TWI352712B - Polytetrafluroethylene material and heat treating - Google Patents

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修正替換頁 * -*· 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於聚四氟乙烯（PTFE),特別係關於PTFE之 加熱處理。 【先前技術】 由於聚四氟乙烯（PTFE)有#項有利性質，故PTFE廣用 於產業應兩及生醫應罔。例如一般認為P T F E為化學惰性= 由於PTFE之此種及其它性質故，半導體加工產業之某些 公司將PTFE成形為「内襯」，PTFE用來内襯於瓶内，然 後用來儲存化學品。 内襯係以下述方式製成。首先，經過改性之PTFE粉末 被製造成坯料，坯料為經過填充之圓柱體且經壓縮。坯料 經烘焙至粒子融合沾黏在一起為止。坯料經稱作為鏃削 (skiving)的處理而成為薄膜，镟削係移平材料上的一薄 層。镟削處理類似削蘋果。镟削處理的最終結果為一或多 片PTFE材料。各片材料俗稱為薄膜。 内襯之製造方式係「熔接」部分經過清潔之P T F E薄膜， 來製造四邊二度空間袋附有一斜槽稱作為封蓋配件。斜槽 也熔接於内襯上。然後内襯用來内襯於聚乙烯外包裝内 部，聚乙烯外包裝對内襯提供結構支持，最終所得製品為 PTFE内襯瓶。 化學品儲存於PTFE内襯瓶内，經由封蓋配件由瓶内移 出化學品或將化學品置於瓶内。儲存於瓶内之化學品典型 為超純化學品，PTFE内襯為化學惰性，PTFE内襯通常不 1352712_ '年月..日修正替換頁 會與儲存4化學品產生化學反應。 雖言如此，已經測得PTFE内襯可能對儲存而與PTFE 内襯接觸之液趙造成粒子含量增加。例如，純水可泵送入 有PTFE内襯之瓶内，將瓶反轉數次，將純水泵送出瓶外。 泵送出瓶外之水通過微粒計數器，計數出某種尺寸範圍之 粒子數目。對習知PTFE内襯瓶而言，由粒子數目標準差 判定，粒子數目會有寬廣變化。批次變化，而PTFE内襯 係由不同批次PTFE薄膜製造而成，部分影響粒子數目之 高標準差。此外，特別當考慮PTFE内襯不會產生粒子時 的好處，此種粒子數目傾向於相對過高。 如此習知PTFE内襯之加工技術實質上無法避免相對高 的粒子數目、及粒子數目之高標準差。因此仍然需要改良 PTFE薄膜及内襯，以及其它由PTFE薄膜製成的產品。 【發明内容】 本發明中，聚四氟乙烯（PTFE)材料，通常為PTFE薄膜， 經加熱處理來減少PTFE薄膜之脫落微粒。 一具體例中，一或多張聚四氟乙烯（PTFE)薄膜被加熱至 高於1 50°C —段大於約20小時的時間，然後PTFE薄膜經 冷卻。PTFE薄膜可被加熱至高於200 °C而低於250 °C溫 度，最佳加熱至約2 2 8 °C溫度。P T F E薄膜可維持於一高溫 下一段大於約5 0小時的時間，或最佳維持於某一溫度下約 100小時。PTFE薄膜可為可熱加工PTFE含氟聚合物薄膜， 且可具有多個熱影響區段。該些熱影響區段可於加熱處理 前或加熱處理後才被創造出來。該些熱影響區段係經由加 6 Ι352·7ί·£·--η 96卷.A 5日修正替換頁 熱PTFE薄膜至接近PTFE薄膜熔點之溫度所造成且通常係 經由熔接兩張或兩張以上之PTFE薄膜所造成且通常係於 加壓下熔接一段時間（其低於前述加熱處理時間）所造成。 另一具體例中，「最佳」溫度及「最佳」時間係由熱加 工聚四氟乙烯（PTFE)含氟聚合物必須接受加熱處理之溫度 及時間來決定。選出多種溫度、時間及含有可熱加工PTFE 含氣*聚合物薄膜之批次。可熱加工薄膜被分成多組 s 也有 各組之相關溫度及時間。各組之熱加工PTFE含氟聚合物薄 膜可置於該相關溫度一段相關時間。測定加熱處理後PTFE 含氟聚合物薄膜之粒子數目，且對粒子數目進行迴歸處理 來決定最佳溫度及最佳時間。可於所述加熱處理前或所述 加熱處理後將該熱加工PTFE含氟聚合物薄膜熔接在一起。 經由參照後文說明及附圖將更完整瞭解本發明及本發 明之特色及優點。 【實施方式】 如前文說明，習知用以加工聚四氟乙烯（PTFE)材料例如 PTFE内襯之技術，會導致相對高之粒子數目及/或粒子數 目之高標準差。換言之，此種PTFE材料可稱作為具有高 粒子數目特性。本發明之具體例可用來減少P T F E材料之 粒子數目特性。實際上，此處所述具體例可減少粒子數目 特性及其標準差達約大於1 0之倍數。須注意粒子計數系統 也可能將「微小氣泡」或其它異常不規則計算為「粒子」 考慮為材料之粒子數目或粒子數目特性。「粒子」一詞用於 此處意圖涵蓋藉習知粒子計數系統可被視為「粒子」之任 7 13527½-Ί 96.皞ΐ5曰修正替換頁 何物種。 現在參照圖1，顯示一種方法100用來加 薄膜以減少粒子的脫落。在PTFE薄膜將接 情況下，可採用方法100。方法100亦可用 少粒子數目的情況。也包括PTFE薄膜將接 如，非液體物質）的情況。 於步靜105，PTFE薄膜經嫁接。此步截i 但通常大部分由PTFE製成的内襯經過熔接 熔接一般是在一定壓力下將分開之PTFE薄 接合在一起。容後詳述，熔接大約發生在所 PTFE的熔點下。 因此，一具體例中，熔接包括將PTFE薄无 °C至約4 3 0 °C溫度下約5秒至約1 5秒的時f psi至約lOOpsi之壓力。此外，PTFE薄膜 文說明之進一步處理前，於恆壓下冷卻約5 通常PTFE薄膜為一種可熱加工PTFE含 使用任一種PTFE。前文說明之熔接可產生-區段，熱影響區段若未經處理，容易造成粒 以下將詳述者，熱影響區段及PTFE薄膜通 減少此種情況發生。 熱影響區段係經由將PTFE薄膜加熱至或 子成分熔點之溫度所造成的。通常熱影響區 PTFE薄膜加熱至PTFE薄膜之熔點的約15 °C 造成。薄膜的多個部分傾向於在不同溫度範 熱處理PTFE 觸液體物質的 於任何期望減 觸非液體（例 每選擇性步肆 c 。PTFE薄膜的 膜部分熔化並 使用之特定 莫暴露於約370 男。可施加約60 可在接受如後 秒至約1 5秒。 氟聚合物，但可 -或多個熱影響 子脫落。但如 常可經處理來 接近薄膜之分 段係經由將 :範圍以内時所 ，圍下熔化。例 8 η甲19 (£艮年月！·晴正替換頁 如，薄膜之結晶部分可於高於PTFE薄膜相關熔點之溫度 下熔化，而薄膜之非晶部分可於低於該PTFE薄膜相關熔 點之溫度下熔化。如此即使未曾實際達到該PTFE薄膜之 相關熔點，也可能形成熱影響區段。此外，為了將兩片PTFE 薄膜完全熔接在一起，至少須到達PTFE薄膜之熔點，溫 度略高於熔點為有利。熱影響區段可因本發明方法而受 益，不含熱影響區段之PTFE薄膜也同樣受益。

通常，步驟105包括複數個熔接步驟，以便形成完整 PTFE内襯。如前述，PTFE内襯通常為一種具有四邊之二 度空間袋，附有一個斜槽（a spout)稱作為封蓋配件（a fitment)。斜槽也炫接於_内襯上。如此，步驟105通常包括 數個熔接步驟。.

持續參照圖1，如前文說明，於步驟1 1 〇，可經由將薄膜 置於預定溫度一段預定時間來加熱處理一或多張PTFE薄 膜。藉此方式可最小化如前文說明之脫落的粒子數目。多 種不同溫度及時間可能有利，但有某種溫度及時間顯示特 別有利。決定最佳溫度及最佳時間之特定技術係參照圖2 至圖10說明。若所用溫度高於材料之玻璃轉換溫度（多種 PTFE薄膜約為1 30°C )，即可減少粒子脫落，容後詳述。 當所施加溫度超過150 °C，加熱處理方法變得特別有效。 容後詳述，更高溫更有利，直到達到最佳溫度為止，但相 較於最佳溫度，當溫度超過最佳溫度時則會提高粒子脫落 的數目。雖言如此，必要時，還是可使用比最佳溫度還高 之溫度，原因在於隨著溫度的升高，粒子脫落情形可能會 9 1352^3- 年.月日修正替換頁 減少

一般而言，步驟110之預定溫度係高於約150 °c ，更佳 高於約200 °C及最佳高於約228 °C。也可使用更高溫度。但 較佳溫度係低於約2 6 0 t。也發現可使用例如2 3 0 °C ± 2 0 °C 之溫度範圍。此外，薄膜可以非連續方式或以週期方式施 用。換言之，PTFE材料可被加熱至預定溫度，例如冷卻至 室溫，然後再度加熱至預定之初溫'但為了最小化總加工 處理時間，P TF E薄膜可連續維持於預定溫度或維持於一替 代高溫一段特定時間長度，因為再度加熱與冷卻造成PTFE 薄膜加熱處理之總時間變長。 有關該段預定時間（容後詳述），一推薦時間係大於約20 小時，一更佳時間係大於5 0小時，而一最佳時間為約1 0 0 小時。雖然可使用更短或更長的時間，但經由後文說明之 技術所決定的約100小時之時間長度，應可提供一段最短 時間内最小量的粒子脫落及其標準差。須注意當需要時， 步驟100可於步驟120之後進行。

現在已經說明過PTFE薄膜之加熱處理技術的範例綜 論，接下來將說明對任何特定PTFE薄膜（或更可能對任何 特定PTFE薄膜組），決定其適當溫度及時間長度之技術。 現在參照圖2，顯示退火測試樣品與對照組之點狀圖。 本圖係以粒子數目來顯示加熱處理對PTFE内襯的效果。 PTFE内襯内部填裝光阻劑，反轉五次，於填裝後1 6小時 計數0.2微米處的粒子。X軸的單位為在0.2微米處時每 毫升之粒子數目（粒子/毫升）。圖2右側之圖說含有接受測 10 9( i.择.成涵修正替換頁1 試之樣品各組的說明。一組樣品中之各個樣品為多張可熱 加工PTFE含氟聚合物薄膜熔接在一起形成的内襯。本例 中，每組有三張PTFE内襯。藉由使用熔接機來執行熔接， 其沿著一條相當細的線或一組線，於一預定溫度下將兩張 PTFE薄膜壓合在一起一段預定時間，此處該預定溫度係等 於或大於PTFE薄膜之熔點。「10秒冷卻」為用來冷卻熔接 後PTFE薄膜至一預定冷卻溫度的一段丨0秒時間。同理； 「40秒冷卻」係用來冷卻熔接後PTFE薄膜至一預定冷卻 溫度的一段40秒時間。 如圖說顯示的試樣分別說明如下：（1) 一組PTFE内襯試 驗組，採用10秒冷卻，接著為180 °C加熱處理4曰；（2) 一組PTFE内襯試驗組，採用40秒冷卻，接著為1 80°C加 熱處理4日；（3 ) —組P T F E内襯試驗組，採用1 0秒冷卻， 接著為120°C加熱處理4曰；（4)一組PTFE内襯試驗組， 採用4 0秒冷卻，接著為1 2 0 °C加熱處理4日；（5 ) —組P T F E 内襯對照組，產生熔接伴以1 0秒冷卻；（6) —組P T F E内襯 試驗組，產生熔接且帶有40秒冷卻；（7)—組PTFE内襯試 驗組，採用18(TC加熱處理4日，接著為10秒再度熔接及 40秒冷卻；（8)—組PTFE内襯試驗組，採用180 °C加熱處 理4日，接著為40秒再度熔接及10秒冷卻；（9) 一組PTFE 内襯試驗組，採用120 °C加熱處理4日，接著為10秒再度 熔接及40秒冷卻；以及（10)—組PTFE内襯試驗組，採用 120 °C加熱處理4日，接著為40秒再度熔接及10秒冷卻。 將圖2中各組PTFE内襯之點集中繪示於圖中其所配置 的行上。例如名稱為「10秒冷卻，180 °c退火J之該組所 標繪之點顯示於最接近粒子計數軸之該列上。同理，名稱 為「4 0秒冷卻，1 8 0 °c退火」之該組所標繪之點顯示於由 粒子計數軸開始之第二列上。 除了別的以外，圖2顯示熔接後冷卻時間長短的影響極 輕微，以及180 °C退火可製造出在所選定溫度中，具有最 /<Τ -7 JtH. Γ3 τη Τ'1 Τ7 r? Ji*ta , 1& 取丁 双白之 r 1 r JD K-3 w, ώ

因圖2使用的攪動量（例如，反轉填裝後PTFE内襯五次） 並非品質管制試驗的典型攪動程度，且因粒子計數通常係 使用蒸餾水進行，故準備樣品來測定去離子水試驗採用一 次及五次反轉時，加熱處理對PTFE内襯的影響。加熟處 理係於180 °C下進行五天。PTFE内襯樣品經填充，接著以 填充一小時後出現之〇. 2微米粒子進行粒子測試。結果顯 示於圖3，其係對照内襯與退火内襯使用蒸餾水試驗之點 狀圖。除了別的以外，圖3顯示退火PTFE内襯造成之粒 子數目比對應之對照PTFE内襯更少。

為了決定内襯加熱處理之最佳設定，較佳由多批PTFE 内襯中選擇PTFE内襯。來自各批内襯之PTFE内襯隨後可 以不同時間及不同溫度加熱。因此，可決定「組」的產生， 此處各組具有多張來自某些批次、一選定溫度及一選定時 間之P T F E内襯。接著測定該組内襯的粒子數目（針對P T F E 内襯選用之反轉次數），以及對粒子數目作迴歸分析來決定 一 「最佳」溫度及「最佳」時間長短。最佳值為理論值， 且與實際「最佳」溫度或時間略有差異。此種「最佳化」 12 -一一 恥-够H修正替換裒 技術範例舉例說明如後。 由三批PTFE内襯製備PTFE内襯樣品。各批内襯於1 80 °C 、2 2 0 °C或2 6 0 °C下加熱2 0小時、9 5小時或1 7 0小時。 PTFE内襯樣品填裝光阻計，反轉五次，於填裝1 6小時之 後計數0.2微米之粒子數目。

基於三批接受試驗之内襯最佳化技術的結果，顯然内襯 批次及加熱處理溫度為粒子含量以及粒子含量變化（如標 準差所示）的最大促成因素。顯然内襯批次、加熱處理溫 度、粒手含量及其標準差間之間非線性關係，且有若干第 二次冪之交互作用。若時間維持恆定於20小時，則内襯批 次及溫度曲線（相對粒子數目）類似圖4所示的曲線。 圖4為基於實際資料而計算過之圖式，其顯示多張内襯 維持於選定溫度下20小時，粒子數目隨加熱處理溫度之變 化。圖4之範例中，測定來自不同溫度及不同内襯批次之 實際資料，且置於程式（使用該資料）内好決定圖4所示之 圖。因此，圖4中所示之圖係基於實際資料計算而成。

有關圖4中所示的溫度，該溫度如下：-1相當於180 °C ; 0相當於220 °C;而1相當於260 °C。反應值為粒子數目（以 粒子/毫升表示）。使用十五張來自三批不同内概（圖中之批 次1、〇及-1)的PTFE内襯。因此，圖4之圖式在約236 °c (0.4x40 + 220°C )達到低點，雖然這稍微隨著内襯批次有所 變化。 圖5為基於實際資料而計算過之圖式，其顯示圖4使用 之内襯，其粒子數目之標準差如何隨加熱處理溫度變化。 13 I35J11-2______ , —4*丄> 义码::旧1 ^ 溫度、反應值、及内襯批次均與圖4相同。如同圖4: 之圖式係使用實際資料計算而成，且資料係與圖4使 資料相同。圖5顯示粒子數目的標準差受到加熱處理 響，且在約244°C (0.6x40 + 220°C )達到低點（依據内襯 有所不同）。 圖6為計算過之圖式，其顯示多張維持於選定溫度 • "士 、· 冬各 .1·%. rn I » tT.i： · 士>L wie* »rx* ^T. /1 M、4 Π m ,丹耻丁 双日：》° rj 1¾ 77Π 跑狂 iffi·反雙 1。。 為經由應用於圖4中之相同技術而產生之圖式：使用 張PTFE内襯（三批不同批各有五張），測定來自不同溫 不同内襯批次之資料結果，且置於程式（使用該資料） 決定圖6所示之圖。圖6顯示粒子數目會隨溫度及内 次而變化。 圖7為計算過之圖式，其顯示圖6使用之内襯，其 數目之標準差如何隨加熱處理溫度變化。圖7顯示粒 目之標準差隨著溫度及内襯批次而改變。 圖8為經由用於決定圖4及圖6之技術而計算所得 式，但圖8係基於許多内襯於選定溫度下維持1 7 0小 須注意粒子數目的負值為計算所得而不是觀察所得。 為經由用於決定圖5及圖7之技術而計算所得之圖式 係使用圖8之内襯計算。圖8及圖9兩者分別顯示粒 目及其標準差隨著溫度及内襯批次而改變。 因此，圖4至圖9分別顯示粒子計數及其標準差隨 度及内襯批次而改變。為了決定最佳溫度及最佳時間 短，對測得之資料採用迴歸分析。用於測定圖4至圖 ，圖5 用之 的影 批次 95 Br 〇 十五 度及 内好 襯批 粒子 子數 之圖 時。 圖9 ，但 子數 著溫 長 9之 14 履爾正替換頁 I3m： 資料經迴歸分析，指出為了使0.2微米之粒子含量及標準 差達到最小，溫度須為2 2 8 °C而時間為1 〇 〇小時。 這些數值用於一確認實驗中（三批内襯於228 °C下加熱 處理100小時）。試驗（填充光阻劑且五次反轉，靜止16小 時作粒子計數）結果顯示於圖10。圖10為加熱處理過之 PTFE内襯造成的粒子數目之點狀圖。如圖10所示，加熱 處理過之PTFE内襯，其粒子數目及其標準差幾乎沒有》 因此，本發明可將約250±100粒子/毫升之粒子數目減至約

8±2粒子/毫升。 注意内襯之批次變化（換言之，粒子數目之標準差）亦被 減少。雖然仍然有若干變化，例如第三批内襯有少數PTFE 内襯樣品之粒子數目大於1 0，但其變化顯著減少。 須瞭解此處顯示及說明之具體例及變化僅供舉例說明 本發明之原理之用，熟諳技藝人士可未悖離本發明之範圍 及精髓做出多項修改。此外為求舉例說明之簡單明瞭，於 此處做出多項假設不可視為本發明之要求。

【圖式簡單說明】 圖1為流程圖，其繪示加熱處理PTFE薄膜之範例方法。 圖2為退火試驗樣品與對照組之點狀圖，其就粒子數目 方法，顯示加熱處理對PTFE内襯之影響。 圖3為對照内襯及退火内襯以一次及五次反轉進行蒸餾 水試驗之點狀圖。 圖4為基於實際資料計算過之圖式，其顯示多張内襯維 持於一選定溫度約20小時，其粒子數目隨著加熱處理溫度 15 I3527I2. 它题象修正键. tTiirr 圖5為基於實際資料計算過之圖式，其顯示圖4使用之 内襯的粒子數目之標準差如何隨著加熱處理溫度而變化。 圖6為基於實際資料計算過之圖式，其顯示多張内襯維 持於一選定溫度約95小時，其粒子數目隨著加熱處理溫度 而變化。 圖7為基於實際資料計算過之圖式，其顯示圖6使用之 内襯的粒子數目之標準差如何隨著加熱處理溫度而變化。

圖8為基於實際資料計算過之圖式，其顯示多張内襯維 持於一選定溫度170小時，其粒子數目隨著加熱處理溫度 而變化。 圖9為基於實際資料之計算過之圖式，其顯示圖8使用 之内襯的粒子數目之標準差如何隨著加熱處理溫度而變 化。 圖10為加熱處理過之PTFE内襯所得粒子數目之點狀 圖。

(元件符號說明） 100 方法 16

Claims (1)

1352712 n 第$丨丨號辱年G月修正 拾、申請專利範圍： 1. 一種加熱處理方法，包含： 加熱一聚四氟乙烯薄膜材料至130 °C至260 °c範圍中的 一高溫；以及 維持該加熱至少20小時，以實質上減少該聚四氟乙烯 薄膜材料之粒子數目。 2. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該聚四氟乙烯薄 膜材料包含一聚四氟乙烯薄膜系容器的一外接壁，該容器 適於容納一物質，而該外接壁包括至少一沿著該容器的一 周圍邊緣的炫接縫。 3. 如申請專利範圍第1項之方法，進一步包含於該加熱 前熔解該聚四氟乙烯薄膜材料之一部分來熔接該材料。 4 ·如申請專利範圍第3項之方法，其中該熔解係在該聚 四氟乙烯薄膜材料之熔點上下1 5 °C时溫度以内。 5 .如申請專利範圍第3項之方法，其中施加該熔解溫度 可形成該部分之一熱影響區段，而之後執行該加熱及該維 持加熱之步驟，以影響該熱影響區段。 6.如申請專利範圍第1項之方法，其中該維持加熱之步 驟係以周期性方式實施，包括： 17 1352712 冷卻該聚四氟乙烯薄膜材料至室溫；以及 重新加熱該聚四氟乙烯薄膜材料至130 °C至260 °C範圍 中的一兩溫。 7. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該聚四氟乙烯薄 膜材料沒有污染物" 8. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該高溫係高於該 聚四氟乙烯薄膜材料之一玻璃轉換溫度。 9 ·如申請專利範圍第1項之方法，其中該時間係介於2 0 小時至 1 0 0小時之間。 1 0 ·如申請專利範圍第1項之方法，其中該加熱時間係 1 0 0小時。 11. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該聚四氟乙烯薄 膜材料之減少的粒子數目，以直徑0.2微米來說，係低於 每毫升1 0個粒子。 12. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該聚四氟乙烯薄 膜材料之粒子數目，相對於減少之前的數值來說，係減少 了 1 0 倍。 18 1352712 1 3 ·如申請專利範圍第1項之方法，其中在該減少處理後 的該聚四氟乙烯薄膜材料不會脫落。 14.如申請專利範圍第1項之方法，其中該聚四氟乙烯薄 膜材料之粒子數目係藉由該高溫而減少1 0倍。 1 5 .如申請專利範圍第1項之方法，其中該高溫係位在 1 5 0 °C至2 5 0 °C範圍之間；該時間係超過2 0小時；而該聚 四氟乙烯薄膜材料所減少的粒子數目，就直徑0.2微米來 說，係每毫升少於1 0個粒子。 16. —種適合容納一物質的容器，該容器包括由一聚四氟 乙烯薄膜材料形成之一外接壁，其中該聚四氟乙烯薄膜材 料具有藉由向其施加1 3 0 °C至2 6 0 °C範圍中的一高溫至少 20小時一段時間而減少的粒子數目，而該時間實現這樣的 減少處理。 17. 如申請專利範圍第16項之容器，其中該外接壁包括 至少一沿著該容器的一周圍邊緣的熔接縫。 18. 如申請專利範圍第16項之容器，其進一步包括一斜 槽。 1 9.如申請專利範圍第1 6項之容器，其係可壓縮、可改 19 1352712 變大小與形狀以便被容入一 >卜包裝内，用以經由壓力而從 該容器中分散出一物質。 2 0.如申請專利範圍第1 6項之容器，其係可容納一光阻 劑。 2 1 .如申請專利範圍第1 6項之容器，其中該聚四氟乙烯 薄膜材料沒有污染物。 2 2 ·如申請專利範圍第1 6項之容器，其中該高溫係高於 該聚四氟乙烯薄膜材料之一玻璃轉換溫度。 2 3 ·如申請專利範圍第1 6項之容器，其中該時間係介於 20小時至100小時之間。 2 4.如申請專利範圍第' 1 6項之容器，其中該加熱之間的 時間係 1 0 0小時。 25. 如申請專利範圍第16項之容器，其中該聚四氟乙烯 薄膜材料所減少的粒子數目，就直徑0.2微米來說，係每 毫升少於1 0個粒子。 26. 如申請專利範圍第16項之容器，其中該聚四氟乙烯 薄膜材料之粒子數目，與減少之前的數目相比，相差1 0 20 1352712 倍。 27. 如申請專利範圍第16項之容器，其中該減少處理後 的該聚四氟乙烯薄膜材料不會脫落。 28. 如申請專利範圍第16項之容器，其中該聚四氟乙烯 溥膜材料之粒子數目係藉由該ifj溫而減少1 0倍。 2 9 .如申請專利範圍第1 6項之容器，其中該高溫係位在 1 5 0 °C至2 5 0 °C範圍之間；該時間係超過2 0小時；而該聚 四氟乙烯薄膜材料減少的粒子數目，就直徑0.2微米來 說，係每毫升少於1 0個粒子。 30. —種用以決定可熱加工的聚四氟乙烯（PTFE)氟聚合 物薄膜以減少其粒子數目之一熱加工溫度與時間之方法， 包括： 提供一組可熱加工的聚四氟乙烯氟聚合物薄膜； 使該組可熱加工的聚四氟乙烯氟聚合物薄膜中的各個 薄膜，接受在一預定溫度下處理一段預定時間的加熱處 理，其中在該組薄膜之間有不同的加熱處理溫度與時間， 以為該組中熱加工的薄膜提供一加熱處理溫度範圍與一加 熱處理時間範圍； 該加熱處理之後，測定該組中熱加工過之薄膜的粒子數 目； 21 1352712 對該粒子數目執行回歸分析以測定當粒子數目被減至 最小時所需的溫度與加熱處理時間，作為該決定的溫度與 時間。 22