TWI332875B

TWI332875B -

Info

Publication number: TWI332875B
Application number: TW093134711A
Authority: TW
Inventors: Masakatsu Urairi; Atsushi Hino; Naoyuki Matsuo; Tomokazu Takahashi; Takeshi Matsumura; Syouji Yamamoto
Original assignee: Nitto Denko Corp
Priority date: 2003-12-25
Filing date: 2004-11-12
Publication date: 2010-11-11
Also published as: WO2005063435A1; US7586060B2; ATE553638T1; US20070181543A1; EP1714730A1; KR20060126479A; EP1714730B1; TW200529962A; KR101102728B1; EP1714730A4

Description

1332875 九、發明說明：【發明所屬之技術領域】本發明是有關於藉雷射光之紫外線吸收研磨對被加工物進行加工時所使用之雷射加工用保護片，又，本發明是有關於 5 藉雷射光之紫外線吸收研磨，對片狀材枓、電路基板、半導體晶圓、玻璃基板、陶瓷基板、金屬基板、半導體雷射等之發光或受光元件基板、MEMS基板、半導體封裝體、布、皮、或紙等各種被加工物，實施切斷、打孔、打標印、溝加工、劃線加工、或微調加工等形狀加工而得到之雷射加工品之製造方法。 10【先前技術】伴隨最近電氣、電子機器之小型化，零件亦朝小型化、高精細化進展。因此，各種材料之外型加工也要求加工精度在土 50/zm或在±5〇em以下之高精細、高精密度化。然而，利用習知之壓製加工等沖孔加工，只有±100//m程度，無法對應這種 15 要求。又，針對各種材料之打孔也要求高精細、高精度化，習知之藉鑽孔或模具進行打孔無法對應這種要求。近年’利用雷射光作為其解決方法之各種材料之加工方法受到注目。特別是藉由熱損壞少、可高精細加工之雷射光之紫外線吸收研磨之加工方法’因其精密之外形加工或細微開孔方 2〇法而受到注目。上述技術有例如被加工物之切割方法，該切割方法係以切割片支持固定住被加工物，並藉雷射光線切割被加工物之方法 (專利文獻1)。又，還有組合雷射與水微噴柱（water micro jet) 以切割半導體晶圓之方法（專利文獻2)。前述專利文獻中所記 5 1332875 載之切割片，係設在被加工物之雷射光射出面側，且在切割時及其後之各步驟中用以支持被加工物（雷射加工品）者。不過，利用雷射光之際，在雷射加工時所產生之碳等分解物會附著於被加工物之表面，因此必須有除去該分解物之被稱 5 為消拖尾（desmear )之後續處理。由於分解物之附著強度與雷射光之能量成正比而變得強固，因此，若提高雷射光之能量進行雷射加工，則在前述後續處理中，很難除去分解物。尤其，在被加工物與加工台或黏著片相接之面側（雷射光射出面側），不僅被加工物之分解物，還有因雷射光照射所產生之加 10 工台或黏著片之分解物也會強固地附著在被加工物之表面。因此，會妨礙加工之生產率提升，並降低切斷或開孔之可靠性。專利文獻1 :特開2002-343747號公報專利文獻2 :特開2003-34780號公報【發明内容】 15 發明所欲解決之課題本發明之目的是提供一種雷射加工用保護片，係可在藉雷射光之紫外線吸收磨蝕來加工被加工物之際，有效抑制因分解物造成之被加工物表面之污染者。又，本發明之目的是提供一種雷射加工品之製造方法，係在藉雷射光之紫外線吸收磨#來 20 加工被加工物之際，利用一種可有效抑制因分解物造成之被加工物表面之污染、並可提高加工精度之雷射加工用保護片者。解決課題之方法本發明人為了解決前述習知課題而反覆專精檢討，結果發現，藉下述雷射加工用保護片（以下也簡稱保護片）、及利用 6 1332875 該保護片之雷射加工品之製造方法，可達成上述目的，而完成本發明。亦即，本發明之第1發明係有關於一種雷射加工用保護片，係在藉雷射光之紫外線吸收磨蝕對被加工物進行加工之 5 際，設於被加工物之雷射光入射面側者。保護片係在藉雷射光之紫外線吸收磨蝕對被加工物進行加工之前，積層於被加工物之雷射光入射面側（雷射光照射面側），用以保護被加工物表面避開因磨蝕產生之分解物或分散物。而且，保護片係藉雷射光之紫外線吸收磨蝕與被加工物一 10 起進行加工。藉由使用該保護片，從雷射光照射部產生之分解物會附著在被覆被加工物之保護片表面，因此，可有效防止分解物附著於被加工物表面。前述保護片在雷射光吸收領域中之透光率宜小於50%。藉由使用透光率小於50%之保護片，可有效防止分解物侵入保護 15 片與被加工物之界面所導致之分解物附著於該界面部分。結果，不僅可使保護片在雷射加工後輕易從被加工物剝離，且可提高被加工物之雷射加工精度。藉由使用前述保護片可抑制分解物造成的界面部分污染之理由，推測如下。保護片在雷射光吸收領域中之透光率小於 20 50%時，保護片之雷射能量利用效率變大，因此保護片會先於被加工物受到雷射光侵蝕。保護片之雷射光照射部受到侵蝕後，下層的被加工物受到侵蝕，而被加工物之分解物從保護片之侵蝕部分有效率地飛散到外部，因此可抑制保護片與被加工物之界面部分受到污染。 7 前述保護片在雷射光吸收領域之透光率宜小於40%以下，又以30%以下為佳，更以0%為佳。前述透光率若在50%以上時，能量傳達到被加工物這個光能量吸收體會增加，在保護片受到雷射光侵蝕前，被加工物就會受到透過保護片之雷射光之侵蝕。這時，因被加工物之侵蝕所產生之分解物沒有飛散路徑，而使分解物進入保護片與被加工物間，污染被加工物表面。亦即，若保護片不受到雷射磨蝕而破斷或打孔，則由於被加工物分解時之氣壓很高，而使得保護片與被加工物間有氣體狀分解物滯留，該分解物就會污染被加工物表面。如前所述，一旦被加工物表面被分解物污染，則被加工物在雷射加工後，很難使保護片從被加工物剝離，後續處理也很難除去分解物，被加工物之加工精度低劣。剛述保護片宜在基材上設有黏著劑層。藉由賦予保護片黏著眭可提尚保護片與被加工物之界面之密著性，因此可抑制刀解物侵入界面，結果可抑制分解物造成的被加工物表面 >亏染。 X第1發明中，前述基材宜為含芳香族系聚合物而形成者。藉由利用芳香族系聚合物作為基材之形成材料可使雷射〜及收蝴中之透光率變小，保護片之糊速度變大。又構成前述芳香族系聚合物之重複單元中之芳香環之重 B且在41重量％以上’又以％重量％以上為佳。芳香環之於41重量％，則無法充分縮小雷射光吸收領域中之透光率，拫難充分提高保護片之蝕刻速度。 1332875 本發明之第2發明係有關於一種雷射加工用保護片，/ ’係於藉雷射光之紫外吸收磨#對被加工物進行加工之際使用者該保護片係在基材上至少設有黏著劑層，並且基枒 <麵刻率 (蝕刻速度 / 能通量）為 0.4〔（ //m/pulse) / (J/cm2)〕r A上〇基材之蝕刻速度（"m/pulse)除以所使用之雷射通量〔/( J/cm2)〕之值之姓刻率’顯示出基材之雷射加工性之^ 该麵刻率越大，表示越容易姓刻。前述触刻率之計算方法^ ^ #决詳細 §己載於實施例。第2發明中，藉由使用基材餘刻率在〇.4以上之仅^ ίο 15 Ί示礎片，可有效抑制因分解物造成的被加工物表面污染。其理由推下。基材之蝕刻率在0.4以上時，基材之雷射能量利用力文率广大，因此基材會先於被加工物受到雷射光侵蝕。保謨曼月之雷射光照射部受到#刻後，下層的被加工物才受到姓刻，叫破力口工物之分解物從保護片之蝕刻部分有效率地飛散到外邹難入保護片與被加工物之界面部分，結果可抑制被加工物表面之污染。前述基材之餘刻率宜在0.5以上，又以0.6以上為佳 1 述蝕刻率若小於0.4時，能量傳達到被加工物這個光能量吸收體會增加，在基材充分受到雷射光蝕刻前，被加工物就會因透 20過保護片之雷射光而進行蝕刻。而且，這時，因被加工物之姓刻所產生之分解物沒有飛散路徑，因而使分解物進入保護片與被加工物之界面部分’污染被加工物表面。如前所述，一旦被加工物表面受到分解物污染’則被加工物在雷射加工後，很難使保護片從被加工物剝離，後續處理也很難除去分解物，導致 9 『1332875 被加工物之加工精度低劣。前述保護片宜在基材上至少設有黏著劑層。藉由賦予保護片黏著性，可提高保護片與被加工物之界面之密著性，因此可抑制分解物侵入界面，結果可抑制分解物所造成的被加工物表 5 面污染。又，第2本發明中，前述基材宜為含有芳香族系聚合物或矽系橡膠而形成者。藉由利用芳香族系聚合物或矽系橡膠作為基材之形成材料，可輕易將基材之蝕刻率調整到0.4以上。又，本發明是有關於一種雷射加工品之製造方法，包含 10 有：在被加工物之雷射光入射面側設置前述雷射加工用保護片 -之步驟（1);照射雷射光以加工前述雷射加工用保護片及被加工物之步驟（2);以及將前述雷射加工用保護片從加工後之被加工物剝離之步驟（3)。前述被加工物宜為月狀材料、電路基板、半導體晶圓、玻 15 璃基板、陶瓷基板、金屬基板、半導體雷射之發光或受光元件基板、MEMS基板、或半導體封裝體。又，前述加工宜為將被加工物進行切斷或打孔之加工。前述本發明之保護片，尤其適合使用在切割半導體晶圓以製作半導體晶片之際。 20 本發明之第3發明係有關於一種雷射加工品之製造方法，係使用至少基材上具有黏著劑層且前述基材在紫外線領域波長λ中之消光係數相對於所使用之被加工物在紫外線領域波長λ中之消光係數（消光係數比=雷射加工用保護片之基材在紫外線領域波長；I中之消光係數/所使用之被加工物在紫外線 10 1332875 領域波長；ι之消光係數）在1以上之雷射加工用保護片，該製造方法包含有：在前述被加工物之雷射光入射面側貼附該雷射加工用保護片之黏著劑層之步驟；照射雷射光以加工前述雷射加工用保護#及前述被加工物之步驟；以及將前述雷射加工用 5 保護片從加工後之被加工物剝離之步驟。本發明之第3發明之製造方法中，必須選擇使用前述基材在紫外線領域波長λ中之消光係數相對於所使用之被加工物在紫外線領域波長λ中之消光係數（消光係數比=保護片之基材在紫外線領域波長Λ中之消光係數/所使用之被加工物在紫 10 外線領域波長λ之消光係數）在1以上之保護#。本發明人發現，消光係數與雷射加工性之間有著相關關係，藉由使用前述消光係數比在1以上之保護片，可有效抑制分解物所造成的被加工物表面污染。前述紫外線領域波長；I宜為355nm。消光係數比對於保護片之基材與所使用之被加工物之雷 15 射加工性是非常重要的參數。固體在某波長中之消光係數越小，即表示其光能之吸收越小。亦即，固體中之光吸收是從光之侵入長（固體表面起之有效距離：1/消光係數）產生，消光係數小則光之侵入長變長，故每體積中之蓄積熱量變小。因此，消光係數小的材料難以進行雷射加工。 20 如本發明之第3發明，藉由使用消光係數比在1以上之保護片，可使基材中雷射光之侵入長比被加工物中雷射光之侵入長更短。因此，基材中之光能吸收變得大於被加工物，而更容易被雷射加工。接著，藉由使用前述消光係數比在1以上之保護片，可有 11 ⑶2875 政抑制因分解物造成的被加工物表面污染之理由，推測如下。 /肖光係數比在1以上之保護片，具有與被加工物同等或更高之毎射加工性，因此基材可與被加工物同時或先於被加工物受到雷射光蝕刻。於是，被加工物之分解物從保護片之蝕刻部分有 5效率地飛散到外部，難以進入保護片與被加工物之界面部分，結果可抑制被加工物表面之污染。刖述消光係數比宜在1.5以上，又以2以上為佳。前述消光係數比若小於1時，在保護片被切斷或打孔之前，被加工物就已進行蝕刻。這時，由於被加工物之蝕刻所產生之分解物沒 1〇有飛散路徑，因而使分解物進入保護片與被加工物之界面部分，污染被加工物表面。如前所述，一旦被加工物表面受到分解物污染，則被加工物在雷射加工後，很難使保護片從被加工物剝離，後續處理也很難除去分解物，導致被加工物之加工精度低劣。 15 又，前述基材宜為含有芳香族系聚合物或矽系橡膠而形成者。由於上述材料在紫外線領域波長λ之消光係數很大，因此比較容易將消光係數比調整到1以上。本發明之第4發明，係有關於一種雷射加工品之製造方法，係使用至少基材上具有黏著劑層且前述基材在紫外線領域 20波長又中之消光係數在20cm-1以上之雷射加工用保護片，該製造方法包含有·在金屬系材料之雷射光入射面側貼附該雷射加工用保護片之黏著劑層之步驟，照射雷射光，以加工前述雷射加工用保護片及前述金屬系材料之步驟，及將前述雷射加工用保護片從加工後之金屬系材料剝離之步驟。 12 1332875 尤其在加工金屬系材料之際，很難測定金屬系材料之消光係數。但是，藉由使保護片之基材在紫外線領域波長；i中之消光係數在20cm·1以上，可有效抑制因分解物造成的金屬系材料表面污染。前述基材在紫外線領域波長；I中之消光係數宜在 5 50cm-1以上，又以80cm-1以上為佳。前述紫外線領域波長入宜為 355nm。

本發明之第5發明，係一種雷射加工品之製造方法，係使用至少基材上具有黏著劑層且前述基材之密度相對於所使用之被加工物之密度（密度比：=雷射加工用保護片之基材密度/所 10 使用之被加工物之密度）在1以上之雷射加工用保護片，該製造方法包含有：在前述被加工物之雷射光入射面側貼附該雷射加工用保護片之黏著劑層之步驟，照射雷射光以加工前述雷射加工用保護片及前述被加工物之步驟，及將前述雷射加工用保護片從加工後之被加工物剝離之步驟。 15 本發明之第5發明之製造方法中，必須選擇使用使用前述

基材之密度相對於所使用之被加工物之密度（密度比=雷射加工用保護片之基材密度/所使用之被加工物之密度）在1以上之雷射加工用保護片。本發明人發現，材料密度與雷射加工性之間有著相關關係，密度越大則磨蝕越容易產生，雷射加工性越 20 高。接著，藉由使用前述密度比在1以上之保護片，可有效抑制分解物所造成的被加工物表面污染。如前所述，密度與雷射加工性間產生相關關係之理由尚未明瞭，不過，推測是因為密度大之材料，原子之填料性很高，因此雷射光在每照射面積與原子衝突之機率變高。所謂雷射光之紫外線吸收磨蝕，係指物 13 1332875 質吸收光子使電子激發，藉此使原子間之鍵被切斷之現象。因此，雷射光之光子吸收戴面積越大（亦即密度越大），越容易被雷射加工。又，藉由選擇使用前述密度比在1以上之保護片，可有效 5 抑制因分解物造成的被加工物表面污染，其理由推測如下。密度比在1以上之保護片，具有與被加工物同等或更高之雷射加工性，因此可與被加工物同時或先於被加工物受到雷射光蝕刻。於是，被加工物之分解物從保護片之蝕刻部分有效率地飛散到外部，而難以進入保護片與被加工物之界面部分，結果可 10 抑制被加工物表面之污染。前述密度比宜在1.1以上，又以1.4以上為佳。前述密度比若小於1時，在保護片被切斷或打孔之前，被加工物就已進行蝕刻。這時，由於被加工物之蝕刻所產生之分解物沒有飛散路徑，因而使分解物進入保護片與被加工物之界面部分，污染 15 被加工物表面。如前所述，一旦被加工物表面受到分解物污染，則被加工物在雷射加工後，很難使保護片從被加工物剝離，後續處理也很難除去分解物，導致被加工物之加工精度低劣。又，前述保護片之基材，基於高密度之觀點，宜為含有芳 20 香族系聚合物或矽系橡膠者。本發明之第6發明，係有關於一種雷射加工品之製造方法，係使用至少基材上具有黏著劑層且前述基材之密度在 1.1 g/cm3以上之雷射加工用保護片，該製造方法包含有：在金屬系材料之雷射光入射面侧貼附該雷射加工用保護片之黏著 14 1332875 劑層之步驟，照射雷射光以加工前述雷射加工用保護片及前述金屬系材料之步驟，及將前述雷射加工用保護片從加工後之金屬系材料剝離之步驟。

尤其在雷射加工金屬系材料之際，即使前述密度比在1以 5 上，在保護片被切斷或打孔之前，金屬系材料就已進行蝕刻。這時，由於金屬系材料之蝕刻所產生之分解物沒有飛散路徑，因而使分解物進入保護片與金屬系材料之界面部分，污染金屬系材料表面。發生上述現象的原因，推測是因為高分子材料與金屬系材料之磨蝕過程不同。亦即，金屬系材料之情況係經過 10 藉注入光能產生熱量而引發熱化學反應之過程。因此’不可單獨比較高分子材料等之加工效率與金屬系材料之加工效率。本發明人比較研究矽等金屬系材料之加工率與保護片基材之加工率，結果發現，基材密度l.lg/cm3以上時，具有與金屬系材料同等或更高之雷射加工性，因此可有效抑制分解物所 15 造成的金屬系材料表面污染。前述基材之密度宜在1 .Sg/cm3以上，又以1.5g/cm3以上為佳。

前述保護片之基材’基於高密度之觀點’宜為含有芳香族系聚合物或矽系橡膠者。本發明之第7發明’係有關於一種雷射加工品之製造方 20 法，包含有：使用基材上至少具有黏著劑層且雷射加工用保護片之拉伸強度相對於所使用之被加工物之拉伸強度（技伸強度比=雷射加工用保護片之拉伸強度/所使用之被加工物之杈伸強度）在1以上之雷射加工用保護片，並且在前述被加工物之雷射光入射面側貼附該雷射加工用保護片之黏著劑層之步驟，照 15 射雷射光以加工前述雷射加工用保護片及前述被加工物之步驟，及將前述雷射加工用保護片從加工後之被加工物剝離之步驟。 5 本發明之第3發明之製造方法中，必須選擇使用保護片之杈伸強度相對於所使用之被加工物之拉伸強度（拉伸強度比= 保護片之拉伸強度/所使用之被加工物之拉伸強度）在i以上之保護片。本發明人發現，機械性物性之拉伸強度與雷射加工性之間有著相關關係，藉由選擇使用前述拉伸強度比在i以上之保護片，可有效抑制分解物所造成的被加工物表面污染。如前 10所述，拉伸強度與雷射加工性間產生相關關係之理由尚未明瞭，不過，推測是因為拉伸強度高之材料，一般多為芳香族系或呈線形構造，這種具有剛直構造之分子，藉彼此之環狀原子或雜原子之電子使分子間力變強而整齊排列。因此，吸收了雷射能量之原子間之衝突機率變高，使雷射加工性變大。 15 接著，藉由選擇使用前述拉伸強度比在1以上之保護片，可有效抑制因分解物造成的被加工物表面污染，其理由推測如下。拉伸強度比在1以上之保護片，具有與被加工物同等或更尚之雷射加工性，因此可與被加工物同時或先於被加工物受到雷射光#刻。於是，被加工物之分解物從保護片之蝕刻部分有 20效率地飛散到外部，而難以進入保護片與被加工物之界面部分’結果可抑制被加工物表面之污染。前述拉伸強度比宜在2以上，又以5以上為佳。前述拉伸強度比若小於1時’在保護片被切斷或打孔之前，被加工物就已進行钱刻。這時’由於被加工物之蝕刻所產生之分解物沒有 16 1332875 飛散路徑，因而使分解物進入保護片與被加工物之界面部分，污染被加工物表面。如削所述，一旦被加工物表面受到分解物污染，則被加工物在雷射加工後，很難使保護片從被加工物剝離，後續處理也很難除去分解物，導致被加工物之加工精度低 5劣。本發明之第8發明，係有關於一種雷射加工品之製造方法，包含有：使用基材上至少具有黏著劑層且拉伸強度在 lOOMPa以上之雷射加工用保護片，並且在金屬系材料之雷射光入射面側貼附該雷射加工用保護片之黏著劑層之步驟，照射 10 雷射光以加工前述雷射加工用保護片及前述金屬系材料之步驟，及將前述雷射加工用保護片從加工後之金屬系材料剝離之步驟。尤其在雷射加工金屬系材料之際，即使前拉伸強度比在1 以上，在保護片被切斷或打孔之前，金屬系材料就已進行蝕 15刻。這時，由於金屬系材料之蝕刻所產生之分解物沒有飛散路徑，因而使分解物進入保護片與金屬系材料之界面部分，污染金屬系材料表面。發生上述現象的原因，推測是因為高分子材料與金屬系材料之磨蝕過程不同。亦即’金屬系材料之情況係經過藉注入光能產生熱量而引發熱化學反應之過程。因此’不 20可單獨比較高分子材料等之加工效率與金屬系材料之加工效率。本發明人比較研究矽等金屬系材料之加工率與保護片基材之加工率，結果發現，保護片之拉伸強度在lOOMPa以上時，具有與金屬系材料同等或更高之雷射加工性’因此可有效抑制 17 1332875 分解物所造成的金屬系材料表面污染。前述保護片之拉伸強度宜在120MPa以上，又以140MPa以上為佳，200MPa以上更佳。

本發明之第9發明，係有關於一種雷射加工品之製造方法，包含有：使用基材上至少具有黏著劑層且前述基材之比熱 5 相對於所使用之被加工物之比熱（比熱比=雷射加工用保護片之基材比熱/所使用之被加工物之比熱）小於1之雷射加工用保護片，並且在前述被加工物之雷射光入射面侧貼附該雷射加工用保護片之黏著劑層之步驟，照射雷射光以加工前述雷射加工用保護片及前述被加工物之步驟，及將前述雷射加工用保護片 10 從加工後之被加工物剝離之步驟。

本發明之第9發明之製造方法中，必須選擇使用前述基材之比熱相對於所使用之被加工物之比熱（比熱比=雷射加工用保護片之基材比熱/所使用之被加工物之比熱）小於1之雷射加工用保護片。本發明人發現，材料之比熱與雷射加工性之間有 15 著相關關係，比熱越小則越容易產生磨蝕，雷射加工性就越高。而且，藉由選擇使用比熱比小於1之保護片，可有效抑制分解物所造成的被加工物表面污染。如前所述，比熱與雷射加工性間產生相關關係之理由尚未明瞭，不過，推測是因為磨蝕係因光子激發材料中之電子促使庫倫爆發之機制，與分解熱性 20 材料之機制所引起。接著，材料之比熱小時，容易吸熱使溫度上升，容易引發熱分解，因此雷射加工性變高。又，藉由選擇使用前述比熱比小於1之保護片，可有效抑制因分解物造成的被加工物表面污染，其理由推測如下。比熱比小於1之保護片，具有與被加工物同等或更高之雷射加工 18 1332875 性，因此可與被加工物同時或先於被加工物受到雷射光蝕刻。於是，被加工物之分解物從保護片之钮刻部分有效率地飛散到外部，而難以進入保護片與被加工物之界面部分，結果可抑制被加工物表面之污染。 5 前述比熱比宜在0.9以下，又以0.8以下為佳。前述比熱比若在1以上時，在保護片被切斷或打孔之前，被加工物就已進行蝕刻◊這時，由於被加工物之蝕刻所產生之分解物沒有飛散路徑，因而使分解物進入保護片與被加工物之界面部分，污染被加工物表面。如前所述，一旦被加工物表面受到分解物污 10 染，則被加工物在雷射加工後，很難使保護片從被加工物剝離，後續處理也很難除去分解物，導致被加工物之加工精度低劣。第3、5、7及9之本發明之雷射加工品之製造方法中，前述被加工物宜為片狀材料、電路基板、半導體晶圓、玻璃基板、 15陶究基板、金屬基板、半導體雷射之發光或受光元件基板、 MEMS基板、或半導體封裝體。第4、6、及8之本發明之雷射加工品之製造方法中，前述金屬系材料宜為半導體晶圓或金屬基板。本發明之第10發明，係有關於一種雷射加工品之製造方 2〇法’包含有：使用基材上至少具有黏著劑層且前述基材在波長 546證中之折射率相對於所制之有機諸加X物在波長 546議之折料（折射率比=雷射加工聰護片之基材在波長 546細之折射率/所使用之有機綠加工物在波長⑽⑽之折射率）在1以上之雷射加工用保護片，並且在前述有機系被加 19 1332875 工物之雷射光入射面側貼附該雷射加工用保護片之黏著劑層之步驟，照射雷射光以加工前述雷射加工用保護片及前述有機系被加工物之步驟’及將前述雷射加工用保護片從加工後之有機系被加工物剝離之步驟。 5 本發明之第ίο發明之製造方法中，必須選擇使用前述基材在波長546nm中之折射率相對於所使用之有機系被加工物在波長546nm之折射率（折射率比=雷射加工用保護片之基材在波長546nm之折射率/所使用之有機系被加工物在波長 546nm之折射率）在1以上之雷射加工用保護片。本發明人發 10現’折射率與雷射加工性之間有著相關關係，藉声選擇使用前折射率比在1以上之保護片，可有效抑制分解物所造成的被加工物表面污染。 15 20 而因折射率比對保5蔓片之基材與所使用之有機系被加工物之加工性是料重㈣參數。_在某波長之折射率越大即表 Γ該固體中行進之光速越慢，引起光子吸收之機率越高制，是_於光子吸收造成的電子激“ 加工性就變越高 π科幻窗射 1以上之保護片，使得基材而使基材更容易被雷射加如本發明，藉由使用折射率在之光子吸收大於錢系被加工物工0 伐言，錯由使用前处饵射率在1以上制因分解物造成的有機^加工之保護片，可有效抑下。折射率比在i以上、面5柰之理由推測如楚片’具有與有機系被加工物同等 20 1332875 或更高之雷射加工性，因此可與有機擒备n 承破加工物同時或先於有機糸破加工物觉到雷射光蝕刻。於是，有機系被加工物之分解物攸保護片之蝕刻部分有效率地飛散蛘 μ 砍到外部，而難以進入保護被·加工物片與有機系被加工物之界面部分，結果可抑制有機系表面之污染。

10 前述折射率比宜在U)5以上，又以L1以上為佳又以12 以上更佳。前述折射率比若小於1時，在保護片被切斷或打孔之前’有機系被加卫物就已進行細卜這時，由於有機系被加工物之_所產生之分解物沒有飛散路徑，因而使分解物進入保護片與有機錄加工物之界面部分，污染有機系被加工物表面。如則所述，一旦有機系被加工物表面受到分解物污染，則有機系被加工物在雷射加工後，很難使保護片從被加工物剝離’後續處理也很難除去分解物，導致被加工物之加工精度低劣。 15 本發明之第11發明’係有關於一種雷射加工品之製造方

法’包含有：使用基材上至少具有黏著劑層且前述基材在波長 546nm中之折射率在i 53以上之雷射加工用保護片，並且在無機系破加工物之雷射光入射面側貼附該雷射加工用保護片之黏著劑層之步驟，照射雷射光以加工前述雷射加工用保護片及 20則述無機系被加工物之步驟，及將前述雷射加工用保護片從加工後之無機系被加工物剝離之步驟。本發明中’前述無機系被加工物宜為電路基板、半導體晶圓 '玻璃基板、陶瓷基板、金屬基板、半導體雷射之發光或受光疋件基板、MEMS基板、或半導體封裝體。 21 使用無機系被加工物時，很難測定其折射率，不過藉由使保濩片之基材折射率在丨.53以上，可有效抑制分解物所造成的無機系被加工物表面之污染。基材之折射率宜在157以上，又以1.60以上為佳。 5 又，本發明中，前述保護片之基材，宜為含有芳香族系聚合物或矽系橡膠者。由於上述材料在波長 546nm之折射率很大，因此較容易將折射率比調整在丨以上。本發明之第12發明，係有關於一種雷射加工品之製造方法’包含有：使用基材上至少具有黏著劑層且總鍵能比（總鍵 10能比=構成基材之樹脂成分中之1個碳原子與鍵結於該碳原子之其他原子之鍵能之合計值中最小值之總鍵能A/構成所使用之有機系被加工物之原料成分中之一個碳原子與鍵結於該碳原子之其他原子之鍵能之合計值中最小值之總鍵能B)小於1 之雷射加工用保護片，並且在前述有機系被加工物之雷射光入 15射面側貼附該雷射加工用保護片之黏著劑層之步驟，照射雷射光以加工前述雷射加工用保護片及前述有機系被加工物之步驟’及將前述雷射加工用保護片從加工後之有機系被加工物剝離之步驟。本發明之第12發明中，必須選擇使用前述總鍵能比小於i 20之雷射加工用保護片。在此，所謂總鍵能A係指構成基材之樹脂成分中之1個碳原子與鍵結於該碳原子之其他原子之鍵能之合計值中（總鍵能 A)最小值。聚合物中之1個碳原子與2個以上之其他原子結合’且鍵能會依據結合之其他原子種類而各不相同，因此鍵能 22 叫875 之和（總鍵能）也隨著各碳原子之鍵結狀態而不同。本發明中，著眼於聚合物中處於各種結合狀態之碳原子當中總鍵能最低之碳原子，發現該碳原子之總鍵能Α與雷射加工性之間有相關關係。 5 又，所謂總鍵能Β係指構成所使用之有機系被加工物之原料成分中之一個破原子與鍵結於該碳原子之其他原子之鍵能之合計值（總鍵能）中最小值。本發明中，著眼於原料成分中處於各種結合狀態之碳原子當中總鍵能最低之碳原子，發現該碳原子之總鍵能Β與雷射加工性之間有相關關係。又’本發明人發現’藉由選擇使用前述總鍵能比小於1之保護片，可有效抑制因分解物造成的有機系被加工物表面污杂。如前所述，總鍵能與雷射加工性間產生相關關係之理由尚未明瞭，不過，推測是因為在鍵能小之原子間之鍵，被雷射照射時容易切斷，加工閾值也降低。因此，所使用之材料中之特 5 定原子間之總鍵能越小’雷射加工性變越大。又，藉由選擇使用刖述總鍵能比小於1之保護片，可^ 抑制因分解物造成的有機系被加工物表面污染，其理由推牙下。總鍵能比小於1之保護片，具有與有機系被加工物㈤ 20

更高之雷射加工性，因此可與有機系被加卫物同時或先於# 系被加工物受到雷射光蝕刻。於是，有機系被加工物之分角從保護片之蝕刻部分有效率地飛散到外部，而難以進入保古丨與有機系被加工物之界面部分，結果可抑制有機系被加工杂面之污染。前述總鍵能比宜在0.9以下’又以〇.8以下為佳。前述總 23 1332875 10 15 20 鍵迠比若在1以上時，在保護片被切斷或打孔之前，有機系被加工物就已進行蝕刻。這時，由於有機系被加工物之蝕刻所產生之分解物沒有飛散路徑，因而使分解物進人保護片與有機系被加工物之界面部分’污染有機系被加工物表面。如前所述，一旦有機緒加讀表面受到分解物污染，則有機錄加工物在雷射加工後，很難使保護片從有機系被加工物剝離，後續處理也报難除去分解物，導致有機系被加工物之加工精度低劣。本發明之第13發明，係有關於—種雷射加工品之製造方法’包含有：使用基材上至少具有黏著且構成前述基材之樹脂成分巾之i健原子與鍵㈣㈣原仅其⑽子之鍵能 ▲之合計值中最小值之總鍵能A小於嶋k偏ι之雷射加工用保護片’並且在無機系被加工物之雷射光入射面側貼附該雷射加用保護片之黏著劑層之步驟，照射雷射光以加工前述雷射加用保護片及前述無機系被加卫物之步驟，及將前述雷射加工用保護片從加工後之無機系被加工物剝離之步驟。本發明中，前述無機系被加工物宜為電路基板、半導體晶圓、玻璃基板、陶瓷基板、金屈Ii ^ 基板、半導體雷射之發光或受光元件基板、MEMS基板、或半導體封穿體。無機系被加X物係經過藉注入総產生熱量而引發熱化學反應之過程。亦即’线彡•工物與錢錄加工物之磨餘過程大不相同。因此’不可單獨比财機緒料之加工效率與無機系材料之加工效率。本發明人比較研究無機系被加工物之加工率與保護片基材之加工率’結果發現，使用具有總鍵能△小於8敝】加〇1之工工 24 1332875 基材之保護片時，具有與無機系被加工物同等或更高之雷射加工性，因此可有效抑制分解物所造成的無機系被加工物表面污染。前述總鍵能A宜在780kJ/mol以下，又以760kJ/mol以下為佳。 5 第3~13之本發明中，前述保護片係在藉雷射光之紫外線吸收磨蝕對被加工物進行加工之前，積層於被加工物之雷射光照射面側（雷射光入射面側），用以保護被加工物表面避開因磨#產生之分解物或分散物。前述保護片宜使用至少在基材上設有黏著劑層者。藉由賦 10 予保護片黏著性，可提高保護片與被加工物之界面之密著性，因此可抑制分解物侵入界面，結果可抑制分解物造成的被加工物表面污染。第3~13之本發明中，前述基材宜為含有芳香族系聚合物或矽系橡膠者。 15 第3~13之本發明中，前述加工宜為切斷或打孔。又，本發明係有關於一種雷射加工用保護片，係使用於前述雷射加工品之製造方法。前述保護片，尤其適合使用在切割半導體晶圓以製作半導體晶片之際。圖式簡單說明 20 第1圖是顯示本發明中雷射加工品之製造方法之例子之概略步驟圖。第2圖是顯示本發明中雷射加工品之製造方法之其他例子之概略步驟圖。第3圖是顯示藉雷射光之紫外線吸收磨蝕進行加工之積層 25 1332875 體之截面之概略圖。第4圖是顯示半導體晶圓之切割方法例之概略圖。【實施方式】本發明中所使用之雷射，為了避免因雷射加工時之熱性損 5壞導致被加工物之孔邊緣或切斷壁面之精度及外觀惡化，因此使用可不經Μ加工過程之麵性加卫這種藉紫衫吸收進行磨姓加工之雷射。特別宜使用可將雷射光集光成2〇//m以下之細幅、放射400nm以下之紫外線之雷射。尤其第3及第4之本發明中所使用之雷射係使用可藉紫 10外光吸收進行磨触加工 '放射特定波長入之紫外線之雷射。而且，又以使用可將雷射光集光成2〇#m以下之細幅、放射355nm 之紫外線之雷射更佳。具體來說，在400nm以下具有振盪波長之雷射可舉例如振盪波長248nm之KrF激生分子雷射、308nm之XeCl激生分子 15 雷射、YAG雷射之第三高調波（355nm )或第四高調波 (266nm)，又，若使用具有400nm以上之波長之雷射光，可舉經由多光子吸收過程之可吸收紫外線領域且可藉多光子吸收磨蝕來進行20/zm以下幅度之切斷加工之波長750nm~800 nm 附近之鈦藍寶石雷射等，脈衝幅le_9秒（0.000000001秒）以下 20 之雷射等。被加工物只要是可藉前述雷射所輸出之雷射光之紫外線吸收磨蝕進行加工者即可，並無特別限制，可舉例如各種片材材料、電路基板、半導體晶圓、玻璃基板、陶瓷基板、金屬基板、半導體雷射之發光或受光元件基板、MEMS (Micro Electro 26 1332875

Mechanical System)基板、半導體封裝體、布、皮革、及紙等。本發明之保護片或製造方法，尤其適合使用在片材材料、電路基板、半導體晶圓、玻璃基板、陶瓷基板、金屬基板、半導體雷射之發光或受光元件基板、MEMS基板、或半導體封裝 5 體之加工。前述各種片材材料可舉例如：由聚醯亞胺系樹脂、聚酯系樹脂'環氧系樹脂、胺基甲酸酯樹脂、聚苯乙烯系樹脂、聚乙烯系樹脂、聚醯胺系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、聚矽氧樹脂、氟系樹脂等所形成之高分子膜或不織布、藉由將這些樹脂進行延 10伸加工、含浸加工等賦予物理性或光學性機能之片材銅、铭或不鏽鋼等金屬片材、或將上述高分子膜及/或金屬片材直接或隔著接著劑積層者等。前述電路基板可舉單面、、兩面或多層軟性印刷基板、玻璃

U形成之光電路或光_電混成電路基板等。

之片材等。含浸加工等賦予物理性或光學性機能 27 1332875 第10及第13之本發明中，無機系被加工物只要是可藉前述雷射所輸出之雷射光之紫外線吸收磨蝕進行加工者即可，並無特別限制，可舉例如前述電路基板、半導體晶圓、玻璃基板、陶瓷基板、金屬基板、半導體雷射之發光或受光元件基板、 5 MEMS基板、或半導體封裝體等。前述金屬系材料，也包含半金屬及合金，可舉例如：金、 SUS、銅、鐵、紹、不鑛鋼、石夕、欽、鎮、及鶴等，以及利用該等之加工物。本發明之保護片係在藉雷射光之紫外線吸收磨蝕對被加 10 工物進行加工之際所使用之片材。第1本發明之保護片，宜為在雷射光（紫外線）吸收領域中之透光率小於50%者。保護片可僅由基材形成，亦可在基材上設有黏著劑層者。第2本發明之保護片，係至少在基材上設有黏著劑層，並 15 且基材之姓刻率為0.'4〔（ //m/pulse) / ( J/cm2)〕以上。第3本發明中，係使用基材上至少具有黏著劑層之保護片。且必須選擇使用消光係數比在1以上之保護片。另一方面，若對金屬系材料進行雷射加工時（第4本發明），必須選擇使用具有在紫外線領域波長λ中之消光係數在20cm·1以上之基 20 材之保護片。第5本發明之雷射加工品之製造方法中，係使用基材上至少具有黏著劑層之保護片。接著，必須選擇使用前述密度比在 1以上之保護片。另一方面，若對金屬系材料進行雷射加工時 (第6本發明），必須選擇使用具有密度在l.lg/cm3以上之基 28 材之保護片。第7本發明之雷射加工品之製造方法中，係使用基材上至少具有黏著劑層之保護片。接著，必須選擇使用保護片之拉伸強度相對於所使用之被加工物之拉伸強度（拉伸強度比=雷保 5 護片之拉伸強度/所使用之被加工物之拉伸強度）在j以上之保護片。另一方面，若對金屬系材料進行雷射加工時（第8本發明），必須選擇使用拉伸強度在lOOMPa以上之保護片。第9本發明之雷射加工品之製造方法中，係使用基材上至少具有黏著劑層之保護片。接著，必須選擇使用前述比熱比小 10 於1之保護片。第10本發明之雷射加工品之製造方法中，係使用基材上至少具有黏著劑層之保護片。接著，在對有機系被加工物進行雷射加工時，必須選擇使用折射率比在1以上之保護片。另一方面，若對無機系被加工物進行雷射加工時（第11本發明）， 15 必須選擇使用具有在波長546nm中之折射率在1.53以上之基材之保護片。第12本發明之雷射加工品之製造方法中，係使用基材上至少具有黏著劑層之保護片。接著，在對有機系被加工物進行雷射加工時，必須選擇使用總鍵能比小於1之保護片。另一方 20 面，若對無機系被加工物進行雷射加工時（第13本發明），必須選擇使用具有總鍵能A小於800kJ/mol之基材之保護片。前述總鍵能A、B之值係依據例如化學便覽、技術文獻 (CoxJ.D.and PILCHER,G.,Thermochemistry of organic and organometallic compounds,Academic Press,New York, 1970)等所 29 1332875 記載之各鍵能值而求得。基材之形成材料，可舉例如聚乙烯對苯二曱酸酯、聚乙烯萘酯、聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚醯胺、（曱基）丙烯酸系聚合物、聚胺曱酸酯、矽系橡膠、及聚乙烯、聚丙烯、聚乙烯氧化 5 物等聚烯烴系聚合物等，不過並不限定於此。其中，又以使用芳香族系聚合物為佳，特別是以使用聚醯亞胺、聚乙烯萘酯、或聚碳酸酯為佳。第3及第4之本發明中，宜使用聚醯亞胺、聚乙烯萘酯、聚苯乙烯、及聚碳酸酯等芳香族系聚合物、或矽系橡膠等消光 10 係數高之材料。第5及第6之本發明中，宜使用聚乙烯萘酯、聚胺曱酸酯、聚醯亞胺、及矽系橡膠等相對上密度較大之材料。第7及第8之本發明中，為了提高基材之拉伸強度，宜使用芳香族系聚合物或矽系橡膠，尤其以聚醯亞胺、聚乙烯萘 15 酯、聚笨乙烯、或聚碳酸酯為佳。第9之本發明中，宜使用聚乙烯對苯二甲酸、聚乙烯萘酯、聚苯乙烯、聚胺甲酸酯、及聚碳酸酯等相對比熱較小之材料。第10及第11之本發明中，宜使用聚醯亞胺、聚乙烯萘酯、聚笨乙烯、及聚碳酸酯等芳香族系聚合物、或矽系橡膠等在波 20 長546nm之折射率高之材料。第12及第13之本發明中，為了縮小總鍵能A之值，宜使用芳香族系聚合物，尤其宜使用聚醯亞胺、聚乙烯對苯二甲酸酯、聚乙烯萘酯、聚苯乙烯、或聚碳酸酯。基材中可添加充填劑。所謂充填劑，是為了使雷射光吸收 30 1332875 領域之透光率小於50%(第1本發明）、使蝕刻率在0.4以上（第 2本發明）、為了提高基材之消光係數（第3及第4本發明）' 為了提高基材之拉伸強度（第7及第8本發明）、或為了提高基材之折射率（第10及第11本發明）而添加之材料，可舉例 5 如顏料、染料、色素、Au、Cu、Pt、Ag等金屬微粒子、及膠態金屬、碳等無機微粒子等。

色素只要是可吸收所使用之雷射光之特定波長之光（紫外線領域波長λ之光）者即可，又，染料可使用鹼性染料、酸性染料、直接染料等各種染料。前述染料或色素可舉例如：硝基 10 染料、亞硝基染料、芪染料、吼唑啉染料、噻唑染料、偶氮染料、聚偶氣染料、碳錄染料、α奎縮苯胺染料、鼓酿染料、软笨胺染料、，嗓胺染料、g昆亞胺染料、α丫讲染料、氧化染料、<7号讲染料、噻讲染料、吖啶染料、二苯基甲烷染料、三笨基曱烷染料、咕噸染料、噻噸染料、硫化染料、。比啶染料、吡啶酮染 15 料、嗔二唑染料、嗔吩染料、苯并異嗔唑染料、雙氰基咪唑染料、苯并吼喃染料、苯并呋喃酮染料、喳啉染料、靛藍染料、硫靛染料、蔥醌染料、二苯甲酮染料、對苯醌染料、萘醌染料、酞菁染料、花青苷染料、曱川染料、聚甲川染料、曱亞胺染料、縮合曱川染料、萘二甲醯亞胺染料、紫環酮染料、三芳代曱烷 20 染料、咭吨染料、氨基酮染料、羥基酮染料、靛類染料等。這些染料可單獨使用1種，亦可併用2種以上。又，染料或色素亦可為非線性光學色素。非線性光學色素並無特別限制，可舉已知之非線性光學色素（例如苯系非線性光學色素、芪系非線性光學色素、花青苷系非線性光學色素、 31 1332875 偶氮系非線性光學色素、鹼性蕊香紅系非線性光學色素、聯苯系非線性光學色素、芳基丙烯醯芳烴系非線性光學色素、及氰基肉桂酸系非線性光學色素等）。又，染料或色素可使用所謂「機能性色素」。前述機能性 5 色素係由例如載體生成材料與載體移動材料構成。載體生成材

料可舉例如：花系顏料、g昆系顏料、Squalilium色素、Azulenium 色素、噻喃鏘色素、雙偶氮系顏料等。載體移動材料可舉例如 D号二。坐衍生物、。号。坐衍生物、°比嗤琳衍生物、踪衍生物、及芳基胺衍生物等。 10 基材可為單層，亦可為複層。又，可選擇膜狀或網狀等各種形狀。

基材之厚度，只要在不損害到與被加工物之貼合、被加工物之切斷或打孔、及切斷片之剝離或回收等各步驟中之操作性或作業性等之範圍，皆可適當調整，通常設定在500 y m以下， 15 而以3〜300/zm為佳，5~250"m更佳。為了提高與鄰接材料之密著性、保持性等，基材表面可進行慣用之表面處理，可舉例如：鉻酸處理、臭氧曝光、火燄曝光、高壓電擊曝光、及離子化放射線處理等化學性或物理性處理。黏著劑層之形成材料可使用含有（甲基）丙烯酸系聚合物 20 或橡膠系聚合物等已知之黏著劑。形成（甲基）丙烯酸系聚合物之單體成分，可舉例如曱基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、第三丁基、異丁基、戊基、異戍基、己基、庚基、環己基、2-乙基己基、辛基、異辛基、壬基、異壬基、癸基、異癸基、十一烷基、月桂基、十三烷基、 32 1332875 十四烷基、硬脂基、十八烷基、及十二烷基等碳原子數30以下之烷基（曱基）丙烯酸酯，其中又以碳原子數4~18之具有直鏈或分歧之烷基之烷基（甲基）丙烯酸酯為佳。這些烷基（甲基）丙烯酸酯可單獨使用1種，或併用2種以上。 5 基於將（甲基）丙稀酸系聚合物之黏著性、凝聚力或耐熱性改質之目的，亦可使上述以外之單體成分共聚合。這種單體成分，可舉例如丙烯酸、甲基丙烯酸、羧乙基（甲基）丙烯酸酯、叛戊基（甲基）丙稀酸酯 '衣康酸、馬來酸、富馬酸或巴豆酸之含羧基單體、馬來酸酐或衣康酸酐等之酸酐單體、（曱 10基）丙烯酸2-羥基乙酯、（甲基）丙烯酸2-羥基丙酯、（甲基）丙烯酸4-羥基丁酯、（甲基）丙烯酸6_羥基己酯、（甲基）丙烯酸8-羥基辛酯、（甲基）丙烯酸1〇_羥基癸酯、（甲基）丙烯酸 12-羥基月桂酯、及（4_羥基曱基環己基）_曱基（甲基）丙烯酸酯之含有羥基之單體、苯乙烯磺酸、丙烯磺酸、2 (甲基） 15丙烯醯胺_2_甲基丙磺酸、（甲基）丙烯醯胺丙磺酸、磺丙基（甲基）丙稀酸酯、及（甲基）丙燦酿基經基萘確酸之含績酸基單體、2-羥基乙基丙烯醯基磷酸酯等含磷酸基單體、（曱基）丙烯酿胺、（曱基）丙稀酸N-經基曱基醯胺'(?基）丙稀酸烧基胺基烷基酯（例如二甲基胺基乙基曱基丙烯酸酯、第三丁基胺基 20乙基曱基丙稀酸輯等）、N_乙稀基吼咬、丙稀酿基咮琳、醋酸乙稀、笨乙稀、及丙烯腈等。這些單體成分可單獨使用1種，亦可併用2種以上。又，基於丙烯酸系聚合物之交聯處理等目的，亦可將多官此單體等因應需要作為共聚合用之單體成分來使用。 33 1332875 多官能單體可舉例如己二醇二（甲基）丙烯酸酯、（聚）乙二醇二（曱基）丙烯酸酯、（聚）丙二醇二（曱基）丙烯酸酯、新戊二醇二（甲基）丙烯酸酯'季戊四醇二（甲基）丙烯酸酯、三羧曱基丙烷三（曱基）丙烯酸酯、四羧甲基曱烷四（曱 5 基）丙烯酸酯、季戊四醇三（曱基）丙烯酸酯、季戊四醇四（曱基）丙烯酸酯、二李戊四醇單羥基六（甲基）丙烯酸酯、二季戊四醇六（甲基）丙稀酸醋、環氧基（曱基）丙烯酸g旨、聚醋 (曱基）丙烯酸酯、胺基曱酸酯（曱基）丙烯酸酯等。這些多官能單體可單獨使用1種，亦可併用2種以上。 10 多官能單體之使用量，依據黏著特性等觀點，以全單體成分之30重量％以下為佳，更以20重量％以下為佳。 (曱基）丙烯酸系聚合物之調製，可將例如含有1種或2 種以上之單體成分之混合物以溶液聚合方式、乳化聚合方式、整體聚合方式、懸浮聚合方式等適當方式來進行。 15 聚合引發劑可舉過氧化氫、過氧化苯甲醯、第三丁基過氧化物等過氧化物系。以單獨使用為佳，不過亦可與還原劑組合來作為氧化還原系聚合引發劑來使用。還原劑可舉例如亞硫酸鹽、亞硫酸氫鹽、鐵、銅、鈷鹽等離子化鹽、三乙醇胺等胺類、醛糖、酮糖等還原糖等。又，偶氮化合物也是適合之聚合引發 20劑，可使用2-2’-偶氮雙-2-曱基丙脒酸鹽、2_2，偶氮雙_2,4_二甲基戊腈、2-2’-偶氮雙-N，N’-二亞甲基異丁基脒酸鹽、2j，·偶氮雙異丁腈、2-2，-偶氮雙-2-甲基·Ν_(2·經基乙基）丙酿胺等。又，上述聚合引發劑可併用2種以上使用。反應溫度通常為50〜85°C，反應時間為丨〜8小時。又前 34 1332875 述製造法當中，以溶液聚合法為佳，（曱基）丙烯酸系聚合物之溶劑一般使用醋酸乙酯、甲苯等極性溶劑。溶液濃度通常為 20~80 重量％。

前述黏著劑中，為了提高基礎聚合物之（曱基）丙烯酸系 5 聚合物之數平均分子量，可適當添加交聯劑。交聯劑可舉聚異氰酸酯化合物、環氧化合物、氮雜環丙烷化合物、三聚氰胺樹脂、尿素樹脂、酐化合物、聚胺、含羧基聚合物等。使用交聯劑時，由於考慮到不過度降低拉剝黏著力，其使用量一般是相對於上述基礎聚合物100重量份，以混合0.01~5重量份左右為 10 佳。又，形成黏著劑層之黏著劑中，除前述成分之外，亦可依據需要而使其中含有習知各種黏著賦予劑、抗氧化劑、充填劑、抗氧化劑、著色劑等慣用之添加劑。

為了提高從被加工物剝離時之剝離性，黏著劑宜為藉紫外線、電子線等放射線進行硬化之放射線硬化型黏著劑。又，使 15 用放射線硬化型黏著劑作為黏著劑時，由於在雷射加工後對黏著劑層照射放射線，因此前述基材宜具有充分之放射線透過性。放射線硬化型黏著劑可舉例如前述（曱基）丙烯酸系聚合物中混合有放射線硬化性單體成分或寡聚物成分之放射線硬 20 化性黏著劑。混合之放射線硬化性單體成分或寡聚物成分，可舉例如：胺基曱酸酯（甲基）丙烯酸酯寡聚物、三羧曱基丙烷三（曱基）丙烯酸酯、四羧曱基曱烷四（甲基）丙烯酸酯、四乙二醇二（曱基）丙烯酸酯、季戊四醇三（曱基）丙烯酸酯、季戊四醇四（甲 35 基）丙烯酸酯、二李戊四醇單羥基五（曱基）丙烯酸酯、二季戊四醇六（甲基）丙稀酸酯、1,4-丁二醇二（甲基）丙烯酸酯、及1，6-己二醇（曱基）丙烯酸酯等（甲基）丙烯酸與多元醇形成之酯化物；2-丙烯基-3-丁烯基三聚氰酸酯、及參（2-甲基丙 5 烯醯氧基乙基）異三聚氰酸酯等異三聚氰酸酯化合物等。這些成分可單獨使用1種，亦可併用2種以上。放射線硬化性單體之單體成分或寡聚物成分之混合量，並無特別限制，若考慮到黏著性，以相對於構成黏著劑之（甲基）两烯酸系聚合物等基礎聚合物1〇〇重量份，而為5~500重量份 1〇為佳，特別是以70~150重量份為佳。又’放射線硬化型黏著劑，可使用在聚合物側鏈或主鏈令、或主鍵末端具有碳原子-碳原子雙鍵者作為基礎聚合物。這種基礎聚合物，宜為以（甲基）丙烯酸系聚合物為基本骨架者。 k時’可不需特縣加放射線硬化性單體成分絲聚物成分， 15其使用很隨意。 …補線硬化型黏著劑中，藉紫外料使之硬化時可乙氧光聚合引發劑。光聚合引發劑可舉例如4_仏經基甲氧P本土（2_搜基2_丙基）嗣或㈣基K甲基笨乙酮、 2〇 a…_、2’2-二甲氧基_2苯基笨乙_、22_-乙氧基笨乙 2〇酮、1-羚其庐^ —乙虱基本乙土衣己基本基酮、2-甲基小[4_ ( 丙统-1]等苯乙_系化合物、二笨乙二綱本基_2·咮琳 —^ _乙基驗、二装L —酿1思土醚、如對甲氧笨曱甲基驗之 ’、 2-甲基本乙一酮醚系化合物' 縮_系化人妝, '^物、卞基二曱基縮蜩等。Μ㈣化物”麵伽氣化物系化合 36 1332875 物、1-苯酮-1,1-丙二酮-2-(鄰-乙氧基羰基）肟等光活性肟系化合物、二笨曱酮、苯曱醯基安息香酸、3,3,-二曱基-4-曱氧基二笨曱酮等二苯曱酮系化合物、噻吨酮、2-氯噻吨酮、2-甲基噻 p屯酿1、2,4-二曱基嘴吨酿I、異丙基嘴吨酿I、2,4-二氣嘆吨酮、2,4-5 二乙基噻吨酮、2,4-二異丙基噻吨酮等噻吨酮系化合物、樟腦醌、鹵化酮、醯基氧化磷類及醯基膦酸酯等。

光聚合引發劑之混合量相對於構成黏著劑之（甲基）丙烯酸系聚合物等基礎聚合物100重量份，以0.1〜10重量份為佳，更以0.5〜5重量份為佳。 10 前述保護片可藉由例如在前述基材之表面塗布黏著劑溶液，使之乾燥（視需要使之加熱交聯），形成黏著劑層來製造。又，亦可採用其他方法，在剝離襯墊上形成黏著劑層後，將之貼合於基材之方法等。黏著劑層可以是1層，亦可在2層以上。亦可因應必要在黏著劑層之表面設置分離器。 15 黏著劑層基於防止污染被加工物等點，以低分子量物質之

含有量少為佳。基於該點，（曱基）丙烯酸系聚合物之數平均分子量以在30萬以上為佳，又以40萬~300萬更佳，而80萬 ~300萬尤佳。黏著劑層之厚度可在不會從被加工物剝離之範圍内適當 20 選擇，通常為5〜300;zm，又以10〜100/im為佳，更以20〜50以 m為佳。又，黏著劑層之接著力，依據在常溫（雷射照射前）下對 SUS304之接著力（90度剝離值，剝離速度300mm/分），宜在 20N/20mm 以下，又以 0.001~10N/20mm 為佳，更以 0.01 〜8N/20mm 37 1332875 為佳。前述分離器係為了標記加工或保護黏著劑層而因應需要設置。分離器之構成材料可舉例如紙、聚乙烯、聚丙烯、聚乙烯對苯二曱酸酯等合成樹脂膜等。分離器之表面，為了提高從 5 黏著劑層之剝離性，可因應需要施以聚矽氧處理、長鏈烷基處理、氟處理等剝離處理。又，亦可因應必要，施以紫外線透過防止處理等，使保護片不會因環境紫外線而產生反應。分離器之厚度通常為10〜200 μ m，又以25~100 y m為佳。

以下，說明利用本發明之前述保護片之藉雷射光之紫外線 10 吸收研磨所進行之雷射加工品之製造方法。例如，切斷加工之情況，係如第1圖及第3圖所示，將保護片2與被加工物（或金屬系材料）1及黏著片3以輥層壓或加壓等習知之方法進行貼合而得到保護片-被加工物-黏著片積層體4，將該積層體4 配置於吸著台5之吸著板6上，並於該積層體4上以透鏡使藉 15 預定之雷射振盪器輸出之雷射光7集光、照射於保護片2上，同時使該雷射照射位置沿預定之加工線上移動，藉此進行切斷加工。又，設於被加工物之雷射光出射側之黏著片3，在雷射加工前係負責支持固定被加工物，而雷射加工後則用以防止切斷物落下，係使用雷射加工性很低之片材。黏著片3可使用在 20 基材上積層黏著劑層之一般黏著片，並無特別限制。雷射光之移動機構可使用電流掃描或X-Y台掃描、圖像化裝加工等習知之雷射加工方法。雷射加工條件只要是可將保護片2及被加工物1完全切斷之條件即可，並無特別限制，不過，為了要避免黏著片3也被 38 1332875 切斷，最好是在被加工物1被切斷之能量條件之2倍以内。又，切割量（切斷溝）可藉由縮小雷射光之集光部之束徑而細緻，但為了做出切斷端面之精度，最好滿足以下關係：束徑（// m) >2x (雷射光移動速度（a m/sec) /雷射之重 5 複頻率（Hz))。

又，打孔加工之情況，係如第2圖所示，將保護片2與被加工物1及黏著片3以輥層壓或加壓等習知方法進行貼合而得到保護片-被加工物-黏著片積層體4,將該積層體4配置於吸著台5之吸著板6上，並於該積層體4上以透鏡使藉預定之雷射 10 振盪器輸出之雷射光7集光、照射於保護片2上，形成開孔。打孔加工係藉電流掃描或X-Y台掃描、圖像化裝之沖孔加工等習知之雷射加工方法形成。雷射之加工條件可依據被加工材料之磨蝕閾值來決定。而為了要避免黏著片3也被穿孔，最好是在被加工物1被穿孔之能量條件之2倍以内。 15 又，亦可藉由對雷射加工部吹送氦、氮、氧等氣體，使分

解物之飛散除去效率化。又，半導體晶圓之切斷加工，係如第4圖，將半導體晶圓 8之單面貼合於吸著台5上所設置之黏著片3，更於其另一侧設置保護片2，以透鏡使預定之雷射振盪器輸出之雷射光7在 20 保護片2上集光、照射，同時使雷射照射位置沿預定之加工線上移動，藉此進行切斷加工。雷射光之移動機構可採用電流掃描或X-Y台掃描、圖像化裝加工這些已知之雷射加工方法。該半導體晶圓之加工條件只要是可將保護片2及半導體晶圓8切斷、且黏著片3不被切斷之條件即可，並無特別限制。 39 在這種半導體晶圓之切斷加工中，在切斷為各個半導體晶片後，可藉習知之芯片焊接機等裝置利用被稱為探針之向上突起銷傳感拾起之方法、或特開200卜118862號公報中所揭示之方式等習知方法，將各個半導體晶片拾起回收。本發明之雷射加工品之製造方法中’在雷射加工結束後，保濩片2從雷射加工品1〇剝離。剝離之方法並無特別限定，但’需注意別在剝離時施加會導致雷射加工品10永久變形之應力。例如’黏著劑層係利用放射線硬化型黏著劑時，可因康黏著劑之種類藉放射線照射使黏著劑層硬化，使黏著性降低。藉放射線照射’可使黏著劑層之黏著性因硬化而降低，變得容易剝離。放射線照射之機構並無特別限制，可藉例如紫外線照射等來進行。第1本發明之雷射加工品之製造方法中，藉由使用前述保護片，可使從雷射光照射部產生之分解物附著於被覆被加工物之保護片表面，因此可有效防止分解物附著於被加工物表面。又，當使用在雷射光吸收領域之透光率小於50%這種雷射能量利用效率很大之保護片時，賴片會先於被加工物被雷射光侵蝕，保護片之雷射光照射部被侵蝕後，下層之被加工物始被侵蝕。因此，被加工物之分解物可從保護片之侵蝕部分飛散到外部，而可抑制保護片與被加工物之界面部分之污染。第2本發明之雷射加工品之製造方法中，由於使用基材之蝕刻率0.4以上之保護片，因此保護片會先於被加工物更易被田射光餘刻，保護片之雷射光照射部被充分#刻後，下層之被加工物始被蝕刻。因此，被加工物之分解物可從保護片之钱刻 1332875 部分有效率地飛散到外部，而可抑制部分之污染。 _保❹與被加工物之界面第3 (或第4)本發明之雷射加工品之製造方法中由於使用消光係數比在1以上之保護片（式 W (或使用具有在紫外線領域波長λ之>肖光係、數在20cm·1以上之基 μ . ^ 侏5蔓片），因此保護片會先於被加工物（或金屬系材料）更易被_，佯護片之+ t光照射部被充純刻後，下層之被加I物始被_。因此田 10 Γ加工物之分解物可從賴片钱刻部分有效率地飛散到外邵，而可抑制保護片與被加工物之界面部分之污染。在本發^㈣加工。。。之製造方法中，•❹密度比以上之保遣片，因此料片比被加工物更易·被银刻，片之雷射光照㈣被充純•，下層之被加工物始被⑽卜 =6本發明之雷射加工品之製造方法中，由於使用具有密度在l.lg/cm3以上之基材之俾罐μ m · 15 保護片’因此保護片會比金屬系# 枓更易破㈣，保護片之雷射光照射部被充分㈣後下層之金屬系特料始被關。因此，被加工物（金屬系材料）之分解保護片之關部分有效率地飛散到外部而可抑制保護片與被加工物（金屬系材料）之界面部分之污染。 20 第W或第8)本發明之雷射加工品之製造方法中，由於使用拉伸強度比在1以上之保㈣（或使用拉伸強度在100MPa 以上之保護片），因此保護片會比被加工物U金«㈣）更易祕刻，保護片之雷射光照射部被充分軸後下層之被加工物始触刻。因此，被加工物之分解物可從保護片之钱刻部分有效率地飛散到外部，而可抑制保護片與被加工物之界面 41 5 部分之污染。第9本發明之雷射加"·品之製造方法中，由於使用比熱比 J於1之保4片’因此保護片比被加工物更易被糊，保護片之雷射光縣部被充純職，下狀被加瑞始祕刻。因此’被加场之分職可從鍵#之_部分有鱗地飛散到外部’而可抑龍護片與被加卫物之界面部分之污染。第10(或第11)本發明之雷射加工品之製造方法中，由於使用折射率比在1以上之保護片（或使用具有在波長546nm之折射率在h53以上之基材之保護片），因此保護片會比被加工 10

物更易被㈣j，n #之雷射光照射部被充分射彳後，下層之被加工物始被_。因此，被加工物之分解物可從保護片之姓刻部分有效率地飛散到外部’而可抑制保護片與被加工物之界面部分之污染。

第12 (或第13)本發明之雷射加工品之製造方法中，由 15於使用總鍵能比小於1之保護片（或使用具有總鍵能A小於 800kJ/mol之基材之保護片），因此保護片會比被加工物更易被餘刻’保護片之雷射光照射部被充分蝕刻後，下層之被加工物始被蝕刻。因此，被加工物之分解物可從保護片之蝕刻部分有效率地飛散到外部，而可抑制保護片與被加工物之界面部分之 20 污染。因此’藉前述製造方法，由於分解物不會附著在保護片與被加工物（雷射加工品）之界面部分，因此在將被加工物進行雷射加工後，可使保護片輕易從雷射加工品剝離，又，可使被加工物之雷射加工精度提升。 42 1332875 實施例以下，藉實施例具體說明本發明，而本發明並不侷限於這些實施例。 (第1發明） 5 [數平均分子量之測定]

業已合成之（曱基）丙烯酸系聚合物之數平均分子量係藉以下方法測定。使已合成之（甲基）丙烯酸系聚合物於THF以 O.lwt%溶解，利用GPC (膠質滲透色層譜）藉聚苯乙烯換算測定數平均分子量。詳細之測定條件係如下所述。

10 GPC 裝置：東乂一製，HLC-8120GPC 管柱：東 y — 製，（GMHHR-H ) + ( GMHHR-H ) + (G2000HHR) 流量：〇.8ml/min 濃度：O.lwt% 15 注入量：100//1

管柱溫度：40°C 溶離液：THF [透光率之測定] 將基材及保護片切斷為任意大小，使用U-3400 (曰立製作 20 所製），以測定波長355nm測定透光率。又，保護片係從黏著劑層側進行測定。實施例1 在由聚萘乙二酯（重複單元中之芳香環重量比：64重量％) 所形成之基材（厚度：20 /z m、波長355nm中之透光率：0% ) 43 1332875 上，塗布可藉紫外線硬化之丙烯酸系黏著劑溶液（Ο、並乾燥而形成黏著劑層（厚度l〇ym)，得到保護片。該保護片在波長355nm之透光率為0%。又，丙烯酸系黏著劑溶液（1 )係利用以下方法來調製。

5 使丙烯酸丁酯/丙烯酸乙酯/2-羥基丙烯酸乙酯/丙烯酸以重量比 60/40/4/1共聚合得到之數平均分子量約80萬之丙稀酸系聚合物100重量份，與作為光聚合性化合物之二季戊四醇單羥五丙烯酸酯90重量份、及作為光聚合引發劑之笮基二曱基酮縮醇 (彳少力'导二了 651) 5重量份，添加於曱苯650重量份中， 10 均勻溶解混合，調製丙烯酸系黏著劑溶液（1 )。

在厚度100/zm之矽晶圓之單面上，以輥層壓貼合上述製作之保護片，製作附有保護片之矽晶圓。接著，在載有玻璃環氧樹脂製吸著板之XY台上，使保護片面朝上來配置該附有保護片之矽晶圓。將波長355nm、平均輸出5W、重複頻率30kHz 15 之YAG雷射之第3高調波（ 355nm)藉f0透鏡在該附有保護片之矽晶圓表面以25 μ m徑集光，藉電流掃描以雷射光20mm/ 秒之速度掃描切斷加工。這時，確認保護片及矽晶圓被切斷。之後，使保護片剝離，觀察矽晶圓之保護片貼合面（雷射光入射面側）之雷射加工周邊部，未觀察到分解物。 20 比較例1 在實施例1中，不在矽晶圓單面設置保護片，除此之外，利用與實施例1相同做法對矽晶圓實施雷射加工。之後，觀察矽晶圓之雷射光入射面侧之表面，確認有大量之飛散分解物殘潰附著。 44 1332875 參考例1 在實施例1中，除使用聚乙烯醇片（厚度：50ym、在波長355nm之透光率：84.4%)作為保護片之外，與實施例1相同做法對矽晶圓施行雷射加工。結果，保護片未被充分切斷， 5 而下層的矽晶圓被雷射加工，且保護片與矽晶圓之間產生了含有分解物殘渣之氣泡。使保護片剝離、觀察矽晶圓之雷射光入射面側之開口部周邊，確認附著有矽晶圓之分解物殘渣。實施例2 在由聚醯亞銨（重複單元中之芳香環之重量比：64重量％) 10 所形成之基材（厚度：13"m、波長355nm中之透光率：0%) 上，塗布可藉紫外線硬化之丙烯酸系黏著劑溶液（2)、並乾燥而形成黏著劑層（厚度l〇Vm)，得到保護片。該保護片在波長355nm之透光率為0%。又，利用以下方法調製丙烯酸系黏著劑溶液（2)。使丙烯 15 酸丁酯/丙烯酸乙酯/2-羥基丙烯酸乙酯以重量比50/50/16共聚合得到數平均分子量50萬之丙烯酸系聚合物100重量份，相對於該丙烯酸系聚合物100重量份，使2-曱基丙烯醯基羥乙基異氰酸S旨20重量份加成反應，在聚合物分子内側鏈上導入碳原子-碳原子雙鍵（這時側鏈之長度為原子數13個）。將該聚合 20 物100重量份、聚異氰酸酯系交聯劑（=1 口氺一卜L) 1重量份、及作為光聚合引發劑之α-羥基酮（彳少方年二了 184) 3 重量份，添加於甲笨350重量份，均勻溶解混合，調製丙烯酸系黏著劑溶液（2 )。在厚度25/im之聚醯亞胺膜上形成有厚度18/im之銅層 45 1332875 之2層基板上，藉曝光、顯像、蝕刻等步驟形成電路，製作軟性印刷基板。將該製作之軟性印刷基板與上述保護膜藉輥層壓貼合，製作附有保護片之軟性印刷基板。接著’在氧化鋁製之載置有陶瓷吸著板之XY台上，以保 5護片在上方來放置該附有保護膜之軟性印刷基板。再將波長 355nm、平均輸出5W、重複頻率30kHz之YAG雷射之第3高調波（ 355nm)藉透鏡在附有保護片之軟性印刷基板表面以 25 Am裡集光，藉電流掃插以雷射光邡皿…秒之速度掃描進行切斷加工^这時，雄認了保護片及軟性印刷基板被切斷。之後， 10將保護片剝離，觀察軟性印刷基板之保護片貼合面（雷射光入射面侧）之雷射加工周邊部，未觀察到分解物（附著物）。實施例3 在實施例2中’除了利用聚乙烯對苯二曱酸酯膜（重複單元中之芳香環之重量比：41重量％、厚度：5〇em、在波長355nm 15中之透光率：44.9%)作為保護片基材之外，其他以與實施例2 相同之方法對軟性印刷基板實施雷射加工。結果，確認保護片及軟性印刷基板都被切斷。之後，將保護片剝離，觀察軟性印刷基板之保護片貼合面（雷射光入射面側）之雷射加工周邊部’未觀察到分解物（附著物）。 20 實施例4 在實施例2中，除了利用聚碳酸酯膜（重複單元中之芳香環之重量比：61重量％、厚度：20/z m、在波長355niB中之透光率：0%)作為保護片基材之外，其他以與實施例2相同之方法對軟性印刷基板實施雷射加工。結果’確認保護月及軟性印 46 1332875 刷基板都被切斷。之後，將保護片保護片貼合面（雷射光入射面側）到分解物（附著物）。實施例5 制離’觀察軟性印刷基板之之雷射加工周邊部，未觀察使 4-曱基-1-戍烯/M-雙{2-[4、（Κί χτ 二（對-甲苯基）胺基）苯基]乙烯基}笨以重量比97/3共聚〇而形成之聚合物，藉澆鑄作成片狀，製作保護片用基材。 10 15 在實施例2中，除了利用上迷所制， β製作之基材（重複單元中之芳香環之重量比：2.4重量％、厚户.， ^ ^ * l〇/zm、在波長 355nm 中之透光率：5%)作為保護片基材之外，其他以與實施例2相同之方法對軟性印刷基板實施雷射力。工^結果，輕保護月及軟性印刷基板都被切斷。之後’將保護片纏，觀察軟性印刷基板之保護片貼合面（雷射光入射面側）之雷射加工周邊部，未觀察到分解物（附著物）。 (第2發明）

[數平均分子量之測定] 利用與第1發明相同的方法進行測定。 [蝕刻率之測定] 將光束整形為鐘罩形狀之YAG雷射（最大輸出5W、重複 2〇頻率30kHz)之第3高調波（355nm)藉f0透鏡集光，以脈衝數50 (pulse)之條件照射於基材表面。照射後，以光學顯微鏡測定在基材上形成之溝深度（。蝕刻速度藉下式算出。蝕刻速度=溝深（/im) /脈衝數（pulse) 又，前述YAG雷射之能通量為5 (J/cm2)。餘刻率係依據

47 1332875 上述蝕刻速度與能通量，藉下式算出。蝕刻率=姓刻速度（"m/pulse) /能通量（】/咖2) 實施例1 5 在由聚苯乙烯形成之基材（厚度2〇/zm，餘刻率：〇48) 上:塗布可精紫外線硬化之丙稀酸系黏著劑溶液⑴並使之乾燥’形絲著劑層（厚度1G/Zm)而得到保護片。 10 又，丙稀酸系黏著劑溶液⑴係用以下方法詞製。使丙稀酸丁醋/丙稀酸乙醋/2_經基丙婦酸乙醋/丙缚酸以重量比共聚合得到數平均分子量8〇萬之丙稀酸系聚合物· 卯=、與作為光聚合性化合物之二季戊四醇單經五丙稀㈣年讀、及作為光聚合引發劑之絲二甲基酮縮醇（心b力、 =二651)5重量份，添加於甲苯65()重量份，使其均勾溶解尾δ而調製丙烯酸系黏著劑溶液（1)。 15 在厚度咖_之石夕晶圓之單面上，以輕層恩貼合上述製 :呆護片，製伽有保護片之⑦晶圓。接著，在栽有玻璃環 #脂製吸著板之ΧΥ台上，使保護片面朝上來配置該附有保夕aa圓。將波長355nm '平均輸出5W、重複頻率30kHz AG雷射之第3高調波（355nm )藉f 0透鏡在該附有保護 20 夕B曰圓表面以25 // m徑集光，藉電流掃描以雷射光2〇mm/ 之速度掃插切斷加工。這時，確認保護片及矽晶圓被切斷。 ’使保護片剝離’觀察矽晶圓之保護片貼合面（雷射光入面侧）之雷射加工周邊部，未觀察到分解物（附著物）。比較例1 在實施例1中，不在矽晶圓單面設置保護片，除此之外， 48 1332875 利用與實施例1相同做法對矽晶圓實施雷射加工。之後，觀察矽晶圓之雷射光入射面侧之加工周邊部，確認有大量之飛散分解物殘渣附著。比較例2 5 在實施例1中，除使用聚乙烯片（厚度：50 "m、蝕刻率： 0)作為保護片之基材外，與實施例1相同做法對矽晶圓施行雷射加工。結果，保護片未被切斷，而下層的矽晶圓被雷射加工，且保護片與矽晶圓之間產生了含有分解物殘渣之氣泡。使保護片剝離、觀察矽晶圓之雷射光入射面側之開口部周邊，確 10 認附著有矽晶圓之分解物殘渣。比較例3 在實施例1中，除使用聚胺甲酸酯片（厚度：50/zm、蝕刻率：0.26)作為保護片之基材外，與實施例1相同做法對矽晶圓施行雷射加工。結果，保護片未被切斷，而下層的矽晶圓 15 被雷射加工，且保護片與矽晶圓之間產生了含有分解物殘渣之氣泡。使保護片剝離、觀察矽晶圓之雷射光入射面側之開口部周邊，確認附著有矽晶圓之分解物殘渣。實施例2 在由矽橡膠形成之基材（厚度20/zm，蝕刻率：0.52)上， 20 塗布可藉紫外線硬化之丙烯酸系黏著劑溶液（2)並使之乾燥，形成黏著劑層（厚度l〇ym)而得到保護片。又，利用以下方法調製丙烯酸系黏著劑溶液（2)。使丙烯酸丁酯/丙烯酸乙酯/2-羥基丙烯酸乙酯以重量比50/50/16共聚合得到數平均分子量50萬之丙烯酸系聚合物100重量份，相 49 1332875 對於該丙烯酸系聚合物刚重量份，使2-甲基丙_絲6恭異氰酸醋20重量份加成反應，在聚合物分子内侧鍵上導入破原子-¼原子雙鍵（這時側鏈之長度為原子數13個）。將該聚合物100重量份、聚異氣酸酷系交聯劑口才、一卜L) i重量 5份、及作為光聚合引發劑之α-經基網（心P力、m84) 3 重量伤添加於曱笨4〇〇重量份，均勻溶解混合調製丙稀酸系黏著劑溶液（2)。在厚度25Mm之聚醯亞胺膜上形成有厚度“以爪之銅層之2層基板上，藉曝光、顯像、触刻等步驟形成電路，製作軟 10性印刷基板。將該製作之軟性印刷基板與上述保護膜藉親層壓貼合，製作附有保護片之軟性印刷基板。接著’在氧化铭製之載置有陶瓷吸著板之XY台上，以保護片面在上方來放置該附有保護膜之軟性印刷基板。再將波長 355nm、平均輸出5W、重複頻率3〇kHz之YAG雷射之第3高 15調波（355nm)藉f0透鏡在附有保護片之軟性印刷基板表面以 25 徑集光，藉電流掃描以雷射光2〇mm/秒之速度掃描進行切斷加工。這時，確認了保護片及軟性印刷基板被切斷。之後，將保護片剝離’觀察軟性印刷基板之保護片貼合面（雷射光入射面側）之雷射加工周邊部，未觀察到分解物（附著物）。 20 實施例3 在實施例2中，除了利用聚醯亞胺膜（厚度13em、蝕刻率.0.95 )作為保護片基材之外，其他以與實施例2相同之方法對軟性印刷基板實施雷射加工。結果，確認保護片及軟性印刷基板都破切斷。之後，將保護片剝離，觀察軟性印刷基板之 50 1332875 保護片貼合面（雷射光入射面側）之雷射加工周邊部，未觀察到分解物（附著物）。實施例4 混合聚丙烯99重量份與碳黑1重量份，藉熔融擠塑製作 5 厚度20/zm之聚丙稀片。在實施例2中，除了利用前述聚丙烯片（蝕刻率：0.45) 作為保護片基材之外，其他以與實施例2相同之方法對矽晶圓實施雷射加工。之後，將保護片剝離，觀察軟性印刷基板之保護片貼合面（雷射光入射面側）之雷射加工周邊部，未觀察到 10 分解物（附著物）。從上述實施例及比較例可清楚得知，藉由使用基材蝕刻率在0.4以上之保護片，可有效抑制因分解物造成的被加工物表面污染。 (第3及第4發明） 15 [數平均分子量之測定] 利用與第1發明相同之方法進行測定。 [消光係數之測定] 所使用之基材及被加工物之消光係數，係利用分光光度計 (曰立製作所製U3410)測定在波長355nm之消光度，從該消 20 光度之值算出。實施例1 利用聚苯乙烯片（厚度100/zm、消光係數48(:1^1)作為被加工物。在由聚胺曱酸酯形成之基材（厚度20/zm、消光係數125cm·1)上，塗布可藉紫外線硬化之丙烯酸系黏著劑溶液 51 1332875 (1)並乾燥，形成黏著劑層（厚度10//m)而製作保護片，消光係數比為2.6。又，丙烯酸系黏著劑溶液（1)係以如下方法述調製。使丙烯酸丁酯/丙烯酸乙酯/2-羥基丙烯酸酯/丙烯酸以重量比 5 60/40/4/1共聚合而形成之數平均分子量80萬之丙烯酸系聚合

物100重量份、作為光聚合性化合物之二季戊四醇單羥五丙烯酸酯90重量份、作為光聚合引發劑之笮基二曱基酮縮醇（彳小力'年二了 651) 5重量份、及聚異氰酸酯化合物（日本夕卜夕^製，3 口氺一卜L) 2重量份，添加於甲苯650重量 10 份中，均勻溶解混合，調製丙烯酸系黏著劑溶液（1 )。接著，在前述聚苯乙烯之單面上以輥層壓貼合前述製作之保護片，製作附有保護片之聚苯乙烯片。接著，在載有玻璃環氧樹脂製吸著板之XY台上，使保護片面在上來配置該附有保護月之聚苯乙烯片。

15 再將波長355nm、平均輸出5W、重複頻率30kHz之YAG

雷射之第3高調波（ 355nm)藉f0透鏡在附有保護片之聚苯乙烯片表面以25//m徑集光，藉電流掃描以雷射光20mm/秒之速度掃描切斷。這時，確認保護片及聚苯乙烯片被切斷。接著，對保護片照射紫外線使黏著劑層硬化。之後，將保護片剝離， 20 觀察聚苯乙烯片之貼合保護片面（雷射光入射面側）之雷射加工周邊部，未觀察到分解物（附著物）。比較例1 在實施例1中，不在聚苯乙烯片之單面設置保護片，除此之外，利用與實施例1相同做法對聚苯乙烯片實施雷射加工。 52 1332875 之後，觀察矽晶圓之雷射光入射面側之加工周邊部，確認有大量之飛散分解物殘造附著。比較例2

在實施例1中，除使用乙烯-醋酸乙烯共聚物片（厚度：100 5 "m、消光係數19cm·1)作為保護片之基材外，與實施例1相同做法對聚苯乙烯片施行雷射加工。消光係數比為0.4。結果，保護片未被切斷，而下層的聚笨乙烯片被雷射加工，且保護片與聚苯乙烯片之間產生了含有分解物殘渣之氣泡。接著，對保護片照射紫外線使黏著劑層硬化。然後使保護片剝離、觀察聚 10 苯乙烯片之雷射光入射面侧之開口部周邊，確認附著有聚苯乙稀片之分解物殘潰。實施例2 使用矽晶圓作為加工材料（厚度100//m)。使用矽晶圓橡膠片（厚度25//m、消光係數20.7^1^1)作為保護片之基材， 15 除此之外藉由與實施例1相同方法製作附有保護片之矽晶圓。

又，在由聚苯乙烯形成之基材（厚度100//m)上，塗布前述丙烯酸系黏著劑溶液（1)，使之乾燥，形成黏著劑層（厚度10/zm)製造黏著片。將該黏著片貼附於前述附有保護片之矽晶圓之裡面側，製作附有保護、黏著片之矽晶圓。之後，利 20 用與實施例1相同之方法進行切斷加工，保護片及矽晶圓被切斷，但黏著片未被切斷。接著，對保護片照射紫外線使黏著劑層硬化。然後使保護片剝離、觀察矽晶圓之保護片貼合面（雷射光入射面側）之雷射加工周邊部，未觀察到分解物（附著物）。 53 1332875 實施例3 使用聚乙烯對苯二曱酸酯片（厚度25 y m、消光係數 SOcnT1)作為保護片之基材，除此之外藉由與實施例2相同方法製作附有保護、黏著片之矽晶圓。之後，利用與實施例1相 5 同之方法進行切斯加工，保護片及矽晶圓被切斷，但黏著片未被切斷。接著，對保護片照射紫外線使黏著劑層硬化。然後使保護片剝離，觀察矽晶圓之保護片貼合面（雷射光入射面側）之雷射加工周邊部，未觀察到分解物（附著物）。

比較例3 10 使用乙烯-醋酸乙烯共聚物片（厚度l〇〇em、消光係數 19cm_1)作為保護片之基材，除此之外藉由與實施例2相同方法製作附有保護、黏著片之矽晶圓。之後，利用與實施例1相同之方法進行切斷加工，保護片未被切斷，而下層的矽晶圓被雷射加工，保護片與矽晶圓之間 15 產生含有分解物殘渣之氣泡。

接著，對保護片照射紫外線使黏著劑層硬化。然後使保護片剝離，觀察矽晶圓之雷射光入射面側之開口部周邊，大量附著有分解物殘渣。從上述實施例及比較例可清楚得知，藉由使用消光係數比 20 在1以上之保護片，可有效抑制因分解物造成的被加工物表面污染。又，在加工金屬系材料時，藉由使用具有消光係數20cm_1 以上之基材之保護片1可有效抑制因分解物造成的金屬糸材料表面污染。而且，由於可大幅簡化之後之分解物除去步驟，因此不僅有助於降低環境負荷，且可提高生產性。 54 (第5及第6發明） [數平均分子量之測定] 利用與第1發明相同之方法測定。 [密度測定] 利用比重瓶與水，測定用於保護片之基材及被加工物之密度。實施例1 利用聚碳酸醋片（厚度刚舞、密度i 2〇g/cm3)作為被 1加工物。為了使密度比在i以上，於聚乙烯萘醋所形成之基材 10 (厚度20"m、密度±，塗布可藉紫外線硬化之丙稀酸系黏著劑紐⑴並乾燥，形絲著劑層（厚度1〇來製作保護片。密度比為L13。 15 20

』又’前述丙稀酸系點著劑溶液⑴係利用以下方法來調製。使丙賴丁酷/㈣酸乙㈣每基輯酸乙醋/丙烯酸以重量比65/35/4/1共聚合得到之數平均分子量7G萬之_酸系聚。物100重量份’與作為光聚合性化合物之二季戊四醇單經五丙埽酸醋90重量份：及作為光聚合引發劑之窄基二甲基购醇（心〉力、m51) 5重量份、絲異驗敎合物（日本……社製口本一hL)2重量份，添加於甲笨 650重讀中，均勻溶解混合，調製丙稀酸㈣著劑溶液⑴。在前述聚碳_之單面上錢層壓貼合上述製作之保護片，製作附有保護片之聚碳酸酯片。接著，在載有玻璃環氧樹脂製吸著板之XY台上，使保片面朝上來配置該附有保護片之取# Μ & 月之♦碳酸8曰。將波長355nm、 55 1332875 均輸出5W、重複頻率30kHz之YAG雷射之第3高調波（ 355nm) 藉f0透鏡在該附有保護片之聚碳酸酯片表面以25/zm徑集光，藉電流掃描以雷射光20mm/秒之速度掃描切斷加工。這時，確認保護片及聚碳酸酯被切斷。接著，對保護片照射紫外線使 5 黏著劑層硬化。之後，使保護片剝離，觀察聚碳酸酯之保護片貼合面（雷射光入射面側）之雷射加工周邊部，未觀察到分解物。比較例1

在實施例1中，不在聚碳酸酯片單面設置保護片，除此之 10 外，利用與實施例1相同做法對聚碳酸酯片實施雷射加工。之後，觀察聚碳酸酯片之雷射光入射面側之加工周邊部，有大量之飛散分解物殘潰附著。比較例2

在實施例1中，除使用聚降稻烯系片（厚度：100；/m、密 15 度1.00g/cm3)作為保護片之基材外，與實施例1相同做法對聚碳酸酯片施行雷射加工。密度比為0.83。結果，保護片未被切斷，而下層的聚碳酸酯片被雷射加工，且保護片與聚碳酸酯片之間產生了含有分解物殘渣之氣泡。接著，對保護片照射紫外線使黏著劑層硬化。然後使保護 20 片剝離、觀察聚碳酸酯片之雷射光入射面侧之開口部周邊，確認附著有聚碳酸酯片之分解物殘渣。實施例2 使用聚苯乙烯片（厚度100/zm、密度1.04g/cm3)作為被加工物。使用聚醯亞胺片（厚度20ym、密度l_5g/cm3)作為 56 1332875 保護片之基材，除此之外藉由與實施例1相同方法製作附有保護片之聚笨乙稀月。密度比為1.44。又，在由聚乙烯醇形成之基材（厚度75/zm)上，塗布前述丙烯醆系黏著劑溶液（1)，使之乾燥，形成黏著劑層（厚度10 βπι)製造黏著片。將該黏 5著4貼附於前述附有保護片之聚苯乙烯之裡面側，製作附有保護、黏著片之聚苯乙烯片。之後，利用與實施例i相同之方法進行切斷加工，保護片及聚苯乙烯片被切斷，但黏著片未被切斷。接著，對保護片照射紫外線使黏著劑層硬化。然後使保護月剝離、觀察聚苯乙烯月之保護月貼合面（雷射光入射面側） · 10之雷射加工周邊部，未觀察到分解物（附著物）。實施例3 使用石夕晶圓（厚度l〇〇//m)取代聚苯乙稀片除此之外藉由與實施例2相同方法製作附有保護、黏著片之石夕晶圓。之後利用與實施例i相同之方法進行切斷加工保護片及石夕晶 15圓被切斷，但黏著片未被切斷。接著，對保護片照射紫外線使黏著劑層硬化。然後使保護片剝離，觀察石夕晶圓之保護片貼合面(雷射光入射面側)之雷射加工周邊部，未觀察到分解物(附 · 著物）。比較例3 ♦ 20 使用聚降箱稀系片（厚度100" m、密度1.00g/cm3)作為 . 保善片之基材’除此之外藉由與實施例3相同方法製作附有保護、黏著片之矽晶圓。之後利用與實施例1相同之方法進行切斷加工，保護片未被切斷而下層的砂晶圓被雷射加工，保護片與妙晶圓之間 57 1332875 產生含有分解物殘渣之氣泡。接著，對保護片照射紫外線使黏著劑層硬化。然後使保護片剝離，觀察矽晶圓之雷射光入射面側之開口部周邊，大量附著有分解物殘潰。從上述實施例及比較例可清楚得知，藉由使用密度比在1 5 以上之保護片、或具有密度在l.lg/cm3以上之基材之保護片，可有效抑制因分解物造成的被加工物表面污染。而且，由於可大幅簡化之後之分解物除去步驟，因此不僅有助於降低環境負荷，且可提高生產性。

(第7及第8發明） 10 [數平均分子量之測定] 利用與第1發明相同之方法測定。 [拉伸強度測定] 所使用之保護膜及被加工物之拉伸強度，係利用張力試驗機（島津才一卜夕'' 7 7 AGS50-D )來測定。測定條件如下所述。 15 拉伸速度：20mm/min

夾頭間距離100mm 樣本寬度：l〇mm 實施例1 利用聚笨乙烯片（厚度l〇〇ym、拉伸強度44MPa)作為 20 被加工物。為了使拉伸強度比在1以上，故於聚乙烯萘酯所形成之基材（厚度50 μ m)上，塗布可藉紫外線硬化之丙烯酸系黏著劑溶液（1)並乾燥，形成黏著劑層（厚度l〇Vm)來製作保護片（拉伸強度282MPa)。拉伸強度比為6.4。又，前述丙烯酸系黏著劑溶液（1 )係利用以下方法來調 58 1332875 製。使丙烯酸丁酯/丙烯酸乙酯/2-羥基丙烯酸乙酯/丙烯酸以重量比65/35/4/1共聚合得到之數平均分子量70萬之丙烯酸系聚合物100重量份，與作為光聚合性化合物之二季戊四醇單經五丙烯酸酯90重量份、及作為光聚合引發劑之¥基二曱基酮縮 5 醇（彳少方年二了 651) 5重量份、及聚異氰酸酯化合物（曰本东クレ夕レ社製，3 口氺一卜L) 2重量份，添加於曱苯 650重量份中，均勻溶解混合，調製丙烯酸系黏著劑溶液（1)。在前述聚苯乙烯片之單面上以輥層壓貼合上述製作之保護片，製作附有保護片之聚苯乙烯片。 10 接著，在載有玻璃環氧樹脂製吸著板之XY台上，使保護片面朝上來配置該附有保護片之聚苯乙烯片。將波長355nm、平均輸出5W、重複頻率30kHz之YAG雷射之第3高調波 ( 355nm)藉f0透鏡在該附有保護片之聚苯乙烯片表面以25 y m徑集光，藉電流掃描以雷射光20mm/秒之速度掃描切斷加 15 工。這時，確認保護片及聚碳酸酯被切斷。接著，對保護片照射紫外線使黏著劑層硬化。之後，使保護片剝離，觀察聚碳酸酯之保護片貼合面（雷射光入射面侧）之雷射加工周邊部，未觀察到分解物（附著物）。比較例1 20 在實施例1中，不在聚苯乙烯片單面設置保護片，除此之外，利用與實施例1相同做法對聚苯乙烯片實施雷射加工。之後，觀察聚苯乙烯片之雷射光入射面側之加工周邊部，有大量之飛散分解物殘渣附著。比較例2 59 1332875 在實施例1中，除使用乙烯-醋酸乙烯共聚物片（厚度10〇 #m)作為保護片之基材外，與實施例1相同做法對聚苯乙稀片施行雷射加工。又，保護片之拉伸強度為17MPa。結果，保護片未被切斷’而下層的聚笨乙稀片被雷射加工，且保護月與 5聚本乙稀片之間產生了含有分解物殘渣之氣泡。接著，對保護片照射紫外線使黏著劑層硬化。然後使保護片剝離、觀察聚碳酸酯片之雷射光入射面側之開口部周邊，破認附著有聚苯乙稀片之分解物殘潰。實施例2 # 10 使用矽晶圓（厚度作為加工材料。使用聚醯亞胺片（厚度25/zm)作為保護片之基材，除此之外藉由與實施例1相同方法製作附有保護片之矽晶圓。前述保護片之拉伸強度為 340MPa。又，在由聚乙烯形成之基材（厚度1〇〇；fzm)上，塗布前 15述丙烯酸系黏著劑溶液⑴’使之乾燥，形成黏著劑層（厚度 10 # m )製造黏著片。將該黏著片貼附於前述附有保護片之矽晶圓之裡面側，製作附有保護、黏著片之砂晶圓。之後，利用 · 與實施例i相同之方法進行輯加卫，健片㈣晶圓被切斷，但黏著片未被切斷。接著，對保護片照射紫外線使黏著冑 · 20層硬化。·然後使保護片剝離、觀察％晶圓之保護片貼合面（冑 . 射光入射面側）之雷射加X周邊部，未觀察到分解物（附著 ' 物）。貫施例3 使用聚乙稀對苯二甲酸酯（展声 V厚度25以m)作為保護片之基 60 1332875 材，除此之外藉由與實施例2相同方法製作附有保護、黏著片之矽晶圓。前述保護片之拉伸強度為140MPa。之後，利用與實施例1相同之方法進行切斷加工，保護月及矽晶圓被切斷，但黏著片未被切斷。接著，對保護片照射紫外線使黏著劑層硬 5 化。然後使保護片剝離，觀察矽晶圓之保護片貼合面（雷射光入射面側）之雷射加工周邊部，未觀察到分解物（附著物）。比較例3

使用聚乙烯-醋酸乙烯共聚物片（厚度100#m)作為保護片之基材，除此之外藉由與實施例2相同方法製作附有保護、 10 黏著片之矽晶圓。前述保護片之拉伸強度為17MPa。之後，利用與實施例1相同之方法進行切斷加工，保護片未被切斷，而下層的矽晶圓被雷射加工，保護片與矽晶圓之間產生含有分解物殘渣之氣泡。接著，對保護片照射紫外線使黏著劑層硬化。然後使保護片剝離，觀察矽晶圓之雷射光入射面側之開口部周 15 邊，大量附著有分解物殘潰。

從上述實施例及比較例可清楚得知，藉由選擇使用拉伸強度比在1以上之保護片（或拉伸強度為lOOMPa以上之保護片），可有效抑制因分解物造成的被加工物（或金屬系材料）表面污染。而且，由於可大幅簡化後續之分解物除去步驟，因 20 此不僅有助於降低環境負荷，且可提高生產性。 (第9發明） [數平均分子量之測定] 利用與第1發明相同之方法測定。 [比熱測定] 61 1332875 利用熱分析系統（七彳〕一彳^ 7 V少夕^ V製，DSC EXSTAR6000)，測定用於保護月之基材及被加工物之比熱。以升溫速度10°C/min測定，求得空容器、樣本、及參考（水）之 3個DSC曲線。接著，以下式求得比熱。 5 Cps= (Ys/Yr) x ( Mr/Ms ) xCpr

Cps :樣本比熱

Cpr :參考比熱（水：4.2 J/ (g· K))

Ys :樣本與空容器之DSC曲線差 Yr :參考與空容器之DSC曲線差 10 Ms :樣本質量

Mr :參考質量實施例1

利用聚醯亞胺片（厚度100/zm、比熱1.1J/ (g · K))作為被加工物。為了使比熱比小於1，於聚乙烯萘酯所形成之基材 15 (厚度50/zm、比熱0.75 J/ (g · K))上，塗布可藉紫外線硬化之丙烯酸系黏著劑溶液（1)並乾燥，形成黏著劑層（厚度 10#m)來製作保護片。比熱比為0.68。又，前述丙烯酸系黏著劑溶液（1 )係利用以下方法來調製。使丙烯酸丁酯/丙烯酸乙酯/2-羥基丙烯酸乙酯/丙烯酸以重 20 量比65/35/4/1共聚合得到之數平均分子量70萬之丙烯酸系聚合物100重量份，與作為光聚合性化合物之二季戊四醇單羥五丙烯酸酯90重量份、及作為光聚合引發劑之芊基二曱基酮縮醇（彳少方年二7 651) 5重量份、及聚異氰酸酯化合物（曰本求口夕>社製，3 口氺一卜L)2重量份，添加於甲苯 62 1332875 650重量份中，均勻溶解混合，調製丙烯酸系黏著劑溶液（1)。在前述聚醯亞胺片之單面上以輥層壓貼合上述製作之保護片，製作附有保護月之聚醯亞胺片。接著，在載有玻璃環氧樹脂製吸著板之XY台上，使保護 5 片面朝上來配置該附有保護片之聚醯亞胺片。將波長355nm、平均輸出5W、重複頻率30kHz之YAG雷射之第3高調波 ( 355nm)藉f0透鏡在該附有保護片之聚醯亞胺片表面以25 m徑集光，藉電流掃描以雷射光20mm/秒之速度掃描切斷加工。這時，確認保護片及聚醯亞胺片被切斷。接著，對保護片 10 照射紫外線使黏著劑層硬化。之後，使保護片剝離，觀察聚醯亞胺片之保護片貼合面（雷射光入射面側）之雷射加工周邊部，未觀察到分解物（附著物）。比較例1 在實施例1中，不在聚醯亞胺片單面設置保護片，除此之 15 外，利用與實施例1相同做法對聚醯亞胺片實施雷射加工。之後，觀察聚醯亞胺片之雷射光入射面側之加工周邊部，有大量之飛散分解物殘漁附著。比較例2 在實施例1中，除使用乙烯-醋酸乙烯共聚物片（厚度100 20 /zm、比熱2.2 J/ (g · K))作為保護片之基材外，與實施例1 相同做法對聚醯亞胺片施行雷射加工。比熱比為2.0。結果，保護片未被切斷，而下層的聚醯亞胺片被雷射加工，且保護片與聚醯亞胺片之間產生了含有分解物殘渣之氣泡。接著，對保護片照射紫外線使黏著劑層硬化。然後使保護 63 1332875 片剝離、觀察聚醯亞胺片之雷射光入射面侧之開口部周邊’確認附著有聚醯亞胺片之分解物殘造。實施例2 使用矽晶圓（厚度100 # m、比熱〇 77 j/(g.K))作為被 5加工物，除此之外藉由與實施例1相同方法製作附有保護片之矽晶圓。比熱比為0.97。又，在由聚乙烯形成之基材（厚度1〇〇#m)上，塗布前述丙烯酸系黏著劑溶液（1)，使之乾燥，形成黏著劑層（厚度 10 // m )製造黏著片。將該黏著片貼附於前述附有保護片之石夕 1〇晶圓之裡面側，製作附有保護、黏著片之石夕晶圓。之後，利用與實施例1相同之方法進行輯加卫，保護片及々晶圓被切斷’但黏著片未被切斷。接著，對保護片照射紫外線使黏著劑層硬化。然後使保護片制離、觀察石夕晶圓之保護片貼合面（雷射光入射面側）之雷射加工周邊部，未觀察到分解物（附著 15 物）。實施例3

為了使比熱比小於1，故利用聚胺曱酸醋片（厚度25_、〇.48J/(g.K))作為保護片之基材，除此之外藉由與實施例2 相同方法製作附有保護、黏著片之石夕晶圓。比熱比為〇62。之 2〇後，利用與實施例i相同之方法進行切斷加工，保護片及石夕晶圓被切斷，但黏著月未被切斷。接著，對保護片照射紫外線使點著劑層硬化。然後使保護片剝離，觀察石夕晶圓之保護片貼合面（雷射光入射面侧）之雷射加工周邊部，未觀察到分解物^ 64 1332875 從上述實施例及比較例可清楚得知，藉由使用比熱比小於 1之保護片，可有效抑制因分解物造成的被加工物表面污染。而且，由於可大幅簡化後續之分解物除去步驟，因此不僅有助於降低環境負荷，且可提高生產性。 5 (第10及第11發明） [數平均分子量之測定] 利用與第1發明相同之方法測定。 [折射率之測定]

所使用之基材及有機系被加工物之折射率，係利用阿貝折 10 射計（ATAGO製、DR-M4)來測定。測定波長為456nm。實施例1 利用聚丙烯片（厚度60;zm、折射率1.51)作為被加工物。在聚苯乙烯所形成之基材（厚度20/zm、折射率1.59)上，塗布可藉紫外線硬化之丙烯酸系黏著劑溶液（1)並乾燥，形成 15 黏著劑層（厚度10# m)來製作保護片。折射率比為1.05。

又，前述丙烯酸系黏著劑溶液（1 )係利用以下方法來調製。使丙烯酸丁酯/丙烯酸乙酯/2-羥基丙烯酸乙酯/丙烯酸以重量比60/40/4/1共聚合得到之數平均分子量80萬之丙烯酸系聚合物100重量份，與作為光聚合性化合物之二季戊四醇單羥五 20 丙烯酸酯90重量份、及作為光聚合引發劑之苄基二曱基酮縮醇（彳少方今二7 651) 5重量份、及聚異氰酸酯化合物（曰本本° y夕^社製，3 口氺一卜L) 2重量份，添加於曱苯 650重量份中，均勻溶解混合，調製丙烯酸系黏著劑溶液（1)。在前述聚丙烯片之單面上以輥層壓貼合上述製作之保護 65 1332875 片，製作附有保護片之聚丙烯片。

接著，在載有玻璃環氧樹脂製吸著板之χγ台上，使保護片面朝上來配置該附有保護片之聚丙烯片。將波長355nm、平均輸出5W、重複頻率30kHz之YAG雷射之第3高調波（ 355nm) 5 藉f0透鏡在該附有保護片之聚碳酸酯片表面以25//m徑集光，藉電流掃描以雷射光20mm/秒之速度掃描切斷加工。這時，確認保護片及聚丙烯片被切斷。接著，對保護片照射紫外線使黏著劑層硬化。之後，使保護片剝離，觀察聚丙烯片之保護片貼合面（雷射光入射面側）之雷射加工周邊部，未觀察到分解 10 物（附著物）。比較例1 在實施例1中，不在聚丙烯片單面設置保護片，除此之外，利用與實施例1相同做法對聚丙烯片實施雷射加工。之後，觀察聚丙烯片之雷射光入射面側之加工周邊部，有大量之飛散分 15 解物殘潰附著。

比較例2 在實施例1中，除使用聚曱基戊烯片（厚度l〇〇#m、折射率1.46)作為保護片之基材外，與實施例1相同做法對聚丙烯片施行雷射加工。折射率比為0.97。結果，保護片未被切斷， 20 而下層的聚丙烯片被雷射加工，且保護片與聚丙烯片之間產生了含有分解物殘渣之氣泡。接著，對保護片照射紫外線使黏著劑層硬化。然後使保護片剝離、觀察聚丙烯片之雷射光入射面側之開口部周邊，確認大量附著有聚丙烯片之分解物殘渣。實施例2 66 1332875 使用聚碳酸醋片（厚度lOO^m、折射率L59)作為被加工物。使用聚乙稀對本一甲酸S旨片（厚度2〇仁Π1、折射率1.66) 作為保護片之基材，除此之外藉由與實施例丨相同方法製作附有保護片之聚碳酸酯片。折射率比為1〇4。 5 又，在由聚乙烯形成之基材（厚度lOOem)上，塗布前述丙缔酸系黏著劑溶液⑴，使之乾燥，形成黏著劑層（厚度 10”）製造黏著月。將該黏著月貼附於前述附有保護片之聚碳酸醋月之裡面侧，製作附有保護'黏著片之聚碳酸醋片。之後’利用與實施例i相同之方法進行切斷加工，保護片及聚苯 10乙稀片被切斷’但黏著月未被切斷。接著，對保護片照射紫外線使黏著劑層硬化。然後使保護片剝離、觀察聚碳酸醋片之保護片貼合面（雷射光入射面側）之雷射加工周邊部未觀察到分解物（附著物）。 15 20 使用石夕晶圓（厚度1〇〇_)取代聚碳酸酉旨片，除此之藉由與實施例2相同方法製作附有保護、黏著片之石夕晶圓。與實施例1相同之方法進行切斷保護片及石夕 =:黏著片未被切斷。接著，對保護片照射紫外線‘ 面（中射曰士匕後使保護片剝離，觀察矽晶圓之保護片貼. it射光入射面側)之雷射加工周邊部，未觀察到分解物。比較例3 使用聚丙烯片（厚度基材，除此之外藉由與實

6—、折射率151)作為保施例3相同方法製作附有保護 67 1332875 片之矽晶圓。之後，利用與實施例1相同之方法進行切斷加工，保護片未被切斷，而下層的矽晶圓被雷射加工，保護片與矽晶圓之間產生含有分解物殘渣之氣泡。接著，對保護片照射紫外線使黏著劑層硬化。然後使保護片剝離，觀察矽晶圓之雷射光 5 入射面側之開口部周邊，大量附著有分解物殘潰。

從上述實施例及比較例可清楚得知，藉由使用折射率比在 1以上之保護片、或具有在波長546nm之折射率為1.53以上之基材之保護片，可有效抑制因分解物造成的被加工物表面污染。而且，由於可大幅簡化之後之分解物除去步驟，因此不僅 10 有助於降低環境負荷，且可提高生產性。 (第12及第13發明） [數平均分子量之測定] 利用與第1發明相同之方法測定。實施例1 15 利用聚碳酸酯片（厚度10〇em、總鍵能B : 720kJ/mol)

作為被加工物。為了使總鍵能比小於1，故於聚乙烯萘酯所形成之基材（厚度50//m、總鍵能A : 692kJ/mol)上，塗布可藉紫外線硬化之丙烯酸系黏著劑溶液（1)並乾燥，形成黏著劑層（厚度10# 20 m)來製作保護片。總鍵能比為0.96。又，前述丙烯酸系黏著劑溶液（1)係利用以下方法來調製。使丙烯酸丁酯/丙烯酸乙酯/2-羥基丙烯酸乙酯/丙烯酸以重量比65/35/4/1共聚合得到之數平均分子量70萬之丙烯酸系聚合物100重量份，與作為光聚合性化合物之二季戊四醇單羥五 68 1332875 丙烯酸酯90重量份、及作為光聚合引發劑之苄基二曱基酮縮醇（彳少方年二7 651) 5重量份、及聚異氰酸酯化合物（曰本本夕社製，3 口氺一卜L)2重量份，添加於曱苯 650重量份中，均勻溶解混合，調製丙烯酶系黏著劑溶液（1)。 5 在前述聚碳酸酯之單面上以輥層壓貼合上述製作之保護片，製作附有保護片之聚碳酸酯片。

接著，在載有玻璃環氧樹脂製吸著板之XY台上，使保護片面朝上來配置該附有保護片之聚碳酸酯。將波長355nm、平均輸出5W、重複頻率30kHz之YAG雷射之第3高調波（ 355nm) 10 藉f0透鏡在該附有保護片之聚碳酸酯片表面以25/z m徑集光，藉電流掃描以雷射光20mm/秒之速度掃描切斷加工。這時，確認保護片及聚碳酸酯被切斷。接著，對保護片照射紫外線使黏著劑層硬化。之後，使保護片剝離，觀察聚碳酸酯之保護片貼合面（雷射光入射面側）之雷射加工周邊部，未觀察到分解 15 物。

比較例1 在實施例1中，不在聚碳酸酯片單面設置保護片，除此之外，利用與實施例1相同做法對聚碳酸酯片實施雷射加工。之後，觀察聚碳酸酯片之雷射光入射面側之加工周邊部，有大量 20 之飛散分解物殘渣附著。比較例2 在實施例1中，除使用乙烯-醋酸乙烯共聚物片（厚度：100 /zm、總鍵能A : 962kJ/mol)作為保護片之基材外，與實施例 1相同做法對聚碳酸酯片施行雷射加工。總鍵能比為1.34。結 69 1332875 果，保護片未被切斷，而下層的聚碳酸酯片被雷射加工，且保護片與聚碳酸酯片之間產生了含有分解物殘渣之氣泡。接著，對保護片照射紫外線使黏著劑層硬化。然後使保護片剝離、觀察聚碳酸酯片之雷射光入射面側之開口部周邊，確認附著有聚 5 碳酸酯片之分解物殘渣。實施例2 使用矽晶圓（厚度100//m)作為加工材料，除此之外藉由與實施例1相同方法製作附有保護片之矽晶圓。

又，在由聚乙烯形成之基材（厚度100//m)上，塗布前 10 述丙烯酸系黏著劑溶液（1 )，使之乾燥，形成黏著劑層（厚度 l〇//m)製造黏著片。將該黏著片貼附於前述附有保護片之矽晶圓之裡面侧，製作附有保護、黏著片之矽晶圓。之後，利用與實施例1相同之方法進行切斷加工，保護片及聚苯乙烯片被切斷，但黏著片未被切斷。接著，對保護片照 15 射紫外線使黏著劑層硬化。然後使保護片剝離、觀察矽晶圓之

保護片貼合面（雷射光入射面側）之雷射加工周邊部，未觀察到分解物（附著物）。實施例3 使用聚乙烯對苯二甲酸酯片（厚度25# m、總鍵能A : 20 692kJ/mol)作為保護片之基材，除此之外藉由與實施例2相同方法製作附有保護、黏著片之矽晶圓。之後，利用與實施例1相同之方法進行切斷加工，保護片及矽晶圓被切斷，但黏著片未被切斷。接著，對保護片照射紫外線使黏著劑層硬化。然後使保護片剝離，觀察矽晶圓之保護 70 1332875 片貼合面（雷射光入射面側）之雷射加工周邊部，未觀察到八解物（附著物）。比較例3 使用乙烯-醋酸乙烯共聚物片（厚度100"m、總鍵能A: 5 692kJ/mol)作為保護片之基材，除此之外藉由與實施例2相同方法製作附有保護、黏著片之矽晶圓。之後，利用與實施例1相同之方法進行切斷加工，保護片未被切斷，而下層的矽晶圓被雷射加工，保護片與矽晶圓之間產生含有分解物殘渣之氣泡。接著’對保護片照射紫外線使黏 10 著劑層硬化·»然後使保護片剝離，觀察矽晶圓之雷射光入射面侧之開口部周邊，大量附著有分解物殘潰。從上述實施例及比較例可清楚得知，藉由選擇使用總鍵能比小於1之保護片、或具有總鍵能A小於800kJ/m〇i之基材之保護片，可有效抑制因分解物造成的被加工物表面污染。而 15 且，由於可大幅簡化後續之分解物除去步驟，因此不僅有助於降低環境負荷，且可提高生產性。產業上可利用性本發明之雷射加工用保護月，係在藉雷射光之紫外線吸收磨蝕對被加工物進行加工之際所使用者。又，本發明係有關於 2〇藉雷射光之紫外線吸收磨钮對各種被加工物實施切斷、打孔、打標印、溝加工、劃線加工、或微調加工等形狀加工所獲得之雷射加工品之製造方法。【圖式簡單說明】第1圖是顯示本發明中雷射加工品之製造方法之例子之概 71 1332875 略步驟圖。第2圖是顯示本發明中雷射加工品之製造方法之其他例子之概略步驟圖。第3圖是顯示藉雷射光之紫外線吸收磨蝕進行加工之積層 5 體之截面之概略圖。第4圖是顯示半導體晶圓之切割方法例之概略圖。【主要元件符號說明】 1···被加工物 7…雷射光 2…保護片 8…半導體晶圓 3…黏著片 9…切割遮光框 4…積層體 10…雷射加工品 5…吸著台 6…吸著板

Claims

第093134711號專利申請案申請專利範圍修正本修正曰期：99年7月十、申請專利範圍月[曰修(吏)正本 I332S15 1. 一種雷射加工用保護片，係在藉雷射光之紫外線吸收磨蝕對被加工物進行加工之際，設於被加工物之雷射光入射面侧者，且係在雷射光吸收領域中之透光率小於50%。 5 2.如申請專利範圍第1項之雷射加工用保護片，其中前述保護片係在基材上設有黏著劑層者。

3. 如申請專利範圍第2項之雷射加工用保護片，其中前述基材係含芳香族系聚合物而形成者。 4. 如申請專利範圍第3項之雷射加工用俤護片，其中構成前述 10 芳香族系聚合物之重複單元中之芳香環之重量比在41重量 %以上。 5. —種雷射加工用保護片，係於藉雷射光之紫外吸收磨蝕對被加工物進行加工之際使用者，且該保護片係至少在基材上設有黏著劑層，並且基材之蝕刻率（蝕刻速度/能通量） 15 為 0.4〔（ //m/pulse ) / ( J/cm2)〕以上。

6. 如申請專利範圍第5項之雷射加工用保護片，其中前述基材為含有芳香族系聚合物或矽系橡膠而形成者。 7. 一種雷射加工品之製造方法，包含有：在被加工物之雷射光入射面側設置申請專利範圍第1 20 或5項之雷射加工用保護片之步驟（1); 照射雷射光以加工前述雷射加工用保護片及被加工物之步驟（2);及將前述雷射加工用保護片從加工後之被加工物剝離之步驟（3)。 73 1332875 8.如申請專利範圍第7項之雷射加工品之製造方法，其中前述被加工物為片狀材料、電路基板、半導體晶圓、玻璃基板、陶瓷基板、金屬基板、半導體雷射之發光或受光元件基板、 MEMS基板、或半導體封裝體。 5 9. 一種雷射加工品之製造方法，包含有：

使用基材上至少具有黏著劑層且前述基材在紫外線領域波長λ中之消光係數相對於所使用之被加工物在紫外線領域波長λ中之消光係數（消光係數比=雷射加工用保護片之基材在紫外線領域波長λ中之消光係數/所使用之被加工 10 物在紫外線領域波長λ之消光係數）在1以上之雷射加工用保護片，並且在前述被加工物之雷射光入射面側貼附該雷射加工用保護片之黏著劑層之步驟，照射雷射光，以加工前述雷射加工用保護#及前述被加工物之步驟，及 15 將前述雷射加工用保護片從加工後之被加工物剝離之

步驟。 10. —種雷射加工品之製造方法，包含有：使用基材上至少具有黏著劑層且前述基材在紫外線領域波長λ中之消光係數在以上之雷射加工用保護 20 片，並且在金屬系材料之雷射光入射面側貼附該雷射加工用保護片之黏著劑層之步驟，照射雷射光，以加工前述雷射加工用保護片及前述金屬系材料之步驟，及將前述雷射加工用保護片從加工後之金屬系材料剝離 74 1332875 之步驟。 11·如申請專利範圍第9或10項之雷射加工品之製造方法，其中前述紫外線領域波長又為355nm。 12· —種雷射加工品之製造方法’包含有：使用基材上至少具有黏著劑層且前述基材之密度相對於所使用之被加工物之密度（密度比=雷射加工用保護片之基材密度/所使用之被加工物之密度）在1以上之雷射加工用保護片，並且在前述被加工物之雷射光入射面側貼附該雷射加工用保護片之黏著劑層之步驟，照射雷射光，以加工前述雷射加工用保護片及前述被加工物之步驟，及將前述雷射加工用保護片從加工後之被加工物剝離之步驟。 13·—種雷射加工品之製造方法，包含有：使用基材上至少具有黏著劑層且前述基材之密度在 l.lg/cm3以上之雷射加工用保護片，並且在金屬系材料之雷射光入射面側貼附該雷射加工用保護片之黏著劑層之步驟，照射雷射光，以加工前述雷射加工用保護片及前述金屬系材料之步驟，及將前述雷射加工用保護片從加工後之金屬系材料剝離之步驟。 14·—種雷射加工品之製造方法，包含有：使用基材上至少具有黏著劑層且雷射加工用保護片之 75 1332875 拉伸強度相對於所使用之被加工物之拉伸強度（拉伸強度比=雷射加工用保護片之拉伸強度/所使用之被加工物之拉伸強度）在1以上之雷射加工用保護片，並且在前述被加工物之雷射光入射面侧貼附該雷射加工用保護片之黏著劑層 5 之步驟，照射雷射光，以加工前述雷射加工用保護片及前述被加工物之步驟，及

將前述雷射加工用保護片從加工後之被加工物剝離之步驟。 10 15. —種雷射加工品之製造方法，包含有：使用基材上至少具有黏著劑層且拉伸強度在1 OOMPa 以上之雷射加工用保護片，並且在金屬系材料之雷射光入射面側貼附該雷射加工用保護片之黏著劑層之步驟，照射雷射光，以加工前述雷射加工用保護片及前述金 15 屬系材料之步驟，及

將前述雷射加工用保護片從加工後之金屬系材料剝離之步驟。 16. —種雷射加工品之製造方法，包含有：使用基材上至少具有黏著劑層且前述基材之比熱相對 20 於所使用之被加工物之比熱（比熱比=雷射加工用保護片之基材比熱/所使用之被加工物之比熱）小於1之雷射加工用保護片，並且在前述被加工物之雷射光入射面側貼附該雷射加工用保護片之黏著劑層之步驟，照射雷射光，以加工前述雷射加工用保護片及前述被 S 76 1332875 加工物之步驟，及將前述雷射加工用保護片從加工後之被加工物剝離之步驟。 17. 如申請專利範圍第9、12、14或16項之雷射加工品之製造方 5 法，其中前述被加工物為片狀材料、電路基板、半導體晶圓、玻璃基板、陶瓷基板、金屬基板、半導體雷射之發光或受光元件基板、MEMS基板、或半導體封裝體。 18. 如申請專利範圍第10、13、或15項之雷射加工品之製造方法，其中前述金屬系材料為半導體晶圓或金屬基板。 10 19. 一種雷射加工品之製造方法，包含有：使用基材上至少具有黏著劑層且前述基材在波長 546nm中之折射率相對於所使用之有機系被加工物在波長 546nm之折射率（折射率比=雷射加工用保護片之基材在波長546nm之折射率/所使用之有機系被加工物在波長546nm 15 之折射率）在1以上之雷射加工用保護片，並且在前述有機系被加工物之雷射光入射面侧貼附該雷射加工用保護片之黏著劑層之步驟，照射雷射光，以加工前述雷射加工用保護片及前述有機系被加工物之步驟，及 20 將前述雷射加工用保護片從加工後之有機系被加工物剝離之步驟。 20. —種雷射加工品之製造方法，包含有：使用基材上至少具有黏著劑層且前述基材在波長 546nm中之折射率在1.53以上之雷射加工用保護片，並且在 77 1332875 無機系被加工物之雷射光入射面側貼附該雷射加工用保護片之黏著劑層之步驟，照射雷射光，以加工前述雷射加工用保護片及前述無機系被加工物之步驟，及 5 將前述雷射加工用保護片從加工後之無機系被加工物剝離之步驟。 21. —種雷射加工品之製造方法，包含有：使用基材上至少具有黏著劑層且總鍵能比（總鍵能比= 構成基材之樹脂成分中之1個碳原子與鍵結於該碳原子之 10 其他原子之鍵能之合計值中最小值之總鍵能A/構成所使用之有機系被加工物之原料成分中之一個碳原子與鍵結於該碳原子之其他原子之鍵能之合計值中最小值之總鍵能B)小於1之雷射加工用保護片，並且在前述有機系被加工物之雷射光入射面側貼附該雷射加工用保護片之黏著劑層之步 15 驟，照射雷射光，以加工前述雷射加工用保護片及前述有機系被加工物之步驟，及將前述雷射加工用保護片從加工後之有機系被加工物剝離之步驟。 20 22. —種雷射加工品之製造方法，包含有：使用基材上至少具有黏著劑層且構成前述基材之樹脂成分中之1個碳原子與鍵結於該碳原子之其他原子之鍵能之合計值中最小值之總鍵能A小於800kJ/mol之雷射加工用保護片，並且在無機系被加工物之雷射光入射面侧貼附該 78 1332875 雷射加工用保護片之黏著劑層之步驟，照射雷射光，以加工前述雷射加工用保護片及前述無機系被加工物之步驟，及將前述雷射加工用保護片從加工後之無機系被加工物 5 剝離之步驟。 23.如申請專利範圍第20或22項之雷射加工品之製造方法，其中前述無機系被加工物為電路基板、半導體晶圓、玻璃基板、陶瓷基板、金屬基板、半導體雷射之發光或受光元件基板、MEMS基板、或半導體封裝體。 10 24_如申請專利範圍第9、10、12〜16、及19〜22項中任一項之雷射加工品之製造方法，其中前述基材含有芳香族系聚合物或矽系橡膠。 25.如申請專利範圍第9、10、12〜16、及19〜22項中任一項之雷射加工品之製造方法，其中前述加工係切斷或打孔。 15 26. —種雷射加工用保護片，係使用於申請專利範圍第9、10、 12〜16、及19〜22項中任一項之雷射加工品之製造方法。 79