JP5437598B2 - Esd保護素子および該esd保護素子を設けた半導体装置 - Google Patents
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Description
ここで、本発明の半導体素子10について詳細に説明する。尚、請求項における第1導電型をp型とし、第2導電型をn型として以降の説明を行う。
先ず、半導体素子50およびパッド60間のノードから通常の電圧が第1端子に印加されたときの動作を説明する。
2 第2半導体領域
3 第3半導体領域
4 第4半導体領域
5 第5半導体領域
6 第6半導体領域
7 第7半導体領域
8 第8半導体領域
10 ESD保護素子
11 第1電極
12 第2電極
13 第3電極
20 等価回路
50 半導体素子
60 パッド
100 半導体装置
Claims (3)
- 第1導電型の第1半導体領域と、
前記第1半導体領域の表面上に所定の間隔を有してそれぞれ設けられた第1電極および第2電極と、
前記第1半導体領域の表面側に設けられた第2導電型の第2半導体領域と、
前記第2半導体領域内であって当該領域の表面側にそれぞれ間隔を置いて設けられ前記第1半導体領域より高濃度の第1導電型の第3半導体領域および第4半導体領域と、
前記第3半導体領域内であって当該領域の表面側に設けられて、前記第1電極と電気的に接続された第2導電型の第5半導体領域と、
前記第4半導体領域内であって当該領域の表面側に設けられて、前記第2電極と電気的に接続された第2導電型の第6半導体領域と、
前記第1半導体領域の表面上に設けられ、前記第2電極と電気的に接続された第3電極と、該第3電極と電気的に接続され前記第1半導体領域の表面側に前記第2半導体領域と所定の間隔を有して形成された前記第1半導体領域より高濃度の第1導電型の第7半導体領域と、を備えており、
前記第1導電型がp型および第2導電型がn型のとき、前記第1電極は通常電圧が印加され、前記第2電極および前記第3電極は接地されている状態で、
前記第2半導体領域、前記第3半導体領域および前記第4半導体領域は、それぞれが浮遊電位に保たれていることを特徴とするESD保護素子。 - 前記第7半導体領域内であって当該領域の表面側に前記第3電極と電気的に接続されるように設けられ、前記第7半導体領域より高濃度に第1導電型の不純物を含む第8半導体領域を備えることを特徴とする請求項1記載のESD保護素子。
- 半導体素子と、該半導体素子に接続された電極パッドと、前記半導体素子および前記電極パッド間のノードに接続された請求項1から請求項2の何れか1項記載のESD保護素子と、が半導体基板上に設けられていることを特徴とする半導体装置。
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