TWI292854B - Method for removing resist pattern - Google Patents

Description

1292854 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種去除化學擴大正型光阻組成物的方 法。 本申請案係申請2003年12月12日提出的日本專利 申請案2003 -4 1 5 1 26號之優先權，其揭示倂於本文供參考

【先前技術】 (1)根據日本專利第一份公告編號Hei 6-148889、 曰本專利第一份公告編號Hei 6-230574、PCT申請之公告 日本轉移編號2002-5295 5 2及日本專利申請與第一份公告 編號200 0-292927之揭示，有多種正型光阻組成物在文中 提出並實際使用。

(2 )根據用於改良光阻圖案的耐熱性之方法，經提 出稱爲後期烘烤紫外光固化光阻圖案之熱處理方法。 (3 ) —個包括使用負型光阻組成物之形成具有高耐 熱性的光阻圖案之試驗。 (4 )經報導多種具有高耐熱性的正型光阻組成物。 例如，含鹼性可溶性樹脂例如聚羥基苯乙烯系樹脂或 酚醛淸漆樹脂、在兩端都有乙烯鍵的化合物及光酸產生劑 之組成物，比傳統i -線酚醛淸漆基質的樹脂便宜且也是 一種具有高耐熱性、高敏性及高解析度的樹脂。 (5 )已知一種含鹼性可溶性樹脂例如聚羥基苯乙烯 -5- 1292854 '(2y 系樹脂或酚醛樹脂及下列通式（I )代表_的化合物、及光 酸產生劑之組成物。 但是，在（1 )之情形下，正型光阻組成物在在未經 暴露部份（樹脂圖案）之耐熱性不良且很難應用在需要高 耐熱性之領域。 在（2 )之情形下，經由熱處理改良的光阻圖案具有 高耐熱性，但是，在用含傳統有機溶劑之去除劑處理之情 形下，其變成很難將光阻圖案去除，且因此光阻圖案必須 在非常嚴苛情形下經由灰化處理去除。 在（3 )之情形下，與正型光阻組成物比較，負型光 阻組成物之敏性及解析度不良，且需要進行灰化處理以便 去除光阻圖案，且因此造成問題例如處理工作複雜化、高 生產成本及基板上的高負荷。 在（4 )及（5 )之情形下，雖然可以形成具有非常高 耐熱性的光阻圖案，類似於（2 )及（3 )之情形，光阻圖 案必須在非常嚴苛情形下去除。 因此’有需要發展可以形成具有極佳耐熱性的光阻圖 案之方法’與使用具有極佳光阻特徵之正型光阻組成物無 關並可在簡單方法下去除具有極佳耐熱性之光阻圖案。 【發明內容】 據此’本發明之目的是提供一種可以去除具有耐熱性 的化學擴大正型光阻組成物的技術。 本案硏究者經深入硏究並發現上述目的可以經由下列 -6- 1292854 (3). 解決方法達成，並因此完成本發明。 本發明之第一個方面是針對一種去除光阻圖案之方法 ’其包括使用化學擴大正型光阻組成物在基板上形成光阻 圖案之光阻圖案形成步驟及使用溶劑從基板去除光阻圖案 之去除步驟， 經由將（A )在側鏈含羥基的鹼性溶解樹脂、（B ) 光酸產生劑及（C )下列通式（I )代表的化合物： H2C = CH-0-R1-〇.CH = CH2 (I) 其中R1代表可有一個取代基之含1至10個碳原子之 伸烷基或下列通式（II)代表的基：

(其中R4代表可有一個取代基之含1至1 0個碳原子之伸 烷基，且m代表0或1 )溶解在有機溶劑製備之組成物作 爲化學擴大正型光阻組成物使用， 該方法還包括在光阻圖案形成步騾及去除步驟之間， 在150至400 °C之溫度熱處理形成光阻圖案的基板之熱處 理步驟。 本發明之第二個方面是針對一種去除光阻圖案之方法 ，其包括使用化學擴大正型光阻組成物在基板上形成光阻 圖案之光阻圖案形成步驟及使用溶劑從基板去除光阻圖案 之去除步驟， 經由將（a )成份（A )及成份（C )之反應產物及（ B )光酸產生劑溶解在有機溶劑製備之組成物作爲化學擴 -7- (4)， 1292854 大正型光阻組成物使用，該方法還包括在光阻圖案 驟及去除步驟之間，在1 5 〇至4 〇 〇 °C之溫度熱處理 阻圖案的基板之熱處理步驟。 在本說明書中的光阻組成物之重量平均分子j )之値，其係經由使用下列GPC系統測量的値。 裝置：SYSTEM 11 (商標名稱，Showa Denko 產）；保護管柱：KF — G (商標名稱，Shodex生產 柱：KF— 805、KF - 803、KF— 802(商標名稱， 生產）；偵測器：UV41 (商標名稱，Shodex生產 2 8 0奈米測量 溶劑：四氫呋喃，流速是1 · 〇毫升/分鐘，在 量 製備樣本之方法：經由調整光阻組成物之固體 測量値是3 0重量％，隨後用四氫呋喃稀釋，製備 量是0.1重量％之樣本，將20微升之樣本加入上 並進彳T測量。 在本說明書及申請專利範圍中，成份單元係指 合物（樹脂）之單體單元。 羥基苯乙烯系樹脂也有一個羥基苯乙M成份單 羥基苯乙烯成份單元是衍生自羥基苯乙M及經 烯衍生物之成份單元。 根據本發明，提供一種技術可以去除具有耐熱 學擴大正型光阻組成物。 形成步 形成光 1 ( M w Κ.Κ.生 );管 Shodex )，在 3 5 °C 測 含量至 固體含 述裝置 組成聚 元。 基苯乙 性之化 (5) (5)1292854 【實施方式】 現在將揭示本發明之一個較佳具體實施例（模式）。 去除光阻圖案的方法 本發明之特徵是在光阻圖案形成步驟及去除使用具有 特別極佳的耐熱性化學擴大正型光阻組成物的光阻圖案之 去除步驟之間，進行熱處理步驟。 現將揭不本發明之一個實例。 首先’使用旋轉器將化學擴大正型光阻組成物施加在 基板上並形成塗膜，可以使用矽基板或玻璃基板作爲基板 〇 其次’在90至140 °C之溫度將上面形成塗膜之基板 進行熱處理（預烤）而去除殘留的溶劑，並因而形成光阻 膜，當使用玻璃基板作爲基板時，較宜進行接近烘烤其中 在熱板及基板之間有一個間隙。 其次’將光阻膜經由預先決定的光罩進行選擇性暴露 〇 其中使用的光源沒有特別的限制，且較宜使用i 一光 (3 6 5奈米）或較短波長的光，例如電子束或χ —光而形 成微細圖案。 選擇性暴露後，將光阻膜進行熱處理（暴露後烘烤： ΡΕΒ )，因此，從成份（Β )產生的酸成份可以擴散，ΡΕΒ 方法包括一個接近烘烤其中在熱板及基板之間有一個間隙 ，及一個直接烘烤其中沒有間隙，當使用玻璃基板作爲基 冬 (6) (6)1292854 板時，較宜使用進行接近烘烤後進行一個直接烘烤之方法 ，因爲P EB沒有造成基板彎曲而得到擴散效應，當作爲 LCD使用時，基板彎曲會造成嚴重的問題，加熱溫度較宜 從9 0至1 5 0 °C，且特別較宜從1 〇 〇至1 4 0。(3。 經PEB後，當光阻膜用顯影劑例如鹼性水溶液例如1 - 1 0重量％四甲基氫氧化銨水溶液進行顯影處理時，暴 露的部份溶解並去除而形成光阻圖案。 其次，用淸洗溶液例如純水將留在光阻圖案表面上的 顯影劑淸洗去除。 將所得的光阻圖案用在蝕刻作爲光罩使用或作爲光罩 用於抬起（lift-off )方法，關於蝕刻，可以施加溼式蝕刻 或乾式蝕刻。 然後，去除不需要的光阻圖案，在本發明中，熱處理 是在150°C或更高進行，較宜從150至400°C，且更宜從 180至25 0 °C，當加熱至150或更高時，光阻圖案在後續 去除步騾中可以容易去除，當加熱至4〇〇°C或更低時，不 會產生問題例如基板及其他元件之熱惡化。 加熱處理的時間是設定在6 0秒或更久’較宜從6 0至 600秒，且更宜從150至3 00秒，當時間是設定在60秒 或更久時，可以改良容易去除性之效應’反之，當時間是 設定在6 0 0秒或更短時，降低生產力之可能性下降，且因 此從工業的觀點是較佳。 其次，用溶劑去除光阻圖案（化學擴大正型光阻組成 物），通常使用含溶劑之去除劑。 -10- (7) 1292854 可以使用的去除劑沒有任何限制，只要其是用 之去除劑’去除劑大槪分成無機去除劑其去除光阻 光阻氧化’及有機去除劑其去除光阻是經由膨脹光 曾經提出多種用於光阻之去除劑。 其實例包括含烷醇胺類、烷氧基烷基胺類或烷 醇胺類、乙二醇單烷基醚、糖類或糖醇類及水之光 劑組成物（見日本專利申請第一份公告編號Hei 8 -);含烷醇胺類、烷氧基烷基胺類或烷氧基烷醇胺 胺、糖類或糖醇類及水之光阻去除劑組成物（見曰 申請第一份公告編號H e i 8 · 2 0 2 0 5 1 );含烷醇胺類 基烷基胺類或烷氧基烷醇胺類、乙二醇單烷基醚、 糖醇類、四級氫氧化銨及水之光阻去除劑組成物（ 專利申請第一份公告編號Hei 8-262 746 );含烷醇 烷氧基胺類或烷氧基烷醇胺類、羥基胺類、糖類或 、表面活性劑及水之光阻去除劑組成物（見日本專 第一份公告編號Hei 9-54442 );含烷醇胺類、二 烷基醚、糖類或糖醇類、Ν,Ν-二乙基羥基胺及水之 除劑組成物（見日本專利申請第一份公告編號 Hei 9-152721)及含PKa是7.5至13之胺類 '羥基 水溶性有機溶劑、抗腐蝕劑及水之光阻去除劑組成 曰本專利申請第一份公告編號Hei 9-969 1 1 )。 也曾提出含至少一種選自（a )烷醇胺類、（1 N—二乙基羥基胺、（c)糖類及（d)N —甲基一 2 酮或N，N —二甲亞砸及（e )水（見日本專利申請 於光阻 經由將 阻。 氧基烷 阻去除 190205 類、醯 本專利 、烷氧 糖類或 見日本 胺類、 糖醇類 利申請 甘醇單 光阻去 胺類、 物（見 b ) N， 一吡咯 第一份 -11 - (8)' (8)'1292854 公告編號2 Ο Ο Ο - 4 7 4 Ο Ο )之光阻去除劑組成物；及含（a ) 二甲亞硕作爲主要成份、至少一種選自（B )二甘醇單烷 基醚、二甘醇二烷基醚、7 —丁內酯及1，3—二甲基一 2 一咪D坐二酮的溶劑及（C )含氮有機經基化合物的組成物 之正型光阻去除劑，成份（B)之含量範圍是從1〇至30 重量％，成份（C)之含量範圍是從〇.5至3重量％，以 組成物之總量爲基準（見日本專利編號2 5 7 8 8 2 1 )。 作爲去除劑時，較宜是用至少一種選自PGME (丙二 醇單甲醚）、PGMEA (丙二醇單甲醚醋酸酯）、7 一 丁 內酯、甲基乙基酮、醋酸丁酯、D M S Ο (二甲亞碾）及 單乙醇胺的溶劑製成之去除劑，因爲其合適用於去除在本 發明中使用的正型光阻組成物。 這些溶劑是本身作爲去除劑使用，但是如果需要也可 含合適的添加劑用於改善去除性。 這些去除劑是有商業化供應且其實例包括 ΟΚ73 Thinner (商標名稱，Tokyo Ohka Kogyo Co·，Ltd.製造） 及 Hakuri 106 (商標名稱，Tokyo Ohka Kogyo Co.5 Ltd. 製造）。 去除方法及情形沒有特別的限制，且可以使用例如浸 漬法及沖淋法。 具體地說，將表面形成光阻圖案之基板浸漬在設定在 約25至4CTC之去除劑並保持約60至3 00秒。 現將詳細說明在本發明使用的化學擴大正型光阻組成 物。 > 12- 1292854 ⑼， 第一個具體實施例 在第一個具體實施例中，使用經由將成份（A )、成 份（B )及成份（C )溶解在有機溶劑製備之組成物。 成份（A ) 成份（A )沒有特別的限制且可視需要選自在正型光 阻組成物中普遍用於形成膜的物質，較佳的實例是經由芳 族羥基化合物與醛類或酮類、聚羥基苯乙烯及其衍生物（ 羥基苯乙烯系樹脂）縮合反應所得之酚醛淸漆樹脂。 芳族羥基化合物之實例包括酚；甲酚例如間一甲酚、 對一甲酚及鄰一甲酚；二甲苯酚例如2，3 —二甲苯酚、2 ，5—二甲苯酚、3，5—二甲苯酚及3，4一二甲苯酚；烯 基酚例如間一乙基酚、對一乙基酚、鄰一乙基酚、2，3， 5—三甲基酚、2，3，5 —三乙基酣、4 —第三丁基酚、3一 第三丁基酣、2 -第三丁基酚、2 一第三丁基一 4 —甲基酚 及2 -第三丁基一 5 -甲基酚；烷氧基酚例如對一甲氧基 酚、間一甲氧基酚、對一乙氧基酚、間一乙氧基酚、對一 丙氧基酚及間-丙氧基酚；異丙烯基酚例如鄰一異丙烯基 酚、對一異丙烯基酚、2—甲基一4 一異丙烯基酚及2 一乙 基一 4 -異丙烯基酚；芳基酚例如苯基酚；及多羥基酚例 如4，4 一一羥基聯苯、雙酚A、間苯二酚、氫醌及焦 掊酉分’這些化合物可以單獨或結合使用。 酉全類之貫例包括甲醛、仲甲醛、三pf烷、乙醛、丙醛 -13 - 1292854 '(1〇) 、了醒、二甲基乙醒、丙燒醛、巴豆醛、環己醛、糠醛、 呋喃基丙烯醛、苯甲醛、對酞醛、苯基乙醛、α 一苯基丙 醛、Θ —苯基丙醛、鄰一羥基苯甲醛、間一羥基苯甲醛、 對一羥基本甲醛、鄰一甲基苯甲醛、間一甲基苯甲醒、對 —甲基苯甲醛、鄰一氯苯甲醛、間一氯苯甲醛、對一氯苯 甲醒及肉桂Μ ’這些醛類可以單獨或結合使用。 這些醛類中，基於可得到性，以甲醛較佳，特別較宜 使用羥基苯甲醛及甲醛之組合以便改良耐熱性。 酮類之實例包括丙酮、甲基乙基酮、二乙基酮及二苯 基酮’這些酮類可以單獨或結合使用，而且，醛類及酮類 可以視需要組合使用。 芳族羥基化合物與醛類或酮類之縮合反應產物可以在 酸性觸媒存在下經由已知方法製備，至於酸性觸媒，可以 使用例如氫氯酸、硫酸、甲酸、草酸及對甲苯磺酸。 多羥基苯乙烯及其衍生物（羥基苯乙烯系樹脂）之實 例包括乙烯基酚之均聚物、及乙烯基酚及可與乙烯基酚共 聚合的共單體之共聚物，共單體之實例包括丙烯酸衍生物 、丙烯腈、甲基丙烯酸衍生物、甲基丙烯腈、及苯乙烯衍 生物例如苯乙烯、α -甲基苯乙烯、對-甲基苯乙烯、鄰 -甲基苯乙烯、對一甲氧基苯乙烯或對一氯苯乙烯。 其中，較佳的樹脂是酚醛淸漆樹脂、聚羥基苯乙烯及 羥基苯乙烯-苯乙烯共聚物。 當使用酚醛淸漆樹脂作爲成份（A )時，重量平均分 子量Mw之範圍是在從1 0 00至5 0 00 0，且較宜從約]〇〇〇 -14» (11) (11)1292854 至2 Ο Ο Ο Ο，基於敏性行爲，更佳的M w範圍是從2 Ο Ο 0至 1 5 Ο Ο Ο ’當Μ w是低於上述範圍時，可能破壞解析度，反 之，當Mw大於上述範圍時，破壞塗膜性。 當使用酚醛淸漆樹脂作爲成份（A )時，較宜與成份 (D )及下述儲存安定劑組合使用，基於樹脂組成物之長 期儲存安定性。 當使用羥基苯乙烯系樹脂作爲成份（A )時，羥基苯 乙烯成份單元之含量是至少50至99莫耳％，且較宜從 7 〇至90莫耳％，基於成份（C )之反應性。 與酚醛淸漆樹脂比較’羥基苯乙烯系樹脂很少顯現酸 性之一種樹脂，因爲成份（A )之酸性程度影響光阻組成 物之儲存安定性，對於製備具有良好儲存安定性的光阻組 成物之目的，較宜選擇羥基苯乙烯系樹脂，在這些羥基苯 乙烯系樹脂中，含衍生自上述苯乙烯及苯乙烯衍生物之苯 乙烯成份單元及烷基取代之苯乙烯成份單元（以下都稱爲 ''苯乙烯成份單元〃）之羥基苯乙烯系樹脂較佳，因爲其 具有改良光阻組成物之敏性及耐熱性以及光阻圖案形狀之 效應。 苯乙烯成份單元之含量較宜從1至30莫耳％，且更 宜從5至1 5莫耳％，基於保證與成份（C )之反應性、改 良耐熱性、及改良敏性。 當使用羥基苯乙烯系樹脂作爲成份（A )時，Mw較 宜從1000至40000，更宜從1000至8000,且特別較宜從 2 0 0 0至6 0 0 0，基於耐熱性、較高的敏性、及與交聯劑之 -15- (12) 1292854 安定性。 至於成份（A )，一或多種物質可以單獨或結合使用 成份（B ) 成份（B )沒有特定的限制且可以使用光酸產生劑其 至今已知是化學擴大正型光阻組成物之原料，例如磺基重 氮甲烷酸產生劑、鑰鹽酸產生劑及磺酸肟酸產生劑。 至於暴露光，例如可以使用紫外光其中g 一光、h -光及i 一光共同存在，短波長g-光、短波長i一光、波長 短於i一光之光、電子束及X-光，成份（B)較宜是當暴 露至紫外光時，可以顯現高酸產生效率之化合物，因爲i -光是最普遍使用的暴露光，化合物較宜對i -光暴露顯 現高酸產生效率。 至於成份（B ) ’例如較宜使用下列化合物’因爲其 對i -光暴露顯現高酸產生效率。 下列通式（v )至（V1 )代表之化合物：

Γ 〇 II R5 R3， ···（▽) ^ W 2 J^C=C C=N-〇-S·

/ \ / II R2 a Ο

Ri，' R4

Rs

0 II \c=C C=N—0—S—R3 / \ / I! r2 A 0 …（VI) -16- (13) 1292854 其中m /代表〇或1 ; X代表1或2 ; R}代表苯基或 雜芳基其可經一或多個h—Cu烷基取代、或C2—(：6烷 酯基、苯酯基或CN當瓜/是〇; R厂代表 基；R2相同於Ri之定義；R3代表C】〜c! 8院基；尺3 /相 同於R3之定義當X=l，或代表C2 — C]2伸院基或伸苯基 當X=2; R4及R5獨立地代表氫原子、鹵素或c] 一匕烷 基；A代表S ' 0或NR0 ;且R6代表氫原子或苯基（美國 專利編號6,0〇4,72〇 ，其特定實例包括下式（νιι)代表 之含硫醇燃（thiolene)之礦酸|弓。 C3H7 0：

S 0 (VII)

CH3 iN 也可舉例的是下式（VIII )代表之雙（三氯甲基）二 畊化合物： CC13 R6〇 R70 骨

CH=CH •(viu) CC13 其中R6及R7各代表含！至3個碳原子之烷基，或化 合物（VIII)與下式（IX)代表之雙（三氯甲基）三哄化 合物之組合： -17- (14)1292854 CC13

…ox) cci3 其中Z代表4 一烷氧基苯基（見日本專利申請第一份 公告編號Hei 6-2 8 96 1 4、日本專利申請及第一份公告編號 Hei 7-134412) ° 三畊化合物（VIII )之特定實例包括2 — [2 - （ 3，4 一二甲氧基苯基）乙烯基]—4，6 —雙（三氯甲基）一1， 3，5 —二啡、2— [2 — （3 —甲氧基一 4 一乙氧基苯基）乙 烯基]一 4，6 —雙（三氯甲基）—1，3，5 —三畊、2— [2 —(3 —甲氧基—4 —丙氧基苯基）乙烯基]一 4，6 —雙（ 三氯甲基）—1，3，5 —三畊、2 — [2— (3 —乙氧基一 4 — 甲氧基苯基）乙烯基]—4，6—雙（三氯甲基）一 1，3，5 一三哄、2— [2 —（3，4 —二乙氧基苯基）乙烯基]一 4，6 一雙（三氯甲基）一1，3，5 —三哄、2 — [2 — （3 —乙氧 基—4 一丙氧基苯基）乙烯基]一 4，6—雙（三氯甲基）— 1，3，5 —二哄、2— [2 — （3 —丙氧基一4 一甲氧基苯基） 乙烯基]—4，6—雙（三氯甲基）一 1，3，5 —三哄、2 — [2 — （3 —丙氧基一 4 —乙氧基苯基）乙烯基]一 4，6 —雙 (三氯甲基）—1，3，5 —三畊及 2 — [2 — （3，4 —二丙 氧基苯基）乙烯基]一 4，6—雙（三氯甲基）一1，3，5 — 三畊，這些三畊化合物可以單獨或結合使用。 視需要與三哄化合物（VIII )結合使用之三畊化合物 (IX )之特定實例包括2 — （ 4 —甲氧基苯基）一 4，6 — -18- (15) 1292854 雙（三氯甲基）一 1，3，5 —三卩井、2— (4 —乙氧基苯基 )—4，6 —雙（三氯甲基）—1，3，5 —三畊、2- (4 — 丙氧基苯基）一4，6—雙（三氯甲基）一1，3，5 —三畊 、2— （4 — 丁氧基苯基）一 4，6—雙（三氯甲基）—1，3 ，5 —三哄、2— (4 —甲氧基萘基）一 4，6_雙（三氯甲 基）一1，3，5 —二啡、2 — (4 —乙氧基奈基）一 4，6 — 雙（三氯甲基）—1，3，5 —三畊、2- （4 一丙氧基萘基 )—4，6 —雙（三氯甲基）一 1，3，5 —三哄、2— (4 — 丁氧基萘基）一 4，6 —雙（三氯甲基）—1，3，5 —三哄 、2— (4—甲氧基一 6—羧基萘基）一 4，6 —雙（三氯甲 基）一1，3，5 —三哄、2— (4—甲氧基一 6 —羥基萘基） —4，6 —雙（三氯甲基）一1，3，5 —三哄、2— [2—（2 一呋喃基）乙烯基]一 4，6—雙（三氯甲基）一 1，3，5 — 三D井' 2— [2 — （5 —甲基一 2—咲喃基）乙條基]—4，6 — 雙（三氯甲基）一 1，3，5—三哄、2— [2 — （5 —乙基一 2 一呋喃基）乙烯基]—4，6 —雙（三氯甲基）一1，3，5 — 三哄、2— [2— (5—丙基一2—呋喃基）乙烯基]一 4，6 — 雙（三氯甲基）一1，3，5 —三哄、2 — [2— (3，5 —二甲 氧基苯基）乙烯基]一 4，6 —雙（三氯甲基）一1，3，5 — 三D井、2— [2— (3 —甲氧基一5 —乙氧基苯基）乙烯基]— 4，6 —雙（二氯甲基）—1，3，5 —二 D井、2 — [2— (3 — 甲氧基一5 —丙氧基苯基）乙烯基]一 4，6—雙（三氯甲基 )一 1，3，5—二啡、2— [2— (3 —乙氧基一5 —甲氧基苯 基）乙烯基]—4，6 —雙（三氯甲基）一1，3，5 —三畊、 -19 - (16) 1292854 2 — [2 — （3，5 —二乙氧基苯基）乙烯基]一 4，6—雙（三 氯甲基）一1，3，5 —二哄、2— [2 — （3 —乙氧基—5 —丙 氧基苯基）乙烯基]—4，6—雙（三氯甲基）—1，3，5— . 三卩井、2— [2 — （3 —丙氧基—5—甲氧基苯基）乙烯基]一 4，6 —雙（二氯甲基）—1，3’ 5 —二哄、2 — [ 2 — (3 - 丙氧基一 5—乙氧基苯基）乙烯基]一 4，6—雙（三氯甲基 )—1，3，5 —三畊、2 — [2 — （3，5 —二丙氧基苯基）乙 烯基]—4，6 —雙（三氯甲基）一1，3，5 —三哄、2— (3 ，4 —亞甲二氧基苯基）一4，6—雙（三氯甲基）一 1，3 ，5 —三畊及 2 — [2 — （3，4 —亞甲二氧基苯基）乙烯基] 一 4，6 —雙（三氯甲基）—1，3，5 —三畊，這些三畊化 合物可以單獨或結合使用。 也可舉例的是下式（X )代表之化合物：

0 其中 Ar代表一個取代基或經取代之苯基或萘基；R 代表C】至C9烷基；且η代表2或3 ，這些化合物可以單獨或結合使用，在上述化合物中 ，較宜使用式（V11 )代表之化合物及式（XI )代表之化 合物，因爲對i -光有極佳的酸產生效率。 -20- 1292854

• · · (X I ) 在此具體實施例中 或多種成份（B )可以早獨或 結合使用。 成份（B )的量是從1至3 0重量組份，且較宣從]至 20重量組份，以100重量組份之成份（A)爲基準。 參 成份（C ) 成份（C )是通式（I )代表之化合物且作爲交聯劑使 當含成份（A )至（C )之光阻材料施加在基板並乾 燥後，成份（A )之羥基（較宜是側鏈上的酚系羥基）可 以與作爲成份單元的成份（C )之末端乙烯基反應而形成 交聯的結構，假設光阻膜變成稍微溶解在鹼性水溶液例如 用於形成光阻圖案之鹼性顯影劑。 當具有交聯結構之樹脂成份在加壓下與從成份（B ) 產生的酸反應時，假設交聯的結構解離且樹脂成份在鹸性 水溶液中的溶解度增加。 假設經由交聯結構之作用’可以得到具有高耐熱性之 樹脂圖案。 在通式（Ο中，R1是可含有一個取代基之含1至10 個碳原子之支鏈或直鏈伸烷基，或通式（11)代表之基， 伸烷基在主鏈上可以有一個氧鍵（醚鍵）’在通式（11 ) -91 - '(18) 1292854 中’ R也可以是可含有一個取代基之含1至10個碳原子 之支鏈或直鏈伸烷基’伸烷基在主鏈上可以有一個氧鍵（ 醚鍵），R1 較宜是—C 4 Η 8 —、— c 2 HU 〇 c 2 Η 4-、 一 C2H4OC2H4OC2H4—、或通式（ΪΙ)代表之基，更宜是 通式（II )代表之基，且特別較宜的基是其中R4含一個 碳原子且m是1。 當使用酚醛淸漆作爲成份（A )時，成份（C )較宜 使用的比例範圍是從1至5 0重量％，且更宜從5至3 5重 量％，以成份（A )爲基準，當比例低於1重量％時，光 阻圖案未暴露區域之厚度損失增加且因此光阻圖案之對比 傾向惡化，反之，當比例大於5 0重量％時，在顯影劑（ 鹼性水溶液）中的溶解度傾向於大幅惡化，因此造成問題 例如不良的敏性及解析度失敗。 當選擇經基苯乙燃系樹脂作爲成份（A)時，成份（ C )較宜使用的比例範圍是從1至5 0重量％，且更宜從5 至40重量％，以成份（A)爲基準。 成份（D ) 化學擴大正型光阻組成物較宜含鹼性化合物（較宜是 胺類）作爲成份（D )，以便增加樹脂層經由圖案暴露形 成的潛在影像之暴露後安定性。 該化合物可以是與光阻組成物相容的任何化合物，且 包括但不限於揭示在日本專利申請第一份公告編號 Hei 9-6001之化合物。 -22- '(19) '(19)1292854 在光阻組成物中加入下列通式（111 )代表之相當大 且特定的鹼性化合物（d 1 )，可以抑制隨時間以副產物產 生的酸成份之量，並改良光阻組成物之長期儲存安定性。 1 在通式（III)中，X、Y及Z中至少一個（較宜2或 多個，最宜3個）是選自下列（1 )至（4 )的基，例如， (1)含4或更多個碳原子之烷基，（2)含3或更多個碳 原子之環烷基，（3 )苯基，（4 )芳烷基。 X、Y及Z中，上述（1 )至（4 )以外的基或原子是 選自（1 /)含3或更少個碳原子之烷基及（2 / )氫原子 〇 Χ、γ及Z可以相同或不同，當χ、γ及Z中至少兩 個基是選自上述（1 )至（4 )的基時，基於安定性之效應 ，這些基較宜相同。 (1)含4或更多個碳原子之烷基 在（1 )之情形，當碳原子數低於4時，很難改良光 阻溶液之儲存安定性，碳原子數更宜是5或更多，且特別 較宜是8或更多，上限沒有特別的限制，但基於光阻溶液 之儲存安定性的效應及可獲得性，較宜是2 0或更少，且 特別較宜是1 5或更少，當碳原子數高於2 0時，鹼性變弱 且因此光阻溶液之儲存安定性惡化。 -23- (20)1292854 該烷基可以是直鏈或支鏈。 具體地說，較宜是正辛基及正戊基。 (2)含3或更多個碳原子之環院基 在這些環烷基中’基於可獲得性及改良光阻溶液儲存 安定性之極佳效應，較宜是含4至8個碳原子之環院基’ 特別較佳是含6個碳原子之環院基。

(4 )芳烷基 芳烷基是經由通式一 R / - p ( R/代表一個伸烷基且 p代表一個芳族烴基）代表。 p包括苯基及萘基，且較宜是苯基 R /之碳原子數可以是1或更多，且較宜從1至3° 芳院基較宜是；基或苯基乙基。

Χ、Υ及Z中，上述（1)至（4)以外者逶選自上述 (厂）及（2<)的基或原子。 (1 /)可以是直鏈或支鏈，特別較宜是甲基或乙基 鹼性化合物（d 1 )較宜是三級胺，X、Υ及ζ中’上 述（1 )至（4 )以外者是選自（1 / )。 鹼性化合物（d 1 )之特定實例包括三正癸基胺、甲基 二正辛基胺、三正戊基胺、N，N -二環己基甲基胺及三 卡基胺。 在這些化合物中，較宜至少一種是選自三正癸基胺、 -24- (21) 1292854 甲基二正辛基胺及三正戊基胺，且特別較宜是三正癸基胺 〇 這些成份（D )可以單獨或結合使用。 基於效應，成份（D )的量較宜是從〇 . 〇 1至5.0重量 組份且特別較宜從0. 1至1 .0重量組份，以1 〇 〇重量組份 之樹脂固體含量爲基準。 有機溶劑 有機溶劑可以使用而無任何限制，只要其可用在化學 擴大正型光阻組成物。 其實例包括酯溶劑例如丙二醇單烷基醚醋酸酯（例如 丙二醇單甲基醚醋酸酯（P G Μ E A )等）及乳酸酯（例如 乳酸乙酯等）；及非酯溶劑例如酮類例如丙酮、甲基乙基 酮、環己酮、甲基異戊基酮及2 -庚酮；多烴醇類及衍生 物例如乙二醇、丙二醇、二甘醇或其單甲基醚類、單乙基 醚、單丙基醚及單丁基醚或單苯基醚；及環狀醚類例如二 哼烷，因爲酯溶劑是有機羧酸及醇類之反應產物，其f胃 機羧酸之自由態酸，因此，在不含成份（D )之光阻組成 物或不含下述儲存安定劑之光阻組成物之情形下，較g胃 擇不含自由態酸的非酯溶劑，且特別較宜是酮類（酮溶劑 )，其中，基於塗覆性及成份（B )之溶解性，較宜是2 一庚酮。 酯及非酯溶劑都會隨著時間分解而產生酸作爲副自_ ，在成份（D )或下述儲存安定劑存在時，可以抑制分角军 -25- (22) 1292854 反應，在酯溶劑之情形下’可抵達到明顯的效應，在成份 (D )及儲存安定劑存在時’較宜是酯溶劑且特別較宜是 PGMEA 〇 在2 —庚酮之情形下’經證實甲酸、乙酸或丙酸是經 由分解以副產物產生的酸成份。 這些有機溶劑可以單獨或結合使用。

如果需要時，下列儲存安定劑可以添加至此具體實施 例之組成物中。

儲存安定劑沒有特別的限制，只要其有抑制溶劑分解 反應之作用，且其實例包括揭示在日本專利申請第一份公 告編號Sho 5 8- 1 94 8 3 4之抗氧化劑，酚系化合物及胺化合 物是已知的抗氧化劑，在這些化合物中，較宜是酚系化合 物且2，6 -二（第三丁基）一對一甲酚及其衍生物特別 有效防止酯溶劑及酮溶劑之變質且也有極佳的可獲得性、 低成本及極佳的儲存安定效應，其對於丙二醇單烷基醚醋 酸酯及2 -庚酮有特別良好的預防變質效應。 其使用量較宜從〇 . 〇 1至3重量組份，且特別較宜從 0 . 1至1 . 0重量組份，以1 0 0重量組份之樹脂固體含量爲 基準。 只要沒有負面影響本發明之目的，在此具體實施例中 可以加入具有相容性之傳統添加劑，例如添加劑樹脂、塑 化劑、安定劑及表面活性劑用於改良光敏性組成物之塗膜 表現、染料使進一步目視顯影的影像、敏化劑用於改良敏 化效應、抗光暈染料及黏著改良劑。 -26- (23) 1292854 製備正型光阻組成物之方法 製備在此具體實施例中使用的正型光阻組成物較宜，經 由混合成份（A )至（C )及視需要選用的其他成份，調 整光阻劑組成物中的固體含量，使經由凝膠滲透層析法測 量的苯乙稀當量重量平均分子量（Mw)範圍是從3000至 1 00000，較宜從4000至3 0000，並將混合物溶解在有機

因爲此具體實施例之正型光阻組成物顯現化學擴大機 制’未暴露區域及暴露區域之間的顯影對比強烈且因此在 較佳範圍之Mw內可以得到良好的解析度及DOF (聚焦深 度）特徵。 經由調整正型光阻組成物中固體含量之Mw在上述範 圍內’使得可以得到高耐熱性、高解析度及D Ο F特徵以 及良好的敏性之正型光粗組成物。 當光阻組成物中固體含量之M w低於上述範圍時，耐 熱性、解析度及DOF特徵變成不足，反之，當Mw高於 上述範圍時，敏性大幅惡化且因此可能破壞光阻組成物之 塗覆性。 適當調整有機溶劑的量，使得當成份（A )至（C ) 及視需要選用的其他成份在其中溶解時，可以得到均勻的 正型光阻組成物，使用有機溶劑使得固體含量範圍較宜從 10至50重量％，且較宜從20至45重量％，正型光阻組 ‘ 成物之固體含量相當於成份（A )至（C )及視需要選用 叙 -27- (24) 1292854 的其他成份之總量。 進行調整正型光阻組成物之Mw在較佳範圍的 步驟包括例如（1 )先前調整成份（A )的Mw之方 由混合前將成份（A )進行分餾操作，使得全部成 後調整Μη在上述範圍內，及（2 )製備具有不同 )的多種成份（A )並經由適當將其混合而調整固 的Mw之方法。 在這些方法中，其假設當光阻材料施加在基板 後，如同上述形成交聯結構，且因此可以得到具有 熱性的光阻圖案並防止厚度損失。 第二個具體實施例 成份（A ) 在第二個具體實施例中，使用含（a )成份（A 份（C )之反應產物、及成份（B )之化學擴大正 組成物。 在此具體實施例之化學擴大正型光阻組成物中 於第一個具體實施例，其假設經由交聯結構之作用 到具有高耐熱性之光阻圖案。 在此具體實施例中，成份（A )之使用沒有任 ’只要其是用在光阻組成物中的鹼性溶解樹脂，且 成份（C )之反應性，其較宜是含羥基（較宜是酚 )° 較宜使用上述第一個具體實施例所列者作爲成 方法其 法，經 份混合 Mw ( s 體含量 並加熱 極佳耐

)與成 型光阻 ，類似 可以得 何限制 基於與 系羥基 ，份（A -28- (25) (25)1292854 )使用。 成份（A ) 成份（A )是經由成份（a )與成份（C )反應所得的 反應產物’且特徵是在鹼性水溶液中的溶解度經由酸性成 份之作用而增加。 成份（A )與成份（c )之間的反應通常得到含一個 成份單元之反應產物，其中在成份（c ) 一端上的乙烯基 與成份（A )側鏈上的酚系羥基鍵結。 成份單元之特定實例包括下列通式（1 A )代表之成 份單元及下列通式（2 A )代表之成份單元。 成份（A )與成份（C )之間的反應得到其中在成份 (C )兩端上的乙烯基分別與成份（a )側鏈上的兩個酚 系經基鍵結之基團，成份單元之特定實例包括下列通式（ 1B)代表之成份單元及下列通式（2B)代表之成份單元 〇 當使用酚醛淸漆樹脂作爲成份（A )使用時，其假設 形成下列通式（1 A )代表之成份單元，且在部份情形中 ’形成下列通式（1 B )代表之分子間交聯基團。 當使用羥基苯乙烯系樹脂作爲成份（A )使用時，其 假設形成下列通式（2A )代表之成份單元，且在部份情 形中，形成下列通式（2B )代表之分子間交聯基團。 也就是說，得到含成份單元之成份（A )其中成份（ c )只有一端鍵結（例如通式（1 A )或（2 A )之成份單元 -29- '(26)· '(26)·1292854 )，除了其中只有一端是鍵結之成份單元，也可以得到含 分子交聯基團之成份（A )其中兩端都鍵結（例如通式（ 1B )或（2B )之分子交聯基團）。

Η， 其中R]是相同於上述之定義，R2及R3各獨立地代表 氫原子、含1至3個碳原子之烷基或芳基，且η代表1至

_30 - 1292854

(2A) 義 # (18) Φ -31 - (28) 1292854

•--(20)

其中R1是相同於上述之定義，

R2及R3是衍生自在酚醛淸漆樹脂的說明中解釋之酚 、醛及酮。 在本發明中的成份（A )，當選擇酚醛淸漆樹脂作爲 成份（A )時，可以得自在實質上無酸觸媒存在下經由成 份（A )與成份（C )之反應，或當選擇羥基苯乙烯系樹 脂作爲成份（A )時，在酸觸媒存在下進行。 當成份（C )是先與鹼性溶解樹脂（A )側鏈之羥基 鍵結時，抑制光阻塗膜溶液（組成物）品質隨著時間變化 且因此得到敏性較少隨著時間改變之光阻材料，當光阻材 料應用在基板並加熱後，在成份（A )側鏈之酚系羥基可 以與成份單元（1 A )或（2 A )之末端乙烯基反應而形成 -32- '(29) '(29)1292854 交聯結構，因此，其假設光阻膜變成稍微溶解在鹼性水溶 液例如用於形成光阻圖案之鹼性顯影劑。 當具有父聯結構之成份（A)與成份（B)在暴露下 產生的酸反應時，其假設交聯的結構解離且成份（A )在 鹼性水溶液中的溶解度增加。 當選擇酚醛淸漆樹脂作爲成份（A )時，因爲成份（ A )與成份（C )即使在沒有使用酸觸媒也會進行反應， 不需要使用酸觸媒且基於光阻製備後之儲存安定性，酸成 份不宜存在反應系統，當選擇羥基苯乙烯系樹脂作爲成份 (A )時，因爲酸成份之濃度在成份（a )與成份（b )反 應之情形下必須嚴格控制，成份（A )不宜含酸成份作爲 雜質’因此，在與成份（C )反應前，較宜嚴格進行去除 成份（A )所含的酸成份之操作，該酸成份是用於合成酚 醛淸漆樹脂之酸性觸媒、有機酸例如存在於反應溶劑中的 自由態酸，且可以經由氣相層析法分析。 去除酸成份之方法包括已知方法，例如使用離子交換 樹脂、用純水淸洗、用鹼中和等。 在與成份（C )反應前，成份（A )中的酸成份濃度 較宜調整至0·1 ppm或更低，且特別較宜是〇·〇1 ppm或 更低。 基於耐熱性，經由成份（A )與成份（C )反應所得 的成份（A)之重量平均分子量較宜從10000至70000, 且特別較宜從2 0000至5 0000，當選擇酚醛淸漆樹脂作爲 成份（A )，或較宜從 3 0000至]5 0 000，且特別較宜從 -33- (30) 1292854 40000至1 0 00 0 0，當選擇羥基苯乙烯系樹脂作爲成份（a )° 當使用酚醛淸漆作爲成份（A )時，成份（C )較宜 使用的比例範圍是從1至1 5重量％，且更宜從4至S重 量％，以成份（A )爲基準，當比例低於1重量％時，光 阻圖案未暴露區域之厚度損失增加且因此光阻圖案之對比 傾向惡化，反之，當比例大於1 5重量％時，在顯影劑（ 鹼性水溶液）中的溶解度傾向於大幅惡化，因此造成問題 例如不良的敏性及解析度失敗。 當選擇羥基苯乙烯系樹脂作爲成份（A )時，成份（ C )較宜使用的比例範圍是從1至1 5重量％，且更宜從5 至10重量％，以成份（A)爲基準。 成份（B )

在此具體實施例中的成份（B )是與第一個具體實施 例相同。 0J 成份（D ) 在此具體實施例中的成份（D )可以與第一個具體實 施例相同，在此具體實施例中，較宜使用上述化合物（d 1 )作爲成份（D )。 有機溶劑 * 在此具體實施例中的有機溶劑可以與第一個具體實施 “ -34 - 1292854 '(31) 例相同。 這些有機溶劑可以單獨或結合使用。 有機溶劑之較宜使用的比例範圍是從1 〇至5 0重量％ ，且較宜從2 0至4 5重量％，以固體含量之濃度對塗覆性 爲基準。 在此具體實施例中，可以使用與第一個具體實施例相 同的儲存安定劑。 此具體實施例之光阻組成物可以含與第一個具體實施 g 例相同的其他成份，只要其不會負面影響本發明之目的。 製備正型光阻組成物之方法 此具體實施例之光阻組成物可以用與第一個具體實施 例相同的方法製備。 製備在此具體實施例之正型光阻組成物，使使光阻組 成物中的固體含量之Mw範圍是從3000至100000，且 Mw 較宜從 loooo 至 80000。 · 在此具體實施例中，其假設當光阻材料施加在基板並 加熱後’如同上述形成交聯結構，且因此可以得到具有極 ί圭耐熱性的光阻圖案並防止厚度損失。 丰艮據本發明，經由使用具有極佳耐熱性的化學擴大正 里ί光I®組成物並在光阻圖案形成步驟及去除步驟之間進行 熱處理步驟，可以得到耐熱性及容易去除性。 實例 i -35- (32.) 1292854 現將經由實例詳細說明本發明。 實例1至2及比較實例1至2 (製備化學擴大正型光 阻組成物，調製光阻圖案） 製備下列光阻組成物。 (製備光阻組成物1 ) 成份（A) [al] : 1〇〇重量組份 a 1 ··聚羥基苯乙烯系樹脂，苯乙烯成份單元/羥基苯 乙烯成份單元= 15/85，Mw: 5000 成份（B )[式（VII )化合物]:3重量組份 成份（C )[環己二甲醇二乙烯基醚]:7重量組份 成份（D )[三乙胺]:〇_2重量組份 將上述各成份溶解在PGMEA並加入5 00 ppm之XR-104 (商標名稱，DAINIPPON INK AND CHEMICALS· INCORPORATION生產）作爲表面活性劑，製備濃度是 3 5重量％之溶液，然後使用孔洞直徑是〇 . 2微米之膜濾紙 過濾而得到光阻組成物1，所得的光阻組成物1之Mw是 4 5 0 0 〇 (製備光阻組成物2 ) 成份（A ) [a2] : 100重量組份 a2 :在甲基異丁基酮（MIBK )溶劑中，在攪拌下將 上述成份（al ) ( Mw : 5〇〇〇 )溶解，使所得溶液之濃度 -36 - (33) 1292854 是30重量％，且調整內部溫度範圍在從100至1 10°C後 ，逐滴加入量相當於8重量組份以1 00重量組份之樹脂固 體含量爲基準之環己二甲醇二乙烯基醚，反應24小時後 ，將反應溶液在室溫攪拌1 2小時或更久並用2 -庚酮取 代MIBK作爲溶劑。 所得成份（a2 )之Mw是5 5 0 0 0。 成份（B )[式（VII)化合物]:3重量組份 成份（D )[三乙胺]:0.2重量組份 將上述各成份溶解在PGMEA並加入5 00 ppm之XR-104 (商標名稱，DAINIPPON INK AND CHEMICALS. INCORPORATION生產）作爲表面活性劑，製備濃度是 3 5重量％之溶液，然後使用孔洞直徑是0.2微米之膜據紙 過濾而得到光阻組成物2，所得的光阻組成物2之Mw是 50000 ° 將從組成物1及2製備之各塗覆溶液（組成物）施加 在矽晶片上，然後在140 °C烘烤90秒而形成厚度是2.7微 米的光阻膜。 使用i—光暴露裝置（商標名稱：''NSRJOOSilOD"， NT i k ο n C ο ι· ρ 〇 r a t i ο η製造），進行選擇性暴露，隨後在1 4 0 °C經由ΡΕΒ處理90秒，用2.3S重量％ TMAH溶液顯影 處理60秒，用純水淸洗處理3 0秒及乾燥步驟，形成〇. 8 微米L&S (線一及一空隙）之光阻圖案。 去除測試 -37- (34) 1292854 將上面形成光阻圖案之矽晶片（矽基板）放在設定於 20 0°C之熱板上並進行熱處理3 0 0秒。 然後，將基板浸漬在設定於25 t之去除劑（說明在 下表1中）槽經1 2 0秒。 取出基板後，目視觀察基板表面上的光阻圖案之去除 狀態，其中光阻圖案完全去除且在表面上沒有觀察到任何 光阻圖案之樣本評比爲vv A 〃 ，而光阻圖案沒有完全去除 並在基板上觀察到部份殘留的光阻圖案之樣本評比爲'' B 〃，結果列在下表1 (實例1及2 )。 沒有進行上述熱處理的基板也在相同於上述方式下浸 漬並根據相同於上述之方法評估基板之去除狀態，結果列 在下表1。 (比較實例1及2 ) (耐熱測試） 形成光阻圖案（厚度：1.26微米，100微米L&S)並 在160°C進行熱處理3 00秒，且隨後目視觀察截面形狀。 極少觀察到光阻圖案變形之樣本評比爲'、A 〃 ，而發 生收縮之樣本評比爲'' B 〃 。 (比較實例3至5 ) 下列光阻組成物進行相同的去除測試及耐熱測試。 結果也列在表1。 比較組成物]:i 一光正型光阻（不是以C A爲基質） -38- (35) 1292854 商標名稱：THMR_iP5800 ( Tokyo O hka Kogyo C o. 5 Ltd·生產） 比較組成物2 : KrF之正型光阻（以CA爲基質） 商標名稱：TDUR-P015 ( Tokyo Ohka Kogyo Co.? Ltd. 生產） 比較組成物1 : i 一光負型光阻（以C A爲基質） 商標名稱:TSMR-iN008 ( Tokyo Ohka Kogyo Co” Ltd·生產） [表1] 組成物 熱處 耐熱 去除 理 性 PGME/PGME r-T MEK 醋酸 DMSO/ 單 A=7/3 內酯 乙酯 乙醇胺=3/7 實例1 組成物1 進行 A A A A A A 實例2 組成物2 進行 A A A A A A 比較實例1 組成物I 並 A B B B B B 比較實例2 組成物2 A B B B B B 比較實例3 比較組 並 J \\\ B A A A A A 成物1 比較實例4 比較組 Μ j \\\ B A A A A A 成物2 比較實例5 比較組 Μ j \\\ A B B B B B 成物3 -39- (36) 1292854 從上述實例及比較實例之結果，明顯地，在本發明中 使用的特定光阻組成物具有之耐熱性幾乎相同於經由使用 負型光阻形成的光阻圖案之耐熱性，且在形成光阻圖案後 進行熱處理步驟，可以改良用傳統去除劑之去除性。 雖然本發明之較佳具體實施例在上文中揭示並說明， 必須了解這些是本發明之實例且不能視爲其限制，此外， 可以進行省略、取代及其他改良而沒有偏離本發明之精神 或軔圍’據此’本發明不能視爲經由上述說明限制，而是 · 由下面之申請專利範圍限制。

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Claims (1)

1. (1) 1292854 十、申請專利範圍 1 · 一種去除光阻圖案的方法，其包括使用化學擴大 正型光阻組成物在基板上形成光阻圖案之光阻圖案形成步 驟以及使用溶劑從基板去除光阻圖案之去除步驟， 使用一錯由將（A )在側鏈含經基的驗可溶解樹脂、 (B )光酸產生劑及（C )下列通式（I )代表的化合物： H2C = CH 冬 R]-O-CH = CH2 (I) 其中R1代表可有一個取代基之含1至10個碳原子之伸烷 基或下列通式（II )代表的基團：

   (II) (其中R4代表可有一個取代基之含1至丨〇個碳原子之伸 烷基’且m代表〇或1 )溶解在有機溶劑所製備之組成物 作爲化學擴大正型光阻組成物， 該方法進一步包括在光阻圖案形成步驟及去除步驟之 間，於150至400 °C之溫度熱處理具有光阻圖案形成於其 上的基板之熱處理步驟。 2 · —種去除光阻圖案的方法，其包括使用化學擴大 正型光阻組成物在基板上形成光阻圖案之光阻圖案形成步 驟以及使用溶劑從基板去除光阻圖案之去除步驟， 使用一藉由將（a ) ( A )在側鏈含羥基的鹼可溶解樹 脂及（C )下列通式（I )代表的化合物之反應產物： H2C=CH-0-R]-〇-CH=CH2 (I) 其中R3代表可有一個取代基之含1至1 〇個碳原子之伸烷 -41 - (2) 1292854 基或下列通式（II)代表的基團：

   (其中R4代表可有一個取代基之含1至10個碳原子之伸 烷基’且m代表0或1)及（B)光酸產生劑溶解在有機 溶劑所製備之組成物作爲化學擴大正型光阻組成物， 該方法進一步包括在光阻圖案形成步驟及去除步騾之 φ 間’於150至400。(：之溫度熱處理具有光阻圖案形成於其 上的基板之熱處理步驟。 3 ·如申請專利範圍第1或2項之去除方法，其中使 用含趣基苯乙烯構成單元之羥基苯乙烯系樹脂作爲成份（ A ) 〇 4 ·如申請專利範圍第1或2項之去除方法，其中熱 處理時間是6 0至6 0 0秒。 5 ·如申請專利範圍第1或2項之去除方法，其中在去 _ 除步驟中，使用選自·· PGME (丙二醇單甲醚）、PGMEA (丙一醇單甲醚醋酸酯）一 丁內酯、甲基乙基酮、醋 酸丁酯、DMSO (二甲亞硕）及單乙醇胺之至少一者作爲 溶劑。 - 42 -