KR101058975B1 - 웨이퍼 다이싱용 점착 테이프 및 그것을 이용한 칩의제조방법 - Google Patents

웨이퍼 다이싱용 점착 테이프 및 그것을 이용한 칩의제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101058975B1
KR101058975B1 KR1020077021652A KR20077021652A KR101058975B1 KR 101058975 B1 KR101058975 B1 KR 101058975B1 KR 1020077021652 A KR1020077021652 A KR 1020077021652A KR 20077021652 A KR20077021652 A KR 20077021652A KR 101058975 B1 KR101058975 B1 KR 101058975B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
adhesive layer
sensitive adhesive
pressure
wafer
dicing
Prior art date
Application number
KR1020077021652A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20070118094A (ko
Inventor
아키라 야부키
쇼조 야노
Original Assignee
후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 filed Critical 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤
Publication of KR20070118094A publication Critical patent/KR20070118094A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101058975B1 publication Critical patent/KR101058975B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J4/00—Adhesives based on organic non-macromolecular compounds having at least one polymerisable carbon-to-carbon unsaturated bond ; adhesives, based on monomers of macromolecular compounds of groups C09J183/00 - C09J183/16
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/22—Plastics; Metallised plastics
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • C09J7/38—Pressure-sensitive adhesives [PSA]
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • C09J7/38—Pressure-sensitive adhesives [PSA]
    • C09J7/381—Pressure-sensitive adhesives [PSA] based on macromolecular compounds obtained by reactions involving only carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • C09J7/385—Acrylic polymers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/20—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive itself
    • C09J2301/208—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive itself the adhesive layer being constituted by at least two or more adjacent or superposed adhesive layers, e.g. multilayer adhesive
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68318—Auxiliary support including means facilitating the separation of a device or wafer from the auxiliary support
    • H01L2221/68322—Auxiliary support including means facilitating the selective separation of some of a plurality of devices from the auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/28—Web or sheet containing structurally defined element or component and having an adhesive outermost layer
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/28—Web or sheet containing structurally defined element or component and having an adhesive outermost layer
    • Y10T428/2852—Adhesive compositions
    • Y10T428/2878—Adhesive compositions including addition polymer from unsaturated monomer
    • Y10T428/2891—Adhesive compositions including addition polymer from unsaturated monomer including addition polymer from alpha-beta unsaturated carboxylic acid [e.g., acrylic acid, methacrylic acid, etc.] Or derivative thereof

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)

Abstract

기재필름상에 점착제층이 설치된 웨이퍼 다이싱용 점착 테이프로서, 상기 점착제층은 2층 이상으로 이루어지고, 어느 점착제층을 구성하는 수지 조성물도 방사선 중합성 화합물을 함유하는 것과 함께, 점착제층의 최외층을 구성하는 수지 조성물에 있어서의 방사선 중합성 화합물의 함유량과 내측의 점착제층을 구성하는 수지 조성물에 있어서의 그것이, 기재필름에 인가한 응력이 방사선 조사 후의 최외층에 충분히 전해져, 상기 층과 칩을 박리하기에 충분할 정도로 다른 웨이퍼 다이싱용 점착 테이프, 및 그것을 이용한 칩의 제조방법.

Description

웨이퍼 다이싱용 점착 테이프 및 그것을 이용한 칩의 제조방법{ADHESIVE TAPE FOR WAFER DICING AND CHIP MANUFACTURING METHOD USING SAME}
본 발명은, 웨이퍼 다이싱(wafer dicing)용 점착 테이프 및 그것을 이용한 칩의 제조방법에 관한 것이다.
최근에 있어서 반도체 칩의 박막화·소칩화(small chip)의 진화는 눈부시고, 특히, 메모리카드나 스마트카드와 같은 반도체 IC칩이 내장된 IC카드의 경우, 반도체 칩의 두께는 100㎛ 이하가 요구되는 것으로, 향후 이러한 수요가 증가하는 것에 따라 상기의 박막화·소칩화의 요구는 보다 한층 높아진다고 생각된다.
이러한 반도체 칩은, 반도체 웨이퍼를 백 그라인드 공정이나 에칭 공정 등에서 소정 두께로 박막화한 후, 다이싱 테이프 등에 의해 지지 고정되어 다이싱 공정으로 칩화되어 얻을 수 있다. 이어서, 다이싱 테이프의 점착제층이 방사선 경화형인 경우는 자외선이나 전자선 등의 방사선을 조사한 후에 픽업 공정으로 옮겨져, 픽업, 다이본딩 공정을 거쳐 리드프레임 등에 탑재된다.
상기의 일련의 공정 중 다이싱 공정은, 다이싱 테이프로 반도체 웨이퍼를 지지 고정한 상태로 다이싱 블레이드에 의해 절단하는 블레이드 커트 방식이 일반적인 방법이지만, 이 경우, 일반적으로 블레이드 회전수는 수만 rpm 정도로 설정되므 로, 블레이드는 상당한 절삭저항을 받고, 마찰열을 갖는다. 경우에 따라서는, 블레이드 표면은 100℃ 전후까지 온도가 상승하는 경우도 있다. 통상, 웨이퍼를 풀 커트 할 때는 테이프의 기재필름까지 블레이드에 의해서 절개되는 것이기 때문에, 블레이드의 열에 의해서 기재필름의 일부가 용융하여 실 형상의 다이싱 부스러기가 발생하여 웨이퍼 표면의 패턴상에 긁어내지는 경우가 있지만, 이것이 예를 들면 전극 패드상에 부착해 버리면 나중에 와이어 본딩 불량으로 연결될 가능성이 있다. 실 형상의 다이싱 부스러기는, 종래와 같이 두꺼운 웨이퍼의 경우는 발생해도 칩 측면에 쌓이는 정도이었기 때문에, 상기와 같은 와이어 본딩 불량으로 연결될 우려는 없었지만, 최근의 웨이퍼의 박막화에 의해, 실 형상의 다이싱 부스러기는 웨이퍼 표면에까지 출현하기 쉬워져, 상기와 같은 문제가 보다 심각하게 되었다.
이것을 해결하는 방법으로서, 가교된 기재필름에 점착제가 도포된 웨이퍼 가공용 테이프(예를 들면, 특허문헌 1 참조)나 기재필름 상에 에너지선으로 경화된 점탄성층을 설치하여, 다이싱에 의한 다이싱용 점착시트의 절개를 점탄성층까지로 하고 기재필름은 절개하지 않는 방법이 제안되고 있다(예를 들면, 특허문헌 2 참조).
그러나, 전자에서는, 기재필름을 고온 상태의 블레이드로 절개하기 때문에, 웨이퍼의 두께가 100㎛ 이하의 영역이 되면 반드시 충분하다고는 할 수 없다. 그에 대한 후자의 방법에서는, 블레이드는 기재필름을 절개하지 않기 때문에, 상기와 같이, 블레이드의 열에 의해서 테이프가 용융하여 실 형상의 다이싱 부스러기가 발생하는 일은 없지만 이 경우의 점탄성층은 최대 300㎛로 매우 두껍고, 또한 에너지선 으로 경화된 딱딱한 층이 되기 때문에, 다이싱하는 경우에 블레이드가 이 점탄성층을 절개해 버리면, 그 점탄성층으로부터 미세한 가루형상의 절삭 부스러기가 발생해 버려, 이 가루형상의 절삭 부스러기가 패턴면의 전극패드상에 부착해 버리면 와이어 본딩 불량으로 연결될 가능성이 있는 것과 함께, 딱딱하고 두꺼운 점탄성층을 절개하는 것에 의해 블레이드의 마모도 현저하게 되어 블레이드 수명의 저하로 연결될 가능성이 있다고 하는 문제가 있었다.
특허문헌 1 : 일본 특허공개공보 평성5-211234호
특허문헌 2 : 일본 특허공개공보 2003-7646호
[발명이 해결하고자 하는 과제]
본 발명은, 웨이퍼 등의 피절단물을 가공할 때에, 상기 피절단물을 지지고정할 때에 사용되는 웨이퍼 가공용 테이프로서, 기재필름을 가교하는 등의 특수한 처리를 실시하는 일 없이 테이프를 제조할 수 있고, 다이싱을 하는 경우에 절삭 부스러기가 발생하는 일 없이, 픽업성이 뛰어난 웨이퍼 다이싱용 점착 테이프 및 그것을 이용한 칩의 제조방법을 제공하는 것이다.
[과제를 해결하기 위한 수단]
본 발명자들은, 상기 과제를 해결하기 위해서 예의 검토한 결과, 점착제층이 2층 이상으로 이루어지고, 상기 점착제층은 모두 방사선 중합성 화합물을 함유하며, 점착제층의 최외층을 구성하는 수지 조성물에 있어서의 방사선 중합성 화합물의 함유량이, 내측의 점착제층을 구성하는 수지 조성물에 있어서의 그것과 다른 웨이퍼 다이싱용 점착 테이프에 의해, 다이싱을 하는 경우의 절삭 부스러기를 저감할 수 있어, 픽업성이 양호한 것을 발견한 것이다.
본 발명에 의하면, 이하의 수단이 제공된다:
(1) 기재필름상에 점착제층이 설치된 웨이퍼 다이싱용 점착 테이프로서, 상기 점착제층은 2층 이상으로 이루어지고, 어느 점착제층을 구성하는 수지 조성물도 방사선 중합성 화합물을 함유하는 것과 함께, 점착제층의 최외층을 구성하는 수지 조성물에 있어서의 방사선 중합성 화합물의 함유량과, 내측의 점착제층을 구성하는 수지 조성물에 있어서의 그것이, 기재필름에 인가한 응력이 방사선 조사 후의 최외층에 충분히 전해져, 상기 층과 칩을 박리하기에 충분할 정도로 다른 것을 특징으로 하는 웨이퍼 다이싱용 점착 테이프,
(2) 상기 점착제층의 최외층을 구성하는 수지 조성물 중에 있어서 방사선 중합성 화합물의 함유량이, 내측의 점착제층을 구성하는 수지 조성물에 있어서의 방사선 중합성 화합물의 함유량보다 큰 것을 특징으로 하는 (1)항 기재의 웨이퍼 다이싱용 점착 테이프,
(3) 상기 점착제층의 최외층을 구성하는 수지 조성물은 아크릴계 베이스 수지 100 질량부에 대해서 상기 방사선 중합성 화합물 50∼200 질량부를 함유하고, 상기 내측의 점착제층을 구성하는 수지 조성물은 아크릴계 베이스 수지 100 질량부에 대해서 상기 방사선 중합성 화합물 5∼100 질량부를 함유하는 것을 특징으로 하는 (1) 또는 (2) 기재의 웨이퍼 다이싱용 점착 테이프, 및
(4) (1)∼(3)의 어느 한 항에 기재된 웨이퍼 다이싱용 점착 테이프로 피절단물인 웨이퍼를 지지 고정하는 공정, 블레이드의 절개의 최하부가 상기 웨이퍼 다이싱용 점착 테이프의 상기 최외층 또는 그것보다 내측의 점착제층 내부에 오도록 웨이퍼를 다이싱하는 공정, 상기 웨이퍼 다이싱용 점착 테이프에 방사선을 조사하여, 절단된 칩을 픽업하는 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 칩의 제조방법.
[발명의 효과]
본 발명의 웨이퍼 다이싱용 점착 테이프는, 기재필름을 가교하는 등의 특수한 처리를 실시하는 일 없이 제조할 수 있고, 다이싱을 하는 경우에 절삭 부스러기가 발생하는 일이 없으며, 그 테이프를 이용하는 것에 의해 칩을 효율적으로 제조하는 방법을 제공할 수 있다.
본 발명의 상기 및 다른 특징 및 이점은, 첨부된 도면과 함께 고려하는 것에 의해, 하기의 기재로부터 보다 분명해질 것이다.
도 1은, 본 발명의 웨이퍼 다이싱용 점착 테이프의 단면을 나타내는 단면도이다.
도 2는, 반도체 웨이퍼를 블레이드에 의해 다이싱하는 프로세스를 표시하는 설명도이다.
도 3은, 다이싱 프로세스에서 블레이드의 절개의 최하부가 점착제층(2) 중간에 있는 상태를 나타내는 단면도이다.
도 4(a)∼(c)는, 본 발명의 다이싱 테이프를 사용한 반도체 칩의 픽업 프로세스를 나타내는 단면도로서, 도 4(a)는 칩이 절단된 상태의 단면도이고, 도 4(b) 는 밀어올림핀으로 밀어 올려진 단면도이며, 도 4(c)는 흡착 콜릿에 의해 픽업되는 상태를 나타내는 단면도이다.
도 5(a)∼(c)는, 기재필름상의 점착제층이 비방사선 경화형 점착제층인 다이싱 테이프를 사용한 경우의 픽업 프로세스를 나타내는 단면도로서, 도 5(a)는 칩이 절단된 상태의 단면도이고, 도 5(b)는 밀어올림핀으로 밀어 올려진 단면도이며, 도 5(c)는 흡착 콜릿에 의해 픽업되는 상태를 나타내는 단면도이다.
[도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명]
1 : 점착제층의 최외층 2 : 내측의 점착제층
3 : 기재필름 4 : 웨이퍼 다이싱용 점착 테이프
5 : 웨이퍼 5' : 칩
6 : 스크라이브 라인 7 : 블레이드
8 : 링 프레임 9 : 고정용 척 테이블
10 : 흡착 스테이지 11 : 밀어올림핀
12 : 흡착 콜릿
13 : 방사선 중합성 화합물을 함유하지 않는 내측의 점착제층
14 : 내측의 점착제층이 방사선 중합성 화합물을 함유하지 않는 수지 조성물로 구성된 웨이퍼 다이싱용 점착 테이프
15 : 칩 단부의 박리의 계기
[발명을 실시하기 위한 최선의 형태]
이하에서 본 발명을 상세하게 설명한다.
한편, 본 발명에 있어서, '점착제'란, 점착 후에 경화 등의 처리에 따라 박리를 가능하게 하는 약제를 의미한다.
본 발명의 웨이퍼 다이싱용 점착 테이프(4)는, 도 1의 단면도에 도시된 바와 같이, 기재필름(3)상에 내측의 점착제층(2), 점착제층의 최외층(1)이 그 순서대로 형성되어 있다. 도 2의 사시도에 대한 설명도에서 나타내는 바와 같이, 본 발명의 웨이퍼 다이싱용 점착 테이프(4)는, 점착제층의 최외층(1)을 통하여 도너츠 형태의 형상을 갖는 링 프레임(8)에 덧붙여져, 고정용 척 테이블(9)에 점착제층의 최외층(1)이 위쪽이 되도록, 얹어 놓여진다. 그 후, 그 점착제층의 최외층(1)에 절단할 웨이퍼(5)가 덧붙여지고, 블레이드(7)로 칩(5')이 잘게 절단된다.
본 발명의 웨이퍼 다이싱용 점착 테이프(4)는, 도 3의 단면도에 나타내는 바와 같이, 기재필름(3)에 도달하지 않도록 블레이드(7)로 칩(5')과 함께 잘게 절단되는 것이 바람직하다. 다이싱 하는 경우의 블레이드의 절개의 최하부가 내측의 점착제층(2)을 넘어, 기재필름(3)에 도달하면, 다이싱하는 경우에 실 형상의 절삭 부스러기가 발생한다. 다이싱 공정에 있어서는, 웨이퍼(5)에 설치된 스크라이브 라인 (6)을 따라서 잘게 절단된다.
본 발명에 있어서는, 기재필름(3)과 반대측의 점착제층의 최외층(1)을 구성하는 수지 조성물은, 방사선 중합성 화합물을 함유하고, 방사선 조사에 의해 점착력이 저감된다.
그러나, 본 발명의 웨이퍼 다이싱용 점착 테이프(4)는 도 3에 나타내는 바와 같은 다이싱 공정까지는 방사선이 조사되지 않으므로, 충분히 웨이퍼는 유지된다. 따라서 다이싱하는 경우에는, 경화된 점착제층으로부터 작은 가루형상의 절삭 부스러기가 발생하는 일은 없다.
본 발명의 웨이퍼 다이싱용 점착 테이프를 사용한 경우에는, 도 4(a)의 단면도에 나타내는 바와 같이 절단된 칩(5')은, 이어서, 도 4(b)의 단면도에 나타내는 바와 같이 웨이퍼 다이싱용 점착 테이프(4)의 기재필름(3)의 배면으로부터 밀어올림핀(11)으로 밀어 올려져, 그때의 응력이 충분히 칩(5')에 전해져, 칩(5') 단부에 있어서의 테이프가 변형하여, 그 변형에 의해서 칩(5') 단부의 박리의 계기(15)가 생긴다. 또한 내층의 점착제층(2)에도 방사선 중합성 화합물이 함유되어 있으므로, 다이싱 공정 종료 후에, 칩 단부의 박리의 계기(15)가 생기기 쉽게 폭넓게 점착력의 제어를 실시할 수 있다. 이어서, 도 4(c)의 단면도에 나타내는 바와 같이 절단된 칩(5')이 흡착 콜릿(12)으로 픽업된다. 한편, 도면 중 도면 부호 10은 흡착 스테이지이다.
그것에 비해서 도 5(a)의 단면도에 나타내는 내측의 점착제층(13)이 방사선 중합성 화합물을 함유하지 않는 수지 조성물로 구성된 웨이퍼 다이싱용 점착 테이프(14)의 경우에는, 이어지는 도 5(b)의 단면도에 나타내는 바와 같이 밀어올림핀(11)으로 기재필름(3) 측으로부터 칩(5')을 밀어 올려도, 밀어올림핀(11)에 의한 밀어올림 응력이, 방사선 중합성 화합물을 함유하지 않는 내측의 점착제층(13)의 변형에 의해 흡수되어 버려, 칩(5')에 그 응력이 전해지지 않는 결과, 칩(5') 단부의 박리의 계기가 생기지 않아, 픽업성에 문제가 생기고, 도 5(c)의 단면도에 나타 내는 바와 같이 절단된 칩(5')이 흡착 콜릿(12)으로 픽업되지 않는 경우가 있다.
또한 종래의 웨이퍼 다이싱용 점착 테이프에서는, 기재필름까지 완전히 절개하는 것이 일반적이다. 그 경우에는, 잘게 절단하기 위해서 이용되는 고속 회전하는 블레이드에 의해 기재필름이 용융하여, 실 형상의 이른바 다이싱 부스러기가 발생한다. 그런데 본 발명에 있어서는, 기재필름상에 점착제층이 적층된 구조로 되어 있고, 블레이드는 기재필름까지 도달하지 않도록 하는 것에 의해, 다이싱 부스러기가 발생하지 않게 할 수 있다.
본 발명에서 이용하는 방사선 중합성 화합물은, 특별히 제한되는 것이 아니라 용도에 따라 적당히 선택할 수 있지만, 본 발명에 있어서는 아크릴계 수지를 베이스 수지로 하는 것이 바람직하다. 그 예로서 아크릴계 공중합체나 메타크릴계 공중합체(이하, (메타)아크릴계 공중합체라고 하는 경우도 있다)를 들 수 있다. 그 경우에는, 적당히 경화제를 배합하여, 방사선 조사 전에 가교되어 있는 것을 사용할 수 있다. (메타)아크릴계 공중합체는, 예를 들면 (메타)아크릴산 에스테르를 중합체 구성단위로 하는 중합체, 및 (메타)아크릴산 에스테르계 공중합체의 (메타)아크릴계 중합체, 혹은 관능성 단량체와의 공중합체, 및 이러한 중합체의 혼합물 등을 들 수 있다. 이러한 중합체의 분자량으로서는 중량 평균 분자량이 50만∼100만 정도의 고분자량의 것이 일반적으로 적용된다.
경화제는, (메타)아크릴계 공중합체가 갖는 관능기와 반응시켜 점착력 및 응집력을 조정하기 위해서 이용된다. 예를 들면, 1,3-비스(N,N-디글리시딜아미노메틸)시클로헥산, 1,3-비스(N,N-디글리시딜아미노메틸)톨루엔, 1,3-비스(N,N-디글리 시딜아미노메틸)벤젠, N,N,N,N'-테트라글리시딜-m-크실렌디아민 등의 분자중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 에폭시화합물, 2,4-톨릴렌 디이소시아네이트, 2,6-톨릴렌 디이소시아네이트, 1,3-크실리렌 디이소시아네이트, 1,4-크실리렌 디이소시아네이트, 디페닐메탄-4,4'-디이소시아네이트 등의 분자중에 2개 이상의 이소시아네이트기를 갖는 이소시아네이트계 화합물, 테트라메틸올-트리-β-아지리디닐프로피오네이트, 트리메틸올-트리-β-아지리디닐프로피오네이트, 트리메틸올프로판-트리-β-아지리디닐프로피오네이트, 트리메틸올프로판-트리-β-(2-메틸아지리딘)프로피오네이트 등의 분자중에 2개 이상의 아지리디닐기를 갖는 아지리딘계 화합물 등을 들 수 있다. 경화제의 첨가량은, 원하는 점착력 및 응집력에 따라 조정하면 되고 (메타)아크릴계 공중합체 100 질량부에 대해서 0.1∼5.0질량부가 적당하다.
방사선 중합성 화합물은, 예를 들면 광조사에 의해서 3차원 망상화할 수 있는 분자 내에 광중합성 탄소-탄소 이중결합을 적어도 2개 이상 갖는 저분량 화합물이 넓게 이용되고, 중량 평균 분자량(Mw)이 100에서 30000의 범위에 있는 올리고머를 이용하는 것이 바람직하다. 이러한 화합물로서는, 우레탄 아크릴레이트, 에폭시 아크릴레이트, 폴리에스테르 아크릴레이트, 폴리에테르 아크릴레이트, (메타)아크릴산 올리고머 및, 이타콘산 올리고머와 같이 수산기 혹은 카르복실기 등의 관능기를 갖는 올리고머를 들 수 있다.
그 외 구체적으로는, 트리메틸올 프로판트리아크릴레이트, 테트라메틸올 메탄테트라아크릴레이트, 펜타에리스리톨 트리아크릴레이트, 펜타에리스리톨 테트라아크릴레이트, 디펜타에리스리톨 모노히드록시펜타아크릴레이트, 디펜타에리스리톨 헥사아크릴레이트, 1,4-부틸렌 글리콜아크릴레이트, 1,6-헥산디올디아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜 디아크릴레이트나, 올리고에스테르 아크릴레이트, 또한, 우레탄 아크릴레이트계 올리고머로서는, 폴리에스테르형 또는 폴리에테르형 등의 폴리올 화합물과, 다가 이소시아네이트 화합물(예를 들면, 2,4-톨릴렌디이소시아네이트, 2,6-톨릴렌디이소시아네이트, 1,3-크실리렌디이소시아네이트, 1,4-크실리렌디이소시아네이트, 디페닐메탄 4,4-디이소시아네이트 등)을 반응시켜 얻을 수 있는 말단 이소시아네이트 우레탄 프리폴리머에, 히드록실기를 갖는 아크릴레이트 혹은 메타크릴레이트(예를 들면, 2-히드록시에틸 아크릴레이트, 2-히드록시에틸 메타크릴레이트, 2-히드록시프로필 아크릴레이트, 2-히드록시프로필 메타크릴레이트, 폴리에틸렌 글리콜아크릴레이트, 폴리에틸렌 글리콜 메타크릴레이트 등)를 반응시켜 얻을 수 있는 것이 적용 가능하다.
이 방사선 중합성 화합물은, 측쇄에 방사선 중합성 탄소-탄소 이중결합을 하나 이상 갖는 아크릴계 중합체를 구성단위로서 포함하는 것이다. 측쇄에 방사선 중합성 탄소-탄소 이중결합을 하나 이상 갖는 방사선 중합성 화합물이란 분자내에 탄소-탄소 이중결합을 함유하고 있는 폴리머로서, 예를 들면, 아크릴산, 메타크릴산의 알킬 에스테르를 주요 구성단위로 하는 단독 중합체, 혹은, 아크릴산 또는 메타크릴산의 알킬 에스테르와 이것에 공중합이 가능한 다른 불포화 모노머와의 공중합체에 탄소-탄소 이중결합을 하나 이상 갖는 화합물을 부가 중합하는 것에 의해서 얻을 수 있다. 이 폴리머는, 바람직하게는, 중량 평균 분자량이 1만∼100만이며, 유리 전이점은 알킬 에스테르의 배합 비율을 변경하는 것으로 적당히 조정 가능하 다.
또한 상기와 같은 아크릴레이트계 화합물 외에, 우레탄 아크릴레이트계 올리고머를 이용하는 것도 가능하다.
본 발명에 있어서는, 점착제층의 최외층을 구성하는 수지 조성물에 있어서의 방사선 중합성 화합물의 함유량이, 내측의 점착제층을 구성하는 수지 조성물에 있어서의 그것과 다른 것이다. 이러한 구성으로 하는 것에 의해, 점착제층의 최외층과 내측의 점착제층의 방사선 조사 후의 점착력에 차이를 낼 수 있고, 기재필름에 인가한 응력이 방사선 조사 후의 최외층에 충분히 전해지므로 상기 층과 칩을 용이하게 박리할 수 있다. 바람직하게는, 최외층의 점착제층의 조성물중에 있어서 방사선 중합성 화합물의 함유량이, 내측의 점착제층의 조성물중에 있어서의 방사선 중합성 화합물의 함유량보다 많게 된다. 이러한 구성으로 인해, 방사선 조사 후에 픽업하는 경우에, 칩에 접촉하는 최외층의 점착제층의 점착력은 충분히 저감되어, 용이하게 박리할 수 있는 한편, 특히 확장하여 픽업하는 경우에는, 내측의 점착제층이 유연성을 갖고, 점착제층끼리 박리하는 일 없이 픽업할 수 있다.
또한 본 발명에 있어서는, 점착제층의 최외층(1)의 조성물중에 있어서의 방사선 중합성 화합물의 비율이, 내측의 점착제층(2)의 조성물중에 있어서의 방사선 중합성 화합물의 비율보다 크게 한 다음, 점착제층의 최외층(1)을 구성하는 수지 조성물은 아크릴계 베이스 수지 100질량부에 대해서 상기 방사선 중합성 화합물 50∼200질량부를 함유하고, 상기 점착제층의 최외층(1)보다 안쪽에 위치하는 내측의 점착제층(2)을 구성하는 수지 조성물은 아크릴계 베이스 수지 100질량부에 대해서 상기 방사선 중합성 화합물 5∼100질량부로 하는 것이 바람직하다. 점착제층(1)의 방사선 중합성 화합물의 함유량이 낮고, 또한, 내측의 점착제층(2)의 방사선 중합성 화합물의 함유량이 많으며, 점착제층 최외층을 구성하는 수지 조성물중의 방사선 중합성 화합물의 함유량이, 점착제층 내층을 구성하는 수지 조성물중의 방사선 중합성 화합물의 함유량보다 작아지면, 점착제층 최외층의 점착력 저감이 충분하지 않으며, 또한 점착제층 내층이 약간 굳어지기 때문에 픽업성이 매우 나빠져, 실용 수준에 미치지 못하고, 웨이퍼 지름확대도 충분한 수준에 이르지 못하게 된다.
점착제층의 최외층(1)을 구성하는 수지 조성물중의 방사선 중합성 화합물의 함유량은, 50질량부 미만이 되면 점착력의 저감이 불충분하고 칩사이즈가 10㎜×10㎜를 넘는 비교적 큰 칩의 경우에 대응할 수 없게 되는 경우가 있고, 너무 많아도 그 이상은 점착력이 저감하지 않고 오히려 비용상승으로 연결되어 버리기 때문에 바람직하지 않다.
또한 점착제층의 최외층(1)의 안쪽에 위치하는 내측의 점착제층(2)을 구성하는 수지 조성물중의 방사선 중합성 화합물의 함유량은, 5질량부 미만이 되면 너무 부드러워져 픽업성의 악화로 연결되거나, 칩 이면의 오염을 유발하는 원인이 되는 경우가 있다. 10질량부 이상으로 하는 것이 바람직하고, 15질량부 이상으로 하는 것이 더욱 바람직하다. 또한, 100질량부를 넘으면 딱딱해져버려 픽업성·확장성의 악화로 연결되는 경우가 있다. 점착제층의 최외층(1)과 내측의 점착제층(2)의 두께 비율에 대해서는 상술의 블레이드 절개 깊이와의 관계나 조성 구성에 따라서 달라지지만, 기본적으로는 점착제층의 최외층(1)은 칩의 박리성만을 고려하면 좋고, 전 체적인 딱딱함을 좌우하는 것은 내측의 점착제층(2)이므로, 내측의 점착제층(2)의 두께 > 점착제층의 최외층(1)의 두께가 되는 것이 바람직하다. 각각의 점착제층의 두께로서는, 내측의 점착제층(2)이 5∼70㎛로 하는 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 5∼20㎛이다. 또한 점착제층의 최외층(1)은 10∼80㎛로 하는 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 15∼50㎛이다. 다만, 내측의 점착제층(2)이 경화된 후에, 점착제층의 최외층(1)이 설치된 점착제층은, 본 발명에 있어서의 2층 이상의 점착제층에는 포함되지 않는다.
또한 이러한 조정에 의해 얻어진 점착제층을 예를 들면 자외선 등의 조사에 의해서 중합, 경화시키는 경우에는, 통상 광중합 개시제가 이용된다. 구체적으로는, 이소프로필 벤조인에테르, 이소부틸 벤조인에테르, 벤조페논, 미힐러케톤, 클로로티옥산톤, 도데실티옥산톤, 디메틸티옥산톤, 디에틸티옥산톤, 벤질디메틸케탈, α-히드록시시클로헥실페닐케톤, 2-히드록시메틸페닐프로판 등이 적용 가능하다.
본 발명에 있어서의 웨이퍼 다이싱용 점착 테이프(4)의 기재필름(3)은, 점착제층을 구성하는 수지 조성물의 방사선 조사를 방해할 수 없는 것이면 특별히 제한은 없다. 예를 들면, 폴리염화비닐, 폴리에틸렌 외, 에틸렌-초산비닐 공중합체나 에틸렌-(메타)아크릴산 에스테르공중합체 등의 각종 에틸렌계 공중합체, 또는 각종 엘라스토머, 폴리에스테르, 나일론계 등의 것을 여러 가지 적용할 수 있다. 또한 기재필름(3)의 두께도 제한은 없지만, 일반적으로는 작업성 등의 점으로부터 30∼500㎛ 두께 정도의 것이 적용된다.
이하, 본 발명을 실시예에 기초하여 더 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이 러한 실시예에 한정되는 것은 아니다.
(실시예 1∼9 및 비교예 1∼4)
<아크릴계 베이스 수지>
2-에틸헥실 아크릴레이트, 메틸 아크릴레이트, 2-히드록시에틸 아크릴레이트로 이루어지는 공중합체를 사용하였다.
<방사선 중합성 화합물>
부틸아크릴레이트, 2-에틸헥실 아크릴레이트, 메틸 메타크릴레이트, 2-히드록시에틸 아크릴레이트를 공중합하여 얻을 수 있는 폴리머 100질량부에 대해서, 방사선 중합성 탄소-탄소 이중결합을 하나 이상 갖는 화합물로서 2-이소시아네이트 에틸 메타크릴레이트를 5질량부 부가하여 얻어진 방사선 경화성 아크릴계 폴리머를 사용하였다.
<점착제의 조제>
상기 아크릴계 베이스 수지 100 질량부에, 경화제로서 폴리이소시아네이트 화합물(일본 폴리우레탄사제, 상품명 콜로네이트 L)을 3질량부, 상기 방사선 중합성 화합물을 실시예, 비교예에 기재한 배합부수, 및 광중합 개시제로서 α-히드록시시클로헥실페닐케톤을 1질량부 첨가하고, 혼합하여 점착제를 얻었다.
<웨이퍼 다이싱용 점착 테이프의 제작>
EMMA 수지(스미토모가가쿠사제, 상품명 : 아크리프트 WD201)를 이용하여 T다이법에 의해 두께 100㎛의 기재필름을 제작하여, 이 기재필름에, 표 1 및 표 2의 실시예·비교예에 나타난 구성의 내측의 점착제층(점착제층(2)) 및 최외층의 점착 제층(점착제층(1))을, 각각 내측의 점착제층의 두께가 35㎛, 최외층의 점착제층의 두께가 10㎛가 되도록, 이 순서로 도공하여 웨이퍼 다이싱용 점착 테이프를 얻었다.
<평가>
표 1 및 표 2의 실시예·비교예의 웨이퍼 다이싱용 점착 테이프를 8인치용 링 프레임에 점착 고정하여, 그 점착 고정된 상태로 웨이퍼 다이싱용 점착 테이프에 100㎛ 두께의 8인치 실리콘웨이퍼를 덧붙여, 디스코사제 다이싱장치 DAD340(상품명)에서 5㎜×5㎜의 칩 사이즈로 풀컷 다이싱하였다. 이때의 테이프 면으로부터의 블레이드의 절개 깊이는 표 1 및 표 2에 나타낸 깊이로 하였다. 다이싱 후, 고압 수은등 램프의 자외선 조사기로 테이프 배면측으로부터 조사량이 500mJ/㎠가 되도록 조사를 실시하여, 자외선 조사 후, NEC 매시너리제 CPS-100FM(상품명)을 이용하여 확장 스트로크 12㎜에서 확장하여 그 상태로 픽업을 실시하였다. 픽업은 선단지름으로 R250의 밀어올림핀을 이용하여 행하였다. 평가항목은 이하의 항목에 대해 실시하였다. 결과를 표 1 및 표 2에 나타낸다.
<실 형상 다이싱 부스러기 발생수>
다이싱에 의해 테이프로부터 발생하는 실 형상의 다이싱 부스러기의 발생수를 현미경으로 관찰하여 카운트하였다. 관찰은 스크라이브 라인 5개분에 대해서 실시하였다.
<작은 가루형상의 절삭 부스러기 발생의 유무>
다이싱에 의해 점착제층으로부터 발생하여 웨이퍼상에 부착하는 가루형상의 절삭 부스러기의 발생수를 현미경으로 관찰하여 그 유무를 확인하였다.
<픽업성 평가>
NEC 매시너리제 CPS-100FM(상품명)을 이용하여 확장 스트로크를 2㎜ 및 12㎜로 하여 칩을 실제로 픽업하여, 칩이 문제없이 밀어올림→원형 콜릿에 흡착→리드프레임상에 설치되는지를 평가하였다. 평가는, 8인치 웨이퍼중에서 200칩을 픽업하여, 그 중 얼마만큼의 칩이 성공했는지를 평가하였다.
<확장성>
확장 스트로크 12㎜로 확장을 했을 때 웨이퍼 지름확대율(확장시의 웨이퍼 직경/8인치 웨이퍼의 원래 직경), 및 다이싱 테이프의 파단(破斷)의 유무를 관찰하였다.
Figure 112007068377620-pct00001
Figure 112007068377620-pct00002
*1 아크릴계 점착제만으로 구성된 비방사선 경화형 점착제
*2 도공 후, 점착제층(1)을 도공하기 전에 자외선 조사하여 경화시켰다
*3 아크릴계 점착제만으로 구성된 비방사선 경화형 점착제
표 1∼2로부터, 다음을 알 수 있다.
실시예 1∼3으로부터 알 수 있는 바와 같이, 실 형상 다이싱 부스러기, 작은 가루형상의 절삭 부스러기의 발생도 없고 픽업성에도 문제없이, 12㎜의 스트로크의 확장, 그리고, 테이프 파단은 없고, 웨이퍼도 충분히 지름이 확대되었다. 또한 실시예 4에서는, 점착제층(1)의 방사선 중합성 화합물의 함유량이 약간 낮았기 때문에 픽업성이 약간 저하했지만, 그 이외의 항목에 대해서는 실시예 1∼3과 같이, 아무런 문제없이 양호한 결과를 얻을 수 있었다. 실시예 6, 7, 8, 9에서는, 점착제층 (2)의 방사선 중합성 화합물의 함유량이 약간 낮았기 때문에 픽업성이 약간 저하했지만, 그 이외의 항목에 대해서는 실시예 1∼3과 같이, 아무런 문제없이 양호한 결과를 얻을 수 있었다. 또한 실시예 5에서는, 점착제층(2)의 방사선 중합성 화합물의 함유량이 약간 많았기 때문에 자외선 조사 후에 딱딱해져서, 그 때문에 확장에 의한 웨이퍼 지름확대가 반드시 충분하지 않았고, 딱딱한 점착제층을 12㎜ 스트로크로 확장했기 때문에 픽업성이 약간 저하했지만, 이것들 이외의 항목에 대해서는 실시예 1∼3과 같이, 아무런 문제없이 양호한 결과를 얻을 수 있었다.
그것에 비해서, 비교예 1에서는, 점착제층(2)이 미리 자외선 조사에 의해 경화되어 있었기 때문에, 블레이드에 의한 절단시에 점착제층(2)으로부터 다량의 절삭 가루가 발생하여 웨이퍼상에 부착하여 실용성이 없었다. 비교예 2에서는, 점착제층(2)에는 방사선 경화형 점착제가 포함되지 않아 자외선 조사 후에도 부드러운 상태이기 때문에, 픽업시의 밀어올림핀에 의한 밀어올림 응력을 부드러운 점착제층(2)이 흡수해 버려 완전히 칩을 픽업할 수가 없었다.
비교예 3에서는, 점착제층(1)에는 방사선 경화형 점착제가 포함되지 않기 때문에 점착력이 저감하지 않고, 그 결과, 대부분 칩을 픽업할 수가 없었다. 또한 비교예 4에서는, 점착제층(1)과 다른 점착제층(2)의, 아크릴계 점착제에 대한 방사선 중합성 화합물의 함유 비율이 동등하고, 또한, 방사선 중합성 화합물의 함유량 자체가 많으며, 자외선 조사 후에 양 점착제층 모두 너무 딱딱해져서 12㎜ 스트로크의 확장에 의해 스크라이브 라인부에서 파단되어 버렸다.
본 발명의 웨이퍼 다이싱용 점착 테이프는, 웨이퍼 등의 피절단물을 가공할 때에, 상기 피절단물을 지지 고정할 때에 이용할 수 있고, 또한, 그것을 이용한 칩의 제조방법에 대해서는, 다이싱시에 절삭 부스러기가 발생하는 일이 없고, 박막화·소칩화가 진행된 반도체 칩을 효율적으로 제조할 수 있다.
본 발명을 그 실시형태와 함께 설명했지만, 우리는 특별히 지정하지 않는 한 우리의 발명을 상기 설명의 어느 세부에 한정하려고 하는 것이 아니라, 첨부된 청구의 범위에 나타내는 본 발명의 정신과 범위에 반하는 일 없이 폭넓게 해석되는 것이 당연하다고 생각한다.

Claims (4)

  1. 기재필름상에 점착제층이 설치된 웨이퍼 다이싱용 점착 테이프로서, 상기 점착제층은 2층으로 이루어지고,
    내측의 점착제층은 기재필름에 접해 있고, 점착제층의 최외층은 내측 점착제층에 접해 있으며,
    어느 점착제층을 구성하는 수지 조성물도 방사선 중합성 화합물을 함유하는 것과 함께, 점착제층의 최외층을 구성하는 수지 조성물에 있어서의 방사선 중합성 화합물의 함유량이, 내측의 점착제층을 구성하는 수지 조성물에 있어서의 방사선 중합성 화합물의 함유량보다 크고,
    기재필름에 인가한 응력이 방사선 조사 후의 점착제층의 최외층에 전해져, 다이싱된 칩 단부와 접한 테이프가 변형되어, 상기 최외층과 칩 단부가 우선 박리되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 다이싱용 점착 테이프.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 점착제층의 최외층을 구성하는 수지 조성물은 아크릴계 베이스 수지 100질량부에 대해서 상기 방사선 중합성 화합물 50∼200질량부를 함유하고, 상기 내측의 점착제층을 구성하는 수지 조성물은 아크릴계 베이스 수지 100질량부에 대해서 상기 방사선 중합성 화합물 5∼100질량부를 함유하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 다이싱용 점착 테이프.
  4. 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서의 웨이퍼 다이싱용 점착 테이프로 피절단물인 웨이퍼를 지지 고정하는 공정, 블레이드의 절개의 최하부가 상기 웨이퍼 다이싱용 점착 테이프의 상기 최외층 또는 그것보다 내측의 점착제층 내부에 오도록 웨이퍼를 다이싱하는 공정, 상기 웨이퍼 다이싱용 점착 테이프에 방사선을 조사하여, 절단된 칩을 픽업하는 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 칩의 제조방법.
KR1020077021652A 2005-03-29 2006-03-28 웨이퍼 다이싱용 점착 테이프 및 그것을 이용한 칩의제조방법 KR101058975B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005095810 2005-03-29
JPJP-P-2005-00095810 2005-03-29
PCT/JP2006/306309 WO2006104151A1 (ja) 2005-03-29 2006-03-28 ウエハダイシング用粘着テープおよびそれを用いたチップの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20070118094A KR20070118094A (ko) 2007-12-13
KR101058975B1 true KR101058975B1 (ko) 2011-08-23

Family

ID=37053407

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020077021652A KR101058975B1 (ko) 2005-03-29 2006-03-28 웨이퍼 다이싱용 점착 테이프 및 그것을 이용한 칩의제조방법

Country Status (8)

Country Link
US (1) US7985474B2 (ko)
EP (1) EP1865545A4 (ko)
JP (1) JP5019613B2 (ko)
KR (1) KR101058975B1 (ko)
CN (1) CN101138075B (ko)
MY (1) MY147688A (ko)
TW (1) TWI333672B (ko)
WO (1) WO2006104151A1 (ko)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5027460B2 (ja) * 2006-07-28 2012-09-19 東京応化工業株式会社 ウエハの接着方法、薄板化方法、及び剥離方法
JP4493643B2 (ja) * 2006-12-06 2010-06-30 日東電工株式会社 再剥離型粘着剤組成物、及び粘着テープ又はシート
CN102157422A (zh) * 2010-02-12 2011-08-17 古河电气工业株式会社 卷芯及卷绕于卷芯的晶片加工用带
JP5641641B2 (ja) * 2010-07-29 2014-12-17 日東電工株式会社 ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム及び半導体装置の製造方法
KR101579772B1 (ko) 2011-02-18 2015-12-23 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 웨이퍼 레벨 싱귤레이션 방법 및 시스템
JP5805411B2 (ja) * 2011-03-23 2015-11-04 ファスフォードテクノロジ株式会社 ダイボンダのピックアップ方法およびダイボンダ
TWI671799B (zh) * 2011-03-30 2019-09-11 Sumitomo Bakelite Co., Ltd. 半導體晶圓等加工用黏著帶
JP5770038B2 (ja) * 2011-07-25 2015-08-26 リンテック株式会社 粘着シート
CN105143380B (zh) * 2013-03-28 2019-05-17 古河电气工业株式会社 粘合带及晶片加工用胶带
JP6582013B2 (ja) * 2017-03-31 2019-09-25 古河電気工業株式会社 剥離ライナー付マスク一体型表面保護テープ
KR20210141582A (ko) * 2019-03-29 2021-11-23 미쓰이 가가쿠 토세로 가부시키가이샤 전자 장치의 제조 방법 및 점착성 필름

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5281473A (en) * 1987-07-08 1994-01-25 Furakawa Electric Co., Ltd. Radiation-curable adhesive tape
JPH05211234A (ja) 1991-12-05 1993-08-20 Lintec Corp ウェハ貼着用粘着シートおよびウェハダイシング方法
US5476566A (en) * 1992-09-02 1995-12-19 Motorola, Inc. Method for thinning a semiconductor wafer
JPH07235583A (ja) * 1994-02-24 1995-09-05 Nec Kansai Ltd 粘着シート
JP3388674B2 (ja) * 1996-04-19 2003-03-24 リンテック株式会社 エネルギー線硬化型感圧接着剤組成物およびその利用方法
GB2320615B (en) * 1996-12-19 2001-06-20 Lintec Corp Process for producing a chip and pressure sensitive adhesive sheet for said process
US6312800B1 (en) * 1997-02-10 2001-11-06 Lintec Corporation Pressure sensitive adhesive sheet for producing a chip
JP4072927B2 (ja) * 1997-08-28 2008-04-09 リンテック株式会社 エネルギー線硬化型親水性粘着剤組成物およびその利用方法
JP4510954B2 (ja) * 1998-08-10 2010-07-28 リンテック株式会社 ダイシングテープ及びダイシング方法
JP3784202B2 (ja) 1998-08-26 2006-06-07 リンテック株式会社 両面粘着シートおよびその使用方法
JP4947564B2 (ja) * 2000-01-21 2012-06-06 日東電工株式会社 半導体ウエハ加工用粘着シート
JP4392732B2 (ja) * 2000-02-07 2010-01-06 リンテック株式会社 半導体チップの製造方法
JP2003007646A (ja) 2001-06-18 2003-01-10 Nitto Denko Corp ダイシング用粘着シートおよび切断片の製造方法
JP2003218063A (ja) * 2002-01-24 2003-07-31 Canon Inc ウエハ貼着用粘着シート及び該シートを利用する加工方法
JP4865192B2 (ja) * 2004-03-16 2012-02-01 古河電気工業株式会社 半導体固定用粘着テープ

Also Published As

Publication number Publication date
TWI333672B (en) 2010-11-21
KR20070118094A (ko) 2007-12-13
TW200641987A (en) 2006-12-01
JP5019613B2 (ja) 2012-09-05
WO2006104151A1 (ja) 2006-10-05
CN101138075A (zh) 2008-03-05
EP1865545A4 (en) 2008-03-26
US20080008881A1 (en) 2008-01-10
JPWO2006104151A1 (ja) 2008-09-11
CN101138075B (zh) 2011-04-20
US7985474B2 (en) 2011-07-26
EP1865545A1 (en) 2007-12-12
MY147688A (en) 2012-12-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101058975B1 (ko) 웨이퍼 다이싱용 점착 테이프 및 그것을 이용한 칩의제조방법
KR100743772B1 (ko) 웨이퍼 가공용 테이프
JP5302951B2 (ja) 粘着シート
KR100705149B1 (ko) 반도체 웨이퍼의 제조방법
JP3784202B2 (ja) 両面粘着シートおよびその使用方法
JP5184161B2 (ja) 半導体加工用テープ
JP2007019151A (ja) ウエハ加工用テープおよびそれを用いたチップの製造方法
JP6169067B2 (ja) 電子部品加工用粘着テープ
TWI683881B (zh) 切割片與半導體晶片之製造方法
JP2011122100A (ja) 電子部品加工用粘着シート
US7105226B2 (en) Pressure sensitive adhesive double coated sheet and method of use thereof
JP2014082414A (ja) ダイシングテープ
JP2006286900A (ja) チップの製造方法
JP4664005B2 (ja) 接着剤層付き半導体チップの製造方法
KR102306372B1 (ko) 박리 라이너 부착 마스크 일체형 표면 보호 테이프
JP5583080B2 (ja) ウエハ加工用テープおよびそれを用いた半導体加工方法
JP2009158503A (ja) ウエハ加工用テープ
KR101034438B1 (ko) 관통구조를 갖는 박막화 회로기판의 제조방법과 보호용점착테이프
JP2005235795A (ja) 半導体ウエハ加工用粘着テープ
JP4180557B2 (ja) 両面粘着シート
JP2003301151A (ja) 両面粘着シートおよびその使用方法
JP2007005611A (ja) 半導体ウエハ固定用粘着テープ
CN117099185A (zh) 半导体加工用粘着胶带及半导体装置的制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140721

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150716

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160721

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170720

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180801

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190730

Year of fee payment: 9