TWI293191B - Silicone-based adhesive sheet, method of bonding a semiconductor chip to a chip attachment component, and a semiconductor device - Google Patents

Silicone-based adhesive sheet, method of bonding a semiconductor chip to a chip attachment component, and a semiconductor device Download PDF

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TWI293191B
TWI293191B TW092119248A TW92119248A TWI293191B TW I293191 B TWI293191 B TW I293191B TW 092119248 A TW092119248 A TW 092119248A TW 92119248 A TW92119248 A TW 92119248A TW I293191 B TWI293191 B TW I293191B
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Sutoh Manabu
Ushio Yoshito
Fujisawa Toyohiko
Mine Katsutoshi
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Dow Corning Toray Silicone
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1293191 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於以矽酮為基質之黏著板，接合半導”片 至晶片接附元件元件之方法’及半導體裝置。尤其；：發 明係關於可依滿意之方式接合平滑基質以及表面具不規則 歧基質’且其中接合層之厚度可接近均句之以㈣為基 質之黏著板。本發明尚關於將半導體晶片接合至晶片接附 元件之方法，其中之半導體晶片及晶片接附元件即使在二 者至少之一之表面不規則亦可滿意的接合在—起。本發明 尚關於具有辱佳可靠度之半導體裝置，其中半導體晶片及 晶片附接元件均可滿意的接合在一起，即使二者之至少之 一具有不規則表面。 【先前技術】 曰本專利公開申請案編號11-12546 (相對應之美國專利 第6,235,862號）中提出使夾在二保護膜間之可氫碎氧化硬 化之矽酮組合物硬化製備之以矽酮為基質之黏著片可用於 接合半導體晶片以及晶片附接元件。然而，該黏著片之問 題為當半導體晶片及/或晶片附接元件之表面不規則度為 10微米或更大（間隙），填滿間隙之能力或下降，且該二晶片 無法滿意的接合。 曰本專利公開申請案第10-17828(相對應之美國專利第 5,942,565)提出厚度為0.1至5毫米（mm)且包括有機聚矽氧 烷、填料及含有黏著促進劑之矽酮組合物之似黏土片狀黏 著劑。然而，使用該種黏著劑接合基質及另一基質之問題 86646 -6- 1293191 為接合層之厚度不均^尤其是#藉由該片狀黏著劑將半 2體晶片接合於晶片附接元件時，產生之問題為接合層變 得不均勻，造成後續架線接合製程之不方便。 因此，本發明之一目的為提供一種以矽酮為基質之黏著 片，因而可依滿意之方式接合平滑基質及表面不規則之基 質，且其中接合層之厚度可接近均勻，以提供將半導體晶 片接合於晶片附接元件上之方法，其中之半導體晶片及晶 片即使二者之至少之一表面不規則，亦可與附接元件滿意 的接合在一起；及提供具有極佳可靠度之半導體裝置，其 中之半導體昂片及晶片附接元件即使二者之至少之一之表 面不規則，亦可滿意的接合在一起。 【發明内容】 本發明以矽酮為基質之黏著片在黏著片之一面具有一層 似黏土之可硬化矽酮組合物，且在黏著片之另一面具有一 層比先前提及之層硬化較慢之似黏土矽酮組合物，或在一 面上具有硬化之矽酮層且另一面具有似黏土之可硬化矽酮 組合物。 本發明之將半導體晶片接合於晶片附接元件之方法包括 <步騾為（1)藉由將由與晶圓接合之硬化矽酮層、一層穩固 的接合於硬化層之似黏土狀可硬化矽酮組合物、穩固的與 組合物層接合之保護層及黏著性的附接於薄膜上之黏著板 組成之積層體切成小方塊，製造半導體晶片；（2)自晶片剥 離保達膜及黏著片；（3)經由組合物層，藉由壓著半導體晶 片與晶片附接元件接合半導體晶片與晶片附接元件；及（4) 86646 !293191 使組合物層硬化。 本發明《半導體晶片包括其一面上具有一層似黏土之可 更化矽酮組合物（I) ’且另一面具有一層比組合物層⑴硬化 慢之似黏土之可硬化矽酮組合物（11)之以矽酮為基質之黏 著板，因此⑴組合物⑴之層經硬化，使組合物（11)之層仍未 硬化，但組合物⑴之層維持與半導體晶片接觸，且組合物 (11)之層接著硬化，同時維持與半導體晶片附接元件接觸， 或者因此（ii)組合物⑴之層經硬化，使得組合物（11)之層維 持未硬化，但組合物⑴之層維持與半導體晶片附接元件接· 觸，且組合_ (II)之層接著硬化，同時維持與半導體晶片接 觸。 或者，本發明心裝置包括一面上具有硬化之矽酮層且另 二面上具有一層似黏土之可硬化矽酮組合物之以矽酮為基 質之黏著板，因此⑴硬化層經接合，使得組合物層仍未硬 化仁硬化層維持與半導體晶片接觸，且組合物層接著硬 化同時保持與半導體晶片附接元件接觸，或因此⑹硬化層 、-接合，使知組合物層維持未硬化同時硬化屬保持與半導Φ I卵片附接元件接觸，且再使組合物層硬化，同時保持與· 半導體晶片接觸。 參考用數字 β 1 · 似黏土之可硬化矽酮組合物層 2 ·· 似黏土之可硬化矽酮組合物層 3 :保護膜 4 :保護膜 86646 1293191 5 : 矽酮硬化層 6 : 似黏土之可硬化矽酮組合物 7 ： 保護膜 8 : 保護膜 9 : 晶圓 10 :矽酮硬化層 11 :似黏土之可硬化矽酮組合物層 12 :保護膜 13 :黏著板 14 :半導辑晶片 15 :矽酮硬化層 16 :矽酮硬化層 17 :半導體晶片附接元件 18 :接合架線 19 :以矽蹰橡膠為基質之黏著劑層 【實施方式】 以矽酮為基質之黏著板 本發明之以矽酮為基質之黏著板示於圖1中。該板之一面上具 有一層似黏土之可硬化矽酮組合物1，且另一面上具有一層比提 及之第一層較慢硬化之似黏土之矽酮組合物2。例如，此等可硬 化之矽酮組合物之硬化速度，可在使用震盪硫化試驗機進行之 硫化試驗（如JIS K 6300中之說明）中相同之溫度條件下（例 如，130°C，15〇。〇測量之90%硫化時間（tc(90))為主比較。硬 化速度之差異並未受限，但具有低硬化速度之可硬化矽酮組合 86646 -9- 1293191 物之te(90)與具有高硬化速度之可硬化矽酮組合物之u(9〇) 之比在130 C下較好為5倍或更大，且更好為1〇倍或更大， 且在150°C下較好為2倍或更大，且更好為5倍或更大。 組合物層1之厚度並不受限，但較好為1〇〇微米（^m)或更 低，更好為1至100微米，且最好為1至5〇微米。組合物層2 之厚度亦未爻限，且較好為1〇〇微米或更低，更好為1至1〇〇 微米，且最好為1至50微米。板之厚度亦未受限，但較好為 100微米或更低。 此等似黏土之可硬化矽酮組合物以JIS κ 6249說明之可 塑性數並未零限，且可相同或不同。二者之可塑性數較好 均在100至800之中，且更好在100至700之中，且最好在1〇〇 至500之中。可塑性之值依據JIS κ 6249之說明，為當施加 49士0·05 Ν之負荷於樣品（圓柱體標第物（直徑16毫米，高度 10¾米）’且體積為2±0· 02立方公分）3分鐘之值。 藉由使此等似黏土之可硬化矽酮組合物硬化獲得之硬化 碎酮物質之性質並未限制，且可相同或不同。硬化之矽酮 物質較好具有彈性體性質，且更好具有橡膠性質。使此等 似黏土之可硬化矽酮組合物硬化之機構並沒有限制，且可 相同或不同。可硬化矽酮組合物之實例包含可氫矽烷化硬 化之碎酮組合物、可縮合硬化之秒酮組合物、可藉由包含 有機過氧化物之游離基反應硬化之碎嗣組合物，及可藉由 咼能輕射硬化之碎酮組合物。本發明之以秒酮為基質之黏 著板中，硬化較慢之可硬化矽酮組合物及硬化較快之可硬 化碎酮組合物二者較好均為可氫矽烷化硬化之矽酮組合 86646 -10 - 1293191 物。 此等可氫矽烷化硬化之矽酮組合物較好為包括下列之可 硬化矽酮組合物：（A)每分子具有至少二烯基之有機聚矽 酮；（B)填料；（C)每分子具有至少二與矽結合之氫原子之有 機聚矽酮；（D)黏著促進劑；及（£)氫矽烷化觸媒。 成分（A)為每分子具有至少二烯基之有機聚矽酮。成分（A) 之重量平均聚合度較好為3,000或更大，且其性質較好為中 性橡膠。成分（A)之分子結構實例包含直鏈結構、部分分支 之直鏈結構、支鏈結構及網狀結構。成分（A)之婦基實例包 含乙烯基、埽丙基、丁婦基、戊烯基、及己烯基，且最佳 者為乙婦基。此等埽基之接合位置實例包含分子鏈之中端 及分子鏈之侧鏈。除缔基外與矽原子鍵結之基之實例包含 經取代或未經取代之單價烴基，如甲基、乙基、丙基、丁 基、戊基、己基、庚基、及其他該等基；苯基、甲苯基、 二甲苯基、莕基、及其他該等芳基；苄基、苯乙基及其他 孩等芳烷基；氯甲基、3_氯丙基、3,3,3-三氟丙基、及其他 孩等烷基鹵化物基，且以甲基、苯基等為最佳。當成份（A) 含有苯基時，所得之黏著板天生即具有極佳之低溫抗性， 且可改善藉由該板協助接合半導體晶片與晶片附接元件所 得半導體裝置之可靠度。 成分（B)為降低上述組合物之流動性且赋與上述組合物 硬化所彳于硬化組合物機械強度之填料。成分（B)為通常可與 可硬化矽酮組合物預混合之填料，只要不犧牲本發明之目 的，且實例包含沉澱氧化矽、發煙氧化矽、烘乾氧化矽、 86646 -11- 1293191 二氧化鈦、氧化鋁、玻璃、石英、鋁矽酸鹽、氧化鐵、氧 化=、叙酸舞、碳黑、碳化碎、氮化梦、氮化删、及其他 該等無機填科；藉由以有機μ垸、有機絲基我、有 機碎胺k及其他孩等有機々化合物處理此等填料製備之填 料；秒酮樹脂、環氧樹脂、氟樹脂及其他該等有機樹脂之 細微粉末；填料如銀、酮及其他該等導電金屬粉末；及珍 酮彈性體粉H殿氧切、發煙氧切及其他類補強氧 化碎以及膠&酸㉒、碳黑、及其他該增稠及補強微顆粒 狀填料均為最佳。 C且a斧中，並未限制成分（b)之量，但較好每1〇〇重 量伤之成刀（A)為1至1，〇〇〇重量份、更好為5至8〇〇重量份， 又更好為5至5GG重量份，最好為5至重量份，且理想為5 至1〇0重量份。尤其，當使用可具有如成分（B)之強度之微 粒狀填料時，每1〇〇重量份成分（A)之含量較好為1至1〇〇重 里份，且更好為1至50重量份。此係因為當成份（B)之含量 低1上述範圍之下限時’所得硬化產品無法具有足夠之機 械？*度且*含量超過上述範圍之上限時，更不易製備均 句組合物。 成分（C)為為上述組合物之交聯劑，且為每分子具有至少 一與矽接合之氫原子之有機聚矽酮。成分（c)之分子結構實 例包含直鏈結構、部分分支之直鏈結構、支鏈結構、環狀 結構及網狀結構。成分（c)中之氫原子與矽原子之接合位置 貪例包含分子鏈之終端或分子鏈之侧鏈或二者。成分（C)中 除氫原子外與矽原子接合之基之實例包含先前所述經取代 86646 -12- 1293191 或未經取代之單價煙基’且最佳者為甲基及苯基。成分⑹ 在25 C下之黏度並揲限制’但較好為丨至1〇〇,〇〇〇毫巴斯卡秒 (mPa.s)，且更好為 β1〇 〇〇〇 mPa.s。 組合物中，成分（C)之含量並無限制，只要其量足以使組 合物硬化，且組合物中之與矽接合之氫原子以成分（a)中每 莫耳婦基為準，較好為01至1〇莫耳，更好為〇丨至〗莫耳， 有更好為0.5至5莫耳，且理想為丨至5莫耳。此係因為當成 份（C)之含量低於上述範圍之下限時，所得組合物之硬化會 不足’且當含量超過上述範圍之上限時，所得硬化產物之 耐熱性下降。、 成分（D)為天生具有滿意黏著之組合物之黏著促進劑。成 分（D)較好為每分子具有至少一與矽原子接合之可水解基 之有機矽化合物，且更好具有至少二個與相同矽原子接合 之可水解基之有機矽化合物。可水解基可為例如甲氧基、 乙氧基、丙氧基、丁氧基、甲氧基-乙氧基或其他該等烷氧 基；乙醯氧基或其他該等醯氧基；異丙烯氧基或其他該等 缔氧基；或二甲基酮肟、甲基乙基酮肟或其他該肟基，但 可水解基較好為烷氧基、且更好為甲氧基。成分⑴）較好為 具有二甲氧基之有機秒化合物。除與先前所述相同之經取 代或未經取代單價烴基外，與矽原子接合之基實例除有機 冷化合物中之可水解基外包含3-縮水甘油基氧基丙基、仁 縮水甘油基氧基丁基、及其他此等縮水甘油基烷基；2-(3,4-環氧基環己基）乙基、3-(3,4-環氧基環己基）丙基、及其他該 等環氧基環己基燒基，含環氧基之單價有機基如4-oxyranyl 86646 -13 - 1293191 、8-oxyranyl辛基及其他該等oxyranyl烷基；3-甲基丙婦氧 基丙基及其他含丙烯基該單價有機基；及氫原子。因為可 對各種鹼提供滿意之黏著，因此有機矽化合物較好每分子 具有至少一含環氧基之單價有機基。該有機矽化合物之實 例包含有機矽烷、有機矽氧燒及矽滅鼠（silatranes)。該有機 矽氧烷之分子結構包含直鏈結構、部分分支之直鏈結構、 支鏈結構、環狀結構及網狀結構，且最佳者為直鏈結構、 支鏈結構或網狀結構。 成分（D)中之有機碎化合物實例包含3-縮水甘油基氧基 丙基三甲氧蓦矽烷、2·(3,4-環氧基環己基）乙基三甲氧基矽 烷、3-甲基丙稀氧基丙基三甲氧基矽烷及其他該等有機矽 烷；每一分子具有與矽接合之烷氧基及與矽接合之烯基或 與矽接合之氫原子之各個至少之一有機矽烷，以下式平均 單元式表示之有機矽酮 ((CH2=CH)CH3Si02/2}a(CH301/2)b{CH2 - CHCH20(CH2)3Si〇3/2} c \ / 0 其中a、b及C均為正整數； 以下式平均單元式表示之有機矽酮 ((CH：-CH) Ci^SiO,/,} a (CH.O,,.) „ (CH. - CHCH.O (CHc) 3Si〇3/2l c ((CH3) .S i〇. 4, \ / 0 其中a、b、c及d均為正整數； 以下式表示之矽滅鼠 86646 •14- 1293191 CH?=CH (CH3〇)3SiCH2CH2CH2〇CH2
CH2〇CH2CH2CH2Si(〇CH3)3 及以下式表示之矽滅鼠 CH?=CH (CH3〇)3SiCH2CH2〇H2〇CH2
，CH2〇CH2CH2CH2Si(〇CH3); CH2〇CH2CH2CH2Si(〇CH3)3 組合物中，成分（D)之含量並無限制，只要其量足以使組合 物具有滿意之黏著力即可，但較好每重量份之成分（A) 為0.01至20重量份，且更好為0.1至10重量份。此係因為當 成份（D)之含量低於上述範圍之下限時，所得組合物之黏 性，且當含量超過上述範圍之上限時，會對所得硬化產物 之機械強度產生負面作用，但仍不影響所得組合物之黏性。 成分（E)為促進組合物中之硬化反應之氫矽烷化觸媒。成 分（E)之實例包含鉑觸媒、鍺觸媒及鈀觸媒，且最佳者為鉑 觸媒，因為其可明顯的促進硬化反應。此鉑觸媒之實例包 含細微鉑粉、鉑黑、鉑支撐之細微氧化矽粉末、鉑支撐之 活性碳、氣銘酸、氯顧酸之醇溶液、銘-稀烴錯合物、顧烯 基矽氧烷錯合物及其中此等鉑觸媒均分散或包封於丙烯酸 系樹脂中之樹脂粉末、聚碳酸酯樹脂、矽酮樹脂、聚醯胺 樹脂或其他該熱塑性樹脂。 86646 -15- 1293191 組合物中，成分⑻之含量並沒有限制，只要其量足以促 進上述組合物之硬化反應即可；例如，#使關觸媒作為 成分（E)時，觸媒中始金屬之量相對於組合物為〇〇1至1〇〇〇 ppm重T早位，且更好為G.1至5GGppm。此係因為當成份⑻ 之含量低於上述範圍之下限時，所得組合物之硬化反應會 極慢，且當含量超過上述範圍之上限時，所得硬化產物; 有變色或冑於其他不必要變化之危&，但I化速度仍不受 影響。 為凋整硬化速度，上述組合物較好含有硬化起始劑如弘 甲基-1-丁決'3-醇、3,5·二甲基小己玦|醇、苯基丁炔醇， 或另一種該燒炔醇；3-甲基戊缔+块、3,5_二甲基冬己 缔-1-炔或另一種該缔·炔化合物；四甲基nn 四乙烯基環四碎氧燒、1，3,5,7_四甲基]，3,5,7四己烯基環 四矽氧烷或另一種含有缔基之該有機矽氧烷；以下式表示 之有機矽烷 CH3Si [OC(CH3)2CeCH]3 或以下式表示之有機碎燒 CH3(CH2=CH)Si[OC(CH3)2C=CH]2 或以下式表示之有機碎燒 (CH3)3Si [OC(CH3)2C 三 CH] 或另一種含炔氧基之該等有機矽烷；或苯并三唑。 組合物中，硬化起始劑之含量並無限制，但每1〇〇重量份 之成分（A)較好為0.00001至5重量份。此係因為所得組合物 之硬化速度不易調整，且當硬化起始劑之含量低於上述範 86646 -16 - 1293191 圍之下限時，會削弱其處理操作，當含量超過上述範園之 上限時，所得組合物會有硬化不足之危險。 組合物以含染料、顏料、賦予耐熱性之藥劑、難燃劑及 通常可與可硬化矽酮組合物與混合之其他添加劑，只要其 他選用之成分不犧牲本發明之目的即可。 為調整任何可氫矽烷化硬化之矽酮組合物之硬化速度， 以製造上述之板，因此可能例如選擇成分（C)之種類、選擇 成分（E)之種類，調整其含量、選擇硬化起始劑之種類，及 調整其含量。尤其，當使用分子鏈終端具有與矽接合之氫 原子之有機考矽酮作為組合物中之成分（C)時，其反應性高 於由具有由分子鏈侧鏈中之與矽接合氫原子之有機聚矽酮 所得者，且所得組合物因此可快速硬化。而且組合物中， 成分（E)含量較大，則所得組合物硬化更快速。而且，硬化 起始劑之含量較大則所得組合物之硬化會較慢。因此，可 製備具有不同硬化速度之似黏土可硬化矽酮組合物。此等 似黏土可硬化矽酮組合物之硬化速度可例如在使用震盪硫 化試驗機進行之硫化試驗（JIS K 6300之說明）中，在相同溫 度條件（例如130°C，150°C)下測量之其90%硫化時間（te(90)) 確定。 圖1中’保護膜3及4穩固的接合於板之二表面上。使用保 護膜係視情況，但保護膜較好穩固的接合於板之一面或兩 面’因為其可避免板之前表面沉積之粉塵。當使用板時， 可剝離保護膜。保護膜3及4可相同或不同。該保護膜之實 例尤其包含包括聚對酞酸乙二酯樹脂（PET)、聚丙婦樹脂 86646 -17- 1293191 (PP)、聚醚颯樹脂（PES)、三乙酸酯纖維素樹脂（TAC)及其 他適用之纖維素樹脂，以及聚亞醯胺樹脂、聚酯樹脂、聚 醚樹脂、環氧樹脂、酚樹脂、聚醯胺樹脂及其他該有機樹 脂；及其中包括此等有機樹脂之薄膜表面覆蓋氟碳樹脂或 另一種有機樹脂之薄膜。 製備板之方法並無限制，且實例包含將其中含似黏土可 硬化矽酮組合物之甲苯、庚烷或另一種該有機溶劑之溶液 塗饰於保護膜上’硬化速度與前述組合物不同之似黏土可 硬化矽酮組合物之有機溶劑溶液同樣塗佈於另一薄膜上， 接著將似黏土之可硬化矽酮組合物積層在一起之方法；其 中將似黏土可硬化矽酮組合物之有機溶劑溶液塗佈於保護 膜上且另塗佈硬化速度與上述組合物不同之似黏土可硬 化矽酮組合物之有機溶劑溶液之方法；及其中之保護膜藉 由壓延覆蓋以組合物，且在塗佈硬化速度與前述組合物不 同之似黏土可硬化矽酮組合物之有機溶劑溶液之方法。 本發明另一種以矽酮為基質之黏著板示於圖2中。該板在 其一表面上具有硬化之硬化矽層5及另一表面上之似黏土 惑可硬化矽酮組合物層6。硬化層5之厚度並沒有限制，但 較好為100微米或更薄，更好為1至100微米，且最好為1至 、微米組合物層6之厚度亦沒有限制，但較好為i 〇〇微米 或更薄，更好為1至1〇〇微米，且最好為丄至％微米。板之厚 度亦沒有限制，但較妤為100微米或更薄。 、硬化層5係藉由例如使可氫矽烷化硬化之矽酮組合物、可 縮合硬化切合物、可藉由包含有機過氧化物之游離 86646 -18- 1293191 基反應硬化之矽酮組合物、可藉由高能輻射硬化之矽酮組 合物或另一種可硬化之矽酮組合物硬化形成，但較好係藉 由使可氫矽烷化硬化之矽酮組合物硬化形成。硬化產物: 性質並沒有限制，但較好為彈性體性質，且最好為橡膠性 質。 ’ 孩板中，似黏土可硬化矽酮組合物以JIS κ 6249說明之塑 性數並沒有限制，但較好為100至8〇〇，更好為1〇〇至7⑼， 且最好為100至500。依據Jls κ 6249之說明，該塑性數為當 藉由平行板塑性计（(William’s Plastimeter))施加 49士0.05 Ν 負荷於樣品{圓柱體標的（直徑16毫米，高度1〇毫米），體積 為2±0·02立方公分（cin3)}分鐘後之值。 藉由使似黏土可硬化矽酮組合物製備之硬化矽酮組合物 之性質並沒有限制，但較好為彈性體性質，且最好為橡膠 性質。該可硬化矽酮組合物之硬化結構並沒有限制，且其 貫例包含可氲碎規化硬化之碎酮組合物、可縮合硬化之珍 酉同組6物、可藉由包含有機過氧化物游離基反應硬化之秒 酮組合物即可藉由高能輻射硬化之可硬化秒酮組合物，但 取佳者為可氳秒燒化硬化之秒酮組合物。可氫秒垸化硬化 之矽酮組合物係如前述。 圖2中，保護膜7及8係穩固的接合於以矽酮為基質之黏著 板兩面上。使用此等保護膜為視情況使用，但保護膜較好 穩固的接合於板之一面或兩面上，因為其可避免板之前表 面沉積之灰塵。當使用板時需剝離保護膜。保護膜7及8之 保護膜為相同或不同。該保護膜之實例包含與先前所述相 86646 •19- 1293191 同之膜。 製備黏著板之方法並沒有限制，且實例包含將其中含似 黏土可硬化矽酮組合物之甲苯、庚烷或另一種該有機溶劑 之溶液塗佈於保護膜上，硬化速度與前述組合物不同之似 黏土可硬化矽酮組合物之有機溶劑溶液同樣塗佈於另一薄 膜上，接著將似黏土可硬化矽酮組合物積層在一起，且接 著僅依似黏土可硬化矽酮組合物硬化之方法；其中將可硬 化碎酮組合物之有機溶劑溶液塗佈於保護膜上且使組合物 硬化，再將似黏土之可硬化矽酮組合物之有機溶劑溶液塗 佈於硬化產舞上之方法；及其$將液態可硬化矽酮組合物 塗佈於保護膜上且使組合物硬化，接著將含似黏土可硬化 矽酮組合物之甲苯、庚烷或另依該有機溶劑之溶液塗佈於 另一保護膜上’且將薄膜積層在一起之方法；其中將成分 (C)或成分（E)塗佈於保護膜上，同樣的將似黏土可硬化矽酮 組合物 < 有機溶劑溶液塗佈於另一保護膜上，以似黏土可 硬化矽酮組合物將成分（c)或成分（E)積層在一起，且接著僅 使似黏土可硬化矽酮組合物之一表面硬化之方法；其中之 保護膜藉由壓延覆蓋以可硬化矽酮組合物，且使組合物硬 化，再將似黏土可硬化矽酮組合物之有機溶劑溶液塗佈於 硬化產物上之方法。 本么月之諕以秒酮為基質之黏著板可用作所有類型基質 《黏著板’因為其可使平滑基質與具有不規則I面之基質 滿意的接合，且可使接合層之厚度接近均勻。尤其，使用 本發明之以相為基f之黏著板作為晶片附接元件與至少 86646 -20- 1293191 一表面具有不規則度之半導體晶片之黏著劑較有利，因為 可使接合層之厚度接近均勻，且因此在後續架線接合製程 上不會產生不便。本發明之該以矽酮為基質之黏著板適用 作供其至少一表面具有不規則性之半導體晶片與晶片附接 元件接合用之黏著劑。該板較好具有低含量之鈾及鉦。哕 板較好亦具有低含量鈉、鉀及其他該鹼金屬離子或南素離 子。另外，該板較好具有低含量之低分子量矽氧燒。 接合半導體晶片及晶片附接元件之方法 圖3說明本發明接合半導體晶片與晶片附接元件之方 法。該方法与括之步•驟為·· (1) 藉由分割由與晶圓9穩固接合之硬化矽酮層1〇、一層 與硬化層10穩固接合之似黏土可硬化矽酮組合物^、與組 合物層11穩固接合之保護膜12及黏著附接於薄膜12上之板 13組成之積層體製造半導體晶片； (2) 自晶片剥離保護膜12及黏著板13 ; (3) 經由组合物層^，藉由壓著半導體晶片與晶片附接 元件，使半導體晶片與晶片附接元件接合·及 (4) 使組合物層1 1硬化。 形成包括與曰曰圓9穩固接合之硬化矽酮層〗〇及與硬化層 1 〇U接合之似黏土可硬化梦酮組合物層！夏積層體之方法 之貫例g ;使包括一層與晶圓穩固接合之似黏土可硬化秒 酮組口物（I)、一層與組合物⑴穩固接合，且硬化速率低於 組合物（I)層义似黏土可硬化矽酮組合物（H)之積層體中之 組合物⑴層硬化’使組合物（ίΙ)之層免於硬化之方法；及其 86646 -21 - 1293191 中藉由使硬化矽酮物質層與一層與晶圓上之硬化產物穩固 接合之似黏土可硬化矽酮組合物積層形成之硬化矽酮物質 之硬化產物層與晶圓接合，使得似黏土之可硬化矽酮組合 物免於硬化之方法。此等方法中所用之以矽酮為基質之黏 著板如前述。 隨後，使黏著板13與保護膜12積層，且自晶圓9侧邊分 割。黏者板13可在切劉至接近中間。半導體晶片及晶片附 接元件可藉由自因此製備之半導體晶片剝離保護膜12及黏 著板13接合，且經由似黏土之可硬化矽酮組合物層11，在 壓力下使晶片與半導體晶片附接元件接合，再使組合物層 11硬化。接合條件並沒有特別限制，但較好例如加熱至50 至250°C，且更好加熱至100至150°C。壓著接合時間較好為 1秒至2小時。壓力並沒有特別限制，只要不損及半導體晶 片與晶片接合元件即可，但較好為0.3至2.0 MPa。 半導體裝置 本發明之半導體裝置中，半導體晶片係藉由上述以矽酮 為基質之黏著板與晶片附接元件接合，且半導體裝置之實 例包含二極體、電晶體、半導體開關元件（thyristor)、單塊 積體電路(1C)、混合1C、大型積體電路（LSI)及大型積體電 路（VLSI)，且稱之為晶片規格封裝（CSP)之封裝亦包含於本 發明半導體裝置中。半導體晶片之實例包含二極體、電晶 體、半導體開關元件、單塊1C，及半導體晶片及混合1C、 LSI及VLSI中之裝置該半導體晶片之電路板元件。 半導體晶片附接元件之實例包含陶瓷、玻璃、環氧樹脂、 86646 -22- 1293191 聚亞酸胺樹脂、驗樹脂、Bakelite樹脂、三聚氰胺樹脂、玻 纖補強之環氧樹脂、玻纖補強之BT樹脂及其他該電路板， 以及晶片載體及標籤。接合架線之實例包含金、銀、鋁及 其他該金屬薄的架線。通常使用超音波熱壓接合作為連接 接合架線之方法。 半導體裝置之實例包含包括在其一面上具有一層似黏土 可硬化碎艱I組合物（I) ’且另依面具有一層比組合物（I)之層 慢硬化之似黏土可硬化矽酮組合物（II)之以矽酮為基質之 黏著板’因此’當半導體晶片與晶片附接元件接合時’⑴ 組合物（I)之層硬化，但組合物（II)之層未硬化，同時組合物 (I)層與半導體晶片保持接觸，接著使組合物（II)之層硬化， 同時與半導體晶片附接元件保持接觸之半導體裝置，或者 (ii)組合物（I)層經硬化，但組合物（II)層仍未硬化，同時組 合物（I)層與半導體晶片附接元件保持接觸，且組合物（II) 層再硬化同時與半導體晶片保持接觸之半導體裝置。 使以矽酮為基質之黏著板與半導體晶片或晶片附接元件 接合之條件並沒有特別限制，但例如加熱較好在50至250°C 下進行，且更好在100至150°C下進行。壓著接合時間較好 為1秒至2小時。壓力並沒有特別限制，只要半導體晶片或 晶片附接元件不受損即可，但較好為0.3至2.0 MPa。 依據上述⑴之半導體裝置，係使似黏土之可硬化矽酮組 合物（I)層與半導體晶片接合，且半導體晶片之表面可為平 滑或不規則。上述接合條件下，硬化產物（I)之層需接著在 不使似黏土可硬化矽酮組合物（II)硬化之條件下硬化。似黏 86646 -23 - !293191 土可硬化矽酮組合物層再與半導體晶片附接元件接合，且 附接元件之表面可為平滑或不規則。隨後，使組合物（工工) 層在上述接合條件下藉硬化接合。 依據上述（ϋ)之半導體裝置，係使似黏土之可硬化矽酮組 合物（I)層與半導體晶片附接元件接合，且晶片附接元件之 表面可為平滑或不規則。依上述接合條件，硬化產物⑴之 層可在其中似黏土可硬化矽酮組合物（11)不硬化之條件下 硬化。似黏土之可硬化矽酮组合物（11)再與半導體晶片附接 疋件接合，且附接元件之表面可為平滑或不規則。隨後，i 使組合物（II)冬層在上述接合條件下藉硬化接合。 孩半導體裝置（其中以矽酮為基質之黏著板一面上具有 更化’層’且另一面具有一層似黏土之可硬化硬嗣組 合物）之實例係用於使半導體晶片與晶片附接元件接合，包 含㈣半導體裝置，其中之硬化層係經接合，使得組合物層 仍未硬化’同時硬化層與半導體晶片保持接觸’接著使组 合物層硬化’同時與半導體晶片附接元件保持接觸，或者 ()另種半導fa裝置，其中之硬化層經接合使得紅合物| 層仍未硬化，但硬化層與半導體晶片附接㈣保持接觸， 且接著使組合物層硬化，同時與半導體晶片保持接觸。 使以錢為基質之黏著板與半導體晶片或晶片附接元件 接合《條件並沒有特別限制，但較好例如加熱至5〇至25吖 :進行，且更好加熱至100至啊下。壓著接合時間較好 ^至2小時。壓力並沒有特別限制，只要半導體晶片或 日9片附接元件不受損即可’但較好為0.3至2._Pa。 86646 -24- 1293191 尤其，依上述（iii)之半導體裝置，半導體晶片需為平滑表 面，因為矽酮硬化層與半導體晶片接合，且在上述接合條 件下，硬化之層需在似黏土之可硬化矽酮組合物未硬化之 條件下接合。似黏土之可硬化矽酮組合物層再與半導體晶 片附接元間接合，且晶片附接元件之表面較好為不規則。 隨後，可使組合物在上述接合條件下藉硬化接合。 依上述（iv)之半導體裝置，晶片附接元件需具有平滑表 面，因為矽酮硬化層係與半導體晶片附接元件接合，且依 上述接合條件，硬化層需在似黏土之可硬化矽酮組合物不 硬化之條件下硬化。似黏土之可硬化矽酮組合物層再與半 導體晶片接合，且晶片之表面具不規則性。隨後，可使組 合物在上述接合條件下藉硬化接合。 實例 實例中，黏度為25 °C之值。似黏土之可硬化矽酮組合物 之塑性數為藉由平行板塑性計（William’s Plastimeter)，依據 JIS K 6249之說明，施加49 土 0.05 N之負荷於樣品（圓柱型標 的（直徑：16毫米，高度：10毫米），體積為2土0.02 cm3) 3分 鐘之值。似黏土之可硬化矽酮組合物之硬化速度係以90% 硫化時間（tc(90))(在使用震盪硫化試驗機，如JIS K 6300之 說明般進行之硫化試驗中相同之溫度條件（例如130至150 °C)下測量。另外，硬化之矽酮物質之硬度係以A-類硬度試 驗機，如JIS K 6253之規格般測量。 參考例1 似黏土之矽酮橡膠組合物I之製備 以捏合混練機，藉由加熱及混合100重量份（重量平均分 86646 -25- 1293191 子量=370,000)之分子鏈二端以二甲基乙烯基矽氧基封端， 且包括99.85莫耳％二甲基矽氧烷單元及0.15莫耳％甲基乙 烯基矽氧烷單元之二甲基矽氧烷/甲基乙稀基矽氧烷共聚 物主橡膠、10.0重量份之分子鏈二端以矽烷醇基封端，且 黏度為60 mPa_s之二甲基矽氧烷寡聚物，及40重量份之發煙 氧化矽（AEROSIL 200⑧：由日本 Aerosil Co·, Ltd·製造；BET 比表面積：200 m2/g)產生矽酮橡膠基質。 隨後，使用二滾輪研磨機均勻的混合1〇〇重量份之矽酮橡 膠基質、0.8重量份之分子鏈二端以三甲基矽氧基封端，且 黏度為30 mPa»s之甲基氫聚矽氧烷（甲基氫矽氧烷中與矽接 合之氫原子量以分子鏈兩端以二甲基乙烯基矽氧基封端， 且含於上述矽酮橡膠基質之二甲基矽氧烷/甲基乙晞基矽 氧烷共聚物主橡膠中每莫耳之乙烯基為準為3.1莫耳），0.05 重量份之以下式表示之有機矽烷作為硬化起始劑， CH3Si[OC(CH3)2CECH]3 及1.0重量份之以下式平均單元式表示之有機矽氧烷作為 黏著促進劑 {(CH2=CH)CH3Si02/2}0.27(CH3〇1/2)0.35{CH2 - CHCH20(CH2)3Si03/2}〇 18 ((CH3)2SiOV2}0 \ / … 0 接著混合鉑之1，3-二乙婦基四甲基二矽氧烷錯合物之1，3-二乙烯基四甲基二矽氧烷溶液（本組合物中，錯合物中之鉑 金屬量為20 ppm(重量單位）），產生似黏土之矽酮橡膠組合 物⑴。 似黏土之可硬化碎酮組合物（I)之塑性數為240。似黏土之 86646 •26- 1293191 可硬化碎酮組合物（I)之硬化速度如JIS Κ 6300之說明，其 tc(90)在130°C下為2.5分鐘，且在150°C下為1分鐘。藉由硬 化獲得之矽酮橡膠硬度為60。 隨後，在分開之瓶中攪拌20重量份之似黏土之矽酮橡膠 組合物（I)及80重量份之甲苯，產生黏度為3,500 mPa*s之似 黏土矽酮橡膠組合物（I)之甲苯溶液。 參考例2-—似黏土矽酮橡膠組合物II之製備 以捏合混練機，藉由加熱及混合100重量份（重量平均分 子量=370,000)之分子鏈二端以二甲基乙烯基矽氧基封端， 且包括99.85菜耳％二甲基矽氧烷單元及0.15莫耳％甲基乙 烯基矽氧烷單元之二甲基矽氧烷/甲基乙烯基矽氧烷共聚 物主橡膠、10.0重量份之分子鏈二端以矽烷醇基封端，且 黏度為60 mPa，s之二曱基矽氧烷寡聚物，及40重量份之發煙 氧化矽（AEROSIL 200⑧：由日本 Aerosil Co·，Ltd·製造；BET 比表面積：200 m2/g)產生矽酮橡膠基質。 隨後，使用二滾輪研磨機均勻的混合100重量份之上述矽 酮橡膠基質、0.8重量份之分子鏈二端以三甲基矽氧基封 端，且黏度為30 mPa*s之甲基氫聚矽氧烷（甲基氫矽氧烷中 與矽接合之氫原子量以分子鏈兩端以二甲基乙烯基矽氧基 封端，且含於上述矽酮橡膠基質之二甲基矽氧烷/甲基乙烯 基矽氧烷共聚物主橡膠中每莫耳之乙烯基為準為3.1莫 耳），0.2重量份之以下式表示之有機矽烷作為硬化起始劑， CH3Si[OC(CH3 )2C 三 CH]3 及1.0重量份之以下式平均單元式表示之有機矽氧烷作為 86646 -27- 1293191 黏著促進劑 {(CH2=CH)CH3Si02/2}〇 27(CH3Ol/2)〇.35(CH2 - CHCH20(CH2)3Si〇3/2}〇.is{(CH3)2Si02/2}0.2〇 \ / 0 接著混合鉑之1，3-二乙稀基四甲基二矽氧烷錯合物之1，3-二乙婦基四甲基二矽氧燒溶液（本組合物中，錯合物中之鉑 金屬量為20 ppm(重量單位）），產生似黏土之碎@同橡膠組合 物（II)。 似黏土之矽酮組合物（II)之塑性數為240。似黏土之可硬 化矽酮組合物（II)之硬化速度如JISK 6300之說明，其te(90) 在130°C下為、40分鐘，且在150°C下為10分鐘。藉由硬化獲 得之矽酮橡膠硬度為60。 隨後，在分開之瓶中攪拌20重量份之上述似黏土之矽酮 橡膠組合物（II)及80重量份之甲苯，產生黏度為3,500 mPa-s 之似黏土矽酮橡膠組合物（II)之甲苯溶液。 參考例3似黏土矽酮橡膠組合物III之製備 以捏合混練機，藉由加熱及混合100重量份（重量平均分 子量=370,000)之分子鏈二端以二甲基乙烯基矽氧基封端， 且包括99.85莫耳％二甲基矽氧烷單元及0.1 5莫耳％甲基乙 烯基矽氧烷單元之二甲基矽氧烷/甲基乙烯基矽氧烷共聚 物主橡膠、10.0重量份之分子鏈二端以矽烷醇基封端，且 黏度為60 mPa_s之二甲基矽氧烷寡聚物，及40重量份之發煙 氧化矽（AEROSIL 200⑧：由日本Aerosil Co.，Ltd.製造；BET 比表面積·· 20()m2/g)產生矽酮橡膠基質。 隨後，使用二滾輪研磨機均勻的混合100重量份之矽酮橡 86646 -28 - 1293191 膠基質、0.8重量份之分子鏈二端以三甲基矽氧基封端，且 黏度為30 mPa.s之甲基氫聚矽氧烷（甲基氫矽氧烷中與矽接 合之氫原子量以分子鏈兩端以二甲基乙缔基矽氧基封端， 且含於上述碎酮橡膠基質之二甲基碎氧燒/甲基乙烯基碎 氧烷共聚物主橡膠中每莫耳之乙婦基為準為31莫耳），〇2 重量份之以下式表示之有機矽烷作為硬化起始劑， CH3Si[OC(CH3 )2C 三 CH]3 及1.0重量份之以下式平均單元式表示之有機矽氧烷作為 黏著促進劑 {(^2-^)0^35102/2)0.27(^30^2)0.35(¾ ~ CHCH20(CH2)3Si〇3/2}0 ^ ((CH3)2Si02/2}0 〇0 0 接著混合麵之1，3 -二乙婦基四甲基二碎氧燒錯合物之ι，％ 二乙烯基四甲基二矽氧燒溶液（本組合物中，錯合物中之銘 金屬量為20 ppm(重量單位）），產生似黏土之矽酮橡膠組合 物（III) 〇 似黏土之可硬化碎酮組合物（III)之塑性數為240。似黏土 之可硬化矽酮組合物（III)之硬化速度如JIS K 6300之說明， 其te(90)在130°C下為40分鐘，且在150°C下為1〇分鐘。藉由 硬化獲得之矽酮橡膠硬度為60。 隨後，在分開之瓶中攪拌20重量份之上述似黏土之梦酮 橡膠組合物（III)及80重量份之甲苯，產生黏度為3,500 mPa.s 之似黏土矽酮橡膠組合物（III)之甲苯溶液。 實例1 使用刮刀將參考例2中製備之似黏土矽酮橡膠組合物（π) 86646 -29- 1293191 之甲苯溶液以25微米之厚度塗佈於聚酯砜樹脂膜上，接著 在罜溫下吹乾2小時，且在15〇°C下加熱30分鐘製備與聚酯 颯樹脂膜穩固接合之厚度5微米之矽酮橡膠板。 ^後，使用刮刀將參考例2中製備之似黏土矽酮橡膠組合 物（II)之甲苯洛液以225微米之厚度塗佈於矽酮橡膠板上， 且在罜溫下吹乾2小時。吹乾矽酮橡膠板及似黏土矽酮橡膠 組合物層 < 總厚度為5〇微米。隨後，藉由橡膠滾筒使聚酯 石風树5曰膜與似黏土碎酮橡膠組合物層之表面穩固的接合， 且將矽酮橡膠層與圖2中所示之似黏土矽酮橡膠組合物層 積層，產生筹中聚酯砜樹脂膜與二表面穩固接合作為保護 膜之以矽酮為基質之黏著板。 又 將以矽酮為基質之黏著板一面切成1〇毫米正方形，剝離 與矽酮橡膠層穩固接合之聚酯颯樹脂膜，其一面上之矽晶 片見米在19〇 C及1.0 MPa下壓著接合1秒，剥離與似黏土 矽酮橡膠組合物層穩固接合之聚酯颯樹脂膜，使該層在190 C及1.0 MPa>壓著接合於由20微米不規則度之玻纖補強 環氧树脂製成之電路板之架線表面丨秒鐘，且使所得之板在 150 C下加熱60分鐘，使似黏土矽酮橡膠組合物硬化，製備 裝置。 測f裝置 < 總厚度，且藉由減掉矽晶片及由玻纖補強環 氧樹脂製成之板之厚度，測量晶片四角處之矽酮黏著層厚 度，據此矽酮黏著層之厚度經發現在所有情況下均為均勻 足48微米。將矽晶片向上拉起以確定黏性，且發現矽酮黏 著層之内聚力破壞，確定黏性滿意。 86646 -30- 1293191 隨後，將直㈣微米之金屬線藉*上述超音波熱壓接合 與上述裝置接合，產生圖4中所示之半導體裝置。使％片此 寺半導體裝置在-50°C下靜置30分鐘，接著立即進行在15〇 C下靜置3G分鐘為-循環之熱循環試驗，且估算上述裝置 之導電部分缺陷。結果列於表1中。 實例2 使用刮刀將參考例1中製備之似黏切酮橡膠组合物⑴ 之甲苯溶液以50微米之厚度塗佈於與上述μ之聚酿諷樹 月曰膜上’且在室溫下吹乾2小時。烘乾後似黏土碎酮橡膠组 合物⑴層之辱度為5微米。 使用刮刀將參考例2中製備之似黏土矽酮橡膠组合物（ιι) 之甲苯溶液以225微米之厚度塗伟於與上述不同之聚酿職 樹脂膜上，且在室溫下吹乾2小時。烘乾後似黏土矽酮橡膠 組合物（II)層之厚度為45微米。 隨後，將似黏土矽酮橡膠組合物⑴層與似黏土矽酮橡膠 組合物（II)層積層在一起，產生圖1中所示以矽酮為基質之 黏著板，該板包括二層似黏土之矽酮橡膠組合物及與二表 面接合之聚酯颯樹脂膜。 將以矽酮為基質之黏著板一面切成1〇毫米正方形，剥離 與似黏土之矽酮橡膠組合物⑴層穩固接合之聚酯砜樹脂 膜，其一面上之矽晶片10毫米在15(rc及〗〇 Mpa下壓著接 口 2分鐘，使似黏土矽酮橡膠組合物⑴層硬化，接著剝離與 似黏土矽酮橡膠組合物（11)層穩固接合之聚酯颯樹脂膜，使 該層在19(TC及1.0 MPa下壓著接合於由2〇微米不規則度之 86646 -31- 1293191 破纖補強環氧樹脂製成之電路板之架線表面】秒鐘，且使所 得之板W5(TC.下加熱6〇分鐘，使似黏切酮橡膠组合物硬 化，製備裝置。 測量裝置之總厚度，且藉由減掉晶片及由玻纖補強環氧 樹脂製成之板之厚度測量晶片四角處切哪著層厚度， 據此矽酮黏著層之厚度經發現在所有情況下均為均勻之Μ 微米。將矽晶片向上拉起以確定黏性，且發現矽酮黏著層 之内聚力破壞，確定黏性滿意。 隨後，將直徑30微米之金屬線藉由上述超音波熱壓接合 與上述裝置镑合，產生圖4中所示之半導體裝置。使3〇片此 等半導體裝置在-5(TC下靜置30分鐘，接著立即進行在15〇 C下靜置30分鐘為一循環之熱循環試驗，且估算上述裝置 之導電部分缺陷。結果列於表1中。 實例3 藉由在130°C下使實例2中製備之以矽酮為基質之黏著板 加熱10分鐘，僅使似黏土矽酮橡膠組合物⑴層硬化，產生 圖2中所示以矽酮為基質之黏著，其中矽酮橡膠層及似黏土 矽酮橡膠組合物（Π)積層在一起，且聚酯颯樹脂膜與二表面 穩固的接合作為保護膜。 將以矽酮為基質之黏著板一面切成1〇毫米正方形，剥離 與矽酮橡膠層穩固接合之聚酯砜樹脂膜，其一面上之矽晶 片10毫米在19CTC及1·〇 MPa之壓力下壓著接合1秒鐘，接著 剥離與似黏土矽酮橡膠組合物（11)層穩固接合之聚酯颯樹 脂膜’使該層在19〇。(：及1 〇 MPa之壓力下壓著接合於由2〇 86646 -32- 1293191 微米不規則度之玻纖補強環氧樹脂製成之電路板之架線表 面1秒鐘，且使所得之板在15〇°C下加熱60分鐘，使似黏土 碎酉同橡膠組合物（II)硬化，製備裝置。 測量裝置之總厚度，且藉由減掉晶片及由玻纖補強環氧 樹脂製成之板之厚度測量晶片四角處之矽酮黏著層厚度， 據此矽酮黏著層之厚度經發現在所有情況下均為均勻之48 微米。將矽晶片向上拉起以確定黏性，且發現矽酮黏著層 之内聚力破壞，確定黏性滿意。 隨後，將直挺30微米之金屬線藉由上述超音波熱壓接合 與上述裝置锋合，產生圖4中所示之半導體裝置。使3〇片此 等半導體裝置在-5(TC下靜置30分鐘，接著立即進行在15〇 C下靜置30分鐘為一循環之熱循環試驗，且估算上述裝置 之導電部分缺陷。結果列於表1中。 實例4 使用紗布，將鉑金屬含量為5〇〇 ppm(重量單位）之鉑η,% 一乙缔基四甲基二矽氧烷錯合物之甲苯溶液以5〇微米厚度 塗覆在聚酯砜樹之膜之上，且在室溫下靜置2小時且吹乾。 、使用到刀將參考例2中製備之似黏土碎酮橡膠組合物（η) 之甲苯/谷液以250微米之厚度塗佈於聚酯砜樹之膜上，且在 、下人乾2小時。烘乾後似黏土梦酮橡膠組合物（I〗)層之 厚度為50微米。
Ik後將似黏土矽酮橡膠組合物（Π)層及塗覆鉑之〗，3_二 ^婦基四甲基二碎氧燒錯合物之表面積層在-起，產生聚 Μ ^膜Μ 一表面穩固接合之包括似黏土珍嗣橡膠組合 86646 -33 - 1293191 物之似黏土以矽酮為基質之黏著板，接著藉由在13(rc下加 熱1 〇分鐘，僅使與鉑之1二乙烯基四甲基二矽氧烷錯合物 接觸之似黏土矽酮橡膠組合物（η)層之表面硬化，且將矽酮 橡膠層及似黏土矽酮橡膠組合物層積層在一起，產生聚酯 砜樹脂膜與二表面穩固接合作為保護膜之似黏土以矽酮為 基質心黏著板。矽酮層在似黏土層面上維持約3〇微米之厚 度。 將似黏土之以矽酮為基質之黏著板一面切成1〇毫米正方 形’剝離與矽酮橡膠層穩固接合之聚酯砜樹脂膜，其一面 上之矽晶片1、0毫米在19〇。(：及1 〇 MPa之壓力下壓著接合J 秒鐘，接著剥離與似黏土矽酮橡膠組合物（11)層穩固接合之 聚酯颯樹脂膜，使該層在19〇。〇：及1 〇 MPai壓力下壓著接 合於由20微米不規則度之玻纖補強環氧樹脂製成之電路板 之架線表面1秒鐘，且使所得之板在15(rc下加熱6〇分鐘， 使似黏土矽酮橡膠組合物（π)硬化，製備裝置。 測里裝置 < 總厚度，且藉由減掉晶片及由玻纖補強環氧 樹脂製成尤板之厚度測量晶片四角處之矽酮黏著層厚度， 據此矽酮黏著層之厚度經發現在所有情況下均為均勻之48 微米。將矽晶片向上拉起以確定黏性，且發現矽酮黏著層 之内聚力破壞，確定黏性滿意。 隨後，將直徑30微米之金屬線藉由上述超音波熱壓接合 與上述裝置接合，產生半導體裝置。使3〇片此等半導體裝 置在-50°C下靜置30分鐘，接著立即進行在i5〇ct下靜置％ 分鐘為一循％ <熱循環試驗，且估算導電缺陷之裝置數 86646 -34- 1293191 量。結果列於表1中。 實例5 使用紗布，將含以下式平均單元式表示之有機聚矽氧烷 (與矽鍵結之氫原子量=0.97 wt%)之曱苯溶液（固成分：10 wt%) [(CH3)2HSiO]〇.6(Si02)〇.4 以50微米之厚度塗佈於聚酯颯樹脂膜上，且在室溫下靜置2 小時且吹乾。 使用刮刀將參考例2中製備之似黏土矽酮橡膠組合物（II) 之甲苯溶液0 250微米之厚度塗佈於聚酯砜樹脂膜上，且在 室溫下吹乾2小時。烘乾後似黏土矽酮橡膠組合物（II)層之 厚度為50微米。 隨後，將似黏土矽酮橡膠組合物（II)層及塗覆以下式平均 單元式表示之有機聚矽氧烷之表面積層在一起 [(CH3)2HSiO1/2]06(SiO2)04 獲得聚酯颯樹脂膜與二表面穩固接合之包括似黏土矽酮橡 膠組合物之以矽酮為基質之黏著板，接著藉由在130°C下加 熱10分鐘，僅使與以下列平均單元式表示之有機聚矽氧烷 接觸之似黏土矽酮橡膠組合物（II)層之表面硬化， [(CH3)2HSiO1/2]06(SiO2)04 且如圖2所示，將矽酮橡膠層與似黏土矽酮橡膠組合物層積 層在一起，產生聚酯砜樹脂膜與二表面穩固接合作為保護 膜之似黏土以矽酮為基質之黏著板。矽酮層在似黏土層面 上維持約30微米之厚度。 86646 -35- 1293191 將似黏土之以矽酮為基質之黏著板一面切成10毫米正方 形，剥離與矽酮橡膠層穩固接合之聚酯砜樹脂膜，其一面 上之秒晶片10毫米在190 °C及1.0 mPa之壓力下壓著接合1秒 鐘，接著剝離與似黏土矽酮橡膠組合物（II)層穩固接合之聚 酯砜樹脂膜，使該層在190°c及1.0 mPa之壓力下壓著接合於 由20微米不規則度之玻纖補強環氧樹脂製成之電路板之架 線表面1秒鐘，且使所得之板在l50°c下加熱6〇分鐘，使似 黏土矽酮橡膠組合物（II)硬化，製備裝置。 測量裝置之總厚度，且藉由減掉晶片及由玻纖補強環氧 樹脂製成之板之厚度測量晶片四角處之矽酮黏著層厚度， 據此碎_黏著層之厚度經發現在所有情況下均為均勻之48 微米。將矽晶片向上拉起以確定黏性，且發現矽酮黏著層 之内聚力破壞，確定黏性滿意。 隨後’將直徑30微米之金屬線藉由上述超音波熱壓接合 與上述裝置接合，產生半導體裝置。使3〇片此等半導體裝 置在-5 0C下靜置30分鐘，接著立即進行在15〇。〇下靜置3〇 分鐘為一循環之熱循環試驗，且估算導電缺陷之裝置數 1。結果列於表1中。 實例6 剥離以珍S同為基質之黏著板（其中似黏土矽酮橡膠組合 物（I)層及及似黏土矽酮橡膠組合物（11)層係積層在一起，且 保4膜與二表面穩固接合）之實例2製備之似黏土矽酮橡膠 、、且a物（I)上之保護膜，且在切割前使用橡膠滾筒與4-吋晶 圓穩固的接合。隨後，在13〇°c下加熱ίο分鐘，且僅使似黏 86646 -36- 1293191 土碎酮橡膠組合物⑴硬化。 ^後’使厚度90微米之黏著板積層於與以秒酉同為基質之 黏著板（其本身與梦晶圓接合）穩固接合之保護膜上，且使用 Dlsco公司製造之切刻蘇_ 34〇，在其一面上切割毫米 正方形。將黏著板之下表面切掉，留下60微米。 當使用黏著板黏取㈣之半導體晶片時，保護膜仍留在 黏著版面上。該裝置係藉由將與半導體晶片接合之以矽酮 為基質之黏著板在室溫及丨.0 MPa之壓力下壓著接合於具 有20微米不規則度之由玻纖補強環氧樹脂製成之電路板架| 線表面1秒鐘，且使產物在15〇〇c下再加熱6〇分鐘，使似黏 土矽酮橡膠組合物層硬化。 測里裝置之總厚度，且藉由減掉晶片及由玻纖補強環氧 树脂製成之板之厚度測量晶片四角處之矽酮黏著層厚度， 據此矽酮黏著層之厚度經發現在所有情況下均為均勻之48 极米。將矽晶片向上拉起以確定黏性，且發現矽酮黏著層 之内聚力破壞，確定黏性滿意。 隨後，將直徑30微米之金屬線藉由超音波熱壓接合與上H 述裝置接合，產生圖4中所示半導體裝置。使30片此等半導 ， 體裝置在50°C下靜置30分鐘，接著立即進行在150°C下靜置 30分鐘為一循環之熱循環試驗，且估算導電缺陷之裝置數 量。結果列於表1中。 比較例1 使72重量份之分子鏈兩端以二甲基乙烯基矽氧基封端 (乙烯基含量=0.08 wt%)，且黏度為40,000 mPa.s之二甲基聚 86646 •37- 1293191 矽氧烷、15重量份之分子鏈兩端以二甲基乙烯基矽氧基封 端（乙缔基含量=0.84 wt%)，且黏度為6,000 mPa.s之二甲基 矽氧烷/甲基乙婦基矽氧烷共聚物、1.5重量份之水、3重量 份之六甲基二矽胺烷及1〇重量份之發煙氧化矽（AEr〇SIL 200⑧：由曰本 Aerosil Co·，Ltd.製造；BET 比表面積 200 m2/g) 在室溫下以Ross混練機混合1小時，接著在減壓及170°C下 加熱及混合2小時。產物冷卻至室溫，獲得半透明糊狀矽酮 橡膠基質。 隨後’使100重量份之上述矽酮橡膠混合物、3重量份之 分子鏈二端Θ三甲基矽氧基封端，且黏度為5 mPa.s之二甲 基碎氧燒/甲基氫矽氧烷共聚物（與矽接合之氫含量=〇 7 wt0/〇)(分子鏈二端以三甲基矽氧基封端之二甲基矽氧烷/甲 基氫碎氧燒共聚物中與矽接合之氫原子量以分子鏈兩端以 二甲基乙埽基秒烷基封端之二甲基聚矽氧烷及分子鏈兩端 以二甲基乙婦基矽氧基封端之二甲基矽氧烷/甲基乙婦基 碎氧燒中之每莫耳乙烯基為準為3〇莫耳）、〇〇1重量份之％ 苯基-1-丁玦-3-醇作為起始劑及1〇重量份之下式平均單元 式之有機聚矽氧烷作為黏著促進劑均勻的混合， ((CH2 CH) CHnS 1〇:/2) 〇 ：? (ch30i/:)0 3r, (CH^ CHCH:0 (CH〇) 3SiO<v:) 0 I8 {(CHn) :Si02/:) 〇. ：〇 〇 接著混入銘之1，3-二乙烯基四甲基二矽氧烷錯合物（本組合 物中’錯合物中之鉑金屬量為5 ppm(重量單位乃之〗，％二乙 缔基四甲基二秒氧烷溶液，產生黏度為70,000 mPa.s之矽酮 橡膠組合物（IV)。 86646 -38- 1293191 將矽酮橡膠組合物夾在厚度50微米之聚酯颯樹脂膜間， 接著在80°c之對流烘箱中加熱30分鐘硬化，且藉由二可調 整間隙之不銹鋼滚筒使上述矽酮橡膠組合物之厚度維持在 50微米，因此獲得矽酮為主之黏著板。 將以矽酮為基質之黏著板一面切成10毫米正方形，剝離 一板之聚酯颯樹脂膜，其一面上之矽晶片10毫米在190°C及 1.0 MPa之壓力下壓著接合1秒鐘，接著剝離另一面之聚酯 砜樹脂膜，使該層在190°C及1.0 MPa之壓力下壓著接合於 由20微米不規則度之玻纖補強環氧樹脂製成之電路板之架 線表面1秒鐘，且使所得之板在15〇°c下加熱60分鐘，製成 裝置。該裝置中，向上拉起矽晶片以確定黏性之結果，矽 酮黏著層之表面及由玻纖補強之環氧樹脂製成之電路板架 線表面會剝離。因此，線路之接合無法用於上述裝置。 實例7 使用刮刀，將參考例3之似黏土矽酮橡膠組合物（m)之甲 苯溶液以25微米之厚度塗佈於聚酯砜樹脂膜上，接著在室 溫下吹乾2小時，且在150°C下使似黏土之矽酮橡膠組合物 (ΙΠ)硬化，製備厚度5微米之緊密接合於聚酯颯樹脂膜之矽 酮橡膠板。 隨後’使用刮刀將參考例3製備之似黏土矽酮橡膠組合物 (III)之甲苯溶液以225微米之厚度塗佈於矽酮橡膠板上，且 在室溫下吹乾2小時。吹乾之矽酮橡膠板及似黏土矽酮橡膠 組合物層之總厚度為50微米。隨後，使聚酯颯樹脂膜與似 黏土矽酮橡膠組合物之表面藉由橡膠滾筒最終接合，且使 86646 -39- 1293191 圖2中所示之矽酮橡膠層與似黏土之矽酮橡膠組合物層積 層’獲得聚酯颯樹脂膜與二表面穩固接合作為保護膜之以 矽酮為主之黏著板（L)。 同時，以R〇ss(\%練機，使31重量份之分子鏈二端以二甲 基乙缔基矽氧基封端（乙缔基含量=〇 23 wt% ; 200 °C下之蒸 氣壓^10 mmHg之低分子量矽氧烷含量=〇 〇i wt%)，且黏度 為2,200 mPa.s之二甲基聚矽氧烷、56重量份之黏度7〇〇() mPa.s且由65 wt%分子鏈二端以二甲基乙烯基矽氧基（乙埽 基含量=0.23 wt%)封端，且黏度為2,000 mPa.s之二甲基聚碎 氧燒及35 wt%之由（CH2=CH)(CH3)2Si〇i/2單元及Si02單元組 成之有機聚矽氧燒樹脂（乙婦基含量=2.5 wt%)及13重量份 之無煙氧化碎（AEROSIL 200⑧；由 Japan Aerosil Co·，Ltd.製 造，BET比表面積為200 m2/g)混合，接著在減壓及17(rc下 加熱且混合2小時。產物冷卻至室溫，獲得半透明糊狀矽酮 橡膠基質。 隨後’使100重量份之上述矽酮橡膠基質、6重量份之分 子鍵二端以三甲基矽氧基封端，且黏度為5 mPa.s之二甲基 碎氧燒/曱基氫矽氧烷共聚物（與矽接合之氫含量=〇 7 wt%)(分子鏈二端以三甲基矽氧基封端之二甲基矽氧烷/甲 基氮碎氧燒共聚物中與矽接合之氫原子量以分子鏈兩端以 二甲基乙埽基矽烷基封端之二甲基聚矽氧烷及分子鏈兩端 以一甲基乙缔基矽氧基封端之二甲基矽氧烷/甲基乙烯基 秒氧燒中之每莫耳乙晞基為準為1.8莫耳）、1.0重量份之下 式平均單元式表示之有機聚矽氧烷作為黏著促進劑、及〇.5 86646 -40· 1293191 重量份之下式表示之碎拉卓（silatran)作為黏著促進劑均勾 的混合， {(CH2-CH)CH3Si02/2}。- CHCH20(CH2)3Si03/。}。|8 \ / 0
(CH3〇)3SiOH2CH2CH2〇CH
CH2〇CH2CH2CH2Si(〇CH3)3 接著混入鉑之1，3·二乙婦基四甲基二碎氧燒錯合物（本組合 物中，錯合_中之鉑金屬量為5 ppm(重量單位））之1，3-二乙 烯基四甲基二矽氧烷溶液，產生黏度為70,000 mPa，s之矽酮 橡膠組合物（V)。 將矽酮橡膠組合物（V)夾在膜之表面上具有2微米聚酯砜 樹脂層之50微米厚聚對酞酸乙二酯與膜之表面具有2微米 厚乙酸酯纖維素樹脂層之50微米厚聚對酞酸乙二酯樹脂膜 間，接著在803C之對流烘箱中加熱30分鐘硬化，且藉由二 可調整間隙之不銹鋼滚筒使上述矽酮橡膠組合物之厚度維 持在30微米，因此獲得矽酮為主之黏著板（M)。 剝離以矽酮為基質之黏著板（L)之矽酮橡膠層上之保護 膜，且在切割前使用橡膠滚筒穩固的與4-吋矽晶圓接合。 接著，產物在l〇〇°C下加熱30分鐘，且僅接合矽酮橡膠層及 矽晶圓。隨後，使厚度90微米之黏著板及與以矽酮為基質 之黏著板（L)(本身接合於矽晶圓上）穩固接合之保護膜積 層，且使用Disco公司製造之切割鋸DAD 340，在產物之一 86646 -41- 1293191 面上切割1〇毫米正方形。將黏著板之下表面切掉留下的 微米。 當使用黏著板黏取切割之半導體晶片時，保護膜仍留在 黏著版面上。該裝置係藉由將與半導體晶片接合之以㈣ 為基質之黏著板在室溫及！·〇 MPa<壓力下壓著接合於具 有20微米不規則度之由玻纖補強環氧樹脂製成之電路板架 線表面1秒鐘，且使產物在15(rc下再加熱6〇分鐘，使似黏 土碎酮橡膠組合物層硬化。 測量裝置之總厚度，且藉由減掉晶片及由玻纖補強環氧 树月曰製成之根之厚度測量晶片四角處之碎酮黏著層厚度， 據此矽酮黏著層之厚度經發現在所有情況下均為均勻之48 微米。將矽晶片向上拉起以確定黏性，且發現矽酮黏著層 之内聚力破壞，確定黏性滿意。 剝離以矽酮橡膠為主之黏著板“之矽酮橡膠層上之保護 膜（膜之表面上具有乙酸酯纖維素樹脂層之聚乙埽對苯二 酸酯樹脂膜），且在切割前使用橡膠滾筒穩固的接合在4吋 晶圓上。隨後，使產物在100°C下加熱30分鐘，且僅接合矽 酮橡膠層及矽酮晶圓。使厚度90微米之黏著板及與以矽酮 橡膠為主之黏著板本身接合於矽晶圓上）穩固接合之 保護膜積層’且使用Disco公司製造之切割鋸DAD 340，在 產物之一面上切割5毫米正方形。將黏著板之下表面切掉， 留下60微米。 當使用黏著板黏取切割之半導體晶片時，保護膜仍留在 黏著板面上。該裝置係藉由將與半導體晶片接合之以矽酮 86646 -42- 1293191 為基質之黏著板（Μ)在室溫及1.0 MPa之壓力下，與以由玻 纖補強環氧樹脂製成之電路板架線表面上之以矽酮為基質 <黏著板（L)接合之該半導體晶圓壓著接合1秒鐘之方法製 備’且使產物在150°c下再加熱60分鐘。 隨後，將直徑30微米之金屬線藉由超音波熱壓接合與上 逑裝置接合，產生圖5中所示半導體裝置。使3〇片此等半導 把裝置在-50 C下靜置30分鐘，接著立即進行在15〇它下靜 置30分鐘為一循環之熱循環試驗，且估算上述裝置之導電 部份缺陷。結果列於表1中。 表1 段 項目 實 例 1 2 3 4 5 6 7 聚導電缺 陷之零件 (%) 100次循環 0 0 0 0 0 0 0 500次循環 0 0 0 0 0 0 0 1000次循環 0 0 0 0 0 0 0 工業應用 本發明之以矽酮為基質之黏著板特徵為可滿意的與平滑 基質及表面具不規則度之基質接合，且可使結合層之厚度 均勻。尤其，本發明以矽酮為基質之黏著板適用於接合至 少一表面具有不規則度之半導體晶片及晶片附接元件。本 發明接合半導體晶片及晶片附接元件之方法特徵為即使其 至少一表面具有不規則度，仍可滿意的接合半導體晶片及 晶片附接元件。本發明半導體裝置之特徵為即使至少—表 面具有不規則度，仍可極可靠的滿意接合半導體晶片及晶 片附接元件。 86646 -43- 1293191 【圖式簡單說明】 圖1為實例2中之本發明以矽酮為基質之黏著板剖面圖。 圖2為實例1及實例3至5中之本發明以矽酮為基質之黏著 板剖面圖。 圖3為與本發明接合半導體晶片與晶片附接元件之方法 有關之實例6中部分切割晶圓之剖面圖。 圖4為實例1至6中之本發明半導體裝置之剖面圖。 圖5為實例7之本發明半導體裝置之剖面圖。 【圖式代表符號說明】 1，2,6，11 似黏土可硬化碎酮組合物 3, 4, 7, 8, 12 保護膜 5, 10, 15, 16 矽酮硬化層 9 晶圓 13 黏著板 14 半導體晶片 17 半導體晶片附接元件 18 接合架線 19 以矽酮橡膠為基質之黏著劑層 86646 44-

Claims (1)

1293孝判119248號專利申請案 中文申請專利範圍替換本(90年5月）~ 拾、申請專利範園： ft年Γ月f日修(更}正替換頁 -------- --|Γ I I -Hi ______ 1· 一種以矽酮為基質之黏著板，包括在該板一面上之第一 層似黏土可硬化矽酮組合物，及在該板另一面上之第二 層較第一層慢硬化之似黏土矽酮組合物。 2.如申請專利範圍第i項之以矽酮為基質之黏著板，其中該 等似黏土可硬化矽酮組合物之塑性數如JIS κ 6249之規格 為 100至 800。 3·如申請專利範圍第1項之以矽酮為基質之黏著板，其中該 等似黏土可硬化矽酮組合物為可氫矽烷化硬化之矽酮組 合物。 4·如申請專利範圍第3項之以矽酮為基質之黏著板，其中該 可氳矽烷化硬化之矽酮組合物為包括（Α)每一分子具有至 少二個缔基之有機聚矽氧烷；（Β)填料；（〇每一分子具有 至少二個與矽接合之氫原予之有機聚矽氧烷；（D)黏著促 進劑，及（Ε)氫矽燒化觸媒之可硬化矽酮組合物。 5·如申請專利範圍第1項之以矽酮為基質之黏著板，尚包括 在以矽酮為基質之黏著板至少一面上之保護膜。 6· 一種以矽酮為基質之黏著板，包括在該板之一面上之硬 化矽酮層，且在該板另一面上具有一層似黏土可硬化矽 酉同組合物。 7·如申請專利範圍第6項之以矽酮為基質之黏著板，其中該 似黏土可硬化矽酮組合物之塑性數如ns κ 6249之規格為 ⑽至800。 8·如申請專利範圍第6項之以矽酮為基質之黏著板，其中該 86646-960530.doc !293191 月尸日修(£)正替換i| 似黏土可硬化矽—可^一歹及^匕硬化之矽酮組合 物。 9.如申請專利範圍第8項之以矽酮為基質之黏著板，其中該 可氳矽烷化硬化之矽酮組合物包括（A)每一分子具有至少 二個埽基之有機聚矽氧烷；（B)填料；（(：)每一分子具有至 少二個與矽接合之氫原子之有機聚矽氧烷；（D)黏著促進 劑；及（E)氫矽烷化觸媒。 1〇·如申請專利範圍第6項之以矽酮為基質之黏著板，尚具有 在以砍酮為基質之黏著板至少一面上之保護膜。 11 · 一種使半導體晶片與晶片附接元件接合之方法，包括之 步驟為： U)藉由將包括與晶圓接合之硬化矽酮層、一層穩固的 接合於硬化矽酮層之似黏土狀可硬化矽酮組合物、穩固 的與該似黏土可硬化矽酮組合物層接合之保護膜及黏著 性的附接於薄膜上之板之積層體切成小方塊，製造半導 體晶片； (2) 自該晶片剝離該保護膜及該板； (3) 經由該似黏土可硬化矽酮組合物層，藉由壓著該半 導體晶片與該晶片附接元件，接合半導體晶片與晶片附 接元件；及 (4) 使該似黏土可硬化矽酮組合物層硬化。 12·如申請專利範圍第11項之方法，其中硬化之矽酮層及與 硬化梦酮層穩固接合之似黏土可硬化矽酮組合物係藉由 將第一層似黏土可硬化矽酮組合物⑴塗佈於晶圓上，塗 86646-960530.doc 1293191 佈第二層具有比第一層慢硬化之速率之似黏土可硬化碎酮 組合物（II)，且使第一層硬化，得使組合物（11)層免於硬化。 3 ·如申睛專利範圍第12項之方法，其中該等似黏土可硬化 珍酉同組合物⑴及（II)之塑性數如jIS K 6249之規格為1〇〇 至 8〇〇。 I4·如申請專利範圍第12項之方法，其中該等似黏土可硬化 碎_組合物（I)為可氫矽烷化硬化之矽酮組合物。 15·如申請專利範圍第14項之方法，其中該可氫矽烷化硬化 之矽酮組合物為包括至少（A)每一分子具有至少二個烯基 之有機聚矽氧烷，·（B)填料；（C)每一分子具有至少二個與 矽接合之氫原子之有機聚矽氧烷；（D)黏著促進劑，·及（e) 氫珍燒化觸媒之可硬化矽酮組合物。 16.:種製造包括半導體晶片、以矽酮為基質之黏著板、及 半導體晶片附接元件之半導體裝置之方法，其中該方法 包括： )Ik在其面上具有第一層似黏土可硬化碎嗣組合 ()另面上具有第二層比該第一層組合物⑴較慢硬 化《似黏土可硬化矽酮組合物(π)之以矽酮為基質之黏 )使該第一層組合物（I)硬化，得使該第 接觸'化I同時使該第一層組合物⑴與半導體晶片㈣ =接::吏該第二層组合物(11)硬化，同時與半㈣ 片附接7C件保持接觸。 17· —種製造包括半導贿日 牛導眼时片、以矽酮為基質之黏著板、万 86646-960530.doc 1293191 r^ 机^月押修(吏)正替換頁 半導體晶片附接亓杜、 疋件又半導體裝置之方法，其中該方法 包括： a)製造在 、 街上具有第一層似黏土可硬化碎酮組合 物（I)且另一面上且古楚 、 两上具有罘二層比該第一層組合物⑴較慢硬 化之似黏土可廊彳卜a Λ 更化碎酮組合物（π)之以矽酮為基質之黏 著板，及 )使乂第層組合物（I)硬化，得使該第二層組合物（II) 仍未硬化，同時使該第一層組合物（I)與半導體晶片附接 元件保持接觸，接著使該第二層組合物（II)硬化，同時與 半導體晶片保持接觸。 18·如申請專利範園第16或17項之方法，其中該等似黏土可 硬化矽酮組合物之塑性數如JIS κ 6249之規格為100至 800 〇 19·如申請專利範園第16或17項之方法，其中該等似黏土可 硬化珍網組合物為可氫矽烷化硬化之組合物。 2〇·如申叩專利範園第丨9項之方法，其中該可氫矽烷化硬化 之矽酮組合物為包括至少（A)每一分子具有至少二個烯基 之有機聚碎氧烷；（B)填料；（c)每一分子具有至少二個與 珍接合之氫原子之有機聚矽氧烷；（D)黏著促進劑；及（E) 氫碎燒化觸媒之可硬化矽酮組合物。 21· 一種製造包括半導體晶片、以矽酮為基質之黏著板、及 半導體晶片附接元件之半導體裝置之方法，其中以矽酮 為基質之黏著板包括在其一面上之硬化矽酮層及在另一 面上之似黏土可硬化矽酮組合物，其中該方法包括： 86646-960530.doc -4- 1293191 修(更)正替換頁 a) 接合Μ硬化之矽酮層，使得似黏土可硬化矽酮組合 物仍未硬化，但使該硬化之矽酮層與半導體晶片保持接 觸，且接著 b) 使孩層似黏土可硬化矽酮組合物硬化，同時使該層 似黏土可硬化矽酮組合物與半導體晶片附接元件保持接 觸。 22·、種製造包括半導體晶片、以矽酮為基質之黏著板、及 半導體晶片附接元件之半導體裝置之方法，其中以矽酮 為基質之黏著板包括在其一面上之硬化矽酮層及在另一 面上之似黏土可硬化矽酮組合物，其中該方法包括： a) 接合該硬化之矽酮層，使得似黏土可硬化矽酮組合 物仍未硬化，但使該硬化之矽酮層與半導體晶片附接元 件保持接觸，且接著 b) 使表層似黏土可硬化碎酮組合物硬化，同時使該声 似黏土可硬化矽酮組合物與該半導體晶片保持接觸。 23·如申請專利範圍第21或22項之方法，其中該似黏土可硬 化矽酮組合物之塑性數如JISK 6249之規格為1〇〇至8〇()。 24. 如申請專利範圍第21或22項之方法，其中該似黏土可硬 化矽酮組合物為可氫矽烷化硬化之組合物。 25. 如申請專利範圍第24項之方法，其中該可氫矽烷化硬化 之矽酮組合物包括（A)每一分子具有至少二個缔基之有機 聚矽氧烷；（B)填料；（C)每一分子具有至少二個與矽接合 之氫原子之有機聚矽氧烷；（D)黏著促進劑；及（E)氫矽烷 化觸媒。 86646-960530.doc 5-
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