TWI391041B - 撓性薄膜及包含它之顯示裝置 - Google Patents

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Description

撓性薄膜及包含它之顯示裝置
本發明請求2007年12月27日在韓國智慧財產局提出之韓國專利申請案第10-2007-0138825號的優先權，其揭示在此全部併入作為參考。
本發明提供一種撓性薄膜，而且更特別是一種包括吸水性為0.01-3.5%之介電膜、及配置於介電膜上之金屬層的撓性薄膜，如此可改良介電膜與金屬層間之剝除強度，及可應用於高掃描率顯示裝置。
隨近來平板顯示技術之改良，其已發展各種型式之平板顯示裝置，如液晶顯示器(LCD)、電漿顯示面板(PDP)、及有機發光二極管(OLED)。平板顯示裝置包括驅動單元與面板、及將影像信號自驅動單元傳送至多個包括於面板中之電極的顯示影像。
印刷電路板(PCB)可作為平板顯示裝置之驅動單元。即PCB可對多個包括於面板中之電極施加影像信號，如此可使面板顯示影像。平板顯示裝置之驅動單元可使用覆晶玻璃基板(COG)法將影像信號傳送至面板之多個電極。
COG法特徵為將積體電路(IC)直接安裝在面板之玻璃基板上，如此可促成平板顯示裝置之製造成本降低。然而COG法需要大到足以將IC安裝在其上之玻璃基板。
本發明提供一種撓性薄膜，其包括吸水性為0.01-3.5% 之介電膜，如此可具有優良之耐熱性、拉伸強度及尺寸安定性。
依照本發明之一個態樣提供一種撓性薄膜，其包括介電膜；及配置於介電膜上之金屬層，其中介電膜之吸水性為約0.01-3.5%。
依照本發明之一個態樣提供一種撓性薄膜，其包括介電膜；配置於介電膜上且包含電路圖案印刷於其上之金屬層；及配置於金屬層上之積體電路(IC)晶片，其中介電膜之吸水性為約0.01-3.5%，及IC晶片係連接電路圖案。
依照本發明之另一個態樣提供一種顯示裝置，其包括面板；驅動單元；及配置於面板與驅動單元間之撓性薄膜，其中撓性薄膜包括介電膜、配置於介電膜上且包含電路圖案印刷於其上之金屬層、及配置於金屬層上之IC晶片，而且介電膜之吸水性為約0.01-3.5%。
本發明在以下參考其中顯示本發明之例示具體實施例的附圖而詳述。
第1A至1F圖各描述依照本發明具體實施例之撓性薄膜100a至100f的橫切面圖。參考第1A至1F圖，撓性薄膜100a至100f將捲帶自動黏結(TAB)型顯示裝置之驅動單元提供之影像信號傳送至TAB型顯示裝置面板上之電極。
參考第1A圖，具有雙層結構且為單面之撓性薄膜100a包括介電膜110a、配置於介電膜110a上之第一金屬層120a、及配置於第一金屬層120a上之第二金屬層130a。參考第 1B圖，具有雙層結構且為雙面之撓性薄膜100b包括介電膜110b、分別配置於介電膜110b之上表面與下表面上的二第一金屬層120b、及配置於各第一金屬層120b上之二第二金屬層130b。
介電膜110a或110b，其為撓性薄膜100a或100b之基膜，可包括介電聚合物材料，如聚醯亞胺、聚酯或液晶聚合物。介電膜110a或110b大為影響撓性薄膜100a或100b之物理性質，如拉伸強度、體積電阻及熱收縮。因此為了改良撓性薄膜100a或100b之物理性質，介電膜110a或110b可由具有優良安定性之聚合物材料形成。
含於介電膜110a或110b之水量可影響撓性薄膜100a或100b之滲透率。因此如果介電膜110a或110b具有高吸水性，則介電膜110a或110b之滲透率可依濕度增加。
介電膜110或110b之滲透率增加可負面地影響具有高掃描率之影像信號的傳送。為了實現高解析度(HD)播放，其必須將具有高掃描率之影像信號自顯示裝置之驅動單元傳送至顯示裝置之面板。為了傳送具有高掃描率之影像信號，撓性薄膜100a或100b之材料須可快速地極化。因此撓性薄膜100a或100b之吸水性必需限於特定程度之下。
介電膜110a或110b之吸水性可依照IPC TM-650 2.6.2標準測量。更具體而言，依照IPC TM-650 2.6.2標準，介電膜110a或110b可在23±1℃之溫度暴露於水分經24小時，因而測量介電膜110a或110b之吸水性。介電膜110a或110b之吸水性可由方程式(1)表示： 其中W 1 表示尚未吸收水分之介電膜110a或110b的重量，及W 2 表示已吸收水分之介電膜110a或110b的重量。考量撓性薄膜100a或100b之滲透率，介電膜110a或110b可由吸水性為0.01-3.5%之聚合物材料形成。
介電膜110a或110b可由聚合物材料形成，如聚醯亞胺或液晶聚合物，以具有0.01-3.5%之吸水性。介電膜110a或110b可由聚醯亞胺(其在IPC TM-650 2.6.2條件下具有約3%之吸水性)或液晶聚合物(其在IPC TM-650 2.6.2條件下具有約0.04%之吸水性)來形成。
可用於形成介電膜110a或110b之液晶聚合物可為對羥基苯甲酸(HBA)與6-羥基-2-萘甲酸(HNA)之組合。HBA為具有一個苯環之羥基苯甲酸的異構物且為無色固態結晶。HNA具有兩個苯環。
HBA可由式(1)表示：
HNA可由式(2)表示：
HBA與HNA形成液晶聚合物之化學反應可由式(3)表示：
在液晶聚合物之形成期間，HNA之羧基(-OH)與HBA之乙酸基(CH3 CO)鍵結，因而形成乙酸(CH3 COOH)。此去乙醯化可藉由將HNA與HBA之混合物在約200℃之溫度加熱而造成。
藉HBA與HNA之連續鍵結而得之液晶聚合物具有優良之熱安定性及優良之吸濕性質。更具體而言，介電膜110a或110b可由在IPC TM-650 2.6.2條件下具有約0.04%之吸水性的液晶聚合物形成。在介電膜110a或110b係由液晶聚合物形成時，撓性薄膜100a或100b可有效率地傳送具有高掃描率之信號，因為介電膜110a或110b具有低吸水性。
第一金屬層120a與第二金屬層130a或第一金屬層120b與第二金屬層130b為配置於介電膜110a或110b上之薄導電性金屬膜。第一金屬層120a與第二金屬層130a或第一金屬層120b與第二金屬層130b可經濺鍍、無電電 鍍(electroless plating)或電鍍形成。例如第一金屬層120a或第一金屬層120b可經濺鍍或無電電鍍形成，及第二金屬層130a或第二金屬層130b可經電鍍形成。
以下表1顯示在介電層厚38微米時，金屬層之厚度對介電層之厚度的比例與撓性薄膜之性質間之關係。
參考表1，其可實行無電電鍍或電鍍使得第一金屬層120a與第二金屬層130a之厚度和對介電膜110a之厚度的比例可在1：1.5至1：10之範圍內。如果第一金屬層120a與第二金屬層130a之厚度總和小於介電膜110a之厚度的十分之一，則第一金屬層120a與第二金屬層130a之剝除強度可能降低，因此第一金屬層120a與第二金屬層130a可 容易地自介電膜110a脫離，或者第一金屬層120a與第二金屬層130a上電路圖案之尺寸安定性可能退化。
另一方面，如果第一金屬層120a與第二金屬層130a之厚度和大於介電膜110a之厚度的三分之二，則撓性薄膜100a之撓性可能退化，或者實行電鍍花費之時間可能增加，因而增加第一與第二金屬層120a與130a被電鍍液損壞之可能性。
第一金屬層120a可形成100奈米之厚度，及第二金屬層130a可形成9微米之厚度。如果第一金屬層120a太薄，則在電路圖案與黏著層之形成期間可能發生第一金屬層120a與黏著層間之取代反應。因此第一金屬層120a形成超過特定厚度。其直接適用於雙面撓性薄膜。
第一金屬層120a或第一金屬層120b為形成於介電膜110a或110b上之子層。第一金屬層120a或第一金屬層120b可包括鎳、鉻、金、或銅。更具體而言，第一金屬層120a或第一金屬層120b可經電鍍由鎳與鉻之合金形成。或者第一金屬層120a或第一金屬層120b可經無電電鍍由金或銅形成。
更具體而言，第一金屬層120a或第一金屬層120b可藉由將介電膜110a或110b浸於含金屬離子之無電電鍍液中，及對無電電鍍液加入還原劑以萃取金屬離子成為金屬，而經無電電鍍形成。第一金屬層120a或第一金屬層120b之厚度可依照將介電膜110a或110b浸於無電電鍍液之時間量而決定。
第一金屬層120a或第一金屬層120b之厚度可依照用於形成第一金屬層120a或第一金屬層120b之方法的型式而改變。例如在使用濺鍍之情形，第一金屬層可形成約30奈米之厚度。另一方面，在使用無電電鍍之情形，第一金屬層可形成約0.1微米之厚度。
第二金屬層可藉由將其上形成第一金屬層120a或第一金屬層120b之介電膜110a或110b浸於含例如硫酸銅之電鍍液中，及對電鍍液施加電流而經電鍍形成。第二金屬層之厚度可依照電流之強度及電流施加時間而決定。第二金屬層可形成4-13微米之厚度。
電路圖案可藉由蝕刻金屬層而形成。為了保護電路圖案，其可在撓性薄膜100a或100b上形成保護膜。保護膜可包括可保護電路圖案之介電膜。例如保護膜可包括聚對酞酸伸乙酯(PET)。
黏著層可用於將保護膜附著於撓性薄膜100a或100b上。黏著層可包括環氧基且可形成2-10微米之厚度。如果黏著層具有小於2微米之厚度，則在撓性薄膜100a或100b之運輸或儲存期間，保護膜可能容易自撓性薄膜100a或100b脫離。如果黏著層具有超過10微米之厚度，則撓性薄膜100a或100b之製造成本及製造撓性薄膜100a或100b花費之時間可能增加，而且可能非常難以去除保護膜。
第1C與1D圖分別描述撓性薄膜100c與100d之橫切面圖。參考第1C圖，撓性薄膜100c具有三層結構且為單面。參考第1D圖，撓性薄膜100d亦具有三層結構且為雙 面。
撓性薄膜100c包括介電膜110c、配置於介電膜110c上之第一金屬層120c、配置於第一金屬層120c上之第二金屬層130c、及配置於第二金屬層130c上之第三金屬層140c。撓性薄膜100d包括介電膜110d、分別配置於介電膜110d之上表面與下表面上的二第一金屬層120d、配置於各第一金屬層120d上之二第二金屬層130d、及配置於各第二金屬層130d上之二第三金屬層140d。第一金屬層120c、第一金屬層120d、第二金屬層130c、與第二金屬層130d可經濺鍍形成，而且第三金屬層140c與第三金屬層140d可經電鍍形成。
更具體而言，第一金屬層120c或第一金屬層120d可經濺鍍形成。第一金屬層120c或第一金屬層120d可由鎳與鉻之合金，而且特別是含量比例為97:3之鎳與鉻之合金、或含量比例為93:7之鎳與鉻之合金形成。第一金屬層可形成7-20奈米之厚度。
如果第一金屬層120c或第一金屬層120d係由鎳與鉻之合金形成，則形成第三金屬層140c或第三金屬層140d之電鍍效率可能由於鎳與鉻之合金的高電阻而降低。因此第二金屬層130c或第二金屬層130d可由具有低電阻之銅形成，因而增加形成第三金屬層140c或第三金屬層140d之電鍍效率。
如果第一金屬層120c或第一金屬層120d係由鎳與鉻之合金形成，則為了降低第一金屬層120c或第一金屬層 120d之電阻，第二金屬層130c或第二金屬層130d可在第一金屬層120c或第一金屬層120d上使用濺鍍由高導電性金屬形成。第二金屬層130c或第二金屬層130d可由銅形成。第一金屬層120c與第二金屬層130c之厚度總和可為約100奈米。其直接適用於雙面撓性薄膜。
第三金屬層140c或第三金屬層140d可包括高導電性金屬，如金或銅。第三金屬層140c或第三金屬層140d可經電鍍形成。一旦形成第三金屬層140c或第三金屬層140d，則在金屬層上形成用於藉顯示裝置之驅動單元將電信號傳送至顯示裝置之面板上的電極之電路圖案。更具體而言，電路圖案可藉由蝕刻第一金屬層120c、第二金屬層130c與第三金屬層140c、或第一金屬層120d、第二金屬層130d與第三金屬層140d而形成。
第1E與1F圖分別描述撓性薄膜100e與撓性薄膜100f之橫切面圖。參考第1E圖，撓性薄膜100e具有單層結構且為單面。參考第1F圖，撓性薄膜100f亦具有單層結構且為雙面。
撓性薄膜100e包括介電膜110e與配置於介電膜110e上之金屬層120e。撓性薄膜100f包括介電膜110f、及各配置於介電膜110f之上表面與下表面上的二金屬層120f。金屬層120e與金屬層120f可經流延或層合形成。為了有效地傳送電信號，金屬層120e或金屬層120f可由高導電性金屬(如銅)形成。
金屬層120e與金屬層120f可經層合形成。更具體而 言，其可將黏著劑塗布於介電膜110e或110f上，而且可將介電膜110e或110f在烤箱中烘烤使得黏著劑可固定在介電膜110e或110f上。然後將金屬層120e或金屬層120f配置在介電膜110e或110f上，及可對金屬層120e或金屬層120f實行壓製處理，因而形成撓性薄膜100e或100f。
或者金屬層120e與金屬層120f可經流延來形成。更具體而言，其可塗布介電膜110e或110f之液相先質，然後可在烤箱中以高溫乾燥及硬化，因而形成撓性薄膜100e或100f。
一旦經流延或經層合形成金屬層120e與金屬層120f，則在金屬層120e與金屬層120f上形成用於藉顯示裝置之驅動單元將電信號傳送至顯示裝置之面板上的電極之電路圖案。更具體而言，電路圖案可藉由蝕刻金屬層120e或金屬層120f而形成。
第2A與2B圖描述包括依照本發明之一個具體實施例的撓性薄膜210之膜捲包裝(TCP)200的圖表。參考第2A圖，TCP 200包括撓性薄膜210、形成於撓性薄膜210上之電路圖案220、及積體電路(IC)晶片230。
撓性薄膜210可包括介電膜、及形成於介電膜上之金屬層。
金屬層可包括形成於介電膜上之第一金屬層、及形成於第一金屬層上之第二金屬層。第一金屬層可經無電電鍍形成，及第二金屬層可經電鍍形成。
第一金屬層包括鎳、鉻、金、或銅。更具體而言，為 了改良用於形成第二金屬層之電鍍效率，第一金屬層可由高導電性金屬形成，如鎳或銅。
或者第一金屬層可藉由將介電膜浸於硫酸銅為主無電電鍍液中，及使用還原劑自硫酸銅為主無電電鍍液萃取銅離子成為銅而經無電電鍍形成。其可使用甲醛(HCHO)系列材料作為還原劑。
第二金屬層可藉由對硫酸銅為主電鍍液施加電流以萃取銅離子成為銅而形成。第二金屬層之厚度可依照電流施加量而決定。一旦形成第二金屬層，則藉由蝕刻第一與第二金屬層而形成電路圖案220。
電路圖案220包括連接IC晶片230之內引線220a、及連接顯示裝置之驅動單元或面板的外引線220b。電路圖案220之節距可依包含TCP 200之顯示裝置的解析度而改變。內引線220a可具有約30微米之節距，及外引線220b可具有約60微米之節距。
第2B圖描述沿第2A圖之線2-2’而取之橫切面圖。參考第2B圖，TCP 200包括撓性薄膜210、IC晶片230、及連接撓性薄膜210與IC晶片230之金凸塊(gold bump)240。
撓性薄膜210可包括介電膜212、及形成於介電膜212上之金屬層214。介電膜212為撓性薄膜210之基膜且可包括介電聚合物材料，如聚醯亞胺、聚酯或液晶聚合物。為了增強撓性薄膜210之撓性與耐熱性、及電路圖案220之尺寸安定性，而且提供關於金屬層214之充分剝除強度 ，介電膜212可形成15-40微米，而且特別是35-38微米之厚度。
金屬層214為由如鎳、鉻、金、或銅之導電性金屬形成之薄層。金屬層214可具有包括第一與第二金屬層之雙層結構。第一金屬層可經無電電鍍由鎳、金、鉻、或銅形成，及第二金屬層可經電鍍由金或銅形成。為了改良用於形成第二金屬層之電鍍效率，第一金屬層可由鎳或銅形成。
金屬層214可形成使得金屬層214之厚度對介電膜212之厚度的比例可為1：1.5-1：10之厚度。如果金屬層214之厚度小於介電膜212之厚度的十分之一，則電路圖案220之尺寸安定性及金屬層214之剝除強度可能降低。另一方面，如果金屬層214之厚度大於介電膜212之厚度的三分之二，則實行用於形成介電膜212之電鍍花費之時間可能增加，因而增加撓性薄膜210被電鍍液損壞之可能性。
IC晶片230係配置於撓性薄膜210上且連接電路圖案220，其係藉由蝕刻金屬層214而形成。撓性薄膜210包括形成於配置IC晶片230之區域中的裝置孔250。在形成裝置孔250後，其在連接IC晶片230之電路圖案220上形成跨線(flying lead)，及將IC晶片230上之金凸塊240連接跨線，因而完成TCP 200之形成。跨線可鍍錫。藉由施加熱或超音波，其在鍍錫跨線與金凸塊240之間可產生金-錫黏結。
第3A及3B圖描述包括依照本發明之一個具體實施例 的撓性薄膜310之薄膜覆晶(COF)300的圖表。參考第3A圖，COF 300包括撓性薄膜310、形成於撓性薄膜310上之電路圖案320、及附著於撓性薄膜310上且連接電路圖案320之IC晶片330。
撓性薄膜310可包括介電膜及配置於介電膜上之金屬層。介電膜，其為撓性薄膜310之基膜，可由介電聚合物材料形成，如聚醯亞胺、聚酯或液晶聚合物。介電膜可大為影響撓性薄膜310之物理性質，而且如此可包括具有高耐熱性、高熱膨脹係數、高尺寸安定性、與低吸水性之介電聚合物材料。
介電膜之吸水性在IPC TM-650 2.6.2之條件下可為0.01-3.5%。
參考表2，如果介電膜具有超過3.5%之吸水性，則撓性薄膜310之滲透率可能由於介電膜吸收水分而增加，撓性薄膜310之阻抗(如寄生電容)亦可能增加。因此COF 300無法有效率地傳送具有高掃描率之信號。另一方面，如果介電膜具有低於0.01%之吸水性，則靠近COF 300之水分可能滲入電路圖案320或IC晶片330中，因而負面地影響COF 300之操作。
金屬層可經濺鍍、無電電鍍或電鍍形成於介電膜上。電路圖案320可藉由蝕刻金屬層而形成。電路圖案320包括連接IC晶片330之內引線320a、及連接顯示裝置之驅動單元或面板的外引線320b。外引線320b可藉各向異性導電膜(ACF)連接顯示裝置之驅動單元或面板。
更具體而言，外引線320b可經外引線黏結(OLB)墊連接顯示裝置之驅動單元或面板，及內引線320a可經內引線黏結(ILB)墊連接IC晶片330。IC晶片330與內引線320a可藉由將內引線320a鍍錫，及對鍍錫內引線320a施加熱或超音波以在鍍錫內引線320a與IC晶片330上之金凸塊之間產生金-錫黏結而連接。
金屬層可具有包括第一與第二金屬層之雙層結構。第一金屬層可經濺鍍或無電電鍍形成，而且可包括鎳、鉻、金、或銅。第二金屬層可經電鍍形成且可包括金或銅。為了改良用於形成第二金屬層之電鍍效率，第一金屬層可由具有低電阻之金屬(如銅或鎳)形成。
第3B圖描述沿第3A圖之線3-3’而取之橫切面圖。參 考第3B圖，COF 300包括撓性薄膜310(其包括介電膜312與形成於介電膜312上之金屬層314)、連接金屬層314上之電路圖案320的IC晶片330、及連接至IC晶片330與電路圖案320之金凸塊340。
介電膜312為撓性薄膜310之基膜且可包括介電聚合物材料，如聚醯亞胺、聚酯或液晶聚合物。為了提供HD播放，其必須傳送具有約120 Hz之高掃描率的影像信號。因此介電膜312可由具有低吸水性之材料形成。例如介電膜312可由在IPC TM-650 2.6.2條件下具有0.01-0.3%之吸水性的聚合物形成，以藉撓性薄膜310改良信號傳送效率。
金屬層314為由導電性金屬形成之薄層。金屬層314可包括形成於介電膜312上之第一金屬層、及形成於第一金屬層上之第二金屬層。第一金屬層可經濺鍍或無電電鍍形成，而且可包括鎳、鉻、金、或銅。第二金屬層可經電鍍形成且可包括金或銅。
第一金屬層可經濺鍍由鎳與鉻之合金形成。或者第一金屬層可經無電電鍍由銅形成。在使用鎳與鉻之合金時，第一金屬層可形成約30奈米之厚度。在使用銅時，第一金屬層可形成0.1微米之厚度。
第一金屬層可藉由將介電膜312浸於含金屬離子之無電電鍍液中，及對無電電鍍液加入還原劑以萃取金屬離子成為金屬，而經無電電鍍形成。第一金屬層之厚度可藉由調整將介電膜312浸於無電電鍍液之時間量而改 變。
第二金屬層可經電鍍形成，其涉及對電鍍液施加電流及萃取含於電鍍液中之金屬離子成為金屬。第二金屬層之厚度可依照電流之施加強度及電流施加時間而決定。第二金屬層可形成4-13微米之厚度。
IC晶片330係連接電路圖案320之內引線320a，而且將顯示裝置之驅動單元提供之影像信號傳送至顯示裝置之面板。內引線320a之節距可依連接COF 300之顯示裝置的解析度而改變。內引線320a可具有約30微米之節距。IC晶片330可經金凸塊340連接內引線320a。
參考第3B圖，不似TCP 200，COF 300不包括任何裝置孔250。因此COF 300不需要使用跨線，如此可達成精細之節距。此外COF 300為非常撓性，如此不必另外在COF 300中形成縫以使COF 300為撓性。因此可改良COF 300之製造效率。例如可在TCP 200上形成節距為約40微米之引線，而且可在COF 300上形成節距為約30微米之引線。如此COF 300適合用於具有高解析度之顯示裝置。
依照本發明之一個具體實施例的顯示裝置可包括顯示影像之面板、對面板施加影像信號之驅動單元、連接面板與驅動單元之撓性薄膜、及用於將撓性薄膜附著至面板與驅動單元之導電膜。顯示裝置可為平板顯示器(FPD)，如液晶顯示器(LCD)、電漿顯示面板(PDP)、或有機發光二極管(OLED)。
面板包括多個用於顯示影像之像素。多個電極可在面 板上排列且可連接驅動單元。像素係配置在電極間之交叉部分。更具體而言，電極包括多個第一電極、及多個與第一電極交叉之第二電極。第一電極可按列方向形成，及第二電極可按行方向形成。
撓性薄膜為一種包含電路圖案印刷於其上之薄膜。撓性薄膜包括介電膜、形成於介電膜上之金屬層、及連接形成於金屬層上之電路圖案的IC晶片。驅動單元施加之影像信號可經撓性薄膜之電路圖案與IC晶片傳送至面板上之電極。撓性薄膜可連接面板、驅動單元與導電膜。
導電膜可為黏著膜。導電膜可配置於撓性薄膜與面板之間及驅動單元與撓性薄膜之間。導電膜可為ACF。
雖然本發明已特別地參考其例示具體實施例而顯示及敘述，熟悉此技藝者應了解，其可進行形式及細節之各種變化而不背離如以下申請專利範圍所界定之本發明之精神及範圍。
100a‧‧‧撓性薄膜
100b‧‧‧撓性薄膜
100c‧‧‧撓性薄膜
100d‧‧‧撓性薄膜
100e‧‧‧撓性薄膜
100f‧‧‧撓性薄膜
110a‧‧‧介電膜
110b‧‧‧介電膜
110c‧‧‧介電膜
110d‧‧‧介電膜
110e‧‧‧介電膜
110f‧‧‧介電膜
120a‧‧‧第一金屬層
120b‧‧‧第一金屬層
120c‧‧‧第一金屬層
120d‧‧‧第一金屬層
120e‧‧‧第一金屬層
120f‧‧‧第一金屬層
130a‧‧‧第二金屬層
130b‧‧‧第二金屬層
130c‧‧‧第二金屬層
130d‧‧‧第二金屬層
140c‧‧‧第三金屬層
140d‧‧‧第三金屬層
200‧‧‧膜捲包裝
210‧‧‧撓性薄膜
212‧‧‧介電膜
214‧‧‧金屬層
220‧‧‧電路圖案
220a‧‧‧內引線
220b‧‧‧外引線
230‧‧‧積體電路晶片
240‧‧‧金凸塊
250‧‧‧裝置孔
300‧‧‧薄膜覆晶
310‧‧‧撓性薄膜
312‧‧‧介電膜
314‧‧‧金屬層
320‧‧‧電路圖案
320a‧‧‧內引線
320b‧‧‧外引線
330‧‧‧積體電路晶片
340‧‧‧金凸塊
400‧‧‧顯示裝置
410‧‧‧面板
410a‧‧‧第一電極
410b‧‧‧第二電極
420‧‧‧掃描驅動器
430‧‧‧資料驅動器
440‧‧‧撓性薄膜
450‧‧‧導電膜
500‧‧‧顯示裝置
510‧‧‧面板
530‧‧‧資料驅動器
530a‧‧‧基板
530b‧‧‧驅動IC
530c‧‧‧保護樹脂
540‧‧‧撓性薄膜
540a‧‧‧聚醯亞胺膜
540b‧‧‧金屬膜
540c‧‧‧積體電路
540d‧‧‧樹脂保護層
550‧‧‧導電膜
560‧‧‧樹脂
610‧‧‧面板
620‧‧‧驅動單元
630‧‧‧驅動單元
640‧‧‧撓性薄膜
650‧‧‧導電膜
660‧‧‧樹脂
本發明之以上及其他特點及優點藉由參考附圖詳述其較佳具體實施例而更顯而易知，其中：第1A至1F圖描述依照本發明具體實施例之撓性薄膜的橫切面圖；第2A及2B圖描述包含依照本發明之一個具體實施例的撓性薄膜之膜捲包裝(TCP)的圖表；第3A及3B圖描述包含依照本發明之一個具體實施例的撓性薄膜之薄膜覆晶(COF)的圖表； 第4圖描述依照本發明之一個具體實施例的顯示裝置之圖表；第5圖描述第4圖中顯示裝置400之橫切面圖；及第6圖描述依照本發明之一個具體實施例的顯示裝置之圖表。
400‧‧‧顯示裝置
410‧‧‧面板
410a‧‧‧第一電極
410b‧‧‧第二電極
420‧‧‧掃描驅動器
430‧‧‧資料驅動器
440‧‧‧撓性薄膜
450‧‧‧導電膜

Claims (13)

  1. 一種撓性薄膜，其係包含：介電膜；及金屬層；該金屬層係包含配置於該介電膜上之第一金屬層、配置於該第一金屬層上之第二金屬層、及配置於該第二金屬層上之第三金屬層；其中該介電膜之吸水性為約0.01-3.5%，其中該第一金屬層係包含鎳與鉻的合金之濺鍍金屬層，其中該第二金屬層係包含銅之濺鍍金屬層，且其中該第三金屬層係包含銅或金之電鍍金屬層。
  2. 如申請專利範圍第1項之撓性薄膜，其中該介電膜包含聚醯亞胺、聚酯與液晶聚合物至少之一。
  3. 如申請專利範圍第1項之撓性薄膜，其中該金屬層包含鎳、鉻、金、與銅之一者。
  4. 一種撓性薄膜，其係包含：介電膜；配置於該介電膜上且包含電路圖案印刷於其上之金屬層；及配置於該金屬層上之積體電路(IC)晶片，其中該介電膜之吸水性為0.01-3.5%，及該IC晶片係連接至電路圖案；其中該金屬層包含配置於該介電膜上之第一金屬 層、配置於該第一金屬層上之第二金屬層、及配置於該第二金屬層上之第三金屬層；其中該第一金屬層係包含鎳與鉻的合金之濺鍍金屬層，其中該第二金屬層係包含銅之濺鍍金屬層，且其中該第三金屬層係包含銅或金之電鍍金屬層。
  5. 如申請專利範圍第4項之撓性薄膜，其中該介電膜包含聚醯亞胺、聚酯與液晶聚合物至少之一。
  6. 如申請專利範圍第4項之撓性薄膜，其進一步包含形成於配置IC晶片之區域中的裝置孔。
  7. 如申請專利範圍第4項之撓性薄膜，其進一步包含形成於金屬層上之金凸塊，其中IC晶片經金凸塊連接至電路圖案。
  8. 如申請專利範圍第4項之撓性薄膜，其中該第一金屬層之厚度對該第二金屬層之厚度的比例為約1：5至1：120之範圍內。
  9. 一種顯示裝置，其係包含：面板；驅動單元；及配置於面板與驅動單元間之撓性薄膜，其中該撓性薄膜包含：吸水性為0.01-3.5%之介電膜、配置於該介電膜上且包括電路圖案印刷於其上之金屬層、 及配置於該金屬層上之IC晶片；其中該金屬層包含配置於該介電膜上之第一金屬層、配置於該第一金屬層上之第二金屬層、及配置於該第二金屬層上之第三金屬層；其中該第一金屬層係包含鎳與鉻的合金之濺鍍金屬層，其中該第二金屬層係包含銅之濺鍍金屬層，且其中該第三金屬層係包含銅或金之電鍍金屬層。
  10. 如申請專利範圍第9項之顯示裝置，其中該面板包含：第一電極；及與該第一電極交叉之第二電極，其中該第一與第二電極連接至電路圖案。
  11. 如申請專利範圍第9項之顯示裝置，其進一步包含將該面板與該驅動單元至少之一連接至該撓性薄膜之導電膜。
  12. 如申請專利範圍第11項之顯示裝置，其中該導電膜為各向異性導電膜。
  13. 如申請專利範圍第11項之顯示裝置，其進一步包含密封該撓性薄膜接觸該導電膜之部分的樹脂。
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