JP2751824B2 - 高周波加熱装置及び高周波加熱方法 - Google Patents
高周波加熱装置及び高周波加熱方法Info
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- JP2751824B2 JP2751824B2 JP6066119A JP6611994A JP2751824B2 JP 2751824 B2 JP2751824 B2 JP 2751824B2 JP 6066119 A JP6066119 A JP 6066119A JP 6611994 A JP6611994 A JP 6611994A JP 2751824 B2 JP2751824 B2 JP 2751824B2
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/24—Manufacture or joining of vessels, leading-in conductors or bases
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- H—ELECTRICITY
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- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B6/00—Heating by electric, magnetic or electromagnetic fields
- H05B6/02—Induction heating
- H05B6/10—Induction heating apparatus, other than furnaces, for specific applications
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- Constitution Of High-Frequency Heating (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば蛍光表示管等の
外囲器内に設けられて外囲器内の真空度を保持するゲッ
ターを高周波加熱するための高周波加熱装置及び高周波
加熱方法に関するものである。
外囲器内に設けられて外囲器内の真空度を保持するゲッ
ターを高周波加熱するための高周波加熱装置及び高周波
加熱方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】例えば陽極電圧を制御することにより、
発光色の異なる表示が得られる蛍光表示管として、フィ
ラメント（陰極）、制御電極及び陽極を有する直熱形の
３極真空管構造の蛍光表示管を例にとって説明する。
発光色の異なる表示が得られる蛍光表示管として、フィ
ラメント（陰極）、制御電極及び陽極を有する直熱形の
３極真空管構造の蛍光表示管を例にとって説明する。
【０００３】この種の蛍光表示管を製造する場合には、
まず、配線導体が形成された陽極基板上に発光表示部と
なる陽極を作る。次に、フィラメント、制御電極、ゲッ
ター等の各種電極類が設けられたスペーサフレームを陽
極基板上に位置決めして配置し、陽極基板の表面縁部分
には予め封着材を塗布してある。そして、予め陽極基板
との接合面に封着材が塗布された側面板と前面板からな
る容器部をスペーサフレームが配置された陽極基板上に
被せて外囲器を組み立てる。この状態で、外囲器を例え
ば４００〜６００℃で焼成して封着材を溶融し、接合面
を封着して箱形の外囲器を形成する。この後、外囲器の
排気口より排気して内部を例えば１０-5〜１０-7Torrの
高真空状態に保持しながら封止する。さらに、外囲器内
の真空度を保持するために、リング状のゲッターを高周
波加熱して外囲器の内壁面にゲッターミラーを形成し
（ゲッターリング工程）、陽極やフィラメント等から発
生する残留ガスをゲッターミラーに吸着させる。この
後、スペーサフレームの周囲を切断し、エージング工程
を経て表示管が完成する。
まず、配線導体が形成された陽極基板上に発光表示部と
なる陽極を作る。次に、フィラメント、制御電極、ゲッ
ター等の各種電極類が設けられたスペーサフレームを陽
極基板上に位置決めして配置し、陽極基板の表面縁部分
には予め封着材を塗布してある。そして、予め陽極基板
との接合面に封着材が塗布された側面板と前面板からな
る容器部をスペーサフレームが配置された陽極基板上に
被せて外囲器を組み立てる。この状態で、外囲器を例え
ば４００〜６００℃で焼成して封着材を溶融し、接合面
を封着して箱形の外囲器を形成する。この後、外囲器の
排気口より排気して内部を例えば１０-5〜１０-7Torrの
高真空状態に保持しながら封止する。さらに、外囲器内
の真空度を保持するために、リング状のゲッターを高周
波加熱して外囲器の内壁面にゲッターミラーを形成し
（ゲッターリング工程）、陽極やフィラメント等から発
生する残留ガスをゲッターミラーに吸着させる。この
後、スペーサフレームの周囲を切断し、エージング工程
を経て表示管が完成する。
【０００４】ところで、外囲器内の真空度を保持するた
めのゲッターは、リング状の容器中にバリウム等のゲッ
ター材料が埋め込まれており、このゲッター材料を蒸発
させて外囲器の内壁面にゲッターミラーを形成するため
には、例えば１１００〜１２００℃の高温に加熱する必
要があった。
めのゲッターは、リング状の容器中にバリウム等のゲッ
ター材料が埋め込まれており、このゲッター材料を蒸発
させて外囲器の内壁面にゲッターミラーを形成するため
には、例えば１１００〜１２００℃の高温に加熱する必
要があった。
【０００５】このゲッターの加熱に用いられる高周波加
熱装置は、図１２に示すように、ゲッター１とほぼ同径
の磁性材料からなる高周波加熱用コア２の周囲に誘導子
としての高周波用コイル３を巻き、この高周波加熱用コ
イル３の両端に高周波電流を流すための交流源４を接続
して構成されるものである。この高周波加熱装置は、ゲ
ッター１の直上で容器部５を構成する前面板６の表面６
ａに高周波加熱用コア２を接触させた状態で、高周波加
熱コイル３に数ギガヘルツの交流の高周波電流を流すこ
とにより反転磁場を発生する。そして、この反転磁場の
中に位置するゲッター１は、高周波電流が流れることに
よる金属の抵抗によって高周波加熱されることになる。
なお、高周波加熱用コア２は、一般には鉄やフェライト
で構成されるが、特に磁束を収束させるためにフェライ
トが使用される。
熱装置は、図１２に示すように、ゲッター１とほぼ同径
の磁性材料からなる高周波加熱用コア２の周囲に誘導子
としての高周波用コイル３を巻き、この高周波加熱用コ
イル３の両端に高周波電流を流すための交流源４を接続
して構成されるものである。この高周波加熱装置は、ゲ
ッター１の直上で容器部５を構成する前面板６の表面６
ａに高周波加熱用コア２を接触させた状態で、高周波加
熱コイル３に数ギガヘルツの交流の高周波電流を流すこ
とにより反転磁場を発生する。そして、この反転磁場の
中に位置するゲッター１は、高周波電流が流れることに
よる金属の抵抗によって高周波加熱されることになる。
なお、高周波加熱用コア２は、一般には鉄やフェライト
で構成されるが、特に磁束を収束させるためにフェライ
トが使用される。
【０００６】ところで、上述した蛍光表示管に使用され
るスペーサフレーム７は、ニッケル（４２％）、クロム
（６％）残部鉄からなるを主成分とする４２６合金の導
体で構成され、焼成時の加熱により、図１１に示す磁化
曲線のヒステリシスの磁気飽和状態Ｐよりも透磁率の大
きい０点の消磁状態にある。
るスペーサフレーム７は、ニッケル（４２％）、クロム
（６％）残部鉄からなるを主成分とする４２６合金の導
体で構成され、焼成時の加熱により、図１１に示す磁化
曲線のヒステリシスの磁気飽和状態Ｐよりも透磁率の大
きい０点の消磁状態にある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の高周波加熱装置を用いてゲッター１を高周波加
熱すると、反転磁束がゲッター１の直下に配設されたス
ペーサフレーム７にも貫通して磁気漏洩が生じる。この
ため、スペーサフレーム７は、高周波加熱装置からの漏
洩磁束により図１１の初期磁化曲線をたどることにな
り、磁束密度Ｂが大きく変化して加熱される。この結
果、スペーサフレーム７は、熱変形にを起こしてたわむ
ため、フィラメント８と陽極との間の高さにバラツキが
生じ、蛍光体層に対して均一に電子を射突させることが
できず、安定した発光動作が得られなかった。また、高
周波加熱装置からの漏洩磁束によってスペーサフレーム
７が３００〜６００℃以上の高温に加熱されと、スペー
サフレーム７がたわんで変形するだけでなく、スペーサ
フレーム７と封着材９との熱膨張の差で封着材９が溶融
し、スペーサフレーム７が移動してクラックが生じた
り、封着材９の剥離により熔解ガラスが飛散してゴミと
なり、表示管自身が使い物にならないおそれがあった。
た従来の高周波加熱装置を用いてゲッター１を高周波加
熱すると、反転磁束がゲッター１の直下に配設されたス
ペーサフレーム７にも貫通して磁気漏洩が生じる。この
ため、スペーサフレーム７は、高周波加熱装置からの漏
洩磁束により図１１の初期磁化曲線をたどることにな
り、磁束密度Ｂが大きく変化して加熱される。この結
果、スペーサフレーム７は、熱変形にを起こしてたわむ
ため、フィラメント８と陽極との間の高さにバラツキが
生じ、蛍光体層に対して均一に電子を射突させることが
できず、安定した発光動作が得られなかった。また、高
周波加熱装置からの漏洩磁束によってスペーサフレーム
７が３００〜６００℃以上の高温に加熱されと、スペー
サフレーム７がたわんで変形するだけでなく、スペーサ
フレーム７と封着材９との熱膨張の差で封着材９が溶融
し、スペーサフレーム７が移動してクラックが生じた
り、封着材９の剥離により熔解ガラスが飛散してゴミと
なり、表示管自身が使い物にならないおそれがあった。
【０００８】また、ゲッター１は、通常、外囲器１０内
の表示領域から離れた位置に設けられているが、近年で
は、超薄型の蛍光表示管も出現している。従って、この
種の表示管では、ゲッター１とスペーサフレーム７との
間の距離が非常に狭く、高周波加熱装置からの漏洩磁束
がゲッター１の直下に位置するスペーサフレーム７だけ
でなく、スペーサフレーム７の周囲、すなわち、表示領
域の制御電極まで及んで熱変形の原因になっていた。
の表示領域から離れた位置に設けられているが、近年で
は、超薄型の蛍光表示管も出現している。従って、この
種の表示管では、ゲッター１とスペーサフレーム７との
間の距離が非常に狭く、高周波加熱装置からの漏洩磁束
がゲッター１の直下に位置するスペーサフレーム７だけ
でなく、スペーサフレーム７の周囲、すなわち、表示領
域の制御電極まで及んで熱変形の原因になっていた。
【０００９】そこで、本発明は上記問題点に鑑みてなさ
れたものであって、その目的は、ゲッター等の被加熱体
の近傍に位置するスペーサフレーム、制御電極、陰極支
持体等の導体部品の発熱を抑えることができる高周波加
熱装置及び高周波加熱方法を提供することにある。
れたものであって、その目的は、ゲッター等の被加熱体
の近傍に位置するスペーサフレーム、制御電極、陰極支
持体等の導体部品の発熱を抑えることができる高周波加
熱装置及び高周波加熱方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１の高周波加熱装置は、被加熱体を加熱する
ための高周波加熱用コアの近傍で、該コアからの漏洩磁
束が及ぶ範囲に設けられた導体部品に接触または近接さ
せて該導体部品に静磁界をかけるフェライト磁石を固定
または移動可能に配設したことを特徴としている。
め、請求項１の高周波加熱装置は、被加熱体を加熱する
ための高周波加熱用コアの近傍で、該コアからの漏洩磁
束が及ぶ範囲に設けられた導体部品に接触または近接さ
せて該導体部品に静磁界をかけるフェライト磁石を固定
または移動可能に配設したことを特徴としている。
【００１１】請求項２の高周波加熱装置は、前記導体部
品に静磁界をかける手段がフェライト磁石を固定または
移動可能に配設したことを特徴としている。
品に静磁界をかける手段がフェライト磁石を固定または
移動可能に配設したことを特徴としている。
【００１２】請求項３の高周波加熱装置は、表示管の外
囲器内に配設されたゲッターを加熱して前記外囲器の内
壁面にゲッターミラーを形成するための高周波加熱用コ
アの近傍で、かつ前記表示管のスペーサフレームに接触
させた状態に固定または移動可能にフェライト磁石を配
設したことを特徴としている。
囲器内に配設されたゲッターを加熱して前記外囲器の内
壁面にゲッターミラーを形成するための高周波加熱用コ
アの近傍で、かつ前記表示管のスペーサフレームに接触
させた状態に固定または移動可能にフェライト磁石を配
設したことを特徴としている。
【００１３】請求項４の高周波加熱装置は、表示管の外
囲器内に配設されたゲッターを加熱して前記外囲器の内
壁面にゲッターミラーを形成するための高周波加熱用コ
アの近傍で、かつ前記表示管のスペーサフレームに磁界
が及ぶ範囲に近接させた状態に固定または移動可能にフ
ェライト磁石を配設したことを特徴としている。
囲器内に配設されたゲッターを加熱して前記外囲器の内
壁面にゲッターミラーを形成するための高周波加熱用コ
アの近傍で、かつ前記表示管のスペーサフレームに磁界
が及ぶ範囲に近接させた状態に固定または移動可能にフ
ェライト磁石を配設したことを特徴としている。
【００１４】請求項５の高周波加熱装置は、表示管の外
囲器内に配設されたゲッターを加熱して前記外囲器の内
壁面にゲッターミラーを形成するための高周波加熱用コ
アの両側にフェライト磁石が配設され、一方のフェライ
ト磁石は、前記高周波加熱用コアの近傍で、かつ前記表
示管のスペーサフレームに接触させた状態に固定または
移動可能に配設され、他方のフェライト磁石は、前記外
囲器の外周面に接触または近接した状態に固定または移
動可能に配設されたことを特徴としている。
囲器内に配設されたゲッターを加熱して前記外囲器の内
壁面にゲッターミラーを形成するための高周波加熱用コ
アの両側にフェライト磁石が配設され、一方のフェライ
ト磁石は、前記高周波加熱用コアの近傍で、かつ前記表
示管のスペーサフレームに接触させた状態に固定または
移動可能に配設され、他方のフェライト磁石は、前記外
囲器の外周面に接触または近接した状態に固定または移
動可能に配設されたことを特徴としている。
【００１５】請求項６の高周波加熱装置は、表示管の外
囲器内に配設されたゲッターを加熱して前記外囲器の内
壁面にゲッターミラーを形成するための高周波加熱用コ
アの両側にフェライト磁石が配設され、一方のフェライ
ト磁石は、前記高周波加熱用コアの近傍で、かつ前記表
示管のスペーサフレームに磁界が及ぶ範囲に近接させた
状態に固定または移動可能に配設され、他方のフェライ
ト磁石は、前記外囲器の外周面に接触または近接した状
態に固定または移動可能に配設されたことを特徴として
いる。
囲器内に配設されたゲッターを加熱して前記外囲器の内
壁面にゲッターミラーを形成するための高周波加熱用コ
アの両側にフェライト磁石が配設され、一方のフェライ
ト磁石は、前記高周波加熱用コアの近傍で、かつ前記表
示管のスペーサフレームに磁界が及ぶ範囲に近接させた
状態に固定または移動可能に配設され、他方のフェライ
ト磁石は、前記外囲器の外周面に接触または近接した状
態に固定または移動可能に配設されたことを特徴として
いる。
【００１６】請求項７の高周波加熱方法は、導体からな
る被加熱体の一部にフェライト磁石を接触または近接さ
せて静磁界をかけた後、高周波加熱を行い前記被加熱体
を選択的に加熱することを特徴としている。
る被加熱体の一部にフェライト磁石を接触または近接さ
せて静磁界をかけた後、高周波加熱を行い前記被加熱体
を選択的に加熱することを特徴としている。
【００１７】請求項８の高周波加熱方法は、表示管のリ
ードフレームにフェライト磁石を接触または近接させて
静磁界をかけた後、前記表示管の外囲器内に配設された
ゲッターを高周波加熱して前記外囲器の内壁面にゲッタ
ーミラーを形成することを特徴としている。
ードフレームにフェライト磁石を接触または近接させて
静磁界をかけた後、前記表示管の外囲器内に配設された
ゲッターを高周波加熱して前記外囲器の内壁面にゲッタ
ーミラーを形成することを特徴としている。
【００１８】
【作用】ゲッターを高周波加熱する高周波加熱用コアの
近傍で、かつ漏洩磁束が及ぶ導体部品（スペーサフレー
ム、制御電極、陰極支持体等）に接触または近接して１
つのフェライト磁石または２つのフェライト磁石を固定
または移動可能に配設し、導体部品に対して予め静磁界
をかける。これにより、導体部品は、図１１の磁化曲線
のヒステリシスにおいて、磁界Ｈが増加しても磁束密度
がほとんど変化しない磁気飽和状態Ｐの磁場に置かれ
る。この後、交流源より高周波加熱用コイルに高周波電
流を流してゲッターを高周波加熱する。ゲッターが高周
波加熱されると、ゲッターの近傍に位置する導体部品
は、磁化曲線のヒステリシスにおいて、初期磁化曲線を
たどることなく、磁気飽和状態Ｐの磁場に置かれるの
で、磁束密度の変化も極めて小さくなり、発熱が抑えら
れる。
近傍で、かつ漏洩磁束が及ぶ導体部品（スペーサフレー
ム、制御電極、陰極支持体等）に接触または近接して１
つのフェライト磁石または２つのフェライト磁石を固定
または移動可能に配設し、導体部品に対して予め静磁界
をかける。これにより、導体部品は、図１１の磁化曲線
のヒステリシスにおいて、磁界Ｈが増加しても磁束密度
がほとんど変化しない磁気飽和状態Ｐの磁場に置かれ
る。この後、交流源より高周波加熱用コイルに高周波電
流を流してゲッターを高周波加熱する。ゲッターが高周
波加熱されると、ゲッターの近傍に位置する導体部品
は、磁化曲線のヒステリシスにおいて、初期磁化曲線を
たどることなく、磁気飽和状態Ｐの磁場に置かれるの
で、磁束密度の変化も極めて小さくなり、発熱が抑えら
れる。
【００１９】
【実施例】図１は本発明のよる高周波加熱装置の第１実
施例を示す図、図２は同装置の第２実施例を示す図であ
る。
施例を示す図、図２は同装置の第２実施例を示す図であ
る。
【００２０】第１実施例と第２実施例の高周波加熱装置
は、〔従来の技術〕の項で説明した高周波加熱用コア
２、高周波加熱用コイル３、交流源４の各構成に加え、
漏洩磁束が及ぶ範囲に設けられた導体部品としてのスペ
ーサフレーム７に静磁界をかけるための１つの磁石１５
が所定の位置に固定して設けられている。この磁石１５
は、磁界中で加熱しにくい酸化物からなる棒状または板
状のフェライト磁石で構成されている。
は、〔従来の技術〕の項で説明した高周波加熱用コア
２、高周波加熱用コイル３、交流源４の各構成に加え、
漏洩磁束が及ぶ範囲に設けられた導体部品としてのスペ
ーサフレーム７に静磁界をかけるための１つの磁石１５
が所定の位置に固定して設けられている。この磁石１５
は、磁界中で加熱しにくい酸化物からなる棒状または板
状のフェライト磁石で構成されている。
【００２１】図１に示す第１実施例のフェライト磁石１
５は、側面部１５ａが外囲器１０のゲッター１に近い位
置で側面板１６に密着し、かつ底面部１５ｂがスペーサ
フレーム７の表面７ａに接触する位置で固定して設けら
れている。
５は、側面部１５ａが外囲器１０のゲッター１に近い位
置で側面板１６に密着し、かつ底面部１５ｂがスペーサ
フレーム７の表面７ａに接触する位置で固定して設けら
れている。
【００２２】図２に示す第２実施例のフェライト磁石１
５は、側面部１５ａが外囲器１０のゲッター１に近い位
置で陽極基板１７に密着し、かつ上面部１５ｃがスペー
サフレーム７の裏面７ｂに接触する位置で固定して設け
られている。
５は、側面部１５ａが外囲器１０のゲッター１に近い位
置で陽極基板１７に密着し、かつ上面部１５ｃがスペー
サフレーム７の裏面７ｂに接触する位置で固定して設け
られている。
【００２３】ここで、図３（ａ），（ｂ）は第１実施例
の変形例を示している。図３（ａ）におけるフェライト
磁石１５は、側面部１５ａが側面板１６の中途位置まで
密着した高さまで底面部１５ｂがスペーサフレーム７の
表面７ａから離れた位置で固定して設けられている。ま
た、図３（ｂ）におけるフェライト磁石１５は、側面部
１５ａが前面板６の表面６ａの高さまで底面部１５ｂが
スペーサフレーム７の表面７ａから離れた位置で固定し
て設けられている。
の変形例を示している。図３（ａ）におけるフェライト
磁石１５は、側面部１５ａが側面板１６の中途位置まで
密着した高さまで底面部１５ｂがスペーサフレーム７の
表面７ａから離れた位置で固定して設けられている。ま
た、図３（ｂ）におけるフェライト磁石１５は、側面部
１５ａが前面板６の表面６ａの高さまで底面部１５ｂが
スペーサフレーム７の表面７ａから離れた位置で固定し
て設けられている。
【００２４】なお、図３（ａ），（ｂ）に示す配置の場
合、フェライト磁石１５の磁界がスペーサフレーム７に
及んでいることが条件となり、この条件を満たしていれ
ば、容器部５の高さＬ１の範囲内にフェライト磁石１５
を設けてもよい。このように、第１実施例及びその変形
例では、フェライト磁石１５がスペーサフレーム７の上
側で固定して設けられている。
合、フェライト磁石１５の磁界がスペーサフレーム７に
及んでいることが条件となり、この条件を満たしていれ
ば、容器部５の高さＬ１の範囲内にフェライト磁石１５
を設けてもよい。このように、第１実施例及びその変形
例では、フェライト磁石１５がスペーサフレーム７の上
側で固定して設けられている。
【００２５】次に、図４（ａ），（ｂ）は第２実施例の
変形例を示している。図４（ａ）におけるフェライト磁
石１５は、側面部１５ａが陽極基板１７の中途位置まで
密着した高さまで上面部１５ｃがスペーサフレーム７の
裏面７ｂから離れた位置で固定して設けられている。ま
た、図４（ｂ）におけるフェライト磁石１５は、上面部
１５ｃが陽極基板１７の裏面１７ａの高さまで上面部１
５ｃがスペーサフレーム７の裏面７ｂから離れた位置で
固定して設けられている。
変形例を示している。図４（ａ）におけるフェライト磁
石１５は、側面部１５ａが陽極基板１７の中途位置まで
密着した高さまで上面部１５ｃがスペーサフレーム７の
裏面７ｂから離れた位置で固定して設けられている。ま
た、図４（ｂ）におけるフェライト磁石１５は、上面部
１５ｃが陽極基板１７の裏面１７ａの高さまで上面部１
５ｃがスペーサフレーム７の裏面７ｂから離れた位置で
固定して設けられている。
【００２６】なお、この図４（ａ），（ｂ）に示す配置
の場合も、フェライト磁石１５の磁界がスペーサフレー
ム７に及んでいることが条件となり、この条件を満たす
陽極基板１７の厚さＬ２の範囲内にフェライト磁石１５
を設けてもよい。このように、第２実施例及びその変形
例では、フェライト磁石１５がスペーサフレーム７の下
側で固定して設けられている。
の場合も、フェライト磁石１５の磁界がスペーサフレー
ム７に及んでいることが条件となり、この条件を満たす
陽極基板１７の厚さＬ２の範囲内にフェライト磁石１５
を設けてもよい。このように、第２実施例及びその変形
例では、フェライト磁石１５がスペーサフレーム７の下
側で固定して設けられている。
【００２７】次に、図５は本発明による高周波加熱装置
の第３実施例を示す図、図６は本発明による高周波加熱
装置の第４実施例を示す図である。以下に説明する第３
実施例と第４実施例による高周波加熱装置は、高周波加
熱用コア２、高周波加熱用コイル３、交流源４の各構成
に加え、漏洩磁束が及ぶ範囲に設けられた導体部品とし
てのスペーサフレーム７、制御電極、陰極支持体等に静
磁界をかけるための棒状または板状の２つのフェライト
磁石１５，１８が所定の位置に固定して設けられてい
る。
の第３実施例を示す図、図６は本発明による高周波加熱
装置の第４実施例を示す図である。以下に説明する第３
実施例と第４実施例による高周波加熱装置は、高周波加
熱用コア２、高周波加熱用コイル３、交流源４の各構成
に加え、漏洩磁束が及ぶ範囲に設けられた導体部品とし
てのスペーサフレーム７、制御電極、陰極支持体等に静
磁界をかけるための棒状または板状の２つのフェライト
磁石１５，１８が所定の位置に固定して設けられてい
る。
【００２８】すなわち、第３実施例及び第４実施例にお
いて、一方のフェライト磁石１８は、底面部１８ｂが前
面板６の表面６ａに接触する位置で外囲器１０の上方に
固定して設けられているので、制御電極に静磁界をかけ
ることができる。また、他方のフェライト磁石１５は、
第３実施例では第１実施例と同様の位置で、第４実施例
では第２実施例と同様の位置で固定して設けられている
ので、スペーサフレーム７及び陰極支持体に静磁界をか
けることができる。
いて、一方のフェライト磁石１８は、底面部１８ｂが前
面板６の表面６ａに接触する位置で外囲器１０の上方に
固定して設けられているので、制御電極に静磁界をかけ
ることができる。また、他方のフェライト磁石１５は、
第３実施例では第１実施例と同様の位置で、第４実施例
では第２実施例と同様の位置で固定して設けられている
ので、スペーサフレーム７及び陰極支持体に静磁界をか
けることができる。
【００２９】ここで、第３実施例の変形例を図７
（ａ），（ｂ）に、また、第４実施例の変形例を図８
（ａ），（ｂ）にそれぞれ示す。各変形例において、一
方のフェライト磁石１８は、底面部１８ｂが前面板６の
表面６ａに接触する位置で外囲器１０の上方に固定して
設けられており、他方のフェライト磁石１５は、図７
（ａ）では図３（ａ）と同様の位置で、図７（ｂ）では
図３（ｂ）と同様の位置で、図８（ａ）では図４（ａ）
と同様の位置で、図８（ｂ）では図４（ｂ）と同様の位
置でそれぞれ固定して設けられている。
（ａ），（ｂ）に、また、第４実施例の変形例を図８
（ａ），（ｂ）にそれぞれ示す。各変形例において、一
方のフェライト磁石１８は、底面部１８ｂが前面板６の
表面６ａに接触する位置で外囲器１０の上方に固定して
設けられており、他方のフェライト磁石１５は、図７
（ａ）では図３（ａ）と同様の位置で、図７（ｂ）では
図３（ｂ）と同様の位置で、図８（ａ）では図４（ａ）
と同様の位置で、図８（ｂ）では図４（ｂ）と同様の位
置でそれぞれ固定して設けられている。
【００３０】次に、図９（ａ），（ｂ）は本発明による
高周波加熱装置の第５実施例を示す図である。この第５
実施例では、高周波加熱用コア２、高周波加熱用コイル
３、交流源４の各構成に加え、漏洩磁束が及ぶ範囲に設
けられた導体部品としてスペーサフレーム７、制御電
極、陰極支持体等に静磁界をかけるための棒状または板
状の２つのフェライト磁石１５，１８が所定の位置に移
動可能に設けられている。
高周波加熱装置の第５実施例を示す図である。この第５
実施例では、高周波加熱用コア２、高周波加熱用コイル
３、交流源４の各構成に加え、漏洩磁束が及ぶ範囲に設
けられた導体部品としてスペーサフレーム７、制御電
極、陰極支持体等に静磁界をかけるための棒状または板
状の２つのフェライト磁石１５，１８が所定の位置に移
動可能に設けられている。
【００３１】さらに説明すると、２つのフェライト磁石
１５，１８は、高周波加熱装置本体の筐体１９に対し、
直動式のアクチュエータを介して移動自在に取り付けら
れている。各フェライト磁石１５，１８の保持部分は、
非磁性材料で構成されている。そして、この第５実施例
では、図９（ａ）に示すように、蛍光表示管を矢印Ｘ１
方向からセットする場合、フェライト磁石１５は、底面
部１５ａがスペーサフレーム７の表面７ａに接触する位
置まで下降移動し、フェライト磁石１８は、底面部１８
ｂが前面板６の表面６ａより上に位置するまで上昇移動
する。この状態から、図９（ｂ）に示すように、次の蛍
光表示管を矢印Ｘ２方向（図９（ａ）とは逆方向）から
セットする場合には、スペーサフレーム７の表面７ａに
接触しているフェライト磁石１５は、底面部１５ａが前
面板６の表面６ａより上に位置するまで上昇移動し、前
面板６の表面６ａに接触しているフェライト磁石１８
は、スペーサフレーム７の表面７ａに接触する位置まで
下降移動する。
１５，１８は、高周波加熱装置本体の筐体１９に対し、
直動式のアクチュエータを介して移動自在に取り付けら
れている。各フェライト磁石１５，１８の保持部分は、
非磁性材料で構成されている。そして、この第５実施例
では、図９（ａ）に示すように、蛍光表示管を矢印Ｘ１
方向からセットする場合、フェライト磁石１５は、底面
部１５ａがスペーサフレーム７の表面７ａに接触する位
置まで下降移動し、フェライト磁石１８は、底面部１８
ｂが前面板６の表面６ａより上に位置するまで上昇移動
する。この状態から、図９（ｂ）に示すように、次の蛍
光表示管を矢印Ｘ２方向（図９（ａ）とは逆方向）から
セットする場合には、スペーサフレーム７の表面７ａに
接触しているフェライト磁石１５は、底面部１５ａが前
面板６の表面６ａより上に位置するまで上昇移動し、前
面板６の表面６ａに接触しているフェライト磁石１８
は、スペーサフレーム７の表面７ａに接触する位置まで
下降移動する。
【００３２】なお、この実施例における２つのフェライ
ト磁石１５，１８のうちの一方のみを移動可能な構成と
し、他方を上述した第１実施例〜第４実施例及びこれら
実施例の変形例と同様の位置で固定して設けるようにし
てもよい。
ト磁石１５，１８のうちの一方のみを移動可能な構成と
し、他方を上述した第１実施例〜第４実施例及びこれら
実施例の変形例と同様の位置で固定して設けるようにし
てもよい。
【００３３】次に、図１０は本発明による高周波加熱装
置の第６実施例を示す斜視図である。この第６実施例の
高周波加熱装置は、高周波加熱用コア２、高周波加熱用
コイル３、交流源４の各構成に加え、漏洩磁束が及ぶ範
囲に設けられた導体部品としてスペーサフレーム７、制
御電極、陰極支持体等に静磁界をかけるための円筒状の
フェライト磁石２０が１つ設けられている。さらに説明
すると、このフェライト磁石２０は、下端面２０ｂが前
面板６の表面６ａに接触する位置に外囲器１０の上方か
ら固定して設けられている。
置の第６実施例を示す斜視図である。この第６実施例の
高周波加熱装置は、高周波加熱用コア２、高周波加熱用
コイル３、交流源４の各構成に加え、漏洩磁束が及ぶ範
囲に設けられた導体部品としてスペーサフレーム７、制
御電極、陰極支持体等に静磁界をかけるための円筒状の
フェライト磁石２０が１つ設けられている。さらに説明
すると、このフェライト磁石２０は、下端面２０ｂが前
面板６の表面６ａに接触する位置に外囲器１０の上方か
ら固定して設けられている。
【００３４】なお、このフェライト磁石２０は、筒状で
あれば円筒状に限らず多角形状でもよい。また、外囲器
１０の陽極基板１７に接触する位置で外囲器１０の下方
に固定してもよい。さらに、図９に示す第５実施例と同
様に、高周波加熱装置本体の筐体１９に対し、直動式の
アクチュエータを介して移動自在に取り付ける構成とし
てもよい。
あれば円筒状に限らず多角形状でもよい。また、外囲器
１０の陽極基板１７に接触する位置で外囲器１０の下方
に固定してもよい。さらに、図９に示す第５実施例と同
様に、高周波加熱装置本体の筐体１９に対し、直動式の
アクチュエータを介して移動自在に取り付ける構成とし
てもよい。
【００３５】以上説明した各実施例では、ゲッター１を
高周波加熱する高周波加熱用コア２の近傍で、かつスペ
ーサフレーム７に接触または近接して１つのフェライト
磁石１５，２０または２つのフェライト磁石１５，１８
を配設し、漏洩磁束が及ぶ範囲のスペーサフレーム７に
対して予め静磁界をかける。これにより、スペーサフレ
ーム７は、図１１の磁化曲線のヒステリシスにおいて、
磁界Ｈが増加しても磁束密度がほとんど変化しない磁気
飽和状態Ｐの磁場に置かれる。この後、交流源４より高
周波加熱用コイル３に高周波電流を流してゲッター１を
高周波加熱する。ゲッター１が高周波加熱されると、こ
のゲッター１の直下に位置するスペーサフレーム７は、
磁石の作用によって従来のように磁化曲線のヒステリシ
スの初期磁化曲線をたどることなく、磁束密度の変化も
極めて小さくなり、発熱を抑えることができる。この結
果、スペーサフレーム７の熱変形が低減し、フィラメン
トと陽極との間の高さのバラツキが減少するとともに、
封着部分の剥離による熔解ガラスの飛散も抑えることが
できる。
高周波加熱する高周波加熱用コア２の近傍で、かつスペ
ーサフレーム７に接触または近接して１つのフェライト
磁石１５，２０または２つのフェライト磁石１５，１８
を配設し、漏洩磁束が及ぶ範囲のスペーサフレーム７に
対して予め静磁界をかける。これにより、スペーサフレ
ーム７は、図１１の磁化曲線のヒステリシスにおいて、
磁界Ｈが増加しても磁束密度がほとんど変化しない磁気
飽和状態Ｐの磁場に置かれる。この後、交流源４より高
周波加熱用コイル３に高周波電流を流してゲッター１を
高周波加熱する。ゲッター１が高周波加熱されると、こ
のゲッター１の直下に位置するスペーサフレーム７は、
磁石の作用によって従来のように磁化曲線のヒステリシ
スの初期磁化曲線をたどることなく、磁束密度の変化も
極めて小さくなり、発熱を抑えることができる。この結
果、スペーサフレーム７の熱変形が低減し、フィラメン
トと陽極との間の高さのバラツキが減少するとともに、
封着部分の剥離による熔解ガラスの飛散も抑えることが
できる。
【００３６】また、円筒状のフェライト磁石２０または
２つのフェライト磁石１５，１８が配設された構成の装
置によれば、漏洩磁束が及ぶ範囲に位置する導体部品と
して、スペーサフレーム７だけでなく、メッシュ状の制
御電極や陽極基板１７上に制御電極を支持する脚部の熱
変形も防ぐことができる。また、同時に脚部の下に位置
する絶縁層が熱によって破壊されるのを防いで絶縁不良
を減少させることもできる。
２つのフェライト磁石１５，１８が配設された構成の装
置によれば、漏洩磁束が及ぶ範囲に位置する導体部品と
して、スペーサフレーム７だけでなく、メッシュ状の制
御電極や陽極基板１７上に制御電極を支持する脚部の熱
変形も防ぐことができる。また、同時に脚部の下に位置
する絶縁層が熱によって破壊されるのを防いで絶縁不良
を減少させることもできる。
【００３７】さらに、前面板６の表面６ａの高さにフェ
ライト磁石１５が固定された構成の装置及びフェライト
磁石１５，１８が移動自在な構成の装置によれは、蛍光
表示管を矢印Ｘ１，Ｘ２の両方からセットすることがで
きる。さらに、円筒状のフェライト磁石２０が配設され
た第６実施例の構成によれば、スペーサフレーム７に静
磁界をかけるフェライト磁石２０が円筒状に形成されて
いるので、蛍光表示管を高周波加熱装置にセットするに
あたっては、図９に示す矢印Ｘ１，Ｘ２の方向に限定さ
れず、どの方向からも行うことができ、外囲器１０内の
ゲッター１の配設位置に応じて表示管のセット方向を変
えることができる。
ライト磁石１５が固定された構成の装置及びフェライト
磁石１５，１８が移動自在な構成の装置によれは、蛍光
表示管を矢印Ｘ１，Ｘ２の両方からセットすることがで
きる。さらに、円筒状のフェライト磁石２０が配設され
た第６実施例の構成によれば、スペーサフレーム７に静
磁界をかけるフェライト磁石２０が円筒状に形成されて
いるので、蛍光表示管を高周波加熱装置にセットするに
あたっては、図９に示す矢印Ｘ１，Ｘ２の方向に限定さ
れず、どの方向からも行うことができ、外囲器１０内の
ゲッター１の配設位置に応じて表示管のセット方向を変
えることができる。
【００３８】ところで、上述した第１〜５実施例では、
セットされる蛍光表示管の長さ方向にフェライト磁石１
５，１８を配設した場合を図示して説明したが、スペー
サフレーム７が磁気飽和するだけの静磁界がかかれば、
高周波加熱用コア２の周囲のどの方向に配設してもよ
い。
セットされる蛍光表示管の長さ方向にフェライト磁石１
５，１８を配設した場合を図示して説明したが、スペー
サフレーム７が磁気飽和するだけの静磁界がかかれば、
高周波加熱用コア２の周囲のどの方向に配設してもよ
い。
【００３９】また、フェライト磁石１５，１８は、ゲッ
ター１近傍に位置する部品（スペーサフレーム７、制御
電極、陰極支持体等）に静磁界がかかる構成であればよ
く、その配置、形状及び数は図示した実施例に限るもの
ではない。
ター１近傍に位置する部品（スペーサフレーム７、制御
電極、陰極支持体等）に静磁界がかかる構成であればよ
く、その配置、形状及び数は図示した実施例に限るもの
ではない。
【００４０】さらに、上述した各実施例では、陰極がフ
ィラメント８で構成された３極管構造の蛍光表示管に適
用した場合を図示して説明したが、他の蛍光表示管であ
ってもよく、特に、ゲッター１とスペーサフレーム７と
の間が狭く、高周波加熱時の漏洩磁束が大きく影響する
超薄型の蛍光表示管に適用した場合に、大きな効力を発
揮する。また、本実施例の装置は、焼入れ、焼填め、蝋
付け、焼鈍、熔解等を行う際に用いられ、蛍光表示管に
限定されず、電磁調理器等の他の装置に適用しても十分
な効力を得ることができる。
ィラメント８で構成された３極管構造の蛍光表示管に適
用した場合を図示して説明したが、他の蛍光表示管であ
ってもよく、特に、ゲッター１とスペーサフレーム７と
の間が狭く、高周波加熱時の漏洩磁束が大きく影響する
超薄型の蛍光表示管に適用した場合に、大きな効力を発
揮する。また、本実施例の装置は、焼入れ、焼填め、蝋
付け、焼鈍、熔解等を行う際に用いられ、蛍光表示管に
限定されず、電磁調理器等の他の装置に適用しても十分
な効力を得ることができる。
【００４１】
【発明の効果】本発明の請求項１，２の高周波加熱装置
によれば、被加熱体の近傍で、高周波加熱時の漏洩磁束
が及ぶ範囲に設けられた導体部品に予め静磁界がかかる
構成なので、被加熱体の高周波加熱時の発熱を確実に低
減することができる。
によれば、被加熱体の近傍で、高周波加熱時の漏洩磁束
が及ぶ範囲に設けられた導体部品に予め静磁界がかかる
構成なので、被加熱体の高周波加熱時の発熱を確実に低
減することができる。
【００４２】請求項３〜６の高周波加熱装置及び請求項
７，８の高周波加熱方法によれば、ゲッターの直下に位
置するスペーサフレームは、磁石の作用によって従来の
ように磁化曲線のヒステリシスの初期磁化曲線をたどる
ことがないので、磁束密度の変化も極めて小さくなり、
発熱を抑えることができる。この結果、スペーサフレー
ムの熱変形が低減し、フィラメントと陽極との間の高さ
のバラツキが減少するとともに、封着部分の剥離による
熔解ガラスの飛散も抑えることができる。
７，８の高周波加熱方法によれば、ゲッターの直下に位
置するスペーサフレームは、磁石の作用によって従来の
ように磁化曲線のヒステリシスの初期磁化曲線をたどる
ことがないので、磁束密度の変化も極めて小さくなり、
発熱を抑えることができる。この結果、スペーサフレー
ムの熱変形が低減し、フィラメントと陽極との間の高さ
のバラツキが減少するとともに、封着部分の剥離による
熔解ガラスの飛散も抑えることができる。
【００４３】また、請求項５，６の高周波加熱装置によ
れば、漏洩磁束が及ぶ範囲に位置する導体部品として、
スペーサフレーム以外の導体部品（制御電極、陰極支持
体等）の熱変形も防ぐことができる。
れば、漏洩磁束が及ぶ範囲に位置する導体部品として、
スペーサフレーム以外の導体部品（制御電極、陰極支持
体等）の熱変形も防ぐことができる。
【００４４】さらに、請求項３〜６の高周波加熱装置に
おいて、フェライト磁石が移動可能に配設された構成に
よれば、表示管を１方向だけでなく、他の方向からもセ
ットすることができる。
おいて、フェライト磁石が移動可能に配設された構成に
よれば、表示管を１方向だけでなく、他の方向からもセ
ットすることができる。
【図１】本発明による高周波加熱装置の第１実施例を示
す図
す図
【図２】同装置の第２実施例を示す図
【図３】（ａ），（ｂ）同装置の第１実施例の変形例を
示す図
示す図
【図４】（ａ），（ｂ）同装置の第２実施例の変形例を
示す図
示す図
【図５】同装置の第３実施例を示す図
【図６】同装置の第４実施例を示す図
【図７】（ａ），（ｂ）同装置の第３実施例の変形例を
示す図
示す図
【図８】（ａ），（ｂ）同装置の第４実施例の変形例を
示す図
示す図
【図９】（ａ），（ｂ）同装置の第５実施例を示す図
【図１０】同装置の第６実施例を示す図
【図１１】磁化曲線のヒステリシスを示す図
【図１２】従来の高周波加熱装置の構成を示す図
１…ゲッター（被加熱体）、２…高周波加熱用コア、３
…高周波加熱用コイル、４…交流源、７…スペーサフレ
ーム（導体部品）、１５，１８，２０…フェライト磁
石。
…高周波加熱用コイル、４…交流源、７…スペーサフレ
ーム（導体部品）、１５，１８，２０…フェライト磁
石。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01J 9/24 H01J 29/94 H05B 6/10
Claims (8)
- 【請求項１】 被加熱体を加熱するための高周波加熱用
コアの近傍で、該コアからの漏洩磁束が及ぶ範囲に設け
られた導体部品に接触または近接させて該導体部品に静
磁界をかける手段を配設したことを特徴とする高周波加
熱装置。 - 【請求項２】 前記導体部品に静磁界をかける手段がフ
ェライト磁石を固定または移動可能に配設したことを特
徴とする請求項１記載の高周波加熱装置。 - 【請求項３】 表示管の外囲器内に配設されたゲッター
を加熱して前記外囲器の内壁面にゲッターミラーを形成
するための高周波加熱用コアの近傍で、かつ前記表示管
のスペーサフレームに接触させた状態に固定または移動
可能にフェライト磁石を配設したことを特徴とする高周
波加熱装置。 - 【請求項４】 表示管の外囲器内に配設されたゲッター
を加熱して前記外囲器の内壁面にゲッターミラーを形成
するための高周波加熱用コアの近傍で、かつ前記表示管
のスペーサフレームに磁界が及ぶ範囲に近接させた状態
に固定または移動可能にフェライト磁石を配設したこと
を特徴とする高周波加熱装置。 - 【請求項５】 表示管の外囲器内に配設されたゲッター
を加熱して前記外囲器の内壁面にゲッターミラーを形成
するための高周波加熱用コアの両側にフェライト磁石が
配設され、 一方のフェライト磁石は、前記高周波加熱用コアの近傍
で、かつ前記表示管のスペーサフレームに接触させた状
態に固定または移動可能に配設され、他方のフェライト
磁石は、前記外囲器の外周面に接触または近接した状態
に固定または移動可能に配設されたことを特徴とする高
周波加熱装置。 - 【請求項６】 表示管の外囲器内に配設されたゲッター
を加熱して前記外囲器の内壁面にゲッターミラーを形成
するための高周波加熱用コアの両側にフェライト磁石が
配設され、 一方のフェライト磁石は、前記高周波加熱用コアの近傍
で、かつ前記表示管のスペーサフレームに磁界が及ぶ範
囲に近接させた状態に固定または移動可能に配設され、
他方のフェライト磁石は、前記外囲器の外周面に接触ま
たは近接した状態に固定または移動可能に配設されたこ
とを特徴とする高周波加熱装置。 - 【請求項７】 導体からなる被加熱体の一部にフェライ
ト磁石を接触または近接させて静磁界をかけた後、高周
波加熱を行い前記被加熱体を選択的に加熱することを特
徴とする高周波加熱方法。 - 【請求項８】 表示管のリードフレームにフェライト磁
石を接触または近接させて静磁界をかけた後、前記表示
管の外囲器内に配設されたゲッターを高周波加熱して前
記外囲器の内壁面にゲッターミラーを形成することを特
徴とする高周波加熱方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6066119A JP2751824B2 (ja) | 1994-04-04 | 1994-04-04 | 高周波加熱装置及び高周波加熱方法 |
| KR1019950007716A KR100196685B1 (ko) | 1994-04-04 | 1995-04-03 | 고주파 가열장치 및 고주파 가열방법 |
| TW084103421A TW295770B (ja) | 1994-04-04 | 1995-04-10 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6066119A JP2751824B2 (ja) | 1994-04-04 | 1994-04-04 | 高周波加熱装置及び高周波加熱方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07282728A JPH07282728A (ja) | 1995-10-27 |
| JP2751824B2 true JP2751824B2 (ja) | 1998-05-18 |
Family
ID=13306678
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6066119A Expired - Lifetime JP2751824B2 (ja) | 1994-04-04 | 1994-04-04 | 高周波加熱装置及び高周波加熱方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2751824B2 (ja) |
| KR (1) | KR100196685B1 (ja) |
| TW (1) | TW295770B (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100697514B1 (ko) * | 2001-01-11 | 2007-03-20 | 엘지전자 주식회사 | 전계방출형 표시소자에 있어서 게터의 활성화 방법 |
| JP4863329B2 (ja) | 2004-01-26 | 2012-01-25 | 双葉電子工業株式会社 | 蛍光表示管 |
-
1994
- 1994-04-04 JP JP6066119A patent/JP2751824B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1995
- 1995-04-03 KR KR1019950007716A patent/KR100196685B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1995-04-10 TW TW084103421A patent/TW295770B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07282728A (ja) | 1995-10-27 |
| KR950035520A (ko) | 1995-12-30 |
| KR100196685B1 (ko) | 1999-06-15 |
| TW295770B (ja) | 1997-01-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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