JPH11260716A

JPH11260716A - 露光装置及び半導体デバイスの製造方法

Info

Publication number: JPH11260716A
Application number: JP10082769A
Authority: JP
Inventors: Tetsuo Kikuchi; 哲男菊池
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 1998-03-13
Filing date: 1998-03-13
Publication date: 1999-09-24

Abstract

(57)【要約】【課題】液晶ディスプレーパネル等の大型基板のリソ
グラフィに適した露光装置を提供するとともに、そのよ
うな露光装置による半導体デバイスの製造方法を提供す
る。【解決手段】マスク上のパターンを感光性基板上に転
写する露光装置であり、マスク９とほぼ共役な位置に配
置されてマスク９の照明される領域を規定する所定の開
口部を持つ視野絞り１７を備え、この視野絞り１７の開
口部のエッジの少なくとも１部に、この開口部のエッジ
に沿った波形を形成したものであり、先行して露光され
た露光領域と、次に露光される露光領域とが接する部分
のつなぎ露光部の光量を、それぞれ開口部のエッジに沿
った波形によって、照明光が完全に透過する透過部から
遮蔽部材による遮蔽部まで連続的に変化するように露光
することで、二回の露光で透過部と同じ光量とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、露光装置及び半導
体デバイスの製造方法に関し、特に液晶ディスプレーパ
ネル等の大型基板のリソグラフィに用いられる露光装置
及びそのような露光装置を用いた半導体デバイスの製造
方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】露光装置は、液晶ディスプレーパネル等
を含む半導体デバイスの製造に広く利用されている。近
年、液晶ディスプレーパネルは、その表示品質が著しく
向上し、しかも薄くて軽量であることからＣＲＴに代わ
り、広く普及してきている。特に、アクティブマトリス
ク方式の直視型液晶パネルでは、大画面化が進み、その
製造に用いられるガラス基板も大型化し、露光装置もそ
れに対応することが望まれている。

【０００３】一般に、液晶ディスプレーパネル等を製造
する露光装置では、所定のパターンが形成されたレチク
ルまたはマスクと呼ばれる原版を均一な照度の照明光
（露光光）で照明し、この原版のパターンをフォトレジ
ストが塗布されたガラスプレート上に転写する機能を有
している。この露光装置は、高輝度で且つフォトレジス
トの感光特性に合致した波長特性を持つ照明光を照射す
ることが重要であり、露光光源としてショートアーク型
の水銀ランプが採用されている。このようなショートア
ーク型の水銀ランプを露光光源とする露光装置では、通
常その水銀ランプからの照明光をほぼ平行光束にするコ
リメーターレンズと、そのほぼ平行な光束から多数の光
源像を形成するフライアイ・インテグレータ（以下、適
宜「フライアイレンズ」と称す）と、これら多数の光源
像からの光束をほぼ平行にしてマスク上を照明するコン
デンサーレンズとを有する照明光学系が備えられてい
る。

【０００４】液晶ディスプレーパネル等の大型化は、上
記露光装置による露光エリアの拡大を意味し、このよう
な状況に対応すべく、マスクのパターン領域の像の複数
をガラス基板上でつなぎ合わせるように露光する、所謂
つなぎ露光を行う装置が提案されている。このつなぎ露
光では、マスクやガラス基板の位置決め精度、および投
影光学系の結像特性などの影響により、隣り合うパター
ン領域同士の境界（つなぎ部）でパターンの位置ずれが
生じ、ひいては液晶ディスプレーパネルの表示性能が低
下する等の欠陥が発生することになる。この位置ずれに
よる影響を軽減するため、露光装置の視野絞りと共役な
位置に視野絞りのエッジ近傍の光量をほぼ連続的に変化
させる遮光部材を設けることが考えられる。

【０００５】上記遮光部材を用いた露光方法は、マスク
のパターン領域を転写する際に、遮光部材によってパタ
ーン領域の周辺部の像の強度を徐々に変化させて、この
周辺部同士を重ね合わせて露光するものである。この遮
光部材としては、従来からある視野絞りとは別の構成の
遮光部材を用いることが考えられるが、この遮光部材
は、マスクと共役な位置または共役な位置近傍に配置す
る必要があるため、この遮光部材に異物が付着している
と感光基板上に転写されて欠陥になるという問題が生じ
る恐れがあった。

【０００６】この種の露光装置の他の従来例としては、
特開平７−１３５１６６号公報に開示されたものがあ
る。この露光装置では、透明基板上に光吸収性の部材を
設けて遮光部材を形成し、この遮光部材をマスクとほぼ
共役な位置に配置するようにして視野絞りもエッジ近傍
での透過率を精度良く調整することを提案している。こ
の露光装置では、この遮光部材に対して光束を照射し、
この遮光部材からの散乱光による光情報を検出すること
で、遮光部材に付着する異物を定期的に検査することが
できる。このような散乱光を利用した簡単な構成によっ
て、異物の検査を行うことができるので、感光基板への
異物の転写を防止できるとしている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前者の
遮光部材を用いた従来の露光装置では、遮光部材がマス
クとほぼ共役な位置に配置されることから、この遮光部
材に異物が付着すると感光基板上に転写されて欠陥にな
るという問題には変わりが無かった。さらに、遮光部材
に付着する異物を事前の掃除等で極力防止することもで
きるが、この遮光部材自体が可動部のため異物を発生し
やすく、長期に渡って防止することは困難である。

【０００８】また、後者の露光装置では、光束による遮
光部材からの散乱光による光情報を検出する簡単な構成
で定期的に異物の検査が可能であるが、実際に異物が付
着した場合には、一々この遮光部材を外して掃除する必
要があり、スループットの低下に結びつくため必ずしも
実用的ではなかった。

【０００９】本発明は、上述の課題に鑑みなされたのも
のであり、特に液晶ディスプレーパネル等の大型基板の
リソグラフィに適した露光装置を提供するとともに、そ
の露光装置による半導体デバイスの製造方法を提供する
ことを目的としている。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１に係る発明による露光装置は、図１に示す
ように、マスク９上のパターンを基板１２上に転写する
露光装置において；マスク９とほぼ共役な位置に配置さ
れてマスク９の照明される領域を規定する所定の開口部
を持つ視野絞り１７を備え；視野絞り１７の開口部のエ
ッジの少なくとも１部に前記エッジに沿って波形Ｅ（図
６参照）を形成したことを特徴とする。

【００１１】このように構成すると、開口部のエッジに
沿った波形によって、波形の先端部に相当する、光が完
全に透過する透過部から、波形の底部に相当する、遮蔽
部材による遮蔽部までの領域の光量が、透過部の１／２
になるようにでき、しかも光量が連続的に変化するよう
にして、波形を形成したエッジをつなぎ露光部に用いれ
ば、つなぎ露光部が目立たなくなる。

【００１２】また、請求項２に係る発明による露光装置
は、請求項１を前提とし、視野絞り１７が、前記開口部
の形状を矩形状に規定する複数の遮光部材Ａ１、Ａ２、
Ｂ１、Ｂ２を有し、該複数の遮光部材の内の１つは、前
記矩形状の開口部のエッジの少なくとも１辺が該辺の方
向に沿って波形Ｅ（図６）となるように形成した波形エ
ッジＥを有し、波形エッジＥを有する遮光部材Ｂ１、Ｂ
２を前記辺の方向に沿って振動させる振動装置１６、２
０をさらに設けたことを特徴とする。

【００１３】このように構成すると、波形エッジＥを辺
の方向に沿って振動させることができ、光が完全に透過
する透過部から遮光部材による遮蔽部までの光量変化を
連続的に変化させることによって、重ね合わせ露光によ
るつなぎ露光部の光量を透過部とほぼ等しい光量とする
ことにができ、つなぎ露光部の光量変化による欠陥を発
生させることなく、隣接する露光領域同士のつなぎ露光
部が目立たなくなる。

【００１４】また、請求項３に係る発明による露光装置
は、請求項１を前提とし、視野絞り１７は、前記開口部
の形状を矩形状に規定するために直線状のエッジを有す
る４つの第１の遮光部材Ａ１、Ａ２と、前記開口部の形
状を矩形状に規定するために該矩形の辺に沿う波形Ｅを
した波形エッジを有する第２の遮光部材Ｂ１、Ｂ２を有
し；４つの第１の遮光部材Ａ１、Ａ２及び第２の遮光部
材Ｂ１、Ｂ２の内の、少なくとも１つの第２の遮光部材
Ｂ１、Ｂ２を含む、いずれか４つの遮光部材を選択的に
移動させてｘａ、ｘｂ、ｙａ、ｙｂ（図３）、前記開口
部の形状を矩形状に設定する駆動装置２１、２６と；選
択された前記第２の遮光部材を前記矩形の辺の方向に沿
って振動させる振動装置１６、２０とを備えることを特
徴とする。

【００１５】典型的には、第２の遮光部材Ｂ１、Ｂ２も
４つ用意されており、４つの第１の遮光部材Ａ１、Ａ２
と合わせて８つの遮光部材の中から、つなぎ露光したい
境界の位置に応じていずれか４つの遮光部材が選択され
る。そしてその４つの遮光部材のうちの少なくとも１つ
が第２の遮光部材Ｂ１あるいはＢ２であり、それがつな
ぎ露光の境界に位置する。

【００１６】このように構成すると、順次照射される領
域相互に接するつなぎ露光部を選択的に波形エッジと
し、それをシフトや振動させることにより、光が完全に
透過する透過部から遮光部材による遮蔽部までの光量変
化を連続的に変化させた傾斜光量域とすることができる
ので、つなぎ露光部の光量変化を目立たなくすることが
できる。因みに、波形エッジの振動の振幅は、前記波形
の１波長以上とし、振動周期は露光時間の数分の１とす
るが、１／１であってもよく、１／２以下であって構造
的に許容される範囲で小ければ小さいほどよく、例えば
１／１０程度とするとよい。

【００１７】また、請求項４に係る発明による露光装置
は、請求項１乃至３のいずれか１項を前提とし、前記波
形が、複数の三角形で形成されていることを特徴とす
る。

【００１８】このように構成すると、つなぎ露光部の光
量は、波形エッジを三角形の波形とするので、波形エッ
ジの山から谷の領域を透過する光量が１／２となり、つ
なぎ露光では二回の露光がなされるので、つなぎ露光部
の光量を透過部の光量とほぼ等しくすることができる。

【００１９】また、請求項５に係る発明による露光装置
は、請求項２又は３を前提とし、前記振動装置による振
動周期を前記基板が露光される露光時間の数分の１とな
るように前記振動装置を作動させる制御装置をさらに備
えることを特徴とする。

【００２０】このように構成すると、つなぎ露光部の開
口部のエッジに沿った方向の露光量を一様にすることが
できる。

【００２１】また、請求項６に係る発明による半導体デ
バイスの製造方法は、半導体デバイスの製造方法におい
て；マスク上に形成されたパターンを感光性基板の所定
の第１領域（図７の露光１）に露光するために、前記マ
スクを介した光によって前記第１領域に第１露光視野を
形成する第１の露光工程と；前記マスク又は前記マスク
とは異なるマスク上に形成されたパターンを前記第１領
域に隣接する感光性基板の所定の第２領域（図７の露光
２）に露光するために、前記マスク又は前記マスクとは
異なるマスク上を介した光によって前記第２領域に第２
露光視野を形成する第２の露光工程と；を含み、前記第
１の露光工程は、前記第２露光視野に接する前記第１露
光視野の境界を所定の周波数で振動させる工程を含み、
前記第２の露光工程は、前記第１露光視野に接する前記
第２露光視野の境界を所定の周波数で振動させる工程を
含むことを特徴とする。

【００２２】このように構成することで、第１領域と第
２領域に接するつなぎ露光部分（境界）の光量を透過部
分の光量とほぼ等しくすることができるので、第１領域
と第２領域の配線パターンをつなぎ合わせることができ
る。なお、境界とは、特定の部分を境界とするものでは
なく、波形エッジで接する部分を境界と称しており、第
１と第２領域（露光領域）の二つの波形が重なる部分、
すなわちつなぎ露光部が境界に含まれる。

【００２３】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る投影型露光装
置の実施の形態について、図面を参照して説明する。

【００２４】図１は、投影型露光装置の一実施形態を示
し、マスク９上のパターンを所定の倍率で感光性のレジ
ストを塗布したガラス基板等のプレート（感光性基板）
１２上に投影する投影露光装置の光学系の概略を示す図
である。楕円鏡２の第１焦点位置に配置された超高圧水
銀灯１から発光される照明光束は、楕円鏡２によって反
射された後、楕円鏡２の第２焦点位置２２に収斂した
後、発散してコレクターレンズ４によって平行光束に変
換され、波長選択フィルタ５に入射し、露光波長が選択
された後、フライアイ・インテグレータ６に入射する。
このフライアイ・インテグレータ６は、多数の正レンズ
が束ねられたものであり、その射出側に正レンズの数に
等しい数の光源像を形成して実質的な面光源を形成して
いる。また、フライアイ・インテグレータ６の射出面に
は、照明条件を決定するσ値（投影レンズの瞳の開口径
に対するその瞳面上での光源像の口径の比）を設定する
ための絞り部材１５が配置されている。

【００２５】フライアイ・インテグレータ６により形成
された多数の光源像からの光束は、反射鏡７で反射し
て、第１リレーレンズ８により集光され、視野絞り１７
を均一に照明する。この視野絞り１７は、制御装置１９
からの制御信号１９ｂに基づいて駆動装置２６によって
アクチュエータ２１を作動させ、照明光が通過する矩形
状の開口部を設定し、視野絞りリレー系レンズ１８によ
ってマスクに対する照明範囲の大きさを変更することが
できる。マスク（又はレチクル）９と視野絞り１７の開
口部とは共役な位置関係に配置されている。配線や回路
パターンが描写されたマスク９を透過した光は、投影レ
ンズ１０によりプレートステージ１３に載ったプレート
１２上に投影される。

【００２６】制御装置１９では、視野絞り１７の開口部
の遮光部材をシフト又は振動させるアクチュエータ２０
（２０ａ、２０ｂ、２０ｃ、２０ｄ（図３参照））を操
作するための駆動装置１６への制御信号１９ａと、視野
絞り１７の開口部のサイズを設定するために遮光部材を
移動ｘａ、ｘｂ、ｙａ、ｙｂ（図３参照）させるアクチ
ュエータ２１（２１ａ、２１ｂ、２１ｃ、２１ｄ（図３
参照））を操作するための駆動装置２６への制御信号１
９ｂ、プレートステージ１３をＸＹ方向に駆動するため
の制御信号１９ｃ等が出力されている。

【００２７】なお、この光学系では、フライアイ・イン
テグレータ６の射出面に設けた絞り部１５の開口内の像
が投影レンズ１０の入射瞳面１１上に形成され、いわゆ
るケーラー照明を実現している。

【００２８】続いて、視野絞り１７の詳細について、図
２〜図４を参照して説明する。上記視野絞り１７は、図
２に示すように、ｘｙ方向に井桁状に組み合わせて矩形
状の開口部を形成する従来と同様のブレードＡ１、Ａ
２と、同様に井桁状に組み合わせたブレ−ドＢ１、Ｂ
２とによって構成され、かつブレ−ドＢ１、Ｂ２に
は、開口部側のエッジに波形が形成され、これらのブレ
ードＢ１をｙ方向に、ブレードＢ２をｘ方向に振動さ
せるためのアクチュエータ２０ａ〜２０ｄがそれぞれ設
けられている。図３はブレードＢ１、Ｂ２を示し、図
４はブレードＡ１、Ａ２をそれぞれ示し、矢印ｘａ、
ｘｂ、ｙａ、ｙｂは、開口部を設定するためにブレード
Ｂ１、Ｂ２を移動させる可動方向を示している。なお、
ブレードＡ１、Ａ２の開口側エッジと、ブレードＢ１、
Ｂ２の開口側エッジとは、それぞれ平行に配置されてい
る。

【００２９】このように視野絞り１７は、４辺の独立し
たブレードが二層に組み合わされて露光領域を決定する
ための開口部を形成しており、一つは従来型の直線状の
ブレードＡ１、Ａ２であり、他の一つは複数の連続す
る同形状の三角形がエッジに形成されたブレードＢ
１、Ｂ２であり、これらのブレードによる二重構造に
なっている。つなぎ露光を必要とする時、開口部を形成
するに際して、複数の連続する同形状の三角形の波形が
形成されたブレードＢ１、Ｂ２のいずれかまたは双方
が選択され、つなぎ露光を必要としない部分には、図４
に示した従来型の直線状のブレードＡ１、Ａ２のいず
れかまたは双方が選択される。選択は、それぞれエッジ
が平行に配設されているＡ１とＢ１、またＡ２とＢ２同
士の間でなされ、選択されたブレード４枚により矩形の
開口部が形成される。

【００３０】例えば、液晶ディスプレーパネル等の大型
ガラス基板（感光性基板）に配線パターンや電極、そし
て半導体デバイスを形成するために露光する際は、視野
絞り１７によって区画される開口部を通してマスクが照
明されて、マスクのパターンが感光性基板に露光されて
おり、その露光領域をマトリック状に転写することで、
感光性基板の全面を露光して、大型の感光性基板にパタ
ーンを形成している。マスクは、露光領域のパターンに
合わせて選択される。そして、転写の際に任意の露光領
域に隣の露光領域が互いに接するように行われ、その境
界、すなわちつなぎ露光部には、三角形の波形が形成さ
れたブレードＢ１、Ｂ２が選択されて露光がなされ、
隣接する露光領域のパターンが接続される。

【００３１】さらに、この露光操作について詳細に説明
すると、先ず、感光性基板の角（全露光領域の角を意味
する）を含む領域を露光する場合には、その角の沿う部
分にはエッジが直線のブレードＡ１またはＡ２が選択さ
れ、それらの反対の辺は、他の露光領域と接する部分で
あるつなぎ露光部であるので三角形の波形エッジを有す
るブレードＢ１またはＢ２が選択される。

【００３２】これらのブレードの選択は、制御装置１９
で操作されており、予め感光性基板を露光する区分けが
なされ、露光の順番が決められている。感光性基板の角
に接する露光領域と、角を含まない周囲に接する露光部
分と、周囲に接しない露光領域等に応じてブレード選択
がなされる。これらを制御装置１９には、予めこれらの
操作手順がプログラムされ、プレートステージ１３をＸ
Ｙ方向に操作して、ブレード選択パターンが露光位置に
合わせて選択されて感光性基板の全面の露光操作がなさ
れる。そして、三角形の波形エッジを有するブレードが
選択される際は、そのブレードにエッジの方向に沿って
振動が与えられる。

【００３３】さらに、図６を参照して説明すると、この
視野絞り１７のブレードＢ１、Ｂ２の内側即ち開口側
には、図６（ａ）に示すように、鋸の刃のような連続す
る複数の三角形状Ｅが形成されている。ブレードＢ
１、Ｂ２は、露光時間に対して充分早い速度で刃の方
向にシフトまたは振動が与えられる。波形エッジが形成
されたブレードの振動の振幅は、波形の１波長以上と
し、振動周期は、露光時間の数分の１とする。実際に
は、１／２以下で構造的に許容される範囲で小ければ小
さいほどよく、例えば１／１０程度が好ましい。

【００３４】この時のつなぎ露光部の光量変化は、図６
（ｂ）に示したように、ブレードＢ１（又はＢ２）の
波形の三角形の底辺部分までは、完全に遮光されている
ため、透過率は０％である。しかし、次第に透過する光
量が連続的に増加し、三角形の頂点にあたる先端部分で
は、ほぼ１００％となる。傾斜光量域であるこの部分を
つなぎ露光部と称する。

【００３５】この視野絞りによって制限される光束の感
光基板上での強度分布は、図７に示したように、一回の
露光では、つなぎ露光部で０％から１００％に直線的に
光量が変化する。このようなつなぎ露光部を形成するた
めのブレードを、開口部の内側にその刃先が来るように
４辺を配置し、それぞれがこの平面内で選択的に移動す
ることによって透過領域（開口部）の大きさを設定する
ことができる。そしてつなぎ露光部では、この隣り合う
つなぎ露光同士が重複するように、露光１、露光２が行
われると、傾斜光量域３１、３２に示すような強度分布
の足し合わさがなされ、全体として完全透過光量域と等
しいつなぎ露光部３３となり、感光性基板全面に渡って
均一な露光強度が得られる。

【００３６】このようにすると、隣り合って露光される
領域同士の間隔が、正しい間隔より多少広がったとして
も非露光帯が生じる虞がなく、また正しい間隔より多少
狭くなったとしても強い２重露光帯が生じる虞がないの
で、つなぎ露光が目立つことがない。

【００３７】ブレードＢ１、Ｂ２のエッジに沿ったシ
フトまたは振動する速さは、原理的には露光中に三角形
が一つ移動すれば三角形状は転写されないが、露光時間
に対して充分早い速度とすると一層好ましい。波形エッ
ジが形成されたブレードの振動の振幅は、波形の１波長
以上とし、振動周期は、露光時間の数分の１とする。先
に、例えば１／１０程度が好ましいとしたが、実際に
は、実用的な制御精度と転写部の幅を考慮して三角形が
数個移動するように設定すれば良い。

【００３８】また、ここでは、上記の視野絞り１７で
は、４辺が独立したブレードとしているが、つなぎ露光
を必要としない時に選択される直線状のブレードは必ず
しも４辺それぞれが独立である必要はなく、図５に示す
ようなＬ字型のブレードを２枚、各辺が直交するように
組み合わせたものでもよい。

【００３９】さらに、波形は、遮光部である山部と透過
光部である谷部をブレードのエッジに交互に有し、その
波形の山部と谷部の形状は、互いの面積が相補的であれ
ばつなぎ露光部の光量は一様になる。ここで相補的と
は、山部の頂上と谷部の底との中心高さを貫く直線から
頂上方向と谷底方向に等しい距離だけとった高さにおい
て山部の幅と谷部の幅がほぼ等しいことをいう。

【００４０】したがって、波形は三角形に限定するもの
ではなく、山部と谷部がほぼ同形状であれば、例えば丸
形頂上と丸形谷底を有する鋸波状や、サインカーブを有
する鋸波状や、途中に直線部分を有し山頂と谷底にほぼ
同形状の三角形部を有する疑似台形であっても、同様の
効果が達成できる。

【００４１】言い換えれば、波の頂上における透過率が
ほぼ１００％で、波の谷底部における透過率がほぼ０％
となり、その間で透過率が連続的に、好ましくは相補的
に変化する波形とすればよい。

【００４２】本発明の実施の形態である半導体デバイス
の製造方法においては、図１に示されるような露光装置
を用いて、まず半導体デバイスを形成すべき感光性基
板、例えばプレート１２をプレートステージ１３上に載
置する。また、プレート１２の所定の第１領域、例えば
左上角部に転写すべきパターンの形成されたマスク９を
不図示のマスクステージに載置する。プレート１２とマ
スク９とをアライメントし、マスク９上に形成されたパ
ターンを前記第１領域に露光するために、マスク９を介
した光によって前記第１領域に第１露光視野を形成す
る。このようにして第１領域に第１の露光を行う。

【００４３】次に、前記第１領域に隣接する感光性基板
の所定の第２領域、例えば第１領域の右側に隣接する領
域に転写すべきパターンの形成されたマスク９’をマス
クステージに載置する。このようにして、第１露光と同
様に第２領域に第２露光視野を形成して第２の露光を行
う。

【００４４】第１の露光を行う際には、第２露光視野に
接する第１露光視野の境界を、図３に示される右側の遮
光部材Ｂ１を用いて、この遮光部材Ｂ１を所定の周波数
で振動させ、第１露光視野の右側の辺（エッジ）をぼか
す。

【００４５】第２の露光を行う際には、第１露光視野に
接する第２露光視野の境界を、図３に示される左側の遮
光部材Ｂ１を用いて、この遮光部材Ｂ１を所定の周波数
で振動させ、第１の露光でぼかされた第１露光視野の右
側のエッジと重なる第２露光視野の左側のエッジをぼか
す。

【００４６】このようにすることによって、ウエハ上の
左上角部の領域とその右隣りの領域との境界にあるつな
ぎ露光部には、両領域の間隔が多少広すぎたり狭すぎた
りしても、目立った非露光帯や過剰露光帯が形成される
ことがない。

【００４７】マスクは、露光領域のパターンに合わせて
選択される。そして、転写の際に任意の露光領域に隣の
露光領域が互いに接するように行われ、その境界、すな
わちつなぎ露光部には、三角形の波形が形成されたブレ
ードＢ１、Ｂ２が選択されて露光がなされ、隣接する
露光領域のパターンが接続される。また、基板の角（全
露光領域の角を意味する）を含む領域を露光する場合に
は、その角の沿う部分にはエッジが直線のブレードＡ１
またはＡ２が選択される。

【００４８】このようにして、例えば液晶ディスプレー
パネル等の半導体デバイスを形成するために、配線パタ
ーンや電極等を大型ガラス基板に露光する際は、視野絞
り１７によって画成される開口部を通してマスクが照明
されて、マスクのパターンが基板に露光され、その露光
領域をマトリック状に転写することで、基板の全面を露
光して、大型の半導体デバイスを完成する。

【００４９】また、本発明によれば、視野絞りに異物が
付着して感光基板上に転写されることもなくなり、装置
のダウンタイムが大幅に短縮できるので、スループット
の向上に極めて効果的である。

【００５０】

【発明の効果】以上のように本発明による露光装置で
は、視野絞りの開口部のエッジの少なくとも１部に前記
エッジに沿って波形を形成したので、このエッジ部の透
過率を一様に変化させることが可能になる。

【００５１】これを重ね合わせ露光に用い、特に波形を
エッジに沿って振動させるときは、つなぎ露光部を目立
たなくすることが可能となる。

【００５２】また視野絞りの各辺を規定する遮光部材の
エッジを直線状のエッジと、複数の連続する三角形等の
波形のエッジとによる二重構造から選択できるようにす
れば、つなぎ露光部に、三角形からなる遮光部材を用い
ることができ、さらにこの遮光部材を露光時間に対して
充分早く振動するようにすれば、視野絞りのエッジ近傍
での透過率を一様に変化させることができる。このよう
にして、つなぎ露光部を目立たなくすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による露光装置の一実施形態を示す概略
構成図である。

【図２】本発明による露光装置を用いられる視野絞りの
一実施例を示す図である。

【図３】本発明による露光装置に用いられる波形エッジ
を有するブレードによる視野絞りの一実施例を示す図で
ある。

【図４】本発明の露光装置の視野絞りに使用される従来
型の視野絞りを示す図である。

【図５】本発明の露光装置の視野絞りに使用される従来
型の視野絞りの他の例を示す図である。

【図６】（ａ）は、波形エッジを有するブレードであ
り、（ｂ）は視野絞りによる遮光部の透過率を示す図で
ある。

【図７】基板上での露光強度分布を示し、露光１と露光
２と、その境界のつなぎ露光部の透過率を示す図であ
る。

【符号の説明】

１水銀ランプ２楕円鏡３、７反射鏡４コレクターレンズ５波長選択フィルタ６フライアイ・インテグレータ８コンデンサーレンズ９マスク（レチクル）１０投影レンズ１１投影レンズの入射瞳面１２プレート１３プレートステージ１５絞り部材１６駆動装置（振動用）１７視野絞り１８視野絞りリレー系レンズ１９制御装置２０アクチュエータ（振動用）２０ａ〜２０ｄアクチュエータ２１アクチュエータ（開口部設定用）２１ａ〜２１ｄアクチュエータ２２楕円鏡の収斂位置２６駆動装置（開口部設定用）３１露光１による基板上での透過光量の強度分布（傾
斜光量）３２露光２による基板上での透過光量の強度分布（傾
斜光量）３３露光１と２による透過光量の強度分布つなぎ露光
部

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】マスク上のパターンを基板上に転写する
露光装置において；前記マスクとほぼ共役な位置に配置
されて該マスクの照明される領域を規定する所定の開口
部を持つ視野絞りを備え；前記視野絞りの開口部のエッ
ジの少なくとも１部に前記エッジに沿って波形を形成し
たことを特徴とする露光装置。
【請求項２】前記視野絞りは、前記開口部の形状を矩
形状に規定する複数の遮光部材を有し、該複数の遮光部
材の内の１つは、前記矩形状の開口部のエッジの少なく
とも１辺が該辺の方向に沿って波形となるように形成し
た波形エッジを有し、前記波形エッジを有する遮光部材
を前記辺の方向に沿って振動させる振動装置をさらに設
けたことを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】前記視野絞りは、前記開口部の形状を矩
形状に規定するために直線状のエッジを有する４つの第
１の遮光部材と、前記開口部の形状を矩形状に規定する
ために該矩形の辺に沿う波形をした波形エッジを有する
第２の遮光部材を有し；前記４つの第１の遮光部材及び
前記第２の遮光部材の内の、少なくとも１つの第２の遮
光部材を含む、いずれか４つの遮光部材を選択的に移動
させて、前記開口部の形状を矩形状に設定する駆動装置
と；選択された前記第２の遮光部材を前記矩形の辺の方
向に沿って振動させる振動装置とを備えることを特徴と
する、請求項１に記載の露光装置。
【請求項４】前記波形は、複数の三角形で形成されて
いることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に
記載の露光装置。
【請求項５】前記振動装置による振動周期を前記基板
が露光される露光時間の数分の１となるように前記振動
装置を作動させる制御装置をさらに備えることを特徴と
する請求項２又は３に記載の露光装置。
【請求項６】半導体デバイスの製造方法において；マ
スク上に形成されたパターンを感光性基板の所定の第１
領域に露光するために、前記マスクを介した光によって
前記第１領域に第１露光視野を形成する第１の露光工程
と；前記マスク又は前記マスクとは異なるマスク上に形
成されたパターンを前記第１領域に隣接する感光性基板
の所定の第２領域に露光するために、前記マスク又は前
記マスクとは異なるマスク上を介した光によって前記第
２領域に第２露光視野を形成する第２の露光工程と；を
含み、前記第１の露光工程は、前記第２露光視野に接する前記
第１露光視野の境界を所定の周波数で振動させる工程を
含み、前記第２の露光工程は、前記第１露光視野に接する前記
第２露光視野の境界を所定の周波数で振動させる工程を
含むことを特徴とする半導体デバイスの製造方法。