JPWO2010119808A1 - 製品の製造方法および製造システム - Google Patents

Abstract

第１記憶部（１１）に製造条件が保存される。製造条件を第２記憶部（２１）に記憶させるために製造条件が第１記憶部（１１）から第２記憶部（２１）へ送信される。第２記憶部（２１）に記憶された製造条件に基づいて製品が製造される。製品が製造された後に、第２記憶部（２１）から製造条件が消去される。これにより保守・点検を容易に行なうことができ、かつ製造条件の情報漏えいを防止することができる。

Description

本発明は、製品の製造方法および製造システムに関し、特に、製造条件を記憶する記憶部を用いた、製品の製造方法および製造システムに関するものである。

製品を製造する製造装置の中には、製造条件を記憶する記憶部を有するものがある。
たとえば特開平４−９９２７９号公報（特許文献１）に記載の技術においては、供給装置はマイクロコンピュータを有する。このマイクロコンピュータは、ヒータの加熱出力パターンとキャリアガスの出力パターンとを記憶する。

特開平４−９９２７９号公報

上記公報の供給装置のような製造装置が設置される場所は、多くの場合、情報管理の上で人の立ち入りが厳格に制限された場所（以下、「制限エリア」と称する）ではない。このため、製造システムに記憶されている製造条件の情報が漏えいしやすいという問題がある。

一方で製造システム全体が制限エリアに設置されると、情報の漏えいは防止できるものの、製造システムの保守・点検を行なう作業者が立ち入り制限を受けてしまい、その実施が困難になるという問題がある。

それゆえ本発明の目的は、保守・点検を容易に行なうことができ、かつ製造条件の情報漏えいを防止することができる製造方法および製造システムを提供することである。

本発明の製品の製造方法は、以下の工程を有する。
第１記憶部に製造条件が保存される。製造条件を第２記憶部に記憶させるために製造条件が第１記憶部から第２記憶部へ送信される。第２記憶部に記憶された製造条件に基づいて製品が製造される。製品が製造された後に、第２記憶部から製造条件が消去される。

本発明の製品の製造方法によれば、製品が製造された後に第２記憶部から製造条件が消去される。これにより、製造条件の情報が漏えいすることを防止することができる。また第２記憶部が制限エリア外の場所に設置されることによって、製造システムの保守・点検を行なう作業者が第２記憶部にアクセスすることができるので、製造システムの保守・点検を容易に行なうことができる。

上記の製造方法において好ましくは、第２記憶部は揮発性である。
これにより、第２記憶部に記憶された情報は、電源が切られた場合に消去される。よって第２記憶部からの製造条件の漏えいを、より確実に防止することができる。

上記の製造方法において好ましくは、第１記憶部は不揮発性である。
これにより、電源が切られた場合であっても、第１記憶部において製造条件を保存し続けることができる。

上記の製造方法において好ましくは、製造条件は第１記憶部の外部において不揮発に記憶されない。

これにより、電源が切られた場合に、製造条件は第１記憶部の外部において消去される。よって第１記憶部の外部からの製造条件の漏えいを、より確実に防止することができる。

上記の製造方法において好ましくは、製造条件が消去された後に、製造条件を第１記憶部から第２記憶部へ送信することを要求する信号が発生される。

これにより、第２記憶部に製造条件が再び記憶されるので、再び製品を製造することができる。すなわち製品の製造を繰り返すことができる。

上記の製造方法において好ましくは、複数の処理部の各々によって製品が製造される。また上記の信号は、複数の処理部のいずれかを特定する情報を含む。

これにより、複数の処理部のいずれかを特定し、さらにこの特定の処理部に適した製造条件を選択的に送信することができる。

本発明の製造システムは、製造装置と、保存装置と、制御装置とを有する。製造装置は製品を製造するものである。保存装置は、製造装置を制御するための製造条件を保存する第１記憶部を有し、かつ第１記憶部に保存された製造条件を送信することができる。制御装置は、保存装置から送信された製造条件を記憶する第２記憶部と、第２記憶部に記憶された製造条件に基づいて製造装置を制御する制御部とを有する。制御部は、第２記憶部に記憶された製造条件に基づいて製造装置を制御した後に、第２記憶部から製造条件を消去するように構成されている。

本発明の製造システムによれば、制御部は、第２記憶部に記憶された製造条件に基づいて製造装置を制御した後に、第２記憶部から製造条件を消去する。これにより、製造条件の情報が漏えいすることを防止することができる。また第２記憶部が制限エリア外の場所に設置されることによって、製造システムの保守・点検を行なう作業者が第２記憶部にアクセスすることができるので、製造システムの保守・点検を容易に行なうことができる。

上記の製造システムにおいて好ましくは、保存装置は第１エリアに設置されており、制御装置および製造装置は第１エリアと異なる第２エリアに設置されている。より好ましくは、第１エリアは第２エリアに比して情報管理の上で人の立ち入りが制限されている。

上記の製造システムにおいて好ましくは、第２記憶部は揮発性である。
これにより、第２記憶部に記憶された情報は、電源が切られた場合に消去される。よって第２記憶部からの製造条件の漏えいを、より確実に防止することができる。

上記の製造システムにおいて好ましくは、第１記憶部は不揮発性である。
これにより、電源が切られた場合であっても、第１記憶部において製造条件を保存し続けることができる。

上記の製造システムは好ましくは、製造条件が第１記憶部の外部において不揮発に記憶されないように構成されている。

これにより、電源が切られた場合に、製造条件は第１記憶部の外部において消去される。よって第１記憶部の外部からの製造条件の漏えいを、より確実に防止することができる。

上記の製造システムにおいて好ましくは、制御部は、製造条件を第１記憶部から第２記憶部へ送信することを要求する信号を発生することができるように構成されている。

これにより、第２記憶部に製造条件が記憶されていない場合に、上記信号を発生することで第２記憶部に製造条件を記憶させることができる。

上記の製造システムにおいて好ましくは、製造装置は、各々が製品を製造する複数の処理部を含む。また上記の信号は、複数の処理部のいずれかを特定する情報を含む。

これにより、複数の処理部のいずれかを特定し、さらにこの特定の処理部に適した製造条件を選択的に送信することができる。

以上説明したように、本発明によれば、製造条件の情報が漏えいすることを防止することができる。また製造システムの保守・点検を容易に行なうことができる。

本発明の実施の形態１における製造システムの構成を概略的に示すブロック図である。 本発明の実施の形態１における製品の製造方法のフロー図である。 本発明の実施の形態２における製造システムの構成を概略的に示すブロック図である。 本発明の実施の形態２における製造システムの構成を概略的に示すレイアウト図である。 本発明の実施の形態２における製品の製造方法の第１工程を概略的に示すレイアウト図である。 本発明の実施の形態２における製品の製造方法の第２工程を概略的に示すレイアウト図である。 本発明の実施の形態２における製品の製造方法の第３工程を概略的に示すレイアウト図である。 本発明の実施の形態２における製品の製造方法の第４工程を概略的に示すレイアウト図である。

以下、本発明の実施の形態について図に基づいて説明する。
（実施の形態１）
はじめに本実施の形態の製造システムについて説明する。

図１を参照して、本実施の形態の製造システム１００は保存装置１０および基本システム５０を有する。保存装置１０は、制限エリアＣＡ（第１エリア）に設置されている。また基本システム５０は、制限エリアＣＡに比して情報管理の上での人の立ち入りが制限されていない場所である処理エリアＰＡ（第２エリア）に設置されている。また基本システム５０は制御装置２０および製造装置３０を有する。

製造装置３０は、製品を製造する処理部３１を有する。ここで製品とは、製造工程の途中にある未完成の製品を含む。製造装置３０は、たとえば一の成膜室を有するＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）装置であり、この場合、処理部３１は成膜室およびその内部構造である。

保存装置１０は第１記憶部１１および第１通信部１２を有する。第１記憶部１１は、製造装置３０を制御するための製造条件を保存するためのものであり、好ましくは、ＨＤＤ（Hard Disk Drive：ハードディスクドライブ）またはフラッシュメモリなどの不揮発性の記憶装置である。第１通信部１２は、外部からの信号に応じて、第１記憶部１１に保存された製造条件を送信することができるものである。保存装置１０は、たとえばＰＣ（Personal Computer：パーソナルコンピュータ）によって実現される。

制御装置２０は、第２記憶部２１と、第２通信部２２と、制御部２３とを有する。制御装置２０は、たとえばＰＣまたはＰＬＣ（Programmable Logic Controller：プログラマブルロジックコントローラ）によって実現される。

第２記憶部２１は、保存装置１０の第１通信部１２から送信された製造条件を記憶するためのものであり、好ましくは、ＲＡＭ（Random Access Memory）などの揮発性の記憶装置である。第２通信部２２は、第１通信部１２、第２記憶部２１および制御部２３の各々と接続されている。

制御部２３は、第２記憶部２１に記憶された製造条件に基づいて製造装置３０を制御するためのものである。また制御部２３は、第２記憶部２１に記憶された製造条件に基づいて製造装置３０を制御した後に、第２記憶部２１から製造条件を消去するように構成されている。また制御部２３は、製造条件を第１記憶部１１から第２記憶部２１へ送信することを要求する信号を発生することができるように構成されている。

好ましくは、製造システム１００は、製造条件が第１記憶部１１の外部において不揮発に記憶されないように構成されている。

次に製造システム１００を用いて製品を製造する方法について説明する。
図１および図２を参照して、ステップＳ１にて、制限エリアＣＡにおいて第１記憶部１１に製造条件が保存される。

ステップＳ２にて、制御部２３は製造条件を第１記憶部１１から第２記憶部２１へ送信することを要求する信号を発生する。この信号は、第２通信部２２を介して第１通信部１２へ送信される。

ステップＳ３にて、上記信号を受けた第１通信部１２は、第１記憶部１１に保存された製造条件を第２通信部２２へ送信する。第２通信部２２は、第１通信部１２から送信された製造条件を受信し、続いて、受信された製造条件を第２記憶部２１へ送信する。第２記憶部２１は、第２通信部２２から送信された製造条件を記憶する。以上により、製造条件が第１記憶部１１から第２記憶部２１へ送信され、そして第２記憶部２１に記憶される。

ステップＳ４にて、第２記憶部２１に記憶された製造条件に基づいて、制御部２３は製造装置３０の処理部３１を制御する。これにより製造装置３０は製品を製造する。具体的には、たとえば、パワー、ガス流量および成膜時間などを規定する成膜条件に基づいてＣＶＤ装置により成膜が行なわれる。

ステップＳ５にて、上記のように製品が製造された後に、制御部２３は第２記憶部２１から製造条件を消去する。

ステップＳ６にて、制御部２３は、製造を繰り返すか否か判断する。たとえば、製造済みの製品数があらかじめ制御部２３に設定された予定数に満たない場合は製造を繰り返す判断を行い、予定数に達した場合は繰り返さない判断を行なう。

上記ステップＳ６にて製造を繰り返す判断がなされた場合、再度ステップＳ２の処理に戻る。

一方、上記ステップＳ６にて製造を繰り返さない判断がなされた場合、ステップＳ７にて、基本システム５０の保守・点検が行なわれる。この保守・点検の際、処理エリアＰＡにおいて作業者が第２記憶部２１に保守・点検用の条件を記憶させることにより、制御装置２０を用いて製造装置３０を動作させることができる。

本実施の形態によれば、制御部２３は、第２記憶部２１に記憶された製造条件に基づいて製造装置３０を制御した後に、第２記憶部２１から製造条件を消去する。これにより、製造条件の情報が漏えいすることを防止することができる。

また第２記憶部２１を有する制御装置２０が処理エリアＰＡ、すなわち制限エリアＣＡ外の場所に設置されることによって、基本システム５０の保守・点検を行なう作業者が第２記憶部２１にアクセスすることができる。これにより、制御装置２０を用いた製造装置３０を動作をともなう保守・点検を行なうことができる。

また第２記憶部２１が揮発性であることにより、第２記憶部２１に記憶された情報は、電源が切られた場合に消去される。よって第２記憶部２１からの製造条件の漏えいを、より確実に防止することができる。

また第１記憶部１１が不揮発性であることにより、電源が切られた場合であっても、第１記憶部１１において製造条件を保存し続けることができる。

好ましくは製造システム１００は、製造条件が第１記憶部１１の外部において不揮発に記憶されないように構成されている。これにより、電源が切られた場合に、製造条件は第１記憶部１１の外部において消去される。よって製造条件は制限エリアＣＡに位置する第１記憶部１１にのみ残るので、製造条件の漏えいをより確実に防止することができる。

また制御部２３は、製造条件を消去した後に、製造条件を第１記憶部１１から第２記憶部２１へ送信することを要求する信号を発生することができるように構成されている。これにより、第２記憶部２１に製造条件が再び記憶されるので、再び製品を製造することができる。すなわち製品の製造を繰り返すことができる。

（実施の形態２）
図３を参照して、本実施の形態の成膜システム１００Ｍ（製造システム）は保存装置１０および成膜基本システム５０Ｍを有する。成膜基本システム５０Ｍは、処理エリアＰＡに設置されており、制御装置２０Ｍおよび成膜装置３０Ｍ（製造装置）を有する。

図４を参照して、成膜装置３０Ｍは、第１〜第３成膜部３１ａ〜３１ｃ（複数の処理部）と、搬送部３２と、前室３３とを有する。第１〜第３成膜部３１ａ〜３１ｃの各々は、成膜室およびその内部構造であり、基板上に成膜を行なうことによって成膜済基板（製品）を製造することができる。搬送部３２は第１〜第３成膜部３１ａ〜３１ｃの各々と前室３３との間で図４の矢印で示すように基板を搬送するためのものである。

図３を参照して、制御装置２０Ｍは、第２記憶部２１と、第２通信部２２と、制御部２３Ｍとを有する。制御部２３Ｍは、第２記憶部２１に記憶された成膜条件（製造条件）に基づいて成膜装置３０Ｍを制御するためのものである。また制御部２３Ｍは、第２記憶部２１に記憶された成膜条件に基づいて成膜装置３０Ｍを制御した後に、第２記憶部２１から成膜条件を消去するように構成されている。また制御部２３Ｍは、成膜条件を第１記憶部１１から第２記憶部２１へ送信することを要求する信号を発生することができるように構成されている。この信号は、複数の第１〜第３成膜部３１ａ〜３１ｃのいずれかを特定する情報を含む。制御装置２０Ｍは、たとえばＰＣまたはＰＬＣによって実現される。

好ましくは、成膜システム１００Ｍは、成膜条件が第１記憶部１１の外部において不揮発に記憶されないように構成されている。

なお、上記以外の構成については、上述した実施の形態１の構成とほぼ同じであるため、同一または対応する要素について同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。

次に成膜システム１００Ｍを用いて成膜する方法について説明する。
図３を参照して、まず制限エリアＣＡにおいて第１記憶部１１に、第１〜第３成膜部３１ａ〜３１ｃのそれぞれのための第１〜第３成膜条件が保存される（図２：ステップＳ１）。

図３および図５を参照して、第１〜第３成膜部３１ａ〜３１ｃの各々へ搬送部３２を介して前室３３から基板７０が搬送される（図５の矢印Ｉ１〜Ｉ３）。また制御部２３Ｍは、第１〜第３成膜条件を第１記憶部１１から第２記憶部２１へ送信することを要求する信号を発生する（図２：ステップＳ２）。この信号は、第２通信部２２を介して第１通信部１２へ送信される。

上記信号を受けた第１通信部１２は、第１記憶部１１に保存された第１〜第３成膜条件を、第２通信部２２へ送信する。第２通信部２２は、第１通信部１２から送信された第１〜第３成膜条件を受信し、続いて、受信された成膜条件を第２記憶部２１へ送信する。第２記憶部２１は、第２通信部２２から送信された第１〜第３成膜条件を記憶する。以上により、第１〜第３成膜条件が第１記憶部１１から第２記憶部２１へ送信され、そして第２記憶部２１に記憶される（図２：ステップＳ３）。

図３および図６を参照して、第２記憶部２１に記憶された第１〜第３成膜条件のそれぞれに基づいて、制御部２３Ｍは成膜装置３０Ｍの第１〜第３成膜部３１ａ〜３１ｃを制御する。これにより成膜装置３０Ｍは成膜を行なう（図２：ステップＳ４）。成膜が終了する時期は第１〜第３成膜部３１ａ〜３１ｃの間で必ずしも同一ではなく、ある時期において、たとえば第１成膜部３１ａのみにおいて成膜が完了する。すなわち成膜部３１ａにおいて成膜済基板７１（製品）が得られる。

上記のように第１成膜部３１ａにおける成膜が完了した後に、制御部２３Ｍは第２記憶部２１から第１成膜部３１ａ用の成膜条件である第１成膜条件を選択的に消去する（図２：ステップＳ５）。

図３および図７を参照して、矢印Ｏ１に示すように、第１成膜部３１ａから搬送部３２を介して前室３３へ成膜済基板７１が搬送される。また制御部２３Ｍは、第１成膜部３１ａによる成膜を繰り返すか否か判断する（図２：ステップＳ６）。たとえば、成膜済基板７１の数があらかじめ制御部２３Ｍに設定された予定数に満たない場合は成膜を繰り返す判断を行い、予定数に達した場合は繰り返さない判断を行なう。

図３および図８を参照して、上記ステップＳ６にて成膜を繰り返す判断がなされた場合、矢印Ｉ１に示すように、前室３３から搬送部３２を介して第１成膜部３１ａへ基板７０が搬送される。また制御部２３Ｍは、第１記憶部１１から第２記憶部２１へ、第１〜第３成膜条件のうち、第１成膜部３１ａ用の成膜条件である第１成膜条件を選択的に送信することを要求する信号を発生する（図２：ステップＳ２）。この信号は、第２通信部２２を介して第１通信部１２へ送信される。

上記信号を受けた第１通信部１２は、第１記憶部１１に保存された第１成膜条件を第２通信部２２へ送信する。第２通信部２２は、第１通信部１２から送信された第１成膜条件を受信し、続いて、受信された第１成膜条件を第２記憶部２１へ送信する（図２：ステップＳ３）。

次に第１成膜部３１ａによる成膜が繰り返される（図２：ステップＳ４）。
第１成膜部３１ａにおける上記の成膜が完了した後に、制御部２３Ｍは第１成膜部３１ａ用の成膜条件である第１成膜条件を第２記憶部２１から選択的に消去する（図２：ステップＳ５）。そして制御部２３Ｍは、第１成膜部３１ａによる成膜を繰り返すか否か再度判断する（図２：ステップＳ６）。

上記ステップＳ６にて成膜を繰り返さない判断がなされた場合、第１成膜部３１ａによる成膜の繰り返しが終了する。

また第２および第３成膜部３１ｂおよび３１ｃの各々においても、上記の第１成膜部３１ａにおける場合と同様に、必要な回数だけ成膜が繰り返される。

第１〜第３成膜部３１ａ〜３１ｃの各々による成膜の繰り返しが終了すると、成膜基本システム５０Ｍの保守・点検が行なわれる（図２：ステップＳ７）。この保守・点検の際、処理エリアＰＡにおいて作業者が第２記憶部２１に保守・点検用の条件を記憶させることにより、制御装置２０Ｍを用いて成膜装置３０Ｍを動作させることができる。

本実施の形態によれば、実施の形態１と同様の効果が得られる。
また第１〜第３成膜部３１ａ〜３１ｃに用いられる第１〜第３成膜条件のうち特定のものが選択的に送信されるので、第１〜第３成膜部３１ａ〜３１ｃの各々に適した成膜条件を用いることができる。

また第１〜第３成膜部３１ａ〜３１ｃに用いられる第１〜第３成膜条件のうち特定のものが選択的に消去されるので、第１〜第３成膜条件のうち制御に用いられている最中のものが消去されないようにすることができる。これにより、成膜条件の消去によって成膜に支障が生じることを避けることができる。

なお本実施の形態においては製造システムとして成膜システムについて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、たとえば、エッチング装置を有するエッチングシステムであってもよい。

今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

本発明は、製造条件を記憶する記憶部を用いた、製品の製造方法および製造システムに特に有利に適用することができる。

１０ 保存装置、１１ 第１記憶部、１２ 第１通信部、２０，２０Ｍ 制御装置、２１ 第２記憶部、２２ 第２通信部、２３，２３Ｍ 制御部、３０ 製造装置、３０Ｍ 成膜装置（製造装置）、３１ 処理部、３１ａ〜３１ｃ 第１〜第３成膜部（処理部）、３２ 搬送部、３３ 前室、５０ 基本システム、５０Ｍ 成膜基本システム、７０ 基板、７１ 成膜済基板（製品）、１００ 製造システム、１００Ｍ 成膜システム（製造システム）、ＣＡ 制限エリア（第１エリア）、ＰＡ 処理エリア（第２エリア）。

Claims (14)

1. 第１記憶部（１１）に製造条件を保存する工程と、
   前記製造条件を第２記憶部（２１）に記憶させるために前記製造条件を前記第１記憶部（１１）から前記第２記憶部（２１）へ送信する工程と、
   前記第２記憶部（２１）に記憶された前記製造条件に基づいて製品（７１）を製造する工程と、
   前記製品（７１）を製造する工程の後に、前記第２記憶部（２１）から前記製造条件を消去する工程とを備えた、製品（７１）の製造方法。
2. 前記第２記憶部（２１）は揮発性である、請求の範囲第１項に記載の製品（７１）の製造方法。
3. 前記第１記憶部（１１）は不揮発性である、請求の範囲第１項または第２項に記載の製品（７１）の製造方法。
4. 前記製造条件は前記第１記憶部（１１）の外部において不揮発に記憶されない、請求の範囲第１項〜第３項のいずれかに記載の製品（７１）の製造方法。
5. 前記製造条件を消去する工程の後に、前記製造条件を前記第１記憶部（１１）から前記第２記憶部（２１）へ送信することを要求する信号を発生する工程をさらに備えた、請求の範囲第１項〜第４項のいずれかに記載の製品（７１）の製造方法。
6. 前記製品（７１）を製造する工程は複数の処理部（３１ａ〜３１ｃ）の各々によって行なわれ、
   前記信号は、前記複数の処理部（３１ａ〜３１ｃ）のいずれかを特定する情報を含む、請求の範囲第５項に記載の製品（７１）の製造方法。
7. 製品（７１）を製造する製造装置（３０）と、
   前記製造装置（３０）を制御するための製造条件を保存する第１記憶部（１１）を有し、かつ前記第１記憶部（１１）に保存された前記製造条件を送信することができる保存装置（１０）と、
   前記保存装置（１０）から送信された前記製造条件を記憶する第２記憶部（２１）と、前記第２記憶部（２１）に記憶された前記製造条件に基づいて前記製造装置（３０）を制御する制御部（２３）とを有する制御装置（２０）と備え、
   前記制御部（２３）は、前記第２記憶部（２１）に記憶された前記製造条件に基づいて前記製造装置（３０）を制御した後に、前記第２記憶部（２１）から前記製造条件を消去するように構成されている、製造システム（１００）。
8. 前記保存装置は第１エリアに設置されており、前記制御装置および前記製造装置は前記第１エリアと異なる第２エリアに設置されている、請求の範囲第７項に記載の製造システム（１００）。
9. 前記第１エリアは前記第２エリアに比して情報管理の上で人の立ち入りが制限されている、請求の範囲第８項に記載の製造システム（１００）。
10. 前記第２記憶部（２１）は揮発性である、請求の範囲第７項〜第９項に記載の製造システム（１００）。
11. 前記第１記憶部（１１）は不揮発性である、請求の範囲第７項〜第１０項に記載の製造システム（１００）。
12. 前記製造条件が前記第１記憶部（１１）の外部において不揮発に記憶されないように構成されている、請求の範囲第７項〜第１１項のいずれかに記載の製造システム（１００）。
13. 前記制御部（２３）は、前記製造条件を前記第１記憶部（１１）から前記第２記憶部（２１）へ送信することを要求する信号を発生することができるように構成されている、請求の範囲第７項〜第１２項のいずれかに記載の製造システム（１００）。
14. 前記製造装置（３０Ｍ）は、各々が前記製品（７１）を製造する複数の処理部（３１ａ〜３１ｃ）を含み、
    前記信号は、前記複数の処理部（３１ａ〜３１ｃ）のいずれかを特定する情報を含む、請求の範囲第１３項に記載の製造システム（１００Ｍ）。

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