BF3、（FS〇2)2NH、HPF6、 HAsF6、HC104、nh(cf3so3)2、hc(cf3so2)3、 RfS03H、RfC02H(其中，Rf係表示碳數1至8之氟 烷基）、（RrlS02)(Rr2S02)NH 及（RrlS02)(Rr2C02)H (其 中’ R/1、Rf2係表示碳數1至8之氟烷基，Rrl、Rr2 係可相同或不同）所成群組， (3) 在該四級銨鹽中添加屬於第1至2族、第12至13 族之金屬之氧化物或氫氧化物，以使上述三級胺之 質子酸鹽藉由該金屬之氧化物或氫氧化物而中和， 在轉換成三級胺與水之同時，亦使該金屬之氧化物 或氫氧化物轉換成金屬鹽， (4) 將生成之三級胺、水、金屬鹽予以去除至反應系統 29 319599(修正本) 1363049 外。
第96134799號專利申請案 101年2月7日修正替換頁 3. 如申請專利範圍第2項之製造方法’其中’酸化合物係 cf3co2h、cf3so3h、HBF4、HA1F4、HC1BF3 或(FS02)2NH。 4. 如申請專利範圍第1項或第2項之製造方法，其中，金 屬之氧化物或氫氧化物係CaO、MgO、BaO、ZnO、 Al2〇3、Ca(OH)2、Mg(OH)2、Ba(OH)2、Zn(OH)2、Al(OH)3 或 LiOH。 5.如申請專利範圍第4項之製造方法，其中，金屬之氧化 物或氫氧化物係 CaO、MgO、BaO、ZnO、Al2〇3、Ca(OH)2、 Mg(OH)2、Ba(OH)2、或 Al(OH)3。 30 319599(修正本)
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