KR20050060060A - 노광용 전사 마스크 및 노광용 전사 마스크의 패턴 교환방법 - Google Patents

노광용 전사 마스크 및 노광용 전사 마스크의 패턴 교환방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은, 각각에 소정 패턴의 개구가 형성된 복수의 셀을 갖는 마스크부를 구비한 노광용 전사 마스크이다. 상기 복수의 셀의 각각은, 당해 셀에 형성된 개구의 패턴에 따라, 하전입자빔이 당해 셀의 한쪽에서 조사되었을 때 당해 하전입자빔을 당해 셀의 다른 쪽에 투과시키도록 되어 있다. 이에 따라, 당해 셀의 다른 쪽에 피처리 기판이 배치되었을 때에 당해 피처리 기판에 상기 셀의 개구의 패턴이 전사되어, 당해 피처리 기판 상에 노광 패턴이 형성되도록 되어 있다. 그리고, 상기 마스크부에서 상기 복수의 셀의 일부 또는 전부가 교환 가능한 것이, 본 발명의 특징이다.

Description

노광용 전사 마스크 및 노광용 전사 마스크의 패턴 교환 방법{EXPOSURE TRANSFER MASK AND EXPOSURE TRANSFER MASK PATTERN EXCHANGE METHOD}
본 발명은 전자빔 등의 하전입자빔에 의한 노광 처리에 이용되는 노광용 전사 마스크 및 노광 전사 마스크의 패턴 교환 방법에 관한 것이다.
반도체 장치의 제조에 있어서는, 패턴 형성을 위해 리소그래피 기술이 이용되고 있다. 이러한 리소그래피 기술로서는, 종래부터, 마스크를 이용한 축소 투영광 리소그래피 기술이 주류이다. 축소 투영광 리소그래피 기술에 의해서는, 높은 스루풋을 얻을 수 있다. 그러나, 축소 투영광 리소그래피 기술에서는, 수천만엔 내지 1억엔이라는 매우 비싼 마스크 세트가 필요하다. 오늘의 반도체산업에 있어서는, 범용 LSI로부터 소량다품종 생산이 주류인 시스템 LSI로의 전환이 진행되고 있기 때문에, 상기와 같은 높은 마스크 비용을 회수하는 것은 곤란하다. 또한, 마스크 제조 기간이 1개월로 긴 것도, 짧은 TAT(turn-around time)가 필수적인 시스템 LSI에서는 치명적이다.
이러한 문제를 해결하는 차세대의 리소그래피 기술로서, 전자빔 직접 묘화 기술이 주목받고 있다. 전자빔 직접 묘화 기술에 의하면, 종래의 축소 투영광 리소그래피 기술과 같은 비싼 마스크를 이용하는 일없이, 0.15㎛ 이하의 미세 패턴을 형성할 수 있다. 즉, 마스크에 동반하는 상기 문제점을 해결할 수 있다. 그러나, 전자빔 직접 묘화 기술은 스루풋이 낮다고 하는 결점을 갖고 있다.
전자빔리소그래피 기술에 있어서 스루풋을 향상하는 기술로서, 캐릭터 프로젝션(CP) 방식의 기술이 제안되어 있다. 이 기술에서는, 복수의 캐릭터 패턴이 형성된 다수의 셀을 갖는 CP 애퍼처 마스크라 불리는 노광용 전사 마스크가 작성되고, 이 CP 애퍼처 마스크의 특정 캐릭터 패턴에 선택적으로 전자선이 조사되어 반도체 웨이퍼 상에 패턴이 노광된다. 이에 따라, 종래의 가변성형 묘화 방식 등에 있어서 다수의 샷(shot) 수가 필요하던 패턴을, 한번의 조사 공정으로 노광할 수 있다. 이에 따라, 묘화 속도를 현저히 상승시킬 수 있고, 즉, 스루풋을 대폭 향상시킬 수 있다.
그러나, 이러한 캐릭터 프로젝션 방식에서는, 미리 CP 애퍼처 마스크에 여러 가지의 캐릭터 패턴이 형성되어 있어야 한다. 따라서 패턴을 변경하고 싶은 경우나, 일부의 셀에 불량이 있는 경우 등에는, CP 애퍼처 마스크의 전체를 처음부터 제조해야 한다. 이것은 CP 애퍼처 마스크의 비용 및 납기의 면에서 문제이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예의 노광용 전사 마스크가 이용되는 캐릭터 프로젝션(CP) 방식의 전자선 노광 장치를 나타내는 모식도,
도 2는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 CP 애퍼처 마스크를 나타내는 평면도,
도 3은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 CP 애퍼처 마스크를 나타내는 단면도,
도 4는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 CP 애퍼처 마스크에 있어서, 블럭과 스토퍼부 사이의 복수 개소가 접착 부재로 접착되어 있는 상태를 도시하는 도면,
도 5는 본 발명의 제 2 실시예의 CP 애퍼처 마스크의 표면 가공 공정을 나타내는 단면도,
도 6은 본 발명의 제 2 실시예의 CP 애퍼처 마스크의 이면 가공 공정을 나타내는 단면도,
도 7은 본 발명의 제 2 실시예의 CP 애퍼처 마스크의 블럭 교환의 순서를 설명하는 단면도,
도 8은 패턴 교환을 위한 블럭 교환을 실현 가능한 블럭 고정부의 치수예를 나타내는 단면도,
도 9는 패턴 교환을 위한 블럭 교환을 실현 가능한 블럭 고정부의 치수예를 나타내는 단면도,
도 10은 1 블럭에 하나의 셀을 탑재했을 때의 블럭 및 블럭 고정부의 치수예를 나타내는 평면도,
도 11은 1 블럭에 하나의 셀을 탑재했을 때에, 블럭 및 블럭 고정부를 포함하는 원의 직경이 최소가 되는 블럭의 배치를 나타내는 평면도,
도 12는 1 블럭에 4개의 셀을 탑재했을 때의 블럭 및 블럭 고정부의 치수예를 나타내는 평면도,
도 13은 1 블럭에 4개의 셀을 탑재했을 때에, 블럭 및 블럭 고정부를 포함하는 원의 직경이 최소가 되는 블럭의 배치를 나타내는 평면도,
도 14는 1 블럭에 16개의 셀을 탑재했을 때의 블럭 및 블럭 고정부의 치수예를 나타내는 평면도,
도 15는 1 블럭에 16개의 셀을 탑재했을 때에, 블럭 및 블럭 고정부를 포함하는 원의 직경이 최소가 되는 블럭의 배치를 나타내는 평면도,
도 16은 1 블럭에 25개의 셀을 탑재했을 때의 블럭 및 블럭 고정부의 치수예를 나타내는 평면도,
도 17은 1 블럭에 25개의 셀을 탑재했을 때에, 블럭 및 블럭 고정부를 포함하는 원의 직경이 최소가 되는 블럭의 배치를 나타내는 평면도,
도 18은 1 블럭에 100개의 셀을 탑재했을 때의 블럭 및 블럭 고정부의 치수예를 나타내는 평면도,
도 19는 1 블럭에 100개의 셀을 탑재했을 때에, 블럭 및 블럭 고정부를 포함하는 원의 직경이 최소가 되는 블럭의 배치를 나타내는 평면도,
도 20은 1 블럭에 400개의 셀을 탑재했을 때의 블럭 및 블럭 고정부의 치수예를 나타내는 평면도,
도 21은 블럭을 원형으로 배치한 예를 나타내는 평면도이다.
본 발명은 이러한 사정을 감안하여 이루어진 것으로서, 캐릭터 프로젝션 방식의 기술에 있어서, 패턴을 변경하고 싶은 경우나 일부의 셀에 불량이 있는 경우 등에 대응이 가능한, 노광용 전사 마스크, 및 이 노광용 전사 마스크에 있어서의 패턴 교환 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해서, 본 발명은, 각각에 소정 패턴의 개구가 형성된 복수의 셀을 갖는 마스크부를 구비한 노광용 전사 마스크로서, 상기 복수의 셀의 각각은, 당해 셀에 형성된 개구의 패턴에 따라, 하전입자빔이 당해 셀의 한쪽에서 조사되었을 때에 당해 하전입자빔을 당해 셀의 다른 쪽에 투과시키도록 되고 있고, 이에 따라, 당해 셀의 다른 쪽에 피처리 기판이 배치되었을 때에 당해 피처리 기판에 상기 셀의 개구의 패턴이 전사되어, 당해 피처리 기판 상에 노광 패턴이 형성되도록 되어 있고, 상기 마스크부에서, 상기 복수의 셀의 일부 또는 전부가 교환 가능한 것을 특징으로 하는 노광용 전사 마스크이다.
이러한 구성에 따르면, 소정 패턴의 개구가 형성된 복수의 셀의 일부 또는 전부가 교환 가능하므로, 패턴을 변경하고 싶은 경우나 일부의 패턴에 불량이 있는 경우에는, 당해 패턴을 포함하는 셀을 교환할 수 있다. 이 때문에, 패턴을 변경하고 싶은 경우나 일부의 패턴에 불량이 있는 경우에, 새로운 노광용 전사 마스크를 처음부터 제조할 필요가 없다. 따라서, 새로운 노광용 전사 마스크의 비용이나 납기 등의 문제를 발생하는 일이 없다.
바람직하게는, 상기 마스크부는, 각각이 1 또는 복수의 셀을 포함하는 1 또는 복수의 블럭을 갖고 있고, 상기 복수의 셀은 각 블럭마다 교환 가능하다. 이 경우, 일괄해서 교환하는 셀의 수를 임의로 설정 가능하다.
또한, 바람직하게는, 상기 블럭은, 상기 블럭의 전체를 둘러싸는 원(접원)의 직경이 최소가 되도록 배치되어 있다. 이에 따라, 하전입자빔의 편향을 최대한 작게 할 수 있다.
예컨대, 상기 블럭의 각각은 정사각형 형상으로 배치된 복수의 직사각형의 셀을 포함하고 있다.
바람직하게는, 상기 마스크부는 주로 실리콘으로 구성되어 있다.
또한, 본 발명은, 각각에 소정 패턴의 개구가 형성된 복수의 셀을 갖는 마스크부를 구비한 노광용 전사 마스크로서, 상기 마스크부는, 각각이 1 또는 복수의 셀을 포함하는 1 또는 복수의 블럭과, 상기 1 또는 복수의 블럭을 지지하는 1 또는 복수의 지지부와, 상기 1 또는 복수의 블럭과 상기 1 또는 복수의 지지부를 접착하고, 또한, 임의의 시에 제거될 수 있는 1 또는 복수의 접착 부재를 갖고 있고, 상기 1 또는 복수의 블럭은, 대응하는 상기 1 또는 복수의 접착 부재를 제거함으로써, 새로운 블럭으로 교환 가능한 것을 특징으로 하는 노광용 전사 마스크이다.
이러한 구성에 따르면, 상기 1 또는 복수의 블럭이, 대응하는 상기 1 또는 복수의 접착 부재를 제거함으로써, 새로운 블럭으로 교환 가능하므로, 패턴을 변경하고 싶은 경우나 일부의 패턴에 불량이 있는 경우에는, 당해 패턴을 포함하는 블럭을 교환할 수 있다. 이 때문에, 패턴을 변경하고 싶은 경우나 일부의 패턴에 불량이 있는 경우에, 새로운 노광용 전사 마스크를 처음부터 제조할 필요가 없다. 따라서, 새로운 노광용 전사 마스크의 비용이나 납기 등의 문제를 발생하는 일이 없다.
또한, 접착 부재를 제거하는 것만으로 블럭을 분리할 수 있기 때문에, 블럭의 교환을 용이하게 행할 수 있다.
바람직하게는, 상기 지지부의 각각은, 상기 접착 부재를 거쳐서 대응하는 상기 블럭을 위치 결정하는 스토퍼부와, 상기 스토퍼부를 지지하고, 또한, 대응하는 상기 블럭의 아래쪽으로 돌출하도록 마련된 교량부를 갖는다.
이 경우, 종전의 블럭을 분리한 후, 새로운 블럭을 교량부에 실을 수 있고, 또한, 새로운 블럭도 스토퍼부에 의해서 위치 결정되기 때문에, 새로운 블럭의 부착이 용이하다.
바람직하게는, 상기 지지부의 각각은, 대응하는 상기 블럭을 둘러싸도록 마련되어 있고, 당해 블럭 주위의 전주 또는 복수 개소에 접착 부재가 마련되어 있다.
또한, 바람직하게는, 상기 블럭은 상기 블럭의 전체를 둘러싸는 원의 직경이 최소가 되도록 배치되어 있다. 이에 따라, 하전입자빔의 편향을 최대한 작게 할 수 있다.
예컨대, 상기 블럭의 각각은 정사각형 형상으로 배치된 복수의 직사각형의 셀을 포함하고 있다.
바람직하게는, 상기 블럭 및 상기 지지부는 주로 실리콘으로 구성되고, 상기 접착 부재는 카본을 함유하는 재료로 구성되어 있다.
또한, 본 발명은, 각각에 소정 패턴의 개구가 형성된 복수의 셀을 갖는 마스크부를 구비한 노광용 전사 마스크로서, 상기 마스크부는, 각각이 1 또는 복수의 셀을 포함하는 1 또는 복수의 블럭과, 상기 1 또는 복수의 블럭을 지지하는 1 또는 복수의 지지부와, 상기 1 또는 복수의 블럭과 상기 1 또는 복수의 지지부를 접착하고, 또한, 임의의 시에 제거될 수 있는 1 또는 복수의 접착 부재를 갖고 있고, 상기 지지부의 각각은, 상기 접착 부재를 거쳐서, 대응하는 상기 블럭을 위치 결정하는 스토퍼부와, 상기 스토퍼부를 지지하고, 또한, 대응하는 상기 블럭의 아래쪽으로 일부가 돌출하도록 마련된 교량부를 갖고 있는 것을 특징으로 하는 노광용 전사 마스크에 있어서의 패턴 교환 방법으로서, 교환하고자 하는 패턴을 갖는 블럭을 접착하고 있는 접착 부재를 제거하여, 당해 블럭을 분리하는 공정과, 분리된 블럭에 대응하는 지지부의 교량부의 위에, 새로운 블럭을 탑재하는 공정과, 분리된 블럭에 대응하는 지지부의 스토퍼부와 상기 새로운 블럭을 접착 부재로 접착하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 방법이다.
당해 방법에 따르면, 노광용 전사 마스크에 있어서의 패턴의 교환을, 현실적이고 또한 용이하게 실시할 수 있다.
또, 접착 부재의 제거는, 예컨대 애싱에 의해서 이루어질 수 있다.
또한, 본 발명은, 각각에 소정 패턴의 개구가 형성된 복수의 셀을 갖는 마스크부를 구비한 노광용 전사 마스크로서, 상기 마스크부는, 각각이 1 또는 복수의 셀을 포함하는 1 또는 복수의 블럭과, 상기 1 또는 복수의 블럭을 지지하는 1 또는 복수의 지지부와, 상기 1 또는 복수의 블럭과 상기 1 또는 복수의 지지부를 접착하고, 또한, 임의의 시에 제거될 수 있는 1 또는 복수의 접착 부재를 갖고 있고, 상기 지지부의 각각은, 상기 접착 부재를 거쳐 대응하는 상기 블럭을 위치 결정하는 스토퍼부와, 상기 스토퍼부를 지지하고, 또한, 대응하는 상기 블럭의 아래쪽으로 일부가 돌출하도록 마련된 교량부를 갖고 있는 것을 특징으로 하는 노광용 전사 마스크를 제조하는 방법으로서, 건식 에칭을 이용하여 상기 복수의 블럭 및 상기 스토퍼부를 형성하는 공정과, 기계 가공과 에칭을 병용하여 상기 교량부를 형성하는 공정과, 상기 접착 부재로 상기 복수의 블럭과 상기 스토퍼부를 연결하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 제조 방법이다.
또한, 본 발명은, 하전입자빔을 사출하는 하전입자총과, 직사각형 애퍼처가 형성된 성형 애퍼처 마스크와, 각각에 소정 패턴의 개구가 형성된 복수의 셀을 갖는 마스크부를 구비한 노광용 전사 마스크를 구비하고, 상기 복수의 셀의 각각은, 당해 셀에 형성된 개구의 패턴에 따라, 하전입자총으로부터 사출된 하전입자빔이 성형 애퍼처 마스크를 통과하여 당해 셀의 한쪽에서 조사되었을 때에 당해 하전입자빔을 당해 셀의 다른 쪽에 투과시키도록 되어 있고, 이에 따라, 당해 셀의 다른 쪽에 피처리 기판이 배치되었을 때에 당해 피처리 기판에 상기 셀의 개구의 패턴이 전사되어, 당해 피처리 기판 상에 노광 패턴이 형성되도록 되어 있고, 상기 마스크부에서, 상기 복수의 셀의 일부 또는 전부가 교환 가능한 것을 특징으로 하는 노광 장치이다.
또한, 본 발명은, 하전입자빔을 사출하는 하전입자총과, 직사각형 애퍼처가 형성된 성형 애퍼처 마스크와, 각각에 소정 패턴의 개구가 형성된 복수의 셀을 갖는 마스크부를 구비한 노광용 전사 마스크를 구비하고, 상기 복수의 셀의 각각은, 당해 셀에 형성된 개구의 패턴에 따라, 하전입자총으로부터 사출된 하전입자빔이 성형 애퍼처 마스크를 통과하여 당해 셀의 한쪽에서 조사됐을 때에 당해 하전입자빔을 당해 셀의 다른 쪽에 투과시키도록 되어 있고, 이에 따라, 당해 셀의 다른 쪽에 피처리 기판이 배치되었을 때에 당해 피처리 기판에 상기 셀의 개구의 패턴이 전사되어, 당해 피처리 기판 상에 노광 패턴이 형성되도록 되어 있고, 상기 마스크부에서, 상기 복수의 셀의 일부 또는 전부가 교환 가능한 것을 특징으로 하는 노광 장치를 이용한 노광 방법으로서, 하전입자총으로부터 하전입자빔을 사출시켜 성형 애퍼처 마스크를 통과시키는 공정과, 성형 애퍼처 마스크를 통과한 하전입자빔을 상기 복수의 셀의 각각의 한쪽에서 조사시켜 당해 하전입자빔을 당해 셀의 다른 쪽에 투과시킴으로써, 당해 셀의 다른 쪽에 배치된 피처리 기판에 상기 셀의 개구의 패턴을 전사하여, 당해 피처리 기판 상에 노광 패턴을 형성하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 노광 방법이다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예의 노광용 전사 마스크가 이용되는 캐릭터 프로젝션(CP) 방식의 전자선 노광 장치를 나타내는 모식도이다.
도 1에 도시하는 바와 같이, 전자빔을 사출하는 전자총(1)의 아래쪽으로, 직사각형 애퍼처(3)가 형성된 성형 애퍼처 마스크(2)가 배치되어 있다. 성형 애퍼처 마스크(2)의 아래쪽으로는, 각각에 캐릭터 패턴이 형성된 다수의 셀(5)을 갖는 CP 애퍼처 마스크(4)가 배치되어 있다. 이 CP 애퍼처 마스크(4)가, 본 실시예의 노광용 전사 마스크이다. 각 셀(5)의 캐릭터 패턴은 여러 가지이다. CP 애퍼처 마스크(4)의 아래쪽으로는, 패턴 노광되는 반도체 웨이퍼(6)가 스테이지(도시하지 않음) 상에 배치되어 있다.
도 1에 나타내는 CP 방식의 전자선 노광 장치에 있어서는, 전자총(1)으로부터 사출된 전자빔 EB가, 성형 애퍼처 마스크(2)의 직사각형 애퍼처(3)를 통과하여 성형빔 SB로 된다. 이 성형빔 SB가, CP 애퍼처 마스크(4)의 소정의 캐릭터 패턴이 형성된 소정의 셀(5)에 선택적으로 조사되고, CP 애퍼처 마스크(4)를 통과하여 빔 패턴 BP로 된다. 이 빔 패턴 BP은 반도체 웨이퍼(6) 상에 패턴(7)으로서 축소 투영된다.
이러한 CP 방식의 전자선 노광 장치를 이용하는 것에 의해, 하나의 캐릭터 패턴을 한번의 조사 공정에서 노광할 수 있다. 이 때문에, 다수의 샷이 필요하던 종래의 가변 성형 묘화 방식에 비하여, 묘화 속도를 현저히 높일 수 있다.
다음에, 상술의 CP 방식의 전자선 노광 장치에 적용될 수 있는 본 발명의 제 2 실시예의 CP 애퍼처 마스크에 대하여 설명한다. 도 2는 본 실시예에 따른 CP 애퍼처 마스크를 나타내는 평면도이며, 도 3은 그 단면도이다.
본 실시예의 CP 애퍼처 마스크(10)는, 각각에 서로 다른 캐릭터 패턴이 형성된 400개의 셀(12)이 형성된 마스크부(11)와, 이 마스크부(11)를 지지하고, 또한 홀더의 가이드로서의 기능을 갖는 가이드부(13)를 갖고 있다.
마스크부(11)는 4개의 블럭(14)으로 분할되어 있고, 블럭(14)마다 교환 가능해지고 있다. 각 블럭(14)은 정사각형 형상으로 배치된 100개의 셀(12)을 포함하고 있다. 블럭(14)의 주위에는, 블럭(14)을 위치 결정하는 스토퍼부(15)가 마련되어 있다. 스토퍼부(15)와 각 블럭(14)은 카본을 포함하는 접착 부재(16)에 의해 접착되어 있다. 스토퍼부(15)는, 도 3에 도시하는 바와 같이, SiO2로 이루어지는 접속부(19)를 거쳐서, 교량부(17)에 의해 지지되어 있다. 이에 따라, 스토퍼부(15) 및 교량부(17)가 블럭(14)의 지지부로서 기능한다. 또, 접착 부재(16)는, 도 2에서는, 블럭(14)의 전주에 마련되어 있지만, 도 4에 도시하는 바와 같이, 블럭(14) 주위의 복수 개소에만 마련되어도 좋다.
각 블럭(14)은 실리콘제의 막형상체(21)로 이루어지고, 100개의 셀(12)에 대응하는 100개의 캐릭터 패턴(22)이 형성되어 있다. 스토퍼부(15) 및 교량부(17)도 실리콘으로 형성되어 있다.
이상과 같은 마스크부(11)는, 후술하는 바와 같이, 실리콘 웨이퍼를 에칭 및 기계 가공함으로써 형성될 수 있다.
성형 애퍼처 마스크의 직사각형 애퍼처로 성형된 성형빔 SB가, CP 애퍼처 마스크(10)의 소정의 셀(12)에 선택적으로 조사되면, 당해 셀(12)의 캐릭터 패턴에 의해서 빔 패턴이 생성된다. 당해 빔 패턴은 반도체 웨이퍼 상에 축소 투영된다.
또, 하나의 CP 애퍼처 마스크(10)에 마련되는 셀의 수는 400개에 한정되지 않는다. 또한, 후술하는 바와 같이, 하나의 블럭에 포함되는 셀의 수도 100개에 한정되는 경우는 없다.
다음에, 이러한 CP 애퍼처 마스크(10)의 제조 방법에 대하여 설명한다. 도 5(a) 내지 도 5(f)는, CP 애퍼처 마스크(10)의 제조 공정의 표면 가공 공정을 설명하기 위한 단면도이다. 도 6(a) 내지 도 6(e)는 CP 애퍼처 마스크(10)의 제조 공정의 이면 가공 공정을 설명하기 위한 단면도이다.
우선, 도 5(a) 내지 도 5(f)를 참조하여, 표면 가공 공정에 대하여 설명한다.
최초에, SOI 웨이퍼(31)가 준비된다. 이 SOI 웨이퍼(31)는, 도 5(a)에 도시하는 바와 같이, 그 표면가까이 SiO2막(32)을 갖고 있다. 이 SiO2막(32)에 의해, 표층 Si부(31a)와 본체 Si부(31b)가 분리되어 있다. SOI 웨이퍼(31)의 전체의 두께는 725㎛ 정도이면 충분하다. 표층 Si부(31a)의 두께는, 전자빔을 완전히 차단할 수 있는 두께가 필요하고, 5eV 정도의 전자빔이 사용되는 경우는, 대략 2㎛ 이상 필요하다. 또, SiO2막(32)은 현재 실용화되어 있는 서브미크론 정도의 두께로 충분하다.
이어서, 도 5(b)에 도시하는 바와 같이, 표층 Si부(31a)의 상면에 TEOS막(33)이 성막된다. TEOS막(33) 위에, 포토레지스트막(34)이 형성된다. 그리고, 포토리소그래피 공정에 의해, 포토레지스트막(34)에 소정의 패턴이 형성된다.
계속해서, 도 5(c)에 도시하는 바와 같이, 포토레지스트막(34)을 마스크로서 이용하여, TEOS막(33)이 건식 에칭된다. 또한, 도 5(d)에 도시하는 바와 같이, 포토레지스트막(34)이 애싱에 의해 제거된다.
여기서, 패터닝에 관해서는, 전자선 묘화 기술을 이용하여도 좋다. 그 경우는, 전자선용 레지스트가 TEOS막(33) 위에 도포되고, 전자선 묘화에 의해서 패턴이 형성된다. 그리고, 전자선용 레지스트를 마스크로서 이용하여, TEOS막(33)이 에칭되고, 또한 전자선용 레지스트가 산소플라즈마 애싱을 이용하여 애싱 제거된다.
그 후, 도 5(e)에 도시하는 바와 같이, TEOS막(33)을 마스크로서 이용하여, 표층 Si부(31a)가 에칭된다. 이에 따라, 도 3에 대응하는 패턴(22)이 형성된다. 이 때, SiO2막(32)이 스토퍼층으로서 기능한다.
패턴이 형성된 후, 도 5(f)에 도시하는 바와 같이, TEOS막(33)이 애싱되고, 또한, 패턴 보호막(35)이 형성된다.
다음에, 도 6(a) 내지 도 6(e)를 참조하여, 이면 가공 공정에 대하여 설명한다.
도 6(a)에 도시하는 바와 같이, 그 표면가공이 종료한 웨이퍼가, 상하 반대로 하여 배치된다. 이어서, 도 6(b)에 도시하는 바와 같이, 드릴 가공이나 블라스트 가공 등의 기계 가공에 의해, 본체 Si부(31b)의 교량부 형성 예정 부분 이외의 부분에 심혈(深穴)(37)이 형성된다. 이 심혈은, 500㎛ 이상의 깊이가 바람직하고, 600㎛ 이상이 보다 바람직하다. 계속해서, 도 6(c)에 도시하는 바와 같이, 건식 에칭에 의해, 본체 Si부(31b)의 교량부 형성 예정 부분 이외의 부분이 완전히 제거된다. 이에 따라, 교량부(17)가 형성된다.
그 후, 도 6(d)에 도시하는 바와 같이, 패턴 보호막(35)이 제거되어, 블럭(14)의 분리 예정 연결 부분이 접착 부재(16)로 고정된다. 그 후, 도 6(e)에 도시하는 바와 같이, 습식 에칭에 의해, 접속부(19)를 남기고 SiO2막(32)이 제거된다. 이에 따라, 도 3에 나타내는 상태의, 교환 가능한 블럭(14)을 갖는 CP 애퍼처 마스크(10)가 형성된다.
이와 같이, 표면에 건식 에칭에 의해 마스크 패턴을 형성하고, 또한, 이면을 기계 가공과 에칭(건식, 습식)을 병용하여 가공함으로써, CP 애퍼처 마스크를 신속히 제조할 수 있다.
다음에, 이러한 CP 애퍼처 마스크(10)의 패턴을 교환하는 방법에 대하여, 도 7(a) 내지 도 7(d)를 참조하여 설명한다.
본 실시예에 있어서는, 각각 서로 다른 캐릭터 패턴이 형성된 100개의 셀(12)이 하나의 교환 가능한 블럭(14)을 구성하고 있다. 따라서, 블럭(14)을 교환함으로써, 패턴의 소망의 교환이 실현된다.
우선, 도 3에 나타내는 CP 애퍼처 마스크(10)에 있어서, 도 7(a)에 도시하는 바와 같이, 교환되어야 할 블럭(14)의 접착 부재(16)가 애싱 등에 의해 제거된다. 이에 따라, 블럭(14)이 분리되고, 교량부(17) 위에 낙하한다.
이어서, 도 7(b)에 도시하는 바와 같이, 분리된 블럭(14)이 제거된다. 그리고, 도 7(c)에 도시하는 바와 같이, 소망의 패턴을 포함하는 새로운 블럭(14')이, 스토퍼부(15)에 의해 위치 결정되면서 교량부(17) 위에 놓여진다. 이 경우, 새로운 블럭(14')은 본 실시예에 관련하여 설명한 방법과 동일한 제조 방법에 의해 미리 준비할 수 있다.
그 후, 도 7(d)에 도시하는 바와 같이, 교량부(17) 상에 놓여진 새로운 블럭(14')과 스토퍼부(15)가 접착 부재로 접착된다. 이 경우에 있어서, 새로운 블럭(14')의 배치 높이는 최초의 블럭(14)의 배치 높이보다도 접합부(19)의 두께만큼 낮아진다. 그러나, 접합부(19)의 두께는 통상 서브미크론 정도이기 때문에, 상기와 같은 블럭의 배치 높이의 상위는 노광에는 전혀 영향을 부여하지 않는다.
이와 같이, 교환되어야 할 패턴을 갖는 블럭(14)을 접착하고 있는 접착 부재(16)가 애싱에 의해 제거되어, 그 블럭(14)이 분리되고, 교량부(17)의 위의 분리된 블럭(14)에 대략 대응하는 위치에 스토퍼부(15)에 의해 위치 결정되면서 새로운 블럭(14')이 탑재되고, 그 후, 새로운 블럭(14')과 스토퍼부(15)가 접착 부재(16)로 접착된다고 하는 매우 현실적인 방법으로 블럭(14)을 교환함으로써, 패턴 교환을 용이하게 실현할 수 있다.
다음에, 상기와 같은 패턴 교환을 위한 블럭 교환을 실현 가능한 블럭 고정부의 치수예에 대하여 설명한다.
상기와 같은 블럭 교환을 실현하기 위해서는, 종래의 CP 애퍼처 마스크에는 필요가 없던 스토퍼부 및 블록 접착을 위한 마진 등이 부가되어야 하다. 이것들의 부가 부분을 최대한 적게 하면서, 블럭 교환시의 오차를 고려하여, 블럭 고정부의 치수를 결정하는 것이 중요하다.
우선, 블럭(14)과 스토퍼부(15)가 복수 개소에서 접착되는 경우에 대하여, 도 8을 참조하여 설명한다.
블럭(14)을 구성하는 막형상체(멤브레인)(21)의 두께는 전자빔을 차단할 수 있을 정도의 두께이다. 5eV 정도의 전자빔이 사용되는 경우, 대략 2㎛ 정도이면 충분하다. 접속부(19)의 두께는 서브미크론 정도이면 충분하며, SOI 웨이퍼의 실적(實績)으로부터 0.2㎛이다.
또한, 스토퍼부(15)와 블럭(14) 사이의 거리를 a로 하고, 교량부(17)와 블럭(14)의 중첩 부분의 폭을 b로 하면, 블럭 교환시에 새로운 블럭이 최대 어긋났을 때의 마진을 고려하여, a:b=1:2이다. 표면 가공 공정에서, TEOS막(33)을 마스크로 하여 표층 Si를 건식 에칭할 때, 표층 Si의 측벽에 언더커팅이라고 불리는 현상(TEOS막 밑으로 에칭 부분이 돌아들어가는 현상)이 발생하는 경우가 있다. 이 돌아들어간 양(언더커팅량)은 표층 Si 두께의 10%(한쪽 5%) 정도이다. 이 경우, 막형상체(21)(표층 Si)의 두께가 2㎛이기 때문에, 언더커팅량은 0.2㎛ 정도이다. 언더커팅량이 거리 a의 2∼5%이면, 언더커팅량분의 편차를 거리 a가 흡수할 수 있다. 따라서, 언더커팅량이 0.2㎛일 때, a=4∼10㎛를 얻을 수 있다. 이것을 고려하여, a=5㎛로 설정한다. 이 때, b=10㎛이다.
또한, 블럭(14)과 스토퍼부(15)가 복수 개소에서 접착되는 경우에는, 도 6(e)에 도시하는 바와 같이, SiO2막(32)이 습식 에칭되어 접속부(19)가 형성될 때에, 에칭액이 스토퍼부(15)의 밑으로 돌아들어간다. 이에 따라, b(10㎛) 부분의 SiO2막(32)의 절반(5㎛)이 에칭액의 돌아들어감에 의해 에칭된다. 스토퍼부(15)의 강도를 유지하기 위해, 스토퍼부(15)의 폭 : 잔존한 SiO2막(32)의 폭(즉 접속부(19)의 폭)=5:4로 하면, 스토퍼부(15)의 폭은 50㎛이다.
다음에, 블럭(14)과 스토퍼부(15)가 전면에서 접착되는 경우에 대하여 도 9를 참조하여 설명한다.
이 경우에도, 멤브레인(21)의 두께, 접속부(19)의 두께, a의 폭 및 b의 폭에 대해서는, 도 8과 마찬가지다. 그러나, 이 경우, SiO2막(32)이 습식 에칭되어 접속부(19)가 형성될 때에, 에칭액이 스토퍼부(15)의 밑으로 돌아들어가지 않기 때문에, 스토퍼부(15)의 폭이 다르다. 즉, 이 경우에는, 멤브레인(21)의 언더커팅 0.2㎛이 스토퍼부(15)의 폭의 수%에 상당하도록, 스토퍼부(15)의 폭이 결정될 수 있다. 멤브레인(21)의 언더커팅 0.2㎛가 스토퍼부(15)의 폭의 2%로 하면, 스토퍼부(15)의 폭은 10㎛로 된다. 습식 에칭의 에칭 레이트가 대략 0.1㎛/min이면, 접속부(19)의 폭은 8㎛ 이상으로 제어 가능하다. 따라서, 스토퍼부의 강도는 충분히 유지할 수 있다.
다음에, 하나의 블럭(14)에 형성되는 셀(12)의 개수가 변화된 경우의 블럭(14)의 배치 및 그 때의 치수에 대하여 설명한다.
CP 애퍼처 마스크에 있어서는, 전자빔의 편향을 최대한 작게 해야 한다. 그 것을 위해서는, 마스크부(11) 내의 최외주의 블럭(14)을 포함하는 원(접원)이 최소가 되도록 블럭(14)을 배치하는 것이 바람직하다. 또한, 여분의 블럭의 만들기 쉬움이나, CP 애퍼처 마스크에 고밀도로 셀(12)을 배치하는 것을 고려하면, 블럭(14)이 정사각형이 되도록 셀(12)이 배치되어 있는 것이 바람직하다.
여기서는, 이러한 점을 고려하여, 1개의 CP 애퍼처 마스크에 400개의 정사각형의 셀(12)이 배치되고, 또한, 하나의 블럭(14)이 정사각형이 되도록 셀(12)이 배치된 경우에 대하여 나타낸다. 이하에서, 하나의 블럭(14)에 배치되는 셀(12)의 수는 1, 4, 16, 25, 100, 400의 6종류로 했다. 또한, 각 셀(12)은, 1변이 20㎛의 정사각형으로 했다. 전자빔은, □20㎛+α(1변이 20㎛+α의 정사각형 형상 빔)이기 때문에, 블럭(14) 내에서의 인접하는 셀과 셀 사이의 폭을 5㎛로 했다.
우선, 하나의 블럭(14)이 1개의 셀(12)로 구성되어 있는 경우의, 블럭(14) 및 블럭 고정부(스토퍼부(15)의 측벽면)의 치수예를 도 10에 나타낸다. 또, 여기서는, 접착 부재(16)가 블럭(14) 주위의 복수 개소에 마련된 경우의 치수예를 나타낸다. 도 10에 도시하는 바와 같이, 이 경우에는, 당해 블럭(14) 및 스토퍼부(15)는, 1변이 110㎛인 정사각형을 형성한다. 이들을 정사각형 형상으로 배치하면, 셀(12)의 개수가 400이기 때문에, 모든 블럭(14) 및 블럭 고정부는 1변이 2120㎛인 정사각형을 형성한다. 이 때, 모든 블럭(14) 및 블럭 고정부를 포함하는 원의 직경은 2998.1㎛이다. 블럭(14) 및 스토퍼부(15)로 이루어지는 정사각형을 도 11과 같은 의 다각형(擬多角形) 형상으로 배치하면, 모든 블럭(14) 및 블럭 고정부를 포함하는 접원의 직경은 2536.2㎛이다. 즉, 이 경우, 의 다각형 형상으로 배치할 때, 마스크부(11)의 모든 블럭(14) 및 블럭 고정부를 포함하는 접원의 직경이 최소로 된다.
다음에, 하나의 블럭(14)이 4개의 셀(12)로 구성되어 있는 경우의, 블럭(14) 및 블럭 고정부의 치수예를 도 12에 나타낸다. 또, 여기서도, 접착 부재(16)가 블럭(14) 주위의 복수 개소에 마련된 경우의 치수예를 나타낸다. 도 12에 도시하는 바와 같이, 이 경우에는, 당해 블럭(14) 및 스토퍼부(15)는, 1변이 135㎛인 정사각형을 형성한다. 이들을 정사각형 형상으로 배치하면, 셀(12)의 개수가 400이기 때문에, 모든 블럭(14) 및 블럭 고정부는 1변이 1270㎛인 정사각형을 형성한다. 이 때, 모든 블럭(14) 및 블럭 고정부를 포함하는 원의 직경은 1796.1㎛이다. 블럭(14) 및 스토퍼부(15)로 이루어지는 정사각형을 도 13과 같은 의 다각형 형상으로 배치하면, 모든 블럭(14) 및 블럭 고정부를 포함하는 접원의 직경은 1573.9㎛이다. 즉, 이 경우도, 의 다각형 형상으로 배치할 때, 마스크부(11)의 모든 블럭(14) 및 블럭 고정부를 포함하는 접원의 직경이 최소로 된다. 또, 도 12에서는, 접착 부재의 도시를 생략하고 있다.
다음에, 하나의 블럭(14)이 16개의 셀(12)로 구성되어 있는 경우의, 블럭(14) 및 블럭 고정부의 치수예를 도 14에 나타낸다. 또, 여기서도, 접착 부재(16)가 블럭(14) 주위의 복수 개소에 마련된 경우의 치수예를 나타낸다. 도 14에 도시하는 바와 같이, 이 경우에는, 당해 블럭(14) 및 스토퍼부(15)는, 1변이 185㎛인 정사각형을 형성한다. 이들을 정사각형 형상으로 배치하면, 셀(12)의 개수가 400이기 때문에, 모든 블럭(14) 및 블럭 고정부는 1변이 845㎛인 정사각형을 형성한다. 이 때, 모든 블럭(14) 및 블럭 고정부를 포함하는 원의 직경은 1195㎛이다. 블럭(14) 및 스토퍼부(15)로 이루어지는 정사각형을 도 15의 파선과 같은 의 다각형 형상으로 배치하면, 모든 블럭(14) 및 블럭 고정부를 포함하는 접원의 직경은 1219.5㎛이다. 즉, 이 경우, 정사각형 형상으로 배치할 때, 마스크부(11)의 모든 블럭(14) 및 블럭 고정부를 포함하는 접원의 직경이 최소로 된다. 또, 도 14에서도, 접착 부재의 도시를 생략하고 있다.
다음에, 하나의 블럭(14)이 25개의 셀(12)로 구성되어 있는 경우의, 블럭(14) 및 블럭 고정부의 치수예를 도 16에 나타낸다. 또, 여기서도, 접착 부재(16)가 블럭(14) 주위의 복수 개소에 마련된 경우의 치수예를 나타낸다. 도 16에 도시하는 바와 같이, 이 경우에는, 당해 블럭(14) 및 스토퍼부(15)는, 1변이 210㎛인 정사각형을 형성한다. 이들을 정사각형 형상으로 배치하면, 셀(12)의 개수가 400이기 때문에, 모든 블럭(14) 및 블럭 고정부는 1변이 760㎛인 정사각형을 형성한다. 이 때, 모든 블럭(14) 및 블럭 고정부를 포함하는 원의 직경은 1074.8㎛이다. 블럭(14) 및 스토퍼부(15)로 이루어지는 정사각형을 도 17의 파선과 같은 의 다각형 형상으로 배치하면, 모든 블럭(14) 및 블럭 고정부를 포함하는 접원의 직경은 1187.1㎛이다. 즉, 이 경우도, 정사각형 형상으로 배치할 때, 마스크부(11)의 모든 블럭(14) 및 블럭 고정부를 포함하는 접원의 직경이 최소로 된다. 또, 도 16에서도, 접착 부재의 도시를 생략하고 있다.
다음에, 하나의 블럭(14)이 100개의 셀(12)로 구성되어 있는 경우의, 블럭(14) 및 블럭 고정부의 치수예를 도 18에 나타낸다. 또, 여기서도, 접착 부재(16)가 블럭(14) 주위의 복수 개소에 마련된 경우의 치수예를 나타낸다. 도 18에 도시하는 바와 같이, 이 경우에는, 당해 블럭(14) 및 스토퍼부(15)는, 1변이 335㎛인 정사각형을 형성한다. 이들을 정사각형 형상으로 배치하면, 셀(12)의 개수가 400으로서 블럭(14)의 수가 4이기 때문에, 모든 블럭(14) 및 블럭 고정부는 1변이 590㎛인 정사각형을 형성한다. 이 때, 모든 블럭(14) 및 블럭 고정부를 포함하는 원의 직경은 834.4㎛이다. 이 경우, 이와 같이 정사각형 형상으로 배치할 때에 마스크부(11)의 모든 블럭(14) 및 블럭 고정부를 포함하는 접원의 직경이 최소로 되는 것은 분명하다. 또, 도 18에 있어서도, 접착 부재의 도시를 생략하고 있다.
다음에, 하나의 블럭(14)이 400개의 셀(12)로 구성되어 있는 경우의, 블럭(14) 및 블럭 고정부의 치수예를 도 20에 나타낸다. 또, 여기서도, 접착 부재(16)가 블럭(14) 주위의 복수 개소에 마련된 경우의 치수예를 나타낸다. 도 20에 도시하는 바와 같이, 이 경우에는, 당해 블럭(14) 및 스토퍼부(15)는, 1변이 505㎛인 정사각형을 형성한다. 이 때, 모든 블럭(14) 및 블럭 고정부를 포함하는 원의 직경은 714.2㎛이다. 또, 도 20에서도, 접착 부재의 도시를 생략하고 있다.
이상의 결과를 정리하면, 표 1과 같이 된다.
표 1에 도시하는 바와 같이, 1 블럭의 셀의 수가 증가함에 따라, 최소접원의 직경이 작아지고, 즉, 전자빔의 편향거리가 작아진다. 또한, 취급성도 양호해진다. 이러한 점을 고려하면, 25, 100, 400 셀/블럭이 바람직한 선택지로 된다. 현실의 취급성을 고려하면, 100, 400 셀/블럭이 바람직하다. 그러나, 1 블럭의 셀의 수가 증가할수록, 한번에 교환하는 셀의 수가 많아진다. 즉, 교환할 필요가 없는 셀이 교환되는 경우도 많아지기 때문에, 블럭 단위로 교환하는 장점이 감소한다. 이 점을 고려하면, 400 셀/블럭은 블럭 단위에서의 교환 장점이 작다. 따라서, 이들 모두를 종합적으로 고려하면, 100 셀/블럭이 가장 바람직하다.
이상의 예에서는, 정사각형의 셀(12)을 정사각형 형상이 되도록 배치하여 블럭(14)이 구성되어 있지만, 정사각형 이외의 직사각형의 셀을 대략 정사각형 형상이 되도록 배치하더라도 좋다. 또한, 셀의 형상은 직사각형에 한정되지 않고, 다른 형상이더라도 좋다. 또한, 각 블럭의 셀의 수는 동일하지 않더라도 좋다. 또한, 하나의 블럭내의 셀의 배치는 정사각형 형상에 한정되는 것이 아니다. 예컨대, 이상의 예에서는, 하나의 블럭(14) 내에 셀(12)이 종횡 동수씩 배치되어 있지만, 셀은 종횡 다른 수로 배치되더라도 좋다.
또한, 마스크부(11)가 원형이면, 중심으로부터 외주까지의 거리가 항상 같기 때문에, 전자빔의 편향거리는 가장 작아진다고 생각된다. 따라서, 도 21에 도시하는 바와 같이, 마스크부(11)를 대략 원형으로 구성하여, 중앙에 원형의 블럭(14a)을 배치하여, 그 주위에 예컨대 9개의 부채형 블럭(14b)을 배치하도록 하는 것도 생각된다.
또, 본 발명은 상기 실시예에 한정되는 일없이 여러 가지 변형 가능하다. 예컨대, 상기 실시예에서는, SOI 웨이퍼로부터 마스크부가 제작되어 있지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 또한, 스토퍼부와 블럭이 카본함유 접착 부재로 접착되어, 교환할 때에 애싱에 의해 당해 접착 부재가 제거되도록 되어 있지만, 다른 방법, 예컨대 약제 등으로 제거 가능한 접착 부재도 이용될 수 있다.

Claims (15)

  1. 각각에 소정 패턴의 개구가 형성된 복수의 셀을 갖는 마스크부를 구비한 노광용 전사 마스크로서,
    상기 복수의 셀의 각각은, 당해 셀에 형성된 개구의 패턴에 따라, 하전입자빔이 당해 셀의 한쪽에서 조사되었을 때에 당해 하전입자빔을 당해 셀의 다른 쪽에 투과시키도록 되어 있고, 이에 따라, 당해 셀의 다른 쪽에 피처리 기판이 배치되었을 때에 당해 피처리 기판에 상기 셀의 개구의 패턴이 전사되어, 당해 피처리 기판 상에 노광 패턴이 형성되도록 되어 있고,
    상기 마스크부에서, 상기 복수의 셀의 일부 또는 전부가 교환 가능한
    것을 특징으로 하는 노광용 전사 마스크.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 마스크부는, 각각이 1 또는 복수의 셀을 포함하는 1 또는 복수의 블럭을 갖고 있고,
    상기 복수의 셀은 각 블럭마다 교환 가능한 것을 특징으로 하는 노광용 전사 마스크.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 블럭은, 상기 블럭의 전체를 둘러싸는 원의 직경이 최소가 되도록 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 노광용 전사 마스크.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 블럭의 각각은 정사각형 형상으로 배치된 복수의 직사각형의 셀을 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 노광용 전사 마스크.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 마스크부는 주로 실리콘으로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 노광용 전사 마스크.
  6. 각각에 소정 패턴의 개구가 형성된 복수의 셀을 갖는 마스크부를 구비한 노광용 전사 마스크로서,
    상기 마스크부는,
    각각이 1 또는 복수의 셀을 포함하는 1 또는 복수의 블럭과,
    상기 1 또는 복수의 블럭을 지지하는 1 또는 복수의 지지부와,
    상기 1 또는 복수의 블럭과 상기 1 또는 복수의 지지부를 접착하고, 또한, 임의의 시에 제거될 수 있는 1 또는 복수의 접착 부재를 갖고 있고,
    상기 1 또는 복수의 블럭은 대응하는 상기 1 또는 복수의 접착 부재를 제거함으로써 새로운 블럭으로 교환 가능한
    것을 특징으로 하는 노광용 전사 마스크.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 지지부의 각각은,
    상기 접착 부재를 거쳐서, 대응하는 상기 블럭을 위치 결정하는 스토퍼부와,
    상기 스토퍼부를 지지하고, 또한, 대응하는 상기 블럭의 아래쪽으로 돌출하도록 마련된 교량부를 갖는
    것을 특징으로 하는 노광용 전사 마스크.
  8. 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서,
    상기 지지부의 각각은, 대응하는 상기 블럭을 둘러싸도록 마련되어 있고, 당해 블럭 주위의 전주 또는 복수 개소에 접착 부재가 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 노광용 전사 마스크.
  9. 제 2 항에 있어서,
    상기 블럭은, 상기 블럭의 전체를 둘러싸는 원의 직경이 최소가 되도록 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 노광용 전사 마스크.
  10. 제 3 항에 있어서,
    상기 블럭의 각각은 정사각형 형상으로 배치된 복수의 직사각형의 셀을 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 노광용 전사 마스크.
  11. 제 6 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 블럭 및 상기 지지부는 주로 실리콘으로 구성되고,
    상기 접착 부재는 카본을 함유하는 재료로 구성되어 있는
    것을 특징으로 하는 노광용 전사 마스크.
  12. 각각에 소정 패턴의 개구가 형성된 복수의 셀을 갖는 마스크부를 구비한 노광용 전사 마스크로서,
    상기 마스크부는,
    각각이 1 또는 복수의 셀을 포함하는 1 또는 복수의 블럭과,
    상기 1 또는 복수의 블럭을 지지하는 1 또는 복수의 지지부와,
    상기 1 또는 복수의 블럭과 상기 1 또는 복수의 지지부를 접착하고, 또한, 임의의 시에 제거될 수 있는 1 또는 복수의 접착 부재를 갖고 있고,
    상기 지지부의 각각은,
    상기 접착 부재를 거쳐서, 대응하는 상기 블럭을 위치 결정하는 스토퍼부와,
    상기 스토퍼부를 지지하고, 또한, 대응하는 상기 블럭의 아래쪽으로 일부가 돌출하도록 마련된 교량부를 갖고 있는
    것을 특징으로 하는 노광용 전사 마스크에서의 패턴 교환 방법으로서,
    교환하고자 하는 패턴을 갖는 블럭을 접착하고 있는 접착 부재를 제거하여, 당해 블럭을 분리하는 공정과,
    분리된 블럭에 대응하는 지지부의 교량부 위에, 새로운 블럭을 탑재하는 공정과,
    분리된 블럭에 대응하는 지지부의 스토퍼부와 상기 새로운 블럭을 접착 부재로 접착하는 공정
    을 포함한 것을 특징으로 하는 방법.
  13. 각각에 소정 패턴의 개구가 형성된 복수의 셀을 갖는 마스크부를 구비한 노광용 전사 마스크로서,
    상기 마스크부는,
    각각이 1 또는 복수의 셀을 포함하는 1 또는 복수의 블럭과,
    상기 1 또는 복수의 블럭을 지지하는 1 또는 복수의 지지부와,
    상기 1 또는 복수의 블럭과 상기 1 또는 복수의 지지부를 접착하고, 또한, 임의의 시에 제거될 수 있는 1 또는 복수의 접착 부재를 갖고 있고,
    상기 지지부의 각각은,
    상기 접착 부재를 거쳐서, 대응하는 상기 블럭을 위치 결정하는 스토퍼부와,
    상기 스토퍼부를 지지하고, 또한, 대응하는 상기 블럭의 아래쪽으로 일부가 돌출하도록 마련된 교량부를 갖고 있는
    것을 특징으로 하는 노광용 전사 마스크를 제조하는 방법으로서,
    건식 에칭을 이용하여 상기 복수의 블럭 및 상기 스토퍼부를 형성하는 공정과,
    기계 가공과 에칭을 병용하여 상기 교량부를 형성하는 공정과,
    상기 접착 부재로 상기 복수의 블럭과 상기 스토퍼부를 연결하는 공정
    을 포함한 것을 특징으로 하는 제조 방법.
  14. 하전입자빔을 사출하는 하전입자총과,
    직사각형 애퍼처가 형성된 성형 애퍼처 마스크와,
    각각에 소정 패턴의 개구가 형성된 복수의 셀을 갖는 마스크부를 구비한 노광용 전사 마스크를 구비하고,
    상기 복수의 셀의 각각은, 당해 셀에 형성된 개구의 패턴에 따라, 하전입자총으로부터 사출된 하전입자빔이 성형 애퍼처 마스크를 통과하여 당해 셀의 한쪽에서 조사되었을 때에 당해 하전입자빔을 당해 셀의 다른 쪽에 투과시키도록 되어 있고, 이에 따라, 당해 셀의 다른 쪽에 피처리 기판이 배치되었을 때에 당해 피처리 기판에 상기 셀의 개구의 패턴이 전사되어, 당해 피처리 기판 상에 노광 패턴이 형성되도록 되어 있고,
    상기 마스크부에서, 상기 복수의 셀의 일부 또는 전부가 교환 가능한
    것을 특징으로 하는 노광 장치.
  15. 하전입자빔을 사출하는 하전입자총과,
    직사각형 애퍼처가 형성된 성형 애퍼처 마스크와,
    각각에 소정 패턴의 개구가 형성된 복수의 셀을 갖는 마스크부를 구비한 노광용 전사 마스크를 구비하고,
    상기 복수의 셀의 각각은, 당해 셀에 형성된 개구의 패턴에 따라, 하전입자총으로부터 사출된 하전입자빔이 성형 애퍼처 마스크를 통과하여 당해 셀의 한쪽에서 조사되었을 때에 당해 하전입자빔을 당해 셀의 다른 쪽에 투과시키도록 되어 있고, 이에 따라, 당해 셀의 다른 쪽에 피처리 기판이 배치되었을 때에 당해 피처리 기판에 상기 셀의 개구의 패턴이 전사되어, 당해 피처리 기판 상에 노광 패턴이 형성되도록 되어 있고,
    상기 마스크부에서, 상기 복수의 셀의 일부 또는 전부가 교환 가능한 것을 특징으로 하는 노광 장치를 이용한 노광 방법으로서,
    하전입자총으로부터 하전입자빔을 사출시켜 성형 애퍼처 마스크를 통과시키는 공정과,
    성형 애퍼처 마스크를 통과한 하전입자빔을 상기 복수의 셀의 각각의 한쪽에서 조사시켜 당해 하전입자빔을 당해 셀의 다른 쪽에 투과시킴으로써, 당해 셀의 다른 쪽에 배치된 피처리 기판에 상기 셀의 개구의 패턴을 전사하여, 당해 피처리 기판 상에 노광 패턴을 형성하는 공정
    을 포함한 것을 특징으로 하는 노광 방법.
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