JP5309059B2 - 微結晶化判定方法及び装置 - Google Patents
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Description
11:パルスレーザ光源
12:光学系
13:基板ステージ
14:線状レーザ光
15:平面光源
16:CCD受光素子
17:制御系
18:a-Si成膜基板
19:レーザ照射領域
20:予備照射領域
21:poly-Si膜表面
22:微結晶部
23:粗大結晶部
24:反射画像における微結晶部
25:反射画像における粗大結晶部
26:焦点深度の影響によるボケおよび変色領域
27:短軸と平行の評価結果
28:長軸と平行の評価結果
Claims (6)
- 半導体層を表面に有する基板上に、線状に整形されたパルスレーザ光であって、該線状レーザ光のビーム端部にエネルギー密度が低下する領域を含むレーザ光を、該線状レーザ光の短軸方向に移動しながら照射して、前記半導体層を融解・結晶化させる微結晶化判定方法において、
所定の発振周波数を有するパルスレーザ光を複数の異なるエネルギー密度で基板上に所定のピッチでスキャン照射して、該複数のエネルギー密度にそれぞれ対応する複数の第一の照射領域を基板上に形成するステップと、
前記複数の第一の照射領域の基板表面に、前記パルスレーザ光の長軸方向と実質的に平行な方向から平面光を入射し、該平面光が前記基板表面で反射した反射光を前記複数の第一の照射領域毎に受光するステップと、
前記複数の第一の照射領域で発生する微結晶化部及び粗大結晶部からの前記反射光の物性値の差に基づく結晶粒径データを、前記複数の異なるエネルギー密度ごとに採取するステップと、
前記エネルギー密度の減少に伴って、前記結晶粒径データが前記スキャンする方向に周期的な粒径の変化を示す状態から、粒径変化の周期性が崩れる状態に移行するときの当該周期的な粒径の変化を示す状態におけるエネルギー密度を、前記基板表面の微結晶化しきい値と決定するステップと、を有することを特徴とする微結晶化判定方法。 - 請求項1に記載の方法を実施する微結晶化判定装置であって、
パルスレーザ光を発生するレーザ光源と、該レーザ光源が発生したパルスレーザ光を整形して線状パルスレーザ光に変換する光学系と、前記基板を少なくとも前記線状パルスレーザ光の短軸方向と平行な方向に前記光学系と相対的に移動させる移動装置と、前記線状レーザ光の長軸方向と実質的に平行な方向に平面光を基板表面に入射する平面光発生装置と、前記平面光が前記基板表面で反射する反射光を受光する受光素子と、
前記複数の第一の照射領域で発生する微結晶化部及び粗大結晶部からの前記反射光の物性値の差に基づく結晶粒径データを、前記複数の異なるエネルギー密度ごとに採取する手段、及び、
前記エネルギー密度の減少に伴って、結晶粒径データが周期的な粒径の変化を示す状態から、粒径変化の周期性が崩れる状態に移行するときの当該周期的な粒径の変化を示す状態におけるエネルギー密度を、前記基板表面の微結晶化しきい値と決定する手段を有する情報処理装置と、を備えることを特徴とする微結晶化判定装置。 - 前記パルスレーザ光の口径が可変であることを特徴とする、請求項2に記載の微結晶化判定装置。
- 前記しきい値は、前記決定するステップにおいて、前記反射光の周期性に基づいて求められる、請求項1に記載の方法。
- 前記しきい値は、色変化のピーク間距離及び/又は前記色変化の均一性を判定することにより求められる、請求項1に記載の方法。
- 前記しきい値は、前記色分布の色の幅により求められる、請求項1に記載の方法。
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