TWI301036B

TWI301036B -

Info

Publication number: TWI301036B
Application number: TW094105433A
Authority: TW
Inventors: Tatsuaki Funamoto; Ryoichi Nozawa
Original assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2004-02-26
Filing date: 2005-02-23
Publication date: 2008-09-11
Also published as: TW200539745A; US20050285509A1; KR100691702B1; CN1662112A; JP3915810B2; CN100477323C; US7501754B2; JP2005276803A; KR20060042136A

Description

1301036 (1) 九、發明說明【發明所屬之技術領域】本發明乃有關有機電激發光裝置、該製造方法及電子機器者。【先前技術】近年以來，將自發光元件之有機EL (電激發光）元件做爲畫素使用之有機電激發光裝置之開發不斷地被進行。有機EL元件乃於陽極和陰極間，具備挾持發光層等之有機機能層之構成，最近，則進行有採用將溶解有機物材料之液體材料，經由噴墨法，進行基板上圖案配置之方法的有機EL裝置之開發。如此之有機EL裝置中，將分割每畫素之間隔壁材料，設於基板上，於以此間隔壁材料所包圍之範圍內，吐出上述液體材料時，可於基板上正確形成上述有機機能層。 . 例如專利文獻1中，提案有在於材質不同之2層構造之間隔壁構件之表面，施以疏液處理，經由與此等液體材料之親和性之差異，將液體材料均勻配置於電極上。又，專利文獻2中，提案有將欲塗佈液體材料之電極上之範圍，經由凸狀部，平面性地加以分割，使塗佈液體範圍變小，防止墨水之偏離。〔專利文獻1〕日本特許3 3 2 8 2 9 7號公報〔專利文獻2〕日本特開2 0 0 3 - 2 7 2 8 7 2號公報 (2) 1301036 〔發明欲解決之課題〕根據上述以往技術時，在於塗佈於電極上之液體材料之均化中，可得一定之效果。但是，記載於專利文獻1之技術中，經由設於電極之周圍之構件，爲進行與液體材料之親和性之控制【發明內容】〔發明欲解決之課題〕上述以往技術中，於塗佈於電極上之液體材料之均化中，可得一定效果。但是，如專利文獻1記載之技術中，經由設於電極之周圍之構件，進行與液體材料之親和性控制之故，對於電極之平面積，液體材料之塗佈量爲少之時，電極上之濕潤擴展性會有不充分的可能。專利文獻2 記載之技術中，經由凸狀部分割之範圍爲充分爲小之時，雖不會產生墨水濕潤擴展之問題，但伴隨會有畫素之開口率下降的問題，無法得充分之顯示亮度。本發明乃有鑑於上述以往技術之問題點而成者’具備經由液相法形成之有機機能層之有機電激發光裝置’具備維持開口率且呈均勻膜厚而形成之有機機能層，進而得均? 勻且高度發光之有機電激發光裝置、及提供該製造方 '法爲目的者。〔爲解決課題之手段〕本發明爲解決上述課題，提供於第1電極和第2電極 -5- (3) 1301036 間，將挾持有機機能層之有機電激發光元件，配設於基體上之有機電激發光裝置中，前述有機機能層爲配設於包圍沿前述第1電極之周緣部立設之間隔壁構件之範圍內的同時，從前述第1電極側層積包含電荷輸送層和發光層’於前述第1電極上，設置向前述電荷輸送層側突出之凸狀部，於前述凸狀部和前述發光層間，介入存在前述電荷輸送層之一部分爲特徵之有機電激發光裝置。經由液相法形成前述電荷輸送層之時，於第1電極上，配置有包含爲形成電荷輸送層之形成材料和溶媒的液體材料，經由乾燥固化形成電荷輸送層。在此，本發明中，於前述第1電極和有機機能層間，設有凸狀部之故，於乾燥固化前述液體材料之時，可經由前述凸狀部，使前述液狀材料在畫素電極上之流動被扼止，可防止呈偏移之狀態被加以固化。由此，電荷輸送層可呈具有均勻膜厚膜質地加以形成。因此，形成於電荷輸送層上之發光層亦被平坦化，可得具有均勻膜厚、膜質之有機機能層所成之均勻的發光。又，由於膜于爲均勻之故，可良好防止電極間之短路，得可靠性優異之有機EL (電激發光）裝置。更且，上述，上述電荷輸送層乃亦介入存在於前述凸狀部和發光層之間，因此經由設置凸狀部，對於發光層之電荷輸送不會停滯，發光層可於該整面發光。即，經由設置凸狀部，不會使開口率下降。更且，前述凸狀部乃可發揮提高從有機EL元件之光取出效率的效果。有機EL元件之發光層所產生之光線乃 -6 - (4) (4)1301036 等方向地放射之故，做爲顯示光取出之光線乃各有機機能層之層厚方向射出之光爲主，向有機機能層之面方向傳送之光成分則幾乎不賦予做爲顯示。在此，如本發明，經由設置從電極面突出之凸狀部，使傳達到前述面方向之光成分的傳達方向，可利用凸狀部反射或折射加以變化之故，可容易使該光成分做爲顯示光被加以取出。本發明之有機EL顯示裝置中，前述凸狀部乃平面視之略呈條紋狀，形成於前述第1電極上而構成。根據此構成時，使用液相法形成電荷輸送層時，，可將配置於包圍間隔壁構件之範圍內之液體材料，沿上述略條紋狀之凸狀部流動，於同範圍內，可滿足均勻之液體材料，形成均勻膜厚之電荷輸送層。本發明之有機EL顯示裝置中，平面視之略呈條紋狀之凸狀部則沿前述有機電激發光元件之長度方向延伸存在者爲佳。根據此構成時，可在易於產生液體材料之偏移之元件之長度方向，均勻配置液體材料之故，可易於得上述膜厚之均化效果。本發明之有機EL顯示裝置中，前述凸狀部乃由槪略點狀之突起所成，複數之前述凸狀部乃形成於前述第1電極上而構成。於如此構成之時，亦可經由前述凸狀部，使液體材料良好保持之故，可得第1電極上之液體材料之均勻配置。以及所形成之電荷輸送層之膜厚均化的效果。本發明之有機EL顯示裝置中，成爲前述凸狀部之突起，可呈高密度配置於前述第1電極上之範圍之周緣部之 -7- (5) (5)1301036 構成。即，前述突起在特定位置（電極周緣部），呈窄間隔加以配置而構成。根據此構成時，配置於第1電極上之液體材料之形狀，由於該表面張力而呈半球狀（或掘頂狀），可於第1電極上防止偏移。本發明之有機EL顯示裝置中，成爲前述凸狀部之突起，可呈高密度配置於前述第1電極上之範圍之角部之構成。根據此構成時，於前述角部亦可良好保持液體材料，可令電荷輸送層，於電極上之整面呈均勻之膜厚加以形成。本發明之有機EL顯示裝置中，成爲前述凸狀部之突起，可呈高密度配置於前述第1電極上之範圍之中央部之構成。此構成乃特別對於前述第1電極上之範圍向一方向呈細長之平面形狀之時爲有效的。即，於細長形狀之第1 電極上，於該長度方向端部，液體材料會容易偏移，但於第1電極上之中央部，使凸狀部高密度配置，可於第1電極上之範圍之中央部，保持液體材料，達成所形成電荷輸送層之膜厚均勻化。本發明之有機EL顯示裝置中，前述凸狀部於該側壁具有斜面部加以形成爲佳。經由呈如此構成，可緩和電荷輸送層內之膜厚變化。可防止電荷輸送效率之下降之故’ 可得均勻之發光。又，設置如此斜面部，於該斜面部’入射發光層所產生之光線中之有榣機能層之面方向之光成分時，可易於將該光成分向層厚方向取出之故，對於有機 EL元件之光取出效率的提升亦有大的助益。 (6) 1301036 本發明之有機EL顯示裝置中，前述凸狀部與前述隔壁構件之至少一部分爲同一材質爲佳。根據此構成時令前述凸狀部設置前述間隔壁構件時，同時加以形成故’可不增加工程數，可得上述發光特性之提升效果。本發明之有機EL顯示裝置中，前述間隔壁構件於機絕緣材料所成第1間隔壁層上，具備層積有機絕緣材所成第2間隔壁層之構成，前述凸狀部與前述第1間隔層爲同一材質爲佳。根據此構成時，於形成前述第1間壁層時，可同時形成凸狀部，除了可有效率地製造，前凸狀部經由無機絕緣材料所形成，較有機絕緣材料所成 2間隔壁層而言，可易於使對於液體材料之親和性變高由此’可使第1電極上之液體材料之溼潤擴展變得佳，可提局電荷輸送層之均勻性。本發明之有機EL顯示裝置中，前述凸狀部乃成爲述第1電極之一部分而構成。即，前述凸狀部乃可加工 1電極之表面而成形。本發明之有機EL顯示裝置中，前述電荷輸送層爲或複數之導電層，前述凸狀部則使前述各導電層跨過層方向地加以配置而構成。即，電荷輸送層可爲複數層之積構造，於此時，至少最上層（最靠發光層側）之導電之一部分則介入存在於與發光層之間即可。接著，本發明之有機EL顯示裝置之製造方法中，順序層積第1電極、和包含電荷輸送層及發光層之有機能層、和第2電極而成之有機電激發光元件，配設於基間，之無料壁隔述第〇更刖第 1 厚層層將機體 -9- (7) 1301036 上之有機電激發光裝置之製造方法，其特徵乃包含於基體上形成第1電極之工程，和沿前述第1電極之周緣部，立設間隔壁材料之工程，和在包圍於前述間隔壁構件之範圍內，配置含電荷輸送材料之液體材料之工程，和乾燥前述液體材料，被覆前述凸狀部，形成電荷輸送層之工程。根據此製造方法時，於第1電極上形成凸狀部，於配置此凸狀部之電極上，塗佈液體材料之故，於乾燥前述液體材料之時，經由前述凸狀部，可防止液體材料偏離化，因此可形成均勻膜厚之電荷輸送層。由此，其上之發光層亦平坦化之故，可製造具備良好之發光特性之有機EL裝置。又，被覆前述凸狀部，形成電荷輸送層之故，可無損對發光層之電荷輸送性，因此可製造高開口率之有機EL 裝置。本發明之有機EL顯示裝置之製造方法中，使前述形成凸狀部之工程，和前述立設間隔壁構件之工程，於同工程中加以進行。更且，本發明之有機EL顯示裝置之製造方法中，前述立設間隔壁構件之工程，包含於前述基體上形成無機絕緣材料所成第1間隔壁層的工程，和於該第1間隔壁層上’層積形成有機絕緣材料所成第2間隔壁層；於前述形成第1間隔壁之工程中，使前述凸狀部經由前述無機絕緣材料加以形成者。根據此製造方法時，於形成前述間隔壁構件之工程 -10- (8) 1301036 中，可同時形成前述凸狀部之故，無需另外形成凸工程，可有效率地加以進行。又，可容易由以往之移。本發明之有機EL顯示裝置之製造方法中，在述液體杉料之工程前，使對於前述凸狀部表面之前材料的親和性，較對於前述第1電極表面之前述液的親和性爲高者爲佳。根據此製造方法時，於包含狀部之第1電極上，於塗佈液體材料時，可經由前部，使液狀材料濕潤擴展，可實現所形成之電荷輸均勻化。本發明之有機EL顯示裝置之製造方法中，前凸狀部之工程乃部分除去前述第1電極之表面的可。即，第1電極可具有前述凸狀部地加以形成時，可經由前述凸狀部，達成電荷輸送層之膜厚的得具有良好發光特性之有機EL裝置。接著’本發明電子機器’其特徵乃具備先前記機電激發光裝置。根據此構成時，可經由前述本發機EL裝置，提供可進行高亮度、高對比之高畫質顯示部的電子機器。【實施方式】〔實施發明之最佳形態〕 (有機EL裝置）以下，對於本發明之實施形愈，參照圖面加以狀部之工程轉配設前述液體體材料前述凸述凸狀送層之述形成工程亦。於此均化，載之有明之有顯示的說明。 -11 - (9) (9)1301036 於以下之實施形態中，例示將有機EL元件，做爲畫素配列於基體上所成有機E L裝置（有機電激發光裝置）加以說明。此有機電激發光裝置乃例如可做爲電子機器等之顯示手段而加以適用。〈第1之實施形態〉圖1乃本發明之第1之實施形態之有機EL裝置之電路構成圖、圖2乃具備同有機El裝置之各畫素71之平面構造圖、（a )乃畫素71中，主要顯示TFT等之畫素驅動部分圖、（b )乃顯示分割畫素間之間隔壁（間隔壁構件）等圖。又，圖3 ( a)乃顯示沿圖2 ( a)之A-A線之剖面構成圖，（b )乃顯示（a )之範圍B的擴大圖。如圖1所示，有機EL裝置70乃於透明之基板上，各配線複數之掃瞄線（配線、電力導通部）1 3 1、向對於此等掃瞄線1 3 1交叉之方向延伸之複數之信號線（配線、電力導通部）1 3 2、和並列於此等信號線1 3 2延伸之複數之共通供電線（配線、電力導通部）1 3 3，於掃猫線1 3 1及信號線1 3 2之各交點，設置畫素（畫素範圍）71加以構成。對於信號線1 32而言，設置具備偏移暫存器、位準偏移器、視訊線及類比開關等之資料側驅動電路72。另一方面，對於掃瞄線1 3 1而言，設置具備偏移暫存器及位準徧移器等之掃瞄側驅動電路73。又，於各畫素範圍71中，設置藉由掃瞄線1 3 1，掃瞄信號供給至閘極電極之開關用 -12 - (10) (10)1301036 TFT (薄膜電晶體）142、和藉由此開關用TFT (薄膜電晶體）142，保持從信號線132供給之畫像信號（電力）的保持容量cap、和經由保持容量cap所保持之畫像信號，供給至閘極電極的驅動用 TFT 143，和藉由此驅動用 TFT 1 43，電性連接於共通供電線133時，從共通供電線 1 3 3流入驅動電流之畫素電極1 4 1，和挾於此畫素電極1 4 1 和共通電極154間之發光部140。然後，經由前述畫素電極1 4 1和共通電極1 5 4、和發光部1 4 0所構成之元件，乃關於本發明之有機EL元件。根據此構成，掃瞄線1 3 1被驅動，開關用TFT 1 42則呈開啓時，此時之信號線1 3 2之電位則保持於保持容量 cap，對應於該保持容量cap之狀態，決定第3之層間絕緣膜413之開啓·關閉狀態。然後，藉由驅動用TFT 143 之通道，從共通供電線1 3 3向畫素電極1 4 1流入電流，更且，透過發光部140，向共通電極154流入電流，發光部 1 40乃對應流於此之電流量而發光。接著，參照如圖2 ( a )所示畫素7 1之平面構造時，畫素7 1乃平面視之略矩形狀之畫素電極1 4 1之四邊，經由信號線1 3 2、1 3 3、1 3 1及未圖示之其他之畫素電極用之掃瞄線所包圍而配置。又，參照圖3 ( a )所示畫素71之剖面構造時，於基板（基體）P上，設置驅動用TFT M3 ’ 於藉由被覆驅動用TFT 143所形成之複數之絕緣膜之基板 P上，形成有機EL元件200。有機EL元件200乃將設置在包圍於站立設置於基板P上之間隔壁（間隔壁構件） -13- (11) (11)1301036 1 50之範圍內之有機機能層140做爲主體而構成，具備將此有機機能層，挾持於畫素電極1 4 1和共通電極1 5 4間的構成。在此，參照如圖2 ( b )所示平面構造時，閭隔壁1 5 0 乃具有對應於畫素電極1 4 1之形成範圍之平面視之略矩形狀之開口部1 5 1，於此開口部1 5 1，形成先前之有機機能層140。又，如2 ( b)及圖3 ( a)所示，於畫素電極141 之表面，設置平面視之條紋狀之複數（4條）之凸狀部 1 4 9 a ° 如圖3 ( a)所示，驅動用TFT 143乃以形成於半導體膜 210之源極範圍143a、汲極範圍 143b、及通道範圍 143c，和藉由形成於半導體層表面之閘極絕緣膜220，對向於通道範圍143c之閘極電極143A爲主體而構成。形成被覆半導體膜210及被膜220之第1層間絕緣膜230，貫通此第1層間絕緣膜23 0，於到達半導體膜210之連接孔 232、234內，各別埋設汲極電極23 6、源極電極23 8。各電極乃導電連接於汲極範圍143b、源極範圍143a。於第1 層間絕緣膜23 0中，形成第2平坦化絕緣膜240，在貫設於此第2平坦化絕緣膜240之連接孔，埋設畫素電極141 之一部分。然後，導電連接畫素電極1 4 1和汲極電極 236，因而導電連接驅動用TFT1 43和畫素電極141 (有機 EL元件200 )。於畫素電極141之周緣部，一部分堆上地，形成無機絕緣材料所成無機間隔壁（第1間隔壁層） 149，與此無機間隔壁149同層，同一材質之前述凸狀部 -14- (12) 1301036 14 9a乃向有機機能層140側突出而形成。於無機間隔壁 149上，層積有機材料所成間隔壁（第2間隔壁層）150，成爲此有機EL裝置之間隔壁構件。上述有機EL元件200乃於畫素電極141上，層積正孔注入層（電荷輸送層）140A和發光層140B，經由形成被覆此發光層140B和間隔壁150之共通電極154而構成。正孔注入層140 A乃被覆設於畫素電極141上之凸狀部149a...加以形成，該周端部乃設於間隔壁150之下層側之無機間隔壁149中，亦被覆從間隔壁150向畫素電極 1 4 1中央側突出配置之部分而形成。做爲基板P，所謂頂發射型之有機EL裝置時，從配設有機EL元件200側取出光線之構成之故，除了玻璃等之透明基板之外，可使用不透明基板。做爲不透明基板，例如可列舉氧化鋁等之陶瓷、於不鏽鋼等之金屬薄片施以表面氧化等之絕緣處理者、或熱固性樹脂或熱塑性樹脂、更且爲該薄膜（塑膠薄膜）等。畫素電極1 4 1乃在藉由基板P取出光線之底發射型之時，雖經由ITO (銦錫氧化物）等之透光性導電材料加以形成，於頂發射型之時無需爲透光性者，可經由金屬材料等之適切導電材料加以形成。共通電極154乃於發光層140B和間隔壁150上面，更且被覆形成間隔壁1 5 0之側面部之壁面之狀態下，形成於基板P上。做爲形成此共通電極1 5 4之材料，頂發射型之時，使用透明導電材料。做爲透明導電材料，ITO爲適 -15- (13) 1301036 合，但其他之透光性導電性材料亦無妨。於共通電極1 5 4之上層側，可形成陰極保護層。經由相關之陰極保護層之設置，於製造步驟時，可得防止共通電極1 5 4腐蝕之效果，可經由無機化合物，例如矽氧化物、矽氮化物、矽氮氧化物等之矽化合物所形成。令共通電極1 5 4經由以無機化合物所成陰極保護層被覆，可良好防止無機氧化物所成共通電極1 5 4之氧等的入侵。然而，如此陰極保護層乃至共通電極1 5 4之平面範圍之外側基板上，形成有l〇nm至300nm程度的厚度。具備上述構成之本實施形態之有機EL裝置中，令畫素電極1 4 1之表面範圍，平面性加以分割地，設置了凸狀部 149a...，被覆此等，形成正孔注入層140A。因此，如圖3(a)所示，從陽極之畫素電極141注入之正孔乃於無凸狀部149a之部分中，如路徑rl所示，使正孔注入層 140A向層厚方向直線前進，到達至發光層140B，設置凸狀部1 49a之部分，則如路徑r2所示，從其他之範圍注入之正孔，繞入凸狀部149a地，到達發光層140Β。即’畫素電極1 4 1之一部分經由無機絕緣材料所成之凸狀部1 4 9 a 加以被覆時，可確保發光層140B和正孔注入層140A之界面之電荷輸送性，於含凸狀部149ag形成範圍的發光層 140B之整面，可得均勻之發光。又，於圖3 ( b )擴大顯示，凸狀部149a乃於側壁’ 形成呈具有斜面部1 4 9 s之剖面視之略呈梯形形狀。如此，凸狀部149a具有斜面部149s之故，正孔注入層 -16- (14) 1301036 1 40A內部之膜厚差則被緩和之故，可賦予有機EL 200之安定動作。又，移動在正孔注入層140A內部孔乃易於繞入凸狀部149a之故，可賦予發光效率升。又，凸狀部149a之突出高度h乃50nm以下爲隹 10nm〜50nm範圖爲佳。使突出高度變低時，畫素電極上之階差會變小之故，可容易達正孔注入層1 40A之之均5化的同時，在動作上，畫素電極所供給之正孔於繞入。突出高度h爲10nm〜50nm範圍時，發光效升的效果爲高，又可形成安定均勻之膜厚的正孔注 140A。另一方面，超過50nm之突出高度時，正孔注 140A內之膜厚差會變大，於有機EL元件之平面範圍有產生發光不均之疑慮。又，詳細之部分於後段之製造方法之說明中會說上述凸狀部149a··.乃將正孔注入層140A以液相法形時，發揮均化該膜厚及膜質之作用，由此，正孔注 140A被平坦化的同時，其上之發光層140B亦平坦化此，難以產生電極間之短路或，膜厚或膜質不均所造發光亮度之不均，可得高品質之顯示光。又’凸狀部具備圖3 ( b)所示斜面部149s時’使用液相法’形孔注入層140A之時’難以產生有機機能層140之成良，可容易形成均勻之膜厚及膜質之正孔注入層。因此，根據本實施形態之有機E L裝置時’經由明亮且高效率發光之有機EL元件200 ’可得高亮度元件之正的提，以 141 膜厚則易率提入層入層，會明，成之入層。因成之 149a 成正膜不具備、局 -17- (15) (15)1301036 對比之高畫質顯示。更且，上述凸狀部149a乃發揮提高有機EL元件200 之光取出效率的作用。圖1 2乃爲說明凸狀部1 49a之相關作用之有機EL元件200之部分剖面構成圖。於構成有機 EL元件200之畫素電極141和共通電極154之間，施加從電源E之電壓時，經由發光層140B之電子和正孔之再結合而產生發光，但此光乃從發光位置呈等方性地散亂。爲此，元件厚度方向（圖示上下方向）之成分乃可容易做爲顯示光加以取出，元件面方向（圖示左右方向）之成分例如底發射型之有機EL裝置之情形時，於ITO等所成畫素電極1 4 1，和氧化矽或透光性樹脂所成平坦化絕緣膜 240之界面被全反射，封閉於有機EL元件200內（光路 L3 )。相對於此，如本實施形態，於畫素電極1 4 1上設置凸狀部 149a…時，傳送至元件面方向，入射至凸狀部 1 49a…之光成分乃組由正孔注入層140A和凸狀部149a之折射率差，向畫素電極141側折射，可向基板P側取出 (光路LI、L2 )。由此，可提高有機EL元件200之光取出效率，得明亮的顯示。然，而。正孔注入層14〇Α爲聚二氧乙基噻吩和聚對苯乙烯磺酸之混合物（PEDOT/PSS )所成時，該折射率爲1 . 8的程度，畫素電極1 4 1爲IΤ Ο所成之時之折射率爲2· 1〜2,2程度。又，凸狀部149a乃氧化矽 (Si02 )時，該折射率乃1.4程度。提升上述光取出效率之效果乃非經由凸狀部1 49a之剖面形狀所造成，但只要具備凸狀部1 4 9 a示於圖3 ( b ) -18 - (16) (16)1301036 之斜面部149s者，如圖12所示，經由斜面部149s之外面的折射（光路L1 )或內面之反射（光路L2 )，可變化基板P之法線側的傳送方向之故，可更提高光取出效率而成爲適切之構造。圖3所示凸狀部149a之斜面部149s之傾斜角度es乃30°〜60°之範圍爲佳。傾斜角度es不足30° 時，提升光取出效率之效果無法充分獲得。而超過60°之角度時，易於招致畫素電極1 4 1和共通電極1 5 4間之短路，或正孔注入層之膜厚或膜質之不均勻所造成之發光亮度之不均。然而，上述中，有機EL裝置雖對於底發射型之時加以說明，提高該光取出效率的效果乃爲頂發射型之有機 EL裝置亦可獲得。底發射型中，畫素電極141經由具有鋁或銀等之光反射性之導電膜加以形成，於該表面雖形成凸狀部149a…，於如此構成中，向有機EL元件之面方向傳送之光線入射至凸狀部1 49a時，可變化該傳送方向之故，可易於做爲顯示光加以取出。又，本實施形態中，對於凸狀部1 4 9 a…與無機間隔壁 M9幾近同一高度之情形做了說明，但此凸狀部149a..之高度不限於此，可適切地加以變更。即，於發光層丨40B 和凸狀部149a…間，介入存在正孔注入層140A之一部分爲條件之故，在正孔注入層1 4 0 A之層厚爲薄之時，可對應於此較低地加以形成。例如，雖可經由氧化矽等形成，亦可使凸狀部149a…，和無機間隔壁149以不同材料加以形成，例如可經由氧化鈦等之金屬氧化物加以形成。或， -19- (17) (17)1301036 凸狀部149a…乃由具有導電性之材料所成亦可。例如，將畫素電極1 4 1之表面，形成呈凸狀之形態亦可適用。 <第2之實施形態> 上述實施形態中，圖示正孔注入層140A爲單層構造之時做爲說明，但有機機能層1 40爲2層以上之複層構造亦可適用本發明。圖1 〇乃顯示形成2層構造之正孔注入層140A時之有機EL裝置之部分剖面構造圖，同圖乃相當於圖3 ( a )之剖面構成圖。如圖1 〇所示，正孔注入層1 40A爲層積第1之正孔注入層140A1和第2之正孔注入層140A2之構造時，設於畫素電極141上之凸狀部149a···乃於未貫通最上層（最靠發光層140B之層）之第2之正孔注入層140A2的高度以上之範圍，可形成任意之高度。例如圖1 〇中，凸狀部 14 9a··.乃貫通第1之正孔注入層140A1，令該頂部配置於第2之正孔注入層140 A2之狀態下加以配置，但亦可凸狀部149a僅配置於第1之正孔注入層140A1內之形態。不論何者情形，可無損發光層140B之電荷輸送性，實現第 1之正孔注入層140A1、140A2之平坦化及均化，可得均勻之發光，形成高亮度之有機EL元件。 C第3之實施形態> 接著，參照圖1 3，對於關於本發明之有機EL裝置之第3之實施形態加以說明。圖1 3 ( a )〜（d )乃顯示關於 -20- (18) (18)1301036 第3之實施形態之有機EL裝置之畫素71的平面構成圖’ 相當於圖2 ( b )之圖。先前之第1實施形態中，設於畫素電極1 4 1上之凸狀部1 4 9 a雖爲平面視之呈條紋狀，於本實施形態之有機EL 裝置中，如圖13所示，於畫素電極141上形成複數之槪略點狀之突起（凸狀部）149c。然而，本實施形態之有機 EL裝置與第1實施形態之有機EL裝置70之不同點乃僅爲上述凸狀部之構成，其他之構成爲共通的。突起149c之形狀乃未特別加以限定，可適用圓柱狀、多角柱狀、圓錐狀、多角錐狀、圓錐梯形狀、多角錐梯形狀等之種種形狀。又，由平面視之乃至側面視之，爲非對稱形狀亦可。圖 13 ( a )乃顯示突起149c等間隔配列於電極面 1 4 1 a (臨接於包圍在間隔壁1 5 0之範圍的畫素電極1 4 1表面）之構成例。圖13 ( b)乃顯示將突起149c高密度（窄間隔）配置於電極面1 4 1 a之周緣部之構成例。圖1 3 ( c ) 乃顯示將突起149c高密度配置於電極面141a之周緣部及角部之構成例。圖13 ( d )乃顯示將突起149c高密度配置於平面視之略呈短形狀之電極面1 4 1 a之周緣部及角部，更且於電極面1 4 1 a之中蚊部亦高密度配置之構成例。於圖1 3 ( a )〜（d )所不之任一之構成側中，可得與先前之實施形態之凸狀部1 49a同樣之效果，獲得均勻且高效率發光所成可明亮顯示之有機EL裝置。尤其，根據圖1 3 ( b )〜（d )之構成時，使用液相法，於形成正孔注 - 21 - (19) 1301036 -入層1 40A之時，可使膜厚易爲呈薄之範圍之液體材料的保持變得良好之故，可得形成具備均勻膜厚及膜質之正孔注入層140A之優點。又，根據圖13 ( d )時，畫素爲細長形狀，例如短邊和長邊之長度比率爲1 :2以上時，液體材料被牽引至電極面141a之周緣部，中央部之膜厚會變薄，經由於中央部配置高密度之突起1 49c可以加以防止。 p 然而，突起149c之平面尺寸或突出高度乃對應畫素 (包圍在間隔壁1 5 0之平面範圍）之大小，變更適切之大小或高度即可，經由突起149c被覆畫素電極141之表面的範圍中，雖僅爲小許，會增加正孔注入層之阻抗之故，受其影響，亮度會易於下降。爲了一邊得提升有機機能層之膜厚之均勻性之效果或提升光取出效率之效果，兼抑制此亮度下降之影響，突起149c...之合計面積爲對於畫素電極141之面積邢言，爲10%以下之程度爲佳。然而，於形 φ 成圖2所示之平面視之條紋狀之凸狀部149a之時’可呈同樣之面積率亦佳。 (有機EL裝置之製造方法）以下，對於關於本發明之有機EL裝置之製造方法，參照圖面加以說明。本實施形態中，例示將具備圖1至圖 3所示之有機EL裝置，使用液滴吐出法（噴墨法）製造之方法加以說明。 -22- (20) 1301036 (液滴吐出裝置）首先，在說明製造方法之前，對於適用於有機EL 置之製造的液滴吐出裝置加以說明。圖4乃顯示使用於造本發明之有機EL裝置時之液滴吐出裝置的槪略斜圖。又，圖5及圖6乃顯示設於液滴吐出裝置之液滴吐頭圖。圖4中，液滴吐出裝置Π乃於基板P之表面（特面），可配置液滴（墨水滴）之成膜裝置，具備基台1: 設於基台12上，支持基板P之平台（平台裝置）ST、入存在於基台12和平台ST間，使平台ST可移動加以持的第1移動裝置1 4、和對於支持於平台S T之基板Ϊ 可將含有機機能層之形狀材料之液滴，定量地加以吐 (滴下）的液滴吐出頭2 0、和可移動支持液滴吐出頭之第2移動裝置1 6。液滴吐出頭2 0之液滴之吐出動作或包含第1移動裝置14及第2移動裝置16之移動動作液滴吐出裝置之動作乃經由控制裝置CONT加以制。第1移動裝置14乃設置於基台之上，沿γ軸方加以定位。第2移動裝置1 6乃經由立於基台1 2之後 12A之支柱16A、16A，支持於第2移動裝置16之上方第2移動裝置16之X軸方向乃與第丨移動裝置μ之軸方向正交之方向。在此’Y軸方向乃沿基台12之前 1 2 B和後部1 2 A之方向。相較於此，X軸方向乃沿基台之左右方向的方向’各爲水平者。又，Z軸方向乃垂直裝製視出定介支出 20 之控向部〇 Y 部 12 於 -23- (21) 1301036 ， X軸方向及Y軸方向的方向。第1移動裝置1 4乃例如經由線性馬達加以構成，備2條之導軌40，，和沿此等之導軌40、40可移動之動件42。此線性馬達形成之第1移動裝置1 4之滑動件乃沿導軌40向Υ軸方向移動而定位。滑動件42乃具備軸旋轉（θ ζ )用之馬達44。此馬達44乃例如直接驅馬達，馬達44之轉子乃固定於平台ST。由此，通電至 _ 達44，轉子和平台ST則沿θ ζ方向旋轉，可索引平 ST 。即，第1移動裝置14乃可向平台ST向Υ軸方向 θ ζ方向移動。平台S Τ乃保持基板Ρ，定位於特定位置者。又，台S Τ乃具有吸附保持裝置5 0，經由吸附保持裝置5 0 動作，透過設於平台S Τ之吸入孔4 6 A，將基板Ρ吸附平台ST上加以保持。第2移動裝置1 6乃經由線性馬達所構成，具備固 φ 於支柱16A、16A之欄柱16B，和支持於此欄柱16B之軌6 2 A、和沿導軌6 2 A可向X軸方向移動支持之滑動 60。滑動件60乃沿導軌62A向X軸方向移動而定位，滴吐出頭2 0乃安裝於滑動件6 0。液滴吐出頭20乃具有做爲搖動定位裝置之馬達62 64、66、68。馬達62動作時，液滴吐出頭2〇乃可沿z 上下動作而定位。此Z軸乃對於X軸和γ軸而言，各正交之方向（上下方向）。馬達64動作時，液滴吐出 2 〇乃可沿Y軸旋轉之β方向搖動而定位。馬達6 6動具滑 42 Ζ 動馬台及平之於疋導件液軸爲頭作 -24- (22) 1301036 時，液滴吐出頭20乃可沿X軸旋轉之γ方向搖動而定位。馬達6 8動作時，液滴吐出頭2 0乃可沿Ζ軸旋轉之α 方向搖動而定位。即，第2移動裝置16乃可將液滴吐出頭2 0向X軸方向及Ζ軸方向移動地加以支持的同時，令該液滴吐出頭20可向ΘΧ方向、ΘΥ方向、ΘΖ方向移動支持。如此，圖4之液滴吐出頭2 0乃於滑動件6 0中，可向 Ζ軸方向直線移動而定位，可沿α、β、γ搖動而定位，液滴吐出頭20之吐出面20Ρ乃對於平台ST側之基板Ρ，可正確控制位置或姿勢。然而，於液滴吐出頭2 0之吐出面 20Ρ，設置吐出液滴之複數之噴嘴。圖5乃顯示液滴吐出頭20之分解斜視圖。液滴吐出頭2 0乃具備具有複數之噴嘴8 1之噴嘴板8 0，和具有連接孔85之壓力室基板90，和嵌入噴嘴板80和振動板85加以支持之框體88加以構成。液滴吐出頭20之主要部構造乃如圖6之斜視圖之一部分剖面圖所示，將壓力室基板90以噴嘴板80.和連接孔 8 5加以挾持的構造。噴嘴板8 0之噴嘴8 1乃對應於各壓力室基板90分割形成之壓力室（空腔）91。於壓力室基板 9 0中，經由蝕刻矽單結晶基板等，各做爲壓力室可工作地，複數設置空腔9 1。空腔9 1彼此之間，乃以側壁92加以分離。各空腔9 1乃藉由供給口’連繫於共通流路之保留部9 3。振動板8 5乃例如經由熱氧化膜等加以構成。於振動板8 5設置槽口 8 6 ’從圖4所示之液槽3 0 ’通 -25- (23) 1301036 過管路（流路）3 1，可供給任意之液滴加以構成。相當於振動板85上之空腔91之位置，配設壓電體元件87。壓電體元件8 7乃具備將PZT元件等之壓電性陶瓷之結晶，以上部電極及下部電極（未圖示）挾持之構造。壓電體元件 87乃對應於從控制裝置CONT供給之吐出信號，可產生體積變化地加以構成。從液滴吐出頭20吐出液滴時，首先，控制裝置C〇NT 將吐出液滴之吐出信號，供予液滴吐出頭2 0。液滴乃流入至液滴吐出頭20之空腔91，供給吐出信號之液滴吐出頭 2 0中，該壓電體元件8 7則經由施加於該上部電極和下部電極間之電壓，產生體積變化。此結果，從此空腔9 1之噴嘴孔2 1 1，吐出液滴。於吐出液滴之空腔91中，經由吐出減少之液體材料，則全新從後述液槽3 0供紿。備於關於本實施形態之液滴吐出裝置IJ之液摘吐出頭20雖爲在於壓電體元件，產生體積變化，吐出液滴之構成，經由發熱體，於液體材料加上熱，經由該膨漲，吐出液滴地加以構成亦可。

回到圖4，設於基板P上之液體材料乃經由液體材料調整裝置S加以生成。液體材料調整裝置S乃具備可收容液體材料之液槽3 0、和安裝於液槽3 0，調整收容於此液槽3 0之液體材料之溫度之溫度調整裝置3 2，和攪拌收容於此液槽30之液體材料之攪拌裝置33。溫度調整裝置32 乃經由加熱器加以構成，將液槽3 0內之液體材料，調整呈任意之溫度。溫度調整裝置32乃經由控制裝置c〇NT -26- 1301036 加以控制，液槽3 0

調整溫度，調整呈期望之粘度。液槽3 0乃藉由管路 20，從液滴吐出頭20 3 0，藉由管路3 1加以供給。 & ( 各）3 1，連接於液滴吐出頭口土 & &、液體材料之液滴乃從液槽糸口。又’流於管路3 1之液體材料乃經由未圖示之管路溫度調整裝置，控制於特定之溫度，調整粘度。更且’從液滴吐出頭20吐出之液滴之溫度乃 φ 經由設於液滴吐出頭2 0之未圖示之溫度調整裝置加以控制，調整呈期望之粘度。然而’於圖4，僅圖示液滴吐出頭2 〇及液體材料調整裝置S之各一個’於液滴吐出裝置u，設置複數之液滴吐出頭2 0及液體材料調整裝置s，從此等各複數之液滴吐出頭20，吐出異種或同種之液體材料之液滴。然後，對於基板P，此等複數之液滴吐出頭2 0中，從第1之液滴吐出頭，吐出第1之液體材料後，將此燒成或乾燥，接著， φ 從第2之液滴吐出頭，將第2之液體材料，對於基板P吐出之後，將此燒成或乾燥，以下，使用複數之液滴吐出頭’經由進行同樣之處理，於基板P上層積複數之材料層’形成多層圖案。 <有機EL裝置之製造方法> ，接著，使用上述液滴吐出裝置IJ，對於關於本發明之有機EL裝置（有機電激發光裝置）之製造方法加以說艮’以下所示之手續或液體材料之材料構成乃爲一例，但 - 2Ί · (25) 1301036 非限定於此。以下，對於備於上述有機EL裝置70之有機EL 之製造方法，參照圖7及圖8加以說明。然後，圖1 8中’爲簡化說明，僅對於單一之畫素7 1加以圖示。本發明之有機EL裝置中，可採用將有機EL元件線’從基板側取出之構成（底發射型）、及從基板和側取出之構成（頂發射型）之任一者，本實施形態中爲頂發射型之有機EL裝置加以說明。首先，如圖7 ( a )所示，於基板p上，形成驅 TFT143。於頂發射型中，基板乃可爲不透明，使用於之陶瓷、不鏽鋼等之金屬薄片，施以表面氧化等之絕理早、熱固性樹脂、熱塑性樹脂等，亦可爲以往使用晶裝置等之玻璃基板。上述驅動用TFT 1 43之製作手續乃例如如以下之所成。首先，對於基板P，對應於需要，將TEQS (四石夕院）或氧氣等，做爲原料，經由電漿C >/ D法，形厚度約200〜5 00nm之矽氧化膜所成基材保護膜（示）。之後，將基板溫度設定呈3 5 0 °C程度，於基板表面，經由電紫C V D法，形成厚度約3 〇〜7 0 n m之非矽膜，使用公知之微縮術技術，加以圖案化，形成半膜210。然後，將此半導體膜2 10，·供予雷射退火或成長法等所成之結晶化工程而加以結晶化，呈多結晶於雷射退火法中，例如爲準分子雷射，光束之長度尺元件、圖關於之光相反，做動用鋁等緣處於液工程乙氧成自未圖 P之晶質導體固相膜。寸可 -28- (26) (26)1301036 使用400mm之線光束，該輸出強度乃例如20GmJ/cm2。對於線光束而言，相當於該短尺寸方向之雷射強度之尖峰値之9 0%的部分，則重疊於各範圍地，掃瞄線光束。接著，對於半導體膜210及基板P之表面，將TEOS 或氧氣體等做爲原料，經由電漿CVD法，形成厚度約 60〜15 Onm之矽氧化膜或氮化膜所成閘極絕緣膜220。然而，半導體膜210乃成爲圖1所示之驅動用TFT14 3之通道範圍及源極·汲極範圍，於不同剖面位置，成爲開關用 TFT 142之通道範圍及極·汲極範圍之半導體膜亦形成。即，製作圖7 ( a)所示之驅動用TFT 143之工程中，同時製作2種類之電晶體142、143。接著，將鋁、鉅、鉬、鈦、鎢等之金屬膜、以至於此等之層積膜所成導電膜，經由濺鍍法形成之後，加以圖案化，形成閘極電極143A。接著，對於半導體膜210，植入高濃度之磷離子，對於閘極電極143A自我整合地形成源極·汲極電極1 4 3 a、1 4 3 b。此時，經由閘極電極1 4 3 A遮蔽未導入不純物之部分則呈通道範圔143c。之後，被覆半導體膜2 1 0及基板P之表面，形成層間絕緣膜2 3 0。接著，形成貫通層間絕緣膜23 0之連接孔23 2及 234，於此連接孔23 2及2 3 4內，埋入汲極電極23 6及源極電極2 3 8地加以形成，得驅動用 TFT143。在此，於層間絕緣膜230上，連接於源極電極2 3 8地，形成未圖示之共通供電線（配線）或掃瞄線。接著，被覆層間絕緣膜2 3 0及各配線之上面地，形成 -29- (27) (27)1301036 平坦化絕緣膜2 4 0，貫通此平坦化絕緣膜2 4 0 ’貫通設置到達汲極電極23 6之連接孔240a。經由上述工程，形成驅動用TFT 143時，接下來如圖 7 ( b )所示，於包含連接孔240a之範圍，使用公知之微縮技術，圖案形成畫素電極14 1。由此，如先前之圖2 (a )所示，於包圍在信號線、共通供電線及掃瞄線之位置，藉由汲極電極23 6，形成與驅動用 TFT1 43之源極範圍1 4 3 a導電連接之畫素電極1 4 1。本實施形態時，有機EL裝置乃頂發射型之故，畫素電極141無需爲透明導電膜，可經由金屬材料所形成。令畫素電極1 4 1包含鋁或銀等之光反射性金屬膜而構成時，可反射入射至此畫素電極之光線，向觀察者側射出。本有機EL裝置中，畫素電極141乃做爲陽極工作之故，以工作函數4.8eV以上之材料加以形成爲佳，就具.體例列舉，以ITO/A1之層積膜、Au、Pt等所成金屬膜加以形成爲佳。然而，在此畫素電極141之形成前，施以淸淨平坦化絕緣膜240之表面之處理（例如氧電漿處理、UV照射處理、臭氧處理等）亦可。由此，可提升畫素電極141和平坦化絕緣膜240之緊密性。接著，如圖7 ( C )所示，與畫素電極1 4 1之周緣部一部分平面重疊時，形成氧化矽等之無機絕緣材料所成無機間隔壁（第1間隔壁層）1 49。又，此時，伴隨無機間隔壁149 ’於畫素電極141上形成複數之凸狀部149a...。 -30- (28) (28)1301036 具體而言，被覆畫素電極1 4 1及平坦化絕緣膜2 4 0地，形成氧化砂之後，使用公知之微縮技術，圖案化氧化i夕膜，將畫素電極1 4 1之表面，呈部分開口地加以形成。上述凸狀部149 a...乃不限於氧化矽，使用氧化鈦等之金屬氧化物加以形成亦可，此時，於畫素電極1 4 1上，形成具有開口範圍之無機間隔壁1 4 9後，例如形成氧化鈦膜，加以圖案化而形成凸狀部149a。然而，於圖7及圖8中，爲使圖面易於視得，僅將凸狀部149a以2條圖示，伹實際上則如圖2所示，形成4 條之帶狀之凸狀部149a。又，於本實施形態，對於形成圖 2所示之平面視之條紋狀之凸狀部1 4 9 a之情形，示於圖7 加以說明，但圖1 3所示平面視之點狀之突起1 4 9 c，亦以上述形成方法，伴隨無機間隔壁1 4 9，形成於畫素電極 141 上。在此，將凸狀部1 4 9 a之形成方法參照圖1 4詳細加以說明。圖14(a)〜（c)乃顯示於畫素電極141上形成凸狀部1 4 9 a及無機間隔壁1 4 9的工程的剖面工程圖，圖7 所示一連串工程中，相當於（b )所示工程和（c )所示工程間之工程之圖。爲形成無機間隔壁149及凸狀部149a，首先如圖14 (a )所示，於包含畫素電極丨4 1上之平坦化絕緣膜2 4 〇上之範圍，形成氧化矽等所成無機絕緣膜1 4 7。接著。被覆無機絕緣膜147地，形成光阻劑148後，經由曝光、顯像處理’於畫素電極1 41上之特定位置，形成開口部 -31 - (29) 1301036 1 48a 〇接著，如圖14 ( b )所示，經由將光阻劑14 8做爲光罩使用之蝕刻處理，部分除去露出於開口部148a之底部之無機絕緣膜1 47。此時，於本實施形態之製造方法中，做爲蝕刻手段1 5 8，使用等方性之蝕刻手段爲佳。經由蝕刻手段1 5 8，如圖示所示，將無機絕緣膜1 47等方性蝕刻時，於側壁，可將具有傾斜面之凸狀部149a，形成於畫素電極141上。又，於伴隨凸狀部149a形成之無機間隔壁 149之/149b之緣端，亦形成與凸狀部149a同樣之斜面部。又，使用上述形成方法，形成圖1 3所示之點狀之突起149c時，於該突出方向，形成先端窄狀（推拔狀）之突起。如此，於側壁具有傾斜面之凸狀部1 49a乃至於推拔狀之突起149c中，與畫素電極141表面之階差則經由傾斜面所緩和之故，於後段工程，難以產生形成於畫素電極141上之正孔注入層140A之成膜不良。又，於有機EL 裝置之動歐時，從畫素電極注入之電荷則易於繞入凸狀部之故，有利於發光效率的提升。更且，發光層140B所產生之光線中，傳送至元件之面方向之成分，有做爲顯示光易於取出之效果。做爲上述等方性之蝕刻手段，除了濕蝕刻之外，可例示使用陽極偶合劑或遠程電漿之乾蝕刻。又使用提高氧含量之蝕刻氣體，使光阻劑148後退（將開口部148a向面方向擴展），進行蝕刻亦可。 -32- (30) 1301036 接著，如圖7 ( d )所示，於無機間隔壁14 9上丙烯酸、聚醯亞胺等之有機絕緣材料所成間隔壁（| 隔壁層）1 5 0。間隔壁1 5 0之高度乃例如設定於1〜2 度，於基板P上，做爲有機EL元件之分割構件作。根據此構成，有機EL元件之正孔注入層·或發形成處，即，於此等形成材料之塗佈位置和該周圍壁1 5 0間，形成充分高度之階差所成開口部1 5 i。 | 又，形成此間隔壁 1 5 0時，將間隔壁 1 5 0之 1 5 1之壁面，從無機間隔壁1 4 9之開口部1 4 9 b向若後退而形成爲佳。如此，於間隔壁1 5 0之開口部1 5 使無機間隔壁1 4 9 一部分露出，可使間隔壁1 5 0內材料的濕潤擴展變得良好。形成間隔壁1 5 0時，接著，對於含間隔壁1 5 0 電極141之基板上之範圍，施以疏液處理。間隔壁做爲分割有機E L元件之分割構件而工作之故，對 φ 滴吐出頭20吐出之液體材料，顯示非親和性（疏爲佳。經由前述疏液處理，於間隔壁1 5 0發現選擇親和性。做爲相關液處理，例如可採用將間隔壁之表面化合物等表面處理之方法。做爲氟化合物，例如有 SF6、CHF3等，做爲表面處理，可列舉有電漿處廷照射處理等。於如此疏液處理中，即使於基體之一面側整體處理，ITO膜或金屬膜所成無機材料之畫素電極14 ，形成 5 2間 μηι程加以工光層之之間隔開口部干外側 1內，之液體及畫素 150乃於從液液性）性之非以氟系 CF4、 I、UV ，施以 1表面 -33- (31) (31)1301036 乃較有機材料所成間隔壁1 5 0之表面易於疏液化，僅間隔壁1 5 0之表面被選擇性疏液化，於包圍在間隔壁1 5 0之範圍內，形成對於液體材料親和性不同之複數之範圍。更且，本實施形態時，於畫素電極141上，雖設置凸狀部 1 49a…，但此凸狀部1 49a…乃例如由氧化矽所成者，較 ITO膜或金屬膜更難以疏液化。因此，疏液化之程度乃間隔壁1 5 0最大，接著依畫素電極1 4 1、凸狀部1 4 9 a ...、 (及無機間隔壁1 49 )之順序變小。接著，如圖8 ( a )所示，令基板P之上面朝向上之狀態，將含正孔注入層形成材料之液體材料1 14a，經由液滴吐出頭2 0，於包圍間隔壁1 5 〇之塗佈位置，選擇性塗佈。爲形成正孔注入層之液體材料 1 14a乃經由圖4所示液體材料調整裝置S加以調製，含有正孔注入層形成材料及溶做爲正孔注入層形成材料乃可例示聚合物先驅體爲聚四氫基苯硫基苯撐的聚苯撐乙烯、1，1_雙- (4-N，N-二甲苯胺苯基）環已烷、三（8 -羥基喹啉）鋁、聚苯乙烯磺和酸、聚乙細一氧基嚷吩和聚苯乙燃礦酸之混合物 (PEDOT/PSS )等。又，做爲溶媒可例示異丙醇、N-甲基吡咯酮、1，3 ·二甲基-咪唑啉酮等之極性溶媒。包含上述正孔注入層形成材料之液體材料1 1 4 a則經由液滴吐出頭2 〇，呈出至基板p上時，流動性爲高之故，會向水平方向擴展，包圍塗佈之位置，形成間隔壁 1 5 0之故，液體材料】丨4 a乃不會超過1 5 0各該外側擴展。 -34- (32) 1301036 又，於本實施形態中，畫素電極141之表面乃呈親液範圍，於該表面形成之凸狀部149a之表面乃較畫素電極141 之表斫，更與液體材料之親和性更高之故，塗佈於畫素電極141上之液體材料1 14a乃沿凸狀部149a，無間隙地濕潤擴展於畫素電極1 4 1上，於間隔壁丨5 〇內呈均勻充滿者。尤其，令凸狀部149a經由氧化鈦形成之同時，於液體材料1 14a使用水系之溶媒時，凸狀部149a和液體材料 | 1 1 4 a則呈現極佳之親和性之故，乃有效於正孔注入層 140A之均化。然而，前述液體材料1 14a乃乾燥固化此液體材料 1 1 4 a所得正孔注入層1 4 0 B (參照圖8 ( c ))，調整呈被覆凸狀部149a…形成之吐出量，供給至間隔壁150內。接著，如圖8 ( c )所示，經由加熱或光照射，蒸發液體材料1 14a之溶媒，於畫素電極141上形成固態之正孔注入層14 0A。又，於大氣環境下或氮氣環境下，於特定 ^ 溫度及時間（2 0 0 °C、1 〇分爲例）加以燒成亦可。配置於較大氣壓爲低之壓力環境下（減壓環境下），除去溶媒亦可。此時，配置如圖8 ( c )所示液體材料之工程中，於間隔壁1 5 0內’液體材料被均勻浸潤擴展之故，如圖8 ( c ) 所示，得具有均勻膜厚之平坦狀膜之正孔注入層14〇A。即’於本實施形態中，於液體材料1 1 4 a之乾燥時，經由凸狀部149a之作用，可均化形成之正孔注入層140a 之膜厚及膜厚。圖9乃爲說明此凸狀部丨49a之作用的部分剖面構成圖，相當於圖3 ( a )之圖面。 -35- (33) 1301036 從液滴吐出頭20滴下之液體材料1 14a乃於塗佈後之乾燥工程中，如圖9所示，該液面則漸漸下降，最終被固化，構成正孔注入層140A。此時，於乾燥初期，在間隔壁1 50之開口部1 5 1內，成爲剖面凸形之液面，但隨著液面之減少，呈被間隔壁1 5 0之內壁拉伸地，成爲剖面凹形之液面形狀。此乃於間隔壁1 5 0之表面，雖然有施以疏液處理，但有表面張力之緣故，經由此表面張力，液面被拉 | 伸，此時伴隨液面，於液體材料1 1 4 a之內部，亦向間隔壁1 5 0側流動液體，溶質（正孔注入層形成材料）則向間隔壁150側移動。在此，未設置凸狀部149a...時，液體材料1 1 4 a乃偏向畫素電極1 4 1之外周部，所得正孔注入層 140A亦於外周側，膜厚會變大，設置凸狀部149a...時，則如圖示，有阻礙液體材料1 1 4a之流動的功能之故，液體材料114a則於畫秦電極141上有防止偏移存在的效果，因此，所得正孔注入層140A之膜厚、膜質亦均勻， φ 在於該表面之平坦性上亦優異。又，於畫素電極141上，以圖1 3 ( a )所示之配置，設置突起149c…時，可於畫素電極141上之整面防止液體材料之偏移存在，又，設置如圖1 3 ( b )所示突起1 49c… 時，吐出至間隔壁1 5 0內之液體材料則可防止被該表面限力變形呈球形，於電極面1 4 1 a之周緣部，可防止膜厚變薄。又，設置如圖13 ( c)所示突起149c...時，經由前述液體材料之球狀變形，可防止從電極面1 4 1 a之角部液體材料之脫離，於該角部，亦可形成均勻膜厚之正孔注入層 -36- (34) 1301036 1 40A。接著，如圖8 ( b )所示，使基板p之上面朝向上之狀態下，經由液滴吐出頭2 0，將含發光層形成材料和溶媒之/1 14b，選擇性塗佈於間隔壁15〇內之正孔注入層14〇a 上。做爲此發光層形成材料，例如可適用使用包含共軛系高分子有機化合物之前驅體，和爲變化所得發光層之發光特性之螢光色素者。·共軛系高分子有機化合物之前驅體乃伴隨螢光色素等，從液滴吐出頭20吐出，成形呈薄膜後’例姐如以下（化1 )所示，爲經由加熱硬化，生成成爲共軛系高分子有機EL層的發光層者，例如前驅體之鎏鹽時’經由加熱處理，鎏基則脫離，成爲共軛系高分子有機化合物等。

〔化1〕

150°C>< 4hr 加熱 τ Ν2環境

如此共軛系高分子有機化合物乃具有固體而強的螢光，可形成均質之固體超薄膜。而且，具有豐富之形成能，與I τ 0電極之緊密性亦高。更且，如此之化合物之前驅體乃硬化之後，形成強固之共軛系高分子膜，於加熱硬化前，將前驅體溶液調整呈可適用於液滴吐出圖案之期望 ‘37- (35) 1301036 之粘度，於簡便且短時間，進行最佳條件之膜形β 做爲上述前驅體，例如PPV (聚對苯乙炔）物之前驅體爲佳。PPV或該衍生物之前驅體乃可有機溶媒，或可聚合化之故，可得光學上高品質更且，PPV乃具有強的螢光，又爲二重結合之π 合物鏈上非極化之導電性高分子之故，可得^ ,丨生 EL元件。做爲如此PPV或PPV衍生物之前驅體，例化學式（II )所示，PPV (聚對苯乙炔）前驅體、 (聚（2,5-二甲氧基-1，4-苯乙炔）前驅體、CN· 2,5_雙已氧基- I，4-苯乙炔-(卜氰基乙烯）前驅f PPV (聚[2-甲氧基-5- ( 2’-乙基已氧基）]_對-苯驅體等。或該衍生溶於水或之薄膜。電子於聚能之有機如可列舉 MO-PPV .PPV (聚 |、ΜΕΗ- 乙炔）前 -38- (36) 1301036

och3

*—CH=CH 士 H3CO MO-PPV

〇

PPV或ppv衍生物之前驅體乃如前述，可溶於7j 由成膜後之加熱，形成高分子化之PPV層。代表前纽前驅體之前驅體之含量乃對於液體材料組成杠 0.01〜lO.Owt%爲佳。0.1〜5.0wt%則更佳。前驅體之舒過少時，不充分形成共軛系高分子膜，過多之時，密料組成物之粘度會變高，會有不適於液滴吐出法（法）所成精度高之圖案的情形。更旦，做爲發光層形成材料，包含至少一種之養素爲佳。由此，可變化發光層之發光特性，例如做赁，經 PPV 體爲加量體材噴墨光色發光 -39- (37) 1301036 層之發光效率的提升，或改變光吸收極大波長（發光色）之手段亦爲有效的。即，螢光色素乃非單純做爲發光層材料，可做爲擔任發光機能之色素材料加以利用。例如可將共軛系高分子有機化合物上之載體再結合所生成之激子之能量，幾乎移轉至螢光色素分子。此時，發光乃僅從螢光量子效率爲高之螢光色素分子產生之故，發光層之電流量子效率亦增加。因此，於發光層之形成材料中，經由加上螢光色素，同時發光層之發光光譜亦成爲螢光分子的，做爲改變發光色之手段亦爲有效的。然而，在此稱電流量子效率乃根據發光機能，考核發光性能之尺度，經由下述式加以定義。 ηΕ =放出之光子之能量/輸入電能然後，經由螢光色素之摻雜所成光吸收極大波長之變換，例如可發光紅、藍、綠之3原色，可得該結果之全彩顯示體。更且，經由摻雜螢光色素，大幅提升EL元件之發光效率。做爲螢光色素，形成紅色發光層時，可較佳使用發光呈紅色之若丹明或若丹明衍生物。此等之螢光色素乃低分子之故，可溶於水溶液，又與PPV相溶性佳，可容易進行均勻安定之發光層之形成。做爲如此螢光色素，具體而言，可列舉若丹明Β、若丹明Β基體’若丹明6G、若丹明1 0 1過氯酸鹽等，亦可爲混合此等2種以上者。 -40- (38) 1301036 又，形成綠色發光層之時，可較佳使用發光呈綠色之喹吖酮及該衍生物。此等之螢光色素乃與前述紅色螢光色素同樣爲低分子之故，可溶於水溶液，又與PPV相溶性佳，可容易進行發光層之形成。又，形成藍色發光層之時，可較佳使用發光呈藍色之二苯乙烯聯苯及該衍生物。此等之螢光色素乃與前述紅色螢光色素同樣爲低分子之故，可溶於醇混合溶液，又與 PPV相溶性佳，可容易進行發光層之形成。又，做爲發色呈藍色之其他之螢光色素，可列舉香豆素及該衍生物。此等之螢光色素乃與前述紅色螢光色素同樣爲低分子之故，可溶於水溶液，又與PPV相溶性佳，可容易進行發光層之形成。做爲如此螢光色素可列舉香豆素、香豆素-1、香豆素-6、香豆素-7、香豆素 120、香豆素 138、香豆素 152、香豆素 153、香豆素 311、香豆素 314、香豆素334、香豆素337、香豆素343等。更且，做爲具有其他之藍色之發光色素的螢光色素，可列舉四苯基丁二烯（TPB )或TPB衍生物。此等之螢光色素乃與前述紅色螢光色素同樣爲低分子之故，可溶於水溶液，又與PPV相溶性佳，可容易進行發光層之形成。對於此等之螢光色素，對於前述共軛系高分子有機化合物之前驅體固態部分而言，添加0.5〜l〇wt%爲佳。當螢光色素之添加量過多時，發光層之耐侯性及耐久性之維持則變得困難，另一方面，添加量過少時，無法充分得如添加前述之螢光色素之效果。 -41 - (39) 1301036 又，對於前述前驅體及螢光色素，溶解或分散於極性溶媒，而成爲液體材料，將此液體材料，從液滴吐出頭20 加以吐出爲佳。極性溶媒乃容易溶解或均勻分散前述前驅體、螢光色素等之故，可防止液滴吐出頭20之噴嘴孔之發光層形成材料之固態分被附著阻塞。

做爲如此極性溶媒，具體而言，可列舉水、甲醇、乙醇等之與水有相溶性之醇、N，N-二甲基咪唑（DMF ) 、N p 甲基吡咯酮（NMP)、二甲基咪唑啉（DMI)、二甲基亞颯（DMSO)、二甲苯、環已基苯、2,3·二氫基苯并呋喃等之有機涪媒或無機溶媒，適切混合2種以上此等之溶媒亦可。更且，於前述形成材料中，添加濕潤劑爲佳。由此，形成材料可有效防止於液滴吐出頭2 0之噴嘴孔乾燥，凝固。做爲相關濕潤劑，例如可列舉甘油、二乙二醇等之多價醇’混合2種以上此等者亦可。做爲此濕潤劑之添加 φ 量，對於形成材料之整體量，成爲5〜20wt%程度爲佳。然後，添加其他之添加劑、被膜安定化材料亦可，例如可使用安定劑、粘度調整劑、老化防止劑、pH調整劑、防腐劑、樹脂乳膠、塗平劑等。上述將液體材料1 1 4b，從液滴吐出頭2 0吐出所成發光層之形成乃將含發光紅色之發色光的發光層形成材料的液體材料、含發光綠色之發色光的發光層形成材料的液體材料、含發光藍色之發色光的發光層形成材料的液體材料’吐出至各對應之畫素7 1(開口部1 5丨）加以塗佈而進 •42- (40) (40)1301036 行。然而，對應於各色之畫素7 1乃使此等規則性配置坏地，預先加以決定。如此，吐出塗佈含各色之發光層形成材料之液體材料 1 1 4 b時’蒸發液體材料1 1 4 b中之溶媒。經由此工程，於圖8 ( c )所示正孔注入層1 4 0 A上，形成固態之發光層 140B，由此，得正孔注入層140A和發光層140B所成有機機能層1 40。在此，對於含發光層形成材料之液體材料 1 1 4b中之溶媒的蒸發，對應需求，雖進行加熱或減壓等之處理，但發光層形成材料乃通常爲乾燥性佳速乾性良好之故，無需特別之如此處理，因此經由順序吐出塗佈各色之發光層形成材料，於各塗佈順序，可形成各色之發光層 140B。又如先前之記載，配置液體材料1 14b之正孔注入層140A之表面乃可良好地平坦化之故，於其4上形成之發光層140B亦具有表良好之平坦性地被形成膜厚及膜質爲呈均勻的。因此，具備均勻且良好之發光特性、可靠性之發光層。之後，如圖8 ( c )所示，於基板P之表面整體，或呈條紋狀地，形成ITO等之透明導電材料所成共通電極 154。如此，可製造有機EL元件200。然而，於本實施形態中，有機EL元件200乃包含畫素電極141和正孔注入層140A和發光層140B和共通電極154。如此於有機EL元件之製造方法中’正孔注入層140A 和發光層1 4 0 B之有機E L元件之構成要素的薄膜乃經由液滴吐出裝置IJ製造之故，成爲正孔注入層140A或發光層 -43- (41) (41)1301036 1 4 0B之形成材料的液體材料之損失爲少，正孔注入層 14 0A或發光層14 0B乃可以較便宜且安定之環境下形成。然而，如圖8 ( c)所示，形成之驅動用TFT 143和有機EL元件200乃於基板P之法線方向重合地加以配置，將從發光層之光線與基板P之反射側取出之所謂頂發射型構造中，驅動用TFT 143和有機EL元件呈重合亦問題。於頂發射型構造，於間隔壁1 5 0之下方，無需配置薄膜電晶體，可使間隔壁之形成範圍變小的同時，可使有機EL 元件之形成範圍變大之故，可使發光面積變大。如以上之說明，根據有關本發明之製造方法時，於基板P上，形成間隔壁150及有機EL元件200時，於畫素電極141上形成凸狀部149a...於之後之間隔壁150之內部配置液體材料1 14a之故，於畫素電極1 41表面，液體材料則均勻濕潤擴展，且可乾燥固化均勻之膜厚。由此，於畫素範圍7 1內得均勻之發光特性，又由於膜厚爲均勻之故，難以產生電極間之短路，可製造可靠性優異之有機 E L元件2 0 0。又，凸狀部149a...乃於形成無機間隔壁149之工程中，同時加以形成之故，可在不伴隨工程數之增加’實現上述有機EL元件之特性提升。但是凸狀部149a…乃無需形成與無機間隔壁1 49同層之故，可以其他工程形成於畫素電極1 4 1上，與無機間隔壁1 4 9爲不同之材質亦無妨。或直接加工畫素電極1 4 1之表面，形成凸狀部。

於上述實施形態中，對於經由使用液滴吐出裝置1 J -44- (42) 1301036 之液滴吐出法，塗佈液體材料，形成有機機能層140 做了說明，但不限於液滴吐出法，可使用例如旋塗法縫塗佈法（或簾式塗佈）、塑模塗佈法等之其他塗法。又，液體材料之生成工程或成膜工程乃於大氣環進行亦可，在氮氣等非活性氣體氣份下進行亦可。然液體材料調整裝置S所成液體材料之生成工程或液滴裝置IJ所成成膜工程乃於淸淨室內，維持粒子及化之淸淨度之環境下進行爲佳。 (電子機器）圖1 1乃顯示關於本發明之電子機器之一例的斜成圖。圖1 1所示之影像監視器1 200乃備有具備先前實態之有機EL顯示裝置（顯示裝置）之顯示部1201、 1 202、揚聲器12〇3等而構成。然後，此影像監視器乃可以較先前之有機EL裝置之高畫質，均勻明亮地顯示。尤其，於大型面板，上，畫素爲大型之故，發之有機機能層之均勻形成爲困難的，但關於本發明之 EL裝置中，可均勻形成任意大小之有機機能層之故呈適用於大型面板之有機EL裝置。

上述各實施形態之有機EL裝置乃不限於上述攜話、可做爲電子書、個人電腦、數位相機、觀景型或直視型的攝影機、汽車衛星導航裝置、呼叫器、電子本、計算機、文字處理機、工作站 '電視電話、POS 之時、狹佈方境下而，吐出學上視構施形框體 12 00 加以光部有機，可帶電監視記事終端 - 45-

Claims

1301036

义Μ-冬十、申請專利範圍第94 1 0543 3號專利申請案中文申請專利範圍修正本民國97年 1· 一種有機電激發光裝置，爲於第1電間’將挾持有機機能層之有機電激發光元件上之有機電激發光裝置，其特徵乃前述有機機能層爲配設於包圍沿前述第部立設之間隔壁構件之範圍內的同時，從前層積包含電荷輸送層和發光層，於前述第1電極上，設置向前述電荷賴凸狀部，於前述凸狀部和前述發光層間，介入存送層之一部分者。 2·如申請專利範圍第1項之有機電激中，前述凸狀部平面視之略呈條紋狀，形成極者。 3 ·如申請專利範圍第2項之有機電激中，前述凸狀部沿前述有機電激發光元件之存在者。 4.如申請專利範圍第1項之有機電激中，前述凸狀部乃由點狀之突起所成，複1 乃形成於前述第1電極上。 5·如申請專利範圍第1項至第4項之扫 5月23日修正極和第2電極，配設於基體 1電極之周緣述第1電極側送層側突出之在前述電荷輸發光裝置，其於前述第1電發光裝置，其 .長度方向延伸發光裝置，其 :之前述凸狀部 :一項之有機電 1301036 激發光裝置，其中，前述凸狀部與前述間隔壁構一部分爲同一材質。 6.如申請專利範圍第5項之有機電激發光中’則述間隔壁構件於無機絕緣材料所成第1 上，具備層積有機絕緣材料所成第2間隔壁層之前述凸狀部與前述第1間隔壁層爲同一材質 7 ·如申請專利範圍第1項至第4項之任一項 _ 激發光裝置，其中，前述凸狀部乃成爲前述第1 部分。 8 ·如申請專利範圍第1項至第4項之任一項激發光裝置，其中，前述電荷輸送層爲1或複層，前述凸狀部則使前述各導電層跨過層厚方向置。 9·一種有機電激發光裝置之製造方法，將順 Φ 1電極、和包含電荷輸送層及發光層之有機機能 2電極而成之有機電激發光元件，配設於基體上激發光裝置之製造方法，其特徵乃包含於基體上形成第1電極之工程，和沿前述第1電極之周緣部，立設間隔壁程，和在包圍於前述間隔壁構件之範圍內，配置送材料之液體材料之工程，和乾燥前述液體材料，被覆前述凸狀部，形件之至少裝置，其間隔壁層構成，〇之有機電電極之一之有機電數之導電地加以配序層積第層、和第之有機電材料之工含電荷輸成電荷輸 -2- 1301036 送層之工程。 10·如申請專利範圍第9項之有機電激發光裝置之製 $方法’其中，使前述形成凸狀部之工程，和前述立設間隔壁構件之工程，於同工程中加以進行。 11 ·如申請專利範圍第1 〇項之有機電激發光裝置之製造方法’其中，前述立設間隔壁構件之工程，包含於前述基體上形成無機絕緣材料所成第1間隔壁層的工程，和於 0 該第1間隔壁層上，層積形成有機絕緣材料所成第2間隔壁層；於於前述形成第1間隔壁之工程中，使前述凸狀部經 $ Μ述無機絕緣材料加以形成者。 12·如申請專利範圍第9項至第1 1項之任一項之有機電激發光裝置之製造方法，其中，在配設前述液體材料之工程前，使對於前述凸狀部表面之前述液體材料的親和性，較 φ 對於前述第1電極表面之前述液體材料的親和性爲高者。 1 3 ·如申請專利範圍第9項之有機電激發光裝置之製造方法，其中，前述形成凸狀部之工程乃部分除去前述第 1電極之表面的工程。 1 4 · 一種電子機器，其特徵乃具備如申請專利範圍第1 項至第8項之任一項之有機電激發光裝置。 13010¾^ ίΙΕφ： L：第94105433號專利申請案中文圖式修15本W· 5·. 2J 民國97年5月23曰修正上一;:丨.'1 一—―」 755748 73 - 72- 131 昜 132 132 132 133 \ 133、 132 133 \ 70

133 ΤΊ Ί 142— 141-140〃 154 - ^ 1 1 卜 3Γ r 1 r 丄 Γ. 1 Γ 1 r 1 i >-Γ"Τ—. j_-| j—Η » 厂 1 Γ 〉31 1301036 ⑹ 圖2 (a) 71 71

圖3

C S ) 1301036 圖4

1301036

圖6

1301036

(S ) 881301036 (a) 〜2〇

(b) 114b

< S ) 1301036 B 9 參 151 114a

450 149 P 圖10 140 A

141 149a 149a 1301036 圖11 1203

圖12

200

P 1301036 149c 149c

(c)

< S ) 1301036 圖14

< S )