JPS5810349A - 陰極線管の製造法 - Google Patents
陰極線管の製造法Info
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- JPS5810349A JPS5810349A JP57112460A JP11246082A JPS5810349A JP S5810349 A JPS5810349 A JP S5810349A JP 57112460 A JP57112460 A JP 57112460A JP 11246082 A JP11246082 A JP 11246082A JP S5810349 A JPS5810349 A JP S5810349A
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- exhaust
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- H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/38—Exhausting, degassing, filling, or cleaning vessels
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- H01J9/44—Factory adjustment of completed discharge tubes or lamps to comply with desired tolerances
- H01J9/445—Aging of tubes or lamps, e.g. by "spot knocking"
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は陰極線管（以下ＣＲＴと呼ぶ）のマウント構
体をＣＲＴの封じ切り前に厳密に加熱して、ＣＲＴの動
作後の残光を抑制する方法に関する。
体をＣＲＴの封じ切り前に厳密に加熱して、ＣＲＴの動
作後の残光を抑制する方法に関する。
ＯＲＴ ｉｄネック部、ファンネル部およびフェースプ
レートを含む外囲器を有し、この外囲器の内面に表示ス
クリーンおよび種々の被膜が設けられる。
レートを含む外囲器を有し、この外囲器の内面に表示ス
クリーンおよび種々の被膜が設けられる。
外囲器のネック部にはガラスステムに支持されて電子銃
を含むマウント構体が封入される。マウント構体をネッ
ク部に封入した後、ＣＲＴ（ステムに繋いだガラス管を
介して周囲雰囲気に開いている）は約３００〜４５０°
Ｃで〃又焼されると同時にそのガラス管を介して１０
’ｒｒｍＨｇ、以下の比較的低圧に排気される。この黒
焼中にマウント構体の温度が約２５０３００°Ｃに上昇
するが、このときＣＲＴの封じ切りすなわち排気管の封
着が行われる。この黒焼サイクルの終端近傍で封じ切り
の前にＣＲＴが低圧に排気されたとき、無線周波数（Ｒ
Ｆ） エネルギを印加して金属構体特にマウント構体の
各電極のガス出しが行われる。ＲＦエネルギは金属構体
を最高温度４５（１°Ｃ以上、通常約６００〜７５０°
Ｃに加熱して吸着吸収されたガスを追い出す。封じ切り
後マウント構体にはスポットノッキング処理を行ってそ
れからの擬似電子放射を減じ、ＣＲＴの動作を安定化さ
せる。
を含むマウント構体が封入される。マウント構体をネッ
ク部に封入した後、ＣＲＴ（ステムに繋いだガラス管を
介して周囲雰囲気に開いている）は約３００〜４５０°
Ｃで〃又焼されると同時にそのガラス管を介して１０
’ｒｒｍＨｇ、以下の比較的低圧に排気される。この黒
焼中にマウント構体の温度が約２５０３００°Ｃに上昇
するが、このときＣＲＴの封じ切りすなわち排気管の封
着が行われる。この黒焼サイクルの終端近傍で封じ切り
の前にＣＲＴが低圧に排気されたとき、無線周波数（Ｒ
Ｆ） エネルギを印加して金属構体特にマウント構体の
各電極のガス出しが行われる。ＲＦエネルギは金属構体
を最高温度４５（１°Ｃ以上、通常約６００〜７５０°
Ｃに加熱して吸着吸収されたガスを追い出す。封じ切り
後マウント構体にはスポットノッキング処理を行ってそ
れからの擬似電子放射を減じ、ＣＲＴの動作を安定化さ
せる。
シャーシに組込捷れで正規の動作をするＣＲＴ完成品が
、マウント構体から正規の動作電圧を取除した後も表示
スクリーンから光を発射し続けることがある。この効果
は数分ないし数時間続くことがあり、残光と呼ばれて２
つの要因の一致に起因する。その１つは動作電圧除去後
（Ｃ！ＲＴと一体の）濾波コンデンサに大きな残留電荷
が残り、このためＣＲＴの陽極にマウント構体の他の電
極に対して高い電圧が残留することであり、他の１つは
濾波コンデンサの残留電荷によって生成する電界の影響
を受けて電子を放出し得る部分が電子銃の電極上にある
ことである。この電界°の影響を受けて放出された電子
は表示スクリーンに向ってこれに衝突し、残光を発する
。
、マウント構体から正規の動作電圧を取除した後も表示
スクリーンから光を発射し続けることがある。この効果
は数分ないし数時間続くことがあり、残光と呼ばれて２
つの要因の一致に起因する。その１つは動作電圧除去後
（Ｃ！ＲＴと一体の）濾波コンデンサに大きな残留電荷
が残り、このためＣＲＴの陽極にマウント構体の他の電
極に対して高い電圧が残留することであり、他の１つは
濾波コンデンサの残留電荷によって生成する電界の影響
を受けて電子を放出し得る部分が電子銃の電極上にある
ことである。この電界°の影響を受けて放出された電子
は表示スクリーンに向ってこれに衝突し、残光を発する
。
この発明によるとこの電界放射部分の数と効率が実質的
に減じられて電界放射が実質的に減少し、残光が殆んど
捷たけ全く観測されない。その方法（３） し、４５０°Ｃ以上の最高温度捷でＲＡＴ’加熱して封
止切る以外に、低圧に達する捷でにマウント構体の少な
くとも一部を酸素の分圧（一般に１〜３ｍｍＨｇの範囲
）を有する雰囲気中で最高温度を超える超高 ゛温
度で室温に冷却したとき表面に可視変色を生じるに充分
であるが電気絶縁層を形成するには不充分々時間選択的
に加熱する。推奨実施例ではこのマウント構体の加熱す
る部分は陽極電圧を有する他の電極に対面する電極部分
である。その超高温度への加熱はマウント構体ｉ ０Ｒ
Ｔのネック部に封入する前か後に行えばよいが、封止後
外囲器排気の初期段階で行うのが好捷しい。
に減じられて電界放射が実質的に減少し、残光が殆んど
捷たけ全く観測されない。その方法（３） し、４５０°Ｃ以上の最高温度捷でＲＡＴ’加熱して封
止切る以外に、低圧に達する捷でにマウント構体の少な
くとも一部を酸素の分圧（一般に１〜３ｍｍＨｇの範囲
）を有する雰囲気中で最高温度を超える超高 ゛温
度で室温に冷却したとき表面に可視変色を生じるに充分
であるが電気絶縁層を形成するには不充分々時間選択的
に加熱する。推奨実施例ではこのマウント構体の加熱す
る部分は陽極電圧を有する他の電極に対面する電極部分
である。その超高温度への加熱はマウント構体ｉ ０Ｒ
Ｔのネック部に封入する前か後に行えばよいが、封止後
外囲器排気の初期段階で行うのが好捷しい。
この発明の推奨実施例は静止式排気機または米国特許第
３９２２０４９号明細書開示のような連続装置により実
施することができる。連続装置は細長い閉じたループを
循環する排気台列を備え、この排気台列の一部に処理す
る（ＪＴのフェースプレーｉ・とファンネル部を覆うが
ステムとネック部の隣接部が外に出るように全体として
Ｕ字型平面形を持（４） つトンネル炉を有する。このトンネル炉は各ＣＲＴのフ
ェースプレートとファンネル部がそのトンネルを通る間
に所要の温度勾配をたどるように規定の温度に加熱され
た各帯域に分割されている。後述のようにトンネル内部
の入口付近と出口付近でトンネルの外側に出ているＣＲ
Ｔのネック部にＲＦエネルギが印加される。
３９２２０４９号明細書開示のような連続装置により実
施することができる。連続装置は細長い閉じたループを
循環する排気台列を備え、この排気台列の一部に処理す
る（ＪＴのフェースプレーｉ・とファンネル部を覆うが
ステムとネック部の隣接部が外に出るように全体として
Ｕ字型平面形を持（４） つトンネル炉を有する。このトンネル炉は各ＣＲＴのフ
ェースプレートとファンネル部がそのトンネルを通る間
に所要の温度勾配をたどるように規定の温度に加熱され
た各帯域に分割されている。後述のようにトンネル内部
の入口付近と出口付近でトンネルの外側に出ているＣＲ
Ｔのネック部にＲＦエネルギが印加される。
次の例では連続式排気機の１つの排気台が静止式周期型
排気機として動作する。第１図ないし第３図に示すよう
に、排気台すなわち静止機１９は１個の（！ＲＴ２１’
ｉｉ受入れることができる。ＣＲＴ ２１は一体のガラ
スネック部２７ヲ持つファンネル部２５に封着されたフ
ェースプレート２３ヲ有し、ネック部２１は一端が外部
に延びる金属ステム導入線３１とガラス排気管３３ヲ持
つガラスステム２９（第２図、第３図）Ｋより閉じられ
ている。ステム導入線３１は内側へも延びてＣ，ＲＴの
マウント構体３１５（第２図）ｋ支持している。マウン
ト構体３５はそれぞれ１つの傍熱型陰極と集束電極Ｇ３
（第２図、第３図）を含めて順次間隔を保った数個の電
極を含む３本の電子銃を有する。このマウント構体３５
の設計はＣＲＴに使用し得る任意のものでよく、その詳
細は例えば米国特許第４２３４８１４号、第３１３７３
１３’７９号等の各明細書に記載されている。
排気機として動作する。第１図ないし第３図に示すよう
に、排気台すなわち静止機１９は１個の（！ＲＴ２１’
ｉｉ受入れることができる。ＣＲＴ ２１は一体のガラ
スネック部２７ヲ持つファンネル部２５に封着されたフ
ェースプレート２３ヲ有し、ネック部２１は一端が外部
に延びる金属ステム導入線３１とガラス排気管３３ヲ持
つガラスステム２９（第２図、第３図）Ｋより閉じられ
ている。ステム導入線３１は内側へも延びてＣ，ＲＴの
マウント構体３１５（第２図）ｋ支持している。マウン
ト構体３５はそれぞれ１つの傍熱型陰極と集束電極Ｇ３
（第２図、第３図）を含めて順次間隔を保った数個の電
極を含む３本の電子銃を有する。このマウント構体３５
の設計はＣＲＴに使用し得る任意のものでよく、その詳
細は例えば米国特許第４２３４８１４号、第３１３７３
１３’７９号等の各明細書に記載されている。
排気台１９は米国特許第３１１５′／３２号明細書記載
の排気台と同様の設計で、ＣＲＴが第１図に一部が示さ
れたその排気台１９内で遮熱式基台４グに取付けた２本
の支柱４５に取付けた支持枠４３に支持される支持腕上
に乗っている。排気台１つは基台４７の開孔を通って延
びる圧縮ヘッド４つに接続された排気手段（図示せず）
を備え、圧縮ヘッド４つの上端には排気口構体５１があ
ってこれに排気管３３が一時的真空気密関係に挿入され
ている。基台４７上には支柱５５と腕５ａＫよって電気
輻射式封じ切り用加熱器５３が支持され、その輻射式加
熱器５３がステム２９の近傍で排気管３３ヲ包囲し、排
気工程が終了すると排気管３３ヲ軟化閉塞してＣＲＴを
封じ切ることができるようになっている。基台４７上に
はさらに支柱５９と腕６０によりＲＦ加熱コイル構体５
７が支持されている。
の排気台と同様の設計で、ＣＲＴが第１図に一部が示さ
れたその排気台１９内で遮熱式基台４グに取付けた２本
の支柱４５に取付けた支持枠４３に支持される支持腕上
に乗っている。排気台１つは基台４７の開孔を通って延
びる圧縮ヘッド４つに接続された排気手段（図示せず）
を備え、圧縮ヘッド４つの上端には排気口構体５１があ
ってこれに排気管３３が一時的真空気密関係に挿入され
ている。基台４７上には支柱５５と腕５ａＫよって電気
輻射式封じ切り用加熱器５３が支持され、その輻射式加
熱器５３がステム２９の近傍で排気管３３ヲ包囲し、排
気工程が終了すると排気管３３ヲ軟化閉塞してＣＲＴを
封じ切ることができるようになっている。基台４７上に
はさらに支柱５９と腕６０によりＲＦ加熱コイル構体５
７が支持されている。
このＲＦ加熱コイル構体５ワはトロイド型で中心開口に
ＣＲＴ ２１のネック部２７が通るようになっている。
ＣＲＴ ２１のネック部２７が通るようになっている。
構体５７は例えば石綿セメント製電気絶縁耐熱容器入り
のトロイド型コイル６１とその上のこれと同じトロイド
型フェライト磁片６３とを含んでいる。第２図および第
３図に示すように、この容器は底板６５、頂板６７およ
び環状スペーサ６９から成っている。
のトロイド型コイル６１とその上のこれと同じトロイド
型フェライト磁片６３とを含んでいる。第２図および第
３図に示すように、この容器は底板６５、頂板６７およ
び環状スペーサ６９から成っている。
構体５−／は導管７１により循環冷却水を供給される冷
却蛇管（図示せず）を有し、ＲＦ加熱コイル６１は加熱
サイクル中選ばれた期間付勢されてマウント構体３５の
選ばれた金属部分内にＲＦエネルギを誘起するようにな
っている。
却蛇管（図示せず）を有し、ＲＦ加熱コイル６１は加熱
サイクル中選ばれた期間付勢されてマウント構体３５の
選ばれた金属部分内にＲＦエネルギを誘起するようにな
っている。
この発明の方法では各キイクルの始めと終りにマウント
構体の異った選択部分ヲＲＦエネルギで加熱する必要が
ある。このため基台４７上のＲＦ加熱器支柱５９の長さ
を調節することによりネック部２７に対向するＲＦ加熱
コイル構体５７の位置を調節する手段が設けられている
。
構体の異った選択部分ヲＲＦエネルギで加熱する必要が
ある。このため基台４７上のＲＦ加熱器支柱５９の長さ
を調節することによりネック部２７に対向するＲＦ加熱
コイル構体５７の位置を調節する手段が設けられている
。
上記の設備は正規の態様で操作される。排気台１９は基
台４ツから上下し得る遮熱掩蓋８１を有する。
台４ツから上下し得る遮熱掩蓋８１を有する。
実際にはその掩蓋８１′（ｉｌ−上げて排気台１９の支
持腕４１（す） 上にＣＲＴ２１’（ｚ置き、基台上のＣＲＴの高さを調
節して排気口構体５１を排気管３３に一時封着する。然
る後掩蓋８１ヲ下してフェースプレー１・２３とファン
ネル部２５ヲ約３００〜４５０°Ｃの範囲の温度に加熱
する。
持腕４１（す） 上にＣＲＴ２１’（ｚ置き、基台上のＣＲＴの高さを調
節して排気口構体５１を排気管３３に一時封着する。然
る後掩蓋８１ヲ下してフェースプレー１・２３とファン
ネル部２５ヲ約３００〜４５０°Ｃの範囲の温度に加熱
する。
この加熱サイクル中にＣＲＴ内部が排気管３３ヲ介して
連続的に排気される。
連続的に排気される。
排気サイクルの始め付近で外囲器内の酸素分圧が約１〜
３ｍｙｙｇになると、コイル構体５’７を第２図に示す
位置におき、約１．２ ＫＨ２のＲＦエネルギで約２分
間励起する。すると（陽極に対向する）Ｇ３の頂部が約
ワ５０°Ｃに加熱される。０３の材料がニクロム合金の
ときはこの加熱により加熱された部分の表面が酸化され
て少なくとも９００°ｃｔでの加熱に耐える酸化クロム
の層を生ずる。この加熱の効果はＧ３の表面を酸化して
、後に室温で見たときその色を灰色の金属色からむぎわ
ら色に変えることである。加熱サイクルの終り付近でＲ
Ｆコイル６１ヲ第３図の位置におき、約１．２ＫＨ２の
ＲＦエネルギで約５分間励起する。これによってラウン
ｌ−構体３５の金属部分に渦状電流が誘起され、そのた
めステム（８） ２９と０３の間の金属部分がその加熱時間に依り約５０
０〜８５０°Ｃに加熱される。
３ｍｙｙｇになると、コイル構体５’７を第２図に示す
位置におき、約１．２ ＫＨ２のＲＦエネルギで約２分
間励起する。すると（陽極に対向する）Ｇ３の頂部が約
ワ５０°Ｃに加熱される。０３の材料がニクロム合金の
ときはこの加熱により加熱された部分の表面が酸化され
て少なくとも９００°ｃｔでの加熱に耐える酸化クロム
の層を生ずる。この加熱の効果はＧ３の表面を酸化して
、後に室温で見たときその色を灰色の金属色からむぎわ
ら色に変えることである。加熱サイクルの終り付近でＲ
Ｆコイル６１ヲ第３図の位置におき、約１．２ＫＨ２の
ＲＦエネルギで約５分間励起する。これによってラウン
ｌ−構体３５の金属部分に渦状電流が誘起され、そのた
めステム（８） ２９と０３の間の金属部分がその加熱時間に依り約５０
０〜８５０°Ｃに加熱される。
ＲＦ励起終了後の加熱ザイクルの終りに、封じ切り用加
熱器５３ヲ動作させ、排気管３３の小部分を加熱して軟
化すると、大気圧によりガラス自体が収縮して封着し、
ＣＲＴ ２１の内部が外気から遮断される。Ｃ！ＲＴ２
１’ｉｉ放冷し、排気管の余剰部を折り取った後、掩蓋
８１を上げてＯＲ’［’を排気台から外す。次にステム
導入線３１にベース（図示せず）を取付け、Ｃ！ＲＴ
内のゲッタ（図示せず）全飛ばし、マウント構体３５に
陰極の活性化、電気エージングおよびスポットノッキン
グを含む電極処理手続を行う。
熱器５３ヲ動作させ、排気管３３の小部分を加熱して軟
化すると、大気圧によりガラス自体が収縮して封着し、
ＣＲＴ ２１の内部が外気から遮断される。Ｃ！ＲＴ２
１’ｉｉ放冷し、排気管の余剰部を折り取った後、掩蓋
８１を上げてＯＲ’［’を排気台から外す。次にステム
導入線３１にベース（図示せず）を取付け、Ｃ！ＲＴ
内のゲッタ（図示せず）全飛ばし、マウント構体３５に
陰極の活性化、電気エージングおよびスポットノッキン
グを含む電極処理手続を行う。
この例では加熱サイクルの始め付近のＲＦ加熱を用いて
Ｇ３電極の」二部の酸化を行っている。この方法（酸素
の分圧が約１〜３ ｆｆＨｇのとき排気の初期段階で０
３のその部分を加熱する方法）は残光を示すＣＲＴの割
合を著しく減することが判ているが、Δ その理由はよく判らない。この方法によると、マウント
構体の電界電子放射を生ずるに違いない部分に金属酸化
物の薄膜が形成される。
Ｇ３電極の」二部の酸化を行っている。この方法（酸素
の分圧が約１〜３ ｆｆＨｇのとき排気の初期段階で０
３のその部分を加熱する方法）は残光を示すＣＲＴの割
合を著しく減することが判ているが、Δ その理由はよく判らない。この方法によると、マウント
構体の電界電子放射を生ずるに違いない部分に金属酸化
物の薄膜が形成される。
一連の試験で（陽極に対向する）Ｇ３の頂部はＣＲＴの
排気の初期真空中において７００°Ｃで２分間加熱した
後、室温室圧に持って行った。加熱中の圧力は約２ ｍ
ＭＨｇ、の酸素の分圧を含めて約１ｏｍｊｎＨｇであっ
た。このような条件で室温で観測して淡褐色の変色が０
３の表面に生じた。ＣＲＴの排気封止を含む通常の後続
処理を行った後もこの変色は残り、消滅電圧は約３５Ｋ
Ｖであった。消滅電圧とは裸眼で残光が見えないＧ３陽
極間最高残留電圧である。この消滅電圧試験は晴突内で
晴黒になれた眼で行う。
排気の初期真空中において７００°Ｃで２分間加熱した
後、室温室圧に持って行った。加熱中の圧力は約２ ｍ
ＭＨｇ、の酸素の分圧を含めて約１ｏｍｊｎＨｇであっ
た。このような条件で室温で観測して淡褐色の変色が０
３の表面に生じた。ＣＲＴの排気封止を含む通常の後続
処理を行った後もこの変色は残り、消滅電圧は約３５Ｋ
Ｖであった。消滅電圧とは裸眼で残光が見えないＧ３陽
極間最高残留電圧である。この消滅電圧試験は晴突内で
晴黒になれた眼で行う。
ＣＲＴが残光を呈する場合は一般に消滅電圧が２５ＫＶ
未満である。さらに試験後１０−５πｆｆ１１１ｇ以下
の高真空中ニオイて８００°Ｃで約１５分ＲＦ加熱した
が、これによるＧ３の明瞭な変色はなかった。
未満である。さらに試験後１０−５πｆｆ１１１ｇ以下
の高真空中ニオイて８００°Ｃで約１５分ＲＦ加熱した
が、これによるＧ３の明瞭な変色はなかった。
金属表面の酸化被膜はその表面の仕事関数を上昇させて
電子放射のエネルギ閾値を引上げ、これによって残光を
滅することが知られている。ある種の酸化物は真空中に
おける普通のＲＦ加熱温度で揮発してその量を減じ、残
光を増すが、この発明の方法でＦｉＧ３の表面に真空中
においてこのような普通のＲ’Ｆ加熱温度で実質的に揮
発しない金属酸化物層が形成される。この方法は後続の
処理中に蒸発しない酸化物を生ずる金属または合金のす
べてに適用することができる。
電子放射のエネルギ閾値を引上げ、これによって残光を
滅することが知られている。ある種の酸化物は真空中に
おける普通のＲＦ加熱温度で揮発してその量を減じ、残
光を増すが、この発明の方法でＦｉＧ３の表面に真空中
においてこのような普通のＲ’Ｆ加熱温度で実質的に揮
発しない金属酸化物層が形成される。この方法は後続の
処理中に蒸発しない酸化物を生ずる金属または合金のす
べてに適用することができる。
ＣＲＴの電極として通常使用されるステンレス鋼の電極
の場合は、５００°Ｃ以下の温度の普通の処理中に酸化
鉄が優勢に生ずる。これについてはジャーナル・オプ・
アプライド・フィツクス（：ｒ 、 ｏｆ７％ｐｐｌｉ
、ｅａ Ｐｈｙｓｉｃｓ ） １９ｖａ年第４５巻第５
３１２〜５３１６号のベンツ（Ｂｅｔｚ ）等の論文を
参照されたい。この酸化鉄は真空中において５００°Ｃ
以上で蒸発するため、通常のＣＲＴの工程の後続段階中
に消滅して、ＣＲＴ完成品が残光の増大を示す。さらに
高温度（例えば７００〜Ｂｏｏ’Ｃ）で形成される酸化
物被膜は酸化クロム゛が優勢で、これは通常の排気条件
やＲＦ加熱条件では蒸発しない。従って、この発明によ
って製造されたＣＲＴは金属酸化物被膜を保存するため
、残光が少ない。
の場合は、５００°Ｃ以下の温度の普通の処理中に酸化
鉄が優勢に生ずる。これについてはジャーナル・オプ・
アプライド・フィツクス（：ｒ 、 ｏｆ７％ｐｐｌｉ
、ｅａ Ｐｈｙｓｉｃｓ ） １９ｖａ年第４５巻第５
３１２〜５３１６号のベンツ（Ｂｅｔｚ ）等の論文を
参照されたい。この酸化鉄は真空中において５００°Ｃ
以上で蒸発するため、通常のＣＲＴの工程の後続段階中
に消滅して、ＣＲＴ完成品が残光の増大を示す。さらに
高温度（例えば７００〜Ｂｏｏ’Ｃ）で形成される酸化
物被膜は酸化クロム゛が優勢で、これは通常の排気条件
やＲＦ加熱条件では蒸発しない。従って、この発明によ
って製造されたＣＲＴは金属酸化物被膜を保存するため
、残光が少ない。
ステンレス鋼の０３に用いる酸化の度合を分類するため
、Ｇ３の一連の試料を下表に示す種々の温度（１１） 管球の０３ｆ初期真空中でＲＦ加熱により酸化させて表
面の色が試料１．３および５と合うようにした。
、Ｇ３の一連の試料を下表に示す種々の温度（１１） 管球の０３ｆ初期真空中でＲＦ加熱により酸化させて表
面の色が試料１．３および５と合うようにした。
これらはすべて３４ＫＶ４：たはそれ以」二の消滅電圧
を示した。従ってこの発明の方法による表面変色はすべ
て有効と考えられる。
を示した。従ってこの発明の方法による表面変色はすべ
て有効と考えられる。
０３表面の酸化物の薄膜は、電子銃製造に用いるアライ
メント治具のような金属工具がその表面を擦過すると容
易に損傷する。従ってマウントの組立て終了後酸化を行
うことが推奨さ九る。酸化物の厚さは加熱温度、加熱時
間および酸素分圧の関数である。このような高温におけ
る酸化を大気圧下で行えば、酸化物層の形成時間が短か
過ぎて有効な工程管理ができない。０３表面の酸化被膜
が厚（１２） 過ぎると、電気絶縁層となり、電子銃の適正機能を損う
ため不都合である。電気絶縁はその層が数分間電荷を蓄
積することを意味するためである。
メント治具のような金属工具がその表面を擦過すると容
易に損傷する。従ってマウントの組立て終了後酸化を行
うことが推奨さ九る。酸化物の厚さは加熱温度、加熱時
間および酸素分圧の関数である。このような高温におけ
る酸化を大気圧下で行えば、酸化物層の形成時間が短か
過ぎて有効な工程管理ができない。０３表面の酸化被膜
が厚（１２） 過ぎると、電気絶縁層となり、電子銃の適正機能を損う
ため不都合である。電気絶縁はその層が数分間電荷を蓄
積することを意味するためである。
逆に酸素分圧が低過ぎると所要の被膜形成に実際的でな
い長時間を要する。酸化は黄味がかった被膜が生ずるま
で行うのが好ましく、これは空気圧力１０酎ｕｇ（酸素
分圧２關Ｈｇ）において８００°Ｃで約２分間加熱する
ことによシ達せられる。酸化はまり例えハｌｏ闘Ｈｇの
空気と７５０ｆｆｆｆＨｇのアルゴンの混合物を満たし
た大気圧（ｑａｏ ｍｍＨｇ、 ）の普通の炉内で行う
こともできる。
い長時間を要する。酸化は黄味がかった被膜が生ずるま
で行うのが好ましく、これは空気圧力１０酎ｕｇ（酸素
分圧２關Ｈｇ）において８００°Ｃで約２分間加熱する
ことによシ達せられる。酸化はまり例えハｌｏ闘Ｈｇの
空気と７５０ｆｆｆｆＨｇのアルゴンの混合物を満たし
た大気圧（ｑａｏ ｍｍＨｇ、 ）の普通の炉内で行う
こともできる。
第１図はこの発明を実施するため改造された排気台の一
部の破断側面図、第２図は第１図の排気台のＲＦコイル
構体の拡大図で、ＣＲＴの排気開始付近でマウント構体
の所定部分を加熱するための位置を示す図、第３図は第
１図の排気台のＲＦコイル構体の拡大図で、 ＣＲＴの
排気終了付近でマウント構体の所定部分を加熱するため
の位置を示す図である。 Ｇ３・・・電極の１つ、１９・・・排気台、 ２１・・
・陰極線管、３５・・・マウント構体、５グ・・・ＲＦ
加熱コイル構体。 ％１ｔｉｌ願人 アールシーニー コーポレーショ
ン代理人 清水 哲はが２名 手続補正書（自発） 昭和５７年８月１７日 １、事件の表示 特願昭５’７−１１２４６０号 ２、発明の名称 陰極線管の製造法 住 所 アメリカ合衆国 ニューヨーク州 １００２
０ニユーヨーク ロックフェラー フラサ３０名 称
（７５７）７−ルシーエー コーポレーション４、代
理人 ５、補正の対象 明細書の「特許請求の範囲」および「発明の詳細な説明
」の各欄。 ６、補正の内容 （１） 特許請求の範囲を別紙の通りに訂正する。 （２）明細書の記載を下記の正誤表に従って訂正する。 記 添付書類 特許請求の範囲 （１）外囲器とこの外囲器内に順次間隔をおいて封入さ
れた複数個の電極を有するマウンＩ・構体とを含む陰極
線管の製造において、上記マウント構体を組立て、その
マウント構体を上記外囲器内に封入し、」−記外囲器内
を１０ ”ｍｍＩ−１ｇ以下の低圧に排気し、その低圧
内で」二記マウント構体の導電性部分を約４５０℃以上
の最高調度に加熱する方法であって、」−記低圧に達す
る前に」−記マウンＩ・構体の上記電極の１つの少なく
とも一部を酸素の分圧を有とする陰極線管の製造法。
部の破断側面図、第２図は第１図の排気台のＲＦコイル
構体の拡大図で、ＣＲＴの排気開始付近でマウント構体
の所定部分を加熱するための位置を示す図、第３図は第
１図の排気台のＲＦコイル構体の拡大図で、 ＣＲＴの
排気終了付近でマウント構体の所定部分を加熱するため
の位置を示す図である。 Ｇ３・・・電極の１つ、１９・・・排気台、 ２１・・
・陰極線管、３５・・・マウント構体、５グ・・・ＲＦ
加熱コイル構体。 ％１ｔｉｌ願人 アールシーニー コーポレーショ
ン代理人 清水 哲はが２名 手続補正書（自発） 昭和５７年８月１７日 １、事件の表示 特願昭５’７−１１２４６０号 ２、発明の名称 陰極線管の製造法 住 所 アメリカ合衆国 ニューヨーク州 １００２
０ニユーヨーク ロックフェラー フラサ３０名 称
（７５７）７−ルシーエー コーポレーション４、代
理人 ５、補正の対象 明細書の「特許請求の範囲」および「発明の詳細な説明
」の各欄。 ６、補正の内容 （１） 特許請求の範囲を別紙の通りに訂正する。 （２）明細書の記載を下記の正誤表に従って訂正する。 記 添付書類 特許請求の範囲 （１）外囲器とこの外囲器内に順次間隔をおいて封入さ
れた複数個の電極を有するマウンＩ・構体とを含む陰極
線管の製造において、上記マウント構体を組立て、その
マウント構体を上記外囲器内に封入し、」−記外囲器内
を１０ ”ｍｍＩ−１ｇ以下の低圧に排気し、その低圧
内で」二記マウント構体の導電性部分を約４５０℃以上
の最高調度に加熱する方法であって、」−記低圧に達す
る前に」−記マウンＩ・構体の上記電極の１つの少なく
とも一部を酸素の分圧を有とする陰極線管の製造法。
Claims (1)
- （１）外囲器とこの外囲器内に順次間隔をおいて封入さ
れた複数個の電極を有するマウント構体とを含む陰極線
管の製造において、上記マウント構体を組立て、そのマ
ウント構体を上記外囲器内に封入し、上記外囲器内を１
０ ’ｍｍＨｇ以下の低圧に排気し、その低圧内で上記
マウント構体の導電性部分を約４５０°Ｃ以上の最高温
度に加熱する方法であって、上記低圧に達する前に上記
マウント構体の上記電極の１つの少なくとも一部を酸素
の分圧を有する雰囲気中で上記最高温度より高い超高温
度に充分時間選択的に加熱して、上記少なくとも１つの
電極の表面を酸化して冷却時に可視の変色を示すが上記
表面に電気的絶縁層を形成するには不足の被膜を形成す
ることを特徴とする陰極線管の製造法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/279,740 US4406637A (en) | 1981-07-02 | 1981-07-02 | Processing the mount assembly of a CRT to suppress afterglow |
| US279740 | 1994-07-22 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5810349A true JPS5810349A (ja) | 1983-01-20 |
Family
ID=23070245
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57112460A Pending JPS5810349A (ja) | 1981-07-02 | 1982-06-28 | 陰極線管の製造法 |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4406637A (ja) |
| JP (1) | JPS5810349A (ja) |
| KR (1) | KR840000969A (ja) |
| CA (1) | CA1186367A (ja) |
| DE (1) | DE3224790C2 (ja) |
| FR (1) | FR2509090B1 (ja) |
| IT (1) | IT1153706B (ja) |
| PL (1) | PL138543B1 (ja) |
| SU (1) | SU1242003A3 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| FR2583919B1 (fr) * | 1985-06-21 | 1988-11-10 | Videocolor | Procede et appareil de chauffage des electrodes d'un canon a electrons au cours de sa fabrication |
| JP2822480B2 (ja) * | 1989-09-14 | 1998-11-11 | ソニー株式会社 | 陰極線管の製造方法とその装置 |
| JPH0963470A (ja) * | 1995-08-23 | 1997-03-07 | Nec Kansai Ltd | 陰極線管の製造方法 |
| KR19980060787A (ko) * | 1996-12-31 | 1998-10-07 | 손욱 | 음극선관 제조방법 |
| US6236155B1 (en) * | 1999-04-12 | 2001-05-22 | Osram Sylvania Inc. | High chromium second anode button for cathode ray tube |
| RU2505883C1 (ru) * | 2012-07-18 | 2014-01-27 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП "НПП "Исток") | Способ откачки и наполнения прибора газом |
| RU2558380C1 (ru) * | 2014-03-20 | 2015-08-10 | Открытое акционерное общество "Центральный научно-исследовательский институт "Электрон" | Способ изготовления вакуумного прибора, корпус вакуумного прибора и вакуумная камера |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3115732A (en) * | 1961-09-26 | 1963-12-31 | Rca Corp | Apparatus for processing cathode ray tubes |
| JPS4820945B1 (ja) * | 1966-05-13 | 1973-06-25 | ||
| US3589791A (en) * | 1969-09-02 | 1971-06-29 | Zenith Radio Corp | Processing of cathode-ray tubes |
| US3873879A (en) * | 1972-01-14 | 1975-03-25 | Rca Corp | In-line electron gun |
| US3922049A (en) * | 1974-03-25 | 1975-11-25 | Rca Corp | Method of degassing a cathode-ray tube prior to sealing |
| US4018489A (en) * | 1975-08-28 | 1977-04-19 | Rca Corporation | Method for extending cathode life in vidicon tubes |
| DE2613170B2 (de) * | 1976-03-27 | 1978-10-12 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg | Verfahren zur Herstellung von Gitterelektroden für Elektronenröhren |
| US4073558A (en) * | 1977-04-25 | 1978-02-14 | Gte Sylvania Incorporated | Cathode ray tube fabricating process |
| US4234814A (en) * | 1978-09-25 | 1980-11-18 | Rca Corporation | Electron gun with astigmatic flare-reducing beam forming region |
| US4213663A (en) * | 1978-12-26 | 1980-07-22 | Rca Corporation | Wet carbon-dioxide treatment of partially-completed CRT |
| JPS55143751A (en) * | 1979-04-24 | 1980-11-10 | Mitsubishi Electric Corp | Manufacture of cathode ray tube |
-
1981
- 1981-07-02 US US06/279,740 patent/US4406637A/en not_active Expired - Fee Related
-
1982
- 1982-06-25 FR FR8211177A patent/FR2509090B1/fr not_active Expired
- 1982-06-28 JP JP57112460A patent/JPS5810349A/ja active Pending
- 1982-06-28 CA CA000406119A patent/CA1186367A/en not_active Expired
- 1982-06-29 IT IT22142/82A patent/IT1153706B/it active
- 1982-07-01 SU SU823457849A patent/SU1242003A3/ru active
- 1982-07-02 PL PL1982237248A patent/PL138543B1/pl unknown
- 1982-07-02 DE DE3224790A patent/DE3224790C2/de not_active Expired
- 1982-07-02 KR KR1019820002959A patent/KR840000969A/ko unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| IT8222142A0 (it) | 1982-06-29 |
| KR840000969A (ko) | 1984-03-26 |
| FR2509090A1 (fr) | 1983-01-07 |
| PL237248A1 (en) | 1983-01-31 |
| PL138543B1 (en) | 1986-10-31 |
| DE3224790A1 (de) | 1983-03-10 |
| CA1186367A (en) | 1985-04-30 |
| FR2509090B1 (fr) | 1986-09-19 |
| US4406637A (en) | 1983-09-27 |
| SU1242003A3 (ru) | 1986-06-30 |
| DE3224790C2 (de) | 1986-07-03 |
| IT1153706B (it) | 1987-01-14 |
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