TWI333672B - Wafer-dicing adhesive tape and method of producing chips using the same - Google Patents

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TWI333672B
TWI333672B TW095110530A TW95110530A TWI333672B TW I333672 B TWI333672 B TW I333672B TW 095110530 A TW095110530 A TW 095110530A TW 95110530 A TW95110530 A TW 95110530A TW I333672 B TWI333672 B TW I333672B
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Akira Yabuki
Syozo Yano
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Furukawa Electric Co Ltd
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Description

1333672 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種晶圓切割黏著帶以及一種使用該晶 圓切割黏著帶製造晶片的方法。 【先前技術】 近年來，半導體晶片已顯著發展成薄膜狀且尺寸更小 的曰a片。尤其，就其中埋置有半導體IC晶片的IC卡—例 /己隐卡與智慧卡—而言，該半導體晶片係各需要1 〇〇微 米或更溥的厚度。隨著未來該等需求將會增加，想當然爾 對上述薄膜狀且尺寸更小之晶片的需求亦會大大地增加。 該等半導體晶片可藉由以背面研磨製程、蝕刻製程或 類似製程將半導體晶圓加工成具有預定厚度的薄膜，然後 以切割帶或類似物支撐並固定該半導體晶圓，接著以切割 製程切成塊狀而獲得。隨後’當切割帶具有輻射可固化型 了移除式黏著層時’該等晶片係於以諸如紫外線或電子束 之輕射照射後轉移至一拾取製程，然後在歷經拾取製程和 晶粒接合製程之後被安裝至引線框或類似物上。 在上述的一系列製程當中，就切割製程而言，—個普 遍的方法是刀片切割系統，該系統係牽涉到在以切割帶支 撐並固定半導體晶圓的同時，用切割刀片切割半導體晶 圓。然而，在此情況下’刀片被設定成大約為幾萬個 的旋轉頻率’於是刀片承收相當大的切削阻力而具有摩擦 熱。在某些情況下，刀片可能具有約100。C的增高表面溫 度。一般而言，當晶圓被完全地切開時，視情況而定，該 1333672 膠帶的基底膜亦可被刀片切開，於是一部分的基底膜可能 會被刀片的熱融化。結果，會有絲狀切割廢料產生且在唱 圓表面圖案上被挖出的情形發生。舉例來說，當廢料黏在 電極墊上時’有可能會導致後續引線接合發生困難。就先 前的厚晶圓而言，即便產生了絲狀切割廢料，所產生的程 度最多只是殘留在晶片側面上。據此理由，並不懼怕會導 致上文所提到的引線接合困難。然而，近年來將晶圓形成 籲為薄膜使得絲狀切割廢料容易產生在甚至是晶圓表面上， 而造成上文所提到的困難更加地嚴重。 作為解決該類困難的方法，已提出一種供加工晶圓用 的膠帶，在該膠帶中，一可移除式黏著劑係塗覆在經交聯 之基底膜上〔參閱，舉例來說，jp_a_5_2U234 ( 表 示未經審查的曰本公開專利申請案）〕。此外，有提出一 種方法’該方法係牵涉到在一基底冑上形成一經能量束硬 化之黏彈層且藉由最多切割到黏彈層而不切割到基底膜以 φ將切割限制在-供切割用之黏著薄片内（參閱，舉例來說， JP-A-2003-7646)。 然而，在前者申請案中，基底膜係以刀片於高溫條件 下切割’因此這在晶圓厚度介於1〇〇微米或更少之範圍内 時不-定是足以勝任的。另一方面，在後者申請案中，刀 片並沒有切到基底膜，所以不會有諸如上述般膠帶因刀片 的熱溶化而產生絲狀切割廢料的事件發生。然巾，在此情 況下，黏彈層極厚，盆最女戶 豉大厗度可多達3〇〇微米且係形成 為經能量束硬化之堅硬層。於是，在切割的時候，當刀片 1333672 =黏彈層時，微細粉末狀切割廢料可能會非所欲地從黏 曰產生。此外’假使粉末狀切割廢料黏附 ^面之電極塾上’則可能會發生有可能導致極差之引= ;=題’同時，由於㈣極厚且經硬化之黏彈層的緣故， 可月^發生刀片的明顯磨損，而導致刀片壽命減短。 【發明内容】 …=明係提供-種晶圓切割黏著帶，該晶圓切割黏著 i 在加工一工件（例如晶圓）時支撐並固定該欲被 切割的工件，製诰嗲曰圄利丸# 口疋及欲破 _時可^需進行特殊處 二=底膜之交聯反應，而且該晶圓切割黏著帶在切 J寺不會產生切割廢料，並具有絕佳的拾取特性。再者， =明提供了一種使用該晶圓切割黏著帶製造 法0 本發明人已熱切地研究讀決習用技術之上述問題。 二:”明人發現到一種包含具有含輻射可聚合化合物 之树脂組成物之二或多層 嫌飞夕層了移除式黏著層的晶圓切割黏著 :樹切割黏著帶中’構成最外部可移除式黏著層 可移=的輕射可聚合化合物的含量係和構成内部 -不二；黏者層之樹脂組成物内的輻射可聚合化合物的含 里2可於切割時減少切割廢料且具絕佳的拾取特性。 根據本發明，係提供有下列手段： 上的二多圓切割黏著帶，其包含-在-基底膜 具有含輻射可二=黏著層，該等可移除式黏著層係 。匕σ物之树脂組成物，其中構成最外部 1333672 著層之樹脂組成物内的轄射可聚合化合物的含 構成内部可移除式黏著層之樹脂組成物内的輻射可 聚合化合物的含量不同广射了 =足以傳至經輻射照射之最外部可移除式黏著層，使得 ~曰可輕易地自晶片切塊剝離； …2)根據上方項目（1)之晶圓切割黏著帶，其中 遺構成可移除式黏著層的最外 、 奄人朴人此 树知且成物内的輻射可 ^ 口化&物的含量係大於該構成内部可 脂組成物内的輻射可聚合化合物的含量；" 之樹 ⑶根據上方項目⑴或⑺之晶圓切割點著 :;〇其中該構成可移除式黏著層之最外層的樹脂組成物於 母刚質量份丙稀酸基樹脂係含有50 i 20 射 可聚合化合物，而且苴中哕槿占由Λ 貝里伪輻射 月^構成内部可移除式黏著層之樹 :成物於母100質量份丙稀酸基樹脂係含有5至100質 ®份輻射可聚合化合物；以及 (4) 驟： 種製造晶4的方法’該方法係包含下列步 以根據上方項目（D至（3) ^ Ά ^ J. ^ τ佐項目之晶圓切割 黏者▼支撐並固定一作為欲切割工件之晶圓； 切割該晶圓，俾使切割刀片的最 Α 取低冲觸及該晶圓切割 J者帶最外層的内側或是存在 除式黏著層； 存在卜層㈣的内部可移 以輻射照射該晶圓切割黏著帶；以及 拾取由該方式獲得的晶片切塊。 1333672 製造本發明之晶圓切割黏著帶時可*需進行特殊處 理，例如基底膜之交聯反應。此外，可提供一種使用該類 膠帶來有效地製造晶片而不會在切割時造成任何切割廢料 的方法。 本發明的其他及進-步特徵與優點將由下列說明連同 隨附圖示而更加完整地顯現。 【實施方式】 鲁 此後’將詳細說明本發明。 ::文中’「可移除式黏著劑」-詞意指一種能夠黏 附並在處理（例如固化）之後被移除的試劑。 本發明之晶圓切割黏著帶—如第1圖之截面圖所示— ^括-内部可移除式黏著層2與—最外部可移除式黏著 曰，該荨係以此順序形成在一基底膜3上。如第2 透f圖的釋明圖所顯示，本發明之晶圓切割黏著帶4係經 由:外柯移除式黏著層丨鋪設在具有甜甜圈形狀的環框 安置在固定用厚塊桌9上，俾使最外部可移 面朝上方。在那之後，一欲被切塊之晶二 部可移除式黏著層1上且隨後以刀片7切成多塊 係較=二之本發明之晶圓切割黏… 及基底膜3。當切判;起切塊，俾使刀片7不會觸 移除式黏著層22及1 底部在切割時超過内部可 割廢料。在程中 時，切割時會產生絲狀切 過耘中，切割動作係沿著形成在晶圓5卜 1333672 的刻線6進行。 在本發明中，構成坐落於基底膜3對面之最外部可移 除式黏耆層i的樹脂組成物係含有輕射可聚合化合物於 是該樹脂組成物的暫時黏著強度可藉由照射來降低。妙 而，本發明之晶圓切割黏著帶4直到第3圓所示 製' 前並無曝露至㈣照射，藉此使得晶圓充分地保 持元整。因此，在切割的時候，微細粉末狀切割廢料不會 伙經硬化之可移除式黏著層產生。 在使用本發明之晶圓切割黏著帶4時，第4⑴_ :圖所示的切塊W 5’係被上推釘銷η從晶圓切割黏著 ▼ 4之基底膜3的背側向上推，如第4(b)圖截面圓所顯 不。此時的應力係足以傳至晶片5，，以使位 處的膠帶形狀變形。於是，兮燧彬从田、生> '疋該變形作用造成位於晶片5,末 端處的一膠帶分層起始部分15。不僅如此，内部可移除式 黏著層2亦含有輻射可聚合化合物，使得可多方面地調整 暫時黏著強度’以便容易造成晶片末端處之分層起始部分
15。接下來’如笛 j γ X (c )圖截面圖所顯示，切塊晶片51係 以一吸著筒夾12來拾取。在本文中，圖式裡的元件符號H) 係指吸著臺。 慨相反也在第5 ( a )圖截面圖所顯示之晶圓切割黏著 ’ 14的隋況中’晶圓切割黏著帶14的内部可移除式黏著 層13係由不含輻射可聚合化合物的樹脂組成物製成，即 便晶片5·接下來係^n货c / t、 ’、 第5(b)圖截面圖所示般被上推釘銷
11由基底膜3側而& L 面向上推’由上推釘銷u向上推的應力 / 10 1333672 也會被不含輻射可聚合化合物之内部可移除式黏著層η 的變形動作吸收。由於無應力傳至晶片5，’所以無法產生 晶片5’末端處的分層起始部分且拾取能力可能會發生任何 難題因此，如第5 ( c )圖截面圖所顯示，會有切塊^ 5’未被吸著筒夾12拾取的情形。 此外，習用的晶圓切割黏著帶通常係被完全切進其基 底膜。在此情況下，該基底膜會被供切割用、以高速旋轉 籲的刀片融化’而產生呈絲狀形式的所謂切割廢料。然而， 在本發明中，該膠帶係具有-種俾使可移除式黏著層層合 於基底膜上之組成方式且可藉由避免刀片觸及基底膜來預 防切割廢料的產生。 使用於本發明中的輻射可聚合化合物可視用途而定來 做適當地挑選，而無任何特別的限制。在本發明中，丙烯 酸系樹脂較佳係用作為基底樹脂。丙烯酸系樹脂的例子包 括了丙烯酸系共聚物與甲基丙烯酸系共聚物〔此後亦稱作 # (甲基）丙烯酸系共聚物〕。在該種情況下，可使用一在經 輻射照射之前已適當地和固化劑混掺且交聯者。（曱基）丙 烯酸系共聚物的例子係包括具有(甲基)丙烯酸酯作為各別 聚合物構成單元的聚合物、（甲基）丙稀酸酿系列共聚物的 (/基）丙稀酸系聚合物、帶有官能性單體的共聚物以及該 f聚合物的混合&。該等聚合物的_般性適用分子量可以 疋較同的刀子量，重置平均分子量約為⑽至 1,000,000 〇 固化劑係用於調整暫時性黏著力與黏合力，其係藉由 丄幻3672 和經（甲基）丙稀酸系共聚物處理之官能基反應。固化劑的 ^子包括了：在一個分子中具有二或多個環氧基基團的環 乳化合物，例如丨，3-雙（n，n-二環氧甘油基胺基甲基）環 己烷、1，3-雙（n，N-二環氧甘油基胺基甲基）甲苯、13雙 (N，N•二環氧甘油基胺基甲基）苯以及N，N，N，N，·四環氧 甘油基-間二曱苯；在一個分子中具有二或多個異氰酸峋基 團的異氰酸酯基化合物，例如2,4二異氰酸甲伸苯酯、 籲一異氰酸甲伸苯酯、丨，3_二異氰酸二曱伸苯酯、二異氰 酸二曱伸苯酯以及二苯基曱烷_4,4，_二異氰酸酯；在一個分 子申具有二或多個吖丙啶基基團的吖丙啶基化合物，例如 四羥曱基-三-/3-吖丙啶基丙酸酯、三羥甲基_三_心吖丙啶基 丙@文S曰、二輕甲基丙烧_三_尽_ 0丫丙咬基丙酸醋以及三經曱 基丙院-二-/5- ( 2 -甲基吖丙啶）丙酸酯。所添加的固化劑 伤；!：可視所欲的暫時性黏著力與黏合力而定來調整，且相 對於每100質量份（曱基）丙烯酸系共聚物係適當地為〇1 $至5.0質量份。 在一個分子内具有至少二或多個光可聚合碳·碳雙鍵而 能夠藉由一舉例來說一以光照射形成立體網狀架構的低分 子量化合物係廣泛地用作為輻射可聚合化合物。較佳的是 使用具有介於100至30,000之間的重量平均分子量（Mw) 的寡聚物。該類化合物的例子可包括具有一例如羥基或羧 基之官能基的寡聚物，例如胺基甲酸乙酯丙烯酸酿、環氧 丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯、聚醚丙烯酸酯、（甲基）丙烯酸 寡聚物以及伊康酸系寡聚物。
A 12 1333672 此外’可應用之化合物的特定例子包括了：三羥曱基 丙烷丙烯酸酯、四羥曱基曱烷四丙烯酸酯、三丙烯酸新戊 四醇酯、四丙烯酸新戊四醇酯 '單羥基五丙烯酸二新戊四 醇酯、六丙烯酸二新戊四醇酯、1，4-丁二醇二丙烯酸酯、1，6-己二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯以及寡聚酯丙烯 酸酯；以及胺基甲酸乙酯丙烯酸酯基寡聚物，其包括由具 有羥基基團的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯（舉例來說：2_羥 基乙基丙烯酸醋、2-經基乙基甲基丙烯酸酯、2_羥基丙基 丙烯酸酯、2-羥基丙基甲基丙烯酸酯、聚乙二醇丙烯酸酯 或疋聚乙一醇甲基丙稀酸酯）和末端為異氰酸醋的胺基甲 酸乙酯預聚合物〔其係藉由多價異氰酸酯化合物（舉例來 s兒.2,4-二異氰酸甲伸苯酯、2,6-二異氰酸甲伸苯酯、丨，3_ 一異氰酸二曱伸苯酯、1,4-二異氰酸二甲伸苯酯或是二苯 基甲烷-4,4’-二異氰酸酯）和聚酯類、聚醚類或類似種類的 多π醇化合物反應獲得〕反應所獲得的胺基甲酸乙酯丙烯 酸酯基寡聚物。 该輻射可聚合化合物係含有在其側鏈上具有一或多個 輻射可聚合碳-碳雙鍵作為構成單元的丙烯酸系聚合物。在 其側鏈上具有一或多個輻射可聚合碳_碳雙鍵的輻射可聚合 化σ物疋在其分子内具有碳_碳雙鍵的聚合物。舉例而言， 該化合物可藉由加成聚合作用將一具有一或多個碳-碳雙鍵 的化合物加成至一具有丙烯酸或曱基丙烯酸之烷基酷作為 主要構成單元的共聚物上或者加成至一由丙烯酸或甲基丙 烯酸之烷基酯與另一可和丙烯酸或甲基丙烯酸之烷基酯共 1333672 聚合的不飽和單體所組成的共聚物上而獲得。較佳的是， 該聚合物係具有10 000至1 000 000之重量平均分子量， 同時該聚合物的玻璃轉換溫度可藉由改變烷基酯的混摻比 例來做適當地調整。 订可，除了 . 4 〜σ ηίν y 亦可 使用胺基甲酸乙酯丙烯酸酯基寡聚物。 在本發明中，構成最外部可移除式黏著層之樹脂組成 2㈣㈣可聚合化合物的含量係和構成内部可移 者層之樹脂组成物内的輻射可聚合化合物的含量不同。根 =組成m有可能提供最外料移除絲著層愈内 Γ::Γ黏著層之間經照射輕射之後的暫時黏著強度差 射之最外部可移除式黏著層y輪射照 a u丄丄 斤^有了月匕輕易地將該#尬 =η剝離。較佳的是，最外部可移除式 ： 内的輻射可聚合化合物含量係…成 岸之έ日λ免件便比内部可移除式黏著 層之組成内的輻射可聚合化合 飞黏者 照射之後拾取曰h, 阿來決疋。當經輻射 部可移除式H 成方式可使觸碰到晶片的最外 片_易地脫：㈣時黏著強度充分地降低，以容許曰 月季工易地脫離。尤其，去曰 a谷旰日a 可移除弋黏〇 田日日〉脹且隨後被拾取時，内邱
7移除式黏者層係展現 ㊉内。P 使該等可移除式黏著層彼此分離/疋可進订拾取而不會 而且，在本發明中，較 1之組成内的輕射可聚合化合物：：::：移除式黏著層 -著…叙成内的輕射可聚合==内部可移除式 σ物31，以及構成最 14 1333672 =移:式黏著層，的樹脂組 心系基底樹脂係含有5〇至2〇 : 00貝夏份丙烯 且構成内部可移除式點著層 =刀輪射可聚合化合物 除式黏著層1的内部）之 ：’、子在於該最外部可移 酸系基底樹脂係含有5至：’且質每100質量份丙稀 當可移除式黏著層丨 、里々s射可聚合化合物。 今耆層1内的輻射可聚合化入里 除式黏著層2内的輻射可聚合化合物含可移 可移除式黏著層之樹脂組成物内的 二 =最外部 低於構成内部可移除式聚口化合物含量 合化合物含量時m 曰組成物内的輕射可聚 =里時，最外部可移除式黏著層的暫時 的減會不夠且内部可移除式黏著 強又 方式獲得的膠帶具有極差的拾取性質：無法發=，以該 程度，而且晶圓的膨脹直徑無法達到足夠的位準。f實用的 最外部可移除絲著層丨之__物 射可t合化合物含量少於5〇質量份，則暫時點著強产 =量在某些情形下會不足，所以處理具有晶片尺寸： 、1〇笔米X 10毫米之相對大的晶片會變得很困難。太大 的含量是不適宜的’因為可能發生暫時黏著強度並沒有額 外降低，但可能發生成本增加的相反效應。 再者’假使構成㈣在最外部可移除式黏著層1内側 上的内部可移除式黏著12之樹脂組成物内的輕射可聚人 化合物含量少於5質量份，該含量可能會變成可撓性過： 的主ϋ，可撓性過大可能會導致拾取特性變差或在某些情 况下可能會造成晶片背側的污染。在本發明中，該含量係
15 1333672 父住马1G質量份或更多且更佳為15 f量份或更多。相反 地此假使該含量超㊣1〇〇質量份，則該組成物會變硬，在 f二It况下，結果會導致拾取特性與膨脹特性惡化。最外 部可移除式黏著層i與内部可移除式黏著& 2之間的厚度 比例係視切割刀m或組成物關係而有所變動。然而Γ 基本上，就最外部可移除式黏著I丨而言，只需要考慮晶 片=剝離能力。整體硬度係視内部可移除式黏著層2而有 所變動1此，内部可移除式黏著層2最好比最外部可移 除式黏著I im該等可移除式黏著層的個別厚度， 内部可移除式黏著I 2係具有較佳為5至7〇微米，更佳 為5至20微米之厚度。不僅如此，最外部可移除式黏著 層1係具有較佳為U)至8G微米，更佳& 15至5()微来之 厚度。然巾，本發明中所定義的二或多層可移除式黏著層 並不包括以下列方法製造的多層可移除式黏著層，其中在 内。卩可移除式黏著層2已硬化之後，才設置最外層移除 勘著層1。 +再者，一般而言，在依照該等調整所獲得的可移除式 黏者層經一舉例來說一紫外線或類似物之照射而進行聚合 反應或固化反應時，係使用一光聚合作用起始劑。起始劑 的特定可應用例子包括了異丙基安息香醚、異丁基安息香 醚、二苯基酮、米其勒酮、氯噻吨酮、十二烷基噻吨酮、 ~~甲基噻吨酮、二乙基噻吨酮、苯甲基二甲縮醛苯乙酮、 α_ΐ^基環己基苯基酮以及2·羥基甲基苯基丙烧。 本發明中的晶圓切割黏著帶4的基底膜3並無具體限
16 1333672 制’只要構成可移除式黏著層之樹脂組成物的照射不被阻 擋即可。舉例而言，不但可應用聚氯乙烯與聚乙烯，亦可 應用各式各樣的乙烯基共聚物，例如乙烯-乙酸乙烯酯共聚 物與乙稀-(甲基）丙稀酸酯共聚物，以及各式各樣的彈性 體 '聚酯及尼龍系列。此外，並無特別限制所塗覆的基底 臈3厚度，但依據可使用性及類似性質，其通常介於約3〇 至5 00微米之範圍内。 本發明將依據以下所給定的實施例來更詳細地說明， 但並不意味本發明受限於該等實施例。 實施例 (實施例1至9及比較實施例1至4) <丙烯酸系基底樹脂> 使用一含有2-乙基己基丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯及2-羥乙基丙烯酸酯的共聚物。 <輻射可聚合化合物> 使用一種藉由將作為具有一或多個輻射可聚合碳-碳雙 鍵之化合物的5質量份2-異氰酸酯乙基甲基丙烯酸酯加成 至100質量份聚合物（其係由丁基丙烯酸酯、2-乙基己基 丙烯酸酯、曱基甲基丙烯酸酯與2-羥乙基丙烯酸酯共聚合 獲得）上而獲得的輻射可固化丙烯酸系聚合物。 <可移除式黏著劑的製備> 可移除式黏著劑係由下列獲得：加入1 00質量份的上 述丙烯酸系基底樹脂及作為固化劑的3質量份聚異氰酸酯 化合物（商品名：Colonate L，Nippon Polyurethane Industry 17 1333672
Co.，Ltd.製造），上述輻射可聚合化合物的預定混合份數 係說明於實施例與比較實施例，以及} 份的^經基環 己基苯基酮作4 Μ合作用並將該等混合在一 起。 <晶圓切割黏著帶的製造> 一厚度為100微米的基底膜係使用ΕΜΜΑ樹脂（商品 名 Acrift WD201，Sumitomo Chemical Industrial Co.，Ltd. _製造）藉Φ T型模頭押出成型方法來製備。接下來，在該 基底膜上，具有表丨與表2中實施例與比較實施例所示之 ^組成的一内部可移除式黏著層（可移除式黏著層2)與一 *最外部可移除式黏著層（可移除式黏著層1 )係以此順序 ，·塗覆，俾使内部可移除式黏著層具有35微米之厚度且最 外部可移除式黏著層具有10微米之厚度，藉此獲得—晶 圓切割黏著帶。 <評估>
—將表1與表2中實施例與比較實施例的個別晶圓切割 黏者帶鋪設並固定在一 8吋環框上。在鋪設及固定的同時， 一片厚度100微米的8吋矽晶圓被鋪設在晶圓切割黏著帶 上且隨後用Disco, Co.，Ltd•製造的切割機DAD34〇 (商品 名）以全切開切割法切成尺寸為5毫米χ 5毫米的晶片。 在該過程中’切割刀片深入膠帶表面的深度係該等分別呈 =於表1與表2中者。在切割之後，從膠帶的背側，以一 亡備曝露劑量為500 mJ/cm2之高壓汞蒸氣燈的紫外光照射 行..、、射纟uv照射之後，晶片係於一藉由使用
18 1333672
Machinery，Inc.所製造的Cps_1〇〇FM (商品名）以12毫米 之膨脹衝程膨脹的狀態下被拾取。該拾取動作係使用尖端 半徑為R250之上推釘銷來進行。以下列說明的項目進行 評估。結果展示於表丨與表2中。 <所產生的絲狀切割廢料數量> 切割時由膠帶所產生的絲狀切割廢料數量係以顯微鏡 觀察計算。該觀察係以五道刻線來實行。 〈有或無微細粉末狀切割廢料的產生> 產生自可移除式黏著層並黏在晶圓上的粉末狀切割廢 料數量係以顯微鏡觀察計算，以便確定有或無出現廢料。 <對拾取特性的評估>
實際上使用MEC Machinery Inc.所製造的CPS-100FM (商品名）以2毫米與12毫米之膨脹衝程來拾取晶片， 以便評估晶片能否被一圓形筒夾拉起、吸著，且安裝在引 線框上。此評估係依據200塊晶片當中有多少塊晶片從8 叫晶圓被成功拾取來實施。 <膨脹特性> 當晶圓以12毫米的膨脹衝程膨脹時，分別觀察晶圓直 徑的膨脹率（膨脹時的晶圓直徑/8吋晶圓的原始直徑） 以及切割帶的斷裂與否。
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實施例 9 Ο in 〇 〇 〇 170/200 106% 實施例 8 ο in 〇 〇 〇 〇 162/200 1 107% 實施例 7 Η 〇 in 〇 〇 150/200 108% 實施例 6 Ο η 〇 (N 〇 〇 180/200 106% 實施例 5 ο 〇 〇 1—4 〇 191/200 101% 實施例 4 〇 r〇 〇 〇 173/200 105% 實施例 3 Ο <Ν 〇 1—Η 〇 〇 200/200 104% 實施例 2 〇 1—Η 〇 〇 200/200 104% 實施例 1 Ο ο 〇 1—Η 〇 200/200 105% m 輻射可聚合化合物 (質量份） 丙烯酸系可移除式 黏著劑（質量份） 輻射可聚合化合物 (質量份） 丙烯酸系可移除式 黏著劑（質量份） V0 w U 所產生的切割絲狀廢料數量 有或無微細粉末狀切割廢料的 產生 對拾取特性的評估 晶圓直徑的膨脹比例 膠帶有或無斷裂 ^ 2 染撕1 t襟 可移除式 黏著層2 1333672 比較 實施例4 1—Η 〇 ί"Ή 〇 〇 •ffi友 给·1¾ 膠帶於刻線 部位斷裂 比較 實施例3 〇 100 ( *1 ) 〇 〇 7/200 104% 比較 實施例2 〇 〇 〇 ^-N ro * 'w^ Ο 〇 m 0/200 108% 比較 實施例1 〇 ο (Ν * 〇 〇 •κ· 条 这·Μ 谈\画 .·啤 200/200 105% 輻射可聚合化合物（質量份） 丙烯酸系可移除式黏著劑（質量份） 幸畐射可聚合化合物（質量份） 丙烯酸系可移除式黏著劑（質量份） 切割時切割刀片深入膠帶表面的深度（微米） 所產生的切割絲狀廢料數量 有或無微細粉末狀切割廢料的產生 對拾取性能的評估 晶圓直徑的膨脹比例 膠帶有或無斷裂 可移除式黏 ί% 可移除式黏 C3 /% Ν
Ign-Dtgm 御画撕1 躁茶躁 •b^ 4"^ *4ξτ •ott» MtiP «gdt^ 總W總
TjUV ' 1 ^141^ ML· ^ JlL· *ττχν TTV' 牮礤鹚 错染錄 怒趣韹 繁魏 肊畴!ve -®^1·® /^~Ν/^Ν^Ν ^―' CN m 由表1至表2 ’下列可被證實。 如實施例1 S 3所示，晶圓直徑可於u 衝程充分地膨脹，而會 ’、之膨脹 且拾取特性不會有任何^成4狀切割廢料或微細粉末狀 除式點著声1的“ 而且’在實施例4令，可移 者層1的輻射可聚合化合物含量稍低 好係處於較低位準。然而，在此例中， :7 好的結果，而無發生任何 都獲仔良 —樣。在盘㈣/ 實施例1至3的情形 , ^ 、7、8及9中，因為可移除式黏著声2 的輻射可聚合化合；者層2 位準。妙… 里稍低’所以拾取特性係處於較低 而益發例子中，其他項目都獲得良好的結果， :任何問題’就像實施例43的情形_樣。而且， 物^^中，因為可移除式黏著層2的輕射可聚合化合 3置稍向’所以該層在uv照射之後 ::=:脹直徑不一定是足夠的。此外，拾心 :車乂低位準’因為該硬化可移除式層切12毫米之衝 轻膨脹。然而’在該例中，其他項目都獲得良好的結果， 而無發生任何問題’就像實施例1至3的情形一樣。 相反地’在比較實施例丨巾，可移除式黏著層2係先 精由以輕射照射來硬化。於是’在以刀片切割的時候從可 移除式黏著層2產生大量的切割粉末且隨後黏在晶圓上， =得比較實施们的產物不能發展到實用的程度。在比較 、&例2中，可移除式黏著層2係不含輻射可固化型可移 除式黏著劑’且即使在uv照射之後’該可移除式黏著層 2亦保持柔軟狀態。因此，在拾取時上推釘銷向上推的應
22 1333672 力被柔軟的可移除式黏著層2吸收，使得晶片完全無法被 拾取。 在比較實施例3中，可移除式黏著層1係不含輻射可 固化型可移除式黏著劑，使得暫時黏著強度無法降低。結 果，晶片幾乎無法被拾取。而且，在比較實施例4中，就 可移除式黏著層1内的丙烯酸可移除式黏著劑與可移除式 黏著層2内的丙烯酸可移除式黏著劑而言，輻射可聚合1 合物的含量比例是相等的。此外，輻射可聚合化合物:身 含量極高，該二層在經uv照射後係過於硬化，因此以12 宅米之膨脹衝程係於刻線部位處斷裂。 產業利用性 本發明之晶圓七刀割黏㈣可用來在一欲被切割的工件 (例如晶圓）被加工時支撐並固定該欲被切割的工件。而 且，在使用該晶圓切割黏著帶製造晶片的方法中可有效
地製造具極薄厚度與小尺寸的先進半導體晶片，且不會 切割的時候產生切割廢料。 已對照現有具體實例說明本發明，吾人的意圖是 非另有明確㈣，否則本發明並不受限於發明說明中^ 何細節，而是應在列示於隨附申請專利範圍中的本 精神與範疇内對本發明作廣泛的解讀。 【圖式簡單說明】 圖 第 圓是例示本發明之晶圓切 割黏著帶截面 的截面 第 2圖 是代表使用刀片切割半導體晶圓 之方法的釋明
A 23 圖 第3圖是例示-在切割過程令刀 係位於可移除式$ 片刀下去的最底部 式黏著層2内之狀態的的截面圖。 弟4 U)圖至第4 ( 割帶拾取半導體”… 〜例示使用本發明之切 展示一=; 的截面圖，其中第4“)圖係 日日片被切開之狀態的截面圖， 中一塊晶片被上推釘銷向 （）®係展不其 推狀態的截面圖，以及第4 ::、不—晶片被吸著筒夾拾取之狀態的截面圖。 —(a )圖至第5 ( c )圖分別是例示在使用一種於基 -、的可移除式點著層係非輕射可固化型可移除式黏著 曰之切。:1 ▼的情況下’拾取過程的截面圖，其中第5 ( a ) ::展不一晶片破切開之狀態的截面圖，第5 (匕）圖係展 _ 塊a日片被上推釘銷向上推之狀態的截面圖’以及 第5(〇圖係展示一晶片被吸著筒失拾取之狀態的截面圖。 【主要元件符號說明】 1 :最外部可移除式黏著層 2 4 内部可移除式黏著層 基底膜 晶圓切割黏著帶 晶圓 :(多塊）晶片 刻線 :刀片 :環框 24 6 ： 1333672 9 :固定用厚塊桌 1 〇 :吸著臺 11 :上推釘銷 12 :吸著筒夾 13
不含輻射可聚合化合物 °丨可移除式黏著層 Η:晶圓切割黏著帶’其中的内部可移除式黏著層係 由不含輻射可聚合化合物之樹脂組成物所製成 15 :於晶片末端上的分層起始部分
25

Claims (1)

1333672 十、申請專利範圍： |么m正，頁 一種晶圓切割黏著帶，其包含—在一基底膜上的— •二層可移除式黏著層，其中最内部可移除式黏著層與基底 膜接觸’最外部可移除式黏著層與最内部可移除式黏著層 接觸，該等可移除式黏著層各具有含輻射可聚合化合物之 樹脂組成物， 其中δ亥構成可移除式黏著層的最外部之樹脂組成物内 的輻射可聚合化合物的含量係大於該構成最内部可移除式 黏著層之樹脂組成物内的輻射可聚合化合物的含量；以及 其中一施加至該基底膜的向上推的應力係足以傳至經 *輻射照射之最外部可移除式黏著層，使得最外部可移除式 -點著層可輕易地自晶片切塊剝離。 2. 根據申請專利範圍第丨項之晶圓切割黏著帶，其中 該構成可移除式黏著層之最外層的樹脂組成物於每質 里份丙烯酸系基底樹脂係含有5〇至2〇〇質量份輻射可聚合 g 化合物，而且 其中該構成最内部可移除式黏著層之樹脂組成物於每 1〇〇質量份丙烯酸系基底樹脂係含有5至100質量份輻射可 聚合化合物。 3. 種製造晶片的方法，該方法係包含下列步驟： 以根據申請專利範圍第1或2項之晶圓切割黏著帶支 撐並固定一作為欲切割工件之晶圓； 切割該晶圓，俾使切割刀片的最底部觸及該晶圓切割 勒著帶最外層的内側或是存在於該最外層内部的最内部可 26 1333672 9年9· 1 ·嫩替換頁 移除式黏著層； 以輻射照射該晶圓切割黏著帶；以及 拾取由該方式獲得的晶片切塊。 Η•一、圖式： 如次頁。
27
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