TWI326967B - Differential amplifier - Google Patents
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Description
1326967 (1) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明屬於放大器的領域。更明確地說,本發明屬於 可以操作於較高供給電壓的交叉差動放大器。 【先前技術】 於本技藝中已知有高效飽和放大器及開關功率放大器 。使用此等放大器的一缺點爲相對於直流電源的高峰値電 壓,使得主動裝置必須忍受於這些操作模式中。爲了改良 電晶體的增益、開關速度、及導通電阻,裝置的崩潰電壓 通常被降低。此項取捨是所有現代半導體裝置所禁止的, 該等半導體裝置包含但並不限定於埸效電晶體(FET)、雙 極性接面電晶體(BJT)、異質接面雙極性電晶體(HBT)、高 電子遷移率電晶體(HEMT)、金屬半導體場效電晶體 (MESFET)、金氧半場效電晶體(MOSFET)、及接面場效電 晶體(JFET)。此影響同時也無關於裝置係由何半導體材料 系統所製造,包含砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)、矽鍺(SiGe) 、及矽製程,例如矽二極(Si BJT)、互補金氧場效電晶體 (CMOS)製程,及絕緣層上有矽(SOI)技術。 於高效開關放大器中、於崩潰電壓之降低可能是一問 題。不像很多應用中,其中可以被看到之最大電壓典型係 爲電源的直流電壓所限制,高效開關放大器例如D類、F 類、反F類、電流模式d類及E/F類可能需要可爲裝置 所見之峰値電壓爲幾倍於直流電源。例如F類可能需要至 -6- (2) (2)1326967 少兩倍之電源電壓的峰値電壓,而E類需要裝置忍受超出 3.5倍之電源電壓,而不能崩潰。 此相對於直流電源電壓的高峰値電壓由於使用電感以 連接至主動裝置至直流電源電壓的結果所造成。第1圖爲 使用於例如E類、F類及E/F類中之飽和及開關放大器中 之大致電路拓樸圖。主動裝置經由一電感被連接至直流電 源。因爲於穩定狀態下,任何電感間之直流(或平均)電壓降 爲零,所以電壓波形可能具有等於電源電壓的平均電壓。 此對應於對波形的限制,在於在供給電壓上之平均區域與 在其下之區域必須相等。可以由描繪代表開關放大器之典 型波形之第2圖看出,在電源電壓的上下陰影有相等面積 〇 可以由第2圖看出,主動裝置花相當大部份之時間於 一低壓裝態中。使得主動裝置可以於此時導通其電流主體, 藉以降低裝置中之功率消耗,造成高效。不好的是,此造成 在電源電壓下很大之面積,需要一相等大面積於其上。因 此,於開關不爲低時之電壓可以遠大於電源電壓,通常係係 於兩至四之因數。 例如,於一典型CMOS製程中,裝置崩潰可以低於6伏, 而電源電壓於很多狀態下,係3 · 3伏或更高。於3.3伏之電 源中,E類放大器可以產生具有峰値電壓大於〗1伏之波形, 幾乎爲CMOS裝置可忍受之6伏崩潰電壓的兩倍。因此, 於本案中,電源電壓可以改變,可以使用一更貴之高壓製程 、或可使用具有低峰値電壓之較低效型之功率放大器。若 (3) (3)1326967 電源電壓不能改變,例如其爲一電池或其他相同電源的電 路不能改變其電源電壓,則傳統開關放大器的高峰至電源 比例強迫於成本或效能上作犧牲。 【發明內容】 依據本發明,提供有一交叉差動放大器,其克服現行放 大器的已知問題。 更明確地說,提供有一交叉差動放大器,其允許具有低 崩潰電壓的裝置,例如高頻電晶體或積體電路電晶體被與 較高電源電壓一起使用。 依據本發明之一例示實施例,提供有一交叉差動放大 器。該交叉差動放大器包含一電感其一第一端連接至一直 流電源》例如電晶體的第一及第二開關裝置係連接至該電 感的第二端。第一及第二放大器將其供給端連接至第一及 第二開關裝置。第一及第二開關係被架構以交替方式連接 兩放大器至該電感,使得每一放大器接收電流及使得在電 感第二端上之平均電壓係大於在其供給點之放大器之一平 均電壓。 本發明提供很多重要技術優點。本發明之一重要技術 優點爲~放大器,其可以用於高效之切換模式,例如Ε類、 反F類、E/Fxx類 '電流模式D類、及其他適當類別,同 時操作在較高電源電壓並使用較低崩潰電壓裝置。 熟習於本技藝者將了解本發明之優點及優良特性,以 及,本發明之其他重要態樣將於讀取以下詳細說明配合上 -8 - (4) (4)1326967 附圖加以了解。 【實施方式】 於說明中,相同部件係以相同參考標號於整個說明書 及圖式中作標示。圖式並不必要成比例繪出,同時,某些特 性可以大槪方式以簡要及確實方式示出。 第3圖爲依據本發明之一例示實施例之交叉差動放大 器300圖。交叉差動放大器300可以包含兩放大部302及 304,其經由一雙向開關308共用一共同供給電感306。放 大部3 02及3 04係以彼此相對不同相加以驅動,使得其峰 値電壓發生於不同時間β藉由換向供給電感306於放大部 3 02及304之間,於供給電感3 06之端子的平均電壓係大於 在個別放大部3 02及304之平均電壓。 例如,於一例示實施法中,兩放大部3 02及304係以互 補方式加以驅動,供給電感306連接被切換,以保持放大部 3 02或3 04具有一高壓連接至供給電感306。於一例示實 施例中,此作業產生第4圖之波形4〇2至4〇6。於此例示實 施例中,因爲供給電感306並未曝露至放大部3 02及3〇4 之低壓,所以在電感電壓波形4 〇 2之上之直流供給電壓下 的面積係大量被降低。這允許在直流供給上之面積降低, 大量地降低峰値電壓。若放大部302及304爲開關放大器, 使得於每一放大部之導通循環中之電壓近乎零,則交叉差 動技術可以造成於峰値電壓中之兩因數的降低。 第5圖爲依據本發明之一例示實施例之三向交叉差動 -9- (5) (5)1326967 放大器500的圖。藉由使用兩個以上之放大器,每一放大 器具有不同相位,電感可以換向於放大部5 02至506之間, 以更均勻地降低在放大部502至506上之峰値電壓。例如, 於一例示實施例中,三個放大部502至506可以被使用,於 任兩放大部間均分離1 20度的相位分隔。此操作造成用於 幾放大部5 02至5 06之峰値電壓發生於該循環的三個不同 點,使得開關5 0 8可以換向電感5 1 0至一電壓,其係相當接 近整個循環的峰値裝置電壓。 此技術可以延伸以利用想要放大器的一穩定數”n”,藉 由使用一η向開關連接電感5 1 0至具有不同操作相位的 ” η”放大器。藉由使用較大量放大器,峰値電壓可以接近直 流電源電壓。 第6圖爲交叉差動放大器600的例示實施例之圖,其 中開關5 0 8已經被實施爲”η”兩端開關602至606。此拓 樸允許開關508予以爲傳統兩端開關602至606,例如電晶 體所實施。 第7Α圖爲依據本發明之一例示實施例之交叉差動放 大器700Α的圖。於此例示實施例中,裝置702及706係用 以作爲開關,以將電感70〗換向於裝置704及708之間,其 操作爲放大器。裝置702及706連接至裝置704及708之 節點可以使用作爲輸出並可以驅動一差動負載、個別單端 負載或其他適當之負載。裝置702及706可以以互補方式 操作,以交換方式連接電感710至裝置704及709,以藉由 時間而降低在裝置704及708上之峰値電壓,在電感710 -10- (6) (6)1326967 之換向端上之電壓係遠低於電源電壓。 裝置702、裝置704、裝置706及裝置70S可以爲Si 電晶體、SiGe電晶體、GaAs電晶體、CMOS電晶體、 CMOS SOI電晶體、HBT電晶體、LDMOS電晶體、HEMT 電晶體、ME SFET電晶體或其他具有控制端(包含但不限 制一閘極或基極)及兩導通端(包含但並不限定於射極及集 極或汲極及源極)之適當開關或三端裝置。於一例示實施 例中,裝置704及7 08可以爲具有可控制電流大小之電流 源、可以爲開關或操作爲開關之裝置、或可以其他適當裝 置。裝置7〇2及裝置706可以爲開關、操作爲開關之裝置 、或其他適當之裝置。 交叉差動放大器700A可以操作,以使得裝置7〇4及裝 置7〇8被使用作爲換向開關,而使用裝置702及裝置706 作爲放大裝置。以此模式,裝置704及裝置708交替地強 迫裝置702及裝置706支援在電感710之第二端子上之電 壓,允許對於相同直流電源電壓,在裝置702及裝置706之 峰値電壓的降低。 交叉差動放大器700A可以被使用,以使得所有四個裝 置均爲開關,使得每一對之開關放裝置作動爲另一個之換 向器,或以其他適當方式。 第7C圖爲交叉差動放大器700C之圖,其中電感710 已經被放置在電路的接地側及電源電壓被直接連接至裝置 702及裝置706。交叉差動放大器700C有關於其行爲可以 實質操作如同交叉差動放大器700A。於交叉差動放大器 -11 - (7) (7)1326967 7〇OC中,裝置704及裝置708可以使用作開關,以連接裝置 702及裝置706於供給712及電感7】〇之間,造成在裝置 702及706上之相同峰値電壓降低作用。於此時,電感被連 接至地,使得作用藉由連接裝置7 02及706至電感710加 以完成,以降低電感看到電壓遠高於地之時間。例如,於一 例示實施例中,裝置704及708可以操作以將電感710換 向於裝置702及706之間,以保持電感於整個循環中被連 接至放大裝置,其係在其輸出端具有幾乎負電壓。 交叉差動放大器700C同時也操作,以使得裝置702及 裝置706被使用作爲換向開關,同時,使用裝置704及708 作爲放大裝置。於此模式中,裝置702及706交替強迫放 大裝置支援於電源電壓與電感710之換向點間之電壓差, 允許於裝置704及708上之峰値電壓的降低。 交叉差動放大器700C可以被使用,以使得所有四個裝 置均爲開關,使得每一對放大開關換向另一個之電流,或以 其他適當方式進行。 第7B圖爲依據本發明之一例示實施例之交叉差動放 大器700B的電路圖。交叉差動放大器70 0B包含電感 71〇Α連接至裝置7〇2及裝置7〇6,及電感710B連接至裝置 7〇4及裝置708。因爲這些電感係彼此串聯連接並連接至 直流電源71 2,此實施法同時也以交叉差動放大器700A以 實質相同方式操作。藉由使用裝置702及706作爲開關, 以換向於電感7I0A及7〗0B於作爲放大裝置的裝置704 及708之間,對於一給定直流電源電壓,在電感710A及 -12- (8) (8)1326967 710B上之電壓漣波可以降低。 交叉差動放大器700B也可以操作,以使得裝置704及 裝置7 0 8被使用作爲換向開關,而使用裝置702及706爲 放大裝置。於此模式中,裝置704及7 08交替地強迫放大 裝置以支援於供給電感710A及710B間之電壓差,允許於 裝置702及706上之峰値電壓的降低。 交叉差動放大器700B同時也可以被使用,以使得四個 裝置均是開關,使得每一對放大開關換向另一對之電流,或 其他適當方式。 於操作中,交叉差動放大器700A、700B及700C之放 大器的負載網路及偏壓點可以加以選擇,以允許操作於A 類、A/B類'B類、C類、E類、反F類、E/Fxx類(簡化 開關放大器E/F族之開關器操作類別)。E/F類放大器例係 由美國專利申請案第09/974,557號申請於2001年十月9 日之”E/F類開關功率放大器”所提供,該案係倂入作爲參考 。交叉差動放大器700 A至700C可以被使用於使用開關 放大器諧調,因爲所有四個裝置可以被作用以同時操作於 高效E類、反F類、電流模式D類、及E/Fxx類模式。 第8圖爲依據本發明之例示實施例的可以操作於E類 模式中之交叉差動放大器800電路圖。交叉差動放大器 800包含裝置8〇2、裝置804、裝置806及裝置808,這些 均可以被操作爲開關或其他適當之裝置。裝置802及裝置 8 08可以操作爲第一組,以相對於裝置806及裝置804之相 位,使得電流被驅動經電感8 3 6、電容S 3 0、及電阻8 3 2,以 -13- (9) (9)1326967 第一方向流經裝置8 Ο 2及裝置8 Ο 8,然後,於第二方向流經 裝置806及裝置804。電感826、電容830及電阻832可 以大小作成以諧振於操作頻率,並供給於操作頻率的適當 阻抗,以補償電容818、電容820、電容822及電容824,其 可以分別爲裝置802至808的內部電容,或其他適當電容, 以允許交叉差動放大器800操作於Ε類模式之操作中。於 —例示實施例中,電容818至824可以分別爲裝置802至 808的本質電容、或可以於裝置8〇2至808及外部元件或 特性間之電容、或可以爲此等電容的適當組合,或可以包 含其他適當之電容器或電容値。於另一例示實施例中,電 阻8S2可以爲一予以驅動之電阻負載,或一予以驅動之無 功負載的電阻分量、一天線' 放大器或其他電路的輸入、 或其他適當負載或負載的組合。 使用此技術時,用作爲Ε類操作之電感810並未在其 間有大電壓很長之時間段,因爲其並未直接連接至地端,如 同於傳統Ε類放大器的例子一般。以此方式,在爲裝置 8 02、裝置806、及電感810所共享的節點的峰値電壓係 低於傳統Ε類開關差動放大器的等效節點的峰値電壓,傳 統Ε類差動放大器係例如使用獨立電感以連接每一放大裝 置至電源者、或一傳統Ε類開關放大器的等效節點者。藉 由選擇用於電感826'電容830、電阻832、及電容8]8 至S24之適當値,每一裝置802至808可以被當電壓係於 或接近零時被切換,以最小化由於電容8]8至824之導通 切換損失(等於】/2 CV2fe),其造成不想要的功率損失及受熱 -14- (10) (10)1326967 。交叉差動放大器800可以用如第7B及7C圖所示之架 構中,以供給電感在其他適當位置。另外,負載網路可以由 第8圖所繪之串聯RLC網路構成,或其他適當單端或差動 負載,符合每一放大裝置的E類諧調條件者。 第9圖爲依據本發明之例示實施例之操作於電流模式 D類、反F類或E/Fxx模式操作的交叉差動放大器900的 電路圖。交叉差動放大器900包含裝置902、裝置904、 裝置906及裝置908,每一裝置均可以操作爲開關或其他適 當裝置,及電感910及電源電壓912。裝置902及裝置908 操作於彼此同相,並相反於裝置906及裝置904之相位,使 得於第一狀態操作中,電流流經電感9 1 0及裝置902經過 由電容918、電阻920及電感922所形成之負載,並經過裝 置908。同樣地,第二狀態的操作中,電流流經電感9 1 0及 裝置906經由並聯連接之電容918、電阻920及電感922, 及流經裝置904。電感922、電容918及電阻920係被選 擇以提供用於電流模式D類、反F類或E/Fxx類的適當諧 調。於一例示實施例中,電阻92 0可以爲予以驅動的電阻 性負載、予以驅動之無功負載的電阻分量、一天線、放大 器或其他電路的輸入、或其他適當負載或負載的組合。 使用此技術,可以用於電流模式D類、反F類及E/Fxx 操作之供給電容9 I 0可以被避免其間之大電壓,一時間段, 因爲其並未直接連接至地該循環的大部份,如同在傳統電 流模式D類、反F類及E/Fxx放大器的情形。此架構允許 爲電感9] 0及裝置902及906所共享的節點的峰値電壓低 -15- (11) (11)1326967 於傳統反F或E/Fxx類開關差動放大器的等效節點的峰値 電壓,其係使用兩電感連接兩裝置至電壓源,每一個別連接, 或連接至一傳統反F類、電流模式D類、或E/Fxx類開關 放大器之等效節點。交叉差動放大器90 0同時也用於第 7B及7C圖所示之架構中,其中供給電感係於其他適當位 置。另外,負載網路可以爲一適當單端或差動網路3其造成 電流模式D類、反F或E/Fxx類操作。 第1 0圖爲依據本發明之一例示實施例之可以操作於 E/Fxx類模式之具本質電容的交叉差動放大器1 000的電路 圖。 交叉差動放大器1000包含裝置1002、裝置1004、裝 置1006、及裝置1008,其可以操作爲開關、電流源、或其 他適當裝置。裝置1002及1006連接至電感1010。裝置 1〇〇2及裝置1 008操作於彼此同相,並相反於裝置1 006及 裝置1 004的相位,使得第一狀態的操作的電流流經電感 1010及裝置1002越過由電感1028、電容1026及電阻 1 〇 3 2所形成之負載,並經裝置1 0 0 8。於第二操作狀態中, 電流流經電感1 〇 1 〇及裝匱1 0 0 6,然後,越過由電容1 〇 2 6、 電感1028、及電阻1032所形成之負載並經裝置1〇〇4。電 感1 02 8及電容1 026係被選擇,以諧振於操作頻率,並補償 電容1〇18至電容1〇24,以提供反F類模式或E/Fxx類模式 之操作。電容1018至1 024可以爲裝置的本質或寄生電容 、外部電容、或其他電容値。同樣地,交叉差動放大器 1 0 00的其他本質或寄生電容可以補償。於一例示實施例 -16- (12) (12)1326967 中,電阻1032可以爲予以驅動之電阻負載、予以驅動之無 功負載的電阻成份、一天線、一放大器或其他電路的輸入 、或其他適當負載或負載的組合。 使用此技術,可以用於E/Fxx操作之電感1010可以避 免具有大電壓於其間,一較長時間段,因爲在循環的大部份 中,其並未直接連接至地,如同於傳統反F類及E/Fxx類放 大器中般。此架構允許爲電感1〇1〇及裝匱1002及1006 所共享之節點的峰値電壓低於一傳統開關差動放大器或傳 統開關放大器之相等節點的峰値電壓,傳統開關差動放大 器例如使用兩分離電感以個別連接兩裝置至電壓源者。交 叉差動放大器1〇〇〇也可以用於示於第7B及7C圖中之架 構中,以供給電感在其他之適當位置。另外,所用負載網路 也可以是任意適當單端或差動網路,其造成E/Fxx類操作者 〇 第11圖爲依據本發明例示實施例之分布式主動變壓 器1100的電路圖。分布式主動變壓器1100包含連接以提 供一次繞組段1110、1112、Π]4、及Π16之交叉差動放 大器1 102、1 104 ' I 106及1 108。二次繞組1 1 18包含輸 出η 2〇,其係磁連接至一次繞組段111 0至η I 6。經由每 個一次繞組段的電流係爲相關交叉差動放大器所控制,以 提供一分布式變壓器架構,其使用交叉差動放大器作爲一 次繞組段。雖然四交叉差動放大器顯示於此實施法中,但 任思數夏之放大裝置可以組合於該分布式主動變壓器中。 各種交叉差動放大器可以用於如第7Β及7C圖所示之架 -17- (13) (13)1326967 構中,以電感在其他適當之位置。 雖然本發明之系統與方法的例示實施例已經詳細說明, 但熟習於本技藝者可以得知各種替代與修改可以在不脫離 隨附之申請專利範圍的精神及範圍下加以完成。 【圖式簡單說明】 第1圖爲使用電感用於供給連接之典型飽和或開關放 大器的電路圖; 第2圖爲由於電感式電源連接,在電源電壓上及下之 相等面積之典型飽和或開關放大器波形圖; 第3圖爲本發明例示實施例之交叉差動放大器的電路 圖; 第4圖爲依據本發明一例示實施例之電壓波形圖; 第5圖爲依據本發明一例示實施例之具有三換向放大 器的交叉差動放大器電路圖; 第6圖爲依據本發明一例示實施例之實施η向換向開 關之具幾個兩端開關之交叉差動放大器電路圖; 第7Α至7C圖爲依據本發明實施例之交叉差動放大 器電路圖; 第8圖爲依據本發明之實施例之操作於Ε類模式之交 叉差動放大器電路圖; 第9圖爲依據本發明之實施例之操作於反F類、電流 模式D類或E/Fxx類模式之交叉差動放大器電路圖; 第10圖爲依據本發明之實施例之具有本質電容並可 -18- (14) (14)1326967 操作於反F類、電流模式D類、或E/Fxx類模式之交叉差 動放大器電路圖;及 第11圖爲依據本發明之例示實施例之分布主動變壓 器的電路圖。 主要元 件對照表 300 交 叉 差 動 放 大 器 3 02 放 大 部 3 04 放 大 部 3 06 供 給 電 感 3 08 雙 向 開 關 402 波 形 404 波 形 406 波 形 500 交 叉 差 動 放 大 器 5 02 放 大 部 5 04 放 大 部 506 放 大 部 508 開 關 5 10 電 感 600 交 叉 差 動 放 大 器 602 兩 端 開 關 604 兩 端 開 關 606 兩 丄山 開 關 -19- (15)1326967 700A 交 叉 差 動 放 大 器 700B 交 叉 差 動 放 大 器 700C 交 叉 差 動 放 大 器 702 裝 置 704 裝 置 706 裝 置 708 裝 置 7 10 電 感 7 1 0A 電 感 7 1 OB 電 感 7 12 直 流 電 源 8 00 交 叉 差 動 放 大 器 8 02 裝 置 8 04 裝 置 8 06 裝 置 808 裝 置 8 10 電 感 8 18 電 容 820 電 容 822 電 容 8 24 電 容 826 電 感 8 3 0 電 容 8 3 2 阻 -20- (16)1326967 900 交叉差動放大器 902 裝置 904 裝置 906 裝置 908 裝置 9 10 電感 9 12 電源電壓 9 18 電容 920 電阻 922 電感 1000 交叉差動放大器 1002 裝置 1 004 裝置 1006 裝置 1008 裝置 10 10 電感 1 0 1 S 電容 1020 電容 1022 電容 1024 電容 1026 電容 1028 電感 1032 電阻 1100 主動變壓器 -21 - (17〉 1326967 (17〉
1102 交 叉 差 動 放 大 器 1104 交 叉 差 動 放 大 器 1106 交 叉 差 動 放 大 器 110 8 交 叉 差 動 放 大 器 1110 一 次 繞 組 段 1112 一 次 繞 組 段 1114 -* 次 繞 組 段 1116 一 次 繞 組 段 1118 二 次 繞 組 1120 輸 出
-22 -
Claims (1)
1326967 拾、申請專利範圍 附件 3: 第92104958號專利申請案 中文申請專利範圍替換本 民國[^:年々正 1. 一種差動放大器,包含: —電感,其一第一端連接至—直流電源; 開關機構,連接至該電感的第二端;及 鲁 多數放大器,於其供給端連接至開關機構; 其中該開關機構以交替方式連接至該等放大器’使得 在該電感的該第二端上的平均電壓係大於在該等放大器之 一的供給端的平均電壓’以降低在該電感上之電壓漣波。 · 2. 如申請專利範圍第1項所述之差動放大器,更包含 . 負載機構’用以提供具射頻操作頻率的一反1?類負載。 3. 如申請專利範圍第1項所述之差動放大器,更包含 負載機構’用以提供具射頻操作頻率的D類負載。 鲁 4. 如申請專利範圍第1項所述之差動放大器,更包含 負載機構’用以提供具射頻操作頻率的E/Fxx類負載。 5. 如申請專利範圍第1項所述之差動放大器,更包含 負載機構’用以提供具射頻操作頻率的E/F°dd類負載。 6. 如申請專利範圍第1項所述之差動放大器,更包含 負載機構’用以提供具射頻操作頻率的E類負載。 7_如申請專利範圍第1項所述之差動放大器,更包含 負載機構,用以提供降低電感在射頻的電壓鏈波。 1326967 > 8.—種差動放大器,包含: —電感,其第一端連接至一直流電源; 第一主動裝置機構,用以降低電感上之電壓鏈波,該 第一主動裝置在電感的第二端連接至電感;及 第二主動裝置機構,用以放大信號,該第二主動裝置 機構連接至第一主動裝置機構,以形成一輸出; 其中該第一主動裝置機構與該第二主動裝置機構係以 Φ 交替方式連接至該電感。 9 .如申請專利範圍第8項所述之差動放大器,其中該 第二主動裝置機構係操作爲被控制之電流源。 10. 如申請專利範圍第8項所述之差動放大器,更包含 第二主動裝置機構,用以放大射頻之信號》 11. 如申請專利範圍第8項所述之差動放大器,更包含 負載機構,用以提供具射頻操作頻率的E類負載係連接至 該等輸出》 # 12.如申請專利範圍第8項所述之差動放大器,更包含 負載機構,用以提供具射頻操作頻率的E/Fxx類負載。 13·如申請專利範圍第8項所述之差動放大器,更包含 負載機構,用以提供具射頻操作頻率的E/F。^類負載^ 14.一種差動放大器,包含: 一電感,其第一端連接至一直流電源; 一第一開關機構及一第二開關機構連接至電感的第二 端; 一第三開關機構及一第四開關機構連接至該第一開關 -2- 1326967 機構及第二開關機構,以形成一輸出;及 該第一開關機構及該第三開關機構係被操作於射頻操 作頻率,以形成含該電源的第一電流路徑,及該第二開關機 構及該第四開關機構係被操作於射頻操作頻率,以形成含 該電源的第二電流路徑。
1326967 附件3A :第 92104958 號專利申請案 中文說明書替換頁 民國98年4月10日修正 4月4.日#換頁 陸、(一)、本案指定代表圖為:第3圖 (二)、本代表圖之元件代表符號簡單說明
300 交 叉 差 動放大器 302 放 大 部 304 放 大 部 306 電 感 308 雙 向 開 關 柒、本案若有化學式時,請揭示最能顯示發明特徵的化學 式:無
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US7161423B2 (en) * | 2004-06-30 | 2007-01-09 | Silicon Laboratories Inc. | Parallel power amplifier and associated methods |
JP4990796B2 (ja) * | 2004-12-30 | 2012-08-01 | イムラ アメリカ インコーポレイテッド | フォトニック・バンドギャップ・ファイバ |
US7236053B2 (en) * | 2004-12-31 | 2007-06-26 | Cree, Inc. | High efficiency switch-mode power amplifier |
US8324900B2 (en) * | 2007-05-31 | 2012-12-04 | Koninklijke Philips Electronic N.V. | Magnetic resonance integrated-circuit low-noise amplifier |
US8995691B2 (en) | 2008-07-14 | 2015-03-31 | Audera Acoustics Inc. | Audio amplifier |
CN101902204B (zh) * | 2009-06-01 | 2012-10-03 | 华为技术有限公司 | 用于功率放大的供电方法、电源装置及基站射频系统 |
US8810314B2 (en) * | 2012-02-15 | 2014-08-19 | Auriga Measurement Systems, LLC | Envelope tracking amplifier |
US8723602B2 (en) | 2012-08-10 | 2014-05-13 | Tensorcom, Inc. | Method and apparatus for a class-E load tuned beamforming 60 GHz transmitter |
WO2014025713A1 (en) * | 2012-08-10 | 2014-02-13 | Tensorcom, Inc. | Method and apparatus for a clock and signal distribution network for a beamforming 60 ghz transmitter system |
US8873339B2 (en) | 2012-08-10 | 2014-10-28 | Tensorcom, Inc. | Method and apparatus for a clock and signal distribution network for a 60 GHz transmitter system |
CN103281039B (zh) * | 2013-04-15 | 2016-04-27 | 北京大学 | 一种采用延迟控制泄放支路的差分e类功率放大器 |
US20160079945A1 (en) * | 2014-09-16 | 2016-03-17 | Texas Instruments Incorporated | Programmable impedance network in an amplifier |
US10148233B2 (en) | 2014-12-30 | 2018-12-04 | Skyworks Solutions, Inc. | Transmit-receive isolation in a transformer-based radio frequency power amplifier |
US10181828B2 (en) | 2016-06-29 | 2019-01-15 | Skyworks Solutions, Inc. | Active cross-band isolation for a transformer-based power amplifier |
JP2020526965A (ja) * | 2017-06-30 | 2020-08-31 | エアリティー・テクノロジーズ・インコーポレイテッドAirity Technologies, Inc. | 抵抗性出力インピーダンスのための高利得共振増幅器 |
CN107800390A (zh) * | 2017-10-12 | 2018-03-13 | 宁波德晶元科技有限公司 | 一种逆e类功率放大电路 |
FR3099667A1 (fr) * | 2019-07-29 | 2021-02-05 | Stmicroelectronics S.R.L. | Oscillateur commandé en tension à transformateur actif distribué |
Family Cites Families (150)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3098200A (en) * | 1956-10-29 | 1963-07-16 | Honeywell Regulator Co | Semiconductor oscillator and amplifier |
US3157839A (en) | 1962-02-01 | 1964-11-17 | Harry B Brown | Transistorized bridge amplifier with a bias compensating circuit therefor |
FR1413073A (fr) | 1964-01-22 | 1965-10-08 | Portenseigne Ets Marcel | Perfectionnements aux répartiteurs d'énergie hertzienne |
DE1276764B (de) | 1965-04-15 | 1968-09-05 | Deutsches Post Rundfunk Und Fe | Hochfrequenzverteiler |
US3430157A (en) * | 1966-11-10 | 1969-02-25 | John W Wood | High efficiency class c amplifier |
US3449685A (en) * | 1967-04-25 | 1969-06-10 | Us Navy | Automatic range selector employing plural amplifiers of different gains |
US3703685A (en) | 1969-09-10 | 1972-11-21 | Labtron Corp Of America | Multiband antenna with associated r.f. amplifier |
US3652948A (en) * | 1970-02-24 | 1972-03-28 | Motorola Inc | Power amplifier including plurality of push-pull amplifier sections coupled by ferrite matching transformers |
US3868584A (en) | 1971-02-08 | 1975-02-25 | Henry Richard Beurrier | Amplifier with input and output match |
US3967161A (en) * | 1972-06-14 | 1976-06-29 | Lichtblau G J | A multi-frequency resonant tag circuit for use with an electronic security system having improved noise discrimination |
US3919656A (en) * | 1973-04-23 | 1975-11-11 | Nathan O Sokal | High-efficiency tuned switching power amplifier |
US4117415A (en) * | 1977-04-14 | 1978-09-26 | Rca Corporation | Bridge amplifiers employing complementary transistors |
US4165493A (en) * | 1978-04-17 | 1979-08-21 | Rockwell International Corporation | Protected amplifier apparatus |
US4181889A (en) * | 1978-09-05 | 1980-01-01 | General Motors Corporation | Citizens band transmitter with overall envelope feedback from antenna coupling filter |
US4283685A (en) * | 1979-12-13 | 1981-08-11 | Raytheon Company | Waveguide-to-cylindrical array transition |
US4305043A (en) | 1980-03-03 | 1981-12-08 | Ford Aerospace & Communications Corporation | Coupler having arbitrary impedance transformation ratio and arbitrary coubling ratio |
US4408267A (en) * | 1981-01-08 | 1983-10-04 | Rca Corporation | DC-to-DC Switching converters |
FR2531274A1 (fr) | 1982-07-30 | 1984-02-03 | Centre Nat Rech Scient | Dispositif combinateur de puissance pour oscillateur ou amplificateur a micro-ondes |
US4586004A (en) * | 1983-06-27 | 1986-04-29 | Saber Technology Corp. | Logic and amplifier cells |
US4607323A (en) * | 1984-04-17 | 1986-08-19 | Sokal Nathan O | Class E high-frequency high-efficiency dc/dc power converter |
US6229718B1 (en) * | 1984-10-05 | 2001-05-08 | Ole K. Nilssen | Parallel-resonant bridge inverter |
US4994760A (en) * | 1985-02-14 | 1991-02-19 | Signal One Corporation | Apparatus and method for combining output signals from parallelly coupled power field effect transistors in high frequency amplifiers |
US4717884A (en) * | 1986-04-14 | 1988-01-05 | Motorola, Inc. | High efficiency RF power amplifier |
JPH0682998B2 (ja) * | 1986-07-30 | 1994-10-19 | 日本電信電話株式会社 | 電力増幅器 |
US4706038A (en) | 1986-09-29 | 1987-11-10 | Motorola, Inc. | Wideband linear Darlington cascode amplifier |
US5060298A (en) | 1988-12-09 | 1991-10-22 | Siemens Aktiengesellschaft | Monolithic double balanced mixer with high third order intercept point employing an active distributed balun |
JPH02190003A (ja) | 1989-01-19 | 1990-07-26 | Fujitsu Ltd | 位相反転器 |
US4916410A (en) * | 1989-05-01 | 1990-04-10 | E-Systems, Inc. | Hybrid-balun for splitting/combining RF power |
US4994755A (en) * | 1989-05-22 | 1991-02-19 | Raytheon Company | Active balun |
JPH03173289A (ja) | 1989-12-01 | 1991-07-26 | Toshiba Corp | 最大値/最小値回路 |
US5347388A (en) | 1989-12-01 | 1994-09-13 | Scientific-Atlanta, Inc. | Push-pull optical receiver having gain control |
US5081425A (en) | 1990-05-24 | 1992-01-14 | E-Systems, Inc. | Vswr adaptive power amplifier system |
JPH0732335B2 (ja) * | 1990-11-16 | 1995-04-10 | 日本電信電話株式会社 | 高周波増幅器 |
US5066925A (en) | 1990-12-10 | 1991-11-19 | Westinghouse Electric Corp. | Multi push-pull MMIC power amplifier |
US5237337A (en) * | 1991-01-18 | 1993-08-17 | Solar Kinetics, Inc. | Method and apparatus for manufacturing and erecting concave metallic membrane type reflectors |
US5130664A (en) * | 1991-03-07 | 1992-07-14 | C-Cor Electronics, Inc. | One GHZ CATV repeater station |
JPH04302501A (ja) | 1991-03-29 | 1992-10-26 | Anritsu Corp | 信号選択装置 |
US5254881A (en) | 1991-09-16 | 1993-10-19 | At&T Bell Laboratories | Master-slave peak detector |
US5223800A (en) * | 1991-09-30 | 1993-06-29 | Itt Corporation | Distributed arrays of microelectronic amplifiers |
DE69320808T2 (de) * | 1992-06-05 | 1999-03-04 | Diablo Research Corp | Elektrodenlose entladungslampe mit push-pull e klasse verstärker und spule |
US5208725A (en) * | 1992-08-19 | 1993-05-04 | Akcasu Osman E | High capacitance structure in a semiconductor device |
GB9217679D0 (en) * | 1992-08-20 | 1992-09-30 | Marconi Gec Ltd | Combiners for r.f.power amplifiers |
US5327337A (en) | 1992-09-01 | 1994-07-05 | Broadcast Electronics, Inc. | Resonant push-pull switching power amplifier |
JPH06334446A (ja) * | 1993-05-26 | 1994-12-02 | Shinsaku Mori | 補助スイッチによる高出力型e級増幅器 |
SE502599C2 (sv) | 1993-09-09 | 1995-11-20 | Ericsson Ge Mobile Communicat | Sätt och anordning vid en homodynmottagare för att minimera läckage av störsignaler |
US5479134A (en) * | 1993-09-20 | 1995-12-26 | Rohm Co., Ltd. | Power amplifier circuit for audio signal and audio device using the same |
US5483197A (en) * | 1993-09-28 | 1996-01-09 | Rohm Co., Ltd. | Power amplifier circuit for audio signal and audio device using the same |
US5469115A (en) | 1994-04-28 | 1995-11-21 | Qualcomm Incorporated | Method and apparatus for automatic gain control in a digital receiver |
US5698469A (en) | 1994-09-26 | 1997-12-16 | Endgate Corporation | Method of making a hybrid circuit with a chip having active devices with extra-chip interconnections |
US5600575A (en) * | 1994-10-05 | 1997-02-04 | Anticole; Robert B. | Drive protection monitor for motor and amplifier |
JP3487461B2 (ja) * | 1994-12-17 | 2004-01-19 | ソニー株式会社 | 変成器及び増幅器 |
US5793253A (en) * | 1995-04-28 | 1998-08-11 | Unisys Corporation | High power solid state microwave transmitter |
US5673001A (en) * | 1995-06-07 | 1997-09-30 | Motorola, Inc. | Method and apparatus for amplifying a signal |
US5612647A (en) * | 1995-06-30 | 1997-03-18 | Harris Corporation | RF power amplifier system having an improved drive system |
US5742205A (en) * | 1995-07-27 | 1998-04-21 | Scientific-Atlanta, Inc. | Field effect transistor cable television line amplifier |
JP3522969B2 (ja) * | 1995-10-25 | 2004-04-26 | パイオニア株式会社 | Btl増幅器装置 |
US5872481A (en) * | 1995-12-27 | 1999-02-16 | Qualcomm Incorporated | Efficient parallel-stage power amplifier |
US5920240A (en) * | 1996-06-19 | 1999-07-06 | The Regents Of The University Of California | High efficiency broadband coaxial power combiner/splitter with radial slotline cards |
GB2314474B (en) * | 1996-06-21 | 2001-03-07 | Univ Bristol | Low power audio device |
US5749051A (en) * | 1996-07-18 | 1998-05-05 | Ericsson Inc. | Compensation for second order intermodulation in a homodyne receiver |
US5939766A (en) * | 1996-07-24 | 1999-08-17 | Advanced Micro Devices, Inc. | High quality capacitor for sub-micrometer integrated circuits |
US6203516B1 (en) * | 1996-08-29 | 2001-03-20 | Bausch & Lomb Surgical, Inc. | Phacoemulsification device and method for using dual loop frequency and power control |
US6549112B1 (en) * | 1996-08-29 | 2003-04-15 | Raytheon Company | Embedded vertical solenoid inductors for RF high power application |
US5973557A (en) | 1996-10-18 | 1999-10-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | High efficiency linear power amplifier of plural frequency bands and high efficiency power amplifier |
JP2917949B2 (ja) | 1996-12-20 | 1999-07-12 | 日本電気株式会社 | 電力増幅装置及び電力増幅方法 |
US6008703A (en) | 1997-01-31 | 1999-12-28 | Massachusetts Institute Of Technology | Digital compensation for wideband modulation of a phase locked loop frequency synthesizer |
US6026126A (en) * | 1997-04-08 | 2000-02-15 | Motorola, Inc. | Method and apparatus for reducing a ripple signal in an output of a direct current power supply |
JP3791115B2 (ja) * | 1997-05-09 | 2006-06-28 | ソニー株式会社 | 高周波増幅回路、送信回路及び受信回路 |
US6121842A (en) * | 1997-05-21 | 2000-09-19 | Raytheon Company | Cascode amplifier |
JP3094955B2 (ja) | 1997-06-23 | 2000-10-03 | 日本電気株式会社 | 送信増幅器制御回路 |
US5926068A (en) * | 1997-10-16 | 1999-07-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Variable gain amplifier or analog multiplexer with feedforward current blocking |
US6011438A (en) * | 1997-11-27 | 2000-01-04 | Nec Corporation | Push-pull wideband semiconductor amplifier |
US6160455A (en) | 1998-03-10 | 2000-12-12 | Indigo Manufacturing Inc. | Derived power supply for composite bridge amplifiers |
JP4166318B2 (ja) * | 1998-03-25 | 2008-10-15 | 松下電器産業株式会社 | 電力増幅器 |
US6417535B1 (en) * | 1998-12-23 | 2002-07-09 | Lsi Logic Corporation | Vertical interdigitated metal-insulator-metal capacitor for an integrated circuit |
US6057571A (en) * | 1998-03-31 | 2000-05-02 | Lsi Logic Corporation | High aspect ratio, metal-to-metal, linear capacitor for an integrated circuit |
US6285251B1 (en) * | 1998-04-02 | 2001-09-04 | Ericsson Inc. | Amplification systems and methods using fixed and modulated power supply voltages and buck-boost control |
US6137354A (en) | 1998-05-18 | 2000-10-24 | Omnipoint Corporation | Bypassable amplifier |
DE69826835T2 (de) * | 1998-05-29 | 2006-02-23 | Motorola Semiconducteurs S.A. | Frequenzsynthetisierer |
US6388514B1 (en) * | 1998-12-23 | 2002-05-14 | International Rectifier Corporation | Class D high voltage amplifier system with adaptive power supply |
JP4414102B2 (ja) * | 1999-01-22 | 2010-02-10 | マルチギグ リミテッド | 電子回路 |
US6107885A (en) * | 1999-01-25 | 2000-08-22 | General Instrument Corporation | Wideband linear GaAsFET ternate cascode amplifier |
US6098200A (en) * | 1999-03-31 | 2000-08-08 | Specialized Bicycle Components, Inc. | Padded glove for protecting and positioning the hand of a wearer |
US6121843A (en) * | 1999-06-04 | 2000-09-19 | Raytheon Company | Charge mode capacitor transimpedance amplifier |
US6430403B1 (en) * | 1999-06-10 | 2002-08-06 | Lucent Technologies Inc. | Temperature compensated, zero bias RF detector circuit |
EP1067697B1 (en) * | 1999-06-30 | 2005-05-11 | Siemens Aktiengesellschaft | Receiver with feed back circuit for the control of the gain |
US6232841B1 (en) * | 1999-07-01 | 2001-05-15 | Rockwell Science Center, Llc | Integrated tunable high efficiency power amplifier |
US6351185B1 (en) * | 1999-08-16 | 2002-02-26 | Globespan, Inc. | Increased output swing line drivers for operation at supply voltages that exceed the breakdown voltage of the integrated circuit technology |
US6369851B1 (en) * | 1999-09-24 | 2002-04-09 | Sony Corporation | Method and apparatus to minimize burn lines on a display |
US6252455B1 (en) * | 1999-10-07 | 2001-06-26 | Motorola, Inc. | Method and apparatus for efficient signal amplification |
US6211728B1 (en) * | 1999-11-16 | 2001-04-03 | Texas Instruments Incorporated | Modulation scheme for filterless switching amplifiers |
EP1111793B1 (en) * | 1999-12-13 | 2003-11-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Frequency synthesizer apparatus equipped with delta-sigma modulator in fraction part control circuit |
US6383858B1 (en) * | 2000-02-16 | 2002-05-07 | Agere Systems Guardian Corp. | Interdigitated capacitor structure for use in an integrated circuit |
JP2001308649A (ja) * | 2000-04-25 | 2001-11-02 | Sharp Corp | 高周波電力増幅器および通信装置 |
US6445248B1 (en) * | 2000-04-28 | 2002-09-03 | Analog Devices, Inc. | Low noise amplifier having sequentially interpolated gain stages |
WO2002005418A2 (en) * | 2000-07-12 | 2002-01-17 | Indigo Manufacturing Inc. | Power amplifier with multiple power supplies |
US6917245B2 (en) * | 2000-09-12 | 2005-07-12 | Silicon Laboratories, Inc. | Absolute power detector |
US6756849B2 (en) * | 2000-09-12 | 2004-06-29 | Dupuis Timothy J. | Absolute power detector |
US6448847B1 (en) * | 2000-09-12 | 2002-09-10 | Silicon Laboratories, Inc. | Apparatus and method for providing differential-to-single ended conversion and impedance transformation |
US6385033B1 (en) * | 2000-09-29 | 2002-05-07 | Intel Corporation | Fingered capacitor in an integrated circuit |
US7068987B2 (en) * | 2000-10-02 | 2006-06-27 | Conexant, Inc. | Packet acquisition and channel tracking for a wireless communication device configured in a zero intermediate frequency architecture |
KR100852314B1 (ko) * | 2000-10-10 | 2008-08-18 | 캘리포니아 인스티튜트 오브 테크놀로지 | 스위칭 전력 증폭기 및 rf 신호 증폭 방법 |
WO2002031967A2 (en) * | 2000-10-10 | 2002-04-18 | California Institute Of Technology | Distributed circular geometry power amplifier architecture |
US6856199B2 (en) * | 2000-10-10 | 2005-02-15 | California Institute Of Technology | Reconfigurable distributed active transformers |
EP1346467B1 (en) * | 2000-11-29 | 2010-02-10 | Broadcom Corporation | Integrated direct conversion satellite tuner |
JP3979485B2 (ja) * | 2001-01-12 | 2007-09-19 | 株式会社ルネサステクノロジ | 信号処理用半導体集積回路および無線通信システム |
US6580318B2 (en) * | 2001-03-08 | 2003-06-17 | Maxim Integrated Products, Inc. | Method and apparatus for protecting radio frequency power amplifiers |
US6917815B2 (en) | 2001-03-14 | 2005-07-12 | California Institute Of Technology | Concurrent dual-band receiver architecture |
US6509722B2 (en) * | 2001-05-01 | 2003-01-21 | Agere Systems Inc. | Dynamic input stage biasing for low quiescent current amplifiers |
US7346134B2 (en) * | 2001-05-15 | 2008-03-18 | Finesse Wireless, Inc. | Radio receiver |
US6424227B1 (en) * | 2001-05-23 | 2002-07-23 | National Scientific Corporation | Monolithic balanced RF power amplifier |
US6400227B1 (en) * | 2001-05-31 | 2002-06-04 | Analog Devices, Inc. | Stepped gain controlled RF driver amplifier in CMOS |
US7062237B2 (en) * | 2001-06-05 | 2006-06-13 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) | Power amplifier (PA) with improved power regulation |
US6498534B1 (en) | 2001-06-15 | 2002-12-24 | Lsi Logic Corporation | Amplifier circuit for line driver |
US6577219B2 (en) * | 2001-06-29 | 2003-06-10 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Multiple-interleaved integrated circuit transformer |
KR20030002452A (ko) * | 2001-06-29 | 2003-01-09 | 엘지전자 주식회사 | 이동통신 단말기의 3 밴드 수신주파수 회로 |
US6605991B2 (en) * | 2001-08-30 | 2003-08-12 | Motorola, Inc. | Circuitry for creating a spectral null in a differential output switching amplifier and method therefor |
JP2003152455A (ja) * | 2001-11-14 | 2003-05-23 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 伝送線路型共振器を用いた高周波発振器 |
JP3852919B2 (ja) * | 2001-12-25 | 2006-12-06 | 株式会社東芝 | 無線受信機 |
US7095819B2 (en) * | 2001-12-26 | 2006-08-22 | Texas Instruments Incorporated | Direct modulation architecture for amplitude and phase modulated signals in multi-mode signal transmission |
US7035616B2 (en) * | 2002-01-04 | 2006-04-25 | International Business Machines Corporation | Two-stage variable-gain mixer employing shunt feedback |
US7120411B2 (en) * | 2002-03-25 | 2006-10-10 | Broadcom Corporation | Low noise amplifier (LNA) gain switch circuitry |
TWI326967B (en) * | 2002-03-11 | 2010-07-01 | California Inst Of Techn | Differential amplifier |
JP4041323B2 (ja) | 2002-03-12 | 2008-01-30 | 松下電器産業株式会社 | 周波数変調装置、周波数変調方法、および、無線回路装置 |
JP2004039390A (ja) * | 2002-07-02 | 2004-02-05 | Ushio Inc | 高圧放電ランプ点灯装置 |
US6707367B2 (en) * | 2002-07-23 | 2004-03-16 | Broadcom, Corp. | On-chip multiple tap transformer and inductor |
US7330072B2 (en) * | 2002-08-01 | 2008-02-12 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) | Circuit for power amplification |
US7058374B2 (en) * | 2002-10-15 | 2006-06-06 | Skyworks Solutions, Inc. | Low noise switching voltage regulator |
US6940355B2 (en) * | 2002-10-18 | 2005-09-06 | California Institute Of Technology | Circular geometry oscillators |
US7136431B2 (en) * | 2002-10-24 | 2006-11-14 | Broadcom Corporation | DC offset correcting in a direct conversion or very low IF receiver |
JP4282998B2 (ja) * | 2003-01-08 | 2009-06-24 | パナソニック株式会社 | 変調器及びその補正方法 |
US6940981B2 (en) * | 2003-03-12 | 2005-09-06 | Qsc Audio Products, Inc. | Apparatus and method of limiting power applied to a loudspeaker |
US7092692B2 (en) * | 2003-03-31 | 2006-08-15 | Agency For Science, Technology And Research | Threshold voltage (Vth), power supply (VDD), and temperature compensation bias circuit for CMOS passive mixer |
US6982605B2 (en) * | 2003-05-01 | 2006-01-03 | Freescale Semiconductor, Inc. | Transformer coupled oscillator and method |
US6809586B1 (en) * | 2003-05-13 | 2004-10-26 | Raytheon Company | Digital switching power amplifier |
US8351891B2 (en) * | 2003-05-30 | 2013-01-08 | The Regents Of The University Of California | Wideband distributed mixers |
US6999747B2 (en) * | 2003-06-22 | 2006-02-14 | Realtek Semiconductor Corp. | Passive harmonic switch mixer |
US6812771B1 (en) | 2003-09-16 | 2004-11-02 | Analog Devices, Inc. | Digitally-controlled, variable-gain mixer and amplifier structures |
US7053718B2 (en) * | 2003-09-25 | 2006-05-30 | Silicon Laboratories Inc. | Stacked RF power amplifier |
US7376400B2 (en) * | 2003-09-25 | 2008-05-20 | Texas Instruments Incorporated | System and method for digital radio receiver |
US7276966B1 (en) | 2003-10-28 | 2007-10-02 | Stmicroelectronics N.V. | Radio frequency envelope apparatus and method |
US20050107043A1 (en) * | 2003-11-13 | 2005-05-19 | Maxim Integrated Products, Inc. | Integration of diversity switch in combination with a T/R switch for a radio transceiver on a single chip |
JP4241466B2 (ja) * | 2004-03-29 | 2009-03-18 | 日本電気株式会社 | 差動増幅器とデジタル・アナログ変換器並びに表示装置 |
US7272375B2 (en) * | 2004-06-30 | 2007-09-18 | Silicon Laboratories Inc. | Integrated low-IF terrestrial audio broadcast receiver and associated method |
US7129784B2 (en) | 2004-10-28 | 2006-10-31 | Broadcom Corporation | Multilevel power amplifier architecture using multi-tap transformer |
US7579906B2 (en) * | 2004-11-12 | 2009-08-25 | National Semiconductor Corporation | System and method for providing a low power low voltage data detection circuit for RF AM signals in EPC0 compliant RFID tags |
US7274253B2 (en) | 2005-03-28 | 2007-09-25 | Broadcom Corporation | Transmitter apparatus with extended gain control |
US7336129B2 (en) * | 2006-01-24 | 2008-02-26 | Broadcom Corporation | Analog amplitude detector |
KR100732070B1 (ko) * | 2007-03-07 | 2007-06-27 | (주)에프씨아이 | 이득을 가변시킬 수 있는 저 잡음 증폭기 |
WO2008147932A2 (en) * | 2007-05-24 | 2008-12-04 | Bitwave Semiconductor, Incorporated | Reconfigurable tunable rf power amplifier |
-
2003
- 2003-03-07 TW TW092104958A patent/TWI326967B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-03-10 WO PCT/US2003/007140 patent/WO2003079546A1/en not_active Application Discontinuation
- 2003-03-10 AU AU2003220105A patent/AU2003220105A1/en not_active Abandoned
- 2003-03-11 US US10/385,777 patent/US20030169105A1/en not_active Abandoned
-
2005
- 2005-08-22 US US11/208,833 patent/US7157975B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2006
- 2006-12-12 US US11/638,639 patent/US7342457B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2008
- 2008-03-10 US US12/075,194 patent/US7646249B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2010
- 2010-01-12 US US12/686,161 patent/US7999621B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2011
- 2011-07-29 US US13/194,845 patent/US8362839B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7646249B2 (en) | 2010-01-12 |
US20080211584A1 (en) | 2008-09-04 |
WO2003079546A1 (en) | 2003-09-25 |
US7157975B2 (en) | 2007-01-02 |
US20070096828A1 (en) | 2007-05-03 |
AU2003220105A1 (en) | 2003-09-29 |
US7342457B2 (en) | 2008-03-11 |
US8362839B2 (en) | 2013-01-29 |
US20120176200A1 (en) | 2012-07-12 |
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