TWI334435B - Wafer-processing tape - Google Patents

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TWI334435B
TWI334435B TW094126111A TW94126111A TWI334435B TW I334435 B TWI334435 B TW I334435B TW 094126111 A TW094126111 A TW 094126111A TW 94126111 A TW94126111 A TW 94126111A TW I334435 B TWI334435 B TW I334435B
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TW
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wafer
adhesive
resin layer
adhesive layer
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TW094126111A
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Kita Kenji
Morishima Yasumasa
Ishiwata Shinichi
Yabuki Akira
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Furukawa Electric Co Ltd
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Description

1334435 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關一種，製造諸如石夕晶圓等半導體裝置 時可使用於晶圓加工之晶圓加工用膠帶。 【先前技術】 ic等半導體裝置之組裝程序包括下列步驟··於 圖案化後，將半導體晶圓切割分離[切割（dicing)]為各個
諸如1C 叫本Ίυ攸7肿干守脑a曰四W…W舌^aicing)j為各 晶片；將該等晶片安裝於基板上，·再以樹脂將其密封。 切割步驟中，係預先將半導體晶圓黏貼並固定於切 割用晶粒黏貼膠帶（dicing die-bond tape)，然後再將晶圓 切割成晶片形狀。於後續之安裝步驟中，由於黏合層盥 著於晶片上之黏荖者廣剝離’而後再藉由已黏 二上之黏耆及固义用點合劑固定於例如基板。 狀黏合劑晶粒黏貼膠帶包括藉由將膜 體m復於用勝帶表面，並使之相互結合成一 帶均需且*ϋ有可移除黏著層與黏合層之膠帶。此等膠 時自膠帶剝離足著強度，以避免晶圓在切割 取時可輕=離 帶亦需具有可剝離性，俾於拾 需要ί於安裝步驟中’晶片間或晶片與基板之間亦 膠帶以黏著強度。因此，已有多種切割用晶粒黏貼 此等可移除黏著膠帶具有所L直接黏貼能力， 5 1334435 亦即’於切雜’拾取背面黏貼有黏合層之晶片，並將 ，曰:曰片安裝於基板上，再#由加熱等方㈣化(硬化)及 黏者該晶片。藉由使用此等可移除黏著膠帶，即可省略 黏合劑之塗覆步驟。 然而，使用於此等切割用晶粒黏貼片之模狀黏合劑 二許多低分子量材料’諸如環氧樹賴，且相較於一 般切割用膠帶所使用之可移除黏著層，具有較柔軟之傾 ，，且機械加工性(machinability)(切割性)較差了故而存 問題：於切割時’膜狀黏合劑出現許多鬚狀 邊，在糊後之拾取步驟中，容易產生較低劣 =性；以及在諸如等ic半導體裝置之製造過程中， 曰曰片的低黏著力容易造成例如1(：之缺陷。 〜之其他及進—步特徵及優點將於參佐附圖之 下文陳述中更為完整明晰地說明。 【發明内容】 根據本發明，提供有下列工手段： 一種晶圓加工用膠帶，包括中間樹脂層及可移 ，該等層係依此順序積層於基板膜上，其中’ 層於8(rc之儲存彈性模數係大於該可移除 黏著層於80 C之儲存彈性模數； 昤』)思一種晶圓加工用膠帶，包括中間樹脂層、可移 =著^及黏合層，該等層係依以此順序積層於基板 t可間樹脂層於8(rc之健存彈性模數係大 於該T移除黏著層於8(TC之儲存彈性模數； 6 1334435 (3) 如上述(1)或(2)項之晶圓加工用膠帶，其中，該 中間樹脂層於80°c之儲存彈性模數係在8x 1〇4至lx 107Pa(帕）之範圍内； (4) 如上述（υ至（3)項中任一項之晶圓加工用膠 帶，其中，該中間樹脂層於25¾之儲存彈性模數係在8 X 104至lx l〇7Pa(帕）之範圍内； (5) 如上述（1)至（4)項中任一項之晶圓加工用膠 帶，其中，該中間樹脂層係由具有三維網狀結構之丙烯 # 基型樹脂所組成； (6) 如上述（1)至（5)項中任一項之晶圓加工用膠 帶，其中，該中間樹脂層係由熱固性樹脂所組成； (7) 如上述（1)至（6)項中任一項之晶圓加工用膠 帶，其中，該中間樹脂層係藉由將至少包括丙烯基型樹 脂與硬化劑之混合物塗覆於基板膜，再行固化所製成； (8) 如上述（1)至（7)項中任一項之晶圓加工用膠 帶，其中，該可移除黏著層係包含：化合物(A)，於其分 子中具有碘值為〇.5至20之可放射線固化碳-碳雙鍵； 以及化合物(B)，其為選自聚異氰酸酯、三聚氰胺/曱醛 樹脂與環氧樹脂中之至少—種；以及 (9) 如上述（2)至（7)項中任一項之晶圓加工用膠 帶’其中，該晶圓加工用膠帶係適用於黏貼程序，包括： 於半導體裝置製程中之晶圓黏著；在晶圓黏著於切割架 (dicing frame)之狀態下切割晶圓；以及將已切割之晶圓 安裝於引線架或半導體晶片上， 7 1334435 其中，該晶圓加工用膠帶包括中間樹脂層與可移除 黏著層’該等層係依此順序積層於基板膜上，且包括至 少積層於待黏著晶圓之部位之黏合層，而不在待黏著切 割架之部位設置黏合層。
本文中，「可移除黏著劑」一詞意指可黏著且於諸如 固化等處理後可予已移除之黏劑，而「黏合劑」一詞則 指僅可黏合之黏劑。例如，「放射線可固化之可移除黏著 劑j 一詞意指在施用於晶圓等之後，可藉由如uv放射 線之照射而硬化，並可以移除或剝離之可移除黏著劑。 再者’「黏合層」一詞意指當半導體晶圓等經安裝及 切割後拾取晶片時，可自可移除黏著層剝離且保持黏著 於晶片之層，而且該層可於晶片安裝及固定於基板或引 線架時使用作為黏著劑。 亀 外’「可移除黏著層」一詞意指一層體，其對黏貼標 的之剝離力低於對黏合層之剝離力，且可用於暫時性黏 著0 另外’「剝離力」一詞意指從黏著表面剝離分開所彳 之力’其可根據JIS Z0237所規定之方法測定。 本發明之晶圓加工用膠帶可施用於例如矽晶圓等 導體晶圓，俾於切割晶圓時作為切割用膠帶，且於切^ 晶圓時可顯現減少鬚狀刮痕等之優異效用’而可獲得1 好切割性(cuttability)。再者，當作為切割用晶粒黏貼; ^時’本發明可確保於拾取晶片時，該半導體元件及! 合層可輕易地自可移除黏著層剝離，而允許半導體元^ 8 1334435 直接進行晶粒黏貼。 【實施方式】 帶’該膠帶係為用於點著二圓加工用膠 !j用膠該膠帶於切割時具有切 言之，根據本發明，可提供一藉刀。]性。更詳
於下文中，將詳細說明本發明r有極佳切割性。 推m發明人為解決上述習知技術之問題，而 樹ί:發5r於基板膜與可移除黏著層 ―二:r二;:=工=:材藉 存彈性模數係大於可獅“之 下文+將說明本發明之具體實施形態。
根據本發明 第1圖顯示半導體晶圓n與切割用環架12黏著於 本發明切割用晶粒黏貼膠帶10之狀態令的示意剖視圖。 本發明切割用晶粒黏貼耀帶（1 〇)之結構中，中間樹 月曰層2、可移除黏著層3以及黏合層4係形成於基板臈！ 上三各層可根據加工程序及裝置設備預先切割（預切）為 特定形狀。該切割用晶粒黏貼膠帶或切割膠帶可於晶圓 等黏著於其上之前配置有覆蓋膜以保護黏合層或可移除 毒占著層。 9 1334435 本發明之切割用晶粒黏貼膠帶或切割膠帶可依各別 晶圓之尺寸裁切為片狀，或可為長捲筒形式。 其次逐一說明本發明切割用晶粒黏貼膠帶或切割勝 帶之各結構。 〇夕 (基板膜） 茲說明構成本發明切割膠帶或切割用晶粒黏貼膠帶 之基板膜。該基板膜可使用塑膠或橡膠之任一種，並無 • 特別限制。通常使用具有熱塑性之塑膠膜作為基板膜了 *用於基板膜之材料以具有放射線穿透性較佳，尤其在可 移除黏著劑使用可放射線固化之可移除黏著層之情況 下，基板膜之材料以選擇在固化該可移除黏著劑之波長 下具有高放射線穿透性者較佳。 可選擇做為基板膜之聚合物例包括烯烴類之均 聚物或共聚物，例如聚乙烯、聚丙烯、乙烯/丙烯共聚物、 聚丁烯-1、聚-4-甲基戊烯-丨、乙烯/乙酸乙烯酯共聚物' 乙烯/丙烯酸乙酯共聚物、乙烯/丙烯酸甲酯共聚物、乙 鲁烯/丙烯酸共聚物、以及離子聚合物(i〇n〇mers)、或該等 化合物之混合物，例如聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚^酸 . 酯以及聚（甲基丙烯酸曱酯）等工程塑膠；例如聚氨基曱 酸酯（polyurethane)、笨乙烯/乙烯/ 丁烯或戊烯系^聚 物、以及聚醯胺/多元醇共聚物等熱塑性彈性體；以^此 等化合物之混合物。再者，亦可使用由此等化合物製造 多層體所獲得之材料。 同時，為增加元件間之間隙(gap)，以儘可能地減少 10 丄JJ4435 不拉伸基板膜時’由於力量傳遞 ，基甲酸μ及具特定分子量及笨m巧例包括聚 ，丁歸或桃㈣共聚物。使用本交乙二=之苯乙稀/ 免切割期間之伸長及撓曲。t用乂聯基_可有效避 任音ϋ ’於中間樹脂層形成側之基板膜表面上可施以 w處理，例如藉由電暈放電進行處理， 以改善基㈣射間樹脂層之黏著性。…成底層’ -般性減㈣f紐蚊，錢膜之厚度 =30至30(^m。在未塗覆可移除黏著層之基板膜 ^面亡可齡壓紋或以潤㈣塗覆，俾於㈣拉伸可移 除黏者膠帶_關離並減少可移_ 曰新皆：用於該構成本發明切割膠帶或切割用 Β曰粒黏貼膠帶之中間樹脂層，&無任何特定限制， 中間樹脂層比可移除黏著層硬即可。中間 之儲存彈性模數以8χ 1()4至lx 1()7 Pa範圍内較佳 佳為lx 10至5χ 1〇6 Pa範圍内，藉以抑制切割時晶 之龜裂及碎裂。再者，中間樹脂層於2代之儲存彈性模 數以8x 104至lx l〇7Pa範圍内為佳，更佳為1χ 1〇5至^ X 106Pa範圍内。 中間樹脂層可藉由下述方法形成，亦即，將包含可 移除黏著劑成分與固化成分之混合物塗覆於基板膜之表 11 1334435 面’然後進行固化。對中間樹脂層而言，以使用置於大 氣溫度下約一週時可逐漸固化到落於較佳範圍内彈性模 數的材料為佳。 較硬之中間樹脂層的製造方法例包括（但不受其限 制）·^向作為主要成分之可移除黏著劑成分（通常，其 量為總量之6〇至98質量％)的玻璃轉移溫度、 f尚添=於中間樹脂層之硬化劑的量、以及添加無機化 ，物填料等。再者’可使用藉由放射線照射而固化之材 料，並經由放射線照射使之固化，以控制中間樹脂層之 硬度。此處之「放射線」一詞意指光的通稱，包括紫外 線.、雷射光、以及如電子射線等電離輻射（i〇nizable mdiation)(下文中稱為放射線）。 關於可移除黏著劑成分，可使用各種普通之可移除 黏著劑’例如丙烯基型、聚酯型、氨基曱酸酯型、矽酮 型或天然橡膠型。於本發明中，特佳之可移除黏著劑為 丙烯基型。丙烯基型可移除黏著劑之例子包括由（甲基) 丙烯酸酯單體以及衍生自（甲基）丙烯酸衍生物之結構單 位所構成之（甲基）丙烯酸酯共聚物。此處可使用（甲基) 丙烯酸酯單體、（曱基）丙烯酸環烷酯、（曱基）丙烯酸苯4'甲 醋、或（曱基）丙烯酸烷酯（其中該烷基具有1至18個碳 原子）。再者’（曱基）丙烯酸衍生物例可包括具有縮水甘 油基之（甲基）丙烯酸縮水甘油醋’以及具有經基之丙缚 酸羥乙酯。 關於硬化劑，可使用選自聚異氰酸酯、三聚氰胺/ 12 1334435 甲醛樹脂以及環氧樹脂之化合物’該等化合物可單獨使 用或組合兩種或多種使用。該硬化劑係用作交聯劑；由 硬化劑與例如丙烯酸系樹脂等可移除黏著劑成份反應所 得之交聯結構係中間樹脂層之三維網狀結構，於因切割 等過程而使溫度上升時，使中間樹脂層有抗軟化作用。 聚異乱酸醋例包括（但不特別受限於）：芳香族異氰 酸酯’例如4,4’·二苯基甲烷二異氰酸酯、二異氰酸甲苯 醋、二異氰酸二甲苯醋、4,4’-二苯基趟二異氰酸酯、以 Φ 及4,4’-[2,2·雙(4·苯氧基苯基）丙烧]二異氰酸g旨，六亞甲 基二異氰酸酯、-2,2,4-三甲基-六亞甲基二異氰酸酯、異 氟爾酮二異氰酸酯（isophoronediisocyanate)、4,4，-二環己 基曱烷二異氰酸酯、2,4’_二環己基曱烷二異氰酸酯、離 胺酸二異氰酸酯、以及離胺酸三異氰酸酯。更具體言之， 可使用例如Coronate L (商品名）等市售之產品。 再者，關於三聚氰胺/曱醛樹脂，可使用例如 Nikarack MX-45(商品名，忐三和化學公司製造）、或 Melan (商品名，由日立化學公司製造）等市售之產品。 • 關於環氧樹脂，可使用例如TETRAD-X(商品名，由 三菱化學公司製造）。 尤其’本發明以使用聚異氰酸酯較佳。 再者，中間樹脂層可製成具有放射線可固化性，俾 於切割後藉由進行放射線固化，使中間樹脂層固化及收 縮，以改善晶片之拾取特性。 具有玫射線可固化性之中間樹脂層的製造方法例包 13 1334435 括添加具有光可聚合型碳-碳雙鍵之丙烯酸酯型寡聚 物。再者，關於上述「寡聚物」，可廣泛使用例如任一種 於分子中具有至少兩個光可聚合型碳-碳雙鍵之低分子 量化合物，該化合物可藉由光照射而呈現三維網狀結 構。更具體言之，可廣泛使用例如三羥甲基丙烷三丙烯 酸酯、四羥曱基甲烷四丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、 季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五丙烯酸酯、 二季戊四醇六丙烯酸酯、1,4-丁二醇二丙烯酸酯、1,6-• 己二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、以及寡聚酯 丙稀酸自旨。 除了上述丙烯酸酯系化合物外，亦可使用氨基曱酸 酯丙烯酸酯系寡聚物。該氨基曱酸酯丙烯酸酯系寡聚物 可藉由使末端異氰酸酯胺基甲酸酯預聚物與具有羥基之 曱基丙烯酸酯或丙烯酸酯（例如，丙烯酸2-羥基乙酯、曱 基丙烯酸2-羥基乙酯、丙烯酸2-羥基丙酯、曱基丙烯酸 2-羥基丙酯、聚乙二醇丙烯酸酯、聚乙二醇甲基丙烯酸 ^ 酯）反應而製得，其中，該末端異氰酸酯胺基曱酸酯預聚 物可藉由將例如聚酯型或聚醚型等聚醇化合物，與聚異 氰酸酯化合物（例如，2,4-二異氰酸甲苯酯、2,6-二異氰 酸甲苯酯、1，3_二異氰酸二曱苯酯、1,4-二異氰酸二甲苯 酯、二苯基曱烷-4,4-二異氰酸酯）反應而製得。 於該中間樹脂層係藉由放射線進行聚合時，則可配 合使用例如安息香異丙醚、安息香異丁醚、二苯曱酮、 米氏_ (Michler's ketone)、氣嗟嘲酮、苯曱基曱基縮酮、 14 丄334435 Ο：-經基環己基苯基酮、或2_羥甲基苯基丙烷等光聚合反 應起始劑。藉由添加該等化合物中之至少一種類型於該 中間樹脂層’即可有效地進行光聚合反應。 暫時性黏者性賦予劑(temp〇rary adhesi〇n imparting agent)、暫時性黏著調節劑、界面活性劑、及其他修飾 劑等可視需要摻雜於中間樹脂層。
中間樹脂層之厚度以至少5//m較佳，更佳為1〇以 ni或更多《中間樹脂層可具有複數層積層之結構。 ^施用於基板後進行固化之中間樹脂層可由熱固性樹 ，組成，以防止該中間樹脂層於接近切割溫度之溫度下 突然軟化，從而提供良好的可切割性。 (可移除黏著層） •依上述方式將中間樹脂層形成於基板膜上之後，可 進一步將可移除黏著層形成於中間樹脂層上，以製造本 發明之切割膠帶。
關於可移除黏著層之形成，係以一般切割膠帶所用 ^相同方法，將可移除黏著獅驗形成在基板膜上之 中間樹脂層的表面，以製造可移除黏著層。可移除 劑可於施用中間樹脂層後之任何時間施用。假若中間樹 之儲存彈性模數是藉由放射線照射所控制，：於: 間樹脂層經放射線固化後再施用可移除黏著層較佳。 粒點=料皆可用作構成本發明切割膠帶或切割用晶 帶之可移除黏著層’並無任何特別限制，只要 、了維持下述程度之能力：於_過程中可防止可移除 15 1334435 黏著層與黏合層之間發生例如晶片彈跳(chip jumping) 等缺失、以及於拾取過程中具有易於將可移除黏著層自 黏合層剝離之特性。為了改善切割後之拾取特性，該可 • 移除黏著層以放射線可固化型較佳，且在作為切割用晶 粒黏貼膠帶之情況下，使用易於自黏合層剝離之材料製 造尤佳。 . 例如，於本發明中，以使用含有下列成分之丙烯基 ‘ 型可移除黏著劑為佳：於分子中具有碳值為0.5至20之 φ 放射線可固化碳-碳雙鍵之化合物(A);以及選自由聚異 氰酸酯、三聚氰胺/甲醛樹脂以及環氧樹脂所成群組之至 少一種化合物(B)。 兹說明可移除黏著層的主要化合物之一的化合物 (A)。導入於化合物(A)之放射線可固化碳_碳雙鍵的量， 就碘值而論’較佳為〇·5至20，更佳為0.8至10。當碘 值為0.5或更大時’可獲得使用放射線照射後降低暫時 性黏著強度之效果。當碘值為2〇或更小時，可移除黏著 層於使用放射線照射後之流動性令人滿意，而可於拉伸 ，鲁後獲得充足的元件間隙，拾取時各元件之影像辨識變得 . 困難之問題得以抑制。再者，化合物(A)本身具有穩定 性，因此具有製造容易性。 上述化合物（A)之玻璃轉移溫度以-70〇C至〇°C為 佳，更佳。為-66°C至-28°C。當玻璃轉移溫度(下文中稱為 Tg)為-70C或更高時’可對放射線照射所產生之熱具有 充份耐熱性。當坡璃轉移溫度為〇艺或更低時，可獲得 16 1334435 〇H基時’則可於輻射照射後降低暫時性黏著強度，藉 以進一步降低拾取失誤的風險。再者，化合物(A)以具有 可提供0.5至30酸值之COOH基為佳。 同時，若化合物(A)之羥基值太低，則放射線照射後 之暫時性黏著強度無法充份降低’或者若化合物(A)之羥 基值太面’則可移除黏著劑之流動性可能於幅射照射後 遭破壞。再者，若酸值太低，則無法充分改善膠帶回復
性，或者，若酸值太高，則可移除黏著劑之流動性可能 遭破壞。 碘值係於40°C及24小時之反應條件下根據Das方 法計算。分子量係利用膠體滲透層析儀（商品名：150-C ALC/GPC’由Waters公司製造)所測得之值來計算以聚 苯乙烯計之質量平均分子量，其中，該膠體滲透層析儀 係使用樣品溶於四氫呋喃中所得之1%溶液。再者，經 基值係根據FT-IR方法計算；以及酸值係根據JIS κ 54〇7 11-1計算。 其次說明可移除黏著層之另一主要成分_化合物 (Β) °化合物(Β)為選自聚異氰酸自旨、三聚氣胺/甲搭樹脂、 以及環氧樹脂之化合物，其可單獨使用或組合兩種或多 種使用。該化合物(Β)係用作交聯劑；且由化合物(Β)與 化合物(Α)或基板膜反應所形成之交聯結構，可於施用可 移除勒著劑後改善該使用化合物(Α)與(Β)作為其主要成 分之可移除黏著劑之黏著力。 ~ 聚異氰酸酯例包括(但並不特別限定）：4,4，_二笨美 20 1334435 定義特性之化合物。 於上述化合物(A)之合成中，當使用溶液聚合法進〜 共聚合反應時，可使用酮系、酯系、醇系、或芳香系= 劑作為有機溶劑。其中，較佳溶劑為習用於丙烯峻 合物之優良溶劑，該溶劑具有60至12〇°c之滞點。^ A 溶劑例包括甲苯、乙酸乙酯、異丙醇、苯甲基溶 (benzezemethylcellosolve)、乙基溶纖劑、丙酮、甲、 基_等。聚合反應起始劑一般可使用例如α，α，〜偶 異丁腈等偶氮系自由基產生劑以及例如過氧化笨甲醜^ 有機過氧化物系自由基產生劑。此時，可視情況需要 添加催化劑、聚合反應抑制劑等。以此方式中，可藉= 分子量之化合物⑷。為了控制分子量，以使用硫^戶^ 四氣化碳系溶劑為佳。此外，該共聚合反應並不限於^ 液聚合法，亦可以例如塊狀聚合法、懸浮聚合法尊从 方式進行。 他 依上所述，即可製得化合物(Α)。於本發明中，化人 = (Α)之分子量較佳為約3〇〇,〇〇〇至約1〇〇〇 〇〇〇β若分^ 里太小，則經由輻射照射所產生之黏著力變得較小，因 此於晶圓切割時可能容易發生元件（晶片）錯位 (misalignment)，且可能使影像辨識困難。再者，為&可 能避免錯位，分子量較佳為4〇〇,〇〇〇或更大。若分子量 太大，則可能於合成及塗覆過程中發生凝膠化。 較佳地，當化合物(A)具有提供5至1〇〇羥基值的 19 1334435 基、環狀酸酐基團、環氧基、以及異氰酸基。單體((1)_2) 之具體例包括丙稀酸、甲基丙稀酸、肉桂酸、衣康酸 (itaconic acid)、反丁烯二酸、鄰苯二曱酸、丙烯酸2_經 基烧酯、甲基丙稀酸2-經基烧酯、二醇單丙烯酸酸、二 醇單曱基丙婦酸酯、N-羥甲基丙婦醯胺、N-經甲基甲基 丙烯醯胺、丙烯醇' 丙烯酸N-燒基胺基乙酯、甲基丙稀 酸N-院基胺基乙醋、丙稀酿胺、甲基丙婦酿胺、；嗔丁稀 二酸酐、衣康酸酐、反丁烯二酸酐、鄰苯二甲酸軒、丙 ♦ 烯酸縮水甘油酯、甲基丙烯酸縮水甘油酯、嫦丙基縮水 甘油謎、以及聚異氰酸酯化合物，其中，該異氰酸基係 以具有羥基或羧基以及放射線可固化碳-碳雙鍵之單體 進行部份氨基曱酸酯化。 當化合物（1)中所使用之官能基，亦即單體((U-2广 為叛基或環狀酸酐基團時’化合物(2)中所使用之官能基 包括羥基、環氧基、異氰酸基等；或當化合物（1)中之官 能基為羥基時，化合物(2)中所使用之官能基包括環狀酸 酐基團、異氰酸基等；當化合物（1)中之官能基為胺基 時，化合物(2)中所使用之官能基包括環氧基、異氰酸基 等；或當化合物（1)中之官能基為環氧基時，化合物 中所使用之官能基包括羧基、環狀酸酐基團、胺基等。 化合物(2)中官能基的具體例包括與例示於單體(ο)。)之 具體例相同之那些官能基。 藉由移除化合物（1)與化合物（2)間之反應中未反應 之官能基，可製造具有例如酸值或羥基值等本發明較佳 18 1334435 防止具有粗糙表面情形之晶圓與切割後元件分散的滿意 效果。 雖然對於如何製造上述化合物⑷並無特定限制，但 化合物(A)可使用下述方法製造，例如藉由將諸如丙稀基 ^共聚物或甲基丙稀基型共聚物等具有放射線可 固化之 碳雙鍵及官能基之化合物(⑴)，與具有可與上述官能 基反應之官能基的化合物((2))反應而製得。 〜在此等化合物巾’具有放射線可固化之碳·碳雙鍵及 b能基之化合物((1))可藉由將諸如丙烯酸烷酯或曱基丙 烯酸烷酯等具有放射線可固化碳_碳雙鍵之單體 ((1)-1)，與具有官能基之單體(⑴·2)共聚合而製得。 單體((1)-1)包括例如分別具有6至12個碳原子之丙 、酸己=、丙烯酸正辛酯、丙烯酸異辛酯、丙烯酸2 _ $，己酯、丙烯酸十二酯、丙烯酸癸酯；或具有5個或 ^少之，原子之例如丙烯酸戊酯、丙烯酸正丁酯、丙烯 異丁i曰、丙烯酸乙酯、及丙烯酸甲酯等單體或與上述 類似之各種甲基丙烯酸酯。 拇於該單體((丨)·1)之情形中，隨著單體之碳原子數目 戶3 ,破璃轉移溫度會變得越低，故而有助於製造具有 ^欲，螭轉移溫度之單體。再者，除了玻璃轉移溫度外， 二:提升相容性及各種效能，可摻雜具有碳-碳雙鍵之低 n量$合物，例如乙酸乙烯酯、苯乙烯及丙烯腈，其 '雜量範圍為單體((1)_1)之總質量的5質量％或更低。 單體((1)-2)具有之官能基例包括：缓基、經基、胺 17 1334435 曱烷二異氰酸酯、二異氰酸曱苯酯、二異氰酸二甲笨醋、 4,4’-二苯基醚二異氰酸酯、以及4,4’-[2,2-雙(4-苯氧基笨 基）丙烷]二異氰酸酯；六亞甲基二異氰酸酯、2,2,4-三甲 基-亞甲基一異乳酸醋、異親j爾綱·一異氛酸酉旨 (sophoronediisocyanate)4,4’_二環己基曱烷二異氰酸酉旨、 2,4’-二環己基甲烷二異氰酸酯、離胺酸二異氰酸酯、以 及離胺酸三異氰酸酯等芳香族異氰酸脂。更具體言之， 可使用市售之產品，例如Coronate L(商品名）等。
再者’關於三聚氰胺/曱醛樹脂，可使用例如市售之 產品，如Nikarack MX-45(商品名，由三和化學公司製 造）’或Melan(商品名，由日立化學公司製造）。 至於環氧樹脂，則可使用例如TETRAD_X(商品名， 由三菱化學公司製造）。 ’ 尤其’本發明以使用聚異氰酸酯為佳。
相對於100質量份之化合物(A)，化合物(B)之添 量以0.1至10質量份為佳，〇4至3質量份更佳。若誃 添加量太小，則改善黏著力之效果可能不足；而若該= 能損害操作性’因為可移除黏著劑進‘ 化σ之插作期間以及塗覆操作期間固 行’導致交聯結構之形成。 、霄陕連進 再者，於本發明中，該可移除黏著層 反應起始劑(C)為佳。可移除黏著層所含有之： 應起始劑(C)例可包括:苯甲酮類，例如二苯甲ί :4反 21 1334435 二曱基胺基f苯甲嗣、4,4，_二乙基胺基二苯甲_、及 4,4’-二氯二苯甲苯乙嗣類例如笨乙㈣、及二乙氧某 苯乙蒽醌類，例如2_乙基惠、以及第三丁基首、醒土; 2-氯噻噸酮、安息香乙醚、安息香異丙醚、苯曱基、 二芳基咪唑一聚體（洛芬鹼二聚體(1〇phinedimer^、以及 吖啶型化合物。此等化合物可單獨使用或組合兩種或多 種使用。 相對於100 s量份之化合物⑷，化合物⑹之添加 量以0.1至10質量份為佳，更佳為〇 5至5質量份。 可使用於本發明之放射線可固化可移除料劑 J要摻雜暫雜轉賦㈣(imparting agent)、 :調節劑、界面活性劑、及其他修飾劑。再者，亦可任 意添加無機化合物填料。 J仗 可移除黏著層之厚度以至少5#m為佳 =ίί，多中=///或_現(大_狀刮痕之 饥或更多與可移除黏著層之總厚度以w 有複，層積層之^5〜m或更少。可移_著層可具 X 1〇5可 著層於8(rc之儲存彈性模數以1χ 1〇4至5 (黏合層） 更佳為2χ 104至5x 104pa° 成切割用晶粒黏_帶之結構中，係進—步形 _ σ層以積層於上述製造之切割膠帶上。 此處之「點合層」一詞意指一層體，該層體 22 1334435 可自可移除黏著層剝離’且卷本 割然後再拾取晶片時仍維持圓等經安裝及切 裝並固定於基板或引線架時%ΓίΓ人二及當晶片安 劑。任何材料皆可使用作為黏合層^ ^為黏合 =常用於切割用晶粒黏貼膠帶之膜二=? 巧口劑以任意丙稀酸系（可移除黏著或)黏合劑、及混合
ΐ/丙黏著劑或)黏合劑為佳’例如環氧樹樹/酚樹 月曰丙烯酸系樹脂。雖然該黏合層厚度可任意設定，但以 約為5至1 〇〇 y m為佳。
於本發明之切割用晶粒黏貼膠帶中，可將預先製成 膜形式之黏合層（後文中，亦稱為黏合膜）用作黏合層； 且該黏合層可藉由積層於本發明所提供之基板上具有前 述中間樹脂層與可移除黏著層之切割膠帶的可移除黏著 層表面上而形成。該積層作業以藉由施加〇1至1〇〇 kgf/cm之線性壓力、於1〇至i〇(TC的溫度範圍内進行為 佳。在此情形中，可使用形成於分離膜(Separat〇r)上之膜 作為黏合劑膜，且該分離膜可於積層後剝離或其本身另 可使用作為切割用晶粒黏貼膠帶之覆蓋膜（載體膜），但 當晶圓等進行安裝時，其可自該膠帶剝離。再者，雖然 黏合膜可積層於可移除黏著層之整個表面上，但預先裁 切（預切）成與待遇安裝之晶圓相對應之特定形式的黏和 合膜亦可予以積層。當與待安裝之晶圓相對應之黏合膜 積層時’於本發明切割用晶粒黏貼膠帶之使用過程中， 以黏合層施用於可移除黏著層上為佳，如此該黏合層係 23 1334435 存在於安裝晶圓之部位，而非存在於安裝切割環架之部 位。一般而言，黏合層可避免自安裝標的剝離，但卻容 易於環架等之上面產生殘留黏劑（亦即’於剝離後仍殘 留及附著黏合劑）。使用預切之黏合膜可確保環架能夠黏 著至可移除黏著層，俾於所使用之膠帶剝離時呈現幾乎 不會在環架上產生殘留黏劑之效果。 以下依據實施例更加詳細地說明本發明，但本發明
並不文該等實施例之限制。該份(“part(s)’’)係指質量份。 [實施例】 n 實施例1至8，比較例1 4 各中間樹脂層組成物、可移除黏著層組成物、以及 黏合膜係以下列方式製備。然後，於1〇〇以坩 =稀:=1=基矣板膜)上’施用該中間樹脂層 組成物以使乾膜厚度如表1所示者，接 行乾燥3分鐘，然後再於所形成之中、 進 黏著層組成物，以形成如表1所顯示 細可移除
於lHTCit行乾燥3分鐘，藉以分卿:膜厚度’其次 帶。將黏合臈施用至任一可移除黏著豚=可移除黏著膠 層於可移除黏著層上，而分別製成如^帶，使黏合層積 至8及比較例1至4之切割用晶粒黏貼1所示實施例1 膠帶）。繼之，則評估所製得膠帶之 > 帶（晶圓加工用 時，係將載體膜自黏著膜剝離。 。當使用該膠帶 中間樹脂層組成物之事辑 (中間樹脂層組成物1A) 24 1334435 將100質量份丙烯酸系樹脂（質量平均分子量 600,000’玻璃轉移溫度-20°C)、以及1〇質量份作為硬化 劑之聚異乱酸醋化合物（商品名：CoronateL，由]Nippon Polyurethane Industry公司製造）進行混合，以獲得中間 樹脂層組成物1A。 (中間樹脂層組成物1B) 將100質量份丙烯酸系樹脂（質量平均分子量 600.000 ’玻璃轉移溫度-20°C)、30質量份作為寡聚物之 # 丙烯酸酯型寡聚物，其中，該寡聚物分子中具有碘值為 0.5至20之光可聚合碳-碳雙鍵、i質量份作為光聚合反 應起始劑之2,2-二曱氧基-2-苯基苯乙_、以及質量 份作為硬化劑之聚異氮酸自旨化合物（商品名：Coronate L，由 Nippon Polyurethane Industry 公司製造）進行混 合’以獲得放射線可固化中間樹脂層組成物1B。 (中間樹脂層組成物1C) 將100質量份丙烯酸系樹脂（質量平均分子量 800,000，玻璃轉移溫度-7。〇、以及10質量份作為硬化 ❿劑之聚異氰酸酯化合物（商品名：Coronate L，由Nippon Polyurethane Industry公司製造）進行混合，以獲得放射 線可固化中間樹脂層組成物1C。 (中間樹脂層組成物1D) 將100質量份丙烯酸系樹脂（質量平均分子量 200.000 ’玻璃轉移溫度-40°C)、100質量份作為寡聚物 之丙烯酸酯型寡聚物，其中，該寡聚物分子中具有碘值 25 1334435 為〇·5至20之光可聚合碳_碳雙鍵、丨質量份作為光聚合 ^應起始劑之2,2-二甲氧基-2-苯基笨乙酮、以及丨質量 份作為硬化劑之聚異氰酸酯化合物（商品名：C〇ronate L，由 Nippon p〇iyurethane Industry 公司製造）進行混 合，以製得放射線可固化中間樹脂層組成物1D。 • 互移除著層組成物之舉備 (可移除黏著劑組成物2A) • 將128g丙烯酸正丁酯、307g丙烯酸2-乙基己酯、 67g甲基丙烯酸甲酯、l.5g甲基丙烯酸、以及作為聚合 反，起始劑之過氧化苯甲醯的混合物溶液滴入於400g 甲苯溶劑中，以任意控制滴入量以及控制反應溫度及反 應時間之方式使該混合物反應，而製得具有官能基之化 合物（1)溶液。 然後，在控制滴入量之情況下，於以上述方式所獲 得之聚合物溶液中添加分別由曱基丙烯酸與乙二醇所合 成之曱基丙烯酸2·羥基乙酯2.5 g作為具有放射線可固 •魯化碳-碳雙鍵及官能基之化合物(2))、以及作為聚合反應 抑制劑之對苯二酚；並以控制反應溫度及反應時間之方 式使該混合物反應，而得到具有放射線可固化碳-碳雙鍵 及具有如表1所示碘值、分子量與玻璃轉移溫度之化合 物(A)溶液。接著，相對於化合物(A)溶液中100質量份 之化合物（A)，於該化合物（1)溶液中添加1質量份 Coronate L(商品名，由 Nippon Polyurethane Industry 公 司製造)作為具異氰酸酯(B)、0.5質量份Irgacure 184(商 26 1334435 品名’由Ciba-Geigy公司製造)作為光聚合反應起始劑、 以及150質量份乙酸乙酯作為溶劑，並混合此等物質以 製備放射線可固化之可移除黏著劑組成物2 A。 (可移除黏著劑組成物2B) • 混合100質量份丙烯酸系樹脂（質量平均分子量 600,000’玻璃轉移溫度-20°C)及10質量份作為硬化劑之 聚異氰酸醋化合物（商品名：Coronate L，由Nippon Polyurethane Industry公司製造），以製得可移除黏著組 鲁 成物2B。 黏合膜之製備 (黏合膜3A) 於50質量份之甲盼-驗酸型環氧樹脂(cresol-novolac epoxy)(環氧基當量197，分子量1,200，以及軟化點70 °C)、1.5質量份氫硫基丙基二曱基矽烷與3質量份7-脲 基丙基三乙氧基矽烷作為矽烷辆合劑、以及30質量份具 有平均粒徑為16nm之石夕填料中添加環己酮，接著進行 攪拌及混合，並進一步使用介質分散機(beads mill)揉捏 * ·所得混合物90分鐘。 . 於所得反應混合物中添加100質量份丙烯酸系樹脂 (質量平均分子量800,000，玻璃轉移溫度_17°C)、5質量 份作為六官能度丙烯酸酯單體之二季戊四醇六丙稀酸 酯、0.5質量份作為硬化劑之六亞曱基二異氰酸酯加成 物、以及2.5質量份Curesol 2PZ (商品名，由Shikoku Kasei公司製造，2-苯基咪唑），將此等成分進行混合及 27 1334435 攪拌，接著於真空下脫氣，而製得黏著劑。 將所得黏合劑施用於經釋放處理（releasing treatment)之25y m厚的聚對苯二曱酸乙二醇酯膜，接著 再於110°C加熱下乾燥1分鐘，以形成具有膜厚度為40 之塗覆膜，並處於B-階狀態，從而製得設有載體膜 之黏合膜3A。 (黏合膜3B) 以製備黏合膜3A之相同方式製造黏合膜3B，惟使 用50質量份之甲酚-酚醛型環氧樹脂(環氧基當量197， 分子量1，200，以及軟化點7〇。〇作為環氧基、以及！質 量份之六亞曱基二異氰酸酯加成物作為硬化劑。 (黏合膜3C) 以製備黏合3A之相同方式製造黏合膜3C，惟使用 0.5質量份之六亞甲基二異氰酸酯加成物作為硬化劑、以 及使用2.5質量份Curesol 2PHZ (商品名，由Shikoku Kasei公司製造’ 2-苯基-4,5-二羥基咪唑）取代curesol 2PZ。
特性評估 將如表1所顯示之實施例1至8及比較例1至4之 切割用晶粒黏貼膠帶，並以下述方式評估下列特性：中 間樹脂層於25。〇及80Ϊ之彈性模數、可移除黏著層於 8(TC之彈性模數、在晶片表面及基板上鬚狀刮痕^數 量、是否觀察得到黏合劑毛邊、側面上碎裂之平 ni)、以及拾取成功率（％)。 ^ = β 28 1334435 (彈性模數） 中間樹脂層及可移除黏著層於25°C及80°C之各彈 性模數係以下列方式進行測量：利用黏彈性計（商品名： ARES ’由Reometric Science公司製造）自（Tc起進行量 測，而動態黏彈性係於溫度增加率為5r/min且頻率1Hz 之條件下進行量測，其中當溫度到達乃^或8(rc時，該 儲存彈性模數G’即定義為各彈性模數。 /在此情形中，所量測之中間樹脂層及可移除黏著層 • 係使用製造後放置I4天所獲得者。 (晶片表面上之鬚狀刮痕數量以及基板表面上之鬚狀刮 痕數量） 於7〇ΐχ 10秒之加熱條件下，將厚100//m且直徑 200mm之矽晶圓黏著至實施例及比較例中所得之任一 切割用晶粒黏貼臈，接著使用切割機（商品名：DAD34〇， 由Disco公司製造)於旋轉數4〇 〇〇〇Γριη且切割速度1〇〇 mm/sec下將晶圓切割成尺寸為5mni>< 5mm之晶片。之 φ後，對於所形成之矽晶圓中心之100個晶片，藉由顯微 觀察(microscopic 〇bservati〇n)方式計算在此等晶粒表面 上之鬚狀刮痕數量，以測定晶片表面之鬚狀刮痕數量。 再者，於黏合劑轉印且黏著於矽晶圓中心之1〇〇個晶片 後，進行剝離，藉由顯微觀察方式計算該矽晶圓中心部 分100個晶片之膠帶上的鬚狀刮痕數量，以測定基板上 之鬚狀刮痕數量。 (是否觀察到黏合劑毛邊） 29 1334435 β在7(TCx 10秒之加熱條件下，將實施例及比較例中 ，得之任一切割用晶粒黏貼膜黏著至厚1〇〇#爪且直徑 j〇mm之矽晶圓，接著利用切割機（商品名：dad34〇，
Disco公司製造)於旋轉數4〇,〇〇〇卬爪且切割速度ι〇〇 二她沈下將晶圓切割成尺寸為5mmx 5mm之晶片。接 者，，由顯微觀察方式觀察業經晶粒黏貼劑轉印及黏著 曰曰圓中心部分之2〇個晶片的側面是否觀察得到黏 合劑毛邊。 (側面碎裂） 以下列方式測量側面之碎裂情形，以評估切割過程 中之龜裂及斷裂(碎裂）。 在70 Cx 10秒之加熱條件下，將實施例及比較例中 =之任-洲用晶_貼難著至厚刚㈣且直徑 士 :之"^晶圓’接著利用切割機(商品名：DAD340， 〇公司製造)於旋轉數40,000 rpm且切割速度100 將晶圓切割成尺寸為5職之晶片。在 =m 5 m m之晶片後’觀察發結切割後之石夕晶 持的50個晶片侧面之碎 ^為侧面碎裂值。此時，該碎裂尺寸係自該晶片邊緣量 (拾取成功率） 所得秒之加熱條件下，將實施例及比較例中 所侍之任一切割用晶粒黏貼膜黏 圓，接著切割成尺寸A 1〇mmv 1Λ厚100/zrn之矽日曰 T為lOmmx i〇mm之晶片。然後，使 30 fl334435 用空冷型高壓水銀燈(8〇W/cm，照射距離為i〇cm)之紫 外線，以200mJ/cm2之強度照射該可移除黏著層。接著， 使用黏晶測試器（die bonder tester)(商品名：cps]〇〇 FM，由NEC Machinery製造)對矽晶圓中心部分之5〇個 晶片進行拾取測試，以每50個晶片所拾取之晶片數目 基礎’測得拾取成功率(％)。此時，於此情形中，係將靠占 合層自該可移除黏著層剝離且仍保有拾取元件者視為私 取成功，以計算拾取成功率。 一 ° 。在各實施例及比較例中，中間樹脂層於80。(：及2S =之彈性模數、可移除黏著層於8(TC之彈性模數、晶片 面及基板上之鬚狀刮痕數量、是否具有黏著劑之毛 栺面片之平均值（以111)、以及拾取成功率係共同 31 334435
一槪 實施例8 < Ο u ΓΛ O 3.4xl05 3.0x10s 3.0x104 Ο 未觀察到 28.2 〇 實施例7 < 〇 〇 » * CQ m o 3.4xl05 3.2xl05 3.0xl04 ο 寸 |未觀察到| | 16.8 I 〇 實施例ό υ 〇 < <N 〇 c o 2.3xl06 ?二） CN 3.0x104 1_ ο 卜 未觀察到 17.6 ο Τ—^ 丨實施例5 | ffl 1 1 2 < ο < o 1.2xl05 1.3xl05 3.0x104 ο 未觀察到 | 26.6 | ο 實施例4 < < (N ο < ΓΛ o 3.2xl05 3_4xl05 3.0xl04 ο 〇 未觀察到 ；23·7 ο 實施例3 < < (N ο ψ c m o CN cn 3.4xl05 3.0x104 ο 〇 未觀察到 ο 實施例2 < < CN ο < m o 3.2x105 3.4x105 3.0x104 ο 1未觀察到 3 ο 實施例1 < Ο < (N ο < m o 3.2x10s 3.4xl05 3.0x104 I_ ο m 謂察到] | 20.5 I ο 中間樹脂層 中間樹脂層厚度 (#m) 可移除黏著層 可移除黏著層厚 度(ym) 黏合層 黏合層厚度("m) m nwi 驟CJ 1¾ 〇 m" u ^ 题g M arm 徵CJ 酸0 gg， COT3 N g£ 1?担 晶片表面之鬚狀 刮痕數量 基板表面之鬚狀 刮痕數量 黏合劑毛邊 側面碎裂(Vm) 拾取成功率（％) 32 1334435
比較例ί ΐΕ^^Γ| 中間樹__ 史間榭脂層厚度 黏合層 黏合層厚度(“ m) 樹脂層_性模數(Pa)， Ψ間樹脂磕彈性模'g^· 25〇C
^UO___ZA Q msilISSI~~ οι 1 <〇 rr~~— Μ 1 (Μ) 苛移除黏#層彈 (Pa), 8Q°C__ ί片表面之鬚 碁板表面之狀刮_帚
Sfc会酿ί主連 磊合劑毛#
^^--1 在使用未設有中間樹脂層之比較例丨及2之 情形中，於切割時會出現黏合劑之毛邊。在 4叙 =著層之比較例！中，晶片表面及基板上之鬚= 數I明顯大於本發明之實施例。再者，於未形 樹脂層而僅增加可移除黏著層厚度之比較例2中，二 2裂顯著增加。再者，於使用比可移除黏著層更的 ;、·作為中間樹脂層之比較例3中’則產生黏合劑毛邊， ^面碎裂顯著增加，同時拾起成功率較差。於比較例 ，僅使用大彈性模數之硬質材料作為可移除獻装 :，雖然沒有觀察到黏著劑毛邊，且刮痕或碎裂亦 出現，但卻無法拾起晶片。 乂 、相對於前述’根據本發明之實施例1至8中， 述特性皆極為優異。再者，藉由使用實施例1至8中: 33 1334435 -切割用晶粒黏貼膠帶進行梦晶圓切割所獲得之5顧 5:丨寸的積體電路晶片，均可藉由黏晶機_ ^接女裝在彳丨線架上’接著於1就之條件下加熱2小 時，結果證實該引線架穩固地黏著於積體電路晶 (其他實施型態） 第2圖係揭示根據本發明之其他實 截面圖。類如第1圖之情形，切割用晶粒黏 結射，悄樹脂層2、可移除黏著詹3 = 系形成於基板膜1上。所基層之黏合層4 係根據丰導體晶圓形狀預切。半導體晶圓係安裝於且右 ^層之部位，環架黏著部位則未具有黏合層，如此該 核架即可黏著至可移除黏著層。 以 在本實施型態中，該環架可黏著至可 當所使用之膠帶剝離時，即呈現出殘留黏 成於該環架上之優良效果。 背附不會形 產業利用扭 本發明之晶圓加工用膠帶可使用作為切 確保切割半導體晶圓時之良好切割性。再者，^ ’ Μ 晶圓加工用膠帶為切割用晶粒黏貼膠帶，可使用^之 切割後將晶片連同黏合劑一起拾取並直接 或基板上之切割用晶粒黏貼膠帶。 ；丨線架 本發明已藉由實施形態加以敘述，然而除 定，本發明並不受限於該等敘述之任何細節，而應依^ 34 1334435 後申請專利範圍所涵蓋之精神及範疇内做廣義的解釋。 【圖式簡單說明】 第1圖係根據本發明將半導體晶圓與切割用環架黏 著於切割用晶粒黏貼膠帶之狀態的剖面示意圖。 第2圖係根據本發明之另一具體實施例將半導體晶 圓與切割環架黏著於切割用晶粒黏貼膠帶之狀態的剖面 不意 【主要元件符號說明】
1 基板膜 2 中間樹脂層 3 可移除黏著層 4 黏著層 10 切割用晶粒黏貼膠帶 11 半導體晶圓 12 切割用環架 35

Claims (1)

  1. • -99：^ 1334435
    ^^4126111號專利申請案 補充、修正後無劃線之說明書修正頁一式三份 十、申請專利範園： i.一種晶圓加工用膠帶，包括中間樹脂層及可移除 2著劑層，該等層係依序積層於基板膜上，其中該中間 f脂層於80。(：之儲存彈性模數係大於該可移除黏著劑 於80 c之儲存彈性模數，而該中間樹脂層於8〇。匚之儲 ::性模數係在8x1.〇4〜lxl〇7pa之範圍該中間樹脂層 具有二維網狀結構之丙婦酸系樹脂形成，同時該可
    移除黏著劑層含有分子中具有放射線硬化型碳雙鍵 物(A)、及選自聚異氰酸酯類、三聚氰胺/甲醛樹 月曰及％氧樹脂之至少一種化合物（B)。 一種晶圓加工用膠帶，包括中間樹脂層、可移除 ίίί層及黏合劑（接著劑）層’該等層係依序積層於 好上其中該中間樹脂層於80<t之儲存彈性模數係 Η = Γ移除黏著綱於贼之儲存彈性模數，而該中 知層於8(TC之儲存彈性模數係在8xi〇4〜ixi〇7pai 昨且該中間樹脂層係由具.有三維網狀結構之丙烯酸 形成’同時該可移祕著劑層含有分子中具有放 類、：=碳_碳雙鍵之化合物⑷、及選自聚異氰酸酯 二聚鼠胺/甲醛樹脂及環氧樹脂之至少一種化合物 )’而該黏合劑層係含有環氧樹脂及丙烯酸樹脂。 盆中it中請專利範圍第1或2項之晶圓加工用谬帶， ，、甲該中間樹脂層於坑之儲存彈性模數係在議M 36 1334435 第94126111號專利申請案 . 補充、修正後無劃線之說明書修正頁一式三份 xlO7 Pa之範圍内。 4. 如申請專利範圍第1或2項之晶圓加工用膠帶， 其中該中間樹脂層係藉由將至少包括丙烯酸系樹脂與硬 化劑之混合物塗覆於基板膜上，再行固化所製成。 5. 如申請專利範圍第2項之晶圓加工用膠帶，該晶 圓加工用膠帶係適用於半導體裝置之製造，包括：切割 時用以將晶圓固定於切割架上以利切割，及將切割後之 晶圓疊合於引線架或半導體晶片上所用， 其中，該晶圓加工用膠帶包括中間樹脂層與可移除 黏著劑層，該等層係依序積層於基板膜上，且包括至少 積層於待黏著晶圓之部位之黏合劑層，而在黏著於切割 架之部位係無設置黏合劑層。 37
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Families Citing this family (58)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4107417B2 (ja) 2002-10-15 2008-06-25 日東電工株式会社 チップ状ワークの固定方法
US7578891B2 (en) * 2004-05-18 2009-08-25 Hitachi Chemical Company, Ltd. Adhesive bonding sheet, semiconductor device using the same, and method for manufacturing such semiconductor device
KR100937293B1 (ko) * 2004-10-15 2010-01-18 미츠비시 레이온 가부시키가이샤 활성 에너지선 경화성 수지 조성물의 시트상 광학 물품용 경화물 및 시트상 광학 물품
JP2007073930A (ja) * 2005-08-11 2007-03-22 Furukawa Electric Co Ltd:The ウエハ加工用テープ
JP5089895B2 (ja) * 2006-03-15 2012-12-05 電気化学工業株式会社 多層粘着シート、多層粘着シート用の粘着シート、及び多層粘着シートを用いた電子部品の製造方法。
JP5286084B2 (ja) * 2006-07-19 2013-09-11 積水化学工業株式会社 ダイシング・ダイボンディングテープ及び半導体チップの製造方法
EP1884981A1 (en) * 2006-08-03 2008-02-06 STMicroelectronics Ltd (Malta) Removable wafer expander for die bonding equipment.
US20100019365A1 (en) * 2006-09-12 2010-01-28 Nitto Denko Corporation Dicing/die bonding film
US20100112272A1 (en) * 2006-10-06 2010-05-06 Sumitomo Bakelite Co., Ltd. Film for use in manufacturing semiconductor devices, method for producing the film and semiconductor device
JP2008163276A (ja) * 2007-01-05 2008-07-17 Nitto Denko Corp 半導体基板加工用粘着シート
JP5196838B2 (ja) * 2007-04-17 2013-05-15 リンテック株式会社 接着剤付きチップの製造方法
CN101772831B (zh) * 2007-07-19 2011-12-21 积水化学工业株式会社 切割和芯片接合用带以及半导体芯片的制造方法
KR20120002556A (ko) * 2007-10-09 2012-01-05 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 접착 필름이 부착된 반도체칩의 제조 방법 및 이 제조 방법에 사용되는 반도체용 접착 필름, 및 반도체 장치의 제조 방법
CN101861369B (zh) * 2007-10-16 2013-01-09 电气化学工业株式会社 粘合剂、粘合片、多层粘合片以及用于电子部件的生产方法
JP4717052B2 (ja) * 2007-11-08 2011-07-06 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
JP4717051B2 (ja) * 2007-11-08 2011-07-06 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
JP5089358B2 (ja) * 2007-12-04 2012-12-05 古河電気工業株式会社 ウエハ加工用テープ
JP2009158503A (ja) * 2007-12-25 2009-07-16 Furukawa Electric Co Ltd:The ウエハ加工用テープ
KR101047923B1 (ko) 2007-12-27 2011-07-08 주식회사 엘지화학 버 특성 및 신뢰성이 우수한 다이싱 다이 본딩 필름 및반도체 장치
KR101023843B1 (ko) 2008-01-11 2011-03-22 주식회사 엘지화학 점착제 조성물, 상기를 포함하는 편광판 및 액정표시장치
KR101023842B1 (ko) * 2008-01-11 2011-03-22 주식회사 엘지화학 점착제 조성물, 상기를 포함하는 편광판 및 액정표시장치
KR101023837B1 (ko) * 2008-01-11 2011-03-22 주식회사 엘지화학 점착제 조성물, 상기를 포함하는 편광판 및 액정표시장치
JP4717085B2 (ja) 2008-01-18 2011-07-06 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
JP4717086B2 (ja) * 2008-01-18 2011-07-06 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
JP4553400B2 (ja) * 2008-02-18 2010-09-29 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
KR101485612B1 (ko) * 2008-04-25 2015-01-22 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 반도체 웨이퍼용 보호 필름
KR101559190B1 (ko) * 2008-05-29 2015-10-12 덴끼 가가꾸 고교 가부시키가이샤 다이싱 방법
KR20110099106A (ko) 2008-11-19 2011-09-06 덴끼 가가꾸 고교 가부시키가이샤 전자 부품의 제조 방법
JP4602450B2 (ja) * 2008-12-02 2010-12-22 日東電工株式会社 半導体装置製造用フィルム及びその製造方法
JP2010219086A (ja) * 2009-03-13 2010-09-30 Furukawa Electric Co Ltd:The ウエハ加工用フィルム及びウエハ加工用フィルムを用いて半導体装置を製造する方法
JP5144567B2 (ja) * 2009-03-18 2013-02-13 古河電気工業株式会社 ウエハ加工用テープ
CN102421865B (zh) 2009-05-12 2013-11-13 电气化学工业株式会社 粘合剂、粘合片及电子元件的制造方法
CN101924056A (zh) 2009-06-15 2010-12-22 日东电工株式会社 半导体背面用切割带集成膜
TWI507501B (zh) 2009-06-15 2015-11-11 Lg Chemical Ltd 用於處理晶圓的薄片
JP4851613B2 (ja) * 2009-12-22 2012-01-11 古河電気工業株式会社 半導体ウエハ表面保護用粘着テープ
KR101083959B1 (ko) * 2010-02-01 2011-11-16 닛토덴코 가부시키가이샤 반도체 장치 제조용 필름 및 반도체 장치의 제조 방법
JP5494075B2 (ja) * 2010-03-19 2014-05-14 住友ベークライト株式会社 ダイシングフィルム
CN102250555B (zh) * 2010-05-17 2015-04-01 古河电气工业株式会社 晶片加工用带
JP5859193B2 (ja) 2010-07-14 2016-02-10 デンカ株式会社 多層粘着シート及び電子部品の製造方法
JP2012079936A (ja) * 2010-10-01 2012-04-19 Nitto Denko Corp ダイシング・ダイボンドフィルム、及び、半導体装置の製造方法
JP5161283B2 (ja) 2010-10-14 2013-03-13 電気化学工業株式会社 電子部品の製造方法
JP5161284B2 (ja) 2010-10-14 2013-03-13 電気化学工業株式会社 電子部品の製造方法
JP5872068B2 (ja) 2012-01-06 2016-03-01 エルジー・ケム・リミテッド 封止用フィルム
US10030174B2 (en) 2013-03-27 2018-07-24 Lintec Corporation Composite sheet for forming protective film
WO2014157471A1 (ja) * 2013-03-28 2014-10-02 古河電気工業株式会社 粘着テープおよびウエハ加工用テープ
KR101484065B1 (ko) 2013-04-29 2015-01-19 에이엠씨주식회사 절삭분 발생이 억제된 반도체용 다이싱 다이 본딩 필름 및 그 제조 방법
CN105264035B (zh) 2013-06-11 2017-10-13 电化株式会社 粘合片以及使用该粘合片的电子元件的制造方法
JP6069142B2 (ja) * 2013-09-11 2017-02-01 デクセリアルズ株式会社 アンダーフィル材、及びこれを用いた半導体装置の製造方法
KR101722137B1 (ko) 2014-01-03 2017-03-31 주식회사 엘지화학 다이싱 필름 및 다이싱 다이본딩 필름
JP6347657B2 (ja) * 2014-04-22 2018-06-27 デクセリアルズ株式会社 保護テープ、及びこれを用いた半導体装置の製造方法
KR102360607B1 (ko) 2014-07-14 2022-02-08 덴카 주식회사 점착 시트, 전자 부품의 제조 방법
TWI678409B (zh) 2015-01-09 2019-12-01 日商電化股份有限公司 切割膠帶
JP6867958B2 (ja) 2016-02-10 2021-05-12 デンカ株式会社 粘着シート
CN109937245B (zh) * 2016-11-17 2022-01-18 琳得科株式会社 半导体加工用粘合片
JP7035347B2 (ja) * 2017-10-05 2022-03-15 昭和電工マテリアルズ株式会社 半導体加工用テープ
WO2019118244A1 (en) 2017-12-11 2019-06-20 Delphon Industries, Llc Carrier for reversibly immobilizing one or more objects
JP7072412B2 (ja) * 2018-03-20 2022-05-20 リンテック株式会社 粘着剤の硬化方法、及び粘着剤の硬化装置
CN113677480A (zh) * 2019-03-29 2021-11-19 三井化学东赛璐株式会社 电子装置的制造方法及粘着性膜

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0298448B1 (en) * 1987-07-08 1994-06-29 The Furukawa Electric Co., Ltd. Radiation-curable adhesive tape
US5149586A (en) * 1987-07-08 1992-09-22 Furukawa Electric Co., Ltd. Radiation-curable adhesive tape
US5281473A (en) * 1987-07-08 1994-01-25 Furakawa Electric Co., Ltd. Radiation-curable adhesive tape
JPH05179211A (ja) * 1991-12-30 1993-07-20 Nitto Denko Corp ダイシング・ダイボンドフイルム
JP3495388B2 (ja) * 1993-07-15 2004-02-09 古河電気工業株式会社 半導体ウエハダイシング用粘着テープ
GB2320615B (en) * 1996-12-19 2001-06-20 Lintec Corp Process for producing a chip and pressure sensitive adhesive sheet for said process
JPH10335271A (ja) * 1997-06-02 1998-12-18 Texas Instr Japan Ltd ウェハ貼着用シートおよび半導体装置の製造方法
JP4053656B2 (ja) * 1998-05-22 2008-02-27 リンテック株式会社 エネルギー線硬化型親水性粘着剤組成物およびその利用方法
TW522531B (en) * 2000-10-20 2003-03-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd Semiconductor device, method of manufacturing the device and mehtod of mounting the device
JP2002158276A (ja) * 2000-11-20 2002-05-31 Hitachi Chem Co Ltd ウエハ貼着用粘着シートおよび半導体装置
JP2003007646A (ja) * 2001-06-18 2003-01-10 Nitto Denko Corp ダイシング用粘着シートおよび切断片の製造方法
JP4803778B2 (ja) * 2001-07-03 2011-10-26 日東電工株式会社 再剥離型粘着剤および再剥離型粘着シート
US20030064579A1 (en) * 2001-09-27 2003-04-03 Masafumi Miyakawa Surface protecting adhesive film for semiconductor wafer and protecting method for semiconductor wafer using said adhesive film
JP2003142505A (ja) * 2001-10-31 2003-05-16 Lintec Corp ウエハダイシング・接着用シートおよび半導体装置の製造方法
JP4067308B2 (ja) * 2002-01-15 2008-03-26 リンテック株式会社 ウエハダイシング・接着用シートおよび半導体装置の製造方法
JP3966808B2 (ja) * 2002-12-03 2007-08-29 古河電気工業株式会社 粘接着テープ
JP4413551B2 (ja) * 2003-07-28 2010-02-10 古河電気工業株式会社 半導体ウエハ面保護用粘着テープ
EP1724320B1 (en) * 2004-03-11 2010-07-21 Nitto Denko Corporation Heat-peelable pressure-sensitive adhesive sheet and method of processing adherend with the heat-peelable pressure-sensitive adhesive sheet

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Publication number Publication date
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TW200613508A (en) 2006-05-01

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