TWI353198B - Flexible film and display device comprising the sa - Google Patents

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1353198 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明請求2007年12月27日在韓國智慧財產局提出 之韓國專利申請案第10-2007-0138831號的優先權，其揭示 在此全部倂入作爲參考。 本發明提供一種撓性薄膜，而且更特別是一種包括表 面經修改以提供2-25%之霧値的介電膜、及形成於介電膜 上之金屬層的撓性薄膜，如此可促進耐熱性、尺寸安定性 、及拉伸強度之改良。 【先前技術】 隨近來平板顯示技術之改良，其已發展各種型式之平 板顯示裝置，如液晶顯示器（LCD)、電漿顯示面板（PDP)、 及有機發光二極管（OLED)。平板顯示裝置包括驅動單元與 面板、及將影像信號自驅動單元傳送至多個包括於面板中 之電極的顯示影像。 印刷電路板（PCB)可作爲平板顯示裝置之驅動單元。即 PCB可對多個包括於面板中之電極施加影像信號，如此可 使面板顯示影像。平板顯示裝置之驅動單元可使用覆晶玻 璃基板（COG)法將影像信號傳送至面板之多個電極。 【發明內容】 本發明提供一種撓性薄膜’其包括表面經修改以提供 2-25 %之霧値的介電膜、形成於介電膜上之金屬層、及形成 於金屬層上之電路圖案的撓性薄膜’如此可促進耐熱性' 尺寸安定性及拉伸強度之改良。 1353198 依照本發明之一個態樣提供一種撓性薄 電膜；及配置於介電膜上之金屬層，其中介 約2至25%。 依照本發明之一個態樣提供一種撓性薄 電膜；配置於介電膜上且包含電路圖案印刷 層：及配置於金屬層上之積體電路（1C)晶片 之霧値爲約2至25%，及1C晶片係連接電蹄 依照本發明之另一個態樣提供一種顯示 面板；驅動單元；及配置於面板與驅動單元 ，撓性薄膜包括介電膜、配置於介電膜上且 形成於其上之金屬層、及配置於金屬層上之 介電膜之霧値爲約2至2 5 %，及IC晶片係連 【實施方式】 本發明在以下參考其中顯示本發明之例 的附圖而詳述。 第1A至1F圖各描述依照本發明具體實 膜100a至100f的橫切面圖。參考第^至 膜100a至100f將捲帶自動黏結（tab)型顯示 提供之影像信號傳送至TAB型顯示裝置面板 更特別地，各撓性薄膜100a至100f可 上形成金屬層及將電路圖案印刷在金屬層上 撓性薄膜l〇〇a至l〇〇f可將顯示裝置驅動單 信號傳送至顯示裝置面板上。用於TAB型顯 薄膜的電路圖案可連接TAB型顯示裝置驅動 膜，其包括介 電膜之霧値爲 膜，其包括介 於其上之金屬 ，其中介電膜 F圖案。 裝置，其包括 間之撓性薄膜 包含電路圖案 I c晶片’其中 ;接電路圖案。 示具體實施例 施例之撓性薄 1 F圖，撓性薄 裝置驅動單元 上之電極。 藉由在介電膜 而形成。如此 元提供之影像 示裝置之撓性 I單元之電路、 1353198 或TAB型顯示裝置面板上之電極，如此可將驅動單元 之信號傳送至面板。 參考第1A圖，撓性薄膜100a包括介電膜n〇a、 成於介電膜ll〇a上之金屬層120a。參考第iB圖，撓 膜100b包括介電膜ll〇b、及各形成於介電膜110b之 面與下表面上的二金屬層120b。 介電膜ll〇a或110b爲撓性薄膜1〇〇&或10〇b之 。介電膜ll〇a或11 Ob可由介電聚合物材料形成，如 亞胺、聚酯或液晶聚合物。介電膜ll〇a或ll〇b可具有； 微米之厚度，而且特別是35-38微米之厚度。介電膜 或110b之厚度可決定介電膜110a或ll〇b提供對於金 120a或金屬層120b之合適剝除強度。爲了改良介電膜 或ll〇b對於金屬層120a或金屬層12 0b之剝除強度， 修改介電膜110a之表面115a或介電膜ll〇b之表面 〇 表面115a或表面115b可使用電漿、離子束或鹼 修改。更特別地，表面115a或表面115b可藉由將介 ll〇a或ll〇b置於具有預定壓力之室中，而且對介電膜 或110b施加20-1000瓦之電力經10-900秒而修改。 或者表面115a或表面115b可藉由對介電膜11! ll〇b照射能量爲數百KeV至數MeV之離子束而修改 對介電膜110a或110b施加離子束時，離子束碰撞表面 或表面115b»如此介電膜110a或ll〇b之溫度增加， 可能在表面115a或表面115b上產生缺陷，因而修改 施加 及形 性薄 上表 基膜. 聚醯 5-40 110a 屬層 1 10a 其可 115b 飽刻 電膜 1 10a 丨a或 。在 115a 而且 表面 1353198 115a或袠面115b。或者表面115a或表面115b可藉由使用 含氫氧離子（-0H)之溶液（例如氫氧化鉀（KOH)溶液或氫氧 化鈉（NaOH)溶液）蝕刻介電膜ll〇a或ii〇b而修改。 表1顯示由具有不同程度之霧値的介電層得到之測試 結果。 表1

霧値 剝除強度 測試電路圖案之效率 1% X 〇 2% 〇 〇 5% 〇 〇 10% 〇 〇 15% 〇 〇 20% 〇 〇 25% 〇 〇 27% 〇 X 30% 〇 X 參考表1，表面115a或表面115b可經修改使得介電 膜110a或110b可具有2-25 %之霧値。如果介電膜ll〇a或 1 l〇b之霧値低於2%，則介電膜1 10a或1 1 〇b之照明穿透率 可能增加，如此測試撓性薄膜l〇〇a或100b上電路圖案之 效率亦可能增加。另一方面，如果介電膜ll〇a或110b之 霧値高於2 5 %，則介電膜1 1 0a或1 1 Ob之剝除強度可能增 加，但是介電膜1 1 〇a或1 1 0b之照明穿透率可能降低，因 而降低測試撓性薄膜l〇〇a或100b之電路圖案的效率。 介電膜ll〇a或110b之霧値可依照 America Society 1353198 for Testing Material (ASTM) D 1 003 標準測量。更特別地， 其自介電膜ll〇a或110b取得大小爲50毫米或loo毫米之 樣品’及依照A S T M D 1 0 0 3標準測量樣品之霧値。爲了利 • 於表面H5a或表面115b之修改，及對介電膜11〇3或11〇b - 提供關於金屬層12〇a或金屬層12 0b之充分剝除強度，介 電膜110a或110b可由聚合物材料形成，如聚醯亞胺或液 晶聚合物。液晶聚合物可爲對羥基苯甲酸（HBA)與6_羥基 -2-萘甲酸（HNA)之組合。HBA爲具有一個苯環之羥基苯甲 ® 酸的異構物且爲無色固態結晶。HNA具有兩個苯環。 . HBA可由化學式（1)表示：

HNA可由化學式（2)表示： ch3 ——c ο C - ΟΗ ο …(2). HBA與HNA形成液晶聚合物之化學反應可由化學式 (3)表示： 1353198

…(3). 在液晶聚合物之形成期間，HNA之羧基（-0H)與HBA 之乙酸基（ch3cho)鍵結，因而形成乙酸（CH3COOH)。此去 乙醯化可藉由將HNA與HBA之混合物在約200°c之溫度加 熱而造成》 依照JIS C647 1標準測試液晶聚合物與聚醯亞胺之剝 除強度的結果顯示液晶聚合物具有1 .1仟牛頓/米之剝除強 度，及聚醯亞胺具有0.3-0.9仟牛頓/米之剝除強度。因此 其可藉由使用包括液晶聚合物或聚醯亞胺之聚合物形成介 電膜110a或110b，修改表面115a或表面115b及形成金屬 層120a或金屬層120b，而形成具有優良剝除強度之撓性 薄膜1〇〇a或100b » 金屬層120a或金屬層120b爲薄習知金屬層。在第1A 及1B圖之具體實施例中，金屬層120a或金屬層120b具有 單層結構。金屬層120a或金屬層120b可經層合或流延形 成。 金屬層120a或金屬層120b可經流延或層合形成。更 特別地，金屬層120a或金屬層120b可藉由對金屬膜施加 1353198 液相介電膜’及將金屬膜烤箱中於高溫乾燥且硬化，而經 流延形成。或者撓性薄膜l〇〇a或100b可藉由在介電膜ll〇a 或1 10b上塗佈黏著劑，烘烤介電膜1 l〇a或1 i〇b以將黏著 劑固定在介電膜ll〇a或110b上，將金屬層120a或金屬層 120b置於介電膜110a或ll〇b上，及對金屬層120a或金屬 層120b實行壓製處理，而經層合形成。金屬層120a或金 屬層120b可包括鎳、鉻、金、或銅。 金屬層120a或金屬層120b之厚度可依照介電膜1 10a 或ll〇b之厚度而決定。表2顯示由包括厚38微米之介電 膜的撓性薄膜得到之測試結果。 表2

金屬層之厚度：介電膜之厚度 撓形 剝除強度 1:1.4 X ◎ 1:1.5 〇 〇 1:2 〇 〇 1:4 〇 〇 1:6 〇 〇 1:8 〇 〇 1:10 〇 〇 1:11 〇 X 1:12 ◎ X 1:13 ◎ X

參考表2，如果金屬層120a之厚度小於介電膜ll〇a 之厚度的十分之一，則金屬層120a之剝除強度可能降低’ 如此金屬層120a可容易地自介電膜ll〇a脫離’或者金屬 層120a之尺寸安定性可能退化。另一方面’如果金屬層 -11- 1353198 藉由將介電膜ll〇e或110f浸於硫酸銅溶液中，及對硫酸 銅溶液加入甲醛（HC Η 0)作爲還原劑以自硫酸銅溶液萃取 銅離子成爲銅而形成。或者第一金屬層12 Oe或第一金屬層 120f可藉由將介電膜110e或110f浸於硫酸鎳溶液中，及 對硫酸鎳溶液加入次亞磷酸鈉（NaH2P02)作爲還原劑以自 硫酸鎳溶液萃取鎳離子成爲鎳而形成。 第二金屬層13〇e或第二金屬層130f可經濺鍍形成。 如果第一金屬層120e或第一金屬層120f係由鎳與鉻之合 金形成，則第二金屬層13〇e或第二金屬層130f可由具有 低電阻之金屬（如銅）形成，因而改良形成第三金屬層14〇e 或第三金屬層l4〇f之電鍍效率。 第三金屬層140e或第三金屬層140f可經電鍍形成， 而且可包括金或銅。更特別地，第三金屬層丨4 Oe或第三金 屬層14 Of可經電鍍形成，其涉及對含金屬離子之電鍍溶液 施加電流，如此萃取金屬離子成爲金屬。 第一金屬層120e、第二金屬層130e與第三金屬層140e 之厚度和對介電膜ll〇e之厚度的比例可爲1:3至1:10。第 —金屬層12 0e、第二金屬層130e與第三金屬層l4〇e之厚 度和對介電膜ll〇e之厚度的比例可依照撓性薄膜l〇〇e之 性質及剝除強度而決定。一旦形成第三金屬層1 40e ’則電 路圖案可藉由蝕刻第一金屬層120e、第二金屬層130e與第 三金屬層14 Oe而形成’及可在電路圖案上形成黏著層。 例如第一金屬層120e可形成7-40奈米之厚度’及第 二金屬層130e可形成80-30G奈米之厚度。第一金屬層120e 1353198 、第二金屬層130e與第三金屬層140e之厚度和可爲4-13 微米，以使第三金屬層140e具有充分之剝除強度及對撓性 薄膜10 〇e提供充分之撓性。其亦直接適用於雙面撓性薄膜 〇 爲了改良第一金屬層120e、第二金屬層130e與第三 金屬層140e關於介電膜110e之剝除強度、或第一金屬層 120f、第二金屬層130f與第三金屬層140f關於介電膜ll〇f 之剝除強度，介電膜ll〇e之表面或介電膜110f之表面可 使用電漿、離子束或鹼蝕刻修改，以提供2-2 5 %之霧値。 如果介電膜1 1 〇e或1 1 Of之霧値低於2%，則介電膜 1 1 0e或1 1 Of之照明穿透率可能增加，如此測試撓性薄膜 100e或100f上電路圖案之效率亦可能增加。然而表面115e 護或表面11 5f上之缺陷數量可能增加，及介電膜11 0e或 ll〇f之剝除強度可能降低。另一方面，如果介電膜ll〇e 或1 l〇f之霧値高於25%，則介電膜1 l〇e或1 l〇f之剝除強 度可能增加，但是介電膜1 1 〇e或1 1 Of之照明穿透率可能 降低，因而降低測試撓性薄膜l〇〇e或100f之電路圖案的 效率。 第2A與2B圖描述包括依照本發明之一個具體實施例 的撓性薄膜210之膜捲包裝（TCP) 200的圖表。參考第2A 圖，TCP 200包括撓性薄膜210、形成於撓性薄膜210上之 電路圖案220、及配置於撓性薄膜210上且連接電路圖案 220之積體電路（1C)晶片23 0。 撓性薄膜210包括介電膜及形成於介電膜上之金屬層 -16- 1353198 。介電膜爲撓性薄膜210之基膜且可包括介電聚合物材料 ，如聚醯亞胺、聚酯或液晶聚合物。在將撓性薄膜210連 接顯示裝置之驅動單元或面板時，爲了提供充分之撓性， 介電膜必須具有關於金屬層之優良剝除強度。 爲了改良介電膜關於金屬層之剝除強度，其可在介電 膜上形成金屬層之前修改介電膜之表面，因而在介電膜之 表面上產生缺陷。介電膜之表面可經修改成介電膜具有 2-25%之霧値的程度。介電膜之霧値可依照 AS TM D 100 3 標準測量。 如果介電膜之霧値低於2%，則介電膜對於金屬層之剝 除強度可能退化。另一方面，如果介電膜之霧値高於2 5 % ，則介電膜之照明穿透率可能降低，如此測試電路圖案2 2 0 之效率可能降低。因此介電膜之表面可經修改使得介電膜 可具有2-25%之霧値。 依照JIS C647 1標準測試聚醯亞胺與液晶聚合物之剝 除強度的結果顯示聚醯亞胺對於金屬層具有0.3-0.9仟牛 頓/米之剝除強度’及液晶聚合物對於金屬層具有1」仟牛 頓/米之剝除強度。因此介電膜可由液晶聚合物形成。 金屬層可包括形成於介電膜上之第一金屬層、及形成 於第一金屬層上之第二金屬層。第一金屬層可經無電電鍍 或濺鍍形成，及第二金屬層可經電鍍形成。 第一金屬層可包括鎳、鉻、金、或銅。更特別地，爲 了改良用於形成第二金屬層之電鍍效率，第一金屬層可由 高導電性金屬形成’如鎳或銅。例如第一金屬層可經濺鍍 1353198 介電膜212之表面可經修改，以使介電膜212具有對於金 屬層214之充分剝除強度及改良測試電路圖案22 0之效率 。更特別地，介電膜212可由聚醯亞胺或液晶聚合物形成 ，及介電膜212之表面可經修改以提供2-2 5 %之霧値。 金屬層214爲由如鎳、鉻、金、或銅之導電性金屬形 成之薄層。金屬層214可具有包括第一與第二金屬層之雙 層結構。第一金屬層可經無電電鍍由鎳、金、鉻、或銅形 成，及第二金屬層可經電鍍由金或銅形成。爲了改良用於 形成第二金屬層之電鍍效率，第一金屬層可由鎳或銅形成 〇 1C晶片23 0係配置於撓性薄膜210上且連接電路圖案 220,其係藉由蝕刻金屬層214而形成。撓性薄膜210包括 形成於配置1C晶片23 0之區域中的裝置孔250 »在形成裝 置孔250後，其在連接1C晶片230之電路圖案220上形成 跨線，及將1C晶片230上之金凸點240連接跨線，因而完 成TCP 200之形成。跨線可鍍錫。藉由施加熱或超音波， 其在鍍錫跨線與金凸點240之間可產生金-錫鍵結。 第3A及3B圖描述包括依照本發明之一個具體實施例 的撓性薄膜310之薄膜覆晶（COF) 300的圖表。參考第3A 圖，COF 300包括撓性薄膜310、形成於撓性薄膜310上之 電路圖案3 20、及附著於撓性薄膜310上且連接電路圖案 3 2 0之1C晶片3 3 0。 撓性薄膜310可包括介電膜及配置於介電膜上之金屬 層。介電膜爲撓性薄膜310之基膜且可包括介電聚合物材 -19- 1353198 引線，而且可在COF 300上形成節距爲約30微米之 如此COF 300適合用於具有高解析度之顯示裝置。 第4圖描述依照本發明之一個具體實施例的顯 之圖表。 參考第4圖，依照本發明之一個具體實施例的 置400可包括顯示影像之面板410、對面板410施 信號之驅動單元420與430、多個將面板410連接 元420與43G之撓性薄膜440、及用於將撓性薄膜 著至面板410及驅動單元420與430之導電膜450 裝置400爲平板顯示器（FPD)，如液晶顯示器（LCD) 顯示面板（PDP)、或有機發光二極管（0LED)。 面板410包括多個用於顯示影像之像素。多個 在面板410上排列且可連接驅動單元420與430。 配置在電極間之交叉部分。更特別地，電極包括複 —電極410a、與複數個與第一電極410a交叉之第 41 Ob。第一電極410a可按列方向形成，及第二電卷 可按行方向形成。 驅動單元420與430可包括掃描驅動器420與 動器430。掃描驅動器420可連接第一電極410a， 驅動器430可連接第二電極410b。 掃描驅動器420對各第一電極410a施加掃描信 此使資料驅動器430將資料信號傳送至各第二電極 在掃描驅動器420對各第一電極410a施加掃描信號 可將資料信號施加至第一電極410a，而且可依照資 引線。 示裝置 顯示裝 加影像 驅動單 44 0附 。顯不 、電漿 電極可 像素係 數個第 二電極 I 4 10b 資料驅 及資料 •ί號，如 4 1 Ob 〇 :時，其 料驅動 -23 - 1353198 器430傳送之資料信號在面板410上顯示影像。掃描驅動 器420與資料驅動器430傳送之信號可經撓性薄膜440施 加至面板400。 撓性薄膜44 0可具有電路圖案印刷於其上。各撓性薄 膜44 0可包括介電膜、形成於介電膜上之金屬層、及連接 印刷在金屬層上之電路圖案的1C。驅動單元420與43 0施 加之影像信號可經各撓性薄膜440之電路圖案與1C傳送至 面板410上之第一電極410a與第二電極410b。撓性薄膜 440可藉導電膜450連接面板410及驅動單元420與430 導電膜450爲黏著性薄膜。導電膜450可配置於面板 410與撓性薄膜440之間、驅動單元420及430與撓性薄 膜440之間。導電膜450可爲各向異性導電膜（ACF)。 第5圖爲沿第4圖中顯示裝置400之線A-A’而取之橫 切面圖。 參考第5圖，顯示裝置5 0.0包含顯示影像之面板510 、對面板510施加影像信號之資料驅動器530、連接資料 驅動器5 3 0與面板510之撓性薄膜5 40、及將撓性薄膜540 電連接資料驅動器530與面板510之導電膜550。 依照本發明之具體實施例，顯示裝置500可進一步包 含密封撓性薄膜540接觸導電膜55〇之部分的樹脂560。 樹脂560可包含絕緣材料且用於防止可引入撓性薄膜54〇 接觸導電膜550之部分中的雜質，如此防止撓性薄膜540 連接面板510與資料驅動器530之信號線受損，及延長壽 -24 - 1353198 命期限。 雖然未顯示，面板510可包含複數個按水平方 之掃描電極、及多個配置成跨越掃描電極之資料電 了接收自資料驅動器530施加之影像信號，如此顯 影像，按方向A-A’配置之資料電極係經導電膜550 性薄膜540，如第5圖所示。 資料驅動器5 3 0包括形成於基板5 3 0a上之顆 5 3 0b、及用於保護驅動IC 5 3 0b之保護樹脂5 3 0c。 脂53〇C可由具絕緣性質之材料製成，而且保護形成 530a與驅動IC 530b上之電路圖案（未示）對抗可 部引入之雜質。驅動IC 530b依照自顯示裝置500 器（未示）傳送之控制信號，經撓性薄膜5 40對面 施加影像信號。 配置於面板510與資料驅動器530間之撓性薄 包括聚醯亞胺膜5 4 0a、配置於聚醯亞胺膜540a上之 540b、連接印刷在金屬膜540b上之電路圖案的1C 及密封電路圖案與IC 54〇c之樹脂保護層540d。 第6圖描述依照本發明之一個具體實施例的顯 之圖表。 在撓性薄膜640經導電膜650附著面板610及 元620與630時，其可將附著導電膜65〇之撓性薄 以樹脂660密封。參考第6圖，因爲撓性薄膜640 電膜650之部分可以樹脂660密封，其可阻擋可能 引入之雜質。 向配置 極。爲 示對應 連接撓 I動1C 保護樹 於基板 能自外 之控制 板5 1 0 膜540 金屬膜 540c、 示裝置 驅動單 膜640 附著導 自外部 -25- 1353198 雖然本發明已特別地參考其例示具體實施例而顯示及 敘述，熟悉此技藝者應了解，其可進行形式及細節之各種 變化而不背離如以下申請專利範圍所界定之本發明之精神 及範圍。 【圖式簡單說明】 本發明之以上及其他特點及優點藉由參考附圖詳述其 較佳具體實施例而更顯而易知，其中： 第1A至1F圖描述依照本發明具體實施例之撓性薄膜 的橫切面圖； 第2A及2B圖描述包含依照本發明之一個具體實施例 的撓性薄膜之膜捲包裝（TCP)的圖表； 第3A及3B圖描述包含依照本發明之一個具體實施例 的撓性薄膜之薄膜覆晶（COF)的圖表； 第4圖描述依照本發明之一個具體實施例的顯示裝置 之圖表； 第5圖描述第4圖中顯示裝置400之橫切面圖；及 第6圖描述依照本發明之一個具體實施例的顯示裝置 之圖表。 【主要元件符號說明】 100a 撓性薄膜 100b 撓性薄膜 ^ 100c 撓性薄膜 100d 撓性薄膜 100e 撓性薄膜 -26 - 1353198

lOOf 撓 性 薄 膜 1 10a 介 電 膜 1 10b 介 電 膜 1 10c 介 電 膜 1 lOd 介 電 膜 1 1 Oe 介 電 膜 1 lOf 介 電 膜 115a 介 電 膜 之 表 面 1 15b 介 電 膜 之 表 面 115c 介 電 膜 之 表 面 1 15d 介 電 膜 之 表 面 1 1 5e 介 電 膜 之 表 面 1 1 5f 介 電 膜 之 表 面 120a 金 屬 層 120b 金 屬 層 120c 第 一 金 屬 層 1 20d 第 一 金 屬 層 1 20e 第 一 金 屬 層 1 20f 第 一 金 屬 層 130c 第 二 金 屬 層 1 30d 第 二 金 屬 層 1 30e 第 二 金 屬 層 1 30f 第 二 金 屬 層 140e 第 — 金 屬 層 -27 135.3198

140f 第 — 金 屬 層 200 膜 捲 包 裝 2 10 撓 性 薄 膜 2 12 介 電 膜 214 金 屬 層 220 電 路 圖 案 220a 內 引 線 220b 外 引 線 230 積 體 電 路 晶 片 240 金 凸 點 250 裝 置 孔 300 薄 膜 覆 晶 3 10 撓 性 薄 膜 3 1 2 介 電 膜 3 14 金 屬 層 320 電 路 圖 案 3 20a 內 引 線 3 20b 外 引 線 330 積 體 電 路 晶 片 340 金 凸 點 400 顯 示 裝 置 4 10 面 板 4 10a 第 — 電 極 4 1 Ob 第 二 電 極 -28 1353198 420 掃描驅動器 430 資料驅動器 4 30a 基板 430b 驅動1C 430c 電路 440 撓性薄膜 4 40a 介電膜 440b 電路圖案 440c 積體電路 440d 保護樹脂 4 4 0 e 金凸點 440g 黏結層 450 導電膜 4 5 0a 導電球 500 顯示裝置 5 10 面板 530 資料驅動器 5 30a 基板 5 3 0b 驅動IC 5 30c 保護樹脂 540 撓性薄膜 5 40a 聚醯亞胺膜 540b 金屬膜 540c 積體電路 1353198

540d 樹 脂 保 護層 550 導 電 膜 560 樹 脂 610 面 板 620 驅 動 單 元 630 驅 動 單 元 640 撓 性 薄 膜 650 導 電 膜 660 樹 脂

Claims (1)

1. ' /收年；月汐曰tct)正替換頁；一多 __ ___——1 修正本 第0 97119359號r撓性薄膜及包含它之顯示裝置』專利案 (201 1年7月25日修正） 十、申請專利範圍： 1. 一種撓性薄膜，其包含： 包含經修改表面的介電膜；及 配置於介電膜上經修改表面之金屬層， 其中金屬層之厚度對介電膜之厚度的比例爲約 1:1.5 至 i:i〇， 其中包含經修改表面的介電膜之霧値爲約2至25% ’且其中該金屬層包含配置在介電膜經修改表面上的無 電電鍍第一金屬層’以及配置在第一金屬層上的電鍍第 二金屬層。 2. 如申請專利範圍第〗項之撓性薄膜，其中介電膜包含聚 醯亞胺、聚酯與液晶聚合物至少之一。 3 ·如申請專利範圍第】項之撓性薄膜，其中金屬層包含鎳 、鉻、金、與銅至少之一。 4.一種撓性薄膜，其包含： 包含經修改表面的介電膜； 配置於介電膜經修改表面上且包含電路圖案印刷 於其上之金屬層；及 配置於金屬層上之積體電路（IC)晶片， 其中金廳層之厚度對介電膜之厚度的比例爲約 1 : 1 · 5 至 1 : 1 0， 其中包含經修改表面的介電膜之霧値爲約2至2 5 % 1353198 • 修正本 ，及1C晶片係連接電路圖案，且其中該金屬層包含配 置在介電膜經修改表面上的無電電鍍第一金屬層，以及 配置在第一金屬層上的電鏟第二金屬層。 5·如申請專利範圍第4項之撓性薄膜，其中介電膜包含聚 醯亞胺、聚酯與液晶聚合物至少之一》 6.如申請專利範圍第4項之撓性薄膜，其進一步包含形成 於配置1C晶片之區域中的裝置孔。 7·如申請專利範圍第4項之撓性薄膜，其進一步包含1C 晶片經其連接電路圖案之金凸點。 8 ·如申請專利範圍第4項之撓性薄膜，其中金屬層包含鎳 、鉻、金、與銅至少之—。 9. 一種顯示裝置，其包含： 面板； 驅動單元；及 配置於面板與驅動單元間之撓性薄膜，撓性薄膜包 含介電膜、配置於介電膜經修改表面上且包含含有經修 改表面的電路圖案形成於其上之金屬層、及配置於金屬 層上之1C晶片， 其中金屬層之厚度對介電膜之厚度的比例爲約 I:1.5至1:10’其中介電膜之霧値爲約2至25%，及1C 曰曰片係連接電路圖案，且其中該金屬層包含配置在介電 膜經修改表面上的無電電鍍第一金屬層，以及配置在第 一金屬層上的電鍍第二金屬層。 1 0 ·如申請專利範圍第9項之顯示裝置，其中面板包含： 1353198 修正本 第一電極；及 與第一電極交叉之第二電極， 其中第一與第二電極連接電路圖案。 11. 如申請專利範圍第9項之顯示裝置，其進一步包含將面 板與驅動單元至少之一連接撓性薄膜之導電膜。 12. 如申請專利範圍第11項之顯示裝置，其中導電膜爲各 向異性導電膜（ACF)。 13. 如申請專利範圍第11項之顯示裝置，其進一步包含密 封撓性薄膜接觸導電膜之部分的樹脂。