TWI288461B - Semiconductor device, full wave rectifier circuit, and half wave rectifier circuit - Google Patents

Semiconductor device, full wave rectifier circuit, and half wave rectifier circuit Download PDF

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Description

1288461 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關半導體農置、全波整流電路、以及半波 整流電路，例如能適用於抓標籤（RF Tag)的整流電路。 【先前技術】 近年來’利用具有特定頻帶的頻率之RF信號（無線信 波），，開發有能在和資訊處理裝置之間進行資訊通信之 RF標籤。由於rf標籤#作发她μ今 λ、、、辨識負訊記錄媒體而張貼於 對象物以取代條碼，故彡且梦右ρ Ρ 她… 、裝有RF電路、記憶有關對象物的 辨識貧訊之記憶體電路、或邏輯電路等。 -般而言’ KF標籤的内部雖係内藏有接收狀信號之 :線’但在未具備電池之狀標籤中，藉由整流電路而將由 接收之RF信號變換成直流電&並將該直流㈣ 作為内滅於RF標籤之電路的電㈣壓而使用。 =4圖絲示RF標狀電源電路。5()係表示由並聯
#接線圈5 1和電容哭$ 9 3" it + crA u 電路所組成之天線。60係 將由天線50所接收之狀信號進行全波整流之全波整流電 ==全波整流電路60係將第】二極體D卜第2二極體 電路3T極體D3、以及第4二極體D4連接成橋接型的 電路。天線50係連接於D1和D2的連接節點ίΝ+、 ί>4的連接節點ίΝ -之 輪出端子mrr 自和D3的連接節點取出負 ，而自D2和D4的連接節點取出正輸出^ 、員輸出知子〇υτ-一般係接地，故能自正於 出端子OUT+取得經全波敕、★之ρ _ 輸 王疚i肌之彳5旒。又，61係連接於正輸 317401 5 1288461 出端子OUT+和負輸出端子OUT -之間沾认τ 、间的輪出電容哭。 • 以下，說明該電源電路的動作。央 σσ 由天線50所接收。由於RF信號係交㈣RF#唬係 _之正的半週期(節點_電位係較二：，故在咖 中，如第4圖之-點鏈線所示，由通過如、 : D3之路徑而流通電流，並使輸出電容器6丨 電谷/ 6卜 RF信號之負的半週期（節點IN 仃充電。在 位高）中，如第3圖之虛線所示，由占1N+的電 ^ R1 ηι , 通過D4、輸出電容器 Γ = 而流通電流’並使輸出電容㈣進行充電。
如此處理’則遍及RF信號的全週期而進行整 電壓充電於輸出電容器61。 1 ML 繼而參閱第5圖和第6圖說明將第L -二極體D2、第3二極體D3、以及第4 _極_
標鐵之半導體積體電路晶片的構造。—極體M内藏於RF 第5圖係表示第2二極體D2、第4二 之截面圖。在P型丰導麫其^1ηΑΑ^ 4辑么 •U丨 产+ ¥體基板10的表面形成有Ν型牌區域 (weU re⑽川，且在μ型牌區的表面形成有η 型擴散層12和Ν+型擴散層13c)p+型擴散層12 極電極14，N+型萨埒屉1 q後#拉# ’、連接者％ Μ型二極體構造 連接者陰極電極15,而形成 之截^?示第1二極體D1、第3二極體如的構造 =截且面在圖型半導體基板1〇的表面形成有P型解區域 2L·且在该P型阱區域21的表面形成有_擴散層 P+型擴散層23 ° N+型擴散層22係連接著陰極電極24，料 317401 6 1288461 1擴散層23係連接著陽極電極25，而形成一 -造。在該構造係P型何體基板1〇騎型-極體構 P型半導體基板10 —般係接地。 W 6、部份。 [專利文獻丨]日本特開平8-251925號公報 [專利文獻2]曰本特開平8 —88586 【發明内容】 報 (發明欲解決之課題） 在上述之第2二極體D2、第4二極體以中， 有時較P型半導體基板1。的電位還高了 二正常作動，則如第5圖所示，在形成於J 基板10的表面之_牌區域11中形成有二極體。 但，在第5圖的構造中，由於係存在 -12作成射極，將N+型垆 i擴政層 0 、.十&擴政層13和N賴區域11作成基極， 型半導體基板10作成集極之PNP型的寄生雙極性電 曰曰體’故自陽極電極14而使二極體的順向電流流向陰極電 f 15 則由於該順向電流係相當於寄生雙極性電晶體的 基極電肌Ib，故該寄生雙極性電晶體係呈現導通狀態。 如此，則集極電流Ie係作為漏失電流，而自p+型擴散 層12(射極）流出於p型半導體基板1〇(集極），由於該流出 之集極電流Ic並無助於輸出電容器61的充電，故存在全 波整流電路的電力效率降低之問題。又，有關第1二極體 D1第3 —極H D3係如第6圖所示，由於寄生雙極性電晶 體並不存在，故不會產生如上述㈣題。 此外，將第5圖之第2二極體D2和第6圖之第3二極 317401 7 Ϊ288461 體D3形成於相同的户型半導體基 生間流體，而於該寄生間彳料成有寄 之虞4產峰P1雜士 時有產生問鎖（latch叩） 低，、赤L 則產生全波整流電路的電力效率降 低或產生錯誤動作之問題。 (解決課題之手段） 因此’本發明之半導體裝置之特徵在於： 具備： ' 第1導電型之半導體基板； 的表^ ^電型之第1胖區域，係形成於前述半導體基板 之中第1導電型之第2胖區域，係形成於前述第i阱區域 、第2 ‘電型之第1擴散層，係形成於前述第1味區域 的表►面， 第1 V電型之第2擴散層，係形成於前述第2牌區域 p表面；以及 第2 ‘電型之第3擴散層，係形成於前述第2解區域 的表面； 且電性地連接前述第1擴散層和前述第2擴散層。 、此外，本發明之全波整流電路，係在4個整流元件為 連接成橋接型之全波整流電路中，至少丨個整流元件係且 備： a 第1導電型之半導體基板； 第2導電型之第1阱區域，係形成於前述半導體基板 317401 8 1288461 的表面； 第1導電型之第2阱區域，係形成於前述第i阱區域 之中； 第2導電型之第1擴散層，係形成於前述第1阱區域 的表面； 第1導電型之第2擴散層，細彡成於前述第2牌區域 的表面；以及 第2導電型之第3擴散層’係形成於前述第2阱 鲁的表面； 且電性地連接前述帛1擴散層和前述帛2擴散層。 此外，本發明之半波整流電路，係在具有 件之半波整流電路中，前述整流元件係具備： 第1導電型之半導體基板； 述半導體基板 第2導電型之第1_域，係形成於前 的表面； 係形成於前述第1阱區域 係形成於前述第1阱區域 係形成於前述第2阱區域 第1導電型之第2阱區域 气中； 第2導電型之第1擴散層 的表面； 第1導電型之第2擴散層 的表面；以及 第2導電型之第3擴散層 的表面； 且電性地連接前述第1擴 ’係形成於前述第2阱區域 散層和前述第2擴散層。 9 1288461 (發明之功效） 根據本發明之半導體裝置，則在流通順向電流於二極 體時，能防止漏失白費的電流於半導體基板。此外，亦能 防止閂鎖的產生。據此，藉由將本發明之半導體裝置作為 整流電路之整流元件而使用，即能提升整流電路之電力效 率。 此外，根據本發明之全波整流電路，則在流通順向電 流於整流元件（二極體）時，能防止漏失白費的電流於半導 馨體基板’且能提升全波整流電路之電力效率。 此外，根據本發明之半波整流電路，則在流通順向電 流於整流元件（二極體）時，能防止漏失白費的電流於半導 體基板，且能提升半波整流電路之電力效率。 【實施方式】 繼之，說明有關本發明之全波整流電路及其所使用之 二極體的構造。該全波整流電路雖和第4圖所示之電路相 _同仁第2 一極體D2、以'及第4二極體D4的構造則和第5 圖的構造不同。有關第4二極體D4由於亦能採用和第2 二極體D2相同的構造，故以下係參閱第1圖而說明第2 二極體D2的構造。 在P型半導體基板31的表面形成有n型醉區域犯， 且在該N型阱區域32之中復形成有阱區域33。亦即 P型阱區域33係形成較_阱區域32為淺。在p型阱區 域33之外的_胖區域32的表面係形成有_擴散層 34。此外’在p型阱區域33的表面係形成有型擴散層 317401 10 1288461 35和N+型擴散層36。 形成於N型胖區域32的表面之N·(•型擴散層34、以及 形成於P型阱區域33的表面之p+型擴散層35，係藉由鋁 等所組成之配線37而作電性地連接，並連接陽極電極38 於該配線37。此外，N+型擴散層36係連接著陰極電極⑽。 P型半導體基板31係以接地為佳。根據該構造，則由p+ 型擴散層35、P型阱區域33、以及N+型擴散層託而構成 PN型二極體。 此外，存在著將N+型擴散層36作成射極，將p+型擴 散層35和P型阱區域33作成基極，且將射型擴散層μ 作成集極之胸型的寄生雙極性電晶體，當自陽極電極⑽ 使二極體的順向電流流向陰極電極39時，由於該順向電流 係相當於寄生雙極性電晶體的基極電流h，故該寄生雔極1 性電晶體係呈現導通狀態。 又 。但’來自Ν+型擴散層34的集極電流Ic係流入於？型 •牌區域33 ’進而被吸收於射極之N+型擴散層36，且产入 至陰極電極39。因此，如習知例，由於^不會漏^p 1 +導體基板3卜故能提升全波整流電路之電力效率。此 夕，不會有如習知例之產生閂鎖之虞。 3 2二外/出藉由設置P+型擴散層41於鄰接於N型解區域 、垔半導體基板31的表©，則在形成第2二極體如 之外，亦能形成與其串聯之第i二極體D卜第ι圖中 型擴政層41雖係形成於鄰接於N型㈣域 贿區域的表面，但無P㈣區域4〇亦可而= 317401 11 1288461 層41係开》成有第1二極體])1的陽極電極42。形成於N型 -味區域32的表面之N+型擴散層34係作為第1二極體 的陰極而使用。 因此，根據該構造，藉由形成N型阱區域32，則無須 追加特別的製程而能形成第丨二極體D1於其鄰近。此外， 亦具有旎縮小第1和第2二極體Dl、D2的圖案面積之優 點。上述之第1和第2二極體D卜D2的構造係能保持原狀 的使用於第3和第4二極體D3、D4的構造。 • 說明有關本發明之半波整流電路、以及其所使用之二 極體的構造。第2圖係表示半波整流電路之電路圖。係 由並聯連接線圈71和電容器72之共振電路所組成之天 線。73係構成將天線70所接收之RF信號進行半波整流之 半波整流電路的二極體。74係輸出電容器，且連接於正輸 出端子OUT+和負輸出端子〇υτ一之間。該半波整流電路係 和全波整流：路相同地，能使用於RF標藏之電源電路。 籲以下，况明該電路的動作。負輸出端子OUT -係作成 接地狀態。當來自外部的RF信號由天線50所接收時，則 在RF信號之正的半週期（節'點電位係較節點IN-的 電位高）中，係流通二極體73的順向電流，並使輸出電容 器^4進行充電。在RF信號之負的半週期（節點in_ 位係較即點IN+的電位高)中’由於二極體”係反偏壓， 故不抓通順向電流，且不進行輸出電容器Μ的充電。因 此’輸出端？ 0UT+係顯示經半波整流之直流電屢。 作為該二極體73而使用第5圖的構造之二極體時，則 317401 12 1288461 和上述之全波整流電路的不妥同樣地，集極電流h係作為 漏失電流，自P+型擴散層12(射極）流出於p型半導體基板 1〇(集極），而由於該流出之集極電流Ic並無助於輸出電容 益74的充電，故使得半波整流電路的電力效率降低。因 此，如第3圖所示，藉由將二極體73作成和上述之第i 圖的第2二極體D2相同的構造，即能防止電流漏失於p 型半導體基板31，並能提升半波整流電路的電力效率。 【圖式簡單說明】 第1圖係表示本發明之半導體裝置的構造之截面圖。 第2圖係表示本發明之半波整流電路之電路圖。 第3圖係表示本發明之半導體裝置的構造之截面圖。 第4圖係表示全波整流電路之電路圖。 第5圖係表示習知之半導體裝置之截面圖。 第6圖係表示習知之半導體裝置之截面圖。 【主要元件符號說明】 10、31 14 21 37 51 60 73 25 33 71 p型半導體基;I P型擴散層 38、42陽極電 4〇 P型阱區支 配線 線圈 全波整流電路 D1至D4二極體 11 > 32 13 、 22 、 34 、 36 15 、 24 、 39 23 、 35 、 41 50、70 52 6卜 72 、 74 N型阱區域 N+型擴散層 陰極電極 p+型擴散層 天線 電容器 電容器 317401 13

Claims (1)

1288461 十、申請專利範圍： I 一種半導體裝置，係具備： 第1導電型之半導體基板； 第2導電型之第1阱區域，係形成於前述半導體基 板的表面； 第1導電型之第2阱區域，係形成於前述第丨阱區 域之中； 第2導電型之第1擴散層，係形成於前述第】阱區 鲁 域的表面； 第1導電型之第2擴散層，係形成於前述第2阱區 域的表面；以及 第2v電型之第3擴散層，係形成於前述第2阱區 域的表面； 且電性地連接前述第1擴散層和前述第2擴散層。 2.如申請專利範圍第1項之半導體裝置，其中，^備第1 φ導電型之第4擴散層於鄰接於前述第1阱區域之前述半 導體基板的表面。 3· —種全波整流電路，係於4個整流元件連接成橋接型之 全波整流電路中，至少有1個整流元件係具備·· 第1導電型之半導體基板； 第2導電型之第i胖區域，係形成於前述半導體基 板的表面； 帛1導電型之第2胖區域，係形成於前述第】胖區 域之中； 317401 14 1288461 卜 弟2導電型之弟1擴散層’係形成於前述第1味區 . 域的表面； • 第1導電型之第2擴散層，係形成於前述第2牌區 域的表面；以及 第2導電型之第3擴散層，係形成於前述第2牌區 域的表面； 且電性地連接前述第1擴散層和前述第2擴散層。 4·如申請專利範圍第3項之全波整流電路，其中， • 和前述整流元件串聯之另外的整流元件，係具備第 1導電型之第4擴散層於鄰接於前述第1阱區域之前述 半導體基板的表面。 5· 一種半波整流電路，係於具備1個整流元件的半波整流 電路中，前述整流元件係具備： 第1導電型之半導體基板； 第2導電型之第1阱區域，係形成於前述半導體基 板的表面； 第1導電型之第2阱區域，係形成於前述第】阱區 域之中； 第2導電型之第1擴散層，係形成於前述第1阱區 域的表面； 第1導電型之第2擴散層，係形成於前述第2阱區 域的表面；以及 第2導電型之第3擴散層，係形成於前述第2阱區 域的表面； 317401 15 1288461 V 且電性地連接前述第1擴散層和前述第2擴散層。
16 317401
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5437598B2 (ja) * 2008-06-25 2014-03-12 新電元工業株式会社 Ｅｓｄ保護素子および該ｅｓｄ保護素子を設けた半導体装置
JP2011077484A (ja) * 2009-10-02 2011-04-14 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置
JP2018148693A (ja) * 2017-03-06 2018-09-20 日立オートモティブシステムズ株式会社 電動モータの駆動制御装置
JP6807783B2 (ja) 2017-03-14 2021-01-06 ユナイテッド・セミコンダクター・ジャパン株式会社 半導体装置及び全波整流回路
CN113488526B (zh) * 2021-07-19 2023-10-13 江苏韦达半导体有限公司 微型可编程浪涌防护器件及其制作工艺

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2786652B2 (ja) * 1989-02-28 1998-08-13 株式会社東芝 半導体装置
JPH0837283A (ja) * 1994-07-21 1996-02-06 Toshiba Corp 半導体集積回路
JP3501541B2 (ja) * 1995-03-10 2004-03-02 新日本製鐵株式会社 全波整流回路
JPH09321231A (ja) * 1996-03-29 1997-12-12 Toshiba Microelectron Corp 半導体回路、ｍｏｓ集積回路およびｉｃカード
JPH10256483A (ja) 1997-03-11 1998-09-25 Toshiba Corp Ｍｏｓ型半導体集積回路
US6538266B2 (en) * 2000-08-11 2003-03-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Protection device with a silicon-controlled rectifier
US6657274B2 (en) * 2001-10-11 2003-12-02 Microsemi Corporation Apparatus for controlling a high voltage circuit using a low voltage circuit
CN1466208A (zh) * 2002-07-01 2004-01-07 旺宏电子股份有限公司 双极性输入垫的静电放电保护装置及方法
US6777721B1 (en) * 2002-11-14 2004-08-17 Altera Corporation SCR device for ESD protection
US7109437B2 (en) * 2003-12-04 2006-09-19 Lincoln Global, Inc. Electric ARC welder with background current
JP4519716B2 (ja) * 2005-06-02 2010-08-04 富士通セミコンダクター株式会社 整流回路用ダイオードを有する半導体装置

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