TWI359360B - - Google Patents

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96年5月18日修正替換頁 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 卡及存取於半導體 記憶 本發明係關於-種半導體記憶體 體卡之存取裝置以及存取方法。〜 【先前技術】 存在2錄=内==等之數位資料之記錄媒體， β之半導體:憶這:記錄媒體 位靜錄媒體之小型化，因此，以數 ^像攝=機或行動電話終端機等之小型之可攜式機器，作 為中心而急速地普及中。 …儲存於㈣體記憶針之資料係可⑽由_系統而進 仃管理，使用者係能夠使得儲存之資料作為檔案而容易進行 處理作為向來使用之樓案系統係有揭示於Β〇/ΙΕ(^9293、 “Information Technology-Volume and file structure of disk cartridges for information(資訊技術一資訊用碟匣盒之容積和 檔案結構）”、1994年之FAT檔案系統。此外，存在記載於 OSTA Universal Disk Format Specification Revision ( OSTA 全 球碟格式規格修正）1.50、1997年之UDF ( Universal Disk

Format (全球碟格式））或]siTFS ( New Technology File System (新技術檔案系統））等。藉由這些檔案系統來管理資料之半 導體記憶體卡係可以在解釋相同之檔案系統之機器間，共有 檔案，因此，能夠在機器間，授受資料。 96年5月18日修正雖頁 在檔案系統’將記錄資 小存取單位之扇區以及成為屬區集合：業：域，分割成為最 得1個以上之叢集成為槽案而進行管理進行管理，使 資料之區域係由空白區域開始^存檔案所包含之 個檔案所包含之資料係不一定 早位來進行分配，1 不儲存於連續區域之檔案之 疋"子於連續區域。在讀寫 作，因此，比起儲存於連續區::檔=讀：間’發生搜尋動 度降低之問題產生。 —田案’运會有所謂讀寫速

向來，在主機機5|、如，^ A 半導體記錄媒體來進行資料 也圮錄相機等以實時而對於 體記錄媒體之使用狀態、、也理之狀態下，由於半導 使得資料重寫處敎法追^ 部貧料記錄區域之狀態而 法進行資料之重寫而、^隨到f料放人處理。結果，會有無 麗-29101號〜種問題之方法係例如在日本專利特開 寫入而在連續區i，儲，：在圖像處理裝置’控制資料之 知方法，藉由在資料:存原稿1頁分之資料之:法。在該習 寫人資料，而^=+人時，在蚊長度之連續區域，一定 束處理。吊证在-貝料讀入時，以一定之處理時間，來結 63~228281 ^J : ^θ卞主機機器由記憶體卡來取得記憶體之種類或 開平卜‘。，憶體速度的記憶體卡。此外，在曰本專利特 號日本專利特開平7 — 320018號’揭示：在 96年5月18日修正替換頁 示爽/卡之内。卩保持複數個轉送速度而配合於來自主機之指 刀f轉送速度的記憶體卡。 #制女疋在刖述之先前技術，有以下之問題點。在習知之 :資耝去使用成為圖像處理裝置之處理單位之原稿1頁分 廡用张疮t來作為連續區域之單位。也就是說，以適合於 :方^理之貝料之尺寸作為基礎而決定連續區域之單位。 效於由於對於記錄媒體之寫入單位之不同而在寫 窝入时 生差異之纪錄媒體。但是，在半導體記憶體卡， 二逮=係^度地影響到寫人速度，並且，寫人單位和寫 法而^之關純由於使用之半導體記憶體之特性或管理方 St:同’因此’在全部之半導體記憶體卡，最適當之 定資料尺二並決定，正如#例’即使是固 進行存取。”，、/對於全部之半導體記憶體卡，來高1 【發明内容】 針對存取裝置傳送控制訊號及資料、接收來自存取::之: 記传明’有於前述問題而特徵成為：可以在半導體 置所=====導==麵接:存取裝 明9360 /3 18 日 ^£_胃 號；非揮發性記憶體，係將複 為資料消除之最小單位之消除連續之扇區群組化，以作 前述非揮發性記憶體之資料進〜^，圮憶體控制器，係針對 卡資訊儲存用記憶體，係至少除、寫入及讀出之控制; 内部之物理特性之資訊、作含關於前述半導體記憶體卡 記憶體卡時之條件之存取條件㈣2取裝置存取前述半導體 取條件存取時，陳前料 ^述存㈣置依據前述存 資訊之卡資訊儲存部；以及，记，體卡發揮之存取性能之 部所得到之控制訊號而控制各，制部’係根據透過前述介面 存取裝置指定之存取速度之資訊二，控，部，並配合關於前述 於滿足前述存取速度所需二’ 由前述卡資訊齡部讀出關 訊，來傳送至前述存；^：4铸敎憶針之存取條件之資 置所使用之半導體3::導二記憶體卡，係連接於存取裝 針對存取裝置傳送控制訊號及^徵^包括··主介面部，係 就；非揮發性記憶體，係^、、接收來自存取裝置之訊 j資料消除之最小單位之消，_之扇區群組化，以作 前述非揮發性記憶體之=〜又，§己憶體控制器，係針對 卡資訊錯存用記憶體，係至小2除、寫入及讀出之控制； 内部之物理特性之資1 ；"匕3闕於前述半導體記憶體卡 記億體卡時之條件之麵取裝置存取㈣半導體 取條件存取時，_ t、h述躲裝置依據前述存 資訊之卡資訊錯存部2導體記憶體卡發揮之存取性能之 部所得到之_訊號，各=制 ---- 96年S月18日修正 '—------- .___ 凡儲存部讀出關於前述存取裝置# 關於存取速度之資訊後，以前==件之資訊以及 訊至前述存取裝置。 亚將判疋結果傳 藉由本發明所造成之半導體記情 :所使用之半導體記憶體卡，其特徵為包括:、主==取: 爽對公裝置傳送控制訊號及資料、接 二置: 唬，非揮發性⑽體，储複 縣裝置之 以作為資料消除之最小單位之消除^之:進行群組化， 針對前述非揮發性記憶體之資料進行體控制器，係 制；卡資補存用記，係至少包相於乂及項出之控 體卡内部讀轉性之:#訊、、—半導體記憶 導體記憶體卡時之條件之存取條件=置存取前述半 述存取條件麵時，作為祕 A«置依據前 取性能之資訊而在前述半導體記憶卡發揮之存 資訊儲存部；以及，控 存取遠度之資訊之卡 之控制訊號而控制各部之控制部，並介面部所得到 之要求及消耗電力量位準之 :來自前述存取裝置 出關於存取前述半導體 則述卡資訊儲存部讀 關於以前述存取條件二條件之資訊以及 資訊，來傳訊至前述麵U。 ⑽切之存取速度之 藉由本發明所造成之^導體記 置所使用之半導體記徵^係連接於存取裳 其特徵為包括：主介面部，係 96年s月18曰修正替換頁 號.、，取裝置傳送控制訊號及資料、接收來自存取裝置之訊 ^作H發性記憶體，雜複_稍之扇區進行群組化， 針消除之最小單位之消除塊段，·記憶體控制器，係 fli 揮發性記憶體之資料進行消除、寫Μ讀出之控 特性之資訊、作為前述存取裝置== 取性^存取時，作為關於前述半導體記憶體卡發揮之存 個位Ϊ之而就前述半導體記憶體卡之消耗電力量之複數 訊儉Γ 料揮發性錢體之存取速度之資訊之卡資 控制及’控制部’係根據透過前述介面部所得到之 i=f:之資訊及消耗電力量位準之指定，藉由SC 取前述：二：出關於以前述存取條件以及消耗電力量位準存 存取^ M切之麵速度之資訊，㈣訊至前述 置所導:::憶體卡，係連接於㈣ 針對存取裝置傳送控制簡及資料微介面部’係 號；非揮發性來自存取裝置之訊 以作為資料消Si複，之扇區進行群組化， 針對别逃非揮發性記憶體之資料之消除係 制；卡資訊儲存用記憶體，係至少關’二視出之控 體卡内部之物理特性之;：含關於前述半導體記憶 '貝°凡、作為刚述存取裝置存取前述半 =:時之條件之存取條件、及前述存取裝置依據前 取性取時，作為關於前述半導體記憶體卡發揮之存 個位；之2:就前述半導體記憶體卡之消耗電力量之複數 訊儲存Λβ ; ^述非揮發性記憶體之存取速度之資訊之卡資 控制t^r，㈣部，雜魏過㈣介㈣所得到之 二=消耗電力量之指定之資訊，藉由前述卡資訊 卡-二件 置所===:=導括係，存取裝 針對存取贫 -特徵為包括.主介面部’係 號；非揮發性及㈣、接收來自存取裳置之訊 以作為if複數個連續之扇區進行群組化， 針對前述非揮發性記‘===記‘_，係 制；卡資訊儲存用記憶體，係至’人于、、寫入及讀出之控 體卡内部之物理特性之資訊=;;ΐέ關於魏半導體記憶 導體記憶體卡時之條件之存取條件置f取前述半 述存取條件存㈣，作為_ ^t 取裝置依據前 取性能之資訊而在前述半導體二憶體卡發揮之存 個位準下，關於前述非揮發性記,===力量之複數 資訊健存部；以及，控制部，二存取迷度之資訊之卡 之控制訊號而控制各部之控制:根==面部所得到 讀出關於前述存取裝置•存取條; °^36〇 ，準之指定、關於存取速度之資訊’來以前述存取條件 天之電力量位準存取前述半導體記憶體卡時，判定θ 曰 前迷存取速度’並將判定結果傳送至前述存取裝否滿足 藉由本剌所造成之半導體記憶體卡，係連接於存 夏所使用之半導體記憶體卡，其特徵為包括：主八 ' :對存取裝置傳送控制訊號及資料、接收來自存:裝:之: 細除之最小單位之消除二:：二 :前存用記憶體，係至少包含作為前述存取裝置‘ 半條件、關於改變前述 之存取條件時:::=::==rr 制部，传御诚、乐ϋ 下貝紕u存口ρ，以及，控 之控制部:並二ΐ介面部所得到之控制訊號而控制各部 存取逮度之hi 存取裝置之要求，將_符合之 =度之貝矾，傳送至前述存取裝置。 進行群所造成之存取裝置，係將複數個連續之扇區 資料存取雜Γί騎料消除最小單位之塊段，並將儲存之 置，其特徵‘包=案工統所管理之半導體記憶體卡之存取裝 為前述存㈣1 ·卡㈣取得部，係前述存取裝置依據作 件及前述存取條半導體記憶體卡時之條件之存取條 於前述半導辦/播時，藉由前述半導體記憶體卡取得關 儲存部，係儲+心體卡發揮之存取性能之資訊；卡使用條件 子關於可用在前述存取裝置存取前述半導體記

96年s月18日修正替換H :存件之貧訊以及關於半導體記憶體卡所求出 部取得之:Λ ’存取條件決定部，係由前述卡資訊取得 定存取條部之資訊來決 存trr㈣合料細條狀財存取；以及， 來來自前述播案系統控制部之存取要求， 求存取前述半導體記憶體卡。 〈仔取要本 此外’藉由本發明所造成之存 儲存之資认朴 角了寸屬除最小早位之塊段，並將 存取==:=系统所管理之半導體記憶體卡之 求出以及關於半導趙記憶體卡所 裝置依據作^條_存步驟；由前述存取 、據作為存取㈣半導體記憶 條件之資訊== 體卡發揮之存取性能之資前述半導體記憶· 訊取得步驟取得之資訊以及儲存於前由前述卡資 之資訊來決定存取條件之存取條料=❹條件儲存步驟 前述存取條件決定步驟決定及，取得由 記憶體卡之檔窣，+條件，來存取前述半導體 2检案，以付合前述存取條件 如果糟由本發明的話 莱系獻制步驟 存之資料之半導敎憶體卡彻财_來管理儲 取裳置，藉由在半導體記憶體卡：：=憶體卡之存 下鬥保持關於半導體記憶體 1359360 卡之存取之資，以δ彡資訊作為基礎， 半導體記憶體卡側之其中某—個或者是兩者之處子理 適當化而實賴於半導體記憶體卡之高料取。成為取 【實施方式】 =下’賴由本發明所造叙半導體記憶體卡 置=存取方法之實_而參相式，並且，進行說明。、 C實施例1) 情體藉由本發明之實施例1所造成之半導體記 ^體卡及存取裝置之方塊圖。在第—圖，存取裝置_係包 3.〇>麵、難102、擴充槽103和麵刚在咖刚， 儲存控制存取裝置100之程式。CPU1G1係按照該程式使 用RAM 102來作為暫時記憶區域而進行動作之控制部。擴充 槽103係半導體記憶體卡出和存取裝4 1〇〇間之連接部。 控制訊號及資料係經由擴充槽1G3而傳收訊於存取裝置⑽ 和半導體記憶體卡ni .此外，RC)M1G4係包含：應用程 式105、檔案系統控制部1〇6、存取條件決定部1〇7、卡資訊 取得部1G8、存取控制部1G9以及儲存卡使用條件之條件儲 存部110。 另一方面，半導體記憶體卡U1係包含··主介面d/F) 部 112、CPU113、RAM114、R0MU5、記憶體控制器 ιΐ6、 非揮發性記憶體117、第！記憶體118和第2記憶體119。主 介面部112係存取裝置刚和傳收訊控制訊號及資料之介 面。在ROM115 ’儲存控制半導體記憶體卡U1之程式，使 14 為暫時記憶區域’動作於_3上㈣ ^ 6係㈣成為半導體記憶體卡m内之資料記憶 包含Hi:性記憶體117之元件。非揮發性記憶體117 : 加3G和使用者資料131。位址管理資訊 和使祕存^體m内之物理位址和存取裝置來管理 使_錄心==::3料使 118係使用作^之卡資訊儲存部⑴。第！記憶體 丁從作马卡育訊儲存。 更新之非揮發性_，包含^關^記憶體119係能夠 卡111之存取* 存_麵於半導體記憶體 接菩之貝讯之主資訊儲存部133。 者’歧用於成為半導體記憶 件之非揮發性記憶冑U7之半 之貝以錄兀 明。使用於非揮發性記憶體H 體之特徵而進行說 職〇M或快閃趣之非揮發瞻、使用稱為 體一型:== = ?多資訊記錄媒 資料之特徵。. 是1未纪錄之狀態後而寫入 在此，消除資料之單位係稱為 個之成為存取最小輕之輕（例如，作為聚集複數 而進行管理。各個消除塊段係通常作=·個位元組）之塊段 數)個之複數個扇_之區域成為資料:肖==

消除塊段而進行群組化。 係之Ϊ —圖係顯讀閃記憶體FM之消除塊段和扇區間之關 〜（N—例子之圖。在第二圖之例子’消除塊段EB係由0 ]7.κη丨）為止之Ν塊段所構成，1個消除塊段係例如 PSN=n 1個〉肖除塊段係由256個扇區所構成，附加一直到 pSN (N—1：> X256 + 255為止之-連串之物理扇區編號 需要能夠以扇區單位來進行’但是，在寫入前之所 貝呌肩除處理係以消除塊段（128KB)單位來進行。 使用第二圖、第四圖而說明該半導體記憶體卡⑴ =除、寫人處理之例子。在第三圖，作為寫人處理之某_ 二糸顯不在寫人消除塊段倍數長度之資料之狀態下之半 體s己憶體卡1H内部之處理順序。 ;在第三圖之資料記錄處理，首先透過主介面部ιΐ2 efl由存取裝置_所傳訊之指令和引數（挪1)。接著， 收Λ之#令’判定是否是本身無法辨識之非法指令（伽） 在非法指令之㈣下，通知錯駐存取裝置而結理 (S303 )。在能夠辨識之指令之狀態下，判定該指令是 入才曰令（S3G4)。在寫人指令以外之狀態下，實施對應於各個 指令之其他處理⑶05)。在寫人指令之狀態下，由儲存 數之寫入位置、寫人尺寸之資訊，來決定實際寫入資料 閃記憶體之消除塊段之物理位址（S3〇6)。接著，在寫入吁 透過記憶體控制器m而消除存在於藉由存在於快閃^體 之s3〇6所決定之消除塊段之資料（S3〇7)。接著，由存ς 置100’透過主介㈣112而收訊扇區分之資料（S3〇8): 16 96年S月18日修正替換頁 在完成資料之收訊時，透過記憶體控制器116而寫入收 i個扇區分之#料至快閃記憶h(S3G9)。像這·複 S3〇8、S3G9之資料收訊、寫人處理至結束！個消除塊段分之 貧料寫入為止（S310)。重複地實施由S3〇6開始至咖

止之i彳㈣除塊段分之資料寫人處理，—糾完成由存取裝 置100所指定之寫入尺寸分之資料寫入為止（S311)H 由存取裝置所指定之寫人尺寸分之資料寫人之狀 結束處理。 〜 接者’第四圖係顯示在寫人丨個魏之資料之狀態 半導體記憶針ill㈣之處理餐。在第四圖之資^己錄 處理’不同於第三圖處理之方面係在㈣進行寫人之消除塊 段所包含之資料中’在藉由8概所決定之消除塊段，寫入除 了由存取裝置純訊·之i _區以狀資料之方 面。在NAND型記憶體，必須在資料寫入前，一旦消除資料， 該消除處理係僅以消除塊段單位來進行。因此，即使在寫 =1個扇區之資料之狀態下，也必須消除丨個消除塊段分^ 資料，並且，正如S410之處理，將同樣消除塊段所包含之既 有資料，來重寫於新的消除塊段。 正如在第三圖、第四圖所示，在資料記錄處理，大幅度 地劃分而存在指令解釋處理、資料消除處理和資料寫入^二 之3個處理。例如假設在指令解釋之頂頭花費3m秒鐘、在工 個扇區之寫入處理花費2〇〇μ秒鐘以及在丨個消除塊段（例如 128ΚΒ)之消除處理花費2m秒鐘之快閃記憶體。對於該快 閃記憶體而在1個消除塊段（例如128KB)分之資料寫入， ου 消除處理，^7^處理’在指令解釋，花費3m秒鐘，在 成為合計===入=花費—秒鐘， 料寫入，拙〜— 门樣地，在1個扇區（512B)分之資 鐘：在消除料令解釋’花費3m秒 鐘+ 255χ2〇Γ “化f 2m秒鐘，在寫入處理，花費2〇〇M>、 入128KU二心鉍，成為合計56.2m秒鐘。也就是說，在寫 之資料之狀態和寫入512B之資料之狀態下，花費 。在該例子，就不考慮資料轉送時間等而極端地出 在以消除塊段單位來進行寫入之狀態下，使得寫 i 卜在半導體5己憶體卡⑴，會有使用複數片之快閃 :己憶體來作為記錄元件之狀態發生。第五圖係顯示在非揮發 ^己憶體117來使用2片之快閃記憶體FM〇、FM1之半導體 把憶體卡111之構造例之圖。第五圖所示之2片之快閃記憶 體係0___0〜1一（N—1 )為止之各個消除塊段藉由256個扇 區所構成，在存在於2片之快閃記憶體之各個扇區，賦予上 升順序之物理扇區編號PSN而以256個扇區單位，來交互地 替換2片之快閃記憶體。在具有由該複數片之快閃記憶體所 構成之非揮發性記憶體丨17之半導體記憶體卡lu之狀熊 下，可以藉由對於複數片之快閃記憶體，來呈並聯地進行讀 寫處理而實現高速度存取。例如在第五圖之例子，在由物理 扇區編號PSN0開始至PSN511為止之512個扇區來寫入資 料時’可以藉由對於消除塊段ΕΒ0—0、EB1—0之2個消除 96年5月18日修正替換頁 來呈並聯地寫人資料而呈高速地寫入資料。 第六圖係顯树於料導體記憶體卡1U來進行寫入時 之時間’帛六圖U)係顯示i個消除塊段之寫人時之計時之 ^例子，第六圖（b)係顯示2個消除塊段並聯寫入時之計 ¥之某-例子。在第六圖，T1係表示花費於1個消除塊段之 :入處理之時間。此外’ T1，+ T2，係表示花費於2個消除塊 ^之並聯寫人處理之時間。也就是說，在每丨個消除塊段來 /刀成為2次而寫入資料之狀態下之寫入處理時間係τΐχ2，在 二仃2個消除塊段之並聯寫入之狀態下之寫入處理時間係 +J2。了1係化費在並無造成對於快閃城體之寫入之處 之、間，成為僅些微之時間。此外，丁2，係花費在呈並聯地 門片之快閃記憶體之處理之時間，比起寫入於1片之快 體之Τ1之處理’還更加花費稍微之時間，並無花費 暮縣之2倍時間為止。因此，在第六圖之例子，在對於半 下7㈣卡111以2個消除塊段單位來進行寫入之狀態 下’使得寫入時間變得最短。 兆此就&說：寫人至半導體記龍卡111之寫人時間係並 依附於>肖除塊段之大小，也細於使用在半導體記憶體 11之憶體之片數目、快閃記憶體之管理方法等。 此外，由於半導體記憶體卡 得半導體記憶體卡⑴之存灿t世代I者之不同而使 因此在本實施例’能夠將關於在每個半導體記憶體卡 1呈不同之麵性能之資訊，保持在半導體記憶體卡⑴ 内，來使得存取裳置100可以取得。可以藉此而使得存取裝 1359360 ^刚辨識最適合於各個半導體記憶體卡ηι之 來问速地存取於半導體記憶體卡1U。 / 接著，就本實施例之卡資訊儲存部132❿ ::卡資訊係儲存關於半導體記憶體卡= 之資SC之記憶部。第七圖係儲存於卡資訊•存部132 以下、L—例子之圖，儲存第1〜第5資訊之至少-種。 在貝訊之每個種類’就各個項目而進行說明。 包含於卡資訊之第1資訊係關於半 部之物理特性之資訊。在該眘郊^ 仏體卡111内 .1# _k. t 1 ! 、 Λ、〇 ，匕δ例如使用於半導體古己 :體卡U1之快閃記憶體之種類、記憶體之使用片：導= 對於記憶體之並聯寫入等之快閃記憶體之管理4 = :體之，塊段尺寸、半導體記憶體卡m内之管理塊二 寸、溫度條件、消耗電力量、電流 :== =本或支持之指令組等之卡種類之資:= 之快閃記憶體之片數或者是在 二，成衫響 適當之處理單位尺寸來造成影響之消除塊== 存取性能後而成為基礎之資訊。管理=尺 下'，相同於在由1片快閃記憶體所構成之狀態 矛、鬼段尺寸，正如第五圖所示，在由2片快閃 記憶體所構成之狀態τ，同.時藉由消除 之 ;之=:塊段尺…倍。此外，在以《= 多之快閃§己憶體之狀皞下，出 ^成為並聯數目χ消除塊段尺寸。此 20 1359360

外’作為第1資訊係可以包含這些至少1個之資訊。 包含於卡資訊之苐2資訊係關於由存取裝置來存取 於半導體記憶體卡111時之存取條件之資訊。在該資味，勹 含：處理種類、處理單位尺寸、處理單位境界、處理單位日^ 間、存取方法、連續存取（在圖中、僅稱為SA)時之最低連 續區域尺寸、輸人時鐘頻率、位元幅寬等。所謂處理種類係 表示對於半導體記憶體卡111之處理種類，存在：讀取處理、 寫入處理、消除處理等。此外，在寫入處理，在已經^入資 料之位置上而上寫資料之狀態下，存在：包含成為必要之^ 除處理之寫入處理和在不存在資料之位置僅寫入資料之處理 之2種。處理單位尺寸係對於半導體記憶體卡I〗〗之1欠声 理之尺寸。處理單位境界係顯示處理開始位置之資訊。 單位境界係表示由於處理單位尺相之處理而使得速度^得 ，快=境界’包含··-致於處理單位尺寸之境界之狀態或者 是也容許來自其中間地點之處理之狀態等。處 例如在處理單位尺寸成為丨胤之狀態，在—致於該^ = ==表:成為在來自其中間之處理也 :I 表現成為64KB。正如前面所說明的， ’於“導體記’it體卡m最適當之處理單位尺寸或處理 ，境界係依附於藉由半導體記憶體卡⑴之㈣來進行並聯 处理之快閃記憶體之片數或管理方法、消除塊段尺寸等。也 在半導體記憶體卡111之内部而快閃記憶體並無進 位尺之狀訂，快閃記憶體之消除塊段尺寸和處理單 寸係相同。此時，在處理單位境界相同於這些之狀態下，

1359360 能夠有效料妹於铸體㈣針iUn面，在複 =之娜=體進行並聯處理之狀態，在並聯處理之管理 Ϊ 位尺寸、處理單位境界成為相同之狀態 而最月二之;理-，仃存取。此外’在半導體記憶體卡111 3二境界成為處理單位尺寸之倍數尺寸之狀 也能夠，略處理單位境界，使用處理單位尺寸而決定 測定了間：顯示在表現存取性能時而成為性能值之 °存取方法係顯示在存取裝置 區域=導=隱體卡⑴時之位址指定條件，在連續 =亍2 :連續存取(SA)，在非連續區域，存 理之半“::::二(广不)等。在快間記憶體進行並聯處 段尺寸單位來理即夠進行並聯處理之管理塊 也藉由.__二= 尺寸_4 因此，賴存㈣之最錢續區域 低連續取時而進行高速存取之所需要之最 導體記憶體卡^1、Μ 2鐘頻率係顯示存取裝置100和半 率之資訊。#…B之k或㈣之傳收訊之基本時鐘之頻 情體卡n〜幅寬係顯示使用在存取裝置100和半導體記 ===送上之訊號線之位元數之資訊= 些之至少！個資^ 此外’作為第2資訊係可以包含這 22 1359360 I 96年5月lSf修正替換頁j 包含於^資訊之第3資訊係關於半導體記憶體卡川之 之資訊。在該資訊，包含：半導體記憶體卡1】】之 立Γ ΐ單位時間能夠處理之資料尺寸、花費於進 〜 <理時之時間、轉送速度、卡㈣之處理時間等。 速度性“立準係使用例如高速、中速 表 1 例如快間記憶體卡之速戶㈣以#赴表 产理時之化#於進行單位尺寸 Γ可以在讀取處理、寫人處理、消除處理

Li:: 每—個’包含平均值或最差值。在單位 ==料尺寸、每單位尺寸之處理時間係可以保1 持貝枓騎為後面敘述之存取性能表。此外，即使是就轉 里也正如後面敘述，可以包含讀取處理、= 理、松處理之各個平均值或最差値， 間係正如後面敘述，可 卜卞内孩理日守 些資訊係皆表現半導體記憶體:= 生能f楚資訊表。這 ^於先前資取速度之資訊係密切地關 變低之狀態下，輸出人於半扑=°例如在輸人時鐘頻率. 變低，結果，半導體記憶St，卡之資料之轉送速度· 如果存祕半賴記憶體卡取性能變低。此外， 則不進行在消除塊段單位之存~理早位尺讀小的話， 處理效果等之理由岐得半^ ’或者是由於無法得到並聯 低。像這樣，_成為第3 ^純體卡111之存取速度變 關於第1資訊、第2資之存取速度之資訊係儲存相 以包含這些之至少i個資訊^ °此外，作為第3資訊係可 96年S月18曰修正替換頁 里於卡貝訊之第4資訊係關於半導體記憶體卡111之 ^糸^之資訊。錢資訊，包含：讀取和寫人等之各種 ^靜誤發生機率、在存取裝置100發行指令至半導體記 'I此次·^ U後而—直到接受錯誤通知為止之時間之最差值。 之』K係使用在存取裝置100為了異常系處理而進行需要 、二L尺寸之估计等之際。此外’作為第4資訊係可以包含 這些之至少1個資訊。 存取第二資訊係關於半導體記憶體卡⑴之 基準、速纽驗，包含：速度性能位準判定 以包含這些之至少！個^電力量位準°作為第5資訊係可 在第七圖，作為能夠^訊。這些#訊之詳細係說明於以下。 以上5種之資訊。卡^於卡資訊儲存部132之資訊係列舉 資訊。或錢切^ =存部132射⑽存這些全部之 和半導體記憶體：=32:'可以為了在存仙 必要之資訊。其中，特=物最適當之存取而選擇及儲存 2存關關聯於第 體卡m之：,=;=第七圖所示之半導體記憶 内部，存取褒置⑽能夠在半導體記憶體卡111之 取裝置議開始，對於半導;一部分或全部，由存 之存取之方面。在以下，為了對於 情，： 進行最適當之存取，因此， 來 憶體卡⑴之麵贱q =7^。齡道半導體記 24 1359360 ___ 96年5月18日修IE替換頁 第1方法係配合於來自存取裝置1〇〇之要求，就成為送 回半導體記憶體卡111之方法之該方法，使用第八圖〜第十 —圖，來說明用以呈最適當地存取於半導體記憶體卡nl之 存取條件、存取速度之資訊。第人_顯林方法之存取裝 置100侧之取得順序之圖，第九圖、第十圖係顯示半導體記 憶體卡m側之處理順序之圖，第十_圖係結果顯示半導體 心隐體卡111送回至存取裝置⑽之存取條件、存取速度資 訊之某一例子之圖。 首先開始使用第八圖而說明存取裝置刚側之處理順 =在n ’首先’存取裝置i⑻係為了對於半導體記憶 =卡=，來取得半導體記憶體卡m之卡_f訊，因此， =卡種類取得指令⑽〇。接著，藉由發行之指令而判定 以由半導體記憶體卡⑴來取得卡種類資訊（s_。 失敗之狀態下’ _發生錯如結核理（咖）。在 對應於由半導^己㈣卡U1 =作為基礎’判定是否成為 本道躺 來取得用以呈最適當地存取於 7體記=體卡m之存取條件和此時之存取速度值之指令 (取適當存取貢訊取得指令 ⑻⑷。如果是並錢紅何憶體卡⑴ 止存取條件、存取速度值卡111的話’則中 對應之半導體記憶體卡lu的話二二$(s_°如果是 得指令至半導體記憶體卡U1 (_):::適:::資訊取 令而判定是否可以由半導體砂 稭由發仃之指 存取速度值（肅）。在取得失敗二1來取得存取條件' 狀也下’判斷發生錯誤而 25 I359360 結束處，（S8G8)。在取得成功之狀態下，正常地 接著，使用第九圖、第十圖而說明半 处 侧之處理順序。第九圖係顯示在卡川 _二發行卡種類取得指令之狀態下之半 η 側之處理之圖。在第九圖之半導體記憶體卡U1 ⑴ 首先’半導體記憶體卡ln係由存取裝置 彳之處理’ (S90U。接著，參考收訊之指令而判定是 ^訊指令 之非法指令（S902)。在非法指令之狀態下，在存取举、法辨識 通知錯誤而結束處理⑽3)。在可辨識指令之狀能^置： 叇指令是否成為卡種類取得指令（S9〇4)。 :下，判疋 、T曰7之狀U，由卡資訊儲存部132來括出卡種 ，訊⑽6)。最後，將讀出之卡種類資 =: 置100而結束處理（S907)。 傳Λ至存取裝 第十圖係顯示在第八圖之說 ==得指令之狀態下之半導== 取f置loi μ +圖之處理’半導體記憶體卡111係由存 判C否令（S_)。接著，參考收訊之指令而 之狀二，^無法辨識之非法指令（議2)。在非法指令 在取裝置⑽，通知錯誤而結束處理（S1GG3)。 之狀態下’判定該指令是否成為最適當存取資 實r = I S1〇〇4)。如果是最適當存取取得指令的話，則 他處理（S1005)’在該指令之狀態下，在謂6，由 儲存# 132來躓出用以呈最適當地存取於半導體記憶 1359360 件和此時之存取速度值。接著，在_， trr和存取速度值，傳 像这樣，可以藉由第八圖〜 =存取裝置100由半導體記憶體卡m5,來 =存=料圖導(體記/意體卡111之存取條件和此時之存^ 值弟十圖（a)係顯示該存取條件夕同#丄 π二：、:=π處理單位境界、存取方 = 卡之存取條件而存取|置刚所應該遵從之 條件之貝机。在此，例如處理單位尺寸成為 度，處理單位境界成為128ΚΒ之倍數長戶、、， '長 存取於25⑽以上之偷域，輸“法== 以上，概w W卜’細^為正^； 圖⑴所7F，顯示在存取裝置1〇〇進行按昭 消除之各個處理之轉送速度之平均值 '、、=入、 取條件之存取之狀態下之處理性能之資訊。如二 記憶體卡m來取得這些f訊而使得存取装置:5 最適當地存取於該半導體記憶體卡ln來如 王 話’或者是還在該狀態下，辨識得到何種程度^ :存=的 可以藉此而實現對應於半導體記憶體卡u“性，° 卡 接著，就存取裝置100將存取條件輸入至半導 111而半導體記憶體卡lu送回存取速度值之方 體記憶體 法來作為 27

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使用第:二圖、第十三圖、第十四圖，來進 圖。i —圖係顯7^本方法之存取裝置1GG側之處理之 i八圖所不之存取裝置⑽側之處理順序，相同於 isi/cn 1不之第」方法之狀態，發行卡種類取得指令 S1203) 果k個不成功的話，則結束錯誤（S1202、 Z3)。如果這個成功的話，則判別在S1綱，是否為存取 指令對應卡。如果不對應於該指令的話，則中止 ==度值之轉（⑽5)，如㈣應於該指令的 發行存取速度值取得指令。判斷是否成功於存 取速度值之取得（步驟S1207) Λ w 誤（SI·)，如果取得的4ί不成功的話，則結束錯 取裝置100係將存取停件幹二f吉束。在本發明，存 .^ ± ^ 什取愉件輸入至+導體記憶體卡111，因此， 錢值取得指令係成為也在具有存取條件之指令。 第+接ί半導體記憶體卡111側之處理順序而言，使用 圖，來精說明。第十三圖係顯示在第十二圖之說明 子取裝置1GG來發行存取速度值取得指令之狀態下之半 t憶體卡U1側之處理之®。在_第十三圖之處理 時’在S1301 ’收訊指令，判別是否為非法指令如果是 ^指令的話，則結束錯誤（⑽2、⑽3)。如果不是非法 S令，話’關定是否為存取速度值取得指令（犯⑷，如 果不疋《令的話’則實施其他處理（S13G5)。如果是存取 速度值取得齡的話，料賴記憶計⑴係由卡資訊儲 存=132來讀出存取條件和存取速度值（Sl3〇6)。接著，參 考頃出之存取條件和對應於這個之存取速度值，蚊存取裂 28 1359360 96年5月18日修胃 置100是否存在一致於藉由指令之引數所指定之 存取速度值（S1307)。在不存在之狀態下，在存取裝置、1〇〇 , 通知錯誤而結束處理（S1308、S1309)。在存在之'^離，’ 將符合之存取速度值，傳訊至存取裝置100 (S1310)。 π束處理 戽二St，可以猎由第十二圖、第十三圖所記載之處理順 序而使传存取裝置⑽輸人存取條件至半導體記憶 111，取得配合於該條件之存取速度值。 料:圖⑴係顯示存取裝置100輸入至半導體記憶體 ΐ川牛之圖’第十四圖（b)係顯示半導體記憶體 卡⑴送回至存取裳f 100之存取速度值之某一例子之 存取裝置觸輸入至半導體記憶體卡ill之存取條件係例如 正t第十四圖U)所示，顯示處理單位尺寸成為128KB，處 = 成為128KB，存取方法成為256KB之連續區域而 仃、貝子取’輸入時鐘頻率成為25MHz，位元幅寬成為4 ^兀ί之在存取於半導體記憶體卡⑴時之條件之資訊。此 卜’弟:四圖（b)所示之存取速度值係相同於第十—圖⑴ 之同樣資訊’顯示配合於存取裝置所輸人之存取條件之 ^取速度*像這樣’可以藉由輸人在存取於半導體記憶體 111時之條4，*半導體記憶體卡ιη來取得對應於該條 件之存取速度值，而利用假設之存取方法，來使得存取裝置 100，判定是否得到要求之存取性能。 接著’第3方法係存取裝置刚將存取速度值輸入至半 導體記憶體卡m ’使得半導體記憶針ιη送回存取條件 29 1359360

〇方法。就該方法而言，使用第十五圖、第十六圖而進行說 明0 第十五_顯示本方法之存料置⑽側之處理順序之 =。存取裝置側之纽錢乎㈣於前述第2方法 置之動作，為了取代步驟⑽6之耗减鋒得指令之發 I因此，在本方法，在步驟S15G6，發行存取條件取得指 第十六圖_科方法之铸體記憶體卡⑴側之處理 ^之圖。在第十六圖之處理順序’不同於前面說明之第2 方法之方面係為了取代步驟S1304 因此，確認步驟S16G4之存取純值取純令， :指令的由卡資訊儲存部132=;: 口二$ 驟S1606)。接著，在步驟sl6〇7， 、又值（y 定是否存在符合於存取裝置所指，出之存取條件，來判 --16〇s.. ^1609)，如果存在的話，則將存束錯誤 (S1610)，結束處理。 ' °至存取裝置 可以藉由第十五圖、第十六 „⑽將麵速度值序而使得 付配合於該速度值之存取條件。本 ^體卡m，取 速度值係例如第十一圖（b)所示之資气。°"存取條件、存取 輸入在存取於半導體記憶體卡lu 。在本方法，像這樣， 了滿足該性能值，因此，由半導體纪所要求之性能值，為 取裝置1〇〇所應該遵從之存取條‘體卡，來取得存 、σ果像這樣的話，則為 30

了”存取裝置1GG滿足要求之存取_ 如何存取於半導體記憶體此约辨减 能之存取。 了財現在要求之存取性 接著’第4方法係存取裝置⑽將存取條件 值輸入至半導體記憶體卡u 迷又 送β上 儿且便侍牛導體記憶體卡111 疋否可叫足細輸人之雜條件 下 之所輸人之存取速度值之方法。就Wr7j縣之狀態下 圖、第十，而進行說明。Μ方法而言’使用第十七 圖^七圖係顯示本方法之存取農置⑽側之處理順序之 =第十七圖’相同於先前說明之第丨方法，發行卡種類 取侍指令’如果在該取得變得成功 、 ^最適當存料㈣定指令之卡（s腦）。如料是該卡的 t則巾止最適當存取可糾定（s麗），如果是對應卡的 话，則在步驟㈣6 ’發行最適當存取可否峡指令。在本 方法，存取裝置HK)餐存取條件和存取速度縣輸入至半 導體記憶體卡m，因此，最適當存取可奸定指令係成為 在存取條件和存取速度值也具有引數之指令。判斷判定結果 之取得是否成功（SH07)，如果失敗的話，則結束錯誤 (S1708)，如果成功的話，則進行結束。作為該指令之結果 而由半導體記憶體卡1H所得到之資訊係在以指定之存取條 件來進行存取之狀態下，成為是否滿足指定之存取速度值之 判定結果。 接著，就第十八圖所示之半導體記憶體卡lu側之處理 順序而進行說明。相同於第1方法，即使是在本方法，存取 1359360

，置H)0係也發行卡_取得指令，但是，半導體記憶體卡 m侧之處理係'相同於第九圖所示之處理。第权圖係顯示 在第十七圖之說明之由存取裝置刚來發行最適當存取可否 =定，令之狀態下之半導體記憶體卡⑴側之處理之圖。在 處理時，在si8Gi ’收訊指令，判別是否為 =令，如果是非法指令的話，則結束錯誤（議2、 S1803)。如果不是非法指令的話， 可否判定指令（S18G4)，如果π θ 為適虽存取 處理（s藝）。如果是最疋私令的話，則實施其他 導體_卡山=:;;=否判f令的話，則^ 存取速度值_6)。^=部m來讀出存取條件和 這個之存取速度值，在存出ί存取條件和對應於 定之存取速度值（S18G7、S18G]；；存^置⑽是否滿足指 態下，對於存轉置⑽_ ^滿足麵速度值之狀 裝置刚來通/不之，，對於存取 (S1810)。 取逮度值之意思而結束處理 像這樣’如果藉由第十七 導體記㈣卡m，和存取速度值至半 之狀態下，可以確認是否:::=導體記憶體卡 取條件和存取速度值係例如相同值。本方法之存 本方法而在存取則，辨識存取裝置·是否以假設: 1359360 __ 96年5月18日修正替換頁 存取方法來滿足要求之存取性能。 接著’作為第5方法係就使用表現關連於半導體記憶體 卡111之存取速度之資訊中之速度性能位準之旗標之狀態而 、/亍兒月此夠以5玄旗標，來取代由第1方法至第4方法所 °己載之存取速度值，並且，正如第七圖所示，也可以包含於 存取速度值内。本方法之存取裝置1〇〇和半導體記憶體卡 間之處理係使用由第i方法開始至第4方法所記載之處 其中—種處理。 第十九圖（a)係顯示本方法之速度性能位準判定基準之 某例子之圖，第十九圖（b)係顯示判定結果之某一例子之 圖。在第十九圖（a)所示之速度性能位準判定基準係儲存 為卡資訊儲存部！32内之第5 #訊。在第十九圖（a)所 速度性能位準判定基準，作為判定所使狀值係使用讀取、 寫入及消除之各個處理之轉送速度之平均值，根據本判定美 準，而使得存取速度值，配合於值而分配“高速，，、“中速”、“低 ^之至其卜種速度性能位準。同樣地，即使是關於轉送速度 之蚨差值，也存在速度性能位準判定基準。在第十九圖 之例子，在各個存取速度值，分配“高速，，之速度性能料。 ，本方法，像這樣’將半導體記憶體卡lu之存取性能， 不僅疋數值，也分類成為客觀之位準，使 以由半導細體卡⑴= 係可以容易地辨識半導體記憶體卡ln之存取性处戒置 卡物表現關連於半;體記憶體 卡⑴之物理特性之-貝財之消耗電力量位準之旗標之狀態 33 Ϊ359360 96年S月18日修正替換頁 而進行說明。就存取裝置 ^ '- 111而輸人對應於這個 广_標至半導體記憶體卡 進行說明。在本發;件及存取速度值之方法，來 :=關於複數個存取條件或存取速度之資: 本方法之存取裴置100 係使用由第丨方法叫至第體4體卡111間之處理 法所記載之處理之其中一種 处 為某一例子係就適用於第1方法之狀綠推 行說明。本方法之存取裝置⑽側之處目二 :;處理::。但是，在_，存取裝置_ = 導體記憶針m所發狀最適當存„鮮得指 數’不同於附加表現消耗電力量之位準之隸電力量位準之 方，。消耗電力量位準係將半導體記憶體卡ηι所消耗之電 力量大小，分割及表現成為複數個位準，得到以例如‘‘消耗電 f大”、“消耗電力中”、“消耗電力小，，之3個階段而進行表現 等之方法。 接著，就第二十圖所示之半導體記憶體卡Ul側之處理 順序而進行說明。即使是在該方法，也使得S200l〜s二〇5 為止之處理係相同於第十圖所示之半導體記憶體卡lu侧之 fiooi〜S1005之處理。如果是最適當存取資訊取得指令的 活，則在S2006，判定指定於由存取裝置100所發行之最適 當存取資訊取得指令之引數之消耗電力量位準是否為有效 值。如果不是有效的話，則進行錯誤處理（S2〇〇7)。如果是 有效的話，則在S2008，在指定之消耗電力量位準，由卡資 訊儲存部132,來讀出用以呈最適當地進行存取之存取條 34 1359360 96年5月18日修正_胃 件、存取逮度值。接著，將接 次 ，一)。也就:說，=二=置_ -貝訊儲存部132之資訊係對應於消耗電==子於卡 於存在由半導體記憶體卡111來取得關 迷义之貝訊呀，將表現存取裝置1〇〇 力量位準之值，缺於半導體記憶體卡電 :取得關於以指定之消耗電力量來啟 體:〇 時之存取速度之資訊。可以藉此而例如體卡⑴ ，電力來驅動半導體記憶體卡m之狀== 存取條件或此時之存取速度值。 a 7、 此外，在此，相同於第1方法， θ =1U’得到對應於此之存取條: 耗：:=::，=，還可剛 ^ 件到對應於此之存取速 ^。此外’正如第3方法所示’除了存取速度以外，還可以 將顯示電力量位準之旗標輸人至半導體記 :應於此之存取條件。此外’正如第4方;二 t和存取速度以外，還可以輪入顯示消㈣力量之旗標， 由半導體記憶體卡1Π而得到是否滿足該條件之結果。 接著’ f 7方法係配合於存取裝置1〇〇之要I，為 得存取裝置⑽算出轉速度心使得料•憶體卡山 _最低限度必要之資訊之方法。就該方法而言，使用 35

一十一圖開始至第二+ 在第七圖所示之卡進打說明。在該狀態下，可以 理時間，保持=存部132之第七圖所示之卡内部處 内容。、 不之存取性能基礎資訊表（APBIL)之 順序S十:圖係分別顯示本方法之存取裝置100側之處理 川員序之圖。㈣^圖^顯示半導體記憶體卡111側之處理 序，首先發行卡 之存取裝置咖側之處理順 功（S2102")。如里、侍指令（S21〇1) ’判斷在取得是否成 如果戌心上不成功的話，則進行錯誤之結束（S2103)， 礎S21G4 ’判別是否為對應於存取性能基 4〇; 話，則在82Η)ΓΓ絲礎資訊表之取得。如果是對應卡的 判斷該能基礎資訊表取得指令。接著， 話，則^^ (S21G7)，如果在取得失敗的 得成^ 束（S21G8)。如私料絲之取得變 件成功的話，則在S21〇9，由 .,. ;咖。之步驟，為了以算出：速度 ==足 =裝T之存取速度，，算_為之;楚取：足 側二二r二在：=_記憶趙卡⑴ =存取裝置⑽發行卡賴取得指令，但是，半導體記憶 體卡111側之處理係相同於第九圖所示之處理。第二十二圖 36

1359360 係顯示在第二十一圖之說明中之由存取裝置100來發行存取 性能基礎資訊表取得指令之狀態下之半導體記憶體卡111側 之處理之圖。在第二十二圖之處理’收訊指令（S2201 )，如 果疋非法指令的話，則進行錯誤之結束（S22〇2、S2203)。 如果不是非法指令的話，則在S2204，檢查是否為存取性能 基礎資汛表取得指令。如果不是該指令的話，則實施其他處 理（S2205)’由卡資訊儲存部132，來讀出存取性能基礎資 訊表取得指令（S2206、S2207)。 接著，使用第二十三圖、第二十四圖、第二十五圖，就 存取性能基礎資訊表以及使用該表而算出存取速度值之方 法來進行说明。第二十三圖係顯示半導體記憶體卡丨丨丨送 回至存取裝置100之存取性能基礎資訊表之某一 I子之圖帛—十四圖、第二十五圖係顯示存取裂置1〇〇和 “導體s己憶體卡111間之指令·響應之時間之某一例子之圖。 成為表示半㈣記㈣卡111之存取錄讀麵列舉料 逮度等。但是，決定存取裝置1〇〇和半導體記憶體卡⑴間 =轉达速度之要因係並非僅存在於半導體記㈣卡 存在於存取裝置100側，因此， 乜 ，加存取製置1〇。側之條件。在:方法^ ^00係能夠取得關於半導體記憶體卡11H則之 決定要因之資訊，可㈣力σ存取|置丨⑻側 h:之 取裴置100算出存取速度。 因而使付存 第二十二圖係顯示成為關於決定存取性 體卡⑴彳狀制之資訊之麵性能基礎資訊表 1359360 96年5月18日修正 之某一例子之圖。正如本圖所示，在每個 處理’具有表i—…、W。第二十三圖除 寫入處理之512個位元組之每資料轉送之忙碌時間。在气： 絲’作為改變處理時間之要因係'顯示藉由處理單位尺7 連續存取（SA)或隨機存取（RA)所改變之表。 、 美礎^^以第二十三圖所示之存取性能基礎資訊表作為 =异出存取速度值之方法，來進行說明。第二十四圖 和半導體記憶體卡⑴間之 曰應之時間之某一例子之圖。第二十四 於靖取處理’第二十四圖⑴係 糸：應 圖係對應於消除處理。第二十四圖u m 基礎而算出。在此，二 !::，，在存取裝==::鐘: 憶内::理之時間，依附於半導體： 之存取性__，儲記《卡111所取得 同樣地，第二十四圖需要之資訊。 指令發行處理_州、+❸寫人處理之存取速度值係以 時間WT3之合計作為基礎:内處理時間WT2和資料轉送 在存取性能基礎次郊矣,异出。因此，相同於讀取處理， 所需要之資f=。貝…錯存用以決定卡内部處理時間WT2 +五K肖除處理之存取速度值係以指令 38 1359360

發^理時間ET1和卡内部處理時間ET2之合計作為基礎而 异出，此，㈣於讀取處理’在存取性能基礎資訊表，儲 存用以決定卡内部處理時間ET2所需要之資訊。 在此，以寫入處理作為某一例子’說明存取速度值之算 出例。作為存取速度值係'算出花費於單位尺寸之資料處理之 時間（全寫入處理：WT—A>WT—A係可以藉由下 (1)而求出。 WT—A = WTl+IWT2 + ZWT3... (1) 在此，指令發行處理時間WT1係可以在使得由指令輸入籲 開始至響應取得完成為止之所需要之資料轉送量成為丄⑼位 兀而輸入時鐘頻率成為sMHz之狀態下，藉由下列公式 而求出。 WT1 = 160/ (sxPOW ( 10,6)) ... (2) 在此，POW ( X，Y )係表示χ之γ次方。 接著’ IWT2係花費於卡内部處理之時間總合，在第二 十四圖（b)所記載之忙碌時間成為t (秒鐘）而處理單位尺 寸成為η (位元組）之狀態下，可以藉由下列公式（3)而求 出。 XWT2 = txn//512... (3) 接著，ΣΨΤ3係資料轉送時間之總合，使用4位元，來 作為位元幅寬，在為了確認轉送資料之正當性而將附加之 CRC加算於512個位元組之資料之狀態下之合計轉送時鐘數 成為1049個時鐘之狀況，可以藉由下列公式而求出。 IWT3= ( 1049χη/512) ( sxPOW ( 10,6)) ... (4) 39 1359360 __ 96年5月18日修正替換頁 因此，在假設輸入時鐘頻率成為25MHz、處理單位尺寸 成為128KB以及連續存取來作為算出之某一例子之狀態 下t係成為9.2ps，WT__A係算出成為13.1ms。 在本方法’像這樣’由存取裝置1〇〇 ’來取得關於決定 存取速度之半導體記憶體卡111側之要因之資訊，輸出對應 於此之存取性能。因此，存取裝置1〇〇係可以附加存取裝置 100侧之要因而算出存取速度。 接著’第8方法係將各種存取條件之存取速度值之一 覽’保持於卡資訊儲存部132，配合於來自存取裝置1〇〇之 要求而送回半導體記憶體卡111之方法。就該方法而言，使 用第二十六圖至第二十八圖而進行說明。 第二十六圖、第二十七圖、第二十八圖係顯示保持於半 導體§己憶體卡111之存取性能表之某一例子之圖。第二十六 圖（a)係將能夠在每單位時間處理之資料尺寸來顯示在各個 ，入時鐘之每個，第二十六圖（b)係就該-部份而在每存取 单位就連續存取和賴存取轉細地齡標準錢最差值。 此外，第二十七圖（a)係顯示在單位尺寸之資料處理就讀取 處理、寫入處理和消除處理而呈不同之必要之時間之每個輪 入時鐘。第二十七圖（b)係就該一部分之輸入時鐘25MHz 之f入處理、甚至還就單位尺寸之資料處理所需要之時間而 在每個處理單蚊寸就連取和_存取㈣細地顯示標 準值及最差值。第二权圖（a)係以單位尺相表現存取性 能來作為在存取時之處理速度，就各個輸人時•顯示關於 項取處理、寫入處理和消除處理之表。此外，第二十八圖⑴ 1359360

二就》亥#刀、在輪入時鐘25MHz之寫入處理之狀態下而在 母個處理單位尺寸就連續存取和隨機存取來詳細地顯示標準 值及最差值。這㈣僅是使得麵性能之表現方法呈不同， 皆表現半導體記憶體卡⑴之存取速度之資訊。 ,第一十^圖係分別顯示本方法之存取裳置100側之處理 =序之圖’第二十圖係顯示半導體記憶體卡111側之處理順 f之圖。存取裝置1⑻係正如第二十九圖所*，首先發行卡 指令（s細)’判別在該卡種類之取得是否成功 二 果在該取得發生錯誤的言舌，如、结束錯誤

Hi如果在取得成功的話’則在s29G4，判別是否為 I絲錢令卡。如果不是轉針的話，射 存:，取仔（S29G5)，如果是對應卡的話，則發行 取性处于指令（S2906)。接著’在S2907，判別在存 此表之取得是否成功，如果是錯誤的話，則結束錯誤 =2908 )。如果在存取性絲之轉成功的 以存取性能雜絲礎㈣定存雜件，來結束 士里體記憶體卡⑴係正如第三十圖所示，收訊指令，

(S3〇〇1-3〇〇3), #lJ 訊儲存部132’來讀出存取性能表(_):著， 將存取性能表傳訊至存取裝置而結束處理 由半趙=不:於第7方法之方面係存取裝置議 L體卡111來取得關於存取速度之資訊，因此， 修正m頁丨 100 — 像這樣，存取裝置！00係可以取^，言此二之方面。在本方法， 對於半導體記憶體卡nj 子取性能表，來辨識 存取條件來進行存取時 <覽以及在藉由各個 ，丨。。辨識是否在本身::二二藉此而使得存取 匕、下之存取速度值成為多少或 /來騎存取之狀 速度值以便能_何種麵條絲進行存^滿足*要之存取 以上，正如所說明的，，奢 二生此，保持在半導體記憶體卡U1内之卡:二1日才之存 ，體記憶體卡⑴係配合於來自存取：儲存。H32。 该貧訊之一部分或全部，來 χ 之要求而將 而使得存取裝置100得知半導100 °可以藉此 :之=Γ:係能夠以對於他 =之^;t，來進行存取，可以引導出半導體記憶體卡 能夠=:==!二32之資訊係可以分別成為1 外彳—由半導體記憶體卡⑴之 外^輸入第十九圖⑷所示之速度性能位準判定基準，進 仃更新而由後面開始，來變更判定基準之構造。此外，作為 其他例子係可以成為藉由改變半導體記憶針ηι内部之狀 態而在改_於麵錄之:#歡狀態τ，在半導體記憶體 卡111内’ li視内部狀態’配合於内部狀態之變化，來改變 關於存取訊之構造。此外，在本實施例，記载：在 42 1359360 96年S月18日修正麵頁 之絲裝置勵側之王4處理之前碩，進行半導體記憶體卡111 判疋之例子’仁疋’可以成為在最初存取於半導體記 2卡111時而僅進行1次之種類判定之構造。此外，不需 ，使用關於藉由第七圖所示之存取性能之全部資訊，可以僅 =。卩刀’也可以組合在第七圖所示之資訊之—部分和其 而進行使用。此外，作為速度性能位準和消耗電力量 位準係分職分成為3齡準^子而進行記載，但是，也 y以分割成為3種以外之複數種。此外，作為存取性能表係 顯示第二十六圖、第二十七圖和第二十八圖之3種例子，但 是’如果是顯示半導體記憶體卡⑴之存取性能之資訊的 話’則可以使用其他之表現形式，甚至也可以組合這些複數 個之表現形式而進行使用。此外，成减夠更新儲存卡資訊 之第1記憶體118之非揮發性記憶體而進行說明，但是，在 不需要進行更新之狀態下，可以使用R〇M等之不能夠更新 之非揮發性記憶體。此外’不是第i記憶體118，也可以成 為在非揮發性記憶體117内儲存卡資訊之構造。 (實施例2) 在本發明之實施例2,就由具備卡資訊儲存部之半導體 記憶體卡來取得關於半導體記憶體卡之存取性能之資訊而使 用於存取裝置之檔案系統之控制之存取裝置，來進行說明。 本實施例之半導體記憶體卡及存取裝置之構造係相同於 第一圖所示之構造。在本實施例，特別是就存取裝置1〇〇内 之ROM104之檔案系統控制部1〇6、存取條件決定部、 卡資訊取得部108、卡使用條件儲存部11〇而詳細地進行一、 43 1359360 96年5月18日修正替換頁 明 在進行本實施例之詳細說明前，作為用以管理儲存於半 導體記憶體卡111之資料所使用之檔案系統係以Fat檔案系 統作為某一例子而進行說明。在第三十一圖，顯示FAT檔案 系統之構造。第三十一圖之檔案系統管理區域117—a係表 示在半導體記憶體卡111内之非揮發性記憶體117之檔案系 統所管理之區域，相當於第一圖之記載於使用者資料131 ^ 區域之整個區域或者是一部分之區域。此外，在第三十一圖， LA係表示邏輯位址。在FAT槽案系統，在槽案系統管理區 域117 —A之刖頭，存在用以管理檔案系統管理區域丨I? —a 整體之管理資訊區域30(Π，接著，存在儲存檔案内之資料等 之資料區域3GG2。管理資訊區域麵係由主啟動記錄.分配 表（以下、稱為MBR.PT) 3003、分配啟動扇區（以下、稱 為PBS) 3004、檔案.分布表（以下、稱為FAT) 3〇〇5、3〇〇6、 路線索引登錄（以下、稱為RDE) 3〇〇7所構成。 MBR.PT3’ _存用謂職系統f理區域來分割成 為複數個之稱為分配之區域而進行管理之資訊之部分 PBS3004係儲存1個分配内之管理資訊之部分。獅5 3006係顯示包含於槽案之資料之物理儲存位置之部分 RDE3007係儲存存在於路線索引正下方之_、索引之資言 之部分。此外，FAT3005、3006係顯示檔案所包含之資料4 物^^置之重要區域’因此’通常在檔案系統管理區起 内，存在具有2個相同f訊之FAT3GG5、3嶋成為二層化。 貧料區域3002係分割成為減個叢集而進行管理，在名 44 1359360

=、: =所包含之資料。儲存許多資料之檔案等传 =:3:儲存資料，各個叢集間之連繫係藉由儲 仔於FAT3005、3006之鏈接資訊而進行管理。 接著，使用第三十二圖而說明FAT樓 例^料區域通鋪由稱减集之Μ長魏段單位而^ 仃官理，在各個叢集，附加由2開始之上升順序之叢集編泸 =3005、3006係管理：各個叢集之使用狀況和顯示各個叢 d之連繫之鏈接魏；由對應於各個叢集編號之而登錄 =構成。FAT登錄係藉由FAT權案系統之種類而成為每i個 叢集之12一位元、16位元和32位元之3種中之任何一種之大 a在第二十一圖之例子，顯示以16位元來表現1個登錄之 狀態。在FAT登錄’儲存：接著連繫之叢集之叢集編號、顯 =5玄叢集成為空白區域之〇x〇〇〇〇和顯示該叢集成為鏈接終 端之OxFFFF中之任何—個值。第三十二圖之藉由擴大之圖 之指針2〜7所示之部分係顯示對於叢集編號2〜7之FAT登 錄。在該例子’在對應於叢集編號2、5、7之FAT登錄，儲 存0x0000，顯示這些3個之叢集成為空白區域。此外，在對 應於叢集編號3之FAT登錄，儲存〇χ〇〇〇4 ’在對應於叢集編 唬4之FAT登錄，儲存〇χ〇〇〇6，在對應於叢集編號6之FAT 登錄’儲存OxFFFF，顯示在叢集編號3、4、6之3個叢集分 割及儲存資料。 接著，使用第三十三圖、第工十四圖、第三十五圖而說 明FAT檔案系統之檔案資料之寫入例。第三十三圖係顯示寫 入處理之流程圖’第三十四圖係顯示寫入處理前之索引登錄 45 1359360 96年5月18日修正替換頁 3301、FAT3005、3006、資料區域3002之某一例子之圖。第 三十五圖係顯示寫入處理後之索引登錄3301、FAT3005、 3006、資料區域3002之某一例子之圖。在FAT檔案系統， 在路線索引登錄.3007或資料區域3002之一部分，將儲存檔 案名稱或檔案尺寸、檔案屬性等之資訊之索引:登錄3301予以 儲存。第三十四圖（a)係顯示索引登錄3301之某一例子。 藉由該索引登錄3301所示之檔案係檔案名稱成為 FILE1.TXT ’由叢集編號（Cl.No.) 10開始儲存檔案之資料。 此外，檔案尺寸係60000位元組。第三十四圖（b)係顯示對 應叢集編號9〜14之FAT資料之例子。此外，第三十四圖（c ) 係假設1個叢集大小成為16384個位元組，跨越於叢集1〇〜 13之4個叢集而儲存檔案FILE1.TXT之資料。 第三十三圖係FAT檔案系統之檔案資料寫入之處理順序 之圖。使用第三十三圖而說明檔案資料寫入處理。在檔案資 料寫入處理，首先開始讀入對象檔案之索引登錄33〇1 (S3301 )。接著，取得儲存於讀入之索引登錄33〇1之檔案開 始叢集編號，確認檔案資料之前頭位置（S33〇2)。接著，讀 入FAT3005、3006，由藉著S3302所取得之檔案資料之前頭 位置開始，在FAT3005、3006上’依序地搜尋鏈接’取得寫 入位置之叢集編號（S3303 )。接著，在資料寫入時，判定在 檔案是否需要分配新的空白區域（S3304)。在空白區域之分 配變得不需要之狀態下’進展至S3306之處理。在空白區域 之分配變得需要之狀態下，在FAT3〇〇5、3〇〇6上，檢索空白 區域’將1個叢集之空白區域，分配在檔案之終端（S3305)。 46 1359360 96年5月18曰修正替換頁 接著’將僅寫入至現在參考之叢集内之資料，來寫入至資料 區域3002 (S3306)。接著，判定全部資料之寫入是否完成 (S3307)。此外，在殘留資料之狀態下，回復到S3304之處 理。在完成全部資料之寫入之狀態下，更新儲存於索引登錄 3301内之檔案尺寸或時間標記等，寫入至半導體記憶體卡 111 (S33〇8)。最後將FAT3005、3006寫入至半導體記憶體 卡111，完成處理（S3309)。 在藉由該樓案資料寫入處理而在第三十四圖所示之具有 60000個位元組之資料之檔案FILE1 τχτ還寫入1〇〇〇〇個位 元組之資料之狀態下，正如第三十五圖所示，在叢集編號 C1.N014，寫入新的資料，變化成為具有4〇〇〇〇個位元組之 資料之檔案。 、 像這樣，在FAT槽案系統，作為構案資料之儲存區則 以叢集單位來進行區域分配而儲存資料。此外，分配於丄^ 檔案之複數個叢㈣不-定限定為連續，可能分配不連^ ^域。在最差之狀態下’在分割於叢集單位之非連續區域 寫入㈣㈣。在錄態下’對於半導體記憶 次存取尺寸係1個叢集以下之大小， 卡 記憶體卡m呈最高速地進行存取所於半導1 於叢集尺寸之狀態下，無法以半更》 能，來進行存取。 料體5己憶體卡m之最高七 在本實施例，提供一種藉著由丰 得關於存取性能之資訊而使用在 體卡⑴來取 最適當之存取方絲料躲/―錢之處理以便於利用 伟取於+導體記憶體卡⑴之方 47 96年5月18日修頃 法 行說Ξ著所檔案系統存取單位之決定處理而進 兄月所明檔案糸統存取單位（以下 由於二=:所新設置之管理單位。叢集之大小你 無法間之互換性’因此，設置上限值， 記憶體卡m 最ϋ當地存取於半導體 寸以内之大小。因此，：本不叢極j限尺 ，於由半導體記憶體卡U1所取得之存取性 = 的區域管理單位，使二 並日香 象每樣保持和既有之檔案系統間之互換性， 並且，實現配合於半導體記憶體卡m特性之存取。換f . ^使用第三十六圖’就本實_之fs存取單位之決 取條部106由存 條件決定ί ίο；來=^^=系統；!制部106至存取 :得⑽•接著，使用在實施例丨所說明之:= ΐ ’使得卡_取得部⑽由半㈣記籠卡m來取得卡 ;訊（麵）。在卡資訊之取得呈失敗之狀態下， =得部!賺，經由存取條件決定部1〇7，通知錯誤= 案糸統控制部讓，結束處理⑶綱、漏5)。在取得呈成 48 1359360

氺土狀巧’由卡貢訊取得部108至存取條件決定部107， '汛卡貝戒（S3606)。接著，存取條件決定部 107係由卡 ::件儲存部110 ’取得在存取裝置剛存取於半導體記 ^卡⑴時之存取條件或成為要求之存取速度值等之資訊 判定(_)°接著’ ^較卡資訊和卡使祕件而 疋否存麵合於卡使祕件之處理單位尺寸（s36〇8)。 序導體義體卡⑴無法滿足藉由卡使⑽件所示之存取 =值之狀料之不存在適當之處理單位尺寸之狀況下，通 ^誤至檔㈣統控制部咖，結束處理（S36G9、S361〇)。 子，適當之處理單位尺寸之㈣τ，決定該處理單位尺 宏、為FS存取單位，由存取條件決定部1()7來傳訊至 案系統控制部106,結束處理（S36n)。 FS存^本實施例’比較卡資訊和卡使用條件而決定 子取轉，來作赫取於半導敎憶針⑴ 正如第二十项b)所示，在輸人時鐘=HZ 寫入處理而進行連續存取時，假設在16kb單位 為6MB/S、在128〖3單位之存 作為標準狀半導體缝針⑴成^膽^^取性能 需要8娜〜存取性能之狀態下，決定fs存二單^置: 可以藉由在該FS#取單位之每個，存取於半 _。己隐體卡111而得到要求之存取性能。 此外’作為卡❹條件H子係聽第十 之存取條件和存取速度值。也就是說，第切圖（a) 條件係顯―於存取裝置對於半導體記憶體卡⑴所伊 49 苐十四圓⑴所示之存取速度 存取性能值。可以藉由存取二時之所求出之 之資訊而判定半#”裝置料_這些存取性能 之存取性=_體卡111是否㈣滿足自己所要求 所示二卜；=三:六圖所示之處理順序係正如在實施例1 存取、^ 成為存取裂置1GG不輸入關於存取條件和 ==資訊之狀態下之處理順序。正如在實施二 在第三在/取裝置1GGf要輸人存取條件之狀態下， 取條^ 1 ，在步驟S36G1和S36G2間，附加：存 件1G7由卡使祕件儲存部11G，取得卡使用條 件通知至卡資訊取得部108之步驟。 在以下，就將藉由第三十六®所示之處判序所決定之 存取單位來使用在檔案系統處理之幾個方法而進行說明。 乍為第1方法係就意識到存取單位來對於檔案系統進行 。式化之方法而進行說明。第三十七圖係顯示在意識到FS 存取單位來使得檔案系統進行格式化之狀態下之構造例。設 定FS存取單位係在此成為128KB，成為叢集尺寸之倍數長 度。在此，使得1個叢集成為16KB。在第三十七圖，管理 資訊區域 30〇1 係 MBR.PT3003、PBS3004、FAT3005、3006、 RDE3007。在本實施例，調整管理資訊區域3001之大小，設 定成為FS存取單位之μ倍數長度（Μ係整數）。在此，管 理資訊區域3001係正如圖示，跨越於2個FS存取單位FSAU —〇、FSAU—：1，使用 512 個扇區（S)。 50 96年5月18曰修正替換頁 可以藉此而使得資料區域3 位境界，以FS存取單位 ^頭一致㈣存取單 3002之區域管理。此外，實現以後之資料區域 集尺寸之倍數長度，因此，能夠子=立:進:設定而成為叢 來進行資料區域3002内之巴试L 丨取早位倍數長度， 之區域管理。 £域官理，並且，整合於叢集單位 料第2方法係就意識到FS存取單位之檔案資 說明。第三十八圖係顯示本方法之賴 之寫入:料長产!^圖二在檔案資料寫入處理’首先判定殘留 在在Fs存取單位長度以上（議υ。 / 存取單位長度之狀態下，進 =二單位長度以上之狀態下，在對於半 在每單位長度之資料（S38〇2)。接著， 抑早位長度，在FAT3GG5、細上，檢索空白 ^域’取得FS存取單位内之所包含之區域全部成為空白叢 t區域（S_)。在不存在以區域之狀許，通知錯誤 、、。=處理（S3804、S3805 )。在存在空白區域之狀態下， 取得之空白區域，總括地寫入FS存取單位長度之資料 、〇6)接著，判定全資料之寫入是否完成（S3807)。在 寫入並未完成之狀態下，回復到S38G1之處理。在寫入完成 之狀態下，結束處理。此外，在S38〇1，在判定殘留之資料 長，未滿FS存取單位之狀態下’作成未滿FS存取單位之殘 留資料（S3808)。接著’相同於S38〇3之步驟而取得FS存 取早位内之所包含之區域全部成為空白叢集之區域

1359360 (S3809)纟不存在空白區域之狀態下，通知錯誤而結束 理（S381G、S3811)。在存在空白區域之狀態下在取得之 空白區域，總括地寫入殘留之資料，結束處理（S3812)。 在此，在檔案資料寫入處理，在不存在FS存取單位之 空白區域之狀態下，使得寫人處理成為錯誤，但是，可以取 得FS存取單位以下之空白區域而寫入資料。 第二十九圖係顯示資料區域之使用狀態之某一例子之 圖。在該例子，在FS存取單位FSAU_〇，寫入槽案机幻 之資料，在FS存取單位FSAU—卜寫入索引咖之資料。 在成為此種資料配置之狀態下，在本方法 ^^iFSAU_2 C1.N:18開始至25為止之區域)。也就是說，檔案資料或索。 引之_貝訊也以1個叢集來存在於FS存取單位内之F單 ^SAU-Ο或FS存取單位FSAU—丨之區域係並益使用^ 為棺案㈣寫人區域。因此，對於具有隸程度大小之 尺寸之檔案.之資料而-定確保FS麵單位之連續區域’田因 :高體記憶體卡1U，以最適當之存取單位， 域之 古、土 太3丨r- L 乐四卞圖係顯不本 7在參考之FS #取單位内是否存在索引區域 (_2)。在不存在之狀態下，進展至S侧之處理。在 52 1359360 96年5月18日修正替換頁 存在之狀態下，判定在現在參考之FS存取單位内是否存在 空白叢集（S4003 )。在不存在空白叢集之狀態下，進展至 S4005之處理。在存在空白叢集之狀態下，將該空白叢集分 配於索引區域，結束處理（S4004)。在S4002、S4003之判 定而不存在區域之狀態下，對於資料區域3002之全部，來判 定是否完成確認（S4005)。在並無完成之狀態下，將現在參 考位置，設定在下一個FS存取單位（S4006)，回復到S4002 之處理。 接著’在完成全區域之確認之狀態下，在第四十一圖， 由全資料區域3002，來取得FS存取單位内之所包含之區域 全部成為空白叢集之區域（s4〇〇7)。在存在空白區域之狀態 下’將包含於取得之區域之i個空白叢集，分配於索引區域， 結束處理（S4008、S4009)。在不存在空白區域之狀態下， 由全資料區域’來取得空白叢集（S4010)。在不存在空白叢 集之狀態下，通知錯誤而結束處理（S4〇u、S4012)。在存 在空白區域之狀態下，將取得之空白叢集，分配於索引區域， 結束處理（S4013)。 第四十二圖係顯示資料區域之使用狀態之某一例子之 圖。正如第四十二圖所示，成為在FS存取單位FSAU—〇包 含資料並且在FS存取單位FSAU—丨之叢集編號1〇、u包 含索引區域之資料配置。在該狀態下，在本方法’在包含於 FS存取單位FSAU—1之空白叢集、也就是叢集編號12〜 17，分配索引。像這樣，藉由分配索引區域而使得索引區域 優先地儲存在相同之Fs存取單位内，結果容易產生FS存取 53 單位長度之空白區域。可1^ ^- 所造成之檔案資料之遠蜱=知此而有效地進行由於第2方法 接著，作為第4確保。 旗標之方法而進行朗行意朗FS存取單位之去 體内之檔案資料來進行明去旗標係將分散配置於記錄媒 以高速地進行對於檔案資配置於連續區域’以便於可 去旗標處理，進行竟$ /〖取之處理。在本方法，在該 圖係顯示去旌；F5；存取單位之去旗標。第四十三 子，也在3個配置之某-例子之圖。在該例 之任何-個，位FSAU—〇、F⑽―卜舰㈠1 存取單位之空白區^二料或索引。因此，在第2方法之FS 考慮μ存取單取得空白區域。在此，藉由 FSAU—2之、去旗^處理而將包含於以存取單位 白叢隼F祕、區域’來移動至^存取單位職11—1之空 該處=在:nr集在fs存取一-1。將 (FILE2) 將FS存取單位FSAU —2之檔案 隹區祕之貧料，移動至FS存取單位FSAU一〇之空白叢 理^示在^樓案資料聚集在FS存取單位FSAU—0。將該處1 署 2)。結果，能夠變換成為第四十四圖所示之資料 2方^存取單位FSAU—2全部成為空白區域，在第 之空白存取單位之空白區域取得，分配成為㈣資料用

ρ隼兄’在本方法，藉由在去旗標處理，將衾引區域 之㈣^同之以存取單位’並且，將未滿FS存取單位尺寸 '貝料聚集在相同之FS存取單位，而儘可能地生成FS 54 1359360 96年5月18日修正替換頁 存取單位倍錄度μ 第2方法所造成之财資料之—此而有效地進行由於 在記錄媒體内，將使用在㈣心區域顧。此外，不需要 個連續區域而使得空白區^二料儲存等之全區域併合在！ 由徹底進行去旗標處理而成為1瓣續區域；可以藉 區域，於縮，費於去旗標:::::倍數長度之空白 區域長度之方法而進ί:'就:得FS存取單位之殘留空白 留空白區域長度取得處_序之二= 將現在參考位置，設定在資 =；：=0(s_。接著， 見在參考之FS存取單位内是否 = (S4503)。在全部成為空白叢隼 為白叢集 單位數，加算1(則4)。^之^下，在空白FS存取 成_5)。在並無完成之狀態下， 個FS存取單位，回復到s伽之處理（S = 狀態下，，存於空化存取單位數之數值，4 成為位植數，通知至應用程式⑽而結束處理⑽07、) 在此’械留空白區域長度取得處理，顯示將殘留空白 區或長度換算成為位兀組數而進行通知之例子，但是 能夠正確細誠留空白區域長度的話，則可以換 j 區數或叢集數而進行通知。 两屬 第四十六圖係顯示資料區域3⑽2之資料之配置狀 圖’藉由剖面線而顯示使用中之叢集。在像這樣而成為g 55 1359360 I 96 年 5 月 18 配置之狀態下，在本方法之殘留空白區域長度取得處理，正 如圖示，存在3個之空白連續區域（SEE)。因此，判定Fs 存取單位内之全部區域成為空白叢集之3個之Fs存取單位 FSAU—1、FSAU—3、FSAU—5，作為空白區域。 在本方法，像這樣，可以藉由算出FS存取單位長度之 空白區域之個數，通知至應用程式1〇5，而使得應用式 105，來辨識FS存取單位之殘留空白區域長度。可以藉此而 在每個FS存取單位來進行滿足存取裝置1〇〇所需要^存取 性能之存取時，辨識是否以該存取性能來僅寫入殘留之任何_ 資料。 以上，正如所說明的，實施例2之存取裝置100係由半 導體記憶體卡m ’來取得關於柿性能之:纽，決定最適 當之存取單位，在檔案系統之處理，使用該存取單位。可以 藉此而使得存取裝置則，以對於半導體記賴卡⑴呈最 適當之麵方法’來騎麵，㈣？丨㈣半導體記憶體卡 111之最尚性能。 4 此外’在實如例2，就藉由存取震置剛之⑽上 =程式而實現财系統㈣部1()6之全部之例子，來進行記 但是，可以成為使得這些魏之全部或—部分進行硬體 化而附加於存取裝置100 _ 〈攝造。例如正如弟四十七圖所 示，可以成為在ROM104內措妙十* 也/ 1僅储存應用程式105並且使得檔 案糸統控制部106、存取條株、土 —

来件決定部107、卡資訊取得部108、 存取控制部109和條件儲存A 記憶體卡控制LSI47()1來^ U〇進行硬體化而作為半導體 寸力σ於存取裝置100之構造。在第 1359360 96年5月18日修正咖 四十七圖财之構造係某—例子，可叫由 卡^^機，設定Fs存取單位’而將對於之:= :憶體卡m之資料轉送，自膚理成為fs :導體 付貪料傳訊之功能等、在本實施例所說明之 力使 進行硬體化。此外，在本實施例，作為檔案系：：分僅 係使用FAT檔案系統而進行說明，但是，如果β :、例子 :了理單位尺寸來進行區域管理之槽案系統的：，：::J 用UDF等之其他檔案系統。 則了从使 【產業上之可利用性】 關於本發明之半_記,〖請卡、麵裝置

ΠΓΓ取裝置側、半導體記憶體卡侧之任何一 2 之&理成為最私化而實⑽於半導體記憶體卡之 t存取。,此料㈣記憶針及存㈣践方法係可以利 使用半導體記憶體卡來成為記錄媒體之數位A ==機、數位相機、PC等。此外，特別是適當地: 狀態下$速度之兩品質AV資料之記錄媒體及機器之 【圖式簡單說明】 第一圖係顯示本發明之實施例1之半導體記憶體卡及存取 裝置之說明圖。 第圖係.、、、員不本發明之實施例1之消除塊段和扇區間之關 係例之說明圖。 第二圖係顯示本發明之實施例1之對於半導體記憶體卡之 57 1359360 96年5月18日修正g胃 消除塊段倍數長度之資料寫入處理之流程圖。 第四圖係顯示本發明之實施例1之對於半導體記憶體卡之 1個扇區分之資料寫入處理之流程圖。 第五圖係顯示本發明之實施例丨之使用2片快閃記憶體 半導體記憶體卡之構造例之說明圖。 — 第六圖係顯示本發明之實施例1之使用2片快閃記憶體 半導體記憶雙卡之存取時間例之說明圖。 _ 第七圖係顯示本發明之實施例1之儲存於卡資訊儲存部之 資訊之說明圖。 口 弟八圖係顯示關於本發明之實施例1之第1方法之存取裝 置内部處理之流程圖。 第九圖係顯示關於本發明之實施例1之第1方法之半導體 記憶體卡内部處理之流程圖之一部分。 第十圖係顯示關於本發明之實施例1之第1方法之半導體 記憶體卡内部處理之流程圖之其他一部分。 第十一圖係顯示關於本發明之實施例1之第1方法之存取 條件、存取速度值之某一例子之說明圖。 第十二圖係顯示關於本發明之實施例1之第2方法之存取 裝置内部處理之流程圖。 第十三圖係顯示關於本發明之實施例1之第2方法之車導 體記憶體卡内部處理之流程圖。 第十四圖係顯示關於本發明之實施例1之第2方法之存取 條件、存取速度值之某一例子之說明圖。 第十五圖係顯示關於本發明之實施例1之第3方法之存取 58 1359360 96年5月18日修正替換頁 裝置内部處理之流程圖。 第十六圖係顯示關於本發明之實施例1之第3方法之半導 體記憶體卡内部處理之流程圖。 第十七圖係顯示關於本發明之實施例1之第4方法之存取 裝置内部處理之流程圖。 第十八圖係顯示關於本發明之實施例1之第4方法之半導 體記憶體卡内部處理之流程圖。 第十九圖係顯示關於本發明之實施例1之第5方法之速度 性能位準判定基準例之說明圖。 第二十圖係顯示關於本發明之實施例1之第6方法之半導 體記憶體卡内部處理之流程圖。 第二十一圖係顯示關於本發明之實施例1之第7方法之存 取裝置内部處理之流程圖。 第二十二圖係顯示關於本發明之實施例1之第7方法之半 導體記憶體卡内部處理之流程圖。 第二十三圖係顯示關於本發明之實施例1之第7方法之存 取性能基礎資訊表例之說明圖。 第二十四圖係顯示關於本發明之實施例1之第7方法之讀 取處理、寫入處理之存取裝置和半導體記憶體卡間之存取時 間例之說明圖。 第二十五圖係顯示關於本發明之實施例1之第7方法之消 除處理之存取裝置和半導體記憶體卡間之存取時間例之說明 圖。 第二十六圖係顯示關於本發明之實施例1之第8方法之使 59 Γ以在每單㈣㈣理^料尺权存祕能表例之說明 十二係顯示關於本發明之實施例i之第8方法之使 = 奴賴處理所需要之_之存祕能表例之說 取關於本發明之卿之第一 之第 8 — 造圖圖係顯示本發明之實施例2之FAT檔案系統之構 料示本發明之實施例2之FAT檔案系統之資 料5 =顯示本發明之實施例2之FAT槽案系統之資 心王〇力1程圖。 料四圖軸示本發明之實施例2之FAT檔案系統之資 叶罵入狀崎之說·。 料Ϊ 顯示本發明之實施例2之ΜΤ標案系統之資 俊之狀態之說明圖。 處系顯示本發明之實施例2之FS存取單位取得 第三十七圖係顯示在使用關於本發明之實施例2之第i方 96年5月18日修正替換頁 =f S存取單位之格式後之檔案系統之構造例之說明圖。 十八圖係顯示使用關於本發明之實施例2之第2方法 之^_存取單位H㈣寫从理之流程圖。 ~十九圖係顯示關於本發明之實施例2之第2方法之資 料配置例之說明圖。 第四十圖係顯示使用關於本發明之實施例2之第3方法之 FS&存取單位之索引區域分配處理之流程圖。 第四十一圖係顯示使用關於本發明之實施例2之第3方法 之FS存取單位之索引區域分配處理之流程圖。 籲 第四十一圖係顯示關於本發明之實施例2之第3方法之資料 配置例之說明圖。 第四十三圖係顯示在使用關於本發明之實施例2之第4方 法之FS存取單位之去旗標處理前之資料配置例之說明.圖。 第四十四圖係顯示在使用關於本發明之實施例2之第4方 法之FS存取單位之去旗標處理後之資料配置例之說明圖。 第四十五圖係顯示使用關於本發明之實施例2之第5方法 之FS存取單位之殘留空白區域長度取得處理之流程圖。 第四十六圖係顯示關於本發明之實施例2之第5方法之資 料配置例之說明圖。 第四十七圖接、顯示使用本發明之實施例2之半導體記憶體 卡控制LSI之存取裝置之其他例子之說明圖。 【主要元件符號說明】 100〜存取裝置；101〜CPU ; 102〜RAM ; 103〜擴充槽； 61 1359360 96年5月18曰修正讎頁 104〜R〇m ; 105〜應用程式；ι〇6〜檔案系統控制部； 107〜存取條件決定部；108〜卡資訊取得部； 109〜存取控制部；n〇〜條件儲存部； 111〜半導體記憶體卡；112〜主i/F部；113〜CPU ; 114〜RAM; 115〜ROM; 116〜記憶體控制器； 117〜非揮發性記憶體；117 —A〜檔案系統管理區域； 118〜第1記憶體；119〜第2記憶體；130〜位址管理資訊； 131〜使用者資料；132〜卡資訊儲存部； 133〜主資訊儲存部；3001〜管理資訊區域； 3002〜資料區域；3003〜MBR PT ; 3004〜PBS ; 3005〜FAT1 ; 3006〜FAT2 ; 3007〜RDE ; 3301〜索引登錄； 4701〜半導體記憶體卡控制LSI。

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Claims (1)

1. 99年11月15日修正替換頁 十申請專利範圍： 體導::二係連接於存取裝置所使用之半導 自存取襄置之2對麵裝置魏㈣職及㈣、接收來 非揮發性記憶體 資料消除之“單位之消續之扇區群組化，以作為 址管理資訊區域和本示&，且非揮發性記憶體包含位 除、寫入及讀出之㈣ 揮發性記憶體之資料進行消 内部之物理特性^己ί…係包含：闕於前述半導體記憶體卡 存取前述半導體記5前述存取裝置於存取條件 據前述存取師2減；及前述存取裝置依 第3資訊；以及 τ4述半導體記憶體卡之存取速度之 前透過前述介面部所得到之控制訊號而控制^ 、千蛤體記憶體卡。 _ 資專利範圍第1項之半導體記憶體卡，其中前述卡 存關於前述半導體記憶體卡之異常處理之第4 . 資項之半導體記憶體卡，其中前述卡· 户° :存。卩之第3資訊係包含顯示前述半導體記憶體卡之速 月匕之旗標，來作為關於前述存取速度之資訊。 4.如申請專利範圍第1項之半導體記憶體卡，其中前述 63 控制部係配合於來自前述存取裝、L"年】】’月，正替換頁 儲存部而讀出闕於用以存取於=要求，藉由前述卡資訊 件之資訊以及闕於財述存取體記憶體卡之存取條 時之存取速度之資訊，傳訊至前述半導體記憶體卡 5.如申請專利範圍第丨項 " f制部，係根據透過前述介面部所^記憶體卡，其中前述 部，讀出係配合於關於前述存取壯j· 1控制訊號而控制各 訊’藉由前述卡資訊儲存部而讀：：指：之存取條件之資 取於前述半導體記憶針時賴麵條件來存 存取裝置。 取速度之資訊，傳訊至前述 6·如申*專利範圍第 控制料配合於關於前述存取㈣卡，其令前述 汛，藉由前述卡資 斤丸疋之存取速度之資 度所需要之對於前本2而項出關於用以滿足前述存取速 訊至前述麵裝^導喊憶體卡之存取條件之資訊，傳 7·如申请專利範圍證1 控制部係在藉由前述 ^半導體記憶體卡，其令前述 所指定之存取條件、頓存部而讀出關於前述存取裝置· 存取條件來存取於々貝畔’存取速度之資訊並且以前述 述存取速度，將A v半導體5己億體卡時，异i定是否滿足前 ，如申請輪前述存取裝置。 ‘ 卡資訊儲存部係具a項之半導體圮憶體卡，其♦前述-複數個位準而闕於卞述半導體記憶體卡之消耗電力量之 前述第3資訊；前=述半導體記憶體之存取速度之資訊，為 ^控制部係配合於來自前述存取裝置之要 64 1359360 99年li月b 求以及消耗電力量位準之指定，藉由前述卡替換頁 出關於用以存取於前述半導體記憶體卡之存取條^子部而讀 前述存取條件來存取於半導體記憶體卡3= 度之—貝訊，傳訊至前述存取裝置。 了之存取l 9.如申請專利範圍第1 卡資訊儲存部係呈有導體記憶體卡，其中前述 複數個位準而關;前述:=:”卡之消耗電力量之 作為前述第3資t ^ = Γ 存取速度之資訊，來 所指定之存取條件之 、， 及’為毛電力量位車之扣—获由 儲存部而讀出前述存取條件和關於以：電 ;:=:裝前置述?導體記憶體卡時之存取速度之二傳 前 二 〜二:;關::=?Γ合於前述存取裝 前述卡資訊健存部而讀出關於用二:之指定之資訊，；： 之野於前述半導體_卡之==前述存取速度所= 存取裝置。 心仔取條件之資訊，傳訊裘前述 卡資半導體記憶體卡，其中前述 . 一有就月'述半導體記恃髅士少、占赵帝六量之 货數個位準_於前述半 4卡之祕廷力莫 作為前述第3資訊，體之存取速度之資訊，來 月’以工'部係在藉由前述卡資訊儲存部 65 1359360 :讀出關於m躲裝置指定 ^ 力量位準之指定及關於存取速度之和消耗電 和指定之電力量位準來存取於前述半導體且=存取條件 是否滿足前述存取速度，_定卡時，判定 iy 肘]〇果傳訊至前述存取护罢 .申请專利範圍第】項之半導體—陪雜 、。 卡資訊儲存部係且有 。己憶肽卡，其中前述 體卡之卡内部之:種處二::法：保持前述半導體記憶 礎資.二 处Τ0 α处理單位尺寸的存取性能其 疋貝絲，讀控制部係配合於來 取性月匕基 將前;f取't能基礎資訊表，來傳訊至前要求而 卡資^專利範圍第1項之半導體記憶體卡^ _前、f 卞貝⑽存部係保持在改變前述半導、h述 尺寸、存取方法及包含處理内容 件^處理早位 逮度;前述控制部係配合於來自前之存取 於該存取速度之資訊，來傳訊至前述存^2之要求而將關 專利範圍^項之半導體記憶體卡， 貝訊包广用以連續存取之最低連續區域大小Γ 34 15.-齡取，係將複數個連續之輕 =成為資湘除最小單位之塊段，並㈣叙=組化， 由檔案系統所管理之半導體存取於藉 包括： 何體錢體权絲裝置，其特徵為 卡資訊取得部’係前述存轉置依據料前 ，半導體記憶體卡時之條件之存取條件及前述存= 存取時，藉㈣述半導體記憶體卡取㈣於前述 體卡發揮之存取性能之資訊； 導版^己憶 66 卡使用條_料， 憶體卡所求出之存“产，件之資訊以及關於半導體記 存取條件決定部，係由此:凡 儲存於前述卡使用條件‘=資訊=得，得之資訊以及 檔案系統控制部，係 之貝絲決定存取條件； 條件’進行適合前述存取：：述存取條件決定部決定之存取 存取控制部，係配'、之插案存取；以及， 求，來存取前料導^^：^減线控制部之存取要 16. 如申請專利範 取條件決定部係g己合前丨項之存取裝置’其中’前述存 憶體卡取得之存取性條件’根據關於前述半導體記 分割成為㈣系統存取單，將半導體記憶體卡之區域， 17. 如申請專利範圍第 案系統控制部係在前述+弟導二項之存取裝置’其中’前述樓 建立在前述半導體記憶^^己憶體卡記錄標案資料時’以 來決定前述槽㈣、統存 m统管理貧訊為基礎， ^ 早位之倍數長度之連續空白區域， :如申=前述決定之連續空白區域。 18. 如申叫專利乾圍第 案系統控制部係在前述半導存取裝置，其中’前述樓 訊時，以建立在前述半憶體卡記錄新的㈣管理資 訊為基礎，來判斷前述樓案=卡上之檔案系統之官理資 錄其他樓案管理資訊，且存取單位之區域内，已經記 白區域，存在時，決定子在寫入新檔案官理貢訊之空 '欠削边空白區域來作為樓案管理資訊之 67 1359360 _ 1〇0年9月21日ί! 入二如申資訊記錄在前述決 案系統控制部係在項之存取裝置’其中，前述權 統管理資訊為基礎—:返半導體記憶體卡上之檀案系 已有部分倾㈣=讀個餘純麵單位之區域 區域之資料，移動至1：^已使用之㈣系統存取單位使用 20.如申請專㈣統存取單位之未使用區域。 案系統控制部係以建立在之存取裝置’其中，前述標 管理資訊為基礎導體記憶體卡上之槽案系統 空白區域之個數。 ㈣統存取單位之區域皆為 以成2:二取::單:::咖連續之㈣行群組化， 資訊以及關於半導憶體卡時之存取條件之 使用條件儲存步驟； 卡所求出之存取逮度之 資訊之卡 =述存取装置依據作為存取 裝置存取前述半導體記憶 導體讀'體卡之存取 及前述存取條件存取時Γ從寸、^ =之存取條件之資訊以 述半導體記憶體卡發揮/f、體記憶體卡取得關於前 驟； 之卡資訊取得步 資訊取得步驟取得之資 条件储存步驟之·來蚊存取條=存於前述卡使用 件取條件決定步驟； 68 1359360 以及， 曰修正替換頁 取得由前述存取條件決定 述半導體記憶體卡之檀案，二;=條件’來存取前 控制步驟。 述存取條件之檔案系統 22. 如申請專利範圍第2〇項之 取條件決定步難配合前述存取條件計=巾，前述存 體記憶體卡時之制尺寸之檔㈣赫麵前述半導 23. 如申請專利範圍第21項之存取方法 案系統控制步驟係在前述半導_ "中，前述檔 以建立在前述半導體上^樓案資料時， 礎，來蚊前述财系統存取單位之倍數===訊為基 域，並將，料記錄在前述決定之連續空白區 24. 如申叫專利乾圍第21項之存取方法，其中 案糸統控制步驟係在前述半導體記憶體卡記錄新㈣尹= 資訊時，以建立在前述半導體記憶體卡上之檔案^ = 訊為基礎，來判斷前述標案系統存取單位之區域内，已經記 錄其他㈣官理f訊’且是否存在寫人新财管理資訊之空 白區域，存在時，決定前述空白區域來作為檔案管理資訊: 寫入位置，並將檔案管理資訊記錄在前述決定之空白區域。 25. 如申請專職圍第21項之存取方法，其中，前述槽 案系統控制步驟係以建立在前述半導體記憶體卡上之檔案系 統管理資訊為基礎，而前述複數個檔案系統存取單位之區域 已有部分被使用時’將部分已使用之檐案系統存取單位之使 用區域之資料’移動至其他檔案系統存取單位之未使用區域。 69 1359360 100年9月21日修正替換頁 26.如申請專利範圍第21項之存取方法，其中，前述擋 案系統控制步驟係以建立在前述半導體記憶體卡上之檔案系 統管理資訊為基礎，來算出前述存取單位之區域皆為空白區 域之區域大小，通知應用程式所算出之值以作為前述半導體 記憶體卡之空白區域長。

   70 1359360 96年5月18日修正有澳頁 七、指定代表圖： (一) 本案指定代表圖為：第（一）圖。 (二) 本代表圖之元件符號簡單說明： 100〜存取裝置； 103〜擴充槽； 1()4 槽案系統控制部； 卡資訊取得部； 條件儲存部； 主1/F 部；113〜CPU ROM ; 非揮發性記憶體； 第2記憶體； 使用者資料； 主資訊儲存部。 106 108 110 112 115 117 119 131 133 ROM 107- 109' 11L· 1〇5〜應用程5 存取條件決定部； 存取控制部； 半導體記憶體卡； 114 〜RAM ; U6〜記憶體控制器； 118〜第1記憶體； 130〜位址管理資訊； 132〜卡資訊儲存部； ^案若有料式時，請化學式: