CN1783492A - 半导体装置、全波整流电路和半波整流电路 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种能够在二极管中流有正向电流时，防止向半导体基板泄漏浪费的电流的半导体装置。在P型半导体基板(31)的表面上形成有N型阱区域(32)，在N型阱区域(32)中，再形成有P型阱区域(33)。在P型阱区域(33)外的N型阱区域(32)的表面上形成有N+型扩散层(34)。在P型阱区域(33)的表面上，形成有P+型扩散层(35)和N+型扩散层(36)。利用由铝等构成的配线(37)，电连接形成在N型阱区域(32)的表面上的N+型扩散层(34)、和形成在P型阱区域(33)的表面上的P+型扩散层(35)，该配线(37)上连接着阳极电极(38)。N+型扩散层(36)上连接着阴极电极(39)。

Description

半导体装置、全波整流电路和半波整流电路
技术领域
本发明涉及半导体装置、全波整流电路和半波整流电路，例如能够应用于RF标签(tag)的整流电路。
背景技术
近年来，一直在开发能够利用具有规定频带的频率的RF信号(无线信号)来与信息处理装置之间进行信息通信的RF标签。RF标签，取代条形码作为识别信息记录媒体而被粘贴在对象物上，内部装有RF电路、存储有关对象物的识别信息的存储器电路和逻辑电路等。
一般来说，虽然在RF标签的内部内置有接收RF信号的天线，但在不具有电池的RF标签中，利用整流电路将由该天线接收到的RF信号变换为直流电压，利用该直流电压作为RF标签中内置的电路的电源电压。
图4中表示RF标签的电源电路。50是由并联连接线圈51和电容器52的谐振电路构成的天线。60是对由天线50接收到的RF信号进行全波整流的全波整流电路。该全波整流电路60，是桥接了第1二极管D1、第2二极管D2、第3二极管D3和第4二极管D4的电路。天线50连接在D1和D2的连接节点IN+与D3和D4的连接节点IN-之间，从D1和D3的连接节点取出负输出端子OUT-，从D2和D4的连接节点取出正输出端子OUT+。由于一般负输出端子OUT-接地，因此从正输出端子OUT+得到被全波整流后的信号。再有，61是连接在正输出端子OUT+与负输出端子OUT-之间的输出电容器。
以下说明该电源电路的动作。用天线50接收来自外部的RF信号。由于RF信号是交流信号，因此在RF信号的正半周期(节点IN+的电位高于节点IN-的电位)中，如图4的点划线所示，在经过D2、输出电容器61和D3的路径中流过电流，输出电容器61被充电。在RF信号的负半周期(节点IN-的电位高于节点IN+的电位)中，如图4的虚线所示，在经过D4、输出电容器61和D1的路径中流过电流，输出电容器61被充电。这样，在RF信号的整个周期中进行整流，向输出电容器61中充入直流电压。
接着，参照图5和图6，对在RF标签的半导体集成电路芯片中内装有第1二极管D1、第2二极管D2、第3二极管D3和第4二极管D4的结构进行说明。
图5是表示第2二极管D2、第4二极管D4的结构的剖面图。在P型半导体基板10的表面上形成有N型阱区域11，在该N型阱区域11的表面上形成有P+型扩散层12和N+型扩散层13。P+型扩散层12上连接阳极电极14，N+型扩散层13上连接阴极电极15，呈PN型二极管结构。
图6是表示第1二极管D1、第3二极管D3的结构的剖面图。在P型半导体基板10的表面上形成有P型阱区域21，在该P型阱区域21的表面上形成有N+型扩散层22和P+型扩散层23。N+型扩散层22上连接阴极电极24，P+型扩散层23上连接阳极电极25，呈PN型二极管结构。在该结构中，P型半导体基板10构成阳极的一部分。P型半导体基板10一般接地。
【专利文献1】特开平8-251925号公报
【专利文献2】特开平8-88586号公报
由于在上述的第2二极管D2和第4二极管D4中，有时阳极的电位变得高于P型半导体基板10的电位，因此，为了使全波整流电路正常工作，如图5所示，在P型半导体基板10的表面上形成的N型阱区域11中形成有二极管。
但是，在图5的结构中，由于存在以P+型扩散层12为发射极、以N+型扩散层13和N型阱区域11为基极、以P型半导体基板10为集电极的PNP型的寄生双极型晶体管，因此，若从阳极电极14向阴极电路15流动二极管的正向电流，该正向电流相当于寄生双极型晶体管的基极电流IB，因此，该寄生双极型晶体管接通。
于是，就会从P+型扩散层12(发射极)向P型半导体基板10(集电极)流出集电极电流IC作为漏泄电流，由于该流出的集电极电流IC无助于输出电容器61的充电，因此，有全波整流电路的功率效率低下的问题。再有，关于第1二极管D1和第3二极管D3，如图6所示，不存在寄生双极型晶体管，因此不产生如上所述的问题。
此外，若在相同的P型半导体基板10上形成图5的第2二极管D2和图6的第3二极管D3，就形成寄生闸流管，就有通过该寄生闸流管接通而产生封闭(latch up)的危险。若产生封闭，就有全波整流电路的功率效率低下，产生误动作的问题。
发明内容
因此，本发明的半导体装置的特征在于，具有：第1导电型的半导体基板；形成在上述半导体基板的表面上的第2导电型的第1阱区域；形成在上述第1阱区域中的第1导电型的第2阱区域；形成在上述第1阱区域的表面上的第2导电型的第1扩散层；形成在上述第2阱区域的表面上的第1导电型的第2扩散层；形成在上述第2阱区域的表面上的第2导电型的第3扩散层，电连接上述第1扩散层和上述第2扩散层。
此外，本发明的全波整流电路的特征在于，在桥接了4个整流元件的全波整流电路中，至少一个整流元件具有：第1导电型的半导体基板；形成在上述半导体基板的表面上的第2导电型的第1阱区域；形成在上述第1阱区域中的第1导电型的第2阱区域；形成在上述第1阱区域的表面上的第2导电型的第1扩散层；形成在上述第2阱区域的表面上的第1导电型的第2扩散层；形成在上述第2阱区域的表面上的第2导电型的第3扩散层，电连接上述第1扩散层和上述第2扩散层。
此外，本发明的半波整流电路的特征在于，在具有一个整流元件的半波整流电路中，上述整流元件具有：第1导电型的半导体基板；形成在上述半导体基板的表面上的第2导电型的第1阱区域；形成在上述第1阱区域中的第1导电型的第2阱区域；形成在上述第1阱区域的表面上的第2导电型的第1扩散层；形成在上述第2阱区域的表面上的第1导电型的第2扩散层；形成在上述第2阱区域的表面上的第2导电型的第3扩散层，电连接上述第1扩散层和上述第2扩散层。
根据本发明的半导体装置，能够在二极管中流有正向电流时，防止向半导体基板泄漏浪费的电流。此外，能够防止发生封闭。这样，通过使用本发明的半导体装置作为整流电路的整流元件，能够提高整流电路的功率效率。
此外，根据本发明的全波整流电路，能够在整流元件(二极管)中流有正向电流时，防止向半导体基板泄漏浪费的电流，能够提高全波整流电路的功率效率。
此外，根据本发明的半波整流电路，能够在整流元件(二极管)中流有正向电流时，防止向半导体基板泄漏浪费的电流，能够提高半波整流电路的功率效率。
附图说明
图1是表示本发明的半导体装置的结构的剖面图。
图2是表示本发明的半波整流电路的电路图。
图3是表示本发明的半导体装置的结构的剖面图。
图4是表示全波整流电路的电路图。
图5是表示现有的半导体装置的剖面图。
图6是表示现有的半导体装置的剖面图。
具体实施方式
下面，对本发明的全波整流电路和在该电路中使用的二极管的结构进行说明。该全波整流电路与图4中示出的电路相同，但第2二极管D2和第4二极管D4的结构与图5的结构不同。由于第4二极管D4也可以采用与第2二极管D2相同的结构，因此，以下参照图1，对第2二极管D2的结构进行说明。
在P型半导体基板31的表面上形成有N型阱区域32，在该N型阱区域32中，再形成有P型阱区域33。即，P型阱区域33形成得比N型阱区域32浅。在P型阱区域33外的N型阱区域32的表面上形成有N+型扩散层34。此外，在P型阱区域33的表面上形成有P+型扩散层35和N+型扩散层36。
利用由铝等构成的配线37，电连接形成在N型阱区域32的表面上的N+型扩散层34、和形成在P型阱区域33的表面上的P+型扩散层35，并在该配线37上连接着阳极电极38。此外，在N+型扩散层36上连接着阴极电极39。优选P型半导体基板31接地。根据该结构，由P+型扩散层35、P型阱区域33和N+型扩散层36构成PN型二极管。
此外，由于存在以N+型扩散层36为发射极、以P+型扩散层35和P型阱区域33为基极、以N+型扩散层34为集电极的NPN型的寄生双极型晶体管，若从阳极电极38向阴极电极39流动二极管的正向电流，该正向电流就相当于寄生双极型晶体管的基极电流IB，因此，该寄生双极型晶体管接通。
但是，来自N+型扩散层34的集电极电流IC，流入到P型阱区域33中，被作为发射极的N+型扩散层36吸收，并向阴极电极39流入。从而，没有如现有例那样，向P型半导体基板31泄漏电流，因此，能够提高全波整流电路的功率效率。此外，不像现有例那样，没有产生封闭的危险。
此外，通过在与N型阱区域32邻接的P型半导体基板31的表面上设置P+型扩散层41，除了第2二极管D2，还能形成与它串联连接的第1二极管D1。虽然在图1中，P+型扩散层41形成在与N型阱区域32邻接形成的P型阱区域40的表面上，但也可以没有P型阱区域40。在P+型扩散层41上，形成有第1二极管D1的阳极电极42。在N型阱区域32的表面上形成的N+型扩散层34，也被作为第1二极管D1的阴极使用。
从而，根据该结构，通过形成N型阱区域32，无需添加特别的工序就能够在其旁边形成第1二极管D1。此外，还具有能够缩小第1和第2二极管D1、D2的图形面积的优点。上述的第1和第2二极管D1、D2的结构，也可以照搬使用于第3和第4二极管D3、D4的结构中。
对本发明的半波整流电路和在该电路中使用的二极管的结构进行说明。图2是表示半波整流电路的电路图。70是由并联连接线圈71和电容器72的谐振电路构成的天线。73是构成对由天线70接收到的RF信号进行半波整流的半波整流电路的二极管。74是输出电容器，连接在正输出端子OUT+和负输出端子OUT-之间。该半波整流电路，与全波整流电路同样，能够应用于RF标签的电源电路中。
以下说明该电路的动作。设负输出端子OUT-接地。由天线50接收到来自外部的RF信号后，在RF信号的正半周期(节点IN+的电位高于节点IN-的电位)中，流有二极管73的正向电流，输出电容器74被充电。在RF信号的负半周期(节点IN-的电位高于节点IN+的电位)中，由于二极管73被反偏，因此不流过正向电流，故不进行输出电容器74的充电。从而，在输出端子OUT+上，出现被半波整流后的直流电压。
若使用图5的结构的二极管作为该二极管73，与上述全波整流电路的问题同样，会从P+型扩散层12(发射极)向P型半导体基板10(集电极)流出集电极电流IC作为漏泄电流，由于该流出的集电极电流IC无助于输出电容器74的充电，因此，半波整流电路的功率效率会降低。因此，如图3所示，通过将二极管73设置为与上述图1的第2二极管D2相同的结构，能够防止向P型半导体基板31泄漏电流，提高半波整流电路的功率效率。

Claims (5)

1、一种半导体装置，其特征在于，具有：
第1导电型的半导体基板；
形成在上述半导体基板的表面上的第2导电型的第1阱区域；
形成在上述第1阱区域中的第1导电型的第2阱区域；
形成在上述第1阱区域的表面上的第2导电型的第1扩散层；
形成在上述第2阱区域的表面上的第1导电型的第2扩散层；以及，
形成在上述第2阱区域的表面上的第2导电型的第3扩散层，
电连接上述第1扩散层和上述第2扩散层。
2、如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
在与上述第1阱区域邻接的上述半导体基板的表面上，具备第1导电型的第4扩散层。
3、一种全波整流电路，桥接4个整流元件，其特征在于，
至少一个整流元件具有：
第1导电型的半导体基板；
形成在上述半导体基板的表面上的第2导电型的第1阱区域；
形成在上述第1阱区域中的第1导电型的第2阱区域；
形成在上述第1阱区域的表面上的第2导电型的第1扩散层；
形成在上述第2阱区域的表面上的第1导电型的第2扩散层；以及，
形成在上述第2阱区域的表面上的第2导电型的第3扩散层，
电连接上述第1扩散层和上述第2扩散层。
4、如权利要求3所述的全波整流电路，其特征在于，
与上述整流元件串联连接的其他整流元件，在与上述第1阱区域邻接的上述半导体基板的表面上具备第1导电型的第4扩散层。
5、一种半波整流电路，具备一个整流元件，其特征在于，
上述整流元件具有：
第1导电型的半导体基板；
形成在上述半导体基板的表面上的第2导电型的第1阱区域；
形成在上述第1阱区域中的第1导电型的第2阱区域；
形成在上述第1阱区域的表面上的第2导电型的第1扩散层；
形成在上述第2阱区域的表面上的第1导电型的第2扩散层；
形成在上述第2阱区域的表面上的第2导电型的第3扩散层，
电连接上述第1扩散层和上述第2扩散层。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102034819A (zh) * 2009-10-02 2011-04-27 三洋电机株式会社 半导体器件
CN110383666A (zh) * 2017-03-06 2019-10-25 日立汽车系统株式会社 电动机的驱动控制装置及其驱动控制方法
CN113488526A (zh) * 2021-07-19 2021-10-08 江苏韦达半导体有限公司 微型可编程浪涌防护器件及其制作工艺

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5437598B2 (ja) * 2008-06-25 2014-03-12 新電元工業株式会社 Ｅｓｄ保護素子および該ｅｓｄ保護素子を設けた半導体装置
JP6807783B2 (ja) 2017-03-14 2021-01-06 ユナイテッド・セミコンダクター・ジャパン株式会社 半導体装置及び全波整流回路

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2786652B2 (ja) * 1989-02-28 1998-08-13 株式会社東芝 半導体装置
JPH0837283A (ja) * 1994-07-21 1996-02-06 Toshiba Corp 半導体集積回路
JP3501541B2 (ja) * 1995-03-10 2004-03-02 新日本製鐵株式会社 全波整流回路
JPH09321231A (ja) * 1996-03-29 1997-12-12 Toshiba Microelectron Corp 半導体回路、ｍｏｓ集積回路およびｉｃカード
JPH10256483A (ja) 1997-03-11 1998-09-25 Toshiba Corp Ｍｏｓ型半導体集積回路
US6538266B2 (en) * 2000-08-11 2003-03-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Protection device with a silicon-controlled rectifier
US6657274B2 (en) * 2001-10-11 2003-12-02 Microsemi Corporation Apparatus for controlling a high voltage circuit using a low voltage circuit
CN1466208A (zh) * 2002-07-01 2004-01-07 旺宏电子股份有限公司 双极性输入垫的静电放电保护装置及方法
US6777721B1 (en) * 2002-11-14 2004-08-17 Altera Corporation SCR device for ESD protection
US7109437B2 (en) * 2003-12-04 2006-09-19 Lincoln Global, Inc. Electric ARC welder with background current
JP4519716B2 (ja) * 2005-06-02 2010-08-04 富士通セミコンダクター株式会社 整流回路用ダイオードを有する半導体装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102034819A (zh) * 2009-10-02 2011-04-27 三洋电机株式会社 半导体器件
CN110383666A (zh) * 2017-03-06 2019-10-25 日立汽车系统株式会社 电动机的驱动控制装置及其驱动控制方法
CN110383666B (zh) * 2017-03-06 2021-09-03 日立安斯泰莫株式会社 电动机的驱动控制装置及其驱动控制方法
CN113488526A (zh) * 2021-07-19 2021-10-08 江苏韦达半导体有限公司 微型可编程浪涌防护器件及其制作工艺
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