JP2001217178A - 露光装置及びデバイス製造方法 - Google Patents
露光装置及びデバイス製造方法Info
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70066—Size and form of the illuminated area in the mask plane, e.g. reticle masking blades or blinds
-
- G—PHYSICS
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
-
- G—PHYSICS
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70475—Stitching, i.e. connecting image fields to produce a device field, the field occupied by a device such as a memory chip, processor chip, CCD, flat panel display
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 第一の走査による露光と、第二の走査による
露光との接続部分の露光量ムラを減らす。 【手段】 原版であるレチクル３に形成されたレチクル
パターンをレーザ光源１により感光体としてのウエハ５
上に転写する照明系と、レーザ光源１による照明領域を
設定する絞り２と、レチクル３及びウエハ５を所定の走
査方向に同期走査する機構とを有し、レチクル３及びウ
エハ５の同期走査による露光と、走査方向と交差する方
向へのウエハ５の相対的移動とを繰り返し、各露光領域
が接続された転写パターンをウエハ５上に形成するに際
して、レチクル３及びウエハ５の同期走査時に、走査方
向に対し垂直な方向の照明領域を設定する絞り２を、前
記照明系の光軸に対し垂直な面内で、走査方向と交差す
る方向に駆動しながら露光を行うための絞り駆動機構を
備えている。
露光との接続部分の露光量ムラを減らす。 【手段】 原版であるレチクル３に形成されたレチクル
パターンをレーザ光源１により感光体としてのウエハ５
上に転写する照明系と、レーザ光源１による照明領域を
設定する絞り２と、レチクル３及びウエハ５を所定の走
査方向に同期走査する機構とを有し、レチクル３及びウ
エハ５の同期走査による露光と、走査方向と交差する方
向へのウエハ５の相対的移動とを繰り返し、各露光領域
が接続された転写パターンをウエハ５上に形成するに際
して、レチクル３及びウエハ５の同期走査時に、走査方
向に対し垂直な方向の照明領域を設定する絞り２を、前
記照明系の光軸に対し垂直な面内で、走査方向と交差す
る方向に駆動しながら露光を行うための絞り駆動機構を
備えている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子、液晶
表示素子、薄膜磁気へッド等をリソグラフィ工程にて製
造する際に使用される露光装置及びデバイス製造方法に
関する。
表示素子、薄膜磁気へッド等をリソグラフィ工程にて製
造する際に使用される露光装置及びデバイス製造方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子等をリソグラフィ工程で製造
する際には、光源が発する露光光を転写用パターンが形
成されたマスクに照射し、投影光学系を介して感光体上
に投影する露光装置が使用されている。
する際には、光源が発する露光光を転写用パターンが形
成されたマスクに照射し、投影光学系を介して感光体上
に投影する露光装置が使用されている。
【０００３】半導体素子等の高画角化に対応するため
に、従来よりマスク及び感光体を同期して走査させなが
ら露光を行い、照明領域より広い領域の転写用パターン
を感光体上に投影する方式が用いられていた。
に、従来よりマスク及び感光体を同期して走査させなが
ら露光を行い、照明領域より広い領域の転写用パターン
を感光体上に投影する方式が用いられていた。
【０００４】近年では、さらなる高画角化を実現するた
めに、スティッチング法と呼ばれる以下の方法が用いら
れるようになった（図３参照）。 ［ステップ３１］マスク、及び感光体を同期走査させな
がら、露光光源より露光光を発光し、第一走査による露
光領域の露光を行う。 ［ステップ３２］第二の露光のため、感光体を走査方向
に対し垂直な方向へ移動させる。 ［ステップ３３］マスク、及び感光体を同期走査させな
がら、露光光源より露光光を発光し、第一露光領域に接
する第二露光領域の露光を第二走査によって行う。第一
露光領域と第二露光領域はいわゆるスティッチングによ
って接続されて、結果として合計の大きな転写パターン
（１つの電子回路を構成する）が転写される。
めに、スティッチング法と呼ばれる以下の方法が用いら
れるようになった（図３参照）。 ［ステップ３１］マスク、及び感光体を同期走査させな
がら、露光光源より露光光を発光し、第一走査による露
光領域の露光を行う。 ［ステップ３２］第二の露光のため、感光体を走査方向
に対し垂直な方向へ移動させる。 ［ステップ３３］マスク、及び感光体を同期走査させな
がら、露光光源より露光光を発光し、第一露光領域に接
する第二露光領域の露光を第二走査によって行う。第一
露光領域と第二露光領域はいわゆるスティッチングによ
って接続されて、結果として合計の大きな転写パターン
（１つの電子回路を構成する）が転写される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来技術においては、第一の走査による露光と、第二の走
査による露光との接続部分に露光ムラが発生する可能性
があった。図１４に、従来技術に基づき露光を行った場
合の、走査方向に対し垂直な方向における切断面の露光
量分布を示す。接続部では重なりが無く且つ隙間も無い
事が理想である。しかし、機構の精度などにより、必ず
しも理想通りにはいかない場合がある。図１４（ａ）
は、第一の走査による露光と、第二の走査による露光と
により、露光の接続部に露光の重なり部分Ａ1 が生じた
状態を示す。この場合、部分Ａ1 の露光量が他の位置の
露光量より大きくなる。一方、図１４（ｂ）は、第一の
走査による露光と、第二の走査による露光とにより、露
光の接続部に隙間が生じて露光が得られなかった部分Ａ
0 が存在する状態を示す。この場合、部分Ａ0 では露光
不良となる。
来技術においては、第一の走査による露光と、第二の走
査による露光との接続部分に露光ムラが発生する可能性
があった。図１４に、従来技術に基づき露光を行った場
合の、走査方向に対し垂直な方向における切断面の露光
量分布を示す。接続部では重なりが無く且つ隙間も無い
事が理想である。しかし、機構の精度などにより、必ず
しも理想通りにはいかない場合がある。図１４（ａ）
は、第一の走査による露光と、第二の走査による露光と
により、露光の接続部に露光の重なり部分Ａ1 が生じた
状態を示す。この場合、部分Ａ1 の露光量が他の位置の
露光量より大きくなる。一方、図１４（ｂ）は、第一の
走査による露光と、第二の走査による露光とにより、露
光の接続部に隙間が生じて露光が得られなかった部分Ａ
0 が存在する状態を示す。この場合、部分Ａ0 では露光
不良となる。
【０００６】本発明は、上記従来技術の更なる改良を図
り、第一の走査による露光と、第二の走査による露光と
の接続部分の露光ムラを低減させることができる露光装
置及びデバイス製造方法を提供することを目的とする。
り、第一の走査による露光と、第二の走査による露光と
の接続部分の露光ムラを低減させることができる露光装
置及びデバイス製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記従来技術
における課題を解決するために、原版に形成されたパタ
ーンを露光光により感光体上に転写する照明系と、前記
露光光による照明領域を設定する絞りと、前記原版及び
前記感光体を所定の走査方向に同期走査する機構と有
し、前記原版及び前記感光体の同期走査による露光と、
前記走査方向と交差する方向への前記感光体の相対的移
動とを繰り返して、各露光領域が接続された転写パター
ンを前記感光体上に形成する露光装置において、前記原
版及び前記感光体の同期走査時に、前記走査方向に対し
垂直な方向の照明領域を設定する前記絞りを、前記照明
系の光軸に対し垂直な面内で、前記走査方向と交差する
方向に駆動しながら露光を行うための絞り駆動機構を備
えていることを特徴とする。
における課題を解決するために、原版に形成されたパタ
ーンを露光光により感光体上に転写する照明系と、前記
露光光による照明領域を設定する絞りと、前記原版及び
前記感光体を所定の走査方向に同期走査する機構と有
し、前記原版及び前記感光体の同期走査による露光と、
前記走査方向と交差する方向への前記感光体の相対的移
動とを繰り返して、各露光領域が接続された転写パター
ンを前記感光体上に形成する露光装置において、前記原
版及び前記感光体の同期走査時に、前記走査方向に対し
垂直な方向の照明領域を設定する前記絞りを、前記照明
系の光軸に対し垂直な面内で、前記走査方向と交差する
方向に駆動しながら露光を行うための絞り駆動機構を備
えていることを特徴とする。
【０００８】また、本発明は、原版に形成されたパター
ンを露光光により感光体上に転写する照明系と、前記露
光光による照明領域を設定する絞りと、前記感光体を所
定の方向に移動させる機構とを具備し、静止一括露光
と、前記感光体の相対的移動とを繰り返して各露光領域
が接続された転写パターンを前記感光体上に形成する露
光装置において、静止一括露光時に、前記照明系の光軸
に対し垂直な面内で、前記絞りを駆動しながら露光を行
うための絞り駆動機構を備えていることを特徴としても
よい。また、本発明に係わるデバイス製造方法は、感光
体上の第１領域にパターンを露光転写する第１行程と、
前記第１領域と接する第２領域にパターンを露光転写す
る第２行程とによって、前記第１および第２領域が接続
された転写パターンを形成する際に、前記第１および第
２領域の接続部分の露光量のムラを軽減するように露光
制御することを特徴とする。
ンを露光光により感光体上に転写する照明系と、前記露
光光による照明領域を設定する絞りと、前記感光体を所
定の方向に移動させる機構とを具備し、静止一括露光
と、前記感光体の相対的移動とを繰り返して各露光領域
が接続された転写パターンを前記感光体上に形成する露
光装置において、静止一括露光時に、前記照明系の光軸
に対し垂直な面内で、前記絞りを駆動しながら露光を行
うための絞り駆動機構を備えていることを特徴としても
よい。また、本発明に係わるデバイス製造方法は、感光
体上の第１領域にパターンを露光転写する第１行程と、
前記第１領域と接する第２領域にパターンを露光転写す
る第２行程とによって、前記第１および第２領域が接続
された転写パターンを形成する際に、前記第１および第
２領域の接続部分の露光量のムラを軽減するように露光
制御することを特徴とする。
【０００９】
【発明の実施の形態および作用】本発明に係わる露光装
置は、走査方向に対し垂直な方向の照明領域を設定する
視野絞りを、照明光学系の光軸に対し垂直な面内で、走
査方向に対し垂直な方向へ駆動しながら、マスク及び感
光体の同期走査による露光を行う手段を用いることがで
きる。
置は、走査方向に対し垂直な方向の照明領域を設定する
視野絞りを、照明光学系の光軸に対し垂直な面内で、走
査方向に対し垂直な方向へ駆動しながら、マスク及び感
光体の同期走査による露光を行う手段を用いることがで
きる。
【００１０】図２（ａ）に示すように、照明領域を設定
する視野絞りは、独立駆動可能な４枚の羽根で構成され
る。ここで、Ｂｕ，Ｂｄは走査方向の照明領域幅Ｌｙを
設定する羽根、Ｂｌ，Ｂｒは走査方向に対し垂直な方向
の照明領域幅Ｌｘを設定する羽根である。
する視野絞りは、独立駆動可能な４枚の羽根で構成され
る。ここで、Ｂｕ，Ｂｄは走査方向の照明領域幅Ｌｙを
設定する羽根、Ｂｌ，Ｂｒは走査方向に対し垂直な方向
の照明領域幅Ｌｘを設定する羽根である。
【００１１】走査方向の照明領域を設定する羽根Ｂｕ，
Ｂｄは露光中固定とし、走査方向に対して垂直な方向の
照明領域を設定する羽根Ｂｌ，Ｂｒは、各走査において
露光の接続部側に相当する場合に駆動しながら露光を行
う手段を用いることが可能である。
Ｂｄは露光中固定とし、走査方向に対して垂直な方向の
照明領域を設定する羽根Ｂｌ，Ｂｒは、各走査において
露光の接続部側に相当する場合に駆動しながら露光を行
う手段を用いることが可能である。
【００１２】図３は、第一走査による露光と第二走査に
よる露光とにより、露光フィールドより広い領域を露光
する場合の、本発明における露光シーケンスを示す。
よる露光とにより、露光フィールドより広い領域を露光
する場合の、本発明における露光シーケンスを示す。
【００１３】［ステップ２１］視野絞りの振動周波数Ｆ
を、同期走査速度Ｖ、及び走査方向の照明領域幅Ｌｙよ
り、任意の自然数Ｎを用いて、Ｆ＝Ｎ×Ｖ／Ｌｙにより
決定することができる。
を、同期走査速度Ｖ、及び走査方向の照明領域幅Ｌｙよ
り、任意の自然数Ｎを用いて、Ｆ＝Ｎ×Ｖ／Ｌｙにより
決定することができる。
【００１４】［ステップ２２］第一の同期走査において
は、接続部側（右側）に相当する視野絞りの部分である
羽根Ｂｒを、周波数Ｆ、振幅Ｌａにて、走査方向に対し
て垂直方向に駆動させながら露光を行う。
は、接続部側（右側）に相当する視野絞りの部分である
羽根Ｂｒを、周波数Ｆ、振幅Ｌａにて、走査方向に対し
て垂直方向に駆動させながら露光を行う。
【００１５】［ステップ２３］第二の同期走査において
は、接続部側（左側）に相当する視野絞りの部分である
羽根Ｂｌを、周波数Ｆ、振幅Ｌａにて、走査方向に対し
て垂直方向に駆動しながら露光を行う。
は、接続部側（左側）に相当する視野絞りの部分である
羽根Ｂｌを、周波数Ｆ、振幅Ｌａにて、走査方向に対し
て垂直方向に駆動しながら露光を行う。
【００１６】本発明の作用効果を詳しく述べる。ステッ
プ２１において、Ｌｙ／Ｖは感光体上の任意の点が照明
領域を通過するのに要する時間を表す。すなわち、ステ
ップ２１に基づき視野絞りの駆動周波数Ｆを決定するこ
とにより、感光体上の任意の点が照明領域を通過する間
に、視野絞りは常にＮ回の周期的駆動を行うように設定
できる。
プ２１において、Ｌｙ／Ｖは感光体上の任意の点が照明
領域を通過するのに要する時間を表す。すなわち、ステ
ップ２１に基づき視野絞りの駆動周波数Ｆを決定するこ
とにより、感光体上の任意の点が照明領域を通過する間
に、視野絞りは常にＮ回の周期的駆動を行うように設定
できる。
【００１７】一例として、視野絞りに正弦波状の周期的
駆動を与えた場合の、時間ｔに対する走査方向に対し垂
直な方向の照明領域幅Ｌｘ（ｔ）の関係を図４（ａ）に
示す。図４（ａ）ではＮ＝１とし、感光体上の任意の点
が照明領域を通過する間に、視野絞りはＮ＝１回の周期
的駆動を行うことを併せて示している。このため、本手
段を用いた場合、走査方向に対し垂直な方向の任意の切
断面において図４（ｂ）に示す露光量分布が得られる。
駆動を与えた場合の、時間ｔに対する走査方向に対し垂
直な方向の照明領域幅Ｌｘ（ｔ）の関係を図４（ａ）に
示す。図４（ａ）ではＮ＝１とし、感光体上の任意の点
が照明領域を通過する間に、視野絞りはＮ＝１回の周期
的駆動を行うことを併せて示している。このため、本手
段を用いた場合、走査方向に対し垂直な方向の任意の切
断面において図４（ｂ）に示す露光量分布が得られる。
【００１８】第一走査による露光と第二走査による露光
でこれらの露光量漸次低下領域を重ね合わせることによ
り、図５に示すとおり、接続部の露光量ムラを低減させ
ることが可能となる。
でこれらの露光量漸次低下領域を重ね合わせることによ
り、図５に示すとおり、接続部の露光量ムラを低減させ
ることが可能となる。
【００１９】なお、視野絞りの駆動方法としては、正弦
波状の周期的駆動に限らず、例えば三角波状の周期的駆
動等の種々のものを用いることができる。視野絞りを三
角波状に周期的駆動した場合の、時間ｔに対する露光領
域幅Ｌｘの関係を図６（ａ）に、これにより得られる走
査方向に対し垂直な方向の任意の切断面における露光量
分布を図６（ｂ）に示す。この場合の第一走査と第二走
査による露光の重ね合わせを図７に示す。
波状の周期的駆動に限らず、例えば三角波状の周期的駆
動等の種々のものを用いることができる。視野絞りを三
角波状に周期的駆動した場合の、時間ｔに対する露光領
域幅Ｌｘの関係を図６（ａ）に、これにより得られる走
査方向に対し垂直な方向の任意の切断面における露光量
分布を図６（ｂ）に示す。この場合の第一走査と第二走
査による露光の重ね合わせを図７に示す。
【００２０】また、マスク及び感光体の走査と同期を取
らずに視野絞りを周期的駆動した場合、あるいは、視野
絞りを完全にランダムに駆動した場合においても、確率
的に接続部の露光量ムラを低減させることが可能とな
る。
らずに視野絞りを周期的駆動した場合、あるいは、視野
絞りを完全にランダムに駆動した場合においても、確率
的に接続部の露光量ムラを低減させることが可能とな
る。
【００２１】３度以上の走査により露光を行い、両側が
露光接続部になる場合においては、同時に両方の視野絞
りの部分Ｂｌ，Ｂｒを駆動しながら露光を行い、それ以
外は、前述した通り、露光接続部に相当する側の視野絞
りの部分のみを駆動しながら露光を行うことにより、接
続部の露光量ムラが低減した露光を実現できる。
露光接続部になる場合においては、同時に両方の視野絞
りの部分Ｂｌ，Ｂｒを駆動しながら露光を行い、それ以
外は、前述した通り、露光接続部に相当する側の視野絞
りの部分のみを駆動しながら露光を行うことにより、接
続部の露光量ムラが低減した露光を実現できる。
【００２２】本発明では露光光源として、水銀灯等の連
続発行型のものにおいても、あるいは、ＡｒＦエキシマ
レーザ、ＫｒＦエキシマレーザ等のパルス発光型のもの
においても効果を得ることができる。
続発行型のものにおいても、あるいは、ＡｒＦエキシマ
レーザ、ＫｒＦエキシマレーザ等のパルス発光型のもの
においても効果を得ることができる。
【００２３】特に、パルス発光型の光源を用いた場合
は、パルス発光周波数と視野絞りの駆動周波数とを同期
させることにより、本発明の効果をさらに向上させるこ
とができる。
は、パルス発光周波数と視野絞りの駆動周波数とを同期
させることにより、本発明の効果をさらに向上させるこ
とができる。
【００２４】
【実施例】（第一の実施例）図１は本発明の第一の実施
例に係わる露光装置を示す概略構成図である。同図にお
いて、１は露光光源であるＡｒＦ等のエキシマレーザ光
源、２は照明領域を設定する視野絞り、３は集積回路パ
ターンが形成された原版としてのレチクル、４は投影倍
率αの投影光学系、５は感光体としてのウエハ（半導体
基板やガラス基板）である。そして、レチクル３上に形
成された集積回路パターンは、投影光学系４を介してウ
エハ５上に投影露光されるようになっている。６は露光
量計測センサである。
例に係わる露光装置を示す概略構成図である。同図にお
いて、１は露光光源であるＡｒＦ等のエキシマレーザ光
源、２は照明領域を設定する視野絞り、３は集積回路パ
ターンが形成された原版としてのレチクル、４は投影倍
率αの投影光学系、５は感光体としてのウエハ（半導体
基板やガラス基板）である。そして、レチクル３上に形
成された集積回路パターンは、投影光学系４を介してウ
エハ５上に投影露光されるようになっている。６は露光
量計測センサである。
【００２５】７はレチクル３を保持するレチクルステー
ジ、８はウエハ５を保持するウエハステージである。９
はレチクルステージ７を、ＸＹ平面方向、回転方向へ駆
動するレチクルステージ駆動系、１０はウエハステージ
８を、ＸＹ平面方向、回転方向へ駆動するウエハステー
ジ駆動系である。
ジ、８はウエハ５を保持するウエハステージである。９
はレチクルステージ７を、ＸＹ平面方向、回転方向へ駆
動するレチクルステージ駆動系、１０はウエハステージ
８を、ＸＹ平面方向、回転方向へ駆動するウエハステー
ジ駆動系である。
【００２６】レチクルステージ７及びウエハステージ８
は、レーザ干渉計１１，１２によりそれぞれの位置を測
定することができる。１３は主制御系であり、この主制
御系１３は、レチクルステージ７、及びウエハステージ
８の位置制御と、レーザ光源１の発光制御とを行う。
は、レーザ干渉計１１，１２によりそれぞれの位置を測
定することができる。１３は主制御系であり、この主制
御系１３は、レチクルステージ７、及びウエハステージ
８の位置制御と、レーザ光源１の発光制御とを行う。
【００２７】照明領域は視野絞り２によって設定され
る。図２（ａ）に示す通り、視野絞り２は独立駆動可能
な４枚の羽根で構成される。Ｂｕ，Ｂｄは走査方向の照
明領域幅Ｌｙを設定するための羽根、Ｂｌ，Ｂｒは走査
方向に対し直角をなして交差する垂直方向の照明領域幅
Ｌｘを設定するための羽根である。図２（ｂ）は視野絞
り２を用いて、円形の投影光学系に、走査方向に幅Ｌ
ｙ、走査方向に対し垂直な方向に幅Ｌｘの照明領域を設
定した状態を示す。
る。図２（ａ）に示す通り、視野絞り２は独立駆動可能
な４枚の羽根で構成される。Ｂｕ，Ｂｄは走査方向の照
明領域幅Ｌｙを設定するための羽根、Ｂｌ，Ｂｒは走査
方向に対し直角をなして交差する垂直方向の照明領域幅
Ｌｘを設定するための羽根である。図２（ｂ）は視野絞
り２を用いて、円形の投影光学系に、走査方向に幅Ｌ
ｙ、走査方向に対し垂直な方向に幅Ｌｘの照明領域を設
定した状態を示す。
【００２８】本実施例に係わる露光装置は、レチクル３
及びウエハ５の同期走査時に、走査方向に対し垂直な方
向の照明領域を設定する視野絞り２を、照明光学手段の
光軸に対し垂直な面内で、走査方向と垂直に交差する方
向に駆動させながら露光を行うための視野絞り駆動手段
を備えている。この視野絞り駆動手段による駆動は、羽
根Ｂｌ及び羽根Ｂｒの両方またはいずれか任意の一方を
正弦波状に振動させて行うことが可能である。
及びウエハ５の同期走査時に、走査方向に対し垂直な方
向の照明領域を設定する視野絞り２を、照明光学手段の
光軸に対し垂直な面内で、走査方向と垂直に交差する方
向に駆動させながら露光を行うための視野絞り駆動手段
を備えている。この視野絞り駆動手段による駆動は、羽
根Ｂｌ及び羽根Ｂｒの両方またはいずれか任意の一方を
正弦波状に振動させて行うことが可能である。
【００２９】本実施例に係わる露光装置を用いたステッ
プアンドスキャン法によって、第一走査による露光と第
二走査による露光とにより、露光フィールドより広い領
域を露光する場合の露光シーケンスの一例について、図
３を参照しながら説明する。
プアンドスキャン法によって、第一走査による露光と第
二走査による露光とにより、露光フィールドより広い領
域を露光する場合の露光シーケンスの一例について、図
３を参照しながら説明する。
【００３０】［ステップ１］設定露光量より、レチクル
ステージ７とウエハステージ８の同期走査速度、レーザ
光源１の出力エネルギ、及び発振周波数を決定する。 ［ステップ２］視野絞り２により、走査方向の照明領域
幅Ｌｙ、走査方向に対し垂直な方向の照明領域幅Ｌｘを
設定する。ただし、照明領域幅Ｌｘは、駆動の中心とな
る照明領域幅である。 ［ステップ３］レチクルステージ７の駆動速度Ｖ、照明
領域幅Ｌｙより、視野絞り２の駆動周波数Ｆを求める。
この駆動周波数Ｆは、任意の整数Ｎを用いてＦ＝Ｎ×Ｖ
／Ｌｙにより求められる。 ［ステップ４］レチクル３とウエハ５の、第一の走査の
ための位置合わせを行う。 ［ステップ５］レチクルステージ７を速度ＶでＹ方向
に、ウエハステージ８を速度αＶで−Ｙ方向にそれぞれ
等速駆動し、また、視野絞りＢｒをステップ３で求めた
駆動周波数Ｆで、走査方向に対し垂直な方向に正弦波状
に駆動しながら、一定間隔でレーザ光源１からレーザを
発光し露光を行う。 ［ステップ６］走査方向に対し垂直な方向に、ウエハス
テージ８を距離αＬｘだけ移動させるためにステップ駆
動する。 ［ステップ７］必要に応じて、レチクル３を他のレチク
ルと交換する。 ［ステップ８］レチクル３とウエハ５の、第二の走査の
ための位置合わせを行う。 ［ステップ９］レチクルステージ７を速度Ｖで−Ｙ方向
（あるいはＹ方向）に、ウエハステージ８を速度αＶで
Ｙ方向（あるいは−Ｙ方向）にそれぞれ等速駆動させ、
また、視野絞り駆動手段による駆動を行って、視野絞り
Ｂｌをステップ３で求めた振動周波数Ｆにて、走査方向
に対し垂直な方向に正弦波状に振動させながら、一定間
隔でレーザ光源１からレーザ光を発して露光を行う。
ステージ７とウエハステージ８の同期走査速度、レーザ
光源１の出力エネルギ、及び発振周波数を決定する。 ［ステップ２］視野絞り２により、走査方向の照明領域
幅Ｌｙ、走査方向に対し垂直な方向の照明領域幅Ｌｘを
設定する。ただし、照明領域幅Ｌｘは、駆動の中心とな
る照明領域幅である。 ［ステップ３］レチクルステージ７の駆動速度Ｖ、照明
領域幅Ｌｙより、視野絞り２の駆動周波数Ｆを求める。
この駆動周波数Ｆは、任意の整数Ｎを用いてＦ＝Ｎ×Ｖ
／Ｌｙにより求められる。 ［ステップ４］レチクル３とウエハ５の、第一の走査の
ための位置合わせを行う。 ［ステップ５］レチクルステージ７を速度ＶでＹ方向
に、ウエハステージ８を速度αＶで−Ｙ方向にそれぞれ
等速駆動し、また、視野絞りＢｒをステップ３で求めた
駆動周波数Ｆで、走査方向に対し垂直な方向に正弦波状
に駆動しながら、一定間隔でレーザ光源１からレーザを
発光し露光を行う。 ［ステップ６］走査方向に対し垂直な方向に、ウエハス
テージ８を距離αＬｘだけ移動させるためにステップ駆
動する。 ［ステップ７］必要に応じて、レチクル３を他のレチク
ルと交換する。 ［ステップ８］レチクル３とウエハ５の、第二の走査の
ための位置合わせを行う。 ［ステップ９］レチクルステージ７を速度Ｖで−Ｙ方向
（あるいはＹ方向）に、ウエハステージ８を速度αＶで
Ｙ方向（あるいは−Ｙ方向）にそれぞれ等速駆動させ、
また、視野絞り駆動手段による駆動を行って、視野絞り
Ｂｌをステップ３で求めた振動周波数Ｆにて、走査方向
に対し垂直な方向に正弦波状に振動させながら、一定間
隔でレーザ光源１からレーザ光を発して露光を行う。
【００３１】本実施例に係わる露光装置を用いることに
より、第一の走査による露光と、第二の走査による露光
との接続部分の露光量ムラを確実に低減させて、接続領
域と他の露光領域の合計露光量を概ね同一とすることが
可能となる（図４，図５参照）。視野絞り２の駆動方法
としては、正弦波状の周期的駆動に限らず、例えば、三
角波状の周期的駆動等の種々のものを用いることができ
る（図６，図７参照）。
より、第一の走査による露光と、第二の走査による露光
との接続部分の露光量ムラを確実に低減させて、接続領
域と他の露光領域の合計露光量を概ね同一とすることが
可能となる（図４，図５参照）。視野絞り２の駆動方法
としては、正弦波状の周期的駆動に限らず、例えば、三
角波状の周期的駆動等の種々のものを用いることができ
る（図６，図７参照）。
【００３２】（第二の実施例）一般に、露光光源として
エキシマレーザ等のパルス発光型のものを用いた場合、
得られるレーザパルスの照度分布は均一ではなく、図８
に示すように照度ムラが発生している。複数パルスで露
光を行う場合、レーザパルスの照度ムラを低減させるた
め、位相をずらして露光を重ね合わせることが望まし
い。
エキシマレーザ等のパルス発光型のものを用いた場合、
得られるレーザパルスの照度分布は均一ではなく、図８
に示すように照度ムラが発生している。複数パルスで露
光を行う場合、レーザパルスの照度ムラを低減させるた
め、位相をずらして露光を重ね合わせることが望まし
い。
【００３３】本発明の第二の実施例に係わる露光装置
は、図９に示すように、第二走査における視野絞り２の
駆動の軌跡を、それに接続する第一走査における視野絞
りの駆動の軌跡と一致させる視野絞り駆動手段が用いら
れる。図９では、一例として、第一走査で正弦波状に視
野絞り２の羽根Ｂｒを駆動し、第二走査で視野絞り２の
羽根Ｂｌを同じ軌跡上を正弦波状に駆動する状態を示し
ている。ただし、第二走査での走査方向は、＋Ｙ方向か
らでも、−Ｙ方向からでも良い。
は、図９に示すように、第二走査における視野絞り２の
駆動の軌跡を、それに接続する第一走査における視野絞
りの駆動の軌跡と一致させる視野絞り駆動手段が用いら
れる。図９では、一例として、第一走査で正弦波状に視
野絞り２の羽根Ｂｒを駆動し、第二走査で視野絞り２の
羽根Ｂｌを同じ軌跡上を正弦波状に駆動する状態を示し
ている。ただし、第二走査での走査方向は、＋Ｙ方向か
らでも、−Ｙ方向からでも良い。
【００３４】本実施例に係わる視野絞り駆動手段を用い
た場合の露光接続部における走査方向の露光位置とその
切断面の露光量との関係を図１０に示す。
た場合の露光接続部における走査方向の露光位置とその
切断面の露光量との関係を図１０に示す。
【００３５】本図では、第一走査による３パルスの露光
と、第二走査による４パルスの露光が、連続的な位相で
重ね合わされることを示している。切断面により、第一
走査による露光パルス数と第二走査による露光パルス数
は異なるが、常に連続的な位相で重ね合わされる。この
ため、露光接続部における露光量ムラを低減することが
できる。なお、露光接続部以外の均一露光領域において
は、一度の走査により常に図１０に示すのと同様な位相
ずれを持つ露光が得られる。
と、第二走査による４パルスの露光が、連続的な位相で
重ね合わされることを示している。切断面により、第一
走査による露光パルス数と第二走査による露光パルス数
は異なるが、常に連続的な位相で重ね合わされる。この
ため、露光接続部における露光量ムラを低減することが
できる。なお、露光接続部以外の均一露光領域において
は、一度の走査により常に図１０に示すのと同様な位相
ずれを持つ露光が得られる。
【００３６】なお、上記例において、露光量計測センサ
６を用いて露光量を計測し、その計測結果に基づいて、
視野絞り駆動手段による視野絞り２の羽根Ｂｌおよび羽
根Ｂｒの駆動の位置補正を行い、この位置補正により、
露光接続部の露光量補正を行うようにしても良い。
６を用いて露光量を計測し、その計測結果に基づいて、
視野絞り駆動手段による視野絞り２の羽根Ｂｌおよび羽
根Ｂｒの駆動の位置補正を行い、この位置補正により、
露光接続部の露光量補正を行うようにしても良い。
【００３７】また、走査途中での露光量に基づきその時
点での視野絞り２の位置補正を行うことも、前回の走査
において得られた露光量に基づき、次回の走査における
視野絞り２の位置補正を行うことも可能である。
点での視野絞り２の位置補正を行うことも、前回の走査
において得られた露光量に基づき、次回の走査における
視野絞り２の位置補正を行うことも可能である。
【００３８】（第三の実施例）本発明の第三の実施例で
は、露光接続部分に露光量ムラを発生させることなく、
静止一括露光型の露光装置を用いたステップアンドリピ
ート法によって照明領域より広い領域のレチクルパター
ンをウエハ５上に転写する手法が採用される。図１１
は、静止一括露光を正方形状に九つの領域１〜９に分け
て９回行うことにより露光を行う例を示す。図中の斜線
部は露光の接続部分を表す。
は、露光接続部分に露光量ムラを発生させることなく、
静止一括露光型の露光装置を用いたステップアンドリピ
ート法によって照明領域より広い領域のレチクルパター
ンをウエハ５上に転写する手法が採用される。図１１
は、静止一括露光を正方形状に九つの領域１〜９に分け
て９回行うことにより露光を行う例を示す。図中の斜線
部は露光の接続部分を表す。
【００３９】本実施例に係わる露光装置として、図１に
示した構成が使用可能である。本実施例に係わる露光装
置の視野絞り２の構成は図１２に示す。本実施例では、
視野絞り２の４枚の羽根Ｂｕ，Ｂｄ，Ｂｌ，Ｂｒのう
ち、露光の接続部側に相当する羽根Ｂｌ，Ｂｒを駆動
し、露光の非接続部側に相当する羽根Ｂｕ，Ｂｄを固定
する視野絞り駆動手段が用いられる。例えば、図１１に
示す領域１〜９のうちで領域１の静止一括露光時には、
露光の接続部の位置に対応して視野絞り２の羽根Ｂｄ，
Ｂｒを駆動し、領域５の静止一括露光時には、視野絞り
２の全ての羽根Ｂｕ，Ｂｄ，Ｂｌ，Ｂｒを駆動する視野
絞り駆動手段が用いられる。
示した構成が使用可能である。本実施例に係わる露光装
置の視野絞り２の構成は図１２に示す。本実施例では、
視野絞り２の４枚の羽根Ｂｕ，Ｂｄ，Ｂｌ，Ｂｒのう
ち、露光の接続部側に相当する羽根Ｂｌ，Ｂｒを駆動
し、露光の非接続部側に相当する羽根Ｂｕ，Ｂｄを固定
する視野絞り駆動手段が用いられる。例えば、図１１に
示す領域１〜９のうちで領域１の静止一括露光時には、
露光の接続部の位置に対応して視野絞り２の羽根Ｂｄ，
Ｂｒを駆動し、領域５の静止一括露光時には、視野絞り
２の全ての羽根Ｂｕ，Ｂｄ，Ｂｌ，Ｂｒを駆動する視野
絞り駆動手段が用いられる。
【００４０】一例として、静止一括露光中に、視野絞り
２を一定速度で外側へ駆動した場合に与えられる露光量
分布を図１３に表す。これらの光量漸次低下領域を図１
３に示すとおり重ね合わせることにより、露光接続部の
露光量ムラは低減することができる。
２を一定速度で外側へ駆動した場合に与えられる露光量
分布を図１３に表す。これらの光量漸次低下領域を図１
３に示すとおり重ね合わせることにより、露光接続部の
露光量ムラは低減することができる。
【００４１】なお、視野絞り２のその他の駆動方法とし
て、複数回の静止一括露光により与えられる各接続部の
総露光量が、設定露光量と等しくなる範囲で種々の設定
をすることができる。
て、複数回の静止一括露光により与えられる各接続部の
総露光量が、設定露光量と等しくなる範囲で種々の設定
をすることができる。
【００４２】また、露光量計測センサ６を用いて露光量
を計測し、それに基づいて視野絞り２の駆動の位置補正
を行うことにより、露光接続部の露光量補正を行うこと
ができる。
を計測し、それに基づいて視野絞り２の駆動の位置補正
を行うことにより、露光接続部の露光量補正を行うこと
ができる。
【００４３】
【デバイス生産方法の実施例】次に上記説明した露光装
置を利用したデバイスの生産方法の一実施例を説明す
る。図１５は微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チ
ップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロ
マシン等）の製造のフローを示す。ステップ１（回路設
計）ではデバイスのパターン設計を行う。ステップ２
（マスク製作）では設計したパターンを形成したマスク
（レチクル）を製作する。一方、ステップ３（ウエハ製
造）ではシリコンやガラス等の材料を用いてウエハを製
造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ば
れ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフ
ィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次の
ステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４
によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する
工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディ
ング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を
含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された
半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検
査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成
し、これが出荷（ステップ７）される。
置を利用したデバイスの生産方法の一実施例を説明す
る。図１５は微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チ
ップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロ
マシン等）の製造のフローを示す。ステップ１（回路設
計）ではデバイスのパターン設計を行う。ステップ２
（マスク製作）では設計したパターンを形成したマスク
（レチクル）を製作する。一方、ステップ３（ウエハ製
造）ではシリコンやガラス等の材料を用いてウエハを製
造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ば
れ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフ
ィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次の
ステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４
によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する
工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディ
ング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を
含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された
半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検
査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成
し、これが出荷（ステップ７）される。
【００４４】図１６は上記ウエハプロセスの詳細なフロ
ーを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶
縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ
上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオ
ン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１
５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ス
テップ１６（露光）では上記説明した露光装置または方
法によりマスクの回路パターンをウエハに焼付露光す
る。ステップ１７（現像）では露光したウエハを現像す
る。ステップ１８（エッチング）では現像したレジスト
像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥
離）ではエッチングが済んで不要となったレジストを取
り除く。これらのステップを繰り返し行うことにより、
ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
ーを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶
縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ
上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオ
ン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１
５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ス
テップ１６（露光）では上記説明した露光装置または方
法によりマスクの回路パターンをウエハに焼付露光す
る。ステップ１７（現像）では露光したウエハを現像す
る。ステップ１８（エッチング）では現像したレジスト
像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥
離）ではエッチングが済んで不要となったレジストを取
り除く。これらのステップを繰り返し行うことにより、
ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
【００４５】本実施例の生産方法を用いれば、従来は製
造が難しかった高集積度のデバイスを低コストに製造す
ることができる。
造が難しかった高集積度のデバイスを低コストに製造す
ることができる。
【００４６】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、第
一の走査による露光と、第二の走査による露光との接続
部分の露光量ムラを確実に低減させることが可能とな
る。
一の走査による露光と、第二の走査による露光との接続
部分の露光量ムラを確実に低減させることが可能とな
る。
【図１】 本発明の第一の実施例に係わる露光装置の概
略構成図である。
略構成図である。
【図２】 本発明の第一の実施例に係わる視野絞りの形
状、及び投影光学系上の照明領域を示す図である。
状、及び投影光学系上の照明領域を示す図である。
【図３】 本発明の第一の実施例に係わる第一走査によ
る露光と第二走査による露光とにより、照明領域より広
い領域を露光する手段を示す図である。
る露光と第二走査による露光とにより、照明領域より広
い領域を露光する手段を示す図である。
【図４】 本発明の第一の実施例に係わり、（ａ）が視
野絞りを正弦波状に周期的駆動した場合の露光領域幅Ｌ
ｘの変動を示し、（ｂ）がそれにより得られる走査方向
に対し垂直な方向の露光量分布を示す図である。
野絞りを正弦波状に周期的駆動した場合の露光領域幅Ｌ
ｘの変動を示し、（ｂ）がそれにより得られる走査方向
に対し垂直な方向の露光量分布を示す図である。
【図５】 本発明の第一の実施例に係わり、視野絞りを
正弦波状に周期的駆動させた場合の、走査方向に対して
垂直な方向の露光量の重ね合わせを示す図である。
正弦波状に周期的駆動させた場合の、走査方向に対して
垂直な方向の露光量の重ね合わせを示す図である。
【図６】 本発明の第一の実施例に係わり、（ａ）が視
野絞りを三角波状に周期的駆動をした場合の露光領域幅
Ｌｘの変動を示し、（ｂ）がそれにより得られる走査方
向に対し垂直な方向の露光量分布を示す図である。
野絞りを三角波状に周期的駆動をした場合の露光領域幅
Ｌｘの変動を示し、（ｂ）がそれにより得られる走査方
向に対し垂直な方向の露光量分布を示す図である。
【図７】 本発明の第一の実施例に係わり、視野絞りを
三角波状に周期的駆動させた場合の、走査方向に対して
垂直な方向の露光量の重ね合わせを示す図である。
三角波状に周期的駆動させた場合の、走査方向に対して
垂直な方向の露光量の重ね合わせを示す図である。
【図８】 本発明の第二の実施例に係わり、露光光源と
してエキシマレーザ等を用いた場合に発生するパルスの
照度ムラを示す図である。
してエキシマレーザ等を用いた場合に発生するパルスの
照度ムラを示す図である。
【図９】 本発明の第二の実施例に係わり、第一走査に
おける視野絞りの軌跡と、第二走査における視野絞りの
軌跡を一致させることを示す図である。
おける視野絞りの軌跡と、第二走査における視野絞りの
軌跡を一致させることを示す図である。
【図１０】 本発明の第二の実施例に係わり、第一走査
による露光と第二走査による露光により、露光接続部に
おけるパルス毎のムラが低減することを示す図である。
による露光と第二走査による露光により、露光接続部に
おけるパルス毎のムラが低減することを示す図である。
【図１１】 本発明の第三の実施例に係わり、複数回の
静止一括露光により照明領域より広い領域を露光する手
段を示す図である。
静止一括露光により照明領域より広い領域を露光する手
段を示す図である。
【図１２】 本発明の第三の実施例に係わる視野絞りの
形状を示す図である。
形状を示す図である。
【図１３】 本発明の第三の実施例に係わる露光量分布
を示す図である。
を示す図である。
【図１４】 従来技術による走査方向に対し垂直な方向
の露光量の重ね合わせを示す図である。
の露光量の重ね合わせを示す図である。
【図１５】 本発明に係わる露光装置または方法を利用
した半導体デバイスの製造方法の実施例を説明するため
のフローを示す。
した半導体デバイスの製造方法の実施例を説明するため
のフローを示す。
【図１６】 図１５のウエハプロセスの詳細なフローを
示す。
示す。
１：レーザ光源（露光光源）、２：視野絞り、３：レチ
クル（原版）、４：投影光学系、５：ウエハ（感光
体）、６：露光量計測センサ、７：レチクルステージ、
８：ウエハステージ、９：レチクルステージ駆動系、１
０：ウエハステージ駆動系、１１：レチクルステージ用
レーザ干渉計、１２：ウエハステージ用レーザ干渉計、
１３：主制御系。
クル（原版）、４：投影光学系、５：ウエハ（感光
体）、６：露光量計測センサ、７：レチクルステージ、
８：ウエハステージ、９：レチクルステージ駆動系、１
０：ウエハステージ駆動系、１１：レチクルステージ用
レーザ干渉計、１２：ウエハステージ用レーザ干渉計、
１３：主制御系。
Claims (31)
- 【請求項１】 原版に形成されたパターンを露光光によ
り感光体上に転写する照明系と、前記露光光による照明
領域を設定する絞りと、前記原版及び前記感光体を所定
の走査方向に同期走査する機構と有し、前記原版及び前
記感光体の同期走査による露光と、前記走査方向と交差
する方向への前記感光体の相対的移動とを繰り返して、
各露光領域が接続された転写パターンを前記感光体上に
形成する露光装置において、前記原版及び前記感光体の
同期走査時に、前記走査方向に対し垂直な方向の照明領
域を設定する前記絞りを、前記照明系の光軸に対し垂直
な面内で、前記走査方向と交差する方向に駆動しながら
露光を行うための絞り駆動機構を備えていることを特徴
とする露光装置。 - 【請求項２】 前記絞り駆動機構によって行う前記絞り
の駆動を、正弦波状、三角波状等の周期的駆動とするこ
とを特徴とする請求項１に記載の露光装置。 - 【請求項３】 前記絞り駆動機構によって行う前記絞り
の駆動の駆動周期を、走査方向の照明領域幅、及び同期
走査速度より決定することを特徴とする請求項２に記載
の露光装置。 - 【請求項４】 前記絞り駆動機構によって行う前記絞り
の駆動の駆動周期を、同期走査速度を走査方向の照明領
域幅で除した値の自然数倍とすることを特徴とする請求
項３に記載の露光装置。 - 【請求項５】 前記露光光を発生する水銀灯等の連続発
光型光源を有することを特徴とする請求項１〜４のいず
れかに記載の露光装置。 - 【請求項６】 前記露光光を発生するＡｒＦエキシマレ
ーザ、ＫｒＦエキシマレーザ等のパルス発光型光源を有
することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の
露光装置。 - 【請求項７】 前記露光光はパルス発光型光であり、パ
ルスの発光周波数と前記絞りの駆動周期とを同期させる
ことを特徴とする請求項１〜４または６のいずれかに記
載の露光装置。 - 【請求項８】 露光の接続部側に相当する前記絞りの部
分を駆動し、露光の非接続部側に相当する前記絞りの部
分を固定して、同期走査による露光を行うことを特徴と
する請求項１に記載の露光装置。 - 【請求項９】 一露光領域を構成する第二以降の走査に
おける前記絞りの駆動の軌跡を、それに接続する前記絞
りの前回の駆動の軌跡とほぼ一致させることを特徴とす
る請求項１に記載の露光装置。 - 【請求項１０】 露光量計測手段を具備し、該露光量計
測手段により求められた露光量計測結果に基づき、前記
絞りの駆動の位置補正を行うことを特徴とする請求項１
に記載の露光装置。 - 【請求項１１】 露光量計測手段を具備し、該露光量計
測手段により求められた露光量計測結果に基づき、次回
以降の同期走査における前記絞りの駆動の位置補正を行
うことを特徴とする請求項１に記載の露光装置。 - 【請求項１２】 原版に形成されたパターンを露光光に
より感光体上に転写する照明系と、前記露光光による照
明領域を設定する絞りと、前記感光体を所定の方向に移
動させる機構とを具備し、静止一括露光と、前記感光体
の相対的移動とを繰り返して各露光領域が接続された転
写パターンを前記感光体上に形成する露光装置におい
て、静止一括露光時に、前記照明系の光軸に対し垂直な
面内で、前記絞りを駆動しながら露光を行うための絞り
駆動機構を備えていることを特徴とする露光装置。 - 【請求項１３】 静止一括露光時に、前記絞り駆動機構
で、前記絞りを直進駆動しながら露光を行うことを特徴
とする請求項１２に記載の露光装置。 - 【請求項１４】 複数回の静止一括露光により与えられ
る露光の各接続部の総露光量が、設定露光量と等しくな
るように、各絞りの駆動パターンを決定することを特徴
とする請求項１２に記載の露光装置。 - 【請求項１５】 露光の接続部側に相当する前記絞りの
部分を駆動し、露光の非接続部側に相当する前記絞りの
部分を固定して、静止一括露光を行うことを特徴とする
請求項１２に記載の露光装置。 - 【請求項１６】 前記露光光を発生する水銀灯等の連続
発光型光源を有することを特徴とする請求項１２〜１５
のいずれかに記載の露光装置。 - 【請求項１７】 前記露光光を発生するＡｒＦエキシマ
レーザ、ＫｒＦエキシマレーザ等のパルス発光型光源を
有することを特徴とする請求項１２〜１５のいずれかに
記載の露光装置。 - 【請求項１８】 露光量計測手段を具備し、該露光量計
測手段により求められた露光量計測結果に基づき、前記
絞りの駆動の位置補正を行うことを特徴とする請求項１
２に記載の露光装置。 - 【請求項１９】 露光量計測手段を具備し、該露光量計
測手段により求められた露光量計測結果に基づき、次回
以降の静止一括露光における前記絞りの駆動の位置補正
を行うことを特徴とする請求項１２に記載の露光装置。 - 【請求項２０】 請求項１〜１９のいずれかに記載の露
光装置を用いて半導体デバイスを製造することを特徴と
するデバイス製造方法。 - 【請求項２１】 感光体上の第１領域にパターンを露光
転写する第１行程と、前記第１領域と接する第２領域に
パターンを露光転写する第２行程とによって、前記第１
および第２領域が接続された転写パターンを形成する際
に、前記第１および第２領域の接続部分の露光量のムラ
を軽減するように露光制御することを特徴とするデバイ
ス製造方法。 - 【請求項２２】 前記第１領域と前記第２領域の接続部
に重なり領域をもたせ、前記第１および第２行程の合計
の露光量が、前記重なり領域とそれ以外の露光領域とで
差が小さくなるように露光制御することを特徴とする請
求項２１記載のデバイス製造方法。 - 【請求項２３】 前記第１行程もしくは第２行程の少な
くとも一方において、前記重なり領域の露光量を他の露
光領域に比べて小さくすることを特徴とする請求項２２
記載のデバイス製造方法。 - 【請求項２４】 前記露光制御は、露光光の照射領域を
規定する絞りを露光転写中に移動させて行うことを特徴
とする請求項２１〜２３のいずれか記載のデバイス製造
方法。 - 【請求項２５】 露光量を計測し、この結果を前記絞り
の移動に反映させることを特徴とする請求項２４記載の
デバイス製造方法。 - 【請求項２６】 パルス発光光を露光転写に用い、パル
スの発光周波数と同期して前記露光制御を行うことを特
徴とする請求項２１〜２５のいずれか記載のデバイス製
造方法。 - 【請求項２７】 露光時に感光体が走査移動するステッ
プアンドスキャン方式で露光転写を行うことを特徴とす
る請求項２１〜２６のいずれか記載のデバイス製造方
法。 - 【請求項２８】 露光時に感光体が静止するステップア
ンドスキャン方式で露光転写を行うことを特徴とする請
求項２１〜２６のいずれか記載のデバイス製造方法。 - 【請求項２９】 前記第１および第２領域を合計した大
きな転写パターンが１つの電子回路を構成することを特
徴とする請求項２１〜２８のいずれか記載のデバイス製
造方法。 - 【請求項３０】 それぞれに設計回路パターンの一部が
形成された複数の原版を用意する行程を有し、前記第１
および第２行程で各原版を用いて回路パターンを露光転
写することを特徴とする請求項２９記載のデバイス製造
方法。 - 【請求項３１】 露光の済んだ感光体を処理して半導体
デバイスを作成する行程を有することを特徴とする請求
項３０記載のデバイス製造方法。
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