TWI288303B - Exposure transfer mask and exposure transfer mask pattern exchange method - Google Patents

Description

(1) 1288303 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明是關於，使用電子束等之荷電粒子束曝光時， 所用的曝光用轉印遮罩，及曝光轉印用遮罩的圖案轉換方 法。 【先前技術】 製造半導體元件時，圖案的形成使用平版印刷技術， 但這種平版印刷技術，在以往是以使用遮罩的縮小投影光 平版印刷技術爲主流。然而，這種縮小投影光平版印刷技 術，雖然可以獲得很高的製成率，但是需要數千萬日圓至 1億日圓的極爲昂貴的遮罩組，在半導體產業從泛用LSI 轉換到少量多品種生產爲主流的系統LS I的當今，要回收 這種很高的遮罩成本是非常困難。同時，遮罩製造期間也 長達 1個月，對必需是短TAT( turn-around time)的系 統LSI是致命傷。 因此，可以解決這種問題的下一世代的平版印刷技術 之電子束直接描繪技術受到很大的注意。此電子束直接描 繪技術可以不用傳統的昂貴的遮罩，而可以形成〇· 1 5 μπι 以下的細微圖案，因此可以解決使用遮罩的問題點。但是 ，電子束直接描繪技術卻有製成率偏低的缺點。 有一種可以實現，提高電子束平版印刷技術的製成率 的字元投影（CP : Character Projection)方式的提案。此 項技術是，先製成，具有形成重複出現的字元圖案的複數 -5- (3) 1288303 的開口的複數個格的一部分或全部’因此’希望轉換圖案 ，或部分格有問題等時，只要轉換該部分便可以。因此’ 沒有必要製造新的曝光用轉印遮罩，也可以解決新的曝光 用轉印遮罩的成本或交貨期等的問題。 在上述第1觀點，上述遮罩部具備有’含有一個或複 數個格的一個或複數個區塊，各區塊均可以轉換。藉此， 可以任意設定整批轉換的格數。同時，上述區塊最好是配 置成，外接於上述遮罩部內的最外周區塊的圓成爲最小。 而且， 上述區塊最好是配置成，大致上各同數的矩形格大致 上成爲正方形。藉此，可以使荷電粒子束的偏向儘量小。 並且，上述遮罩部是以矽構成較佳。 而，本發明的第2觀點是，提供一種曝光用轉印遮罩 ，具備有，含有形成規定圖案形狀的開口的複數個格的遮 罩部，在上述任一格照射荷電粒子束時，依該圖案透過荷 電粒子，在被處理基板轉印該格的圖案，而在被處理基板 上形成曝光圖案，其特徵爲，上述遮罩部具備有：含有一 個或複數個格的一個或複數個區塊；支持上述區塊的支持 部；黏著上述區塊與上述支持部，且可去除的黏著構件， 上述區塊可以藉由去除上述黏著構件而加以去除，轉換爲 新區塊。 如此，使具備有，含有形成規定圖案形狀的開口的複 數個格的遮罩部，成爲具備有：含有一個或複數個格的一 個或複數個區塊；支持上述區塊的支持部；黏著上述區塊 (4) 1288303 與上述支持部，且可去除的黏著構件的架構，使上述區塊 成爲，可以藉由去除上述黏著構件而加以去除，轉換爲新 區塊，因此，希望轉換圖案，或部分格有問題等時，只要 轉換該部分便可以。因此，沒有必要製造新的曝光用轉印 遮罩，也可以解決新的曝光用轉印遮罩的成本或交貨期等 的問題。同時，只要去除黏著構件便可以卸下該區塊，而 在此安裝上新區塊便可以，因此可以很容易轉換區塊。 在上述第2觀點，上述支持部可以是具有：將上述區 塊定位，藉由上述黏著構件黏著上述區塊的止動部；及支 持該止動部，配設成重疊在上述區塊的一部分的樑部的構 造。藉此，可以將卸下前一區塊後將新區塊載置於樑部， 因爲由止動部定位，可以很容易安裝新區塊。同時，上述 支持部是可以配設成圍繞上述區塊狀，上述黏著構件可以 設在上述區塊周圍的全周或複數個部位。而且，上述區塊 最好是配置成，外接於上述遮罩部內的最外周區塊的圓成 爲最小。上述區塊最好是配置成，大致上各同數的矩形格 大致上成爲正方形。並且，上述區塊與支持部主要是以矽 構成較佳，上述黏著構件最好含有碳。 而且，本發明的第3觀點是提供一種曝光用轉印遮罩 的圖案轉換方法，是具備有，含有形成規定圖案形狀的開 口的複數個格的遮罩部，在上述任一格照射荷電粒子束時 ，依該圖案透過荷電粒子，在被處理基板轉印該格的圖案 ，而在被處理基板上形成曝光圖案的遮罩的圖案轉換方法 ，其特徵爲，上述遮罩部是由：具有一個或複數個格的一 -8 - (5) 1288303 個或複數個區塊；將上述區塊定位的止動部；支持該止動 部，配設成重疊在上述區塊的一部分的樑部；黏著上述止 動部與上述區塊的黏著構件，所構成，而，藉由灰化去除 、 具有欲轉換的圖案的區塊的黏著構件，接著，卸下該區塊 k ，在存在於對應卸下的區塊位置的樑部上載置新的區塊， ' 然後，以黏著構件黏著新的區塊與止動部。 - 如此，藉由灰化去除具有欲轉換的圖案的區塊的黏著 構件，接著，卸下該區塊，在存在於對應卸下的區塊位置 馨 的樑部上載置新的區塊，然後，以黏著構件黏著新的區塊 與止動部，藉此轉換曝光用轉印遮罩的圖案，因此，能以 更現實且容易的方法實施曝光用轉印遮罩的圖案轉換。 【實施方式】 茲參照附圖說明本發明的實施形態如下。 第1圖是表示應用本發明的曝光用轉印遮罩的字元投 影（CP )方式的電子線曝光裝置的模式圖。 在射出電子束的電子槍1下方，配置形成有矩形開口 3的成形開口遮罩2。其下方配置，具有形成重複出現的 各種字元圖案的多數格5的具備本發明的曝光用轉印遮罩 功能的CP開口遮罩4。在CP開口遮罩4的下方，擬圖案 曝光的半導體晶圓6配置在台（未圖示）上。 在這種CP方式的電子線曝光裝置，從電子槍1射出 的電子束EB通過成形開口遮罩2的矩形開口 3成爲成形 光束SB，此成形光束SB則選擇性照射在CP開口遮罩4 -9 - (6) 1288303 的形成有規定的字元圖案的格5。通道CP開口遮罩4生 成的光束圖案BP則成爲圖案7縮小投影在半導體晶圓6 上。 由於使用這種CP方式的電子線曝光裝置，可以藉由 一次照射，曝光1個字元，因此，較之需要多數照射數的 傳統的可變成形描繪方式，可顯著提局描繪速度。 其次說明，應用在上述CP方式的電子線曝光裝置的 本實施形態的CP開口遮罩。第2圖是表示本發明一實施 形態的CP開口遮罩的平面圖。第3圖是其截面圖。 CP開口遮罩10具備有：含有形成重複出現的互異的 字元圖案的400個格1 2的遮罩部1 1 ;及用以支持此遮罩 部1 1，同時具有引導保持具的功能的引導部1 3。 遮罩部11是分割成，含100個格12的每一個均呈正 方形的4個區塊14，可以按各區塊14轉換。區塊14的 周圍設有用以將區塊14定位的止動部15，止動部15與 區塊14是藉由含有碳的黏著構件16加以黏著。止動部 15是經由S i02構成的連接部19 ’由樑部17所支持。因 此，止動部15及樑部17具有各區塊14的支持部的功能 。再者，在第2圖，黏著構件16是設在區塊14的全周’ 但也可以如第4圖所示’黏著區塊1 4周圍的複數個部位 〇 區塊14是在矽製的膜狀體21形成對應1〇〇個格12 的字元圖案22。止動部15與樑部17也是用矽形成’遮 罩部1 1是如後述將砂晶圓飩刻及機械加工而形成。 10- (7) 1288303 這種CP開口遮罩1 0是，成形開口遮罩的矩形開口 成形的成形光束s B選擇性照射在規定的格1 2，將通過其 字元圖案生成的光束圖案縮小投影在半導體晶圓上。 再者，1個CP開口遮罩的格數不限定爲400個。又 如後述，1個區塊所含的格數也不限定爲1 〇〇個。 其次說明，這種CP開口遮罩1 〇的製造方法。第5 圖及第6圖是說明CP開口遮罩1〇的製造過程用的截面 圖，第5圖表示表面加工過程，第6圖表示背面加工過程 〇 首先參照第5圖之（a )—— （f )，說明表面加工過 程。 首先，如第5圖（a)所示，準備SOI晶圓31。SOI 晶圓31在其表面附近形成有Si 02膜32，藉此分開成表 層Si部31a與本體Si部31b。SOI晶圓整體的厚度有725 μιπ程度便足夠。表層Si部31a的厚度需要有能夠完全遮 斷電子束的厚度，使用5 eV程度的電子束時，大約需要 2 μιη以上。同時，Si 02膜則目前實用化的次微米程度的 厚度便可以。 接著，如第5圖（b )所示，在表層Si部3 1 a上面形 成TE0S膜33，在其上形成光抗蝕膜34，藉由光平版印 刷製程，在光抗蝕膜34上形成規定的圖案。接著，如第 5圖（c)所示，以光抗蝕膜34作爲蝕刻罩乾蝕刻TEOS 膜33，再如第5圖（d)所示，藉由灰化去除光抗蝕膜34 。同時，在形成圖案時，也可以用電子線描繪來形成圖案 -11 - (8) 1288303 ，而這個時候是，在TEOS膜33上塗抹電子線用抗蝕劑 ，而以電子線描繪形成圖案。接著，以電子線用抗触劑作 爲蝕刻罩鈾刻TEOS膜33，再使用氧氣電漿灰化將電子線 用抗蝕劑灰化。 然後，如第5圖（e )所示，以TEOS膜33作爲蝕刻 罩蝕刻表層S i部3 1 a，形成對應第3圖的圖案2 2。這時 ，Si02膜32成爲阻止層。形成圖案後，如第5圖（f)所 示，將TEOS膜33灰化，同時形成圖案保護膜35。 其次，再參照第6圖（a )〜（e )說明背面加工製 程。 如第6圖（a )所示，將結束表面加工的晶圓上下倒 轉配置。接著，如第6圖（b )所示，藉由鑽孔加工、噴 砂加工等機械加工，在本體Si部3 lb的預定形成樑部的 部分以外的部分形成深孔37。此深孔的深度最好是500 μιη以上，600 μπι以上更佳。接著，如第6圖（c )所示 ，藉由乾飩刻，完全去除本體Si部31b的預定形成樑部 的部分以外的部分，而形成樑部1 7。 然後，如第6圖的（d )所示，去除圖案保護膜3 5， 以黏著構件16黏著固定區塊14的預定分離部分。然後， 如第6圖（e )所示，藉由濕蝕刻留下連接部丨9去除 S i02膜3 2，藉此形成具有第3圖所示狀態的可轉換的區 塊14的CP開口遮罩10。 如此，在表面藉由乾蝕刻形成遮罩圖案，倂用機械加 工與蝕刻（乾、濕）將背面加工，即可迅速製造CP開口 -12· (9) 1288303 遮罩。 其次，再參照第7圖說明轉換這種CP開口遮罩10 的圖案的方法。 在本實施形態，因爲是集中具有互異的字元圖案的格 1 2共1 00個構成可轉換的區塊14，因此，轉換此區塊1 4 便可以實現所希望的圖案的轉換。 首先，在第3圖所示狀態的CP開口遮罩1〇’如第7 圖（a )所示，藉由灰化等去除欲轉換的區塊1 4的黏著構 件16，將區塊14分離，使其掉落樑部17上。 接著，如第7圖（b )所示，去除分離的區塊14，如 第7圖（c)所示，藉由止動部15將含有所希望的圖案的 新區塊1 4 ’加以定位，同時置於樑部1 7上。這時，新的 區塊1 4 ’可以藉由跟本實施形態所述方法相同的製造方法 預先準備好。 然後，如第7圖（d )所示，以黏著構件黏著樑部17 上的新區塊14’與止動部15。這時，新區塊14’的配置高 度會較最初的區塊1 4低相當於連接部1 9的厚度，但該厚 度通常是在次微米程度，因此對曝光完全沒有影響。 如此，藉由灰化去除黏著具有欲轉換的圖案的區塊 14的黏著構件16，接著，卸下該區塊14，藉由止動部15 將新區塊14’加以定位’同時將其置於存在於對應卸下得 該區塊14的位置的樑部1 7上，然後，以黏著構件黏著新 區塊14’與止動部15的極爲現實的方法轉換區塊14，而 實現圖案轉換，因此可以很容易實現圖案轉換。 -13 - (10) 1288303 其次說明，可實現這種圖案轉換用的區塊轉換的區塊 固定部的尺寸例子。 要實現上述的區塊轉換時，需要附加傳統的CP開口 遮罩所不需要的止動部及區塊黏著用的餘裕等，因此，必 須儘量減少這些附加部分，並考慮轉換區塊時的誤差，以 決定區塊固定部的尺寸很重要。 首先，參照第8圖說明在複數個部位黏著區塊14與 止動部1 5時的情形。 構成區塊1 4的膜狀體2 1的厚度是可以遮斷電子束程 度的厚度。使用5 eV程度的電子束時，有差不多2 μιη程 度便足夠。連接部1 9的厚度只要有次微米程度便已足夠 ，從SOI晶圓的實績是〇. 2 μιη。 如果止動部15與區塊14間的距離爲a，樑部17與 區塊1 4的重疊部分的寬度爲b，考慮轉換區塊時新區塊 偏差最大時的餘裕，使a:b=1:2。a的擺動是膜狀體 厚度的10 %，對2 μιη是0. 2 μιη。這是因爲在表面加工 的乾蝕刻時，以TE0S膜作爲蝕刻罩乾蝕刻表層S i時， 有時會在要蝕刻的S i的側壁發生稱作下挖（under cut) 的TE0S膜繞進蝕刻部分的現象，此繞進量（under cut量 )是表層S i的側壁的10 % ( —側是5 % )程度。如果上 述繞進量是a的2〜5 %，則可以吸收繞進量分的擺動。 因此，繞進量是0.2 μιη時，a = 4〜10 μιη，因此設定a = 5μιη。這時，b = 10pm。 而’要在複數個部位黏著區塊14與止動部15時’如 -14- (11) 1288303 第6圖（e )所示，濕蝕刻S i Ο2膜3 2形成連接部19時， 蝕刻液會流進止動部15下面。這時，蝕刻b = 10 μιη部 分的S i Ο2膜3 2的一半量5 μιη在止動部1 5兩側因蝕刻液 流進而被蝕刻。爲了保持止動部的強度，若使止動部1 5 的寬度：殘存的Si02膜32的寬度（亦即、連接部19的 寬度）二5 : 4時，止動部15的寬度成爲50 μιη。 其次，參照第9圖說明在整個面黏著區塊14與止動 部1 5時的情形。 這時之膜狀體的厚度、連接部1 9的厚度、a及b的 寬度是與第8圖相同，但濕飩刻Si02膜32以形成連接部 1 9時，蝕刻液不會流進止動部1 5下面，因此止動部1 5 的寬度不一樣。亦即，決定止動部15時，使a的繞進量 0. 2 μιη成爲止動部15的寬度的數 ％。而如果0. 2 μιη是 2 %，止動部1 5的寬度將等於10 μιη。濕蝕刻的蝕刻率是 大約0· 1 μιη/ min時，連接部19的寬度可以控制在8 μιη 以上，止動部的強度可以充分保持。 其次說明使1個區塊1 4的格1 2的個數變化時的區塊 1 4的配置及這時的尺寸。 在CP開口遮罩，有必要使電子束的偏向儘量小，而 爲此最好能夠將區塊14配置成外接於遮罩部1 1內最外周 的區塊的圓爲最小。同時，如果考慮備用的區塊製造容易 度，或以高密度在CP開口遮罩配置格12，則將格1 2配 置成區塊14成爲正方形較佳。 在此是考慮這些問題，而表示在1個CP開口遮罩配 -15- (12) 1288303 置400個正方形的格12，且將格12配置成1個區塊 成爲正方形的情形。亦即，配置在1個區塊14的格12的 數目是1、 4、 16、 25、 100、 400的6種。而，1個格 的大小是一邊20 μιη。電子束的大小是 □ 20 μπα + α， 因此，使區塊1 4內的格與格間的寬度是5 μχη。 首先，第10圖表示，區塊14由1個格12構成時， 區塊14及區塊固定部的尺寸。再者，在此是表示，特勤 著構件1 6設在區塊1 4周圍的複數個部位時的尺寸（以卞 同）。如圖示，這時是，包括1個區塊14及區塊固定部 ，一邊成爲110 μπι。將此配置成正方形時，一邊是21 2() μπι，外接圓的直徑是2998. 1 μιη，如第1 1圖採擬多角形 配置時，外接圓的直徑成爲2536· 2 μιη，擬多角形配釐時 遮罩部1 1的外接圓的直徑最小。 第12圖表示，區塊14由4個格12構成時，區塊14 及區塊固定部的尺寸。如圖示，這時是，包括1個區塊 14及區塊固定部，一邊成爲135 μιη。將此配置成正方形 時，一邊是127 0 μιη，外接圓的直徑是1 796. 1 μπχ，如第 13圖採擬多角形配置時，外接圓的直徑成爲ι 573. 9 μιη ，擬多角形配置時遮罩部1 1的外接圓的直徑最小。再者 ，在第12圖也是表不，將黏著構件設在區塊周圍的複數 個部位時的尺寸，但黏著構件省略未圖示。以下的第14 圖、第16圖、第18圖、第20圖也相同。 第14圖表示，區塊14由16個格12構成時，區塊 I4及區塊固定部的尺寸。如圖示，這時是，包括丨個區 -16 - (13) 1288303 塊14及區塊固定部，一邊成爲185 μιη。將此配置成正方 形時，一邊是845 μιη，外接圓的直徑是1 195 μιη，如第 15圖採擬多角形配置時，外接圓的直徑成爲1219· 5 μιη 、 ，正方形配置時遮罩部1 1的外接圓的直徑最小。 第16圖表示，區塊14由25個格12構成時，區塊 14及區塊固定部的尺寸。如圖7JK，這時是，包括1個區 塊14及區塊固定部，一邊成爲210 μιη。如第17圖所示， 將此配置成正方形時，一邊是760 μιη，外接圓的直徑是 春 10 74.8 μιη，較採擬多角形配置時的外接圓的直徑成爲較 1 187. 1 μιη爲小。因此，正方形配置時遮罩部1 1的外接 圓的直徑最小。 第18圖表示，區塊14由100個格12構成時，區塊 14及區塊固定部的尺寸。如圖示，這時是，包括1個區 塊14及區塊固定部，一邊成爲335 μιη。這時，因區塊14 是4個，因此如第19圖所示正方形配置時，明顯的外接 圓的直徑最小。這時的正方形的一邊是590 μιη，外接圓 ® 的直徑是834. 4μπι。 第20圖表示，區塊14由400個格12構成時，區塊 14及區塊固定部的尺寸。這時，因區塊14是1個，因此 . 區塊14及區塊固定部的尺寸是遮罩部11的尺寸，正方形 的一邊是505 μιη，外接圓的直徑是714. 2 μιη。 綜合這些結果，便成表1。如表1所示，當然是，隨 著1個區塊的格數的增加，最小外接圓的直徑變小，電子 束的偏向距離變小。同時，操縱性變良好。如果考慮這一 -17- (14) 1288303 點，貝Ij 2 5、1 〇 〇、4 Ο 0格/區塊成爲較佳選擇，如果考慮 現實的操控問題，貝U 1〇〇、400格/區塊較佳。但是’ 1 個區塊的格數愈增加，一次轉換的格數變多’換掉無須轉 換的格的數目也變多，因此轉換區塊的好處減少。如果考 慮這一點，400格/區塊的優點變小。因此’如果要考慮 這些全部的因素，則應以1 00格/區塊最佳。

【表1】 正方形配 置的一邊 (μιη) 正方形配置 的外接圓直 徑（μπι) 擬多角形配 置的外接圓 直徑（μιη) 最小外 接圓直 徑（μπι) 1格/區塊 2120 2998 2536 2536 4格/區塊 1270 1796 1574 1574 16格/區塊 845 1195 1220 1195 25格/區塊 760 1075 1187 1075 100格/區塊 590 834 一 834 400格/區塊 505 714 一 714

以上的例子是，將各爲同數的正方形的格1 2配置成 正方形，以構成區塊14，但也可以將正方形以外的矩形 的格大致上各同數配置成正方形。同時，格的形狀也不限 定爲矩形，其他形狀也可以。而且，所有的區塊的格數可 以不相同，1個區塊內的格的配置也不限定爲正方形。同 時’以上的例子是，在1個區塊14內縱橫配置同數的格 -18- (15) 1288303 1 2，但縱橫的格數可以不相同。遮罩部1 1是圓形時，從 中心至外周的距離應該是恆相同，電子束的偏向距離最小 ，因此也可以考慮如第2 1圖所示，使遮罩部1 1略成圓形 ，中央配置圓形的區塊14a，在其周圍配置 9個扇形的區 塊 14b。 再者，本發明不限定如上述實施形態，可以有各種變 形。例如，上述實施形態1是，從SOI晶圓製作遮罩部，但 並不限定如此。而止動部與區塊是以含有碳的黏著構件加 以黏著，轉換時以灰化去除黏著構件，但也可以用其他方 法，例如使用能夠以藥劑等去除的黏著構件。 如以上所說明，依據本發明時，可以轉換形成有規定 圖案形狀的開口的複數個格的一部分或全部，因此，希望 變更圖案時或一部分圖案有問題時，轉換該部分便可以， 因此沒有必要製造新的曝光用轉印遮罩，可以解除新的曝 光用轉印遮罩的成本或交貨期等問題。 同時，因爲是使備有形成規定圖案形狀的開口的複數 個格的遮罩部的架構是，具備有：含有一個或複數個格的 一個或複數個區塊；支持上述區塊的支持部；黏著上述區 塊與上述支持部，且可去除的黏著構件，上述區塊可以藉 由去除上述黏著構件而加以去除，轉換爲新區塊，因此， 欲變更圖案時，或一部分圖案有問題時，轉換包含該部分 的區塊便可以’因此沒有必要製造新的曝光用轉印遮罩， 可以解決新的曝光用轉印遮罩的成本或交貨期等問題。同 時，只是去除黏著構件便可以卸下該區塊，再裝設新區塊 -19- (16) 1288303 便可以，因此區塊的轉換很容易。 而且是’去除黏著具有欲轉換的圖案的區塊的黏著構 件，接著，卸下該區塊，在存在於對應卸下的區塊的位置 的棵部上載置新的區塊’然後’以黏著構件黏著新的區塊 與止動部，以轉換曝光用轉印遮罩的圖案，因此，能夠更 現實且容易實施曝光用轉印遮罩的圖案轉換。 【圖式簡單說明】 第1圖是表示應用本發明的曝光用轉印遮罩的字元投 影（CP )方式的電子線曝光裝置的模式圖。 第2圖是表示本發明一實施形態的CP開口遮罩的平 面圖。 第3圖是表示本發明一實施形態的CP開口遮罩的截 面圖。 第4圖是表示在本發明一實施形態的CP開口遮罩， 以黏著構件黏著區塊部與止動部間的複數個部位的狀態的 圖。 第5圖是表示應用在CP方式的電子線曝光裝置的本 實施形態的CP開口遮罩的表面加工製程的截面圖。 第6圖是表示應用在CP方式的電子線曝光裝置的本 實施形態的CP開口遮罩的背面加工製程的截面圖。 第7圖是說明應用在CP方式的電子線曝光裝置的本 實施形態的CP開口遮罩的轉換區塊的程序的截面圖。 第8圖是表示可以實現圖案轉換用的區塊轉換的區塊 -20- (17) 1288303 固定部的尺寸例子的截面圖。 第9圖是表示可以實現圖案轉換用的區塊轉換的區塊 固定部的尺寸例子的截面圖。 第10圖是表示在1個區塊搭載1個格時，區塊及區 塊固定部的尺寸的平面圖。 第1 1圖是表示在1個區塊搭載1個格時，外接圓的 直徑成爲最小的區塊的配置平面圖。 第12圖是表示在1個區塊搭載4個格時，區塊及區 塊固定部的尺寸的平面圖。 第13圖是表示在1個區塊搭載4個格時，·外接圓的 直徑成爲最小的區塊的配置平面圖。 第14圖是表示在1個區塊搭載16個格時，區塊及區 塊固定部的尺寸的平面圖。 第1 5圖是表示在1個區塊搭載1 6個格時，外接圓的 直徑成爲最小的區塊的配置平面圖。 第16圖是表示在1個區塊搭載25個格時，區塊及區 塊固定部的尺寸的平面圖。 第17圖是表示在1個區塊搭載25個格時，外接圓的 直徑成爲最小的區塊的配置平面圖。 第18圖是表不在1個區塊搭載100個格時，區塊及 區塊固定部的尺寸的平面圖。 第19圖是表示在1個區塊搭載100個格時，外接圓 的直徑成爲最小的區塊的配置平面圖。 第20圖是表不在1個區塊搭載400個格時，區塊及 -21 - (18) 1288303 區塊固定部的尺寸的平面圖。 第2 1圖是表示將區塊配置成圓形的例子的平面圖。 〔圖號說明〕 1 :電子槍 2 :成形開口遮罩

3 :矩形開口 4、 10: CP開口遮罩 5、 12 :格

6 :半導體晶圓 1 1 :遮罩部 13 :引導部 14:區塊 15 :止動部 1 6 :黏著構件 17 :樑部 1 8 :支持部 21 :膜狀體 22 :圖案 •22-

Claims (1)

1. 年月 9修(更)正本i 拾、申請專利範面 第92 1 1 6870號專利申請案 中文申請專利範圍修正本

   民國95年12月27日修正 1· 一種曝光用轉印遮罩，具備具有多數格（cell)的 遮罩部’於該各個格形成有特定圖案之開口；其特徵爲： 上述多數格之各個，係對應於該格上形成之開口圖案 ’當荷電粒子束由該格之一側照射時使該荷電粒子束透過 該格之另一側，依此而在該格之另一側配置有被處理基板 時使上述格之開口之圖案轉印至該被處理基板，而於該被 處理基板上形成曝光圖案， 於上述遮罩部，上述多數格之一部分或全部爲可交換

   上述遮罩部具有一或多數區塊（Block)，該區塊之 各個包含一或多數格， 上述區塊配置成爲包圍上述區塊之全部的圓的直徑成 爲最小，而且上述區塊配置爲類似多角形狀， 上述多數格，爲每一區塊可以交換。 2.如申請專利範圍第1項之曝光用轉印遮罩，其中 上述區塊之各個，係包含配置成正方形狀之多數矩形格。 3 .如申請專利範圍第1項之曝光用轉印遮罩，其中 上述遮罩部主要由矽構成。 4. 一種曝光用轉印遮罩，具備具有多數格（cell)的 1288303 遮罩部，於該各個格形成有特定圖案之開口；其特徵爲·· 上述遮罩部具有： 一或多數區塊，各個區塊包含有一或多數格； ' 一或多數支持部’用於支持上述一或多數區塊；及 - 一或多數黏著構件’用於黏著上述一或多數區塊與上 述一或多數支持部之同時，於任意時被除去而獲得， 上述一或多數區塊，係藉由除去對應之上述一或多數 黏著構件，而可交換爲新的區塊， φ 上述區塊配置成爲包圍上述區塊之全部的圓的直徑成 爲最小， 上述支持部之各個具有： 止動部，用於介由上述黏著構件而定位對應之上述區 塊；及 樑部，用於支持上述制動部之同時，突出於對應之上 述區塊下方而被設置，

   上述支持部之各個，係包圍對應之上述區塊而設置， 於該區塊之周圍之全周或多數位置設有黏著構件。 5 .如申請專利範圍第4項之曝光用轉印遮罩，其中 上述區塊之各個，係包含配置成正方形狀之多數矩形格。 6. 如申請專利範圍第4項之曝光用轉印遮罩，其中 上述遮罩部主要由矽構成。 7. 一種曝光用轉印遮罩之圖案交換方法’該曝光用 轉印遮罩係具備具有多數格的遮罩部，於該各個格形成有 特定圖案之開口； -2- 1288303 上述遮罩部具有： 一或多數區塊，各個區塊包含有一或多數格； 一或多數支持部，用於支持上述一或多數區塊；及 一或多數黏著構件，用於黏著上述一或多數區塊與上 述一或多數支持部之同時，於任意時被除去而獲得； 上述支持部之各個具有： 止動部，用於介由上述黏著構件而定位對應之上述區 塊，及 樑部，用於支持上述制動部之同時，突出於對應之上 述區塊下方而被設置； 上述區塊配置成爲包圍上述區塊之全部的圓的直徑成 爲最小；其特徵爲具備以下工程： 將黏著於欲交換之具有圖案之區塊的黏著構件系以除 去，而取下該區塊的工程； 於所取下區塊對應之支持部之樑部上，載置新的區塊 的工程；及 將所取下區塊對應之支持部之止動部與上述新的區塊 ，藉由黏著構件系以黏著的工程。 8· —種曝光用轉印遮罩之製造方法，該曝光用轉印 遮罩係具備具有多數格的遮罩部，於該各個格形成有特定 圖案之開口； 上述遮罩部具有： 一或多數區塊，各個區塊包含有一或多數格； 一或多數支持部，用於支持上述一或多數區塊；及 1288303 '—或多數黏著構件，用於黏著上述一或多數區塊與上 述一或多數支持部之同時，於任意時被除去而獲得； 上述支持部之各個具有： 止動部，用於介由上述黏著構件而定位對應之上述區 塊；及 樑部，用於支持上述制動部之同時，突出於對應之上 述區塊下方而被設置；其特徵爲具備以下工程：

   利用乾蝕刻形成上述多數區塊及上述止動部的工程； 倂用機械加工與蝕刻而形成上述樑部的工程；及 以上述黏著構件連結上述多數區塊與上述止動部的工 程。 9. 一種電子線曝光裝置，其特徵爲： 具備： 荷電粒子槍，用於射出荷電粒子束；

   成型開口遮罩，形成有矩形開口；及 曝光用轉印遮罩，其具備具有多數格（cell )的遮罩 部，於該各個格形成有特定圖案之開口； 上述多數格之各個，係對應於該格上形成之開口圖案 ，當荷電粒子槍所射出荷電粒子束通過成型開口遮罩而由 該格之一側照射時使該荷電粒子束透過該格之另一側，依 此而在該格之另一側配置有被處理基板時使上述格之開口 之圖案轉印至該被處理基板，而於該被處理基板上形成曝 光圖案， 於上述遮罩部，上述多數格之一部分或全部爲可交換 -4- 1288303 上述遮罩部具有一或多數區塊，該區塊之各個包含一 或多數格， 上述區塊配置成爲包圍上述區塊之全部的圓的直徑成 爲最小，而且上述區塊配置爲類似多角形狀。 10. —種使用電子線曝光裝置之曝光方法，該電子線 曝光裝置爲具備：

   荷電粒子槍，用於射出荷電粒子束； 成型開口遮罩，形成有矩形開口；及 曝光用轉印遮罩，其具備具有多數格（cell )的遮罩 部，於該各個格形成有特定圖案之開口；

   上述多數格之各個，係對應於該格上形成之開口圖案 ’當荷電粒子槍所射出荷電粒子束通過成型開口遮罩而由 該格之一側照射時使該荷電粒子束透過該格之另一側，依 此而在該格之另一側配置有被處理基板時使上述格之開口 之圖案轉印至該被處理基板，而於該被處理基板上形成曝 光圖案， 於上述遮罩部，上述多數格之一部分或全部爲可交換 上述遮罩部具有一或多數區塊，該區塊之各個包含一 或多數格， 上述區塊配置成爲包圍上述區塊之全部的圓的直徑成 爲最小，而且上述區塊配置爲類似多角形狀；其特徵爲具 備如下工程： -5- 1288303 由荷電粒子槍射出荷電粒子束而通過成型開ο遮罩的 工程；及 使通過成型開口遮罩的荷電粒子束由上述多數格之各 個之一側照射而使該荷電粒子束透過該格之另一側，依此 而在該格之另一側配置之被處理基板使上述格之開口之圖 案被轉印，而於該被處理基板上形成曝光圖案的工程。

   -6- 幽瓶

   第092116870號專利申請案 y中文圖式修正頁民國95年12月修正 第7圖

   柒、指定代表圖： (一） 、本案指定代表圖為：第圖 (二） 、本代表圖之元件代表符號簡單說明： 10 C P開口遮罩 11 遮罩部 14 區塊 15 止動部 16 黏著構件 17 樑部 18 支持部 19 連接部 21 膜狀體 22 圖案 捌、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學 式：