TWI307456B - Liquid composition for immersion lithography and lithography method using the same - Google Patents
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Description
l3〇7456 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關—M Λ -V w r〇 " 式微衫用之液體組合物和一微影 方法,較具體而言,係有關 以 货有關尺寸小於50奈米(nm)裝置之顯 衫微影方法中,供淨人七與& m , 又式微衫用的液體組合物,以及使用 s亥液體組合物的微影方法。 【先前技術】 :前所用的微影方法為乾式型態,其係、制在曝光透鏡 σ曰曰圓之間填充空氣用的一種曝光系統。 /當為乾式微影方法時,供顯影5〇奈米裝置用的新穎曝光 糸統必須使用作為光源的匕雷射或遠紫外線(蒙)雷射。 如此一來’ F2雷射會導致薄膜顯影的問題發生,而遠紫外 線田射則會導致光罩和光源顯影的問題發生,為裝置大量 製造時的一個缺點。 為了解决上述問題’頃發展出為一惰性微影方法的浸入 式微影方法。 該/又入式微影方法可改善分辨本領,所採取的方式為在 最終投射透鏡和晶圓中置放一液體物,並且增加光學系统 的孔徑數(下文簡寫為”NA’.)(相當於液體的折射率)。此 處,從液體發射光源的確實波長相當於空氣中波長除以所 對應介質之折射率所得的數目。因此,當波長為193奈米 的光(ArF雷射)通過水介質時,離開該介質之―雷射的波 長會從193奈米降到134奈米(以纟的折射率144為基準), 獲得如同較短光源(像是F2雷射的157奈米)的效果。. 97910.doc 1307456 圖1為說明一浸泡式曝光計優點的圖表。如該圖所示, 當一既定間距中的NA值為固定時,其焦距深度(下文簡寫 為’’DOF”)經顯示為增加者。當NA值增加到大於!時,透鏡 的分辨本領會獲得改善。 為顯影大小為5G奈米的裝置,供浸人式微影用的液體組 合物必須使用上述浸入式微影的方法。在此,供浸入式微 影用的液體組合物應該要能夠將晶圓尖細剖面的表面完全 覆蓋,並且微形泡泡應該要從光阻膜和該㈣組合㈣被 完全移除。 圖2為一橫截面圖’係說明—傳統浸入式微影方法所面 臨之問題的實例。當供浸人式㈣㈣液合物2〇塗覆 於具有尖細剖面的晶圓1G上時,圖2顯示該液體組合物2〇 無法完全地填充在該晶圓10的尖細剖面上(以”a"表示)。 由於不被該液體組合物填充的部份反而是被空氣㈣ 滿,因為液體組合物和空氣折射率的差異,圖案的分辨本 領因而會大幅度的下降。 【發明内容】 本文所揭示者為-供浸入式微影用之液體組合物。該液 體組合物包含一主盈士、々、名 .j, 要成伤和一添加劑,其中該主要成份為 水,且該添加劑為—非離子性界面活性劑,係選自聚乙稀 醇,以季戊四醇為主成份的化合物,包含環氧烧的聚合 物以如下化學式j代表的化合物,和其混合物。該 合物為: 97910.doc l3〇7456
其中R為線型或支鏈型,經取代的Ci-Cw烷基,且n為10 到10,000的整數。 本文亦揭示製造半導體的方法。該方法包括提供一晶 圓’於該晶圓上形成一光阻膜,利用上文所述含非離子性 界面活性劑之液體組合物曝光該光阻膜,以及顯影該經曝 光的光阻膜,獲得一光阻圖案。 【實施方式】 本文提供一供浸入式微影用的液體組合物,該組合物包 含一主要成份的水和—作為添加劑的非離子性界面活性 劑。 本文所述界面活性劑應為可穿透光源者,其㈣率㈣ 相近,並且若將其加入該供浸入m R± ^ 发仏/又入式微影用液體組合物夺 扦,不會在其間產生氣泡。 滿足以上條件的界面活 劑,而尤佳為該非離子性界非離子性界面活性 該非離子師面二 劑不包含芳香基團。 物(如下所示),取7降 化予式I代表的化合 物,包含環氧&Μ#A 醇為主成份的化合 氧垸的聚合物和其混合物。 97910. doc 1307456
R
其中R為線型或支鏈型,經取代的Ci_C4〇貌基,且_ι〇 到10,000的整數。 以組合物總重為基準’該界面活性劑的含量較佳為_ 重量百分比〇^.%)到5重量%,尤佳為^“重量^到^重量 ^界面活性劑的量超過5重量%時,透鏡在曝光時會被 活(生J所,亏染,並且發現假如界面活性劑的量低於 0.01重Ϊ %時,其效果就不是那麼地顯著。 式I化合物較佳係選自聚氧乙烯月桂醚,聚氧乙稀十六 2基趟氧乙料人貌基醚,聚氧乙烯油醚,聚氧乙稀 f·辛基環己_,聚氧乙婦脫水山梨糖醇單月桂酸酯,聚 氧乙歸脫水山梨糖醇單硬脂《,聚氧乙稀脫水山梨糖醇 二油酸酯,和其混合物。 Λ婦醇的重量平均分子量較佳為1,000到150,000。 、季戊四SI為主成份之化合物的數目平均分子量較佳為 10 到 10,000。 ’ 四醇為主成份的化合物較佳係選自季戊 化物,季戊四醇單油酸酯和其混合物。 包含環氧燒之聚合物的數目平均分子量
20,000。 ^ 1U 97910.doc 1307456 合該2 =係選自環氧乙烧,環氧丙燒,環氧丁烧和其組 到列重^物總重為基準’此處環氧燒的含量為⑽量% ^環氧㈣含量超㈣重量%時,界面活性劑的效果會 面、二且如果在環氧院含量低於7〇重量%情況下,當界 /生^溶於水中時,其為不透明者。 目二:環氧烷的聚合物為包含80重量%環氧乙烷以及數 82::子量為2,25°的聚乙稀-敌段-聚(乙二醇),包含 • m展氧乙貌,以及數目平均分子量為14,副的聚 -朴嵌段·聚(乙二醇)_嵌段_聚(乙二醇),或是包含8〇 =環氧乙烧,以及數目平均分子量為M〇。的聚(乙二 醇)·肷段聚(乙二醇).嵌段_聚(乙二醇)。 例如,包含80重量%環氧乙烷的聚乙烯_嵌段·聚 醇)代表,聚(乙二醇)的含量佔聚乙稀_嵌段-聚(乙二醇)總 重的80重量百分比。
液體組合物+,當水為去離子水時,其溫度範圍為2(TC 到25C ’較佳為22°C到23°C,並且經過渡以將雜f移除。 此外’當雜質以過濾器移除時,該去離子水係與該界面 活性劑處合’然後再次過滤,獲得所揭示供浸人式微影用 的液體組合物。 / 所揭不供次入式微影用的液體組合物包含上述非離子性 界面活f生4丨其可降低液體組合物的表面張力。因此,使 用本發明液體組合物時,液體組合物無法在具有尖細剖面 的晶圓和一般晶圓上被完全填滿和被部份濃縮的問題可獲 97910.doc •10- 1307456 得解決,並且得以移除介於光阻膜和該液體組合物間的微 形氣泡。 亦提供一浸入式微影裝置,包含一浸沒透鏡單元,一晶 圓座台和一投射透鏡單元,其中所揭示供浸入式微影用的 液體組合物被用於該浸沒透鏡單元中。 上述浸沒透鏡單元係裝設成具有一接收部份,一供給部 份和一復原部份。 架設在晶圓座台上的晶圓包括具有尖細剖面的晶圓和一 般的晶圓,並且所揭示供浸入式微影用的裝置較佳係選自 大量淋浴式裝置,浴缸式裝置和潛水艇式的裝置。 參照圖3a,係圖示一種浴缸式的浸入式微影裝置,其包 含一浸沒透鏡單元30,以使供浸入式微影用的液體組合物 20可覆蓋全部晶圓10的表面。 參照圖3 b,係圖示一種大量淋浴式的浸入式微影裝置, 其包含一浸沒透鏡單元30,以於投射透鏡單元50下方處接 收供浸入式微影用的液體組合物20。 參照圖3c,係圖示一種潛水艇式的浸入式微影裝置,其 包含一浸沒透鏡單元30,此處架設於晶圓10上的晶圓座台 40被浸入供浸入式微影用的液體組合物20中。 此外,利用所揭示供浸入式微影用之液體組合物提供一 浸入式微影方法。 亦提供利用所揭示供浸入式微影用之液體組合物製成的 半導體裝置。 再者,提供製造一半導體的方法。該方法包括提供一晶 97910.doc -11 - 1307456 圓,於該晶圓上形成一光阻膜,利用所揭示供浸入式微影 用的液體組合物曝光該光阻膜,以及顯影該經曝光的光阻 膜,獲得一光阻圖案。 上述晶圓包括一般的晶圓或是具有尖細剖面的晶圓。 该曝光步驟較佳包含讓光源通過該液體組合物的步驟。 下文中本發明將參考以下實例作更詳細的說明,該等實 例其並意圖用來限制本發明。 製備實例1 將Aldrich公司所生產i克的聚氧乙烯月桂醚(產品名稱: Brij 35)溶解於500克的去離子水中,由此獲得一供浸入式 微影用的液禮組合物。 製備實例2 將Alddch公司所生產i克的聚氧乙烯十六烷基醚(產品名 稱:Brij 58)溶解於500克的去離子水中由此獲得一供浸 入式微影用的液體組合物。 製備實例3 將Aldrich公司所生產i克的聚氧乙烯十八烷基醚(產品名 稱:BHj 78)溶解於5〇〇克的去離子水中,由此獲得一供浸 入式微影用的液體組合物。 製備實例4 將Aldrich公司所生產i克的聚氧乙烯油醚(產品名稱:
Bnj 98)〉谷解於500克的去離子水中由此獲得一供浸入式 微影用的液體組合物。 製備實例5 97910.doc -12· 1307456 將Aldrich公司所生產1克的聚氧乙烯異-辛基環己醚(產 品名稱:Triton X-1 00)溶解於500克的去離子水中,由此 獲得一供浸入式微影用的液體組合物。 製備實例6 將Aldrich公司所生產1克的聚氧乙烯脫水山梨糖醇單月 桂酸酯(產品名稱:Tween 20)溶解於500克的去離子水中, 由此獲得一供浸入式微影用的液體組合物。 製備實例7 將Aldrich公司所生產1克的聚氧乙烯脫水山梨糖醇單硬 脂酸醋(產品名稱:Tween 60)溶解於500克的去離子水中, 由此獲得一供浸入式微影用的液體組合物。 製備實例8 將Aldrich公司所生產1克的聚氧乙烯脫水山梨糖醇單油 酸酯(產品名稱:Tween 80)溶解於500克的去離子水中,由 此獲得一供浸入式微影用的液體組合物。 製備實例9 將Aldrich公司所生產1克的聚氧乙烯脫水山梨糖醇三油 酸酯(產品名稱:Tween 85)溶解於500克的去離子水中,由 此獲得一供浸入式微影用的液體組合物。 製備實例10 將重量平均分子量為13,000到23,000的1克聚乙烯醇 (Ald#34,840 ’ 98-99重量%被水解)溶解於300克的去離子水 中,由此獲得一供浸入式微影用的液體組合物。 製備實例11 97910.doc -13- 1307456 將重量平均分子量為85,000到146,〇〇〇的丄克聚乙烯醇 (Ald#36’314,98-99%被水解)溶解於4〇〇克的去離子水中, 由此獲得一供浸入式微影用的液體組合物。 製備實例12 將數目平均分子量為約270之5克的季戊四醇乙氧化物 溶解於300克的去離子水中,由此獲得一供 浸入式微影用的液體組合物。 製備實例13 將數目平均分子量為約797之5克的季戊四醇乙氧化物 (Ald#41,873-0)溶解於300克的去離子水中,由此獲得一供 浸入式微影用的液體組合物。 製備實例14 將數目平均分子量為約426之5克的季戊四醇乙氧化物 (Ald#41,874-9)溶解於300克的去離子水中,由此獲得一供 浸入式微影用的液體組合物。 製備實例15 將Thomley所生產i克的季戊四醇單油酸酯(產品名稱 Spipoest PEMO)溶解於400克的去離子水中,由此獲得一 供浸入式微影用的液體組合物。 製備實例16 將1克包含80重量%環氧乙烷以及數目平均分子量為 2,250的聚乙烯-喪段-聚(乙二醇)(Aldrich #5259(M)溶解於 400克的去離子水中,由此獲得一供浸入式微影用的液體 組合物。 97910.doc -14- 1307456 製備實例17 將1克包含82.5重量%環氧乙烷以及數目平均分子量為 14,600的聚(乙二醇)-嵌段-聚(乙二醇)_嵌段-聚(乙二醇) (Aldrich #54234-2)溶解於4〇〇克的去離子水中,由此獲得 一供浸入式微影用的液體組合物。 製備實例18 將1克包含80重量%環氧乙烷以及數目平均分子量為 8,400的聚(乙二醇)嵌段-聚(乙二醇)_嵌段·聚(乙二 醇)(Aldrich #41232-5)溶解於400克的去離子水中,由此獲 得一供浸入式微影用的液體組合物。 實例1到9 製備實例1到9所得供浸入式微影用之液體組合物的折射 率範圍經顯示為1.42到1,44,其為本發明希望獲得的結 果。 實例10和11 製備實例10和11所得供浸入式微影用之液體組合物的折 射率範圍經顯示為1.42到1.44,其為本發明希望獲得的結 果。 實例12到15 製備實例12到15所得供浸入式微影用之液體組合物的折 射率範圍經顯示為1.41到1.44,其為本發明希望獲得的結 果。 實例16到18 製備實例16到18所得供浸入式微影用之液體組合物的折 97910.doc -15- 1307456 射率範圍經顯示為1.42到丨.44 果。 其為本發明希望獲得的結 如上文所討論,本發明之—具體實施例中,—浸入式微 影方法伴隨❹供浸人式微影用的液體組合物而奏效,該 液體組合物包含一作為添加劑的非離子性界面活性劑和為 主要成份的水。如此-來,該液體組合物的表面張力由於 =離子性界面活性劑的存在而下降,因此可解決該液體組 合物在具有尖細剖面,並且可移除光阻膜和該液體組合物 間之微形氣㈣晶am法被完全填滿和被料濃縮的問 題。 以上說明僅供清楚瞭解本發明之用,不應由其中作任何 不必要的限制性解讀,因為在本發明範圍内所作的修飾, 對嫻熟本技藝人士而言為顯而易見者。 【圖式簡單說明】 為能夠更完整地瞭解本發明,茲應參考以下之詳細說明 和所附圖式,其中: 圖1為說明一浸泡式曝光計優點的圖表; 圖2為一橫截面圖,說明一傳統浸入式微影方法所面臨 之問題的實例; 圖3 a為一橫截面圖,說明根據本發明之一具體實施例之 浴飯式的浸入式微影裝置; 圖3b為一橫截面圖,說明根據本發明之一具體實施例之 大量淋浴式的浸入式微影裝置;和 圖3c為一橫截面圖,說明根據本發明之一具體實施例之 97910.doc • 16- 1307456 潛水艇式的浸入式微影裝置。 雖然所揭示發明可以有各種不同形式的具體實施例, 式(下文將予以說明)中圖解說明本發明之諸特定具體實, 例,但必須瞭解地是,揭示内容和圖式係供解說用,並非 意圖用來將本發明限制於其中所述之諸特定具體實施例。 【主要元件符號說明】 10 20 30 40 50 晶圓 液體組合物 浸沒透鏡單元 晶圓座台 投射透鏡單元
97910.doc -17-
Claims (1)
13071^137836號專利申請案 凊專利範圍替換本(97年12月) 十、申請專利範圍?7· 1' 一種供浸入式微影用之液體組合物,其包含水及選自由 聚乙稀醇、以季戊四醇為主成份之化合物及其混合物所 組成之群的非離子性界面活性劑。 2.如請求項1之液體組合物,其中以組合物總重為基準, 該非離子性界面活性劑的含量為〇〇1重量百分比到5重量 3. 4. 5. 6. 如叫求項2之液體組合物,其十以組合物總重為基準, 該非離子性界面活性劑的含量為0.05重量%到i重量%。 如凊求項1之液體組合物,其中聚乙烯醇的重量平均分 子量為 1,000到 150,000。 如凊求項1之液體組合物,其中以季戊四醇為主成份之 化合物的數目平均分子量為10到10 000。 如請求们之液體組合物’其中該以季戊四醇為主成份 ,化合物係選自由季戊四醇乙氧化物,季戊四醇單油酸 知’和其混合物所組成之群。 8. 如請求項1之液體組合物 一種浸入式微影裝置, 台和一投射透鏡單元, 用於該浸沒單元中。 其中水為去離子水。 包含一浸沒透鏡單元,一晶圓座 其中如請求項1之液體組合物被 9.=項8之浸入式微影襄置,其中該裝置係選自大 合式的裝置,浴缸式裝置和潛水艇式的裝置 了影裝置,進-步包括架設在晶 的曰曰圓,該晶圓具有尖細的剖面。 97910-971230.doc 1307456 項1之液體組合 11· 一種浸入式微影方法,係使用如請求 物0 12. —種製造半導體裝置的方法’該方法包含. (a) 提供一晶圓; 3 ^ (b) 於該晶圓上形成—光阻膜; ⑷利用如請求項1之液體組合物曝光該光阻膜;以及 (d)顯影該經曝光的光阻膜,獲得—光阻圖案。 13. 如請求項12之方法,其中該晶圓且 、 14. 如請求項12之方法,其中牛趣^尖'田的刮面。 、乂驟包含讓光源通過該液體 組合物的步驟》 叫 < 成饮筋 15. —種半導體裝置,係由 由包3下列步驟的方法盥撂. (a) 提供一晶圓; 凌製仵. (b) 於該晶圓上形成—光阻膜; (c) 利用如請求項1 之液體組合物曝光該光 (d) 顯影該經曝光 犋,U及 喂尤的先阻膜,獲得一光 97910-971230.doc
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020040036609A KR100680402B1 (ko) | 2004-05-22 | 2004-05-22 | 이멀젼 리소그래피용 액체 조성물 및 이를 이용한리소그래피 방법 |
KR1020040051502A KR100680401B1 (ko) | 2004-07-02 | 2004-07-02 | 이머젼 리소그래피용 액체 조성물 및 이를 이용한리소그래피 방법 |
KR1020040051501A KR100682213B1 (ko) | 2004-07-02 | 2004-07-02 | 이머젼 리소그래피용 액체 조성물 및 이를 이용한리소그래피 방법 |
KR1020040051503A KR100682152B1 (ko) | 2004-07-02 | 2004-07-02 | 이머젼 리소그래피용 액체 조성물 및 이를 이용한리소그래피 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW200538505A TW200538505A (en) | 2005-12-01 |
TWI307456B true TWI307456B (en) | 2009-03-11 |
Family
ID=35375561
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW093137836A TWI307456B (en) | 2004-05-22 | 2004-12-07 | Liquid composition for immersion lithography and lithography method using the same |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20050260528A1 (zh) |
JP (1) | JP2005340757A (zh) |
DE (1) | DE102004063246A1 (zh) |
NL (1) | NL1027911C2 (zh) |
TW (1) | TWI307456B (zh) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20080176047A1 (en) * | 2004-05-22 | 2008-07-24 | Hynix Semiconductor Inc. | Liquid Composition for Immersion Lithography and Lithography Method Using the Same |
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KR100685598B1 (ko) * | 2005-12-30 | 2007-02-22 | 주식회사 하이닉스반도체 | 이온주입용 마스크 패턴 형성 방법 |
RU2660054C1 (ru) * | 2016-09-05 | 2018-07-04 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики" (Университет ИТМО) | Иммерсионная композиция |
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-
2004
- 2004-11-30 US US10/999,528 patent/US20050260528A1/en not_active Abandoned
- 2004-12-07 TW TW093137836A patent/TWI307456B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-12-21 JP JP2004369334A patent/JP2005340757A/ja active Pending
- 2004-12-28 NL NL1027911A patent/NL1027911C2/nl not_active IP Right Cessation
- 2004-12-29 DE DE102004063246A patent/DE102004063246A1/de not_active Withdrawn
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE102004063246A1 (de) | 2006-01-12 |
NL1027911A1 (nl) | 2005-11-23 |
JP2005340757A (ja) | 2005-12-08 |
US20050260528A1 (en) | 2005-11-24 |
TW200538505A (en) | 2005-12-01 |
NL1027911C2 (nl) | 2009-09-21 |
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