TWI317054B - Lithographic apparatus and method of projecting radiation onto a substrate - Google Patents

Description

1317054 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於-種微影裝置，及—種器件製造方法 【先前技術】 /敬影裝置係一種將所要圖案施加至基板之一目標區上的 機器。例如，可在積體電路(IC)、平板顯示器及其他涉及 精細結構之器件的製造中使用微影裝置。在f知微影裝置 中，可使用或者被稱為光罩或主光罩之圖案化構件，來產 =對應於IC(或其他器件）之一個別層的電路圖案，且此圖 '、可成像至一具有一層輻射敏感材料(例如，抗蝕劑)之基 板（例如，矽晶圓或玻螭板）的目標區（例如，包含一或若$ ^固晶粒之—部分）上。圖案化構件可包含產生電路圖案之 個別可控元件陣列以替代光罩。 :體上，一單個基板將包含連續受曝光之相鄰目標區的 ，料。已知微影裝置包括：步進機，其中藉由一次將一整 曝光至目標區上而照射每一目標區；及掃描器，其 ”宰mu向(”掃描”方向)上經由—輻射束掃 在平行或反平行於此方向上同步掃描基板而 Μ射母一目標區。 = = 序列形成_印刷圖案。當考慮無光 ’母一發射係由投影至感光表面（諸如晶圓基 ^之^燈光調變器（SLM)陣列的影像所產生。此導致在 此基板上之某一曝光區中應用來自_光源之一劑量或一此 照射lit由來自光源之光之閃光而照明基板表面時，產 I06862.doc 1317054 生曝光區。當圖案延伸超出一單個slm之曝光邊界時 光沿著相鄰邊界銜接在一起以形成一完整圖案。 - 印刷圖案中之銜接誤差係由曝光之幾何欠對準及其他光 學現象所致之干擾所致而靠近相鄰曝光區之間的此等邊界 毛生大體上’由於在晶圓上之曝光區與其預期位置的空 間欠對準所致，在印刷圖案中發生銜接誤差。即使在對準 可為較佳的狀況下’光學效應亦可產生銜接誤差…間 ^對準之狀況下’即使發射之微小空間欠對準，亦可導致 罪近銜接線（stitching line)之印刷圖案的顯著擾動。 光學效應可歸因於每-曝光區内之劑量分佈係一由部八 相干光（partiany coherent Hght)之曝光之結果的事實= 為在不同時間曝光兩個相鄰曝光區，所以曝光有效相干， 因此產生非吾人所樂見之光學效應。在曝光基板以形成一 平板顯示器（FPD)之實例中，所使用之像素柵格成像技術 係完全相干的。光學誤差係由用於不同區域之光徑的不同 透射率而導致的。某一區域可亮於其他區域。 已知技術試圖補償靠近相鄰曝光區之間的銜接線而發生 的印刷圖案中之銜接誤差…第—該技術不利用曝光區域 之重疊且涉及在曝光製程之第二或隨後之經過期間提供輔 助特徵。將該等輔助特徵添加至照射感光表面中所使用之 圖案資料中，且填充可能並未接收到足夠輻射劑量之區 域0 替代技術包括相鄰曝光區之跨越補償重疊區域 (compensation spanning overlapping areas)。例如，可調整 I06862.doc 1317054 扎Μ，、以使待壓印至感光表面之重疊區域上的特徵僅在對 -2區域之夕個曝光中之-曝光期間得以印刷。意即，由一 j制系統將可另外在一特定曝光期間轉換為"啟用”以曝光 6特被之SLM的像素轉換為"關_，，，其中該控制系統已判 疋亦覆蓋言亥區域之另一曝光將替代曝光該特徵。 然而該等用來補償銜接誤差之已知技術不可避免的產生 銜接區域，該銜接區域將與顯示器之非銜接區域表現出不 • @ °此等技術亦需要以非常高的準確度定位基板從而對準 相鄰曝光區。亦必須嚴格控制照明源所提供之劑量。 • 、因此，所需要之係一種大體上降低且可能地消除銜接區 域之能見度及/或降低在基板定位與照明源之劑量控制上 - 的限制之系統及方法。 【發明内容】 根據本發明之一實施例，提供一種微影裝置，其包含一 照明系統、一圖案化配置、一投影系統及—調變配置。該 φ 照明系統供應一輻射束。該圖案化配置圖案化該射束。該 才又影系統將該射束投影至一基板之一目標區上。該調變配 置s周變該射束以在該射束之橫截面上職予該圖案一調變方 式（modulation scheme) 0 在一實例中，該調變配置可為該照明系統之一部分。 在一實例中’該圖案化配置可包含一個別可控元件陣 列。在另一實例中’該調變配置可包含該個別可控元件陣 列。 在一實例中，該調變配置可包含一安置於該照明系統與 106862.doc 1317054 該基板之間之該韓射束之光徑上的器件。在另一實例中 該調變配置可安置於該照明系統與該圖案化配置之間。或 者，該調變配置可安置於該圖案化配置與該基板之間。 該調變配置可將_稍定$ _七上、+ ^ 夏」將預疋凋變方式應用至該輻射束。或 者’該調變配置可將—隨機調變方式應用至該輕射束。一 _該調變配置可調變輻射束之振幅或頻率。該調變配置可 經配置以將—調戀方斗、庙田=» 式應用至§亥個別可控元件陣列中之 一元件。該調變配置可包含_ 構件，該控制構件係用 ▲據輪射束之橫截面圖案來選擇-調變方式。 ::;周=置可經配置以在該輻射束之橫截面的比 調變該輕射束 置可經配置以僅在該輕射束之周邊 八根據本發明之—實施例，提供—種器件製造方法’其勺 —圖案而圖案化射束。將該圖案化輻: 板之一目標區上。在該輻射束之橫截面上調 可…個一陣列來 束在在=中’可在職予該射束一圖案之前而調變該輕射 射束。貫例中，可在賦予該射束-圖案之後調變該輕 牛L霄例中，該在該輻射束之橫截面上調變該輻射束之 乂驟可包含調變幸畐射束之振幅及/或脈衝頻率。射束之 根據本發日月夕 ϋ , 令· —替代實施例，提供一種微影裝置，复句 3 ·—戶§明έ从 u 八& '、，/、供應一輻射束；一個別可控元件陣 1 〇6862.d〇c 1317054 列，其與韓射相互作用；一投影系統，其將該韓射之複數 個射束投影至該基板上；及—基板台，其經配置以相對於 該等複數個輻射束掃描該基板，使得該基板經受掃描方向 之複數個改變。 ° 在一實例中，該基板台係經配置以在一相對於該基板之 一邊緣成-第-角度之第-方向上掃描該基板，然後在一 相對於該基板之該邊緣成一第二角度的第二方向上掃㈣ 基板。基板台可經配置，以然後在一相對於該基板之該邊 緣成-第三角度之第三方向上掃描該基板。或者，基板二 可經配置，以然後再次在該第一方向上掃描該基板，且然 後再次在該第二方向上掃描該基板。 根據本發明之另一替代實施例，提供一種微影裝置，其 包含：一照明系統，其供應一輕射束；一個別可控元件陣 列’其與該轄射相互作用；一投影系統，其將該輻射之複 數個射束投影至該基板上；及—基板台，其經配置以接收 -與該基板台之運動之一掃描方向成一角度而定位的基 板。 、據本叙明之另一替代實施例，提供一種器件製造方 法二：包含：在-個別可控元件陣列上引導-輻射束；使 〃系、1以將㈣得輕射作為複數個射束投影至- ^反上’及在一掃描運動中移動該基板，使得該基板經受 押·描方向之複數個改變。 X康本叙月之另—替代實施例’提供一種器件製造方 其包含：在—個別可控元件陣列上引導一輻射束；使 I06862.doc 1317054 交"系統以將該所得輕射作為複數個輕射束投影至— 基板上H料運料移動該基板， 射束與該基板之—“ 邊，、彖成一角度地在該基板上方移動。 灿在下文中參看附圖詳細描述本發明之進—步實施例 徵及優點’以及本發明之各種實施例的結構及運作。' 應瞭解’雖然概要提出-或多個例示性實施例及/或實 例’但並非本發明之所有實施例及/或實例，I因此並不

應其視為以任何方式來限制本發明或所附之中請專利範 圍。 【實施方式】 概述及術語 儘管本文中可特定參考微影裝置在製造積體電路(IC)中 之使用，但應瞭解，本文中所描述之微影裝置可具有立他 應用’諸如製造積體光學系統、用於磁域記憶體之圖案導 引及偵測、平板顯示器、薄臈磁頭、微量及巨量射流器件 (imcro and macr〇 fluidic device)等等。熟習此項技術者將 瞭解，在該等替代性應用内容中，可認為本文中術語,,晶 圓"或"晶粒”之任何使用係分別與更概括之術語”基板”或 "目標區"同義。本文中所指之基板可在曝光之前或之後， 利用（例如）一軌跡（例如，一種通常將一抗蝕劑層塗覆於基 板上且使經曝光之抗蝕劑顯影的工具）或度量工具或檢測 工具加以處ί里。若適合，則可將本文之揭*内容應用於該 等及其他基板處理工具。此外，可不止—次地處理基板 (例如）以便產生多層1C，使得本文所使用之術語，,基板”亦 I06862.doc -10- 1317054 可指已含有多個經處理的層的基板。 本文所使用之術語"個別可控元件陣列"應廣泛解釋為指 任何可用來賦予入射輻射束—圖案化橫截面從而可在基‘ 之目標區產生所要圖案的器件。在本文中亦可使㈣祖 "光閥"及"空間燈光調變器，，(SLM)。下文討論該等圖案化 器件之實例。 -可程式規劃鏡面陣列可包含一具有一黏彈性控制声及 -反射表面之矩陣可定址表^如此之—裝置之基本原理 為··例如，反射表面之經定址區域將人射光反射為繞射 先’而未經定址區域將入射光反射為非繞射光。使用 當的空間遽光片，可自經反射射束中過據出非繞射光，僅 留下繞射光抵達基板。以此方式，射束根據矩陣可定址表 面之定址圖案而變成圖案化。 應瞭解，作為一替抑，# % , u μ m m片可過遽出繞射光 光抵達基板。亦可以相對應方式使用—繞射光學微 電力機械系統_MS)器件陣列。各繞射光學则細器件可 包括複數個相對於彼此變形 上t 變形以形成一將入射光反射為繞射 光之光栅的反射帶。 另 替代性實施例可白 了匕括—使用一微型鏡面之矩陣配f 的可程式規劃鏡面陣列，哕箄#而由少— 陣配置 加一合適之區域化電Μ; 母一鏡面可藉由施 , 電麥或藉由使用壓電致動構件而圍繞一 軸個別傾斜。再次重複 、 經定址之鏡面將在愈未^亥2面係矩陣可定址型，以使 輻射束，·…t 鏡面不同之方向上反射入射 ，，根據矩陣可定址鏡面之定址圓案而圖 106862.doc 1317054 案化經反射的射束。可使用合適之電子構件進行所需要之 矩陣定址。 在上文描述之兩種情形下，個別可控元件之陣列可包含 或夕個可程式規劃鏡面陣列。可自例如美國專利

5,296,891^ 5,523s193aPCT#^jt If tWO 98/38597^ WO 98/33096中收集關於如本文所引用之鏡㈣列的更多資 訊’該等專利及專利申請案之全文以引用的方式併入本文 中〇 亦可使用可程式規劃LCD陣列。在美國專利5,229,872中 給出如此之一構造的一實例，該專利之全文以引用的方式 併入本文中。 應瞭解，在使用特徵預偏離、光學接近校正特徵、相位 變化技術及多次曝光技術之處，舉例而言，”顯示"於個別 可控元件陣列上之圖案可大體不同於最終轉移至基板之一 層或基板上的圖案。類似地，最終產生於基板上之圖案可 不對應於在任何時刻形成於個別可控元件陣列上之圖案。 此可為以下一配置中之狀況：在該配置中形成於基板之每 一部分上之最終圖案經給定時間段或給定曝光數量而增 加’在該時間段或曝光數量期間’該個別可控元件陣列上 之圖案及/或基板相對位置發生改變。 儘管在此文中可特定參考微影裝置在製造IC中之使用， 但應瞭解’本文中所描述之微影裝置可具有其他應用，例 如，製造DNA晶片、MEMS、MOEMS、積體光學系統、用 於磁域記憶體之圖案導引及偵測、平板顯示器、薄膜磁頭 I06862.doc 12 1317054 等等。熟習此項技術者應瞭解，在該等替代性應用之内容 中，可認為在本文中術語”晶圓”或”晶粒”之任何使用係分 ' 別與更概括之術語”基板'’或”目標區π同義。本文中所指之 基板可在曝光之前或之後，利用（例如）一執跡（一種通常將 一抗蝕劑層塗覆於基板上且使經曝光之抗蝕劑顯影的工 具）或度量工具或檢測工具加以處理。若適合，則可將本 文之揭示内容應用於該等及其他基板處理工具。此外，可 φ 不止一次地處理基板（例如）以便產生多層ic，使得本文所 使用之術語”基板”亦可指已含有多個經處理的層的基板。 本文中所使用之術語”輻射”及”射束”包含所有類型之電 磁輕射’包括紫外線（UV)輻射（例如，具有365、248、 - 】93、I57或126 nm波長之輻射）及遠紫外線（EUV)輻射（例 如具有在52〇 nm之範圍内的波長）以及諸如離子束或電 子束之粒子束。 本文中所使用之術語”投影系統"應廣泛地解釋為包含適 癱用直列如）所使用之曝光轄射、或諸如使用沉浸流體或使 :=之其他因素的各種類型的投影系統，包括折射式光 二^反射式光學系統及折反射式光學系，統。術語”透 參兄在本文φ夕y 可使用可認為與更概括之術語，•投影系統" 、、、 系先亦可包含各種類创之氺與έΗ姓 引、成形包括用於導 組件，且^ 折射式、反射式及折反射式光學 鏡' μ組件亦可在下文中全體地或單個地稱為，，透 I06862.doc U17054 微影裝置可為且有 有兩個（例如，雙 。（及/或兩個或兩個A千臺)或兩個以上基板 機器中，可並行使用額夕“ 型。在該等”多平臺” 光時可於-或多個其:或在使用-或多個台用於曝 崎置進行預傷步驟。 、 為—種其中基板沉浸在且有相 率的液體（例如水）中以搶h 相對南的折射 )中以填充投影系統之坎 間的空間的類型。亦可將 ：#/、基板之 他空間，例微影裳置中之其 土板與投影系統第一 術在此項技術中已孰4 “ 乐兀件之間1浸技 另外m 於增加投影系統之數值孔徑。 ^、置可具有—流體處理單元以允許流體盥 =照射部分之間的相互作用（例如，以選擇性地將^學 ㈣附著至基板或選擇性地修改該基板之表面結 微影投影裝置 圖1示意性地描綠一根據本發明之一實施例之微影投影 裝置100。裝置100至少包括一輻射系統1〇2、一個別可控 元件陣列104、一載物台106(例如’一基板台）及一投影系 統Γ透鏡”）108。 ' 輻射系統102可用於供應一輻射束11〇(例如，uv輻射）， 5亥輻射系統1 02在此特定狀況中亦包含一輻射源丨丨2。 一個別可控元件陣列1 〇4(例如’一可程式規劃鏡面陣歹j ) 可用於供應一圖案至射束11 〇。通常，個別可控元件陣列 104之位置可相對於投影系統1〇8固定。然而，在一替代性 配置中’ 一個別可控元件陣列104可連接至用於將其相對 於投影系統1 08精確定位之定位器件（未圖示）。如此處所描 106862.doc 14 1317054 繪’個別可控元件陣列104為反射類型（例如，具有一個別 可控元件反射陣列）。 載物台106可具有一用於固持基板114(例如，經抗蝕劑 塗佈之石夕晶圓或玻璃基板）之基板固持器（未詳細圖示），且 載物台106可連接至用於相對於投影系統1〇8而精確定位基 板114之定位器件116。 投影系統108(例如，石英及/或CaF2透鏡系統或包含由石 • 英及/或CaF2材料製成之透鏡元件的折反射式系統，或鏡 面系統）可用於將自射束分束器118所接收之圖案化射束投 衫至基板114之一目標區12〇(例如，一或多個晶粒）上。投 影系統108可將個別可控元件陣列1〇4之一影像投影至基板 114上。或者，投影系統1〇8可投影二次光源之影像，該個 別可控元件陣列104之元件為該等二次光源充當快門。投 影系統108亦可包含微透鏡陣列（MLA)以形成二次光源且 將微光點投影至基板114上。 _ 源112(例如，準分子雷射器）可產生輻射束122。射束a: 直接或在橫穿調節器件126(例如，射束放A||)之後饋入照 明系統（照明器）124中。照明器124可包含一調整器件128以 用於》又疋射束122中之強度分佈的外部及/或内部徑向範圍 (通常分別稱為〜外部及σ_内部）。另外，照明器124將通常 包括諸如一積光器13〇及一聚光器132之各種其他組件。以 此方式，照射於個別可控元件陣列1〇4上之射束u〇在其橫 截面上具有一所要均一性及強度分佈。 關於圖1請注意，源H2可在微影投影裝置1〇〇之罩殼内 106862.doc 1317054 (例如，當源11 2係一汞燈時通常為該種狀況）。在替代實施 例中’源11 2亦可遠離徵影投影裝置1 〇 〇 ^在該種狀況下， 可將輕射束122導引至裝置1〇〇中（例如，在合適之導向鏡 之幫助下）。此後一種狀況通常為當源丨12為準分子雷射器 之狀況。應瞭解，此等狀況中之兩者皆涵蓋於本發明之範 内0

在使用射束分束器118引導射束11〇後，射束11〇隨後截 擊個別可控元件陣列104。在經個別可控元件陣列104反射 後，射束110穿過投影系統108 ’該投影系統1〇8將射束11〇 聚焦至基板114之一目標區12〇上。 在定位器件116(及視情況為接收經由射束分束器14〇之 干涉射束138之底板136上的干涉量測器件134)之幫助下， 可準確地移動基板台6，#而在射束11〇之路徑中定位不同 目標區12G。纟使用之處’例如在掃描期間，個別可控元 件陣列HM之定位器件可用於相對於射束㈣之路徑而準確 地校正個別可控元件陣列1〇4的位置。大體上，在長衝程 模組（粗定位）及短衝程模組（精定位）之幫助下實現載物台 1〇6之移動，其未在圖！中明確描繪。亦可使用一類似系統 來定位個別可控元件陣列104。應瞭解’ #束11〇可另外/ 其他為可移動型，同時載物台1〇6及/或個別可控元件陣列 1 04可具有一固定位置以提供所需要之相對移動。 在本實施狀m態巾，基板台可為固定的， 其中基板114在基板台1G6上為可移動的。在完成此舉之狀 況下’基板台1〇6在—最高平坦表面上具有衆多開 106862.doc 16 1317054 由該等開口饋入氣體以提供能夠支撐基板114之氣墊。此 習知地稱為空氣承載配置。使用一或多個致動器（未圖示） 在基板台106上移動基板114 ’該或該等致動器能夠準確地 相對於射束11 0之路徑定位基板114。或者，可藉由選擇性 地啟動及停止穿過開口之氣體的通道而在基板臺上移動基 板 114。

儘管在本文中描述之根據本發明之微影裝置1 〇〇為用於 曝光基板上之抗蝕劑，但應瞭解，本發明並非僅限於此使 用，且裝置100可用於投影一圖案化射束11〇以供無抗蝕劑 微影之使用。 所描繪之裝置100可在四種較佳模式中使用： 1 ·步進模式：將個別可控元件陣列丨〇4上之整個圖案在 f次運作（意即’ 一單個”閃光，，）中投影至目標區120上。、然 後在X及/或3；方向上移動基板台至一不同位置，以便由 圖案化射束11 〇照射一不同目標區i2〇。 .T田萬式，除了不在—單個”問光”中曝光給定目桿區 120以外，苴| 士 L Λ卜 人v進模式相同。實情為，個別可γ 元件陣列104可以砷许λ — 速度V在一給定方向（所謂之”掃描方向”， 例如’ y方向）上移 攸而引起圖案化射束110在個別可 1二=]1。4上方掃描。同時，基板台-以速〜 放大皁反方向上同時移動，丨中Μ為投影系統108之 放大率。以此方式，可成， 心 紐枝* 了曝光相對大的目標區120而盔需在 解析度上進行折衷。 叩…、而在 3 脈衝模式 將個別可控元件陣列】04保持基本靜止且 106862.doc -17. D17054 /而定位口亥圖案特徵208。自於每一曝光區内之劑量分佈 二、P刀相干光而曝光之結果的事實，因此可發生特徵208 之光學效應或失真。隨後’因為在不同時間曝光兩個曝光 區202及204 ’所以此等曝光區係有效地非相干。 圖3係根據本發明之—實施例之#近在假絲干照明之 狀況中之所要均—圖案中的—銜接線（例如，圖2中之銜接 線206 ’丨由圖3中之線3〇7而表示）〜銜接干擾的示意性說 月出於說明之目的，使用相干照|之實例，因為認為相 干照明在印刷圖案中產生最顯著之銜接誤差。然而，本發 明並非限於如此之一應用/了 -在圖3中，圖表3〇〇說明在起點處銜接的兩個曝光中成像 句地π 。第一曝光3〇2導致目才票平面場中起點的右側 ，像素設定至其絕對明亮狀態’而起點的左側之目標平面 場為零。像場中之所得相對強度分佈(亦稱為相對劑量變 化）係繞射限制影像。 第二曝光304係曝光302相對於起點之鏡像。可見，在起 點處之兩個曝光之相對劑量值（或相對影像強度）係相干照 明狀況之大約25。/。。右邊緣曝光3〇2與左邊緣曝光3〇4之組 合產生一沿著銜接邊界3〇7具有大約5〇%之相對區域劑量 f的曝光306。在銜接線3〇7上具有大約5〇%之相對區域劑 里值之曝光的組合形成一銜接假影或誤差308。 在一實例中，銜接假影（諸如假影3〇8)將干擾橫跨銜接邊 界（诸如邊界307)而形成之特徵的形態（例如，圖2之特徵 208)。一種該形態干擾係用來形成印刷圖案之線之線寬上 106862.doc -19· 1317054 變化的發生。 圖4a、圖4b、圖4e、圖4d及圖係根據本發明之-實施 =一隔離暗線之純干擾絲㈣明。料㈣係根據 本'明之—實施例之在沒有銜接誤差補償技術之狀況下， 銜接誤差可對線寬變化 ^ A s扪°兒明。圖4係展示一隔 離暗線之銜接干擾之測試案例的說明。 在圖4a.中，一例示性曝光4〇2包括—在一大約長 (例如’大約9λ_之亮的f景上之經隔離水平暗線彻， -中仏先之波長且（NA)係數值孔徑。藉由傾斜目標平面 中之鏡面像素而形成水平暗線4〇3。 _λ_ :云及-αβ之相鄰水平鏡面 線403係藉由兩個分別傾斜 陣列(列)來形成’ #中_傾斜角。此等列之像素大多數 作為絕對暗像素。背景係明亮的且係藉由像素之鏡面為平 坦的像素而形成的。如分別在圖仏、圖4b及圖4e中所展 不，形成線403之圖案係在三個曝光402、404及406中曝 光。曝光402在基板之第一經過期間發生，且其曝光整個 線4〇3。曝光404與406係基板之第二經過期間的兩個連續 曝^兩個曝光404與偏中之每一曝光分別曝光暗線4〇3 =半將圖仆中之個別劑量分佈4〇4a與囷4e中之個別劑 里刀佈406a展不為靠近一得自三個曝光中之每_曝 接線。 圖4d展示三個曝光之一總和4〇8。此圖包括—沿著一銜 接線409a之曝光不足區域4〇9。 圖^展不—提供靠近銜接線409a之線寬中之變化之說明 106862.doc -20- 1317054 的圖表41G。在圖4&至圖46之實例中，使用—導致7〇 _線 4 12之〜像強度g品限值來計算線寬。如41 〇中所說明，變化 (由線414指示）達到正（+)25 nm之高。 儘管銜接誤差可產生顯著降級印刷圖案之異常，但本發 明之至少一實施例提供一種消除此等問題之技術。 使用已知銜接技術，銜接區域明顯不同於非銜接區域。 技術/v及在重疊區域中逐漸減小劑量，以便對應於在

非重疊區域中之劑量強度。然而，大於約丨％的劑量差異 在圖案中可見為假影，且逐漸減小中之輕微變化可見為 (例如）一明線。 上如上文所討論，根據本發明之一或多個實施例，可藉由 5周變輻射劑量而移除可見假影。可調變輻射之振幅及/或 頻率。調變方式可為一固定圖案，調和、正方形、 ::形等等”但使用隨機調變(意即’對光學圖案添加隨 ^ _ 更仏之、，，°果。例如，輻射可為振幅恆定而 n變’或具有隨機變化振幅而頻率恆^或變化。可 ;:=卜雜訊而模糊可見假影(諸如上文所提及 :變方式可調向-特定區域且具有-隨方向而變化之組 反=可認為有效地向圖案訊號增加雜訊之調變的引入 覺的，因為其涉及降級最佳圖案。然而， 知如 itF ^ ^ % 在二使少量添加晴助消除其他可見假影 α貫例中’可在微影系統之多個點上引入調變。 σ’可能調變照明源。其中可達成此之方法係藉由在光 I06862.doc 1317054 中嵌入-改變偏振之柏格耳盒（P0ekels een)，及—在柏格 耳盒之後之偏振器。柏格耳盒對光施加—可切換電場，此 導致偏振狀態之改變。隨後之偏振器致能對通過之照明的 直接控制且可H此提供對光源之非f高的頻率調變。 若所採用之微㈣統使用―共用照明源用於所有,昭射在 基板上之光學柱’則照明源上之調變僅為適料。在源上 之調變允許調變系統應用於基於光罩之微影系統。 在另一實财，可在光學柱之㈣其他點上實現調變。 當考慮無光罩系統時’在SLM上實現調變。在slm上，意 即’在目標平面中之調變，允許將圖案提供至有調變方式 施加於其上之投影系統。藉由變化slm之個別元件的反射 及透射特性’例如，在SLM包含一鏡面陣列之狀況下，藉 由根據調變方式而變化鏡面之傾斜，而達成在㈣上之調 變。當SLM包含—具有僅"開啟，，或"關閉”狀態之像素陣列 時’调變方式之應用將導致應為"開啟”之該等像素中之某 些像素變為"關閉，|。 在一實例中’將調變施加在光學柱中。在此實例中，調 變方式存在於整個圖案中或僅存在於與相鄰柱重疊之圖案 品，中在另只例中，因為更寬之經調變區域給予相鄰 柱之間更小的可見差異，所以調變方式可在整個圖案上存 在。 —U述實施例及/或實例中之至少—或多個實施例及/或 貫例中’㈣技術使得可能減小重疊區域之尺寸。此可因 、可使用重疊區域中之輻射劑量之更小的逐漸減小。由雜 丨 〇6862.d〇i -22· 1317054 統1 26、一照明器128及一投影系統丨〇8。該投影系統丨〇8包 括一射束放大器’該射束放大器包含兩個透鏡6〇1、602。 該第一透鏡601係配置以接收調變輻射束丨丨〇且經由孔徑光 闌603中之孔聚焦該調變輻射束丨丨〇。—另外之透鏡6〇4可 位於該孔中。藉由第二透鏡6〇2(例如，場透鏡）聚焦在孔徑 光闌603之後發散的輻射束11〇。 才又影裝置108進一步包含一經配置以接收經放大之調變 φ 輕射11 0的透鏡陣列605。對應於圖案化器件104中之該等 個別可控元件中之一或多個元件之調變輻射束丨丨〇的不同 部分穿過透鏡陣列605中之個別不同透鏡。每一透鏡6〇6將 ‘ 經調變輻射束110之個別部分聚焦至一位於基板114上的 ' 點。以此方式曝光一輻射光點陣列至基板114上。應瞭 解，儘管僅展示所說明透鏡陣列6〇5之八個透鏡6〇6，但是 透1兄陣列可包含成千上萬個透鏡（此同樣適用於作為圖案 化器件1 04而使用之個別可控元件陣列）。 • 圖7示意性地說明可如何在基板w上產生圖案。實心圓 代表藉由投影系統108中之透鏡陣列6〇5(參見圖6)而投影至 基板上的光點陣列607 ^當一系列之曝光曝光至基板上 時，基板相對於投影系統在y方向上移動。開口圓代表先 前已經在基板上曝光之光點曝光61〇。如圖示，每一藉由 投影系統108内之透鏡陣列而投影至基板上之光點曝光基 板U4上之一列光點曝光6H。藉由每一光點6〇7所曝光之 光點曝光610之所有列611的總和，產生用於基板之完整的 圖案。通常將如此之配置稱為"像素柵格成像，，。應瞭解， I06862.doc -25- 1317054 熟習此項技術者將瞭解，實務上，在光點607之間將存在 重疊，以允許適當地曝光基板114之表面。為了說明之簡 潔未在圖7中圖示該重疊。 可見’輕射光點陣列607係以相對於基板114(基板之邊 緣與X及Y方向平行）之角Θ上配置。完成該配置，從而當在 掃描方向（Y方向）上移動基板時’每一輻射光點將經過基 板之不同區域，藉此允許整個基板由韓射光點陣列607覆 蓋。在一實施例中’角Θ為至多20。、1〇。，例如至多5。、至 多3。、至多1。、至多0.5。、至多〇 25。、至多〇 1〇。、至多 〇.〇5°、或至多0.01。。在一實施例中，角θ為至少心剛广 例如至少0.001。。 圓〇不恩地展 …·”〜卞71手阳长 -單個掃描中曝光整個平板顯示器基板114。配置八個光 學引擎620以產生輻射光點陣列（未圖示）。在兩個"棋盤"組 態中之列62卜622中配置光學引擎62()，以使—輕射光點 陣列之邊緣與相鄰輻射光點陣列之邊緣輕微重叠（在X方向 上）。在-實施例中，在至少3糊如，4 置 光學引擎。 力J f配置 以此方式，一輻射帶在基板114之寬产 杨 在一單次掃描中執行對整個伸，此允許 人、“ 了蹩個基板之曝光。應瞭解，可栘 合適數量的光學引擎。在一實 了使用 至>、1，例如至少2、至少 數里為 少14或至少17。在^ 至少12、至 ^ 在—貫施例中，光學 40，例如少於3〇或少於2〇。 S：為少於 106862.doc •26- 1317054 如上文所述，每一光學引擎可包含一獨立射束傳送系統 126、照明器128、圖案化器件1〇4及投影系統丨08。然而應 瞭解，兩個或兩個以上光學引擎可共用一或多個射束傳送 系統126、照明器128、圖案化器件1〇4及投影系統1〇8之至 少一部分。 在例如使用聯繫圖6至圖8描述之裝置之平板顯示器的製 造中可能發生之問題為：光點607之圖案中之非均一性將 導致投影至基板114上之圖案的非均一性。非均一性可在 基板在Y方向上之整個掃描移動期間重複，藉此導致在基 板上提供非均-性之條紋。另外，若使用相同光點奶來 寫入-特定位址線之全部或大部分，則其可導致在所得平 板顯示器上之像素列之間的特性上之差異。 本發明之實施例藉由以2字形運動而移動基板ιΐ4來替代 在y方向上移動基板來解決此問題。此z字形之結果係由给 定光點607而導致之非均—性將留下2字形形式之非均—性 而非線性非均一性。資料路徑（例如，如聯繫圖5而提及）修 正^案化器件HM上所提供之圖案以考慮基板⑴^字 形運動。 丁 \v 因為具有Z字形形式之非均一 人目卩所兹恩 較線性非均一性更難為 而士蔣 之+板顯示器之使用者 。、更不‘㈣。基板114之2字形運動亦 定光_來形成一位址線之全部 :::=:成，低了在所得平板_ =:

歹J之間之特性上不同的可能性。 豕I W6862.doc -27- 1317054 除了降低由-給定光點而導致之非均—性的消極_， 本發明之本實施例亦將降低在光點607之組中發生之㈣ -性的消極影響。因為與一單個光點所致之非均—性相 比，人眼傾向於更強地察覺由一組光點所致之非均一性， 所以本發明之本實施例係特別關於非均一性之可見 内容。 彰B的 替代以z字形運動移動基板，基板可與掃描方向（以 成一角度而置放於基板台106上。其可解決用來形成 定位址線之大部分或全部之給定光點咖的問題。铁而， 其不太可能在所得平板顯示器的使用者觀看時降低非均一 性之顯目性。 -〃 j 術S吾Z子形吾人所並非意欲音神| ‘ 宏由较知 明基板在一規則鋸齒形圖 案中移動，而是意欲意謂基板在· 方向之改變。 &轉受複數次掃描 結論 雖然在上文中已描述了本發明 解其僅以實例形式呈;見Η 各種實施例’但是應理 顯而易見叮卢 並非限制。熟習相關技術者將 發明在形式上與細節上作出各2神及乾4的狀況下對本 又h圍不應由任何上述 ^ 據下文中之申請專利* 霄把例所限制’而應僅根 庫瞭解圍與其等效物而界定。 應瞭解，；&人使用實施方八 部分解釋申請專利範圍。在發二非發明内容與發明摘要 闡明-或多個但並非全部與發明摘要部分中可 者所思考之本發明之例示性 I06862.doc -28. 1317054 霄施例，且因此，吾人並非所欲以 及所附之申請專利範圍。 '來限制本發明 f圓式簡單說明】 圖1係描繪根據本發明之一實施例之—微影裝置。 圖2係根據本發明之一實施 劑量之說明。 在❹曝Μ中應用- 中根據本發明之—實施例之靠近在—所要均一圖案 之銜接線的銜接干擾的圖形說明。 V 5凡《六| 〇 圖5係一根據本發明之一番 ^貝施例之一微影裝置的方塊 0 二:圖仆、圖4c、圖州及圖钧係根據本發明之一實施 例之—隔離暗線之銜接干擾的效果的說明 圖 畑增、根據本發明 管代只轭例之一微影裝置。 。不意性描缚圖6中所展示之微影裝置之運作。 圖8示意性描緣本發明之替代實施例之實施。 將參看附圖描述本發明。. _ + ^在圖式中，類似參考數字玎# 不相同或功能類似之元件。 【主要元件符號說明】 100 102 104 106 108 微影投影裝置 幸虽射系統 個別可控元件陣列 基板台 投影系統 射束 106862.doc -29- 110

Claims (1)

1. 曰修(更)正衣

   13170#142299號專利申請案 ； 中文申請專利範圍替換本(96年3月） 十、申請專利範圍： 1. 一種微影裝置，其包含： 一照明系統，其供應一輻射束； 一圖案化器件，其圖案化該射束； 一投影系統，其將該射束投影至該基板之 上；及 网變器件，其調變該 案’該調變方式降低圖案假影之能見度 2. 如請求項1之裝置，其中該調變器件係該照明系統之一 部分。 3. 之裝置’其中該囷案化器件包含-*別可控 4. ΠΓ3之裝里，其中該綱*器件係51置《將該調* %愿用至該個別可控元件陣列之元件。 5 _如明求項i之裝置，其中 件陣列。 ^件包含該個別可控元

   6.如吻求項1之裝置，其中該調變器件係念 =該基板之間之該輻射束的光徑上_置在該照明系 I ΐ = Γ之裝置’其中該調變器件係安置在該照明系 統與5亥圖案化器件之間。 8·如請求項6之裝置，其中 器件與該基板之間。調變1^件係安置在該圖案化 :求項1之裝置’其中該調變器件 應用至該輻射束》 預疋调變方式 106862-960320.doc 1317054 1 ο ·如請求項1 只1之裝置，其中該調變器件將一隨機調變方式 應用至1亥轉射束。 裝置’其中該調變器件調變該輻射束之振 11.如請求項i之 幅。 12.如請求項1夕# $ 之脈 <展置，其中該調變器件調變該輻射束 衝頻率。 I3·如請求項1之裝置，其進一步包含： 控制器，其根據該輻射束之該圖案選擇一調變方 式。 14 ·如請求項1 # ^ 、 置，其中該調變器件係經配置以在該賴 射：之横戴面之一部分上調變該輻射束。 15. 如°月求項14之裝置，其中該調變器件係經配置以僅在該 輻射束之周邊調變該輻射束。 16. —種在—基板上投影輻射之方法，其包含： 圖案化一輻射束；

   調變該輻射束；及 目標 將該經圖案化及經調變之輕射束投影至一基板之 區上；其中 該經調變之輻射束係用以降低圖案假影之能見度。 17. 如請求項16之方法’其中使用一個別可 該射束一圖案。 干aΗ予 18·如清求項16之方法 該輻射束。 、中在賦予該射束—圖案之前鋼變 19·如請求項16之方法，其中在已賦予該射束一圖案之後調 106862-960320.doc 1317054 變該輻射束。 20·如請求項16之方法，其中該調變該輻射束之步驟包含調 變該輻射束之振幅。 21. 如請求項16之方法，其中該調變該輕射束之步驟包含調 變該輻射束之一頻率。 22. —種微影裝置，其包含： 一照明系統，其供應一輕射束；

   一個別可控元件陣列，其與該輻射相互作用； 一投影系統，其將複數個輻射束投影至該基板上；及 一基板台，其經配置以相對於該等複數個輻射束而掃 描該基板，使得該基板經受複數個掃描方向之改變。 23. 如請求項22之裝置，其中該基板台可經配置以在一相對 於該基板之-邊緣成一第一角度的第—方向上掃描該基 板，然後在-相對於該基板之該邊緣成U度的第 二方向上掃描該基板。 24. 如請求項23之裝置，其中該基板台係經配置以然後在一 相對於該基板之該邊緣成-第三角度之第三方向上掃描 該基板。 25. 如請求項23之裝置’其中該基板台係經配置以然後再次 在該第m掃描該基板，且然後再:欠在該第二方向 上掃描該基板。 26. —種微影裝置，其包含： 一照明系統，其供應一輻射束； 一個別可控元件陣列，其與該輻射相互作用； 106862-960320.doi 13 ”054 讀 〜投影系統’其將複數個輻射束投 〜基板台’其經配置以接收一基板 基板之一邊緣非平行於該基板台 向 〜至該基板上；及 ’其係經定位使得 之運動之一掃描方 27,

   種在一基板上投影輻射之方法，其包含· 在一個別可控元件陣列上引導一輻射束. :用=影系統以將該所得輕射作為複數 知至一基板上；及 “ ㈣錢板，使㈣基板經受掃描方 向之複數個改變。 2δ·—在一基板上投影輻射之方法，其包含· 在—個別可控元件陣列上引導，束； 影==系Γ將該所得輕射作為複數個轄射束投 在一掃描運動中以 移動該基板。 非平行於該基板之一邊緣之方向 106862-960320.doc 1317054 ，- » 卜年⑽a献替換頁 ^-300 302 306 304

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   線寬對X

   圖4E i +月6親更)正替換頁 13 17^5^142299號專利申請案 ' 中文說明書替換頁(96年3月） 七、指定代表圖： (一) 本案指定代表圖為：第（5)圖。 (二) 本代表圖之元件符號簡單說明： * 500 微影裝置 502 GDSII檔案 504 資料路徑 506 光學系統 508 隨機產生器

   512 基板 八、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式： (無）

   106862-960320.doc