TWI303839B - Self-luminous elements and method for producing the same - Google Patents

Description

l3〇3839 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於：在氣密容器内形成具有螢光體的營光 體層，並透過電子線激勵使該螢光體發光之自 4. 曰努光元件。 特別是關於··為了使該氣密容器内部呈高直办 ， I 土阿具空，並保持高 真空而在容器内配置有可吸收不要的氣體的新穎氣體吸收 材之自發光元件。

【先前技術】 對容器内部進行氣密密封以保持氣密狀態之自發光元 件，要在封閉空間中得到lxl0-3Pa的高真空時，^採用 具有吸收殘留氣體將其從氣相中排除的作用之物質，如

Ti(鈦）、Mo(鉬）、Ba(鋇）、Zr(錯）等高熔點金屬材料1作為 吸氣劑材料（以下稱之為吸氣劑（getter))。 如第14圖所示’使勞光體等電子線激勵發光材料發光 之自發光元件之-種之螢光顯示管係由：配置於直空氣穷 :器内的電子源(_);以及具有螢光體層(彻)的陽極所； 成’其中之#光體層（)被覆有受到該電子 撞擊會發光的螢光體。 包于 前述真空氣密容器内必須保持氣密，且前述真空容器 内面以及前述螢光體的表面必須保持潔淨。 在傳統的利用電子線激勵發光的自發光元件中，為了 使真空氣密容器内呈高真空，並且保持容器内面 體表面的潔淨度，而使用在金屬容器中充填有Μ](鎖_ 1呂）合金等吸氣劑材料之高價的環狀吸氣器（getier 316695 5 1303839 ring)(l 10)。 一般認為自發光元件之電漿顯示裝置在使容哭 二二化後：容器内部有電襞產生用氣體等顯示所必需：： f 生或進人’會對裳置的壽命 %，因此必須除去電漿顯示裝 不良〜 為維持自發光元件的肛梦 的氣體。 發光元件密封於容器内部後裝置之發光特性’在將 體以維持料。 後須韻㈣沒有不必要的氣 哭，% &件之—的螢光顯示管所用的吸氣 :二如幻4圖所示，對於在金屬容器内充填b

ΓΓ1材料而成的高價的環狀吸氣器⑽）進行高周I 二:：：”鑛膜。前述螢光顯示管用吸氣器為防止高周 (8(m: 的弊害，而開發出在前述高周波加熱的芯部 mm周圍載置m材（8G2)以防止磁場擴散等各種技 術（例如專利文獻1、2)。 但卻存有前述環狀吸㈣價格昂t，真空容器内必須 問題^工間’且必須增加安裝前述環狀吸氣器之工數等 為2止則述藉高周波加熱前述環狀吸氣器以形成蒸鍍 在：先刖技術的弊害，且有效活用工數與空間，而開發出 j頌示元件的絕緣性基板上面以印刷法、濺鍍法等形 w、自 Tl(欽）、Cr(鉻）、A1(銘）、V(飢）、Nb(銳）、Ta(|巨）、 上白]M〇 (处）、Ni(錄）、pe(鐵）、Mn(|孟）中的一種以 勺至屬或由其合金所構成之非蒸發型吸氣器（NEG)之技 516695 6 1303839 術（例如專利文獻3)。 但是，前述非蒸發型吸氣器（NEG)具有價格昂貴，且 必須活性化作業等的問題。 作為防止藉高周波加熱作為螢光顯示管用吸氣器之前 述環狀吸氣裔以形成蒸鍍膜時之弊害，且有效活用工數與 空間的技術，有將不含Ni等的添加金屬之Ba_A1合金、

Mg-Al(鎂·鋁）合金等，利用衝壓成形將其加工成圓板狀、 橢圓板狀、四角形等的板狀體，並利用金屬線、熔塊玻璃 (jnt glass)等將上述之吸氣劑安裝於螢光顯示管等的電子 吕内邛，且岫述吸氣劑，係藉由雷射光加熱進行蒸散 (flUSh)，形成吸氣劑鏡（getter mirror)膜之技術（例如專利文 獻4)。 另方面，除使用具有前述吸氣效果的金屬來維持真 空容器内氣體環境潔淨度的技術外，亦有以下所示使用 τ】02、Zn〇2作為補助性吸氣劑材料來使用的技術。 =使用Τι〇2、Zn〇2等作為吸氣劑材料，但若是還要吸 收Η(氫）或疋◦(氧）的物質，則亦可混人其他化學物質。之 後在將邊物質溶解於固著材溶液形成塗佈溶液後將其塗佈 於今柱』上。塗佈溶液内的吸氣劑材料的濃度訂為2至 5w^/〇玄固者材溶液在密封步驟中會蒸發並散發至外部， 只有作為吸氣劑物質的氧化鈦殘留下來。 叮射：t效發揮混入於上述固著材之吸氣劑的吸收效果， 好之效果施加至少_度以上的燒成步驟以獲得良 效果亦即，II由該燒成步驟，丁i〇2還原為Ti〇5tTi 316695 7 1303839 有助於吸氣效果的提高（例如專利文獻5)。 目則僅確認到形成並維持高真空的補助性效果，在奋 際應用上還存有問題。 只 〔專利文獻1〕日本特開平7-282728號公報 〔專利文獻2〕日本特開平2001-76653號公報 〔專利文獻3〕W〇〇〇/543〇7號公報 〔專利文獻4〕曰本特開2002-343233號公報 〔專利文獻5〕曰本特開2〇〇〇_34〇14〇號公報 【發明内容】 〔發明所欲解決之課題〕 3為在本發明之真空顯示裝置等的封閉空間中獲得I〆 二/:以下的高真空，係採用具有吸收殘留氣體分子以將 ，、攸孔相中排除之作用的物質，例如Ti、、仏、z 高熔點金屬材料作為吸氣劑材料。 寻 I述之Ϊ \可在14〇C至12〇t的範圍内使用之吸氣劑，有前 屬材料^吸氣劑已被實用化’但Τΐ、Μ〇、ΖΓ等高溶點金 y 尚未被貫用化作為吸氣劑材料。 縮乍ί别述吸氣劑材料之高炫點金屬的粉體，一般在接 二氣彳芝會自燃等相當不安定，同時 ^田个文《问日守會有乳體吸收能力不 峯月因此以安全、容易處理，且殘留氣體的吸收效 …良子為目的的各種技術不斷地被開發。 寸、十、但都具有：必須具有載置吸氣劑材料的空間；且在將 應材料截置於容器内部後必須要有藉由高周波感 ^ Λ、、、電阻加熱等使金屬吸氣劍表面活性化之步驟等問 336695 1303839 與氣體分子產生反應、結合後蒸著在固體表面以吸收广蝴 分子之分散型吸氣劑；以及 —在Tr Ta、Zr、V等的固體表面蒸錄吸氣劑以 /爭的吸氣劑面後，吸入氣體分子之接觸型吸氣劑。 作為前述接觸型吸氣劑材料而使用的金屬Ζρ，在允氣 中會產生氧化皮膜而呈現較強的耐腐蝕性，但其粉二^ 較易自燃的特徵。 一刀 〆、有 前述分散型吸氣劑以及接觸型吸氣劑均為透過金或 金屬合金與氣體分子的化學反應，來吸收氣體狀的分子、 原子而作為氣體吸收材發揮作用者。 另一方面，氧化鍅已知有低溫型（單斜晶系）與高溫型 (正方晶系），且轉移溫度為可逆性在1〇〇代附近會吸熱。 田此外，-般認為氧化錯有高度的孰缺陷，因此由在高 =具有穿透氧離子的特性來推敲，可推測其具有藉由該 陷來吸收氣體分子的機構，因而檢討Zr〇x(i^^2) :否可用作為與顯示裝置的吸氣劑材料同等的氣體吸收 材0 示其作為lb較對象，製錢用了下述環狀吸氣㈣螢光顯 ^ ^ 裒狀吸氣杰作為兼具前述分散型吸氣劑與接觸型 乳蜊之氣體吸收材而使用於螢光顯示管。 渴材、/方面，在物理性的氣體吸收材上，已知有作為吸 :吏用之或弗氧等具有高物理吸收能力之吸收劑而 4llm細 不刀子師（L]nde Co.以工業方式製造之具有 孔的合成沸石）。因此，將使用前述沸石系分子篩之 316695 1303839 光顯示管用氣體吸收材。 了-使用作為營 (比較例1) 例。比較例！係使用傳統的環狀吸氣器之螢光顯示管之 =第Η圖所示，在外形尺寸寬25mmx長5〇聰的玻

=_)上面’形成㈣膜後，利用光微影法使該紹薄 :Θ木化以形成未圖不之配線圖案。在該配線圖案上面形 低熔點玻璃為主要成份的絕緣層（200)，並在絕緣層 poo)上叹置與配線導體相通的貫通孔伽。响We)部。之 後，在絕緣層上面以堵塞上述貫通孔的方式形成以石墨為 主成分的陽極導體（300)並進行燒成（必要時亦可在前述貫 通孔部分設置導電材）。 之後，在前述陽極導體上面以網版印刷法形成低速電 子線用螢光體層（400)後，以約45〇t進行燒成而完成陽極 馨基板。 將前述陽極基板；内藏傳統的環狀吸氣器（110)、燈絲 (600)、栅電極（500)，寬25mmx長5〇mm的玻璃基板（〇〇〇); 以及船型容器（700)等加以組裝，在4〇〇至5〇(rc的氣體環 境下利用低溶點玻璃將容器形成為外形尺寸寬25mnix長 50mmx高3mm的船型容器。 接著’在300至4〇〇。(：的環境中吸出容器中的氣體而 完成真空氣密化的螢光顯示管。之後，藉由高周波感應加 熱岫述吸氣劑作成高真空化之樣本。之後，再將真空氣密 14 316695 1303839 密封的螢光顯示管保管於j 〇〇 (aging)而完成螢光顯示管。 (比較例2) 至300 C的烤箱後進行陳化 f系分子篩之氣體吸收材作為氣 官的陽極基板的絕緣層上面的螢 比車父例2係將包含沸 體吸收層配設於螢光顯示 光顯示管之例。 〆弗:ΐ分子峰indeCo.以工業方式製造之具有 細孔的彿石)係作為吸濕材、或對二氧化碳等具有高物 理吸收能力的吸收劑而被廣泛使用，依其 用於各種製品。 八j」便 材 在此，為確認其是否可作為螢光 製造下述的比較用螢光顯示管。 顯示管用氣體吸收 具體而言，在第14圖所示的螢光顯示管中，不使用環 狀吸氣器（11G)，在絕緣層上面，未配設前述陽極導體的領 域上’在外形尺寸見25mmx長5〇咖的玻璃基板⑽〇)上 面，將包含沸石系分子篩之氣體吸收材形成用糊料印刷成 15mmx 30mm的大小後，在空氣環境中以約45〇。〇進行燒 成。燒成後的氣體吸收材層（1 00)的重量為約。 之後，在400至5〇〇。〇的環境下利用低溶點玻璃將外 形尺寸寬25mmx長50mmx高3rnm的船型容器製作成真 空氣岔化的螢光顯示管。 前述沸石系分子篩，係使用下述3A、4A、5A、1 3X。 包含前述沸石系分子篩之氣體吸收材形成用糊料，係 混合於將乙基纖維素（ethyl cellulose)等溶解於丁基卡必醇 316695 15 1303839 (butyl carbitol)與萜品醇（terpine〇i)的混合溶媒而 ，（vehicle)中而作成。 J戰月豆 • 3A:吸收H2〇、NH3、He之有效直徑〇.3謂以下的製 品。 、 4A · ·吸收 H3S、C02、C2H2、C2H2、C3H3〇H、c6H6 之有效直徑0.4nm以下的製品。 6 5A ·吸收n~石蠟、n—烯烴、n—C4H9〇H之有效直 _ 徑l.Onm以下的產品。 〆 ·吸收ISO-石蠟、is0_烯烴、二（正丁基胺基）芳香 無之有效直徑1 ·〇ηιη以下的製品。 ^ (實施例1) ， 貫施例1係將包含氧化鍅的氣體吸收材作為氣體吸收 •層配δ又於螢光顯示管的陽極基板的絕緣層上面之本發明的 螢光顯示管。 χ 如第1圖所示，在外形尺寸寬25mmx長5〇mm的玻 #璃基板（000)上面，形成鋁薄膜後，利用光微影法將該鋁薄 版圖案化，形成未圖示之配線圖案。在該配線圖案上面， 形成設有用以連接該配線圖案與陽極導體（300)之貫通孔 邛之以低熔點玻璃為主成分之絕緣層（200)。該絕緣層上面 形成以石墨為主成分的陽極導體（3〇〇)並進行燒成（必要時 亦可在前述貫通孔部分設置導電材）。 之後，使用網版印刷法在前述陽極導體上面形成低速 電子線用螢光體層（400)後以約4501進行燒成而完成陽極 基板。 316695 16 1303839 之後’使帛網版印刷法在陽極導體上面形成低速電子 線用赏光體層（4GG)後，在未配置前述陽極導體的領域，將 包含氧化鉛的氣體吸收材形成用糊料以15觸3〇匪的 大小印刷於㈣尺寸寬25mmx i 5(W的玻職板（_) ί面後’在空氣環境中以大約辦加以燒成。燒成後的 氣體吸收材層（100)重量約6mg。 之後’在4GG i 5G〇t：的環境下利用低熔點玻璃將外 2 =寬25mmx長5〇mmx高3職的船型容器製作成真 二氣岔化的螢光顯示管。 脾7 别述乳化鍅之氣體吸收材形成用糊料，係混合於 .土卡必知與帖品醇的混合溶媒而 成的載體（vehicle)中而作成。 比較例1、比較例2、每a yx,丄 ^ 評估方法如下述。 心财所製造的螢光顯示管的 (關於螢光顯示管的燈絲的電子放出能力） 在此說明有關營光顯示管的燈絲的電子放出能力，第 嗎顯示典型的2極管的靜特性。圖 初速電流領域，該領域做陰 子1 = ^ 的陽極電壓的能量的電子會中具有克服負 陽極電壓由負升高到變 極放出並朝陽極方向加速，放二^ $多數電子從陰 的空間，在陰極受到電子^ 毛子會充滿陰極與陽極 η稱為空間電荷限制領域爾態下保持平衡。此領域 形成由於陰極的電子放出〜’當陽極電壓繼續增加時， 放出-力限制陽極電流之溫度限制領 1303839 域III。此時陰極放出的全電流Is可以下述之瑞查生—德 西曼（Richardson-Dushman)式（1)表示。

Is=SATn exp(- e φ /ΚΤ)...(ΐ) 因此’在溫度限制領域内保持溫度Τ為一定，藉由測 置Is即可評估陰極的能力。測量此Is值，將之使用作為 脈衝放射（pulse emission)的值，此脈衝放射的值係作為評 估以進行一般正常驅動時的螢光顯示管的值為基準達 • 100%以上為標準之螢光顯示管的燈絲之電子放出能力的 值（以下同）。 (關於氣體電流） 在此，說明有關螢光顯示管的燈絲的電子放出能力， 螢光顯示管必須使氣密容器内保持在lx 10_3Pa以下的高 真空，但其中亦存有微量氣體。因此，測量維持螢光顯示 管之機能所需的真空度之手段，係在對燈絲通電以使電子 放出的狀態下，對螢光顯示管内的栅電極施加預定的正電 鲁壓使微量離子產生。

下作為螢光顯示管之真空度的標準（以下同） 時， 為評 進行 出能力的 光顯示管為 7以點亮使之 120%〇 實施例]之螢光顯示管之作為燈絲的電子放 標準之脈衝放射的初期值係相對於標準螢光 】20%。然而卻為對比較例]的燈絲施加電壓加以 316695 18 1303839 釋放熱电子1 00小時後的脈衝放射之約，但相對於使 用標準的Ba-Al吸氣劑之螢光顯示管的脈衝放射為約 200 /〇的值，此數值表示可取代Ba-Al吸氣劑。 ^實施例1的螢光顯示管之作為真空度的標準之氣體電 流的初期值’係相對於標準螢光顯示管為110%，但對前述 螢光顯示管的燈絲施加電壓使其釋放熱電子100小時後會 Ρ牛，至約80%。3-方自’與使用標準Ba_Ai，氣劑⑴〇) 的螢光顯示管為同等水準。 由以上可以得知，藉由在容器内將包含氧化錯的氣體 ，收層（_配設於真空容器的—部分，即可獲得與傳統的 a A1吸氣劑（11 〇)相近的氣體吸收效果。 —接者’使用比較例1、比較例2與實施例！的營光顯 Z 估作為燈絲的電子放出能力的標準之脈衝放射以 作為真空度广標準之氣體電流，以確認前述氧化锆以及 )弗石糸分子師是否可作发_ 、、螢光顯示管用氣體吸收材來使 用〇 316695 19 1303839

(圖表1 ) 顯示（比較例1 )(比較例2)(實施例1 )之對螢光顯示管 的電子放出特性的比率之圖表。

吸氣劑 13Χ 5Α 4Α 3Α Zr〇t (圖表2) 顯示（比較例1)(比較例2)(實施例1)之對螢光顯示管 的氣體電流的比率之圖表。 20 316695 1303839 卜 ·表1可知’頒示使用氧化錯作為氣體吸收材的實 細例1，螢光顯示管的燈絲之電子放出能力之脈衝放射， 、寸；最低必要值具有250%的電子放出能力，但與比較 例1之傳統的Ba-Al吸氣劑相較時則約為其數值的一半。 ^方面比較例2之使用廣為人知的物理吸收劑之沸石系 二子自帛（4A)的螢光顯示管相較之下為約3〇%以下之值，確 系刀子篩不能使用作為螢光顯示管用氣體吸收材。 鲁 由圖表2可知，就以評估營光顯示管的真空特性為目 ^之顯不勞光顯示管内的微量氣體之氣體電流值來看，將 氧化錯使用作為氣體吸收材之實施例i的螢光顯示管的氣 體電f值’與使用傳統的Bail吸氣劑之比較例丨的營光 顯不官相較為同等的值，但與比較例2之使用廣為人知的 物理吸收劑之彿石系分子筛（4A)之勞光顯示管的氣體電流 值相較，則為約至約2.5%以下的值。 ^由以上可以得知，在容器内將氧化錯作為氣體吸收材 •:己6又於真空容器的一部份之實施例i的螢光顯示管，可獲 付與使用傳統的Ba-A1吸氣劑之比較例1的螢光顯示管相 近的氣體吸收效果。 螢光顯示管通常係在室溫(約25。〇下使用，但隨規柊 不同亦有在抑以上的條件下保管之情形。針對實施例^ 的螢光顯示管測量在25t、贼、阶、i2〇M條件下 之氣體電流後評估25t之氣體電流。 。顯示實施例1之螢光顯示管的真空度之氣體電流在25 c、：)〇c、85C、12(TC下的值，與使用傳統的Ba_A】吸氣 316695 1303839 劑，比較例！的螢光顯示管的值相較，25t時約為ι〇〇%、 5〇 C時約| 150%、85t時約為2嶋、12代時也約為 200%，但是在放置於12(Γ(：環境後放回25。〇時為約。 "由上述、、Ό果可知’使用氧化錯作為氣體吸收材時，在 常溫下可獲得與傳統的Ba_A1吸氣劑相同之效果。保管於 5〇°C以上的溫度時只要回到常溫饥下，亦可獲得虚使用 傳統的Ba-A!吸氣劑之比較例1的螢光顯示管相同之效果。

通常在85°C以上的條件下保管螢光顯示管時，合因螢 f顯示管内㈣光體表面等產生氣體而導致亮度降料問 喊。在使用傳統的Ba-A1吸氣劑之螢光顯示管的情況下， 在，溫（饥）下驅動，使前述Ba_A1吸氣劑吸收對 螢先顯示管而言不要的氣體以恢復穩定的顯示。

脈衝2 ΓΓκ施例1之螢光顯示管的電子放出能力的 較於使用傳統的Β“i糊的比較例i的 :先:員：官’在常溫饥下的值為約纏，將前述 顯不管放置於^(^的環境24 前述螢光顯示管在25。。下點古 /、”一 110% ’將 J30%。 下再2冗16小日可後其值為約 上可以得知，s由在容器内將氧化錯配設於直空 分，即可獲得與傳統…吸氣劑相近的氣 (氧化鍅的氣體吸收之確認） 為確認包含作為氣體吸 在貫施例1的螢光顯示管中 316695 22 1303839 收材的氧化鍅之氣體吸收層是否可作為螢光顯示管的氣體 吸收材，主要係針對所吸收之氣體的種類進行確認。

氣體種類 (圖表3) 顯示常溫與85°c時產生的氣體的種類。 由圖表3可知，配設氧化鍅作為氣體吸收層之實施例 1的螢光顯示管所產生的氣體電流之值，係較使用傳統的 φ Ba-Al吸氣劑之比較例1的螢光顯示管所產生的氣體電流 之值少。 此外，可知在實施例1之螢光顯示管中，會對螢光顯 示管之真空管的特性產生不良影響的H20、C02，在85°C 時的值相當大，但在螢光顯示管實際使用時的溫度25 °C下 則H20、C02的量均很少。 由以上可知，藉由在容器内將氧化锆作為氣體吸收層 配設於真空容器的一部份，即可獲得與傳統的Ba-Al吸氣 劑相近的氣體吸收效果。 316695 1303839 確認比較例1之螢来顯一总、，u & a μ Ί 尤”、、頁不g以及Λ施例1之螢光顯示 管在常溫下驅動500小咩沾主入a士" 丄 ”、' 動500小時的壽命特性。 L衣扠甲为

顯示在25°C下驅％ 5〇〇小時的壽命特,丨 j日可的命命特性以及在85。 ί生之圖表 316695 24 1303839 亮度比的變化

時間：h 1 1

(圖表5) 表示在85下驅動5〇〇小時的壽命特性之圖表。 由圖表4、圖表5可知，配設本發明之氧化鍅作為 體吸收材之實施例1的螢光顯示管即使在點亮5〇〇小 後，相對於初期輝度仍呈現100%以上的充足特性。與 用傳統的Ba-A1吸氣劑之比較例！的螢光顯示管的⑽ =，其雖㈣10%，但可得知由特性上來看是可 营代的。 声，:包含氧化錯作為氣體吸收材之氣體❸ 層了代替傳統的Ba-AI吸氣劑。 次1 二的…前尚有許多未解明 正在重新檢討， 二:末針對其作為觸媒的用途4 另-方面氧化鲒如前所述盆二體吸收材的有效材料。 ^ 一有南度氧缺陷，因此，從直 25 1303839 吸收材之有效^=機構’故可推測氧化錯亦為作為氣體 接著，有關將氧化鍅配設在以燈 顯示管中而成A 謂為电子源之螢先 空氣…顯示管，以及以面臨真 為；；；：：：方式將氧化錯配設在以電解放出電子源作 ·:螢光顯示管内而成為自發光元件之螢光顯亍其 係記載於實施例。 1于之蛍光顯不官 (實施例2) .氣體—玻璃為主成分的絕緣層上面配置 陽極二2圖：Γ在玻璃基板(_)上面，以咖形成 以二： 上面形成具有顯示圖案狀的開口之 馨rt主成分之料層（雇）。在該陽極上面形成 •的ί:、:=)、::在配設於螢光體層周邊之絕緣體層_ •、 /又·^光體層的領域，利用網版印刷法塗佈包含氧 化錯之實施例】所使用的糊材以形成作為氣體 體，收層（100)。之後以與實施例1相同的方式製造營光顯 不管。 在實施例2中，使前述氣體吸收層的表面面臨真空氣 體環境而配設，可獲得與實施例】相同之效果。 (實施例3) 第3圖為配設氣體吸收材替代以低炫點玻璃為主成分 之絕緣層的例子。 316695 26 1303839 ”如第3圖所示，在玻璃基板(_)上面，藉由鋁薄膜形 成_不圖案形狀之陽極（3〇〇)，並在該陽極上面形成螢光體 層（400)。在絕緣性玻璃基板上面，顯示圖案開口之沒有陽 極的部分，利用網版印刷法塗佈實施例〗所使用之包含氧 化錯的糊材形成作為氣體吸收材的氣體吸收層（1⑻）。之後 以與實施例1相同的方式製造螢光顯示管。 在實施例3中不使用Ba_A1吸氣劑，使前述氣體吸收 層的表面等面臨真空氣體環境之實施例3之螢光顯示管亦 可獲得與實施例1相同之效果。 (實施例4) 弟4圖係在構成氣岔谷器的框部件的内面配設氣體吸 收材之例。 如第4圖所不，在實施例1之框部件（702)塗佈形成作 為氣體吸收材的氣體吸收層，將此框部件（7〇2)與前面板 (701)及玻璃基板(000)加以組合，製造在容器内内藏有陽 極、柵極、燈絲的螢光顯示管。之後係以與實施例i相同 的方式製造螢光顯示管。 貫施例4的螢光顯示管亦可獲得與實施例1相同之效 果0 (實施例5) 第5圖係在構成氣密容器之前面板的内面配設氣體吸 收材之例。 如第5圖所示’將前述玻璃基板（〇〇〇)、利用網版印刷 法印刷包含氧化錯之糊材而形成有氣體吸收層（100)之前 27 316695 1303839 面板⑽）、及框部件（702)組合，製造容器 柵極、燈絲之螢光顳卡其^ 、 纖有％極、 製造螢光顯示管。' 相同之方式 作為G二5中所使用的糊材’係殘留1Wi%至3°wt%之 基纖維素等溶解於丁:卡 載體中而作成。土 七、帖品醇的混合溶媒而成的 (實施例6) 藉由形成如第6圖所示之岡安 —.^, 5之氣體吸收層。圖木，可任意地形成實施例 實施例5、實施例6均可獲得與實施 (實施例7) 伯1j之效果。 如第7圖所示’殘留lwt%s 3_%之作為 石墨並將氧化錯作兔囡π八 、電材的 、容解於有牖 ”、、V刀，使其混合於將乙基纖維素等 解有機鈦、丁基卡必醇與萜品醇的混合溶婵而… 體中作成糊材’並利用網版印刷法將糊材形成 吸收性的陽極導體⑽)’在前述陽 ：：： =法形成低速電子線用榮光體層_)後以約= 义、、而進仃製造。其它則以與 螢光顯示管。 lj的方式製造 =施例：中，亦可獲得與實施例】相同之效果。 ，本貫施例中所使用的陽極導体 用途而使用現入有混合比率相對於石墨為 99.99端的Zr〇2之糊材。 ’ .OUvt/o至 316695 28 1303839 ' (實施例8) 8 ®係在燈絲支持部（術）配設本發明之氣體吸 之例。 如第8圖所示，在以與實施例1相同之燈絲作為電子 源之螢光顯示管的燈絲支持部（6〇1)配設本發明之氧^錯 作為氣體吸收材而作成顯示元件。 有關氧化錯的塗佈方法，可將氧化錯分散於乙醇、丙 鲁酮、水或其他的溶媒中以製作噴霧劑（aer〇s〇i)，再將該喷 務劑喷灑於燈絲支持部6 〇 1後使其乾燥。 、 實施例8亦可獲得與實施例1相同的效果。 (實施例9) 第9圖係在柵極（5〇〇)配設本發明之氣體吸收材之例。 、=第9圖所示，在與實施例丨相同之以燈絲作為電子 源之螢光顯示管中，柵極（5〇〇)之與燈絲相反側的螢光體層 (4 0 0)側配設作為本發明之氣體吸收材之氧化锆以製作螢 _光顯示管。 有關氧化鍅的塗佈方法，可將氧化錯分散於乙醇、丙 酮水或其他的溶媒中以製作喷霧劑，在將該噴霧劑喷灑 於燈絲支持部601後使其乾燥。 此外’亦可將實施例1、5的糊材印刷塗佈於柵極後使 其乾燥。 實施例9亦可獲得與實施例1相同的效果。 (實施例10) 第10圖係在肋狀間隔材（511)上配設本發明之氣體吸 29 316695 1303839 收材之例。 ，如第ίο圖所示，在與實施例Μ同之以燈絲作為電子 源的螢光顯示營中，#罢士入妙μ °又置方；京先肽層（400)側周圍的肋狀間 隔材〜人作為本發明之氣體吸收材的氧化鍅而製作螢光 顯示管。 此入乳化錯之肋狀間隔材（川），係殘g 3〇wt%至 5乙 ==玻璃並，作為固形份，使其*合於將 -二而A :寺/♦解於有機鈦、T基卡必醇與^品醇的混合 :媒成㈣體中作成崎，再制㈣材進行印刷而形 成。 實施例1G亦可獲得與實施例丨相同之效果。 (實施例11) 第圖係在與燈絲狀陰極平行張設的芯線上配設本 發明之氣體吸收材之例。 如弟11圖所示，表腺系、μχ / 、 字丙稀酉夂糸黏合劑（acrylic binder) 溶解於丙酮而成的溶媒中今 、 使氧化鍅分散而作成分散液， 再利用電沉積法使氧化锊命_ 平鍩％/儿積於鎢以外的金屬上，形 氣體吸收層100。 將電沉積有前述氧彳卜如^ 乳化t的金屬材料，與例如燈絲狀陰 極並列而安裝於螢光_ +其 …員不B内部。其它則以與實施例1相 同之方式來製造螢光顯干;^ . ^ 〜g。與燈絲分離而完成之螢光顯 示管内的電沉積有前述彔触 、 ^乳肢及收層（100)的金屬材料，亦可 藉由從外部通電等的電F且^挪α 兒|丑加熱使之活性化。 在本貫施例11中，可兹山/>/ 」稭由併用Ba-Al吸氣劑，獲得可 316695 30 1303839 罪性較實施例1更佳之螢光顯示管。 (實施例12) 第12圖係在使用尖錐型電場放出元件作為電子源之 螢光顯示裝置配設氣體吸收材之例。 如第12圖（a)及（b)所示，螢光顯示裝置係具備：隔著 絕緣性間隔材部件將具有絕緣性以及透光性的陽極絲與 具有絕緣性之陰極基板—體㈣而成之薄箱形外_。兩 丨基板的間隔可設定在例如5〇〇um以下。 此外’雖未圖示，陰極基板2的角落部形成有排氣孔， :卜圍器内的氣體會由排氣孔排出。排氣後’該排氣孔會被 T而外圍器3内會保持在例如1χ 1(r3pa以下的高真空 狀態。 ’、 在外圍器内之與陽極基板相對的陰極基板上，形成有 作為顯示部的電子源之縱型電場放射元件（ 元件_)係具備：形成於陰極基板的内面之陰極電:；: 上的電阻層；形成於電阻層上的氧化”的 心彖層，形成於絕緣層上的閘極電極；以及在絕緣層以及 ，極電極所形成的孔内設置於陰極電極上呈圓錐狀㈣ 益（emmer)。此外’作為fed亦有妗極恭朽$也妨 間沒有電阻層者。極—與絕緣層之 在外圍器3的陽極基板的内面，與電場放射 的位置，形成有作為顯示部的陽極電極。陽極電^ 形成於陽極基板】上之由ίτ〇等所構成的透光性陽極導體 以及在陽極導體上以預定形狀’例如以點狀矩陣狀 316695 31 1303839 覆盘形成的螢光體層（400)所構成。 在外圍1§’的陽極基板的内面，構成顯示部的各螢光體 層的周圍，隔著微小的間隔覆蓋形成有氣體吸收層（1〇〇)。 氣體吸收層（100)之表面會外露接觸外圍器，3内的氣體環 境。此氣體吸收層（100)，會吸收外圍器内產生的氣體，具 體來說，會吸收螢光體層_)由於電場放射元件放出的電 子的撞擊而發光時產生之氣體。

/在上述實施例12中，電場放射元件（620)釋放出電子 該電子會撞擊陽極電極的螢光體層（彻)激勵發光。此 時的發光可藉由陽極導體與透光性陽極基板觀察到。此 外，電子撞擊螢光體層(400)時的能量，其一部分會轉換成 熱，同時會使螢光體層(400)分解而產生氣體。此時所產生 之氣體，會被以包圍各螢光體層(彻)之方式形成的氣體吸 收層（100)所吸收。此時’氣體吸收層〇〇〇)亦可發揮從陽極 基㈣觀察f光體層（綱的發光時之遮蔽部件之功能。

因此’根據上述實施例12，營光體層（彻)激勵發光時 洋游至顯示部上的氣體，會被以包圍各螢光體層（彻）之方 式形成的氣體吸收層_)有效率地吸收，故在外圍哭内的 顯示部全體之氣料會被讀而可㈣外圍㈣的高直空 狀恶。此外，由於可減少浮游至顯示器上的氣體，故可降 低該，體所造成之電場放射^件的放射器_叫的污 染，减即可保持電子的放射以及發光亮度，與傳統相較 可延長顯示裝置的使用壽命。 b外在貝轭例1 2，係在陽極基板内面以隔著微小的 316695 32 1303839 ==體層_)的方式形成氣體吸收層剛，但亦 /成為不留間隔而形成鱼 ⑽)，在對陽極導體施加正電觸的氣體吸收層 極導體形成相同電位之構=體吸收層⑽)與陽 的電子的撞擊合更m㈣，對於氣體吸收層⑽） (實施例13)曰更加活性化，可提高氣體吸收能力。 型電ί =前述尖錐型電子源而使用以碳作為電子源之碳 少冤％放出元件的顯千分 ^ 收材之氧化鍅而作成:f…杜’配設作為本發明之氣體吸 之效果。 乍成頌不兀件’亦可獲得與實施例12相同 (實施例14) 在取代前述尖錐型電子源 構成-議型電場放出:件:干用元:絕緣薄膜/金屬 :明之氣體吸收封之氧化鍅而作成顯示元件，= 實施例12相同之效果。 干後侍與 絲狀==二作為顯示元件的一例，雖顯示了：在以燈 穿置二:源之營光管、使用尖錐型電場放出顯示 =、使h型電子放出源之顯示元件、使用聰型電 方出7L件的顯示元件等真空氣密容器 ^ ^ ® AA ^ - /、啕屯子源以及 先層的顯不元件中使用氣體吸收材的例子，但不描θ 將容器内部保持真空的情況，只要是需要將氣密容哭^ ^體環境保持在初期狀態之顯示元件，均可應用本ς明之 含有ZrOx(l$x$2)之氣體吸收材。 〔產業上之可利用性〕 316695 33 1303839 使用本發明之新穎氣體吸收材 電子線激勵螢光體，與使用傳統的β自=先：件的-種之 示管相較，本發明可提供沒有Β °及虱劏之踅光頦 限制、俨妹供寤曰车Α曰 A1吸氣劑的配設場所的 低廉且卩長的螢光顯示f，因 =易之新穎螢光顯示管的用途更加擴展之產業上之可利 材可本發明之含有ΖΓ〇Χ(1 Μ2)的氣體吸收 二種材料混合成糊材形成氣體吸收層配設於自發光 t二^广丙酮、水或其他溶媒進行分散製作成噴 務弋=成於顯示元件的支柱外的其他部件的表面。 空氣密容器的元件// 4置、EL元件等需要真 中，亦可將其作為廉價且壽命長的氣體 吸收材來利用，驻+ A址‘ 展。 曰此虽然亦可使自發光元件的用途更加擴 【圖式簡單說明】 f1圖係顯示本發明之實施例1之圖。 f 2圖係顯示本發明之實施例2之圖。 第3圖仏顯示本發明之實施例3之圖。 第圖仏顯示本發明之實施例4之圖。 第5圖係_ ”、貝不本發明之實施例5之圖。 第6圖係显g _ 、”、、員不本發明之實施例6之圖。 第7圖倍為_ 、 員不本發明之實施例7之圖。 弟8圖係细一 項不本發明之實施例8之圖。 弟9圖係_ 一 ·、、、負不本發明之實施例9之圖。 34 316695 13〇3839 弟10圖係顯示本發明之實施例10之圖。 第11圖係顯示本發明之實施例11之圖。 第12圖（a)及（b)係顯示本發明之實施例12之圖。 第13圖係顯示典型之2極管的靜特性之圖。 第14圖係顯示傳統的實施例之圖。 【主要元件符號說明】 100 氣體吸收材 200 絕緣層 400 螢先體層 511 肋狀間隔材 601 燈絲支持部 700 容器 702 框部件 802 磁性芯材

00〇 陽極基板 11〇 環狀吸氣器 300,301 陽極導體 500 拇極 600 燈絲 620 電場放射元件 701 前面板 800 高周波加熱裝置 803 芯部

Claims (1)

1. 第94101761號專利申請案 13〇3839 二十、申請專利範圍： 丫 一4.: h J種自發光元件，包含··真空氣密容器< ;甿 氣雄、容器内之電子源；接受前述電子源所發射的電子而 =光之螢光體省，·以及配設於前述真空氣密容器内而包 ，具有氧缺陷之ΖΚ)Χ (1$Χ$2)且具有導電性的膜狀 戽體及收材，且將如述各構件配設於前述氣密容器内； 〃中$述氣體吸收材係為形成在前述氣密容器内 的下層電極。 前述氣體 2. 如申請專利範圍第1項之自發光元件，其中 吸收材中含有石墨。 前述電子 3. 如申請專利範圍第1項之自發光元件，其中 源為燈絲狀的電子源。 前述電子 4. 如申請專利範圍第1項之自發光元件，其中 源為電場放出電子源。 利範圍第1項之自發光元件，其中，將前述氣 ::以膜狀配設於形成在前述氣密容器内 緣層上面。 利觀圍第1項或第2項之自發光元件，其中， 刖述氣體吸收材择花；士、 义 極的陽極電極。’、…別述谷器内面之作為下層電 7. —種自發光元件之製造方法，具有： 將包含有具備氧缺陷之& 電性的氣體吸收杜 ~ )且具有V 用4胡材的步驟； L轧菔及收材形成 316695修正版 36 第94101761號專利申請幸 (97年2月22曰^ 1303839 塗布5亥糊材的步驟； 形成料，μ預定位置 為下層電極的步‘二_氣體_材俾使其成 材有藉由上述燒結而得到之氣體吸收 ==接受從該電子源所照射之電子的螢光體 層的谷斋予以氣密密封成真空的步驟。 - 8. —種自發光元件之製造方法，具有： 將包含有具備氧缺陷之Zr〇x(i^x 氣體吸收材與载劑混合 :墨的 的步驟； 衣體及收材形成用糊材 塗布該糊材的步驟； 藉由將上缝”之婦予以燒結， 形成含有ZrOx ( 1幺χ < 溆丈重 頁疋位置 承 ） 膜狀氣體吸收材俾 使其成為下層電極的步驟；以及 2㈣具有藉由域燒結而得収氣體吸收 電原、及接受從該電子源所照射之電子的螢光體 層的容器予以氣密密封成真空的步驟。 先體 316695修正版 37