JP2008130994A - 静電保護回路 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】放電回路部11、トリガ回路部12A、及びトリガ制御回路部13から構成され、放電回路部11は、半導体装置の所定のノードに接続されており、この所定のノードにサージ電圧が印加された際に放電を行う。トリガ回路部12Aは、放電回路部11をトリガして放電回路部11における放電動作を開始させる。トリガ制御回路部13は、トリガ回路部12Aが放電回路部11における放電動作を開始させる際のトリガ電圧の値を調整する。
【選択図】 図1
Description
図1は、この発明の静電保護回路(ESD保護回路)の第1の実施形態による構成を示すブロック図である。第1の実施形態のESD保護回路は、放電回路部11、トリガ回路部12A、及びトリガ制御回路部13から構成される。放電回路部11は、半導体装置の所定のノードに接続されており、この所定のノードにサージ電圧が印加された際に放電を行う。トリガ回路部12Aは、放電回路部11をトリガして放電回路部11における放電動作を開始させる。さらに、トリガ制御回路部13は、トリガ回路部12Aが放電回路部11における放電動作を開始させる際のトリガ電圧の値を調整する。
図2は、この発明のESD保護回路の第2の実施形態による構成を示すブロック図である。第2の実施形態のESD保護回路は、放電回路部11、トリガ回路部12B、及び放電制御回路部14から構成される。放電回路部11は、第1の実施形態のものと同様に、半導体装置の所定のノードに接続され、この所定のノードにサージ電圧が印加された際に放電を行う。トリガ回路部12Bは、放電回路部11をトリガして放電回路部11における放電動作を開始させるが、第1の実施形態のものと異なる点は、放電回路部11における放電動作を開始させる際のトリガ電圧の値が固定されていることである。放電制御回路部14は、放電回路部11が放電動作を開始する際の放電開始電圧の値を調整する。
次に、第1、第2の実施形態のESD保護回路の具体例について以下に詳述する。
図4は、第1の実施形態の第2の具体例に係るESD保護回路の回路図である。このESD保護回路は、図3に示すESD保護回路と比べて、放電回路部11及びトリガ回路部12Aの構成は同じであり、トリガ制御回路部13の構成が一部異なる。従って、図3と異なる点についてのみ以下に説明する。
図5は、第2の実施形態の具体例に係るESD保護回路の回路図である。放電回路部11は、半導体装置の所定のノード、例えば電源電圧の供給ノード21と基準電圧VSS(接地電圧)の供給ノードとの間に電流通路が挿入されたサイリスタ22を有している。図3、図4と同様に、サイリスタ22は、PNP型のバイポーラトランジスタ23とNPN型のバイポーラトランジスタ24とからなる等価回路によって示されている。しかし、実質的にサイリスタが構成されるようなものであれば、図示のように2個のバイポーラトランジスタによって構成されていなくともよい。さらに、図3、図4と同様に、放電回路部11は、サイリスタ22の他に複数個のダイオード25と抵抗26を有する。
Vb(22)はトランジスタ22のベース電圧、Vbe(35)はトランジスタ35のベース・エミッタ間電圧であり、Vb(22)はノード21の電圧をV(21)とすると、次の(2)式で与えられる。
すなわち、トリガ電圧の値は、制御端子29に供給する制御電圧Vcontの値に応じて自由に調整できる。また、制御端子29を半導体装置の外部端子として取り出すようにすれば、トリガ電圧の値を外部から調整できるようになる。
次に、本発明の応用例について説明する。
Claims (5)
- 半導体装置の所定のノードに接続され、この所定のノードにサージ電圧が印加された際に放電を行う放電回路部と、
上記放電回路部をトリガして上記放電回路部における放電動作を開始させるトリガ回路部と、
上記トリガ回路部が上記放電回路部における放電動作を開始させる際のトリガ電圧の値を調整するトリガ制御回路部
を具備したことを特徴とする静電保護回路。 - 前記放電回路部は、前記所定のノードと基準電圧のノードとの間に電流通路が挿入されたサイリスタを有し、
前記トリガ回路部は、前記サイリスタの制御電極と前記基準電圧のノードとの間に挿入された複数個のダイオードを有し、
前記トリガ制御回路部は、前記ダイオードと前記基準電圧のノードとの間に電流通路が挿入され、ゲートに制御電圧が供給されるMOSトランジスタを有することを特徴とする請求項1記載の静電保護回路。 - 前記放電回路部は、前記所定のノードと基準電圧のノードとの間に電流通路が挿入されたサイリスタを有し、
前記トリガ回路部は、前記サイリスタの制御電極と前記基準電圧のノードとの間に挿入された複数個のダイオードを有し、
前記トリガ制御回路部は、前記ダイオードと前記基準電圧のノードとの間に電流通路が挿入され、ベースに制御電圧が供給されるバイポーラトランジスタを有することを特徴とする請求項1記載の静電保護回路。 - 半導体装置の所定のノードに接続され、この所定のノードにサージ電圧が印加された際に放電を行う放電回路部と、
上記放電回路部をトリガして上記放電回路部における放電動作を開始させ、上記放電回路部における放電動作を開始させる際のトリガ電圧の値が固定されたトリガ回路部と、
上記トリガ回路部のトリガ電圧の値にかかわらずに上記放電回路部における放電動作を禁止する放電制御回路部
を具備したことを特徴とする静電保護回路。 - 前記放電回路部は、前記所定のノードと基準電圧のノードとの間に電流通路が挿入されたサイリスタを有し、
前記トリガ回路部は、前記サイリスタの制御電極と前記基準電圧のノードとの間に接続された複数個のダイオードを有し、
前記放電制御回路部は、前記サイリスタの電流通路に対して電流通路が直列に挿入され、ベースに制御電圧が供給されるバイポーラトランジスタを有することを特徴とする請求項4記載の静電保護回路。
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