JP5316846B2 - 多結晶薄膜の粒径均一性の判定装置及びレーザ照射装置 - Google Patents
多結晶薄膜の粒径均一性の判定装置及びレーザ照射装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5316846B2 JP5316846B2 JP2008199653A JP2008199653A JP5316846B2 JP 5316846 B2 JP5316846 B2 JP 5316846B2 JP 2008199653 A JP2008199653 A JP 2008199653A JP 2008199653 A JP2008199653 A JP 2008199653A JP 5316846 B2 JP5316846 B2 JP 5316846B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- irradiation
- polycrystalline thin
- light source
- chromaticity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Description
12:光学系
13:ステージ
14:面光源装置
14a:光源面
15:レーザ光
16:基板
17:電荷結合素子
20:微結晶化強度判定用の基板
21:予備照射領域
22:照明領域
23:判定領域
Claims (8)
- 基板上に形成された多結晶薄膜の粒径均一性を判定する装置であって、
前記多結晶薄膜が形成された領域であって複数の比較対象面を包含する照明領域の全てを同時に照明する面光源装置と、
前記照明領域の全ての前記複数の比較対象面からの反射光を同時に受光する電荷結合素子と、
前記電荷結合素子で撮像された前記照明領域の画像を前記複数の比較対象面の画像に分割し、前記受光した反射光に基づいて該比較対象面の画像のそれぞれについて色度を計測し、前記比較対象面の画像のそれぞれで計測した色度を相互に比較し、前記多結晶薄膜の粒径を判定するコンピュータと、を有する、
ことを特徴とする多結晶薄膜の粒径均一性の判定装置。 - 前記面光源装置は、前記照明領域よりも大きい面積を有する、
ことを特徴とする請求項1に記載の多結晶薄膜の粒径均一性の判定装置。 - 前記電荷結合素子は、前記照明領域よりも大きい面積を撮像出来る、
ことを特徴とする請求項1に記載の多結晶薄膜の粒径均一性の判定装置。 - 前記面光源装置と前記電荷結合素子は固定されている、
ことを特徴とする請求項1に記載の多結晶薄膜の粒径均一性の判定装置。 - レーザ光を照射して多結晶薄膜を基板上に形成するレーザ照射装置であって、
レーザ光源と、
該レーザ光源から出射されたレーザ光を所定の照射寸法に整形する光学系と、
前記多結晶薄膜が形成された領域であって複数の比較対象面を包含する照明領域の全てを同時に照明する面光源装置と、
前記照明領域の全ての前記複数の比較対象面からの反射光を同時に受光する電荷結合素子と、
前記電荷結合素子で撮像された前記照明領域の画像を前記複数の比較対象面の画像に分割し、前記受光した反射光に基づいて該比較対象面の画像のそれぞれについて色度を計測し、前記比較対象面の画像のそれぞれで計測した色度を相互に比較し、前記多結晶薄膜の粒径を判定するコンピュータと、を備える、
ことを特徴とするレーザ照射装置。 - 前記面光源装置は、前記照明領域よりも大きい面積を有する、
ことを特徴とする請求項5に記載のレーザ照射装置。 - 前記電荷結合素子は、前記照明領域よりも大きい面積を撮像出来る、
ことを特徴とする請求項5に記載のレーザ照射装置。 - 前記面光源装置と前記電荷結合素子は固定されている、
ことを特徴とする請求項5に記載のレーザ照射装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008199653A JP5316846B2 (ja) | 2008-08-01 | 2008-08-01 | 多結晶薄膜の粒径均一性の判定装置及びレーザ照射装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008199653A JP5316846B2 (ja) | 2008-08-01 | 2008-08-01 | 多結晶薄膜の粒径均一性の判定装置及びレーザ照射装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006115710A Division JP4339330B2 (ja) | 2006-04-19 | 2006-04-19 | レーザ照射方法及びレーザ照射装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008300867A JP2008300867A (ja) | 2008-12-11 |
JP5316846B2 true JP5316846B2 (ja) | 2013-10-16 |
Family
ID=40174015
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008199653A Active JP5316846B2 (ja) | 2008-08-01 | 2008-08-01 | 多結晶薄膜の粒径均一性の判定装置及びレーザ照射装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5316846B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5436499B2 (ja) * | 2011-07-09 | 2014-03-05 | スミックス株式会社 | 粒径検査方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2916452B1 (ja) * | 1998-01-12 | 1999-07-05 | 株式会社日立製作所 | 結晶性半導体薄膜の評価方法およびレーザアニール装置 |
JP2001110861A (ja) * | 1999-10-06 | 2001-04-20 | Seiko Epson Corp | 半導体膜の検査方法、薄膜トランジスタの製造方法、および半導体膜の検査装置 |
JP2002005828A (ja) * | 2000-06-20 | 2002-01-09 | Tochigi Nikon Corp | 半導体の不純物濃度検査装置及び検査方法 |
JP2002008976A (ja) * | 2000-06-20 | 2002-01-11 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置 |
JP4556302B2 (ja) * | 2000-07-27 | 2010-10-06 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタ製造システム及び方法、ポリシリコン評価方法及びポリシリコン検査装置 |
JP5091378B2 (ja) * | 2001-08-17 | 2012-12-05 | 株式会社ジャパンディスプレイセントラル | レーザアニール方法及びレーザアニール条件決定装置 |
JP3782954B2 (ja) * | 2001-09-03 | 2006-06-07 | 株式会社日本製鋼所 | 結晶化膜の評価方法及びその装置 |
JP2004039804A (ja) * | 2002-07-02 | 2004-02-05 | Iisen Chin | 結晶薄膜品質監視制御システム及び方法 |
JP2006237525A (ja) * | 2005-02-28 | 2006-09-07 | Nec Lcd Technologies Ltd | レーザ照射方法及び装置 |
-
2008
- 2008-08-01 JP JP2008199653A patent/JP5316846B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008300867A (ja) | 2008-12-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7151046B2 (en) | Semiconductor thin film decomposing method, decomposed semiconductor thin film, decomposed semiconductor thin film evaluation method, thin film transistor made of decomposed semiconductor thin film, and image display device having circuit constituted of thin film transistors | |
TWI320195B (en) | Laser irradiation method and apparatus for forming a polycrystalline silicon film | |
JP4339330B2 (ja) | レーザ照射方法及びレーザ照射装置 | |
US8026182B2 (en) | Heat treatment jig and heat treatment method for silicon wafer | |
US20130341310A1 (en) | Monitoring method and apparatus for excimer laser annealing process | |
US9245757B2 (en) | Laser annealing treatment apparatus and laser annealing treatment method | |
US7232716B2 (en) | Display device and method for manufacturing the same | |
WO2015132210A1 (en) | Monitoring method and apparatus for control of excimer laser annealing | |
CN1220255C (zh) | 评定多晶硅的方法和系统及制造薄膜晶体管的方法和系统 | |
JP2001110861A (ja) | 半導体膜の検査方法、薄膜トランジスタの製造方法、および半導体膜の検査装置 | |
KR20110131289A (ko) | 결정질 반도체막의 제조 방법 | |
JP2008187070A (ja) | 表示装置の製造方法 | |
JP5316846B2 (ja) | 多結晶薄膜の粒径均一性の判定装置及びレーザ照射装置 | |
JP2002009012A (ja) | 液晶表示装置の製造方法およびレーザアニール装置 | |
KR100623250B1 (ko) | 다결정 실리콘 검사장치 및 방법 | |
KR101323614B1 (ko) | 결정질막의 제조 방법 및 결정질막 제조 장치 | |
JP2001196430A (ja) | ポリシリコン評価方法、ポリシリコン検査装置及び薄膜トランジスタ製造方法 | |
JP4946093B2 (ja) | レーザアニール装置のレーザ光のエネルギー決定方法、レーザアニール装置のレーザ光のエネルギー決定装置及びレーザアニール装置及び薄膜トランジスタの製造方法 | |
JP5309059B2 (ja) | 微結晶化判定方法及び装置 | |
KR101189647B1 (ko) | 결정질막의 제조 방법 및 제조 장치 | |
KR20090045057A (ko) | 레이저 어닐 방법 | |
JP2011066084A (ja) | 半導体薄膜の形成方法、半導体薄膜の検査装置および半導体薄膜 | |
JP2006032835A (ja) | 結晶化状態測定方法および結晶化状態測定装置 | |
KR101034759B1 (ko) | 액정표시장치 육안 검사기 | |
JP2005003566A (ja) | 結晶膜の検査方法および検査装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20100315 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20111006 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111011 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111212 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20120605 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120905 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20120912 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20121130 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130626 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5316846 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |