TWI303325B - - Google Patents

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TWI303325B
TWI303325B TW094129565A TW94129565A TWI303325B TW I303325 B TWI303325 B TW I303325B TW 094129565 A TW094129565 A TW 094129565A TW 94129565 A TW94129565 A TW 94129565A TW I303325 B TWI303325 B TW I303325B
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Maul Manfred
Fiolka Damian
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Zeiss Carl Smt Ag
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Description

!3〇3325 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 一本發明係一種抵銷照明系統之非對稱光瞳照明用的濾 光裝置，尤其是一種抵銷微影設備之照明系統之非對稱2 瞳照明用的濾光裝置。 【先前技術】 生產微電子元件或微電機元件用的微影設備的照明系 統需符合特殊的要求。這些照明系統包括晶圓步進電動機 及晶圓掃描器作業時用到的照明系統。這種照明系統必須 將位於照明系統之場平面内的物體（通常是一片掩膜）均勻 的照亮。除了這個要求外，與照明系統的出射光瞳的照明 有關的在平面照明角度分配也要符合一定的要求。在微影 設備中，照明系統的出射光瞳通常就是下一個投影鏡頭的 入射光瞳。因此出射光瞳應具有適當的照明特性，以便盡 可能將最多的光量射入投影鏡頭，以達到投影系統像平面 的遠距中心要求及盡可能將掩膜結構均勻成像的要求。 一種能夠使場平面内的一個區域的照明變均勻的已知 照明糸統裝有一種棒狀光積分器。製造這種棒狀光積分器 的材係視工作波長而定，例如可能是石英玻璃或是娛種結 晶材料(例如氟化鈣）。關於這種棒狀光積分器的作用在專 利 US 5675401、US 2004/012766、ΕΡ 0867772、US 6236449、 以及ΕΡ 074772中都有說明。這種棒狀光積分器之所以能 夠產生作用是因為射入棒狀光積分器的光線產生的許多全 反射在棒狀光積分器的外表面使照明光線完全混合。但由 5 1303325 於棒狀光積分器的外表面仍有剩餘祕性，因此全反射並 不是完全沒有損失的。 • 目此使用棒狀光積分11的掃描H會因為其四方形斷面 • 造成出射光瞳的造明非對稱的缺點。在這種情況下，主要 ’ 1沒著四方形斷_短邊半賴光束會被更頻繁的反射， 目此其照明強度會減弱的更多。這種照_非對稱性會產 生-種能！橢圓光瞳輪廓，以下簡稱為橢圓性。為了避免 出現照明的非對稱性，專利us 6733165提出—種改良過的 • 棒狀光積分器，這轉狀光積分器的寬度及長度的比例能 夠將反射-入數及發生在棒狀光積分器侧面的全反射損失調 整到角度區内光線能量在玻璃棒的基準面上的分佈情況與 ▲ 規定補的紐。專利腿3舰提㈣解決方法的缺點 • 是只能修正橢圓非對稱性。
此外還有人提出一種可以調整的對稱光瞳濾光器。例 如專利US 6535274提出的-種滤光褒f，這種濾光裝置至 少具有兩個互相作反向轉動的對稱濾光元件，以形成一個 馨 此夠過濾光瞳照明的可調整且對稱的亮度滤光器。US 6535274提出的這種光曈濾光器雖然可以經由調整投影曝 光没備的照明系統在光曈面内的透射情況，以形成及/或修 正在物平面發生的照明角度分佈的橢圓性，但是卻無法修 正比較複雜的兆對稱性。 專利US 6636367提出的照明系統可以經由控制設置在 光瞳面的一個區域内的光瞳濾光器的移動來改變照明角度 的分佈。這種照明系統是將光瞳濾光器製作成一種可以轉 6 1303325 動的=件’這種光曈滤光器可以產生—輯其旋轉轴非旋 ，、子稱的透射分饰。這種照明系統加上—根棒狀光積分器 也可以達到調整橢圓性的效果。 專利US 2_/〇嶋79提出的照㈣統在從光源到設 置掩膜的承載面之間的絲上至少具有-個散射光栅。這 個散射光柵的作用是_光學軸不_紐的光線反射。 八他已知的照明系統是在從光源到設置掩膜的承載面 之間的光程上具有-個光學積分器的照日域統，例如專利 US 5731577、US 5461456、US 6333777、或是 EP 0849637 提出的照明系統。
專利 US 5731577、US 5461456、US 6333777、或是 EP 0849637的照明系統使用的光學積分器都具有多個磨平的 元件。 此外，還有多種已知的場濾光器可以提高在場平面内 的區域的㈣均勻性，在照明系統中，這種場濾光器的設 ，位置距場平面比較近，距光瞳面靠較遠。例如專利EP 提出的場濾、光器可以調整片狀元件在場平面周圍的方向， 輯到調整出現在光程上的局部阻塞現象的目的。但由於 這種場渡、光H無法改㈣平面照_肖度分佈情況，因此 無法照㈣統之出射光瞳賴明強度的非對稱性。 以上提及的已知濾光元件的一個共同缺點是它們都只 能用來修正光瞳隸定特的非對稱缺失，例如只能用來ς 正橢圓非對稱性’同時已知的光瞳滤光器也無法用來修正 光瞳照明比較複雜的非對稱缺失。 少 7 1303325 【發明内容】 本發明的第—個目的是提出-種光賴光n，這種光 曈滤光器要賴克服财技_财缺失，尤其是要能夠 修正出射光瞳照明的非對稱性，或是能夠修正出射光瞳之 共耗光瞳照明的非對讎。雜光輔光器、尤其適用於出 射光瞳的卿非對稱性不奸括翻部分的照明系統。 依據本發明，一個配屬於出射光瞳的濾光裝置具有許 多個濾光元件，而且每一個濾光元件都是從徑向方向伸入 從光源到設置掩膜(例如光栅）的承載面穿過照明系統的投 影光束的光程，並產生一種陰影作用，因此能夠對發生在 每一個濾光元件上的阻塞作用（也就是光程上的遮蔽作用） 的程度進行個別調整。 濾光元件最好是採用一種環狀配置方式，也就是說從 光程的外緣出發朝絲巾心配置濾光元件。然後不論是經 由調整縣元件從徑向方向伸人絲的深度，或是經由非 對稱配置的濾光元件的方向，都可以產生陰影作用。 濾光裝置最好是不要影響到出射光瞳的光瞳尺寸及^ 值。只要為濾光元件選擇適當的尺寸及設置密度即可達到 這個要求，也就是說要將每一個濾光元件的最大陰影寬度 控制在只有位於光程外緣區域的兩個濾光元件的間距的 1-5%雜度。目此本發暇雜光元件製作成棒狀，也就 是說濾光元件的橫向尺寸通常會小於其徑向尺寸，也就是 小於濾光元件伸入光程的方向的尺寸。就另一方面而言， 濾光元件的最佳尺寸就是要使每一個瀘光元件都能夠在一 1303325 == 產生影響。此處所謂的局部區域 疋和相當於光瞳面的若干百分比龍域。為了能夠對昭明 糸統的出射光瞳_對雛作最錄度的紅 應具有2G個以上_光元件。 Ε7^置
”除了前面說明的經由調整濾光元件從徑向伸入光程的 珠度’以確定濾光元件的局部陰影個外，另外—種可能 的方式是將滤光元件製作成非對稱狀，例如製作成薄片 狀’並控繼光元件在光程巾的調整肖度(也就是方向）。 本發明的-簡财實财歧_光元件製作成一 種-角七且很;|的紫葉。這種濾光元件的方向能夠被調整 到兩，極^的位置。其巾—個極端位置讓絲的光線只能 到達三角賴葉的短邊4這種情況下，阻塞作用及滤光 讀造成的陰影投射都會減少。另外也可以將整片紫葉轉 動到光程内，以達到最大的陰影投射。這種有利的三角形 造型的作暇經由濾光元件在朝絲+心的方向上漸次、 ▲連續不斷的縮姐塞作用。除了可以經由濾光元件的方向 調整陰影投射外’也可时併使用罐徑向伸人深度的方 式來調整陰影投射。 、，可以職、光元件的外形設計成至少有部分區域是部分 透光的，或是設計成具有酿結構_、光元件。滤光元件 :成何造型設計具有百分之百的自由度，以便能夠經由調 整濾光70件的徑向伸人深度及方向的方式，餅能達到個 別與局部陰影作用配合的目的。為此可以依據專業考量選 擇使用適當的驢元件，以制㈣要的雜程度及方 9 1303325 機:壓電元件、或是滑動粘附驅 奶轉整赠絲置製作成 rf置的中"點轉_方式，以消除_整元件 的數里數限制造朗局部錢續作帛。 置在=Γ 一種特別有利的實施方式中，滤光裝置設 之光之㈣光瞳周圍4是與出射光瞳呈共輛關係 4+ ^ ^ 6位置至少能夠軸光元件在光瞳面的陰影投
^ 影的作用。顧這種設置方式的目的是盡可能 4、的按,、、、所希朗方式及程度對光瞳酬的非對稱特性 造成影響’並減少對其他光瞳參數的影響(例如尺寸）。滤 光裝置至光瞳_最大距離要能夠使—織光元件在光程 周圍區域的半陰影最多可以達到相鄰之濾光元件的半陰影 的中心。因此這個最大距離會受到事先給糾在光瞳照明 中的角度分佈的影響。 如果遽光裝置至光瞳面的距離在於前面提及的最大距 離’則屬於單--倾光元件的错影區域會進入再下一 個/慮光讀辭Jtf彡區域’因會使對非_性進行個別修 正^工作變得比較困難。在本制書巾所謂的在光線方向 上靠近光瞳的-個區域是指滿^單——個滤光元件的 半陰衫在光程周圍區域最多有—半重疊的條件的區域，也 就是說應將濾光元件設置在靠近光瞳的ΔΖ區域。 △ Ζ區域的邊界是由光瞳面本身及最大距離ΔΖ共同 構成。最大距離ΔΖμ是指到光瞳的一個距離，在此距離時 再下一個滤光元件的半陰影在光程的周區域内剛好會彼此 1303325 觸及的距離。 單一一個滤光元件的半陰影是由陰影投射形成的。在 本說明書中’所謂陰影投射是指投射在光瞳濾光器正後方 的面上的陰影。 本發明的第二個目的是提出照明系統用的一種濾光裝 置，這種濾光裝置至少具有一個濾光元件，這個濾光元件 可以被設置在照明系統的照明光程内的不同位置，而且這
個濾光元件還具有一個測定照明強度值用的感測器。此種 感測器可以量測照明光程内沿著濾光元件的照明強度值。 從測量出的濾光元件的照明強度值就可以推測出濾光元件 對照明特性的影響，也就是說可以推測出濾光元件對在照 明系統的場平面内的照明的影響。為得知所謂的照明特 性，可以利用本發明的濾光元件量測照明的橢圓性、遠心 性、以及透射率。 -個控制裝置能夠將讀入測量出的照明強度值，並與 -個在場平面或光瞳舶應達_照日度的額定值作一 比較。從職歡健可輯算㈣了在場平面及/或光瞳 面達到特定_㈣度，應賴光元件設置在那—個位置 (額定位置）。如果將帶有濾、光元件的濾光裝置作為光瞳滤 光器使用，則本發_實财式可㈣免需要_、光树 進打= 雄校JE工作。職光树進行校正工作是必要 的，这是因為要在場平面及Μ光__ 明 所需的滤光健的結構(尤其是渡光元件的位置）主要月，果 決於照明模式。所謂照明模式是指照明的方式，例如^狀 11 1303325 照明或四極照明。此外，本發明的這種實施方式並不需要 根據知明糸統對濾、光裝置進行精確的校正，以確保在出薇 時測得的調整位置在修正系統組裝完成後或是在客戶自行 更換後仍然有效。 本發明的另外一種有利的實施方式是以能量感測器 (例如光電二極管）作為量測照明強度值的感測器，而且最 好是將這些感測器設置在棒狀濾光元件的一個尾端。 本發明的另外一種有利的實施方式是將感測器連接到 ⑩-健繼置，讓制ϋ及控織置之間可峨由電線或 無線電父換訊號。 ； 如果感測器是像前面提及的-樣被設置在棒狀渡光元 件的一個尾端，則因為棒狀遽光元件伸入照明光程而被吸 收的光線照明強度就可以經由量測值的積分被計算出來， 只要棒狀滤光元件在某種程度上可說是連續從一個位於被 照亮區域之外的-個定位置進入這個被照亮的區域，而且 _照明強度會依據感測器的位置被量測，就可以進 分計算。 預 本發_糾-猶_實财式的賴是棒狀 益在某種程度上可說是被逐點設置的感測器整個覆蓋^， 例如逐點設置的光電二極管列或CCD列。這種實施方式的 f點是可_用伸人_絲⑽就元件量測在棒狀遽 光元件上各個位置被吸收的照明強度。 & 口口 k種貝細方式不需要像只有在一個尾端設有一個感測 器的棒狀濾光器一樣採用逐次伸入的方式。 12 Ϊ303325 、由於月b里感測器只是用來測定渡光元件的精確位置， 為了保減如不會因為長期受到相賊賴式的照射而 受損’因此本發_料—種實财式_光元件可以繞 其本身的中心概轉’以便在完成制功後能夠經由滤 光元件的轉動將❹】n雜18G度_光元件的陰影位 置，以防止感測器受損。 如果，前面所述，渡光元件（尤其是棒狀渡光元件）配 備有感測H，則可以根據—個可自由選擇但固定的座標系 統沿著濾、光元件量_被濾光元件吸收的光_明強度。 然後根據這些資料就可以為被調制·模式計算出渡光 元件的額定位置，以獲得所希望的·明及/或光瞳照明的 修正狀態。在進行場修正時，各個濾光元件都會伸入場内 的光線分佈，以修正掃描積分照明強度。 此外，配備感測裔的濾光元件也可以測定出光瞳的邊 緣，也就疋里測感測态過渡到被照亮的區域的邊緣。 因此這樣就可以構成一個相對於照明系統十分精確的 校正單元。 【實施方式】 第1圖顯示一種微影作業用的投影曝光設備（1)。利用 這種投影曝光設備可以將光柵（2)上的一個圖案結構投影 在晶圓（3)的表面上。投影曝光設備（1)的光源是一個紫外 線雷射(4) ’例如一個波長193.3 nm的受激准分子雷射。 紫外線雷射（4)發出的照明光束（5)首先射入照明鏡組 (6)。為了簡化圖面，照明光束(5)在紫外線雷射(4)及照明 13 1303325 鏡組(6)之間的光程僅以如第！圖之簡化方式表示。在第！ 圖中以一個塊狀區域表示的照明鏡組（6)可能具有一系列 ❸光學構件’例如伸縮物鏡、散射光學元件、或是使照明 光束(5)變均勻的光學積器。 . 照明光束(5)穿過照明鏡組(6)之後會通過設置在一個 A瞳面（13)内或是光瞳面⑽附近的濾光裝置，在本文的 後續說明中將稱呼這個按照本發明的方式製作的濾光裝置 為光瞳濾、絲⑺，並詳細綱構造。在$丨圖的實施方式 ❿ 巾’光曈滤絲⑺係設置在光瞳面⑽的前方。光瞳滤光 裔（7)所在的位置也稱為濾光器平面。接著照明光束(5)會 將光柵(2)照亮。光柵⑵的圖案結構會經由投影鏡組⑻二 - 投影在得圓⑶的表面上。投影鏡組⑻可能是由許多個透 " 鏡及/或反射鏡所構成。 如第1圖所示，成像光束(9)會先通過光柵(2)上的中 央物點再通過投影鏡組⑻，為了說明成像絲的路徑，第 1圖中還沿著成像光束(9)之行進路線的反方向延長繪出一 着 ^又成像光束(9)在照明鏡組(6)内的路徑。光柵(2)位於投影 鏡組(8)的物平面（1〇)，也就是第！圖中以一段虛線代表的 物平面(10)。晶圓（3)位於投影鏡組(8)的像平面（11)，也 就是第1圖中以一段虛線代表的像平面（U)。在第丨圖中 也是以示意方式來表示投影鏡組(8)的光瞳面（12)。投影鏡 組(8)的光瞳面（12)與照明鏡組(6)的光瞳面（丨3)共輛。光 瞳面（12)也被稱為投影鏡組(8)的入射光曈。 在第1圖中，投影曝光設備（1)的光學軸（14)也是以虛 1303325 線％出。從弟1圖的投影曝光設備可以看出，在介於紫外 線雷射（4)及照明鏡組(6)的光程上有一片部分透光的光學 板(40)，這片光學板(40)會反射一小部分的照明光束(5)， 並讓絕大部分的照明光束(5)穿透，在實務上會有99%以上 的照明光束(5)穿透這片光學板(4〇)。由於穿透光學板(4〇) 的照明光束(5)的光程並不是本文討論的重點，因此第j圖 中僅繪出一小段。 在第1圖中以虛線表示的被光學板(4〇)反射的部分照 > 明光束（5)會穿過成像鏡組（15)被成像在一個二度空間的 CCD陣列⑽上。CCD陣列（16)經由-條以虛線表示的訊號 線（17)與一個控制裝置（18)連接。控制裝置（18)可以經由 在弟1圖也是以虛線表示的訊號線(19)控制一個驅動裝置 (20)。控制裝置（20)可以在第丨圖也是以虛線表示的驅動 連接（21)驅動光瞳濾光器（7)或光瞳濾光器的各單一濾光 元件，以達到修正非對稱性的目的。 除了 CCD陣列（16)外，還可以另外安裝一個偵測裝置 _ ⑽），這個偵測裝置⑽)可以量測成像光束⑼在物平面 (10)的照明強度及照明角度分佈。第丨圖是將處於待命狀 態的偵測裝置（30)繪在設影光程外的位置。如第丨圖中的 雙箭頭(31)所示，在光柵(2)被拆除後，一個在第丨圖中未 繪出的驅動裝置可以驅動偵測裝置（3〇)對光學軸以垂 直方向進入投影光程，以便使入射開口（32)移動到物平面 〇0)内，這樣通常是用來將光栅(2)照亮的成像光束，例如 成像光束(9) ’就可以穿過入射開口（32)進入偵測裝置(3〇) 15 1303325 内部。 價測裝置(30)經由-條可彎曲的訊號線(33)與一健 齡置(34)連接。控制裝置(34)另外經由一條在第1圖中 也是以虛線表示的訊號線(35)與控制裝置（18)連接。 本發明的另外一種實施方式可以將偵測裝置（3 0)用於 里測杈影鏡組(8)的物平面（11)的照明強度，也就是用於量 測同時還設置晶圓（3)的物平面（11)的照明強度。 φ 卩下將依據第2-7 ®對本發明的—種可以將濾光裝置 作為修正非對稱性賴光_光器⑺的結構作一詳細的 說明。 : 第2圖顯示本發明之作為濾光裝置的光瞳濾光器（100) 的種貝施方式。光瞳濾光器（100)具有多個可以個別調整 的濾光元件。濾光裝置最好是設置在出射光瞳附近，或是 設置在一個與出射光瞳共軛的光瞳附近。各個單一的濾光 元件最好是從外面伸入光程。本實施方式中的每一個濾光 φ 元件（1〇3)都是棒狀，也就是說每一個濾光元件（103)在垂 直於一個徑向方向的方位方向上的尺寸均明顯小於其在徑 向方向上的尺寸。 第2圖顯示的光瞳濾光器（1〇〇)有緣出其徑向方向r及 方位方向Φ。 如果能夠按照修正非對稱性的需要逐一將本發明的這 種貫施方式的濾、光元件（103)從滤光裝置（1〇〇)的外圓周 (104)出發向光程的光學軸(HA)的方向推入，則在本發明的 這種實施方式中，濾光元件（103)的推入方向會尋徑向方向 1303325 R重合。此外，一種有利的方式是使濾、光元件（103)的尺寸 d在方位方向φ上的明顯小於兩個相鄰的單一濾光元件 (103.1，103· 2)之間的距離D，此處所謂的兩個濾光元件 (103· 1，103. 2)之間的距離D是指從濾光裝置（1〇〇)的外圓 周（104)區域看過去的距離。一種特別有利的情況是橫向寬 度d僅相當於兩個濾光元件之間的距離d的1一5%,也就是 說，如果第一個濾光元件（1〇3· 1)與第二個濾光元件（1〇3· 2) 之間的距離D等於1〇〇 mm，則濾光元件（103·丨，1〇3· 2)的 覓度d就都只有1 mm至5麵。如果選擇以上的尺寸，就可 以經由個別調整濾光裝置的濾光元件（103.1，103· 2)達到 所希望的局部照明強度調整，以修正光瞳照明的非對稱 性，而且不會對光瞳尺寸造成任何影響。 如第2圖所示的本發明的實施方式可以對每一個濾光 元件(103)進行侧調整，也就是說每―個濾光元件⑽） 從徑向R方向伸人濾絲置的深度都可以個別調整，以達 到修正及/或調整光瞳照明的目的。為了能夠個卿整每一 個渡光元件從徑向方向R伸人濾韻深度，每一個遽 光元件⑽)都有配置—侧整元件(113)。_調整元件 U13)可以對每—儀光元件從徑向方向R伸人絲的深度 T進行個糊整。第4賴示—個具有—侧整元件(⑽ 的濾、光元件⑽），這個調整元件⑽)能_動濾光元件 103)作-個線性義，也就是雛_動航元件（⑽ f向方向R鷄。當然，本發_其他實施方式也可以 只有-部分的濾光元件具有能夠驅動據光元件朝徑向方向 17 1303325 移動的调整元件，而其他的濾光元件的位置則是固定不動 的。 如第2圖所示的濾光裝置（1〇〇)，虛線(132)代表個別 濾光元件（1G3)可以從徑肖方向朝遽光裝置（丨⑹及/或光 瞳滤光器（100)的中心點Μ移動的最大深度Tmx。 如第2圖所示，這本發明的這種實施方式中，最大深 度Tmax幾乎可以到達光程的光學軸M，而且當所有的濾光元 件（103)都被移動到最大深度Tmax時，這些濾光元件（1〇3)最 好疋彼此都不會接觸，也不會重疊。對每一個濾光元件（1〇3) 而言，最大可調整陰影都是由最大深度Tmax決定的。 第3圖顯示如第2圖之本發明的實施方式的濾光裝置 的一種可能的調整方式。在第2圖及第3圖中相同的元件 均以相同的元件符號來表示。如第3圖所示，每一個濾光 元件（103)穿過照明光束的斷面（106)伸入濾光裝置所在的 平面内的深度都可以是不一樣的。如第丨圖所示，從光源 發出的照明光束會穿過照明系統到達帶有圖案結構的掩膜 (例如光栅)所在的平面。如第3圖所示，照明光束具有一 個圓形斷面（106)，但實際上照明光束也可以具有其他形狀 的斷面。從第3圖可看出，圓形斷面（106)具有一個圓形的 外圓周（107)。 第3圖所示之照明光束的斷面（1〇6)帶有輪廓線 009)。輪廓線(1〇9)的密度是發生照明光束斷面内的光線 強；度變化的指標。整體而言，輪廓線愈密，光線照明強度 就降低得愈快。 !3〇3325 圓職明φ在技向方向R會形成—個抛物線的輪廉。 使棒錢光it件伸人_區_可以在圓弧方向形成 對照明區域更強的遮斷作用，_獲得—個旋轉對稱的照 明區域:第3 ®中綠的斷面⑽)的_性僅是用於說明 之用，實際上光程的斷面也可以是其他的形狀。第5圖顯 不本發明_絲置⑽)另外—财_實财式。這種 貫施方式並不是_如第2_4 _示_光裝置使滤光元 件從徑向方向伸人㈣照明絲的光_成陰影，而是經 由控制遽光元件錢明光束的絲⑽方向來產生陰影作 用。為達到這種效果m置⑽)的μ元件⑽3.1， 203.2 203. 3)係以非對稱結構的方式設置。所謂非對稱結 構是指渡光元件⑽·卜縱2，203. 3)伸人光程的部分在 垂直於徑向方向R㈣—個方向⑽υ上的尺寸不同於在 與第-個方向⑽2.1)垂直的第二個方向（2()2.2)上的尺 ^如第5圖中濾光元件⑽3. 3)所示，伸入光程的部分在 第-個方向（2G2.1)上的尺寸不同於在第二個方向（服2) 上的尺寸。如第5圖所示’可以將濾光耕設計成薄片狀， 而且最好是設計成銳角三角形的薄片。將第5圖中的滤光 讀(203.1 ’ 203.2，203. 3)分別繞從徑向方向㈣濾光裝 置(200)的中心點Μ延伸的旋轉軸(RA.丨，RA. 2，RA. 3)轉動 即可對渡光元件(2G3.1，2G3. 2，203. 3)進行個別調整。第 5圖中不同的濾光元件⑽.1，203. 2，203. 3)分別指向不 同的方向。如第5圖所示，第-個據光树(腿丨）的陰影 投射最小，也就是說投影照明光束是照射到濾光元件 1303325 (203· 1)的短邊。相較於第一個滤光元件(2〇3· υ，第二個 滤光το件(203· 2)繞旋轉軸⑽·2)被轉動了 45度，因此第 -個滤光元件（203· 2)在-個位於光瞳滤光器之後的平面 内的陰影娜大於第-倾光元件⑽3·⑽陰影投射。在 本次明書中’所§胃陰影投射是指投射在一個位於光瞳濾光 斋正後方的平面内陰影。第三個濾光元件（2〇3· 3)顯示完全 轉入(轉動90度）光程内的情況，也就是說，以濾光元件的 最大尺寸遮斷光線及形成最大可能的局部陰影。 第6圖係顯示如第5圖的濾光元件（203)的三度空間 圖。 如第5圖所示，三角形狀的濾光元件（203)的厚度為 D，且其長度L遠大於寬度Β。因此濾光元件(2〇3)在第一個 方向（也就是X方向）上的長度遠大於在第二個方向（也就是 y方向）上的長度。 如第6圖所示，濾光元件(203)可以被繞局部旋轉軸ra 轉動，以便在一個位於光瞳濾光器之後的平面内形成各種 不同的陰影投射。此外，第6圖還繪出光瞳濾光器的中心 點Μ及驅動濾光元件（203)繞旋轉軸RA轉動的電動馬達 (231) 〇 另外一種可行的方式是將濾光元件的不同造形組合在 一起’也就是說濾光元件不但能夠從徑向方向伸入光程 内’也可以在光程内轉動，這相當於將第2—4圖及第5-6 圖的貫施方式組合在一起。此外，除了如第6圖所示將濾 光元件製作成實心體外，也可以將濾光元件製作成完全透 20 1303325 明或，部分物的縣元件。 第6 的就是—個這樣的濾、光元件。第7圖中與 號大上離元的元件符航第6騎元件符 圖颍不的濾光70件中，第一個部分(305. 2) 是部分=。，㈣有棒子_的第二個部分⑽5.1)則 -種特別有利的方式是經蚊夠細緻的格柵來產生前
，提及的部分透明性，以避免其他的邊界(如第7圖的情況) IV低部分透明的效果。 第8a圖的照縣統具有—個本發明提出絲修正光瞳 照_非對稱性的光瞳滤光器（52)。象然第8a圖將照明系 、、先的光學組件綠製的比第1圖詳細很多，但第8a圖的繪出 的仍然只是經過大幅簡化後的照明系統的結構。 如第8a圖所示，照明系統(510)具有一個由受激准分 子雷射構成的光源(512)。光源(512)發出的光線是一種單 色、強烈、但是並非完全准直的紫外線光線，例如波長為 193 nm或157 nm的紫外線。光源(512)可以發射出極化的 光線。 光源(512)發出的光線在通過光線擴展裝置（514)後會 被擴展成四方形且平行的光束。光線擴展裝置（514)的構造 方式有多種可能性，例如由夕個可調整的反射鏡所構成。 接著被擴展的光線會穿過第一個光學光栅元件(516)，例如 如專利EP 0747772 A1提出的一種具有二度空間光栅結構 的散射光學元件，以便為系統加入光電導率。雷射光在散 21 ^ Ϊ303325
射光學單元内的每一處都會被彎曲一個事先設定的角度範 圍，例如〜3度及+ 3度之間。散射光學元件的角度反射特 眭疋由其彎曲的表面結構決定，因此會在變焦軸錐體物鏡 的—個光瞳面（550)内形成一個相應的照明強度分佈，例如 ^極分佈或四極分佈。因此為了調整發散分佈，可以經由 第一俩光學光柵元件（516)將光源(512)發出的光線變形， 例如變形為圓形發散分佈、環形發散分佈、或是四極形發 散分佈。如果光源(512)是一個極化的光源，例如一個極^匕 的雷射，則為了將雷射光線去極化，可以另外設置一個去 極化器，例如設置-種由第—片光楔板及可以抵銷由第一 片光4六板引入的角度的弟一片光楔板構成的去極化器，其 中第一片光楔板是由一種雙折射材料製成，而第二片光楔 板疋由一種雙折射材料或是非雙拆射材料所製成。 第-個光學光減件⑽)是設置在變餘錐體物鏡 (520)的-個物平面⑸8)内，其作用為改變照明角度分 佈，以便進-步將光瞳照明變形。變焦轴錐體物鏡(52〇又^ 有一組由兩個可以彼此相對移動的軸錐體透鏡(522,524f 轴錐體透鏡(522，524)具有兩個圓錐透鏡。只要調整 這兩個圓錐透鏡之_氣_可崎光能轉移到外部區 域。此時在光瞳_的照域會形成_個環繞光學轴且 中心部分沒有光線的開口或範圍。 卿在1=?咖峨姉體物鏡及_體透鏡 (522，524)之間有—個光瞳面⑽），光瞳面(咖) 面(530)及照日縣統(51〇)的祕光瞳(56())麵。用來修^ 22 .1303325 非對稱缺失的本發明的光曈濾光器（552)係設置在光瞳面 (550)内或附近。修正非對稱缺失用的光賴光器也可以設 置在照明裝置中的另外—個光瞳㈣或附近。在第⑹圖的 照明系統中，光瞳濾光器（552)與光瞳面（55〇)之間的間距 為Z。間距Z位於ΔΖ區域内，所謂ΔΖ區域是指以光瞳面 (550)及距離^Zmax為邊界的區域。距離aZmax是指個別滤光 π件的半陰影在光程的外圓周區域最多重疊一半的,距離。 此處可以依據第8b圖作更詳盡的說明。第8a圖及第 | 8b圖中相同的元件均以相同的元件符號來表示。從第肋圖 可以清楚的看出，從光源(未繪出）發出的照明光束(513)會 照射在第一個光學光柵元件(516)上。此外第8b圖也顯示 出物平面（518)及光瞳面（550)的位置。在第8b圖顯示的結 構中，濾光裝置係設置在光瞳面前面距離一個平 面（553)内，本句所稱的濾裝置是指本發明的光瞳濾光器 (552) ’也就是第3圖中顯示出斷面的光瞳濾光器（1〇〇)。 濾光裝置（552)與光瞳面（550)之間的距離Zmax是指濾光裝 _ f的如第3圖之濾、光元件(mi，103· 2)半陰影(580,1， 580.2)在光瞳面（550)最多重疊一半的距離。從第此圖亦 可看出光束（582.1，582· 2)的邊緣光線（582.1.1， 582.1.2，582.2.1，582· 2.2)。 在第8c圖的上視圖中顯示的位於平面（553)内的濾光 裝置（100)與第8a及8b圖中的濾光裝置(550)完全相同。 第8c圖及第3圖中相同的元件均以相同的元件符號來表 示。第8c圖亦有標出各單一個濾光元件（103.1，103.2)， 23 1303325 另外也有顯示照明區域(1〇6·2)的斷面。第8C圖也有顯示 在平面（553)内的環形照明區域（106·2)的邊界（1〇7 i， 107.2)。 · 如果平面（553)與光瞳面（550)的距離ΔΖ剛好等於 . “X，則以第8c圖的照明區域為基礎會形成如第8d圖顯示 • 的在光瞳面（550)内照明區域(1〇6· 3)的斷面。從第8d圖可 以清礎的看出半陰影的效應，也就是使帶有和濾光元件 (109·1，109· 2)相同數量之最小數量（198· 1，198· 2)及最 大數量（199· 1，199· 2)的照明區域(1〇6· 3)在光曈面内的照 明強度分佈變平坦的效應。第8d圖及第8c圖中相同的元 件均以相同的元件符號來表示。距離z祖是指濾光裝置的各 - 個濾光元件的半陰影在光瞳面最多重疊一半的距離。 在弟8a圖的投影曝光設備的光程上，有一個位於變焦 軸錐體物鏡(520)後面的第二個物鏡(528)，其作用是將第 一個光瞳面（550)成像在第二個光瞳面（530)内。第二個光 曈面（530)内設有第二個光學光柵(532)，光學光柵(532)可 修 以是一種微透鏡陣列或蜂窩透鏡所構成光學元件。第二個 光學光柵(532)能夠將從第二個物鏡(528)射出的光線的發 散性依光線的方向提高到一定的程度，例如以便在場平面 (536)内形成一個四方形的照明區域。濾光元件最好是設置 在這個形成場平面的光學光栅元件前面，以便使作用在場 點上的效應盡可能的均勻。 除了設置在光瞳面(550)將本發明的内或附近外，也可 以將本發明的時光裝置（552)設置在設置在第二個光瞳面 24 1303325 (530)内或附近，例如設置在物鏡(528)及第二個光曈面 (530)之間。 - 帛8a®中的光學光柵⑽)是在照明系統⑸〇)中最後 _個_改變斜電率的絲元件。因此在光學光拇元件 . (532)的後面就達到了照明系統⑽)所能達到的最大光導 t率。在第-個光學光栅元件(516)及第二個光學光拇元件 (532)之間達到的光導電率僅相當於在光學光柵元件⑽） 的後面所能達到的光導電率的1%至⑽。也就是說，穿過 • 帛二個物鏡⑽)的光線的准直度還可以被大幅提升。因此 可以將第二錄鏡(蝴的結構設計的很簡單，*且僅需很 低的成本即可製造出第二個物鏡(528)。 • 從光線傳播的方向看過去’第三個物鏡(534)係設置在 : 帛二個光學光栅(532)的後方，在第三個物鏡(534)的場平 面(536)内有-個帶有可調整刀具的掩膜裝置(538)。掩膜 裝置(538)的作用是確定投影光線被投射在光概(54〇)上的 區域的形狀。第四個物鏡⑽)的作用是將掩縣置切割形 ® 成的區域成像到掩膜面（540)内。 此夕卜還了以在第二個物鏡(534)及掩膜裝置(mg)之間 設置一根能夠使光線變均勻玻璃棒（圖式中未繪出）。 第8圖顯示的整個照明系統⑽）的出射光瞳的元件符 號⑽)表示。照明系統⑽）的光瞳面（530，550)均與出 射光曈⑽)共輕。照明系統⑽)的出射光瞳⑽)與投影 物鏡(57G)的人射光瞳重合，投影物鏡(57_作用是將光 栅(570)絲在物平面⑽2)内的—個光敏物體⑽)上。 25 1303325 光敏物體（564)可以是一種帶有一個光敏塗層的半導 體晶圓。 可以用專利DE 10151309的說明書提出的一種物鏡作 為照明系統的投影物鏡。這個專利說明書的内容全部包含 在本說明書中。 帛9a-9b ffl是以-種雙極形光曈照明區域為例，說明 在如第8a®所示賴明系統巾，此種照縣域出現在與光 瞳面（550)共輛的出小光瞳(560)内的情況。第如圖在出射 • 光瞳(56G)内的—個尚未被本發明的濾光元件修正的非對 稱光瞳照·域。第9b ®顯示紐推人絲_渡光元 件的位置，由於這個濾光元件係位於光瞳面前面，而且與 - 光瞳面的距離也符合本發明的要求，因此只會形成半陰 _ 衫。此外，第此圖也顯示了因此而產生的局部照明強度縮 小效應，這種效應會使光瞳照明_在出射光瞳⑽^具 有對稱性。此處應注意的是，這只是一個經過大幅簡化的 例子，原因是本發明的濾光裝置最好是如第2—7圖所示具 有10個以上（甚至是2(M固以上或更多）可以個別調整的淚 光元件。 ^ 一種特別有利的實施方式是不要將濾光裝置設置在光 目里面^’而是設置在光瞳面外，也就是設置在光瞳面附近 與光瞳面相距ΔΖ的距離。將滤光裝置設置在光瞳面的作法 只絲光瞳的形狀造成很小的影響，但是卻可以達到必要 的，度修正效果，以達到修正光瞳的非對稱性的目的。因 此最好是將本發明的渡光裝置設置在光瞳面附近。另外一 26 1303325 種可行的方式是不要將濾光裝置的所有濾光元件都設置在 同一個平面上，也就是說可以選出若干濾光元件使其在光 線行進方向上彼此相距一段距離。經由這種措施可以使被 選出的濾光元件具有一個事先設定的半陰影區域。在本發 明的另外一種有利的實施方式中，濾光元件可以在光程上 被逐一推動，以便使每一個濾光元件都能夠獲得最好的半 陰影配合性。 第10圖顯示本發明的一種在棒狀濾光元件（1003 1，
1003· 2 ’ 1003· 3，1003· 4，1003· 5，1〇〇3· 6，1〇〇3· 7，1003· 8) 上有設置感測器的實施方式。 在棒狀濾光元件（1003· 1，1003. 2，1003. 3，1003. 4， 1003· 5 ’ 1003· 6 ’ 1003· 7，1003· 8)的尾端（通4· 1，1004· 2， 1004· 3，1004· 4，1004· 5，1004· 6，1004· 7，1004· 8)分別 設有感廳。整支棒狀濾技件⑽33)上都設有感測器 0005. 3.1,1005. 3. 2 ^1005.3.3,1005.3.4^1005.3.5^ 1005. 3. 6，1〇〇5. 3. 7, 1005. 3. 8)。 感測器（謂5.1，娜·2，聰.3，聰.4，1G05.5， 1005· 6，觸· 7，· 8)可⑽著照日絲程量_光元件 的㈣強度⑽作絲可能。從制得_、光元件的照 明強度值即可得㈣光元件對侧性、遠心性、以及透射 率等照明特性。 此外，第10圖還顯示一台作為控制裝置（1010)用的個 人電腦。從第H)圖可以看出’控制裝置(醜)是經由電線 (1012.卜1G12.2)與感測器⑽5卜觸8)連接。 27 1303325 控制裝置（1010)可以讀入感測器（1005 l，1005 8)測 得的照明強度值，並與一個在場平面或光瞳面内應達到的 照明強度的額定值作一比較。然後再根據這個額定值計算 出為了在場平面及/或光瞳面内達到特定的照明強度，應將 濾光元件設置在那一個位置(額定位置）。接著未在第1〇u圖 中繪出的調整元件就可以根據前面的結果將棒狀遽光元件 調整到額定位置。 最好是以一種能量感測器（例如光電二極管）作為量測 照明強度值用的感測器（1005.1，1005. 2，1〇〇5. 3， 1005.5，1005.6，1005· 7，1005.8)。 第二種棒狀濾光元件（103· 3)在某種程度上可以說是 整個被逐點設置的能量感測器覆蓋住。感測器（1〇〇5. 3.1， 1005· 3. 2 ’ 1005. 3· 3 ’ 1005· 3· 4，1〇〇5· 3· 5，1〇〇5· 3· 6， 1005. 3· 7 ’ 1005· 3· 8)構成一個光電二極管列或CCD列。這 種構造方式的優點S可以细伸人照明光軸的渡光元件 量測在棒狀濾光元件上各個位置被吸收的照明強度。 由於能量感測器只是用來測定濾光元件的精確位置， 為了保親動不會m為長期受到相同㈣模式的照射而 受損’因此本發賴料—種實施方式_、光元件可以繞 其本身的h概轉，以便在完成制卫作魏夠經由渡 光元件的轉動將❹指旋轉⑽度雜光元件的陰影位 置，以防止感測器受損。 · 第ίο圖中棒狀濾裝置具有能量感測器的濾洗裝置可 以如前面所述-樣作為修正光瞳面賴額麟光裝置。 28 1303325 另外種可能性是利用本發明的光瞳濾光元件修正場平 内的照明。 以光電二極管作為感測器時，為了避免對光電二極管 的動態區發生過控制的情況，在本發明的—種實施方式 中’可以在光源(例如雷射光源)後方及照明鏡組之間另外 設置一個衰減器。
雖然前面是以若干實施方式來說明本發明的内容，但 是本，明的細絕非僅限於前面提及的實施方式，同時專 業人員依據本發明之憎專槪_魄提丨的改良作 亦屬於本發明的範圍。 〆
29 1303325 【圖式簡單說明】 第1圖：一種投影曝光設備的示意圖。 第2圖··本發明的光瞳濾光器的可徑向移動的濾光元件 的一種配置方式。 第3圖：如第2圖之光瞳濾光器，但是濾光元件被調整 到不同的位置。 第4圖：一個單一的濾光元件。 第5圖：一種具有朝徑向方向且可繞縱軸旋轉之渡光元 件的濾光裝置的構造。 第6圖：一種可旋轉的濾光元件的3度空間圖。 第7圖：一種帶有一個透明區域的可旋轉的濾光元件的 3度空間圖。 第8a圖：構成投影曝光設備的主要光學構件。 第8b圖：用於如第8a圖之投影曝光設備的陰影。 第8c圖：光瞳濾光器的斷面圖及在設置濾光裝置的平面 内的照明區域。 第8d圖：在光瞳面内的照明區域的斷面圖。 第9a及9b圖：在雙極照明的情況下，如第％圖之投影 照曝光設備之出射光瞳的修正過的照明區域及未經修正的 照明區域。 第10圖：本發明之濾光裝置的一種實施方式，這種濾光 裝置的棒誠光元件在S種程度上可說是被逐點設置的感 琪1J器整個覆蓋住。 、1303325 【主要元件符號說明】 B寬度 d濾、光元件（1〇3)的尺寸、橫向寬度 D兩個相鄰單一濾光元件（103.1，103. 2)間的距離、濾光 元件(203)的厚度 HA光學軸 L長度 Μ光瞳濾光器（100)的中心點 R徑向方向 RA繞局部旋轉軸 RA. 1、RA· 2、RA· 3旋轉轴Τ光程的深度 鲁 Τμαχ光瞳濾光器（100)的中心點Μ移動的最大深度 Φ方位方向 X方向第一個方向 y方向第二個方向 : z光瞳濾光器（552)與光瞳面（550)之間距 . Zmx濾光裝置（552)與光瞳面（550)之間的距離 距離ΔΖμμ個別濾光元件的半陰影在光程的外圓周區域最 多重疊一半的距離 1投影曝光設備 2光柵 3晶圓 4紫外線雷射 5照明光束 6照明鏡組 7光瞳濾光器 8投影鏡組 9成像光束 10物平面 11像平面 12、13光瞳面 14光學轴 15成像鏡組 16 CCD陣列 17訊號線 18控制裝置 19訊號線 31 1303325 20驅動裝置 21驅動連接 3〇偵测裝置 31雙箭頭 32入射開口 33、35訊號線 34控制裝置 40光學板 52非對稱性的光瞳濾光器 100光瞳濾光器 103濾、光元件 103· 1、103· 2單一濾光元件104外圓周 106圓形斷面
106.2在平面（553)内的環形照明區域 106.3在光瞳面（550)内的照明區域 107外圓周 107· 1、107.2在平面（553)内的環形照明區域（1〇6· 2)的邊 界 109輪廓線 109.1，109.2濾光元件 113調整元件 132虛線代表個別濾光元件（1〇3)從徑向方向朝濾光裝置 (100)及/或光瞳濾光器（1〇〇)的中心點!^移動的最大深 度 Tmax 198· 1、198. 2和濾光元件（1〇9·}，1〇9· 2)相同數量之最小 數量 199· 1，199· 2和濾光元件（1〇9·!，1〇9· 2)相同數量之最大 數量 200濾光裝置 202.1垂直於徑向方向r的第一個方向 32 1303325 202.2與第一個方向（202.1)垂直的第二個方向 203濾光元件 203.1、203. 2、203. 3 濾光元件 231電動馬達 305.2第一個部分是一個實心體 305.1第二個部分是部分透明的 307棒子 510照明系統 512受激准分子雷射構成的光源
513照明光束 514光線擴展裝置 516第一個光學光柵元件 518物平面 520變焦軸錐體物鏡 522、524轴錐體透鏡 528位於變焦轴錐體物鏡(520)後面的第二個物鏡 530第二個光瞳面 534第三個物鏡 538掩膜裝置 542第四個物鏡 532第二個光學光柵 536場平面 540光柵 550第一個光瞳面
552用來修正非對稱缺失的本發明光瞳濾光器 553在光瞳面前面距離ΔΖ=Ζ·的一個平面 560出射光瞳 562物平面 564光敏物體 570投影物鏡 580.1、 580. 2 濾光元件（103.1，103. 2)半陰影 582.1、 582. 2 光束 582· 1.1、582· 1· 2、582· 2· 1、582. 2· 2 光束(582· 1，582. 2) 的邊緣光線 33 1303325 1003.1、 1003· 2、1003· 3、1003· 4、1003· 5、1003· 6、1003· 7、 1003.8棒狀濾光元件 1004 1、1004. 2、1004· 3、1004· 4、1004· 5、1004· 6、1004. 7、 1004. 8 棒狀濾光元件（1〇〇3· 1，1003· 2，1003. 3，1003. 4， 1003· 5，1003· 6，1003· 7，1003· 8)的尾端 1005.1、 1005· 2、1005· 3、1005· 4、1005· 5、1005· 6、1005. 7、 1005.8感測器 1005· 3· 1、1005· 3· 2、1005. 3· 3、1005· 3· 4、1005. 3· 5、 • 1005. 3. 6、1005. 3. 7、1005. 3. 8 感測器 1010控制裝置 1012· 1、1012.2 電線
34

Claims (1)

1303325 ‘替換頁 申請專利範圍
h —種用於照明系統的濾光裝置，尤其是一種於修正照明 光瞳之照明的濾光裝置，這種濾光裝置具有一個光源(4)， 照明系統從光源(4)到物平面(10)被一照明光束(5)穿過，且 在這個過程中照明光束(5)會照射到濾光裝置(7)，這種濾光 裝置具有：
-至少一個可以設置在照明光束(5)的光程内的濾光元件 (103); 〜濾光元件(103)具有一個調整裝置(113)，這個調整裝置 (113)可以將濾光元件(1 〇3)調整到在照明光束(5)内的不同 的位置。
3·如申請專利範圍帛2項的濾光裝置，其特徵為：濾光裝 置(7)具有許多個濾光元件(1〇3)。 4· :神請專利範圍第3項的濾光裝置，其特徵為：調整裝 置(113)配屬於濾光元件(103)的至少一個部分。 、 5. 如申請專利範圍第3項的濾光裝置，其特徵為：遽光 置⑺具有外圓周(1〇1 2 3)，而且所具有的多個濾光元件= 沿著朝外圓周（104)的徑向方向設置。 一 35 1 ·如申請專利範圍第1項的濾光裝置，其特徵為：至少有 2 一個濾光元件(103)至少具有一個量測照明強度用的感測 3 器。 …
1303325 6. 如申請專利範圍第2項的濾光裝置，其特徵為：濾光元 件(103)的形狀為棒狀。 7. 如申請專利範圍第6項的濾光裝置，其特徵為：至少有 一個測定照明強度用的感測器設置在濾光元件的一個尾 端0 8. 如申請專利範圍第7項的濾光裝置，其特徵為：沿著棒 狀濾光元件設有許多個測定照明強度用的感測器。 9. 如申請專利範圍第2項的濾光裝置，其特徵為：以能量 感測器作為測定照明強度用的感測器。 10·如申請專利範圍第8項的濾光裝置，其特徵為：沿著棒 狀濾光元件設置的許多個感測器構成一個光電二極管列或 CCD 列。 11. 如申請專利範圍第2項的濾光裝置，其特徵為：濾光元 件(103)的長度及寬度並不相等。 12. 如申請專利範圍第2項的濾光裝置，其特徵為：濾光裝 置(7)具有一個圓形的外圓周(104)，且濾光元件均朝徑向方 向指向外圓周（104)的圓心。 36 1303325 1一一.、...〜..... ·**--· ...... ! 13.如申請專利範圍第2項的濾光裝置，其特徵為：滤光元 件至少有一部分區域是透明的。 14·如申請專利範圍第2項的濾光裝置，其特徵為：滤光元 件至少有一部分區域具有網狀結構。 I5·如申請專利範圍第2項的濾光裝置，其特徵為：濾光裝 置的滤光元件可以在控向方向上移動。 16.如申請專利範圍第2項的濾光裝置，其特徵為：滤光裝 f的濾光元件可以繞-個朝徑向方向的軸被轉動，及/或沿 著一個朝軸向方向的軸被推動。 ’其特徵為：使用 以上的濾光元件。 17·如申請專利範圍第2項的濾光裝置 10個以上的濾光元件，尤其是使用2〇個
队-種照明系統，具有-個帶有許多個 置，在這魏光元壯至少有—部分 ^盧'“ 、>, ^ 1刀舟有一個調％奘詈， 攻個調钱置能夠將其所屬的濾光元件 、、/ 統的照明光束的絲⑽不同位置 讀照明系 光瞳面喊光瞳刪近。 ⑺、、！置係設置在 19·如申請專利範圍第18項的照明系统，、 裝置係設Ϊ在距離照明系統的—個心、、破為：濾光 里面區域的位 37 1303325 vj
置，這個ΔΖ區域的第二身，另外一個邊 界則是最大麟ΔΖΜΑΧ，這崎大轉42丽是指在光程 的外圓周區域内，濾光元件的陰綱好會彼此觸及的距離。 20·如申請專利範圍第18項的照明系統，其特徵為··照明 糸統在從光源(4)到物平面(1〇)的光程上有一個光學光柵元
件(516)，其特徵為：在光程上濾光裝置(7)係設置在光學光 才冊元件(516)的後面。 21·如申請專利範圍第20項的照明系統，其特徵為：照明 系統具有一個變焦物鏡或變焦軸錐體物鏡(6)，且濾光裝置 (7)係設置在這個變焦物鏡或變焦軸錐體物鏡(6)内。
22·如申請專利範圍第2〇項的照明系統，其特徵為：光學 光柵(516)是第一個光學光栅元件，且照明系統具有第二個 光學光栅元件(532)，在光程上第二個光學光柵元件(532)係 位於弟一個光學光拇元件(516)之後。 23·如申請專利範圍第22項的照明系統，其特徵為：在光 程上濾光裝置(7)係設置在第二個光學光栅元件(532)的前 面0 24·如申請專利範圍第ls項的照明系統，其特徵為··濾光 裝置係ΐ請專利範圍第2項的濾光裝置。 38 1303325 .::.ϋ 25. ： 系統在從光源(4)到物平面⑽的光程上具有—個可變的衰 減器。 26. 如申請專利範圍第25項的照明系統，其特徵為：在光 程上可變衰減器係設置在照賴組的前面。 27. -種具有如中請專利範圍第18項之照明系統的微影系 28. -種製造微電子元件或微機械元件的方法，其特徵為： 使用如申請專利範圍第27項之微影系統。
29. -種用於照明系統的渡光裝置，尤其是一種於修正照明 光瞳之照明的濾錄置’這種濾、光裝置具有—個光源⑷， 照明糸統從光源⑷到物平面⑽被一照明光束⑶穿過，且 在這個過程中照明光束(5)會照射到遽光裳置⑺，這種 奘詈具右： " __至少"*一 (103)； 個可以設置在卿光束⑶的光軸㈣光元件 --遽光元件’具有-_整裝置(113)，這個調整 (113)可以職光το件’調整到在照明光束⑶ 的位置，以及 其中遽、光裝置的滤光7G件可以繞—個朝徑向方向的抽被 39 1303325 f/ 2/ Υέ 轉動，及/或沿著-個朝軸向方向的轴被推-動 30 二 ，.如申請專利顧第3〇項的濾絲置 為 裝置⑺具有外圓周(1〇4)，而 、、士為”慮先 均沿著朝外圓聊4)的徑向方向設置。、夕固你光疋件〇〇3) Lao^ 29 ^ ^ : 兀件(103)的形狀為棒狀。 34. Μ請專利範圍第33項的據光裝置，其特徵為：至少 ^測定照明強度用的感測器設置在滤光元件的-個尾 女而0 35’^^專她圍第34項峨織置，其特徵為：沿著 棒狀慮光元件财許多個敎酬_關感測器。 =^利_ 29項的就裝置，其特徵為：以能 Ϊ —作為測定照度用的感測器。 1303325 fi) > ί ί .如申請專利範圍第35項的濾光裝置，其特徵為：沿著 棒狀濾光元件設置的許多個感測器構成一個光電二極管列 或CCD列。 3一8·如申請專利範圍第Μ項的濾光裝置，其特徵為··濾光 元件至少有一部分區域是透明的。
39.如申請專利範圍帛Μ項的濾光裝置，其特徵為：滤光 70件至少有一部分區域具有網狀結構。 级-種用於照明系統的濾、光裝置，尤其是一種於修正照明 =瞳之照明的濾光裝置’這種濾光|置具有—個光源⑷， 照明系統從光源⑷到物平面(10)被一照明光束⑺穿過，且 在這個過針照明絲⑶會騎職部 ， 裝置具有： 個可以設置在照明光束⑶的光程内的濾光元件 (113)，這個調整裝置 照明光束(5)内的不同 -濾光元件(103)具有一個調整襄置 (113)可以將渡光元件(1〇3)調整到在 的位置； 強度用 置個測定照明 41
1303325 41.如申請專利範圍第40項的濾光裝置，其特徵為：濾光 裝置(7)具有許多個濾光元件(103)。 42.如申請專利範圍第41項的濾光裝置，其特徵為：調整 裝置(113)配屬於濾光元件(103)的至少一個部分。 43.如申請專利範圍第41項的濾光裝置，其特徵為：濾光 裝置(7)具有外圓周（104)，而且所具有的多個濾光元件(103) 均沿著朝外圓周（104)的徑向方向設置。 44·如申請專利範圍第40項的濾光裝置，其特徵為：沿著 棒狀濾光元件設有許多個測定照明強度用的感測器。 45. 如申請專利範圍第40項的濾光裝置，其特徵為：以能 量感測器作為測定照明強度用的感測器。 46. 如申請專利範圍第44項的濾光裝置，其特徵為：沿著 棒狀濾光元件設置的許多個感測器構成一個光電二極管列 或CCD列。 47. 如申請專利範圍第40項的濾光裝置，其特徵為：濾光 元件至少有一部分區域是透明的。 48. 如申請專利範圍第40項的濾光裝置，其特徵為：濾光 42 1303325 網狀結構 元件至少有一部分區域具有 :置如圍Γ項的濾光裝置，其特徵為。慮光 衣置的私70件可以在徑向方向上移動。 咐，_為_ 二:：::r 一一 具有—㈣有料個觀耕的濾光裝 這個上至少有—部分具有-侧整裝置， :-正衣置能狗將其所屬的濾光元件移動到穿過昭明系 、洗的照明光束的光程_不同位置 光瞳面内或光瞳_近； ^衣置係认置在 ^照日料、統在從絲_物平面_絲上有一個光 '栅讀⑽），且在光程上濾、光裝置⑺係設置在光學光 冊70件⑽)的後面’且照日騎統具有—個變焦物鏡或變焦 ^隹體物鏡⑹，且縣裝置⑺係設置在這個變焦物鏡或變 “、、轴錐體物鏡⑹内。 A如申請專利範圍第51項的照明系統，其特徵為：濟光 裝置係設置在距離照明系統的—個光瞳面Δζ區域的位 置’這個ΔΖ區域的第-個邊界是光曈面本身，另夕卜個邊 界則是最大雜ΔΖμαχ，職最大_ΔΖΜΑχ是指在光程 43
1303325 的外圓周區域内，濾光元件的陰影剛好會彼此觸及的距離。 53·如申請專利範圍第51項的照明系統，其特徵為··光學 光栅(516)是第一個光學光栅元件，且照明系統具有第二個 光學光栅元件(532)，在光程上第二個光學光栅元件(532)係 位於第一個光學光柵元件(516)之後。 54·如申請專利範圍第53項的照明系統，其特徵為：在光 程上濾光裝置(7)係設置在第二個光學以冊元件(532)的前 5/·如申4利範圍第51項的照明系統，其特徵為：照明 系統在從統(4)到物平面⑽的光程上具有—個可變的衰 減器0 义 5=.如申請專利範圍第55項的照明系統，其特徵為： 矛壬上可交衰減裔係設置在照明鏡組的前面。 -種具有如__第51項之照日縣統的微影系 使用如其特徵為 44 Ι3Ό3325 十一、圖式： p / ..y 1/11
45 1303325 2/11 13 4— 13
φ 3 1 圖 2第 46 1303325 3/11
47 Ι3Ό3325 4/11
48 ‘1303325 5/11
231
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Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4599936B2 (ja) * 2004-08-17 2010-12-15 株式会社ニコン 照明光学装置、照明光学装置の調整方法、露光装置、および露光方法
DE102006059024A1 (de) * 2006-12-14 2008-06-19 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie, Beleuchtungsoptik für eine derartige Projektionsbelichtungsanlage, Verfahren zum Betrieb einer derartigen Projektionsbelichtungsanlage, Verfahren zur Herstellung eines mikrostrukturierten Bauteils sowie durch das Verfahren hergestelltes mikrostrukturiertes Bauteil
US7990520B2 (en) 2006-12-18 2011-08-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Microlithography illumination systems, components and methods
WO2008092653A2 (en) * 2007-01-30 2008-08-07 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus
US7843549B2 (en) * 2007-05-23 2010-11-30 Asml Holding N.V. Light attenuating filter for correcting field dependent ellipticity and uniformity
US8908151B2 (en) 2008-02-14 2014-12-09 Nikon Corporation Illumination optical system, exposure apparatus, device manufacturing method, compensation filter, and exposure optical system
DE102008001511A1 (de) * 2008-04-30 2009-11-05 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungsoptik für die EUV-Mikrolithografie sowie Beleuchtungssystem und Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen Beleuchtungsoptik
NL1036905A1 (nl) * 2008-06-03 2009-12-04 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method.
WO2010049020A1 (de) 2008-10-31 2010-05-06 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungsoptik für die euv-mikrolithographie
WO2010073795A1 (ja) 2008-12-24 2010-07-01 株式会社 ニコン 照明光学系、露光装置及びデバイスの製造方法
DE102010042901B3 (de) * 2010-10-26 2012-04-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Polarisationsaktuator
JP6093753B2 (ja) 2011-03-23 2017-03-08 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー Ｅｕｖミラー機構、ｅｕｖミラー機構を備えた光学系、及びｅｕｖミラー機構を備えた光学系を操作する方法
DE102011077234A1 (de) 2011-06-08 2012-12-13 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV-Spiegelanordnung, optisches System mit EUV-Spiegelanordnung und Verfahren zum Betreiben eines optischen Systems mit EUV-Spiegelanordnung
DE102011005940A1 (de) 2011-03-23 2012-09-27 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV-Spiegelanordnung, optisches System mit EUV-Spiegelanordnung und Verfahren zum Betreiben eines optischen Systems mit EUV-Spiegelanordnung
CN102331688B (zh) * 2011-10-25 2013-06-26 中国科学院光电技术研究所 一种光瞳均匀性补偿装置
US8901496B2 (en) * 2012-06-20 2014-12-02 General Electric Company Overhead occupancy sensor
US9261793B2 (en) 2012-09-14 2016-02-16 Globalfoundries Inc. Image optimization using pupil filters in projecting printing systems with fixed or restricted illumination angular distribution
CN104216234B (zh) * 2013-06-05 2016-05-25 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 光刻系统光源对称性的检测方法
DE102013213545A1 (de) * 2013-07-10 2015-01-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die Projektionslithografie
US9721421B2 (en) 2015-05-05 2017-08-01 Mladen Blazevic Electronic gaming system with physical gaming chips and wager display
DE102015220144A1 (de) * 2015-10-16 2017-04-20 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System und Lithographieanlage
CN106556974B (zh) * 2015-09-30 2019-04-26 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 光刻照明系统以及光刻设备
WO2017144265A1 (en) 2016-02-25 2017-08-31 Asml Netherlands B.V. Beam homogenizer, illumination system and metrology system
CN105739250B (zh) * 2016-05-13 2017-10-27 上海华力微电子有限公司 一种光刻机之照明光瞳均一性补偿装置及其补偿方法
CN108983559A (zh) * 2018-08-08 2018-12-11 中国科学院上海光学精密机械研究所 光刻机光瞳校正器及其使用方法
DE102021120952B3 (de) 2021-08-11 2022-11-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Korrektur eines Telezentriefehlers einer Abbildungsvorrichtung und Maskeninspektionsmikroskop

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5928337A (ja) * 1982-08-09 1984-02-15 Hitachi Ltd プロジエクシヨンアライナ
US5131577A (en) * 1988-05-17 1992-07-21 Ford Motor Company Apparatus for making a powder metal connecting rod
JPH0812754B2 (ja) * 1990-08-20 1996-02-07 富士通株式会社 昇圧回路
US6769792B1 (en) * 1991-04-30 2004-08-03 Genlyte Thomas Group Llc High intensity lighting projectors
US5282121A (en) * 1991-04-30 1994-01-25 Vari-Lite, Inc. High intensity lighting projectors
JP3158691B2 (ja) * 1992-08-07 2001-04-23 株式会社ニコン 露光装置及び方法、並びに照明光学装置
US5461456A (en) 1992-11-24 1995-10-24 General Signal Corporation Spatial uniformity varier for microlithographic illuminator
KR960006377B1 (ko) * 1993-11-17 1996-05-15 삼성전자주식회사 반도체 메모리장치의 워드라인 로딩 보상 회로
DE19520563A1 (de) 1995-06-06 1996-12-12 Zeiss Carl Fa Beleuchtungseinrichtung für ein Projektions-Mikrolithographie-Gerät
EP0687956B2 (de) 1994-06-17 2005-11-23 Carl Zeiss SMT AG Beleuchtungseinrichtung
US5774222A (en) * 1994-10-07 1998-06-30 Hitachi, Ltd. Manufacturing method of semiconductor substrative and method and apparatus for inspecting defects of patterns on an object to be inspected
JPH08293461A (ja) 1995-04-21 1996-11-05 Nikon Corp 照明装置および該装置を備えた投影露光装置
DE69619972D1 (de) * 1996-06-18 2002-04-25 St Microelectronics Srl Nichtflüchtige Speicheranordnung mit niedriger Versorgungsspannung und Spannungserhöher
JPH10153866A (ja) 1996-11-22 1998-06-09 Nikon Corp 照明装置および該照明装置を備えた露光装置
JP3005203B2 (ja) 1997-03-24 2000-01-31 キヤノン株式会社 照明装置、露光装置及びデバイス製造方法
US6333777B1 (en) * 1997-07-18 2001-12-25 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and device manufacturing method
JPH11271619A (ja) * 1998-03-19 1999-10-08 Nikon Corp 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置
TWI226972B (en) * 2000-06-01 2005-01-21 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
DE10043315C1 (de) * 2000-09-02 2002-06-20 Zeiss Carl Projektionsbelichtungsanlage
DE10046218B4 (de) * 2000-09-19 2007-02-22 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsbelichtungsanlage
DE10065198A1 (de) * 2000-12-20 2002-07-11 Zeiss Carl Lichtintegrator für eine Beleuchtungseinrichtung
WO2003002187A2 (en) * 2001-06-26 2003-01-09 Photomed Technologies, Inc. Multiple wavelength illuminator
EP1291721B1 (en) 2001-09-07 2008-02-27 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR100551209B1 (ko) * 2001-09-07 2006-02-14 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피장치 및 디바이스 제조방법
DE10151309A1 (de) 2001-10-17 2003-05-08 Carl Zeiss Semiconductor Mfg S Projektionsbelichtungsanlage der Mikrolithographie für Lambda <200 nm
US6775069B2 (en) 2001-10-18 2004-08-10 Asml Holding N.V. Advanced illumination system for use in microlithography
DE10158921A1 (de) * 2001-11-30 2003-06-26 Zeiss Carl Smt Ag Verfahren zum Bestimmen von mindestens einer Kenngröße, die für die Beleuchtungswinkelverteilung einer der Beleuchtung eines Gegenstandes dienenden Lichtquelle einer Projektionsbelichtungsanlage charakteristisch ist
EP1349009B1 (en) * 2002-03-18 2009-02-04 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE60326063D1 (de) * 2002-03-18 2009-03-19 Asml Netherlands Bv Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung eines Artikels
EP1372040B1 (en) 2002-06-11 2008-03-05 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7023524B2 (en) * 2003-12-18 2006-04-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7283209B2 (en) * 2004-07-09 2007-10-16 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system for microlithography
US7403418B2 (en) * 2005-09-30 2008-07-22 Silicon Storage Technology, Inc. Word line voltage boosting circuit and a memory array incorporating same

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KR20070085995A (ko) 2007-08-27

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