TWI329989B - Apparatus and methods for adaptive trip point detection - Google Patents

Description

1329989 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種跳脫點偵測器電路， 適性跳脫點偵測之裝置與方法。 八於用於自 【先前技術】 大多數電子電路，例如積體電路， _ , r —供應電源接收 電力。舉例而言，電子系統可包含供應電力至—或多個勺 含於系統中的積體電路的電源(例如，*在系統啟動時i V33可從初始值（例如，〇伏特）開始，逐漸地増加至其滿刻度 值(例如，3.3伏特)。然而’許多積體電路包含需要最小電 源電壓（例如，K5伏特）以進行正常作業的晶片組態電路或 其他電路。若將小於最小值的電源訊號供應至該等組態電 路，則晶片可能不會正常作業。因此，許多積體電路制 開機重置（"POR")電路以感測電源訊號之電壓位準，且產生 當V33超出最小電源電壓時會予以指示的控制訊號。 為完成此任務，POR電路通常將電源訊號與電壓位準等 於最小電源電壓的參考訊號相比較，且產 考電麼時可予《指示的控制訊號。若該參考訊號3為= 用的外部訊號（意即，晶片外），則此任務相當簡單。然而， 在大多數實例中，外部參考訊號不可用，而必須在内部產 生。先刖已知的POR電路通常藉由使用諸如電晶體及二極 體的臨限電壓的半導體設備性質來產生該等參考訊號。 舉例而言，現參看圖1，該圖描述了先前已知p〇R電路。 POR電路10包含跳脫偵測器電路丨2及濾波電路丨4。跳脫偵 109i31.doc 1329989 測器電路12具有一耦接於γη的輸入端，且產生一當γη大 於内部產生的跳脫點參考訊號Vref時可用於指示的輸出訊 號Xhi。濾波電路14平滑化及進一步處理訊號χ則，且產生 一當電源訊號V33對於正常電路作業為足夠高時可用於指 示的輸出控制訊號PORout。 現參看圖2，該圖描述了例示性的先前已知跳脫偵測器電 路12。跳脫偵測器電路12包含二極體連接的p通道電晶體 16，5亥p通道電晶體16的源極端子耦接於電源γη而其汲極 及閘極端子在節點Vx處耦接於一起。節點Vx亦經由電阻器 20接地，且亦耦接於n通道電晶體18之閘極。n通道電晶體 1 8的汲極耦接於輸出節點Xhi，該輸出節點又⑴亦經由電阻 器22耦接於電源A3 β p通道電晶體16具有一臨限電壓γη， 該臨限電壓VTP具有約0.8 v的標稱量值，且n通道電晶體 具有一 ^艮電遷VTN，該臨限電塵Vtn具有約〇8 v的標稱 值。為簡化起見，符號VTP將用於指示p通道電晶體之量值。 現參看圖2及3，該等圖描述了例示性跳脫㈣器電路j 2 之操作。詳言之，圖3將V33' VjXhi作為時間的函數來說 明。在t=0，V33 = 0V時，電晶體16斷開，且沒有電流流過電 '器20。因此’ Vx = "’電晶體18斷開，沒有電流流過電 阻器22,且XHI=V33 = 0V。對於㈣<τ】時，V”增加，但仍小 於vTP。因此，電晶體16仍斷開，且νχ=〇。在t=T丨時，^ &vx高出臨限電壓Vtp，且電晶體16開始導電。若電阻器= 極大，則電晶體16之汲極電流極小，且νχ仍為比％小1 〜的電壓。在T|_<t<T2時，節點νχ處的電_〜的增^ I09131.doc 1329989 增加，但仍小於電晶體18的臨限電壓因此，電晶體18 仍斷開，沒有電流流過電阻器22，且因此Xhi=V33。在卜心 時Vx大於vTN，且電晶體18開始導電。若電阻器22較大， 則電晶體18之汲極電流較小，且電晶體18將Xhi拉至地電 壓。因此，當v”超過跳脫點參考訊號Vref(=Vtp+Vtn)時， Xhi自正的非零電壓變為〇v。 然而，臨限電壓VTP及VTN可隨處理及溫度中的變化而發 φ 生極大的變化。舉例而言，在正常處理及溫度變化範圍内， 臨限電壓VTP及VTN可具有在〇.6v至丨2V之間的值。因此， 跳脫點參考訊號VREF可在Vrefl==1.2 乂至^印=2.4 v之間變 化對於某些電路應用，vREF的此種大範圍變化可能是無 法接受的。舉例而言，如上所述，若晶片組態電路要求Vu 至J為1.5V’若臨限電壓ντρ及Vtn較低（例如，Vtn=Vtp=〇6 V，且因此Vref=1.2 V) ’則電路可能發生故障。同樣，若 臨限電壓vTP及vTN均較高（例如，Vtn=Vtp=1 7 v，且因此 瞻 VREF=3.4V)，則XHI可能不會改變狀態，且因此p〇R電路將 發生故障》 鑒於前述，需要提供方法與裝置以減小跳脫點偵測電路 對處理及溫度變化的敏感度。 亦需要提供當電晶體臨限電壓由於處理或溫度條件而降 低時可增大跳脫點偵測電路的跳脫點參考Vref之方法與妒 I。 … 另外需要提供當電晶體臨限電壓由於處理或溫度條件而 升向時可減小跳脫點偵測電路的跳脫點參考之方法與 109131.doc 裝置。 【發明内容】 ;j述纟發明之—目標為提供可減小跳脫點積測電 路對處理及溫度變化的敏感度的方法與裝置。 ，田本發明之另一目標為提供當電晶體臨限電壓由於處理或 ”牛而降低時可增大跳脫點傾測電路的跳脫點參考 Vref之方法與裝置。

'二發月之另一目標為提供當電晶體臨限電壓由於處理或 :度條件而升高時可減小跳脫點债測電路的跳脫點參考 VrEF之方法與裝置。 發明之該等及其他目標係藉由提供自適性跳脫點伯須 而完成’該自適性跳脫點谓測電路調整跳 =補it處理或溫度中的變化，而無需外部供應的參 脫點^Ϊ 示性實施例中，—受控電流源㈣於跳

及溫产I件路Γ内部節點’且該受控電流源傳導基於處理 或η、Μ化的電流°對於標稱或慢速處理或者標稱 ㈣f度條件，跳脫點參考職值與兩個臨㈣愿的和 相荨。相反地，對於快速處理 訊號值增加。 4〜皿的條件’跳脫點參考 測實施例中，一受控電流源輕接於跳脫點偵 條件而變化的電流。對於標 蚝及恤度 溫度條件，跳脫點參考訊號值與兩個臨私或低的 相反地，對於快速處'^ &的和相等。 ㈣心㈣件’跳脫點參考訊號值 I09131.doc 增加。 {列示陡貫鈿例中，第-受控電流源耦接於跳脫點 測電路的内部節點’第二受控電流源耦接於跳脫點偵測 =的輪出卽點’ ^第_及第二受控電流源傳導基於處理 5/皿度條件&變化的電流°對於標稱或慢速處理或者標稱 i:的胍度條件，跳脫點參考訊號值與兩個臨限電壓的和 Λ 反地對於快速處理或高溫的條件，跳脫點參考 訊號值增加》 在第四：示性實施例中，具有標稱臨限電塵的第一電晶 體及具有南臨限電壓的第二電晶體耦接於跳脫點韻測電路 的輸出節點，且基於處理及溫度的條件，第一及第二電晶 被接入跳脫點 貞測器電路或自跳脫點偵測器電路斷開。 對於標稱或慢速處理或者標稱或低的溫度條件，第一電晶 體被接人跳脫則貞測器電路。相反地，對於快速處理或高 溫的條件，第二電晶體被接入跳脫點谓測器電路。 【實施方式】 本發月提供可減小跳脫點偵測電路對處理及溫度變化的 敏感度之方法與裝置。在-些實施射，當電晶體臨限電 屋由於處理或溫度條件而降低時，根據本發明之方法也裝 置增大跳脫點參考ν，。在其他實施例中，當電晶體臨限 電壓由於處理或溫度條件而升高時根據本發明之方法與 裝置減小跳脫點參考VREF。正如本文中所使用，基於由處 理所產生的電晶體臨限電顧，半導體處理以”標稱” 速"或'，快速，，為特徵。詳言之，若由處理製成的電晶體具有又 109131.doc :稱、高或低的臨限電壓’則該處理分別以標稱、慢速或 快速為特徵》 :般熟習此項技術者應瞭解因為P通道及η通道電晶體由 :同的處理步驟產生，所以ρ通道及打通道電晶體的臨限電 壓不-定會跟隨彼此。因此’由單一處理產生的晶圓可1 有”慢速"Ρ通道電晶體及"快速” η通道電晶體。因此，根據本 發明之方法與^置可基於偵測僅㈣道電晶體的臨限電壓 :的、僅η通道電晶體的臨限電壓中的、或ρ通道與η通道電 晶體兩者的臨限電壓中的虚 电3^ T扪處理誘發偏移而調整跳脫點參考

Vref。 現參看圖4,該圖描述了根據本發明的例示性跳脫點摘測 器電路。跳脫則貞測器電路12a包含與圖2的跳脫則貞測器 電路U的電路元件相同的電路元件，μ包含純在節點 vx與接地端之間的受控電流源24。如下文更詳細的描述， 受控電流源24傳導基於處理及溫度條件而變化的 表說明受控電流源24的作為處理及溫度條件之函數的例示 性輸出回應。 處理/溫度 I, k速處理或低溫 0 標稱處理或標稱溫度 0 快速處理或高溫 ________ >0 ------ 表1 意即，對於慢速或標稱處理’或低的或標稱溫度，受控 電流源24不傳導電流。因此，受控電流源24自節點％處有 效斷開，且跳脫點偵側器電路12a表現得如同圖2之先前已 10913 丨.doc 1329989 知的跳脫點偵側器電路12 ^相反地，對於快速處理或高溫， 觉控電流源24傳導電流I〗>〇，且有效地增大跳脫點參考訊 说 Vref。 ' 現參看圖4及5，該等圖描述快速處理或高溫條件下的跳 脫偵側器電路l2a的操作，該等快速處理或高溫條件導致低 的臨限電壓（例如，一般熟習此項 技術者應瞭解臨限電壓vTN及vTP不必具有相等的值，且根 鲁 據本發明之方法與裝置不要求該等兩個臨限電屋相等。在 t=0, V33 = 〇 V時，電晶體16斷開，且沒有電流流過電阻器 2〇。因此（假定Vx不能降至地電壓以下），Vx=〇 V ,電晶體 18斷開，沒有電流流過電阻器22，且Xhi=V33=〇 v。=於 〇一t T,時，V33增加，但仍低於Vtp。因此，電晶體仍斷 開，且Vx = 〇。在t=T丨，時，v33比Vx高出臨限電壓，且電 晶體16開始導電。因為電阻器2〇較大，所以電晶體16試圖 供應受控電流源24所需的幾乎所有的電流^。因此，V | 在地電壓》 x 對於TVstcTy時，V33增加，但當電晶體i6繼續試圖供應 電流WVX仍在地電壓。在，，時，電晶體“完全飽和了 此時V 3 3值為：

K33 = |^CS| = VTp+ AVa 其中AVa由下式給出 (2) 109131.doc 1329989 .LL· 2 其中ίττ")為電晶懸】6的寬产盘&择ml* () 、1乂6 見屋”長度的比率，μ為常數且C。. 為處理參數。 對於T2st<T3’時’、繼續跟隨V”，但仍低於電晶體㈣ 臨限電壓VTN，此，電晶體18仍斷開，〜V3 ”㈣ 時’ _VX與VtN相等時，電晶體】只技、3 电日日體18接通，且將％丨拉至地電 壓。在此實例中，杏V 古》tWI· w V33超過跳脫點參考訊號vREFa=vTP+ VTN+AVa時’ χΗ丨自正的非零 夂马ϋ v。因此，跳脫點偵 測器電路12a具有適應於處理及加 。 免埋及皿度條件的跳脫點參考訊 號VREFa ’如下表所示：

對於標稱或慢速處理或者標稱或低的溫度條件（意即，去 臨限電壓VTN與VTP為標稱或高時)，跳脫點參考訊號‘ 與限電壓vTN與ντρ的和相等。然而，對於快速處理或高 溫條件(意即，當臨限電壓VTN與ντρ為低時)，跳脫點參考 δίΐ 號 VREFa與 vtn+Vtp+AV3的和相等 受控電流源24可使用任意的1輪屮 耵翰出電流如表1所示隨處 理及溫度的變化而變化的電路來實 現參看圖6，該圖描 述該電路之一例示性實施例。 。义跳脫點偵測器電路 1231包含同質η通道電晶體24a，該 豕「]貝11通道電晶體24a的汲 109131.doc 極4子輕接於節點v且i 電晶體24a ^ 子接地°同質n通道

Π 作空乏型電晶體，具有標稱值約為。V 仏限電WTZ。若同fn通道電晶體24如通道電晶體a ::相同晶粒上製成，則兩電晶體的臨限電壓通常將在多 值度條件及n通道處理條件下跟隨，如下表所示：

因此，若VTZ的標稱值為〇 ν，在標稱或低溫或者慢速或 標稱η處理時，同fn通道電晶體24a不會接通，因為電晶體 的閘極源極間電壓Vgs=g。在該條件下，跳脫則貞測器電路 12a]表現得如同圖2的跳脫點偵測器電路12。然而，對於快 速η處理或高溫，Vtz小於〇 ν，且同質n通道電晶體在％ 尚於Ο V時接通。因此，同質n通道電晶體24&作用就像受控 電流源，該受控電流源的電流隨n處理及溫度條件而變化， 如上表1所示。因此，跳脫點偵測器電路12〜具有適應於處 理及溫度條件的跳脫點參考訊號vREFa，如上表2所示。一 般熟習此項技術者應瞭解跳脫點偵測器電路12ai可被替代 地配置為具有適應於p處理及溫度條件的跳脫點參考訊號 VREFa 0 現參看圖7 ’該圖描述根據本發明之替代例示性跳脫點偵 測器電路。跳脫點偵測器電路12b包含與圖2的跳脫點偵測 器電路12的電路元件相同的電路元件，但亦包含耦接在 10913I.doc 1329989 與節點xH1之間的受控電流源26。如下更詳細的描述，受控 電流源26傳導基於處理及溫度條件而變化的電流屮下表說 明丈控電流源26的作為處理及溫度條件之函數的例示性輪 出回應： 處理/溫度 h 慢速處理或低溫 0 — 標稱處理或標摇溫唐 0 快速處理或高溫 >0 φ 表4 意即，對於慢速或標稱處理，或低的或標稱溫度，受控 電流源26不傳導電流。因此，受控電流源％自節點Xhi處有 效地斷開，且跳脫點偵測器電路12b如同圖2的先前已知跳 脫點偵測器電路12 —樣操作。相反地，對於快速處理或高 溫，受控電流源26傳導電流12(>〇)，且有效增大跳脫點參考 訊號Vref。 現參看圖7及圖8，該等圖描述快速處理或高溫條件下的 _ 跳脫偵測器電路12b的操作，該等快速處理或高溫條件導致 低的臨限電壓（例如VTN=〇 6 V或vTP=〇.6 V)。在t=〇, v33 = 0 V 時，電晶體16斷開，Vx=〇 v，電晶體18斷開，且Xhi=V33 = 〇 V。對於〇st<IV時，v33增加，但仍低於ντρ。因此，電晶體 16仍斷開’ Vx = 〇 ’且χΗΙ=ν33在t=T丨，時，ν33比Vx高出臨限 電壓VTP，且電晶體丨6因此開始導電。 對於T <t<T2時，vx仍比V33低一個VTP »因為γχ小於 VTN，所以電晶體〗8仍斷開，且Xh〗 = v”。在卜丁/時， V33 = VTP + VTN，Vx=VtN，且電晶體18開始導電。然而，需要 109131.doc 1329989 更高的閘極源極間電壓以接通電晶體丨8 .^ τ 目受控電流源26 汲取電洲·Ι2。因此，ΧΗ丨=V33。在t=T "時 电晶體1 8完全飽 和，且將XH】拉至地電壓。當V且右下 田33具有下式所示值時，該情 況可出現： 町/丨月 V33 =^TP+ VCSiS = VTP + + ) (4) 其中AVb由下式給出： 其中 β\%'

W ~L /18 12/Ί' 2 (5) ⑹ 為電晶體18的寬度與長度的比率，μ為 為處理參數。在此實例中，當V33超過跳脫點參考訊號 vREFb(=vTP+wb)時，&自正的非零電壓變為… 因此’跳脫點制器電路12b具有適應於處理及溫度條件 的跳脫點參考訊號VREFb，如下表所示：

L

臨限電壓、與〜為標稱或高時），跳脫點參考訊號^ 對於標稱或慢速處理或者標稱或低的溫度條件(意即，當 與臨限電壓VTN與ντρ的和相等。 寺然而，對於快速處理或高 =的條件（意即，當臨限電心一 ντρ為低時），跳稅點參 考Λ號vREFb與vTN+vTp+AVb的和相等。 i09I3l.doc -J6-

受控電流源26可使用具有如表4所示的輸出回應的任意 電路實轭。現參看圖9，該圖描述該電路之一例示性實施 例。跳脫點偵測器電路12b!包含p通道電晶體26b，該p通道 電晶體26b的沒極端子輕接於節點—，其閘極端子輕接於 訊號XFAST，而其源極端子耦接於節點γη。如下文更詳細的 描述，vBE偵測器電路28提供訊號Xfast，該訊號的值視處 理及溫度條件而定。詳言之，對於標稱或慢速處理，或標 稱或低的溫度，XFAST為高’且電晶體26b斷開。在該條件 下，跳脫點偵測器電路12bi表現得如同圖2的跳脫點偵測器 電路12。相反地’對於快速處理或高溫，為低，且電 晶體26b將電流注入節點Xhi中。因此，電晶體26b作用就像 受控電流源’該受控電流源的電流隨處理及溫度條件而變 化，如上表1所示。因此，跳脫點偵測器電路12匕具有適應 於處理及溫度條件的跳脫點參考訊號VREFb，如上表4所示。 現參看圖ίο ’該圖描述用於產生又以打的例示性vbe偵測 器電路。詳言之，VBE偵測器電路28包含PNp電晶體3〇，該 PNP電晶體30的基極端子及集極端子接地’且其發射極端 子經由電流源32而耦接至V”。pnp電晶體3〇的發射極端子 亦耦接於π通道電晶體34的閘極，該n通道電晶體34的源極 接地’且其汲極端子（節點XFAST)經由電流源36而耦接於 V33»因此’ PNP電晶體30的基極發射極間電壓與η通道電晶 體34的閘極源極間電壓相等。 ΡΝΡ電晶體30的基極發射極間電壓νΒΕ與η通道電晶體34 的臨限電壓VTN傾向於隨η處理及溫度的變化而在相同方向 109131.doc 1329989 上偏移。然而’ vBE的變化通常遠小於νΤΝ的變化，且γΒΕ 通常仍很接近〇,7 V。因此，若VTN具有0.8 V的標稱值，對 於標稱或慢速η處理及標稱或低溫’ γΒΕ小於vTN。相反地， • 對於快速n處理或高溫，Vbe大於Vtn。因此，對於標稱或慢 速η處理及標稱或低溫，PNP電晶體3〇之Vbe小於Vtn，電晶 體34斷開，且XFAST為高。相反地，對於快速n處理或高溫， ΡΝΡ電晶體30之VBE大於VTN，電晶體34接通’且XFAST為低β φ 一般熟習此項技術者應瞭解若Vw具有一並非0.8 V的標稱 值’則可將VBE與νΤΝ的按比例縮放型式相比較以產生 Xfast。一般熟習此項技術者應瞭解Vbe偵測器電路28可被 替代地配置為提供基於p處理及溫度條件而變化的訊號 Xfast ° 現參看圖11，該圖描述根據本發明之另一例示性跳脫點 偵測器電路。在此實例中，將在例示性跳脫偵測器電路12〜 與12b]中所s兒明的技術組合起來。詳言之，跳脫偵測器電 • 路12c包含耦接在節點％與接地端之間的同質n通道電晶體 24及耦接在V33與節點χΗ1之間的p通道電晶體26b。圖丨之說 明快速處理或高溫條件下的跳脫偵測器電路12c的回應，該 等快速處理或高溫條件導致低的臨限電壓（例如Vtn=〇 6 v 或VTP-0.6 V)。使用與上述相似的分析，一般熟習此項技術 者應瞭解跳脫點偵測器電路12c具有適應於處理及溫度條 件的跳脫點參考訊號Vrefc，如下表所示： 109131.doc 1329989 處理/溫度 VrEFc 慢速處理或低溫 Vtp+Vtn 標稱處理或標稱溫度 Vtp+Vtn 快速處理或高溫 VTp+VTO+AVa+AVb 表6 其中AVa+AVb具有如分別方程式⑺及（3)，以及方程式（5) 及（6)中規定的值。 現參看圖13 ’該圖描述根據本發明之另一例示性跳脫點 φ 偵測器電路。詳言之，跳脫點偵測器電路12d包含η通道電 晶體38及40 ’ η通道電晶體38及40的汲極端子耦接於節點 Χηι ’且源極端子分別耦接至電晶體丨8及丨8F的汲極端子。 另外，電晶體38具有耦接於訊號xFAST的閘極端子，且電晶 體40具有耦接於訊號FAST(意即，Xfast的邏輯倒轉）的閘極 端子。電晶體18F相似於電晶體18,但具有比電晶體18的臨 限電壓vTN更高的標稱臨限電壓Vtnh。舉例而言，若乂”具 有0.8 V的標稱臨限電壓，則Vthn可具有丨〇v的標稱值。舉 • 例而言，臨限值的差異可透過相對於電晶體18的尺寸而調 整電晶體18F的尺寸或透過調整影響兩個電晶體的臨限電 壓的處理步驟而得到。 電晶體38與40的大小經設定以充當開關，該等開關基於 處理及溫度條件而交替地將電晶體18或18F接入電路或自 電路斷開。詳言之，對於標稱或慢速處理，或標稱或低的 溫度，Xfast為高’ FAST為低，電晶體18的汲極耦接於節點 XHI ’且電晶體18F自電路的其餘部分有效地斷開。在节等 條件下，跳脫點偵測H電路12d表現得如關2的跳脫點侦 109131.doc -19· ^29989 测器電路12。相反地，對於快速處理或高溫，為低， FAST為高，電晶體18F的汲極耦接於節點xHI，且電晶體18 自電路的其餘部分有效地斷開1此，對於快速處理或高 溫，跳脫點偵測器電路12d用高臨限電晶體18F調換標稱臨 限電晶體1 8。 若電晶體“與丨汀是在相同晶粒上製造的，則兩電晶體的

臨限電㈣常將在多個處理及溫度條件下跟隨，纟實例說 明於下表中：

表7 現參看@ 13及® 14，該等㈣述了快速處理或高溫條件 下的跳脫.IM貞測器電路12d的操作，該等快速處理或高溫條 件導致低的臨限電壓。在此實例中，Vtn=Vtp=〇 6兄

ΤΝΗ 8 V，XFAST為低，且FAST為向。因此，電晶體18被 有效地自電路斷開，且電晶體18F被有效地接入電路中。在 ㈣時，3 = 0 V ’電晶體16斷開’ Vx=〇 v，電晶體w斷開， 且xH产V33=〇 v。對於〇st<lv時，V”增加，但仍低於。 因此，電晶體16仍斷開，Vx=〇,且Xhi=V33。在t=n，〜 &vx超出臨限電壓Vtp，且電晶體16因此開始導電。對於 τβ<τ5時，Vx仍比V33低一個ντρ。因為、小於v·，電晶 體18F保持斷開，且Xh〗 = V33。在t=T5時，〜而， vx=vTNH，且電晶體丨8F接通並將Xhi拉至地電壓。在此實例 I09I3I.doc •20· 1329989 中，當V”超過跳脫點參考訊號vREFd=vTp+VTNH時，Xh丨自正 的非零電壓變為ον。 上述例示性電路說明當電晶體臨限電壓由於處理或溫度 • 條件而降低時用於增大跳脫點參考VREF的技術。一般熟習 此項技術者應瞭解根據本發明之方法與裝置亦可用於當電 晶體臨限電壓由於處理或溫度條件而上升時減小跳脫點參 考Vref。舉例而言，在圖9中所說明的跳脫點偵測器電路丨2。 φ 中’ ρ通道電晶體26b之閘極可耦接於控制訊號SLOW，該控 制訊號SLOW在標稱或快速處理或者標稱或高溫時為低，且 在慢速處理或低溫條件時為高。在彼點上，電流匕將注入電 晶體18的汲極，除非處理或溫度條件傾向於增加臨限電壓

Vtp與VTN。在該情況下，込將斷開，其將減小跳脫點參考 Vref 0 或者，在圖1 3中所說明的跳脫點偵測器電路12d中，電晶 體38與40的閘極端子可分別耦接於Xs⑶〆意即，sl〇w的邏 • 輯倒轉）及SL〇W’且電晶體UF可經製造以具有比電晶體18 的臨限電廢Vtn更低的標稱臨限電歷VTNL。目此，對於標稱 或！夬速處理’或標稱或高溫，Xsl〇w為高，sl〇w為低，電 曰曰體1 8之汲極耦接於節點χΗι，且電晶體1 自電路的其餘 部分有效地斷開。相反地，對於慢速處理或低溫，χ_為 低SL0W為同，電晶體18F的汲極耦接於節點Χηι，且電晶 體1 8自電路的其餘部分有效地斷開。因此，對於慢速處理 或低㈣跳脫點偵測n電路丨2d用高臨限電晶體丨8F調換標 稱臨限電晶體18,此將減小跳脫點參考Vr 109131.doc 1329989 前述僅僅說明本發明之原則， 可 、 T J 1般熟習此項技術者 進行各種修改而不偏離本發明之範嘴與精神。 【圖式簡單說明】 ^ 圖1為先前已知開機重置電路圖； 圖2為先前已知跳脫偵測器電路圖； 圖3為圖2的電路的訊號回應值的圖； 圖4為根據本發明的例示性跳脫點偵測器電路的圖.

圖5為圖4的電路的訊號回應值的圖； 圖6為圖4的電路的例示性實施的圖； 圖7為根據本發明的替代例示性跳脫點偵測器電路的圖； 圖8為圖7的電路的訊號回應值的圖； 圖9為圖7的電路的例示性實施的圖； 圖10為圖9的例示性vBE偵測器電路的圖； 圖11為根據本發明的另一替代例示性跳脫點偵測器電路 的圖； # 圖12為圖11的電路的訊號回應值的圖； 圖1 3為根據本發明的另一替代例示性跳脫點偵測器電路 的圖；及 圖Μ為圖13的電路的訊號回應值的圖。 【主要元件符號說明】 10 POR電路 12 跳脫偵測器電路 12a 跳脫點偵測器電路 12a, 跳脫點偵測器電路 10913I.doc •22- 1329989 12b 跳脫點偵測器電路 12b, 跳脫點偵測器電路 12c 跳脫偵測器電路 12d 跳脫點偵測器電路 14 濾波電路 16 P通道電晶體 18 η通道電晶體 18f η通道電晶體 20 電阻器 22 電阻器 24 受控電流源 24a η通道電晶體 26 受控電流源 26b ρ通道電晶體 28 Vbe偵測器電路 30 PNP電晶體 32 電流源 34 η通道電晶體 36 電流源 38 η通道電晶體 40 η通道電晶體 109131.doc -23 -

Claims (1)

1329989 十、申請專利範圍： !.一種跳脫點傾測器電路，其在一輸入訊號節點處接收— 輸入訊號且在一輸出訊號節點處產生一輸出訊號，當該 輸入訊號超過一跳脫點參考值時，該輸出訊號自一第二 值變為一第一值，該跳脫點偵測器電路包括： 一電路元件，其調整該跳脫點參考值以補償在處理或 溫度中的變化，而無需一外部供應的參考訊號。 2·如請求項1之跳脫點偵測器電路，其中該電路元件操作以 增大該跳脫點參考值。 3. 如請求項1之跳脫點偵測器電路，其中該電路元件操作以 減小該跳脫點參考值。 4. 如請求項丨之跳脫點偵測器電路，其中該電路元件基於— 電晶體臨限電壓的一值而調整該跳脫點參考值。 5. 如s青求項1之跳脫點偵測器電路，其中該電路元件包括一 受控電流源。 6. 如請求項5之跳脫點偵測器電路，其中該受控電流源傳導 一基於處理及溫度條件而變化的電流。 7. 如請求項5之跳脫點偵測器電路，其中該受控電流源包括 一電晶體。 8. 如請求項5之跳脫點偵測器電路，其中該受控電流源包括 —空乏型電晶體。 9. —種用於調適一跳脫點偵測器電路的一跳脫點參考值的 方法，該跳脫點偵測器電路在一輸入訊號節點處接收一 輸入訊號且在一輸出訊號節點處產生一輸出訊號，當該 3 l.doc 輸入訊號超過該跳脫點參考值時，該輸出訊號自一第一 值變為-第二值，該方法包括： 周整該跳脫點參考值以補償在處理或溫度中的變化， 而無需一外部供應的參考訊號。 月求項9之方法，其中調整包括增大該跳脫點參考值。 月求項9之方法，其中調整包括減小該跳脫點參考值。 月长項9之方法，其中調整包括基於一電晶體臨限電壓 的值而調整該跳脫點參考值。 ;月长項9之方法，其中調整包括基於處理及溫度條件而 S周整在該跳脫偵測器電路中的一電流。 14.=明求項9之方法’其中該跳脫點偵測器電路包括一且有 -第：臨^電壓的第一電晶體及一具有一第二臨限電壓 、 電曰曰體，且其中調整包括在該第一電晶體與該 二電晶體之間切換。 1 5.如請求項14夕古 法，其中該第一臨限電壓高於該第二臨 限電壓。 16 二種跳脫點谓測器電路，其在一輸入訊號節點處接收一 山“且在—輸出訊號節點處產生-輪出訊號，告該 輸二訊號超過-跳脫點參考值時，該輸出訊號自；： ^ 第一值，該跳脫點偵測器電路包括： 晶體； 在"亥輪入訊號節點與一内部節點之間的第一電 晶體輛：在該内部節點與該輸出訊號節點之間的第二電 109131.doc 1329989 一耦接於該内部訊號節點的受控電流源，該受控電流 源調整該跳脫點參考值以補償在處理或溫度中的變化， 而無需一外部供應的參考訊號。 17. 如請求項16之跳脫點偵測器電路，其中該受控電流源包 括一電晶體。 18. 如請求項16之跳脫點偵測器電路，其中該受控電流源包 括一空乏型電晶體。 19. -種跳脫點偵測器電路，其在—輸人訊號節點處接收一 輸訊號且纟輸出訊號節點處產生一輸出訊號，當該 輸入訊號超過-跳脫點參考值時，該輸出訊號自一第一 值變為一第二值，該跳脫點偵測器電路包括： -耦接在該輸入訊號節點與一内部節點之間的第一電 一耦接在該内部節點與該輸出訊號節點之間的第二電 晶體；及 — -搞接於該輸出訊號節點的受控電流源，該受控電流 源調整該跳脫點參考值以補償在處理或溫度中的變化， 而無需一外部供應的參考訊號。 是 20.如請求項丨9之跳脫點偵測 括-電晶體。 H玄文控電流源包 10913 丨.doc