TWI320195B - Laser irradiation method and apparatus for forming a polycrystalline silicon film - Google Patents

Laser irradiation method and apparatus for forming a polycrystalline silicon film Download PDF

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Description

九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種雷射照射方法及一種雷射照射設備，尤其 關於在雷射退火處理中所採用的—種雷射照射方法及採用此雷射 照射方法之雷射照射設備，該雷射照射方法係藉由將雷射光束照 射至一矽薄膜上以形成一多晶矽薄膜。 【先前技術】 近年來，用以在玻璃基板上形成積體電路之薄膜裝置，已強 力地發展出多晶石夕薄膜電晶體（p〇ly_Sj TFT，polycrystalline silicon thin film transistors)。一般是以準分子雷射結晶技術 (excimer laser crysta丨丨ization technique)來形成多晶矽膜。在此 技術中，一旦非晶石夕（a-Si，amorphous silicon)膜形成，即將該 準刀子缉射光束知、射於該非晶石夕膜上，以熔融及再結晶該非晶石夕 膜，獲得多晶矽膜。在準分子雷射結晶技術中，非晶矽膜之熔融 =態與其臈厚、該膜之光學常數、準分子雷射光束之波長、能量 氆$、脈衝寬度、光束輪靡等有關。一般來說，雷射照射程序控 制係將處，非晶矽膜的厚度及雷射照射設備的能量密度作為待控 制標的’這是因為實質上應加以控制之熔融狀態難以評估及控制。 ^在非晶矽膜之熔融狀態中，熔融深度將依據雷射光束之能量 岔度而增加。熔融狀態改變之重要相（phases)係出現於兩點中。 為，表面開始熔融之相；另一則是在熔融深度達到膜厚度後整 體膜完全溶融之相。前者及後者溶融狀態便分別引發了結晶化及 微，晶化。膜的溫度會因雷射光束照射而升高且部分膜會熔融。 ，著，熔融區域或部分因隨後的冷卻而結晶。若該膜並未完全熔 ，，於結晶期間其成核位置將位在一固液界面上。此外，若熔融 =度相等於膜厚度，成核位置則位在非晶矽膜/基板界面上。在任 例中’該結晶皆與非均質成核（heter〇gene〇us nuc丨eat丨〇n)有 關。此時，晶粒直徑係依能量密度之增加而增加，薄膜電晶體之 1320195 特I1 生尤其疋其遷移率將與晶粒之直徑有關。因此，晶粒之直徑必 須變得愈大愈好。 ▲然而另一方面，當臈完全熔融時，來自液相（已達一熱平衡 狀態）之結晶機制則改變為均質成核（hem〇gene〇us η曰udeation)’其中成核可發生在薄膜上之任何位置，此時形成的 -晶，之晶粒直徑小至2 0 n m。當能量密度過度地增加時所出現晶粒 •直徑快速減少的現象稱為微結晶化，微結晶化發生時的能量密度 •則稱為微結晶化閾值（micro-crystallization threshold value)。在 物理意義中，说結晶閾值為一將膜厚度變化、 化，，且其可評估炫融狀態中的變化。此外 鲁之旎量密度來照射將不利地減少晶粒直徑及降低薄膜電晶體特性 之實際使用的觀點來看’微結晶化閾值為―相當重要的數值f吾 人，/主忍當膜厚度變得越來越薄時，冷卻週期亦縮短。因此，固 化係結束於成核培養期間内，而在一些例子中會造成非結晶部 • 分。此非結晶部分可包含於微結晶化用語中，而在此文中亦稱為 微結晶化。 μ使照射於雷射退火程序中之雷射光束的輸出小於非晶矽膜之 微結晶化閾值的調整技術係說明於日本公開專利公報第 JP-A-2000-114174 號及第 jp-A-2002-8976 號中。 φ 、圖9顯示在日本公開專利公報第JP-A-2000-114174號中所 說明之照射區域分析，其中係藉由激發雷射32來分析該照射區 - 域。此公報教示：首先以單發（one-shot)脈衝雷射光束照射於 f上形成非晶矽膜之基板31上，以形成一初步照射區域，其能量 - 密度係以逐脈衝（pulse-by-pU|se)為基礎來做改變。之後，發射 該激發雷射32以獲得經反射之散射光34，並藉由利用拉曼光譜 儀（f^aman spectroscope) 33而由反射自以單發脈衝雷射所照射 之非晶矽膜中之多晶矽部分的散射光34強度來判斷微結晶化是 否已發生。 根據日本公開專利公報第JP-A-2000-114174號所說明之技
1320195 ，，非晶矽膜之微結晶化閾值係由此類初步照射程序來檢查。接 著，在轉換自非晶矽之多晶矽膜中之待形成TFT的區域内，將一 小於微結晶化閾值t能量密度判定為將纟主要照射冑序中照射於 矽膜上之雷射光束之能量密度。 、同時」亦&出了控制結晶晶粒位置之技術，其中吾人刻意地 以具有能1:密度不小於非晶賴之微結晶化紐的雷射光束進行 照射（見日本公開專利公報第Jp_A_2〇〇3_332346號），係不同於 -般雷射照射技術。在此例中，為了形成可穩定地控制位置之結 晶晶粒，決定微結晶化閾值亦極為重要。 • 【發明内容】 本發明將解決的問題 說明於日本公開專利公報第Jp_A_2〇〇〇114174號及 公報第」P_A_2GQ2·8976號之微結晶化難決定技術涉及 同時亦移動雷射照射位置之該掃描照射技術。另 ^，域則採用單發脈衝照射。勤使 f ^ 多微化間值係相當重要。S忒忿 ϋ言H於主要騎區鱗湖其巾在執行雷射照射之 描】 =ϊ=由一先前脈衝來結晶之多“口 域之非晶係區域—同遭受下—脈衝照射。” j般來說’對於鄰近脈衝而言掃描蹄會涉及到_ 重疊率，因此，該照射區域實質上為多晶石夕區域 ， 有不同於非晶碎膜之光學係數及溶點。因此，^=_具 夕膜相比將會提高。因此，單發;射之微 関值糾描照射之微結晶化_會具有不_㈣且涉 7 1320195 =脈衝雷射光束之掃描間距（移動間距）係長於第二照射區域中 ，第一脈衝雷射光束之掃描間距。相較於第一照射區域中每一脈 衝之移動距離狀定相同於第二照龍域巾每—脈衝之移動距離 之另一例’在此例中將可提高產能。 並且，較佳地於本發明之雷射照射技射，第一脈衝雷射光 ^ίί小於第二脈衝雷射絲之光束大小。職第—照射區域之 k區域最終並非使用作為產品或其相似物。因此，藉由將該並非 =乍為產品之該區域縮的更小’主要照射中所使 域將可變得更大。 ~ 在本發明之雷射騎技術中，基於決定步射該反射光之週 =將可估計出關值。在另—方式中，齡決定來自於該垂直 、u脈衝雷射光束之主軸方向上之反射光的顏色分佈及判斷鄰 改變之高+及/或顏色改變之均勻性間的距離之此等步驟將 =計出賴值。以等於或高於微結晶化閾值之能量密度所形成 的第-照射(1域中，職結晶化區域將職性地出現，而反射光 =示出該週期性改變。因此，藉由_該週期性改變將可獲得 被、、Ό晶化間值。 在本發明之雷射照射技術中，可藉由決定來自於該垂直於主 射光的顏色分佈、及該顏色分佈中之顏色寬度之此 計該雜。舉例來說，當接收反射光賴析度粗於週 楚地區？之該週期時，從反射光中有時候將難以清 在此例中’可藉由觀測反射光分佈中顏色寬 度之改邊來獲知·微結晶化閾值。 根據本發明之雷賴射技術及設備，微結晶化係基於自 二明二!^區域反射之平面光的反射光而加以決定。基於該微結 定出該作為主要照射之能量密度，並以該能量密 m光束於第二照射區域上藉以合適地使該第二照射區域 較佳之可靠度及再現性使基板之表面結晶。 藉由如此使4基板之表面結晶而具有較佳之可#度及再現性，將
S 10 1320195 中。 *當以不小於微結晶化閾值之能量密度執行掃描照射時，藉由 二掃描脈衝之領先光束邊緣而形成的粗晶粒部分將被接續著前一 掃描脈衝的另一掃描脈衝微結晶化。因此，如圖4中之圖(b)所示， 粗晶，部分(g1)及微結晶化部分(g2)將交替地出現，藉由接續的掃 捂訊號之下降緣該粗晶粒部分(gl)將會形成。因此，晶粒 期性改變將根據掃描間距而發生。 玉 ，另一方面，當稍微降低能量密度俾使該微結晶化閾值包含於 ，衝產生之強度變異翻内時，亦即’如果微結晶化閾值為有時 ，超過而其树候不超過時（端視賴射脈衝），其帽結晶化發 之些例子及其中無微結晶化發生之其它例子將非週期性地出 見因此如圖4中之圖⑹戶斤示，將會打破晶粒直徑改變之週期 性，其中該微結晶化部分(g2)將依據照射脈衝之強度而發生。其 ΐίΐΐϊΐ評估於晶粒直徑及部分之週期中的改變而“ 微結晶化閾值。 圖5顯7F藉由CCD感光元件16接收來自照射區域之參考色 變。_及_分別對應於圖4中之_及 ^由執巧描照射來準備該發射區域19藉以獲得圖4所示之晶粒 收SΪ照射區* 19的反射光將由CCD感光元件16所接 Ϊ魅ίΐ例如圖5中之圖⑻所示，當CCD感光元件16之光 度小於粗晶粒之該部分㈣於掃描額的寬麟，在微处晶 參嘱由ccd感光湖所接收的 2:之_所示之狀態，^:二：:二：= 寻 trr靖應於粗晶舞分之顏色的改變高峰、高峰間的ί離 从及其中一糸列之變異將可決定微結晶化閾值。 將雷射絲㈣上平行機光束:编方向來人射之—例納入 里。圖6Α顯不沿著光束次軸方向之照射區域19的剖面圖、。如 13 'S' 1320195 圖6A所示’於照射區域中之多晶石夕膜表面21上將形成粗晶 为23及微結晶化部分22。如果該光線係以平行於光束次轴入射 於該多晶矽膜表面21上，該來自微結晶化部分22之反射光及粗 晶粒部分23之其它反射光會因該週期性地出現及具有粗縫 之粗晶粒部分23的影響而彼此混合。 假設該預測光線係以平行於光束之次軸方向入射，而 f區域19之反射光將由CCD感光元件16所接收。接著，如圖、 6B概要性地顯示，顏色之滲色或混色將發生在微結晶化部分μ …粗晶粒部分25間之邊界上，使得這些邊界變得不清楚。如 預測光線係傾斜地被接收，在影像之末端部分因CCD景 of focus)之影響其光徑長度將改變，因而改 色之 因此，顏色改變之該區域26將會出現。另一方面^ 係以平行於光束之主軸方向來入射，而來自照射區以= 將由CCD感光讀彳6所接收。接著，在微結晶化部分24盘 晶粒部分25間的邊界則為清楚的。 I刀24與粗 圖6D為顯示在圖6B及6(：之八七方 ^圖。因光學影響之故，參考腕之輝度改變將上 27及28，其中該曲線係沿著圖昍及6〇之CCD影像於於 =之次軸（或掃描）方向的斷面AB。當曲線”及四比 3 27中將無法清楚地觀察到週期性。然而，曲線28中 清楚的週期性。為了以足夠可靠度與再現性來^定 在本實施例中，於掃描照射期間改變能量 個照射區域19即準備完成。該照射區域19以5=以= 照射來決定該多晶石夕膜之微結晶化閾值。基 巧’便完成了主要照射，匕方式將;獲二斤== 直仅n性衫晶賴。藉由使用該高性能之多晶頻來形^ 1320195 膜電晶體將可獲得具有高遷移率之薄膜電晶體。 同樣地在本實施例中，係於實質平行於延伸光束之主轴上（亦 即垂直於掃描方向之方向）將平面光照射於照射區域19。從參考 顏色輝度之改變週期性中將可決定一多晶矽膜之微結晶化閾值。 因此，平面光便在實質平行於光束主軸上照射。因此，在減少光 散射，影響制時亦可⑽越的可靠度及再現性來決定該多晶石夕 膜之，，晶化閾值。根據本實施例，藉由自動地決定該脈衝雷射 光之能量密度並使其略低於微結晶化閾值，故將可提供一種雷射 隳射技術及一種可實現以扃產能形成多晶矽膜的雷射照射設備。 接下來說明的將是本發明之第一例子。在此例中，在一 550mmx650mm之玻璃基板上形成一 2〇〇〇A之s丨·〇2薄膜。其上 則形成- 6QGA之非晶之後，在—初步照射區域2Q内以一 準，子雷射光束照射基板之周邊區域來形成複數個蹄區域19。 在該初步照射區域20 Θ ’振盈頻率設$ 3〇〇Hz，而該雷射光束之 =小則藉由遮蔽- 275mmxa4mm之線性雷射以設為3〇mmx 〇_4mm。掃描間距蚊設為aimm。能量密度係以伽」/加2之 間隔自470mJ/cm2改變至5! 〇mJ/cm2。對每一能量密度而言 描照射寬度設為1cm。 ^ 該已形成之騎區域19便以平行於該光束絲之白面 預測光照射’並以-彩色CCD接收其反射光。一 5〇倍放大 CCD前方’2並進行調整俾使其解析度為〇心m。 設s⑹時’於實質遍布整個照射區域表面上 斤獲付衫像.之顏色為固定的且為黃色。為48〇m」/cm2時，於 區域中將非週雛地觀_線性紅色區域。該 有來 微結晶化區域反射光的顏色，不同於粗晶粒部分之黃 ，上，將可祕沿著平行於絲:欠軸方向之斷 g 呈現的改變類似於圖5中之圖(b)。 畔又又复向所 隸im〇mJ/Cm2以上之能量密度卿成之照射區域19中， 線性貫色區域及雜紅色區鱗職地㈣呈現。具有當能量密 1320195 度增加時黃色區域之寬度變窄_向。同樣地將 色=輝〗度改變:現 面19中==數個高峰。然而，其高峰間之距離H表 490ml ί 縣，鮮晶賴之赌晶化經決定為 條件則如下所示。振盈頻率完整地保 了2 ==mm。掃描間距則設在如 用之能量密度為470mJ/cm2，苴不女於姑,n〜 所才木
=!=2(a))所獲得的微結晶化間值為伽二J :以;; 昭勒ΐίΓΓ/掃描間距係基於下列原因於初步照射區域與主要 °亦即’薄膜電晶體之特性與均勻性將仰賴 間距降低，均勻性將可改善。'然而，當間距變 、>^序的產能將會降低。對於主要照射區域而言， 另掃描間距係為了優先考量薄難晶體之性質。 ，；初步照射區域而言，因僅需決定一多晶矽膜之微 1320195 二=^閾值，較大之掃描間距係較符合產能之要求。如果該間距 =里i增大，照射於初步照射區域之脈衝數目將會降低而在一些 =中將難以足夠之可靠度來決定該微結晶化雜^考慮以上& 步照射區域之間距設為Q彳議，其大約數倍大於主要照 射區域之間距。 為y提向細電晶體產品之產率，雷射大小於初步照射區域 ;。要照射區域間亦進行改變。因為初步照射區域並不適合作為 之區域最後將浪費掉。因此，作為決賴結晶化閾值 最疋僅在最少所雜域上發揮效用。基於此賴，故以 二，束大小或尤其是該於主軸方向減少之絲大小在 域上完成照射。 Γ將說明的是本發明H仔。第二例子如日本公開專利 = ΐ^Α-2ίΚ)3·332346 所說明者，係採用一高效能薄膜電 曰曰體製k技術’其中形成具有—膜厚度變異之非晶梦膜。如 子’於玻璃基板上形成一 2〇〇〇A之Si〇2薄膜。其上則形 800A之非晶石夕臈。其上選擇性的沉積一光阻，並完成乾式， 糟以選擇性地形成具有膜厚為5〇〇A之薄膜區域。此後如同第一例 即形产一初步照射區域2〇。此時，雷射光束之能量密度 1〇mJ/cm 之間隔自 400mJ/cm2 改變至 450mJ/cm2。 接下來’類似於第-例子，該已形成之初步照射區域 以，色ί面光照射’並以—彩色CCD接收其反射光。此反射光之 測量係藉由選擇其巾形細厚度為5_之義並轉薄膜 膜間之界面達7/zm以上的光點來完成。當能量密度高、至 420mJ/cm時，於實質遍布整個表面上所獲得之影像為固定的且 為紫色。當能f密度為43Gm」/cm2時，藍色條紋出現且不具週期 性。當能量密度為440mJ/cm2以上時，將可獲得其上紫色及藍舍 條紋係以0.1mm之間隔週期性地分佈的影像。 · 從以十評估結果，該多晶矽膜之微結晶化閾值則決 440mJ/cm，並在整個基板表面上完成主要照射。主要照射=
17 1320195 妳法—少。所採用之能量密度為445mJ/cm2，其係不小於該 涛膜厚區域中多晶石夕膜之微結晶化閾值440mJ/cm2。在 =中’係^以不小於薄膜區域之微結晶化閾值來完成主要照射。 將可形成位置控制晶粒（position-controlled crystal =’#係自薄顺顧位置間之該界_向細位置生長。 、設置於？置控制晶粒上方並製造出薄膜電晶體。因此’將 .具ί較高效能及較高均勻性之電晶體，其中該平均遷移率 為430cm /Vs而其變異則落在4〇/〇之範園内。 a ί 了第二實施例之CCD感光元件16的光學解析度在掃描方 向上^於粗晶粒部分的寬度之外’根據本發明第二實施例之雷射 射設備具有類似於第一實施例之雷射照射設備的結構。基於該 藉由接收來自照射區域之反射光所獲得的影像，該於掃描方向上 粗於粗晶粒部分的寬度之該CCD歧猶16之光學解析度將無 法允許/月楚地分辨微結晶化部分與粗晶粒部分間的顏色改變。亦 即，實質上僅偵測到微結晶化部分之顏色。 〆 ▲圖7顯示以CCD感光元件16所接收到參考色光的輝度改 變。為了達到圖4中圖(b)所示之狀態’係完成掃描照射以製^出 該照射區域19。來自照射區域19之反射光則由CCD感光元件 16接收’ CCD感光元件16所接收到參考色光的輝度將如圖7中 φ 圖(a)改變。在此例中，實質上僅偵測到微結晶化部分之顏色，而 實質上固定之顏色係以一相當細微規律出現於單一週期内。此允 許於整個區域上觀測到一致的顏色。 為了達到圖4中圖(c)之狀態，係完成掃描照射以製備出該昭 射區域。來自照射區域之反射光則由CCD感光元件16接收， 感光元件16所接收到參考色光的輝度將如圖7中圖(b)改變。在 此例中，於CCD影像中觀察到該藉由不大於微結晶化間值之脈 強度所獲得的非微結晶化區域具有不同於微結晶化部分之顏色。 因此，該非微結晶化部分將以一具有清楚大小之寬顏色變^的波 峰。 1320195 如上所述，顏色改變之程度在照射脈衝之能量密度不小於微 結晶化閾值之該例與能量密度小於微結晶化閾值之該例間將有所 不，。在本實施例中，係依據參考顏色之顏色改變的寬度大小來 決定微結晶化閾值。類似於第一實施例，此後用於主要照射之能 置逾度便基於3玄經決疋之微結晶化閾值來決定。因此，將可獲得 具有大晶粒直徑之多晶石夕膜。
一般來說，如果CCD的解析度太低，聚焦深度（depth 〇f focus)將會增加。因此，如果採用具有低光學解析度之CCD作 為CCD感光元件16，其優點在於微結晶化閾值之決定較不受基 板厚度改變之影響。亦可獲得減少設備花費之另一優點。 接下來，即將說明的是本發明之第三例子。同如第一例子， 於玻璃基板上形成-SiQ2^-非晶賴。接著完餘步照射以 形成形成照射區域19。之後每一照射區域19便以白色平面光照 射’並以一 CCD接收其反射光。一 5倍放大之透鏡則設置於cCD 前方，並進行調整俾使其解析度為3//m。在能量密度設為47〇 mJ/cm時，於實質遍布整個照射區域19表面上所獲得的影像為 固疋的且為黃色。當能量密度為48〇mJ/cm2時，於黃色區域中將 非週期性地觀測到肥大的紅色條紋。以黃色作為參考顏色之輝度 分佈呈現如II 7巾之圖⑼所示者。當能量密度為49Qm<J/em2以^ 時，於實質整個表面上皆觀測為紅色。以黃色作為參考顏色之 度分佈呈現如圖7中之圖(a)所示者。 針對每-照射區域19 ’取得輝度資料之最大強度與最小強度 間的差值。如圖8所示’在能量密度設為48Qm」/cm2之照射區域 19處可獲得-大數值。之後，在能量密度設為49Qm」/cm2之昭射 ，域19處差值則，低。吾^則判斷差值—度上升後隨即下^能 置畨度490mJ/cm2為微結晶化閾值。 此後’賴似於第-併之方式減主要騎。作為主要照 密！f，2係採用45_/Cm2作為不大於該決定之微結晶 化閾值490mJ/cm2的值。藉由主要照射而獲得的多晶石夕膜之使用 19 1320195 來製備薄膜電晶體。薄膜電晶體之遷移率為18Qcm2/v 在5%以下之範園内。 叉/、⑴ 在上述實關巾’此等說鶴6構成其巾於單 微結ί化間值之歧之該例子。本發明並不侷限ί 何侧地使職触抑的基板 _ ’設備的尺稍會增加。_，光源及 CCD感先讀的大小將可增加而不受限於其他元件。因此，便能 以較佳之可靠度及再現性來決额結晶化閾值1外初步照射 區域及主要照射區域並不需要形成在單一基板上。可在另一且 ^質，於其上形成主要照射區域之該基板之膜厚度的基板^形 成初步照射區域藉以決定該微結晶化閾值。 在上述例子中，本發明係基於較佳實施例來作說明。根據本 發明之，雜龍術及雷射照射設備並不侷限於上述實施例。本 發明之範圍意欲包含料藉由對於上述實關及例子之結構進行 不同之變化及修改所衍生出的技術及設備。 【圖式簡單說明】 圖1為顯不根據本發明一實施例之雷射照射設備之結構的方 塊圖。 圖2為顯示藉由雷射照射設備以_雷射光束照射 平面圖。 圖3為顯示雷射光束之能量密度與多晶矽之晶粒直徑間及表 面粗糙度間的關係圖。 圖4描緣顯示出在不同照射例子中於雷射照射後該基板每一 立置上之晶粒直徑（表面粗縫度）的圖示。 圖5描繪顯示出藉由CCD感光元件所接收反色光之輝度的 改變圖。
，6八為顯示光線散射的概要剖面圖，圖6B及6C之每一個 :、’、顯示CCD感光元件之影像的概要圖，圖6D為顯示對應於圖6B
20 1320195 及6C所觀測到的顏色改變圖。 圖7描繪顯示出以CCD感光元件所接收到反射光的輝度改 變圖。 圖8描繪顯示出該能量密度與該反射光之最大輝度與最小輝 度間的差異之間的關係圖。 圖9為顯示習用雷射退火設備之結構的立體斜視圖。 - 【主要元件符號說明】 〜雷射照射設備 11〜雷射光源 Φ I2〜光學系統 13〜基板台 14〜雷射 15〜白色平面光源 16〜CCD感光元件 17〜控制系統 18〜基板 19〜照射區域 20〜初步照射區域 21〜多晶矽膜表面 22〜微結晶化部分 23〜粗晶粒部分 24〜微結晶化部分 - 25〜粗晶粒部分 26〜顏色改變之區域 27=著圖6B之CCD影像的斷面AB之參考顏色的輝度改 變 2巧著圖6C之CCD影像的斷面AB之參考顏色的輝度改 21 1320195 31〜基板 32〜激發雷射 33〜拉曼分光光度計 34〜散射光 g 1〜粗晶粒部分 g2〜微結晶化部分

Claims (1)

  1. Ί320195 十、申請專利範圍： 1. 一種將半導體層的相由非結晶狀態改變至結晶狀態的 含如下步驟： 々古，包 以複數個不同能量密度，將具有一特定振盪頻率之長條狀 了脈衝雷射光束照射於一半導體層上，同時以垂直於該第一脈= 雷射光束之主軸的方向進行掃描，以藉此形成複數個對應於 同能量密度之第一照射區域； 、Μ不 ' 以實質上平行於該第一脈衝雷射光束之該主軸的方向，將一平 面光照射至該第一照射區域，以接收來自該第一照射區 一個的反射光； 4丫〈母 • 分析該反射光，以估算微結晶化能量密度之閾值； 基於該估算閾值來決定一第一能量密度；以及 以該第一能量密度’將一具有該特定振盪頻率之長條狀的第二 脈，雷射光束照射於該半導體層上，同時以垂直於該第二脈衝雷 射光束之主軸的方向進行掃描，以形成一第二照射區域。 2. s如申/青專利範圍第1項之將半導體層的相由非結晶狀態改變至 結晶狀態的方法，其中，在該第一照射區域之每一個中之該第一 脈衝雷射光束之掃描間距大於在該第二照射區域中之該第二脈衝 Φ 雷射光束之掃描間距。 3· a如申A請專利範圍第1項之將半導體層的相由非結晶狀態改變至 結晶狀態的方法’其中，該第一脈衝雷射光束之光束大小小於該 第二脈衝雷射光束者。 4.如t請專利範圍第1項之將半導體層的相由非結晶狀態改變至 結晶狀態的方法，其中在該決定步驟中，該閾值係基於該反射光 之週期性來估算。 1320195 5·如申s月專利範圍第1項之將半導體層的相由非結晶狀態改變至 結晶狀，的方法’其中該閾值係藉由下列步驟加以估算：由與該 第-脈，雷射光束之該主_直方向的反射光決定顏色分佈；、乂 判斷顏色變化之相《峰關雜及/或鋪色變狀均勻性。 6.曰如申請專利範_ 1項之將半轉層_由非結晶狀態改變至 結晶狀態的方法，其中關值係藉由下列步驟加以估算：由與該 主轴垂直之方向的該反射光決定-顏色分佈；及蚊在該顏ϋ 佈中之顏色寬度。 巴刀
    7. —種雷射照射設備，包含： 一，射，源，用以產生一脈衝雷射光束； 二光學系統’用以將該脈衝雷射光束轉換成長條狀的第一脈衝 雷射光束， 一移動裝置’用以沿著垂直於該第一脈衝雷射光束之該主軸之 方向而相對於該第一脈衝雷射光束掃描移動一基板座台； ”一平面光源’沿著平行於該第一脈衝雷射光束之該主軸之方向 而照射出平面光； 一感光襄置’用以接收由該半導體層反射而來之該平面光。 麵’其中’該光學系統能
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