JP2000171986A - フォトレジスト剥離液および剥離方法 - Google Patents
フォトレジスト剥離液および剥離方法Info
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】フォトレジストの剥離を低温、短時間で完全に
剥離するとともに、次いで水によるリンスを行った場合
にも、不溶物が析出し、被処理物に付着することがない
フォトレジスト剥離液を得る。 【解決手段】一般式： （式中Ｒ1 、Ｒ2 は、各々水素原子または炭素数１〜４
のアルキル基を表す。）で示されるピリミジノン化合物
を１０〜１００重量％含有する剥離液に浸漬してフォト
レジストを剥離し、必要に応じ水によりリンスを行う。
剥離するとともに、次いで水によるリンスを行った場合
にも、不溶物が析出し、被処理物に付着することがない
フォトレジスト剥離液を得る。 【解決手段】一般式： （式中Ｒ1 、Ｒ2 は、各々水素原子または炭素数１〜４
のアルキル基を表す。）で示されるピリミジノン化合物
を１０〜１００重量％含有する剥離液に浸漬してフォト
レジストを剥離し、必要に応じ水によりリンスを行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フォトレジストの
剥離液およびこの剥離液を用いたフォトレジストの剥離
方法に関する。
剥離液およびこの剥離液を用いたフォトレジストの剥離
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】フォトレジストは、半導体集積回路の製
造、液晶表示装置などフラットパネルディスプレー（Ｆ
ＰＤ）の表示部品の製造など種々の技術分野において、
エッチングマスクまたはインプランテーションのような
構造化処理（例えば、イオン注入）用マスクとして使用
されている。フォトレジストがマスク材料として用いら
れた場合、その目的に供した後除去されるが通常であ
る。このフォトレジストの除去には多くの揚合剥離液が
使用されている。従来、フォトレジストの剥離液として
は、ベンゼンスルホン酸等のアリールスルホン酸類から
なる剥離液（特開昭５４−１５３５７７号公報）や、こ
れらに塩素系有機溶剤やフェノール系化合物を配合した
酸性剥離液（特開昭６２−３５３５７号公報）、モノエ
タノールアミン等のアルカノールアミンを必須成分とす
るアルカリ剥離液（特開昭６２−４９３５５号公報、特
開昭６３−２０８０４３号公報）等が知られている。
造、液晶表示装置などフラットパネルディスプレー（Ｆ
ＰＤ）の表示部品の製造など種々の技術分野において、
エッチングマスクまたはインプランテーションのような
構造化処理（例えば、イオン注入）用マスクとして使用
されている。フォトレジストがマスク材料として用いら
れた場合、その目的に供した後除去されるが通常であ
る。このフォトレジストの除去には多くの揚合剥離液が
使用されている。従来、フォトレジストの剥離液として
は、ベンゼンスルホン酸等のアリールスルホン酸類から
なる剥離液（特開昭５４−１５３５７７号公報）や、こ
れらに塩素系有機溶剤やフェノール系化合物を配合した
酸性剥離液（特開昭６２−３５３５７号公報）、モノエ
タノールアミン等のアルカノールアミンを必須成分とす
るアルカリ剥離液（特開昭６２−４９３５５号公報、特
開昭６３−２０８０４３号公報）等が知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来から
フォトレジストの剥離液は種々知られているが、これら
は廃液処理などの環境安全上の問題や人体に対する安全
上の問題、さらに剥離力が弱い、配線材料に対する腐食
作用が強い、あるいは剥離液を高温にしなければ十分な
剥離力が得られないなど、それぞれに問題を有してい
る。また、剥離処理においては、剥離処理後アルコール
等の有機溶剤あるいは水によるリンスが必要であるが、
有機溶剤でのリンスに続いて水によるリンスを行わなけ
ればならない場合には、工程が煩雑になる等の問題があ
るし、またアルコール等の有機溶剤を用いず直接水によ
るリンスを行う場合には、工程の煩雑さの点はないもの
の、リンス時に不溶物が析出し、それが基板に再付着す
ることにより、デバイス性能に影響を及ぼし、歩留まり
が悪くなるという問題があった。
フォトレジストの剥離液は種々知られているが、これら
は廃液処理などの環境安全上の問題や人体に対する安全
上の問題、さらに剥離力が弱い、配線材料に対する腐食
作用が強い、あるいは剥離液を高温にしなければ十分な
剥離力が得られないなど、それぞれに問題を有してい
る。また、剥離処理においては、剥離処理後アルコール
等の有機溶剤あるいは水によるリンスが必要であるが、
有機溶剤でのリンスに続いて水によるリンスを行わなけ
ればならない場合には、工程が煩雑になる等の問題があ
るし、またアルコール等の有機溶剤を用いず直接水によ
るリンスを行う場合には、工程の煩雑さの点はないもの
の、リンス時に不溶物が析出し、それが基板に再付着す
ることにより、デバイス性能に影響を及ぼし、歩留まり
が悪くなるという問題があった。
【０００４】本発明は上記のような従来フォトレジスト
の剥離液に要望されていた種々の特性をすべて満たす剥
離液を提供すること、即ち剥離液自体の温度が常温であ
っても、短時間でフォトレジストを完全に剥離すること
が可能であり、配線材料などへの腐食作用も少なく、し
かも剥離工程後に水によるリンスを行っても不溶物が析
出することがない、再付着防止剤としての機能をも兼ね
備え、さらに環境並びに人体に対する安全性の高いフォ
トレジスト剥離液を提供することおよびこの剥離液を用
いてのフォトレジストの剥離方法を提供することを目的
とする。
の剥離液に要望されていた種々の特性をすべて満たす剥
離液を提供すること、即ち剥離液自体の温度が常温であ
っても、短時間でフォトレジストを完全に剥離すること
が可能であり、配線材料などへの腐食作用も少なく、し
かも剥離工程後に水によるリンスを行っても不溶物が析
出することがない、再付着防止剤としての機能をも兼ね
備え、さらに環境並びに人体に対する安全性の高いフォ
トレジスト剥離液を提供することおよびこの剥離液を用
いてのフォトレジストの剥離方法を提供することを目的
とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、鋭意研
究、検討した結果、下記一般式（Ｉ）で表されるピリミ
ジノン化合物を剥離液に含有させることにより上記課題
を解決することができることを見出して、本発明を成し
たものである。
究、検討した結果、下記一般式（Ｉ）で表されるピリミ
ジノン化合物を剥離液に含有させることにより上記課題
を解決することができることを見出して、本発明を成し
たものである。
【化２】 （式中Ｒ1 、Ｒ2 はそれぞれ水素原子あるいは炭素数１
〜４のアルキル基を表す）
〜４のアルキル基を表す）
【０００６】すなわち、本発明は、上記一般式（Ｉ）で
表されるピリミジノン化合物を含有するフォトレジスト
剥離液に関する。また、本発明は、上記一般式（Ｉ）で
表されるピリミジノン化合物を含有するフォトレジスト
剥離液を用いてフォトレジストを剥離する方法にも関す
る。
表されるピリミジノン化合物を含有するフォトレジスト
剥離液に関する。また、本発明は、上記一般式（Ｉ）で
表されるピリミジノン化合物を含有するフォトレジスト
剥離液を用いてフォトレジストを剥離する方法にも関す
る。
【０００７】本発明において用いることのできる上記一
般式（Ｉ）で表されるピリミジノン化合物としては、例
えば、１，３−ジメチル−３，４，５，６−テトラヒド
ロ−２（１Ｈ）−ピリミジノン（ジメチルプロピレンウ
レア）、１，３−ジエチル−３，４，５，６−テトラヒ
ドロ−２（１Ｈ）−ピリミジノン、１，３−ジ−ｎ−プ
ロピル−３，４，５，６−テトラヒドロ−２（１Ｈ）−
ピリミジノン、１，３−ジ−ｉｓｏ−プロピル−３，
４，５，６−テトラヒドロ−２（１Ｈ）−ピリミジノン
などが挙げられる。これらピリミジノン化合物は、剥離
液に単独でまたは二種以上組み合わせて用いられる。本
発明では、ピリミジノン化合物をフォトレジスト剥離液
としてそのまま使用する、すなわちピリミジノン化合物
１００％液として使用することもできるし、また、ピリ
ミジノン化合物を他の溶剤と混合して使用することもで
きる。上記ピリミジノン化合物と混合して用いることが
できる溶剤の例としては、例えば、水、モノエタノール
アミン、Ｎ−メチルイソプロピルアミンなどのアミン
類、ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリド
ンなどのアミド類、エチレングリコールモノエチルエー
テルなどのグリコールエーテル類およびそのアセテート
類、アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン類、ジ
メチルスルホキシドなどが挙げられる。これらの溶剤は
単独でまたは二種以上混合して使用することができる。
剥離液中のピリミジノン化合物の含有量は、１０重量％
以上とすることが好ましい。１０重量％未満の場合は、
ピリミジノン化合物を用いた効果が小さくなる。
般式（Ｉ）で表されるピリミジノン化合物としては、例
えば、１，３−ジメチル−３，４，５，６−テトラヒド
ロ−２（１Ｈ）−ピリミジノン（ジメチルプロピレンウ
レア）、１，３−ジエチル−３，４，５，６−テトラヒ
ドロ−２（１Ｈ）−ピリミジノン、１，３−ジ−ｎ−プ
ロピル−３，４，５，６−テトラヒドロ−２（１Ｈ）−
ピリミジノン、１，３−ジ−ｉｓｏ−プロピル−３，
４，５，６−テトラヒドロ−２（１Ｈ）−ピリミジノン
などが挙げられる。これらピリミジノン化合物は、剥離
液に単独でまたは二種以上組み合わせて用いられる。本
発明では、ピリミジノン化合物をフォトレジスト剥離液
としてそのまま使用する、すなわちピリミジノン化合物
１００％液として使用することもできるし、また、ピリ
ミジノン化合物を他の溶剤と混合して使用することもで
きる。上記ピリミジノン化合物と混合して用いることが
できる溶剤の例としては、例えば、水、モノエタノール
アミン、Ｎ−メチルイソプロピルアミンなどのアミン
類、ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリド
ンなどのアミド類、エチレングリコールモノエチルエー
テルなどのグリコールエーテル類およびそのアセテート
類、アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン類、ジ
メチルスルホキシドなどが挙げられる。これらの溶剤は
単独でまたは二種以上混合して使用することができる。
剥離液中のピリミジノン化合物の含有量は、１０重量％
以上とすることが好ましい。１０重量％未満の場合は、
ピリミジノン化合物を用いた効果が小さくなる。
【０００８】本発明のピリミジノン化合物含有フォトレ
ジスト剥離液を用いてフォトレジストの剥離を行う場
合、被剥離物を室温の剥離液中に数分間浸漬処理すれば
よい。このとき、剥離液を加温したり、超音波を併用す
ることにより、さらに剥離力を向上させることができる
場合があり、本発明においては必要に応じこのような方
法を採用してもよい。本発明の剥離液を用いて剥離処理
を行うことにより、密着性を向上させるために高温でポ
ストベークを行ったフォトレジストも容易に剥離するこ
とができる。
ジスト剥離液を用いてフォトレジストの剥離を行う場
合、被剥離物を室温の剥離液中に数分間浸漬処理すれば
よい。このとき、剥離液を加温したり、超音波を併用す
ることにより、さらに剥離力を向上させることができる
場合があり、本発明においては必要に応じこのような方
法を採用してもよい。本発明の剥離液を用いて剥離処理
を行うことにより、密着性を向上させるために高温でポ
ストベークを行ったフォトレジストも容易に剥離するこ
とができる。
【０００９】剥離処理後、水でリンスすることにより被
剥離物上のピリミジノン化合物含有フォトレジスト剥離
液は、容易に除去することができる。また、これまでの
剥離液ではこのリンス時に不溶物が析出し、それらが剥
離後の基板に再付着することより、半導体基板等の物品
の性能に悪影響をおよぼすことがあったが、本発明の剥
離液ではこのような問題は生じないので、半導体集積回
路、ＦＰＤデバイス等を歩留まり良く製造することがで
きる。本発明の剥離液は、従来公知の何れのフォトレジ
ストに対して適用した場合においても好適な結果が得ら
れるが、特に好適な結果は、「ノボラック樹脂／キノン
ジアジド化合物」系のポジ型レジストに適用した場合に
見られる。
剥離物上のピリミジノン化合物含有フォトレジスト剥離
液は、容易に除去することができる。また、これまでの
剥離液ではこのリンス時に不溶物が析出し、それらが剥
離後の基板に再付着することより、半導体基板等の物品
の性能に悪影響をおよぼすことがあったが、本発明の剥
離液ではこのような問題は生じないので、半導体集積回
路、ＦＰＤデバイス等を歩留まり良く製造することがで
きる。本発明の剥離液は、従来公知の何れのフォトレジ
ストに対して適用した場合においても好適な結果が得ら
れるが、特に好適な結果は、「ノボラック樹脂／キノン
ジアジド化合物」系のポジ型レジストに適用した場合に
見られる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明を実施例によりさらに具体的に
説明するが、本発明がこれらに限定されるものではな
い。 （剥離試験） 実施例１〜１３、比較例１〜４ ジメチルプロピレンウレア（ＤＭＰＵ）、モノエタノー
ルアミン（ＭＥＡ）、Ｎ−メチルイソプロピルアミン
（ＭＩＰＡ）、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭ
Ｐ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）を用いて、表
１に示される実施例１〜１３および比較例１〜４の組成
を有する１７種の剥離液を作成した。次いで、剥離試験
に用いられるレジストパターンを次のようにして作成
し、１７種の剥離液を用いて剥離処理を行った。すなわ
ち、まず、クラリアントジャパン社製フォトレジストＡ
Ｚ ＴＦＰ−６５０を４インチシリコンウェハー上に回
転塗布し、１００℃、９０秒間ホットプレートにてベー
クし、１．５μｍ厚のレジスト膜を得た。このレジスト
膜にＧＣＡ社製ｇ線ステッパー（ＤＳＷ６３００、ＮＡ
＝０．３０）にて、露光をおこなった後、２．３８重量
％水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液（ＡＺ ３０
０ＭＩＦ：クラリアントジャパン社製）により、２３℃
で６０秒間現像を行ない、レジストパターンの形成をお
こなった。その後、１２０℃または１４０℃で１２０秒
間のポストベーク（加熱処理）をおこない、表１の実施
例１〜１３および比較例１〜４に記載の組成を有する剥
離液を用い、２３℃および５０℃の２種類の剥離液温度
で各１分間浸漬することにより、各レジストパターンの
剥離をおこなった。観察結果を表１に示す。
説明するが、本発明がこれらに限定されるものではな
い。 （剥離試験） 実施例１〜１３、比較例１〜４ ジメチルプロピレンウレア（ＤＭＰＵ）、モノエタノー
ルアミン（ＭＥＡ）、Ｎ−メチルイソプロピルアミン
（ＭＩＰＡ）、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭ
Ｐ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）を用いて、表
１に示される実施例１〜１３および比較例１〜４の組成
を有する１７種の剥離液を作成した。次いで、剥離試験
に用いられるレジストパターンを次のようにして作成
し、１７種の剥離液を用いて剥離処理を行った。すなわ
ち、まず、クラリアントジャパン社製フォトレジストＡ
Ｚ ＴＦＰ−６５０を４インチシリコンウェハー上に回
転塗布し、１００℃、９０秒間ホットプレートにてベー
クし、１．５μｍ厚のレジスト膜を得た。このレジスト
膜にＧＣＡ社製ｇ線ステッパー（ＤＳＷ６３００、ＮＡ
＝０．３０）にて、露光をおこなった後、２．３８重量
％水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液（ＡＺ ３０
０ＭＩＦ：クラリアントジャパン社製）により、２３℃
で６０秒間現像を行ない、レジストパターンの形成をお
こなった。その後、１２０℃または１４０℃で１２０秒
間のポストベーク（加熱処理）をおこない、表１の実施
例１〜１３および比較例１〜４に記載の組成を有する剥
離液を用い、２３℃および５０℃の２種類の剥離液温度
で各１分間浸漬することにより、各レジストパターンの
剥離をおこなった。観察結果を表１に示す。
【００１１】なお、表中、剥離の評価は次の評価基準に
基づいたものである。 ○ フォトレジストが完全に剥離した △ フォトレジストのわずかな剥離残りがある × フォトレジストの明らかな剥離残りがある
基づいたものである。 ○ フォトレジストが完全に剥離した △ フォトレジストのわずかな剥離残りがある × フォトレジストの明らかな剥離残りがある
【００１２】
【表１】
【００１３】（再付着性試験）剥離後純水でリンスする
ことを想定し、純粋リンス時の耐付着性の試験を行っ
た。以下の実施例１４〜２６および比較例５〜８での試
験は、フォトレジストを溶解含有する剥離液を一定量水
に添加した際の、該添加水溶液の透明度を測定すること
により行ったものであるが、後述するように、この試験
は実際のリンス結果と相関関係を有している。
ことを想定し、純粋リンス時の耐付着性の試験を行っ
た。以下の実施例１４〜２６および比較例５〜８での試
験は、フォトレジストを溶解含有する剥離液を一定量水
に添加した際の、該添加水溶液の透明度を測定すること
により行ったものであるが、後述するように、この試験
は実際のリンス結果と相関関係を有している。
【００１４】実施例１４〜２６、比較例５〜８ クラリアントジャパン社製フォトレジストＡＺ ＴＦＰ
−６５０から溶剤を蒸発除去させ乾燥させた、乾燥ＡＺ
ＴＦＰ−６５０を準備し、これを実施例１〜１３、比
較例１〜４同様ジメチルプロピレンウレア（ＤＭＰ
Ｕ）、モノエタノールアミン（ＭＥＡ）、Ｎ−メチルイ
ソプロピルアミン（ＭＩＰＡ）、Ｎ−メチル−２−ピロ
リドン（ＮＭＰ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）
を用いる表２の実施例１４〜２６および比較例５〜８記
載の組成を有する剥離液１０ｇに対し、各０．１７４、
０．３４８、０．５２２、０．６９６、０．８７０、
１．０４４ｇずつ溶解させた。この乾燥ＡＺ ＴＦＰ−
６５０溶解剥離液を純水３００ｍｌに対して各２．５ｍ
ｌずつ滴下し、その溶液を「ＪＩＳ Ｋ ０１０２ 工
場排水試験方法」の透視度の測定方法にしたがい、水の
濁り具合（透視度）の観察をおこなった。透視度は標識
板を０．２ｃｍずつ動かし観察できなくなる直前の深度
を透視度とした。結果を表２に示す。
−６５０から溶剤を蒸発除去させ乾燥させた、乾燥ＡＺ
ＴＦＰ−６５０を準備し、これを実施例１〜１３、比
較例１〜４同様ジメチルプロピレンウレア（ＤＭＰ
Ｕ）、モノエタノールアミン（ＭＥＡ）、Ｎ−メチルイ
ソプロピルアミン（ＭＩＰＡ）、Ｎ−メチル−２−ピロ
リドン（ＮＭＰ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）
を用いる表２の実施例１４〜２６および比較例５〜８記
載の組成を有する剥離液１０ｇに対し、各０．１７４、
０．３４８、０．５２２、０．６９６、０．８７０、
１．０４４ｇずつ溶解させた。この乾燥ＡＺ ＴＦＰ−
６５０溶解剥離液を純水３００ｍｌに対して各２．５ｍ
ｌずつ滴下し、その溶液を「ＪＩＳ Ｋ ０１０２ 工
場排水試験方法」の透視度の測定方法にしたがい、水の
濁り具合（透視度）の観察をおこなった。透視度は標識
板を０．２ｃｍずつ動かし観察できなくなる直前の深度
を透視度とした。結果を表２に示す。
【００１５】
【表２】
【００１６】なお、実施例１〜１３と同様にレジストパ
ターンを形成し、１４０℃で１２０秒間のポストベーク
（加熱処理）を行った後、実施例１５、１９、２３およ
び比較例７の剥離液処方で、かつ２３℃の剥離液温度で
１分間浸漬することによりレジストパターンの剥離を行
い、次いで純水でリンスを行ったところ、実施例１５、
１９および２３の剥離液を用いた揚合は不溶物の析出が
観察されなかったが、比較例７の剥離液を用いた揚合
は、不溶物の析出が観察された。この結果から、上記透
視度による剥離試験法の結果と実用上の再付着防止作用
との相関関係が確認された。
ターンを形成し、１４０℃で１２０秒間のポストベーク
（加熱処理）を行った後、実施例１５、１９、２３およ
び比較例７の剥離液処方で、かつ２３℃の剥離液温度で
１分間浸漬することによりレジストパターンの剥離を行
い、次いで純水でリンスを行ったところ、実施例１５、
１９および２３の剥離液を用いた揚合は不溶物の析出が
観察されなかったが、比較例７の剥離液を用いた揚合
は、不溶物の析出が観察された。この結果から、上記透
視度による剥離試験法の結果と実用上の再付着防止作用
との相関関係が確認された。
【００１７】
【発明の効果】従来のフォトレジストの剥離液は、剥離
液を高温とし、かつ時間をかけなければ十分な剥離性が
得られなかったが、本発明の剥離液では、低温、短時問
で容易に剥離することができるとともに、剥離後のリン
ス時に不純物が析出し、被処理物である基板などに再付
着することがなく、かつ配線材料などの腐食性も少な
く、環境並びに人体に対する安全性にも優れているた
め、半導体集積回路、ＦＰＤデバイス等を迅速かつ歩留
まりよく、しかも安全に製造することができる。
液を高温とし、かつ時間をかけなければ十分な剥離性が
得られなかったが、本発明の剥離液では、低温、短時問
で容易に剥離することができるとともに、剥離後のリン
ス時に不純物が析出し、被処理物である基板などに再付
着することがなく、かつ配線材料などの腐食性も少な
く、環境並びに人体に対する安全性にも優れているた
め、半導体集積回路、ＦＰＤデバイス等を迅速かつ歩留
まりよく、しかも安全に製造することができる。
Claims (4)
- 【請求項１】下記一般式（Ｉ）で表されるピリミジノン
化合物を含有することを特徴とするフォトレジスト剥離
液。 【化１】 （式中、Ｒ1 およびＲ2 は、各々、水素原子または炭素
数１〜４のアルキル基を表す。） - 【請求項２】ピリミジノン化合物の含有量が１０〜１０
０重量％であることを特徴とする請求項１記載のフォト
レジスト剥離液。 - 【請求項３】ピリミジノン化合物が、１，３−ジメチル
−３，４，５，６−テトラヒドロ−２（１Ｈ）−ピリミ
ジノンであることを特徴とする請求項１または請求項２
記載のフォトレジスト剥離液。 - 【請求項４】請求項１、請求項２または請求項３記載の
フォトレジスト剥離液を用いてフォトレジストを剥離す
ることを特徴とするフォトレジストの剥離方法。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10344089A JP2000171986A (ja) | 1998-12-03 | 1998-12-03 | フォトレジスト剥離液および剥離方法 |
| EP99957400A EP1054297A4 (en) | 1998-12-03 | 1999-12-01 | PHOTO-RESISTANT COATING AND DE-COATING PROCESS |
| PCT/JP1999/006728 WO2000033139A1 (fr) | 1998-12-03 | 1999-12-01 | Agent de decollement de photoresist, et procede de decollement associe |
| KR1020007008352A KR20010040496A (ko) | 1998-12-03 | 1999-12-01 | 감광성 내식막 박리액 및 박리방법 |
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| CNB998026387A CN1248056C (zh) | 1998-12-03 | 1999-12-01 | 光致抗蚀剂剥离液及剥离方法 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10344089A JP2000171986A (ja) | 1998-12-03 | 1998-12-03 | フォトレジスト剥離液および剥離方法 |
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|---|---|
| JP2000171986A true JP2000171986A (ja) | 2000-06-23 |
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Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
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Country Status (7)
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|---|---|
| EP (1) | EP1054297A4 (ja) |
| JP (1) | JP2000171986A (ja) |
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| CN (1) | CN1248056C (ja) |
| MY (1) | MY130894A (ja) |
| TW (1) | TW459166B (ja) |
| WO (1) | WO2000033139A1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011070057A (ja) * | 2009-09-28 | 2011-04-07 | Tosoh Corp | レジスト剥離剤及びそれを用いた剥離方法 |
| KR101036753B1 (ko) | 2008-11-07 | 2011-05-24 | 주식회사 동부하이텍 | 화학증폭형 포토레지스트용 첨가제 및 이를 포함하는 화학증폭형 포토레지스트 조성물 |
| KR101109057B1 (ko) * | 2004-07-12 | 2012-01-31 | 주식회사 동진쎄미켐 | 포토레지스트 제거용 씬너 조성물 |
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-
1999
- 1999-12-01 TW TW088120968A patent/TW459166B/zh not_active IP Right Cessation
- 1999-12-01 WO PCT/JP1999/006728 patent/WO2000033139A1/ja not_active Application Discontinuation
- 1999-12-01 KR KR1020007008352A patent/KR20010040496A/ko not_active Application Discontinuation
- 1999-12-01 CN CNB998026387A patent/CN1248056C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1999-12-01 EP EP99957400A patent/EP1054297A4/en not_active Withdrawn
- 1999-12-02 MY MYPI99005246A patent/MY130894A/en unknown
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|---|---|---|---|---|
| KR101109057B1 (ko) * | 2004-07-12 | 2012-01-31 | 주식회사 동진쎄미켐 | 포토레지스트 제거용 씬너 조성물 |
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| Publication number | Publication date |
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