JP2002075842A - 露光装置、散乱マスク、露光方法及び半導体製造装置 - Google Patents
露光装置、散乱マスク、露光方法及び半導体製造装置Info
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 コンプリメンタリパターンの繋ぎが増えるこ
とがなく、電子光学系の色収差を増加させることがない
露光装置、散乱マスク、露光方法及び半導体製造装置を
提供すること。 【解決手段】 ステンシルマスク製作プロセスとメンプ
レンマスク制作プロセスとは異なるため、必要なパター
ンを形成し、それぞれを同じマスク枠（サポートフレー
ム）に貼り付けてマスクを製作する。これにより、電子
線一括露光装置のマスクを必要に応じてステンシルタイ
プ１６とメンブレンタイプ１７で構成する。
とがなく、電子光学系の色収差を増加させることがない
露光装置、散乱マスク、露光方法及び半導体製造装置を
提供すること。 【解決手段】 ステンシルマスク製作プロセスとメンプ
レンマスク制作プロセスとは異なるため、必要なパター
ンを形成し、それぞれを同じマスク枠（サポートフレー
ム）に貼り付けてマスクを製作する。これにより、電子
線一括露光装置のマスクを必要に応じてステンシルタイ
プ１６とメンブレンタイプ１７で構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
プロセスにおいて使用される露光装置、散乱マスク、露
光方法及び半導体製造装置に関する。
プロセスにおいて使用される露光装置、散乱マスク、露
光方法及び半導体製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の電子線一括露光用の散乱マスク
は、ステンシルマスクまたはメンブレンマスクの２種類
に分類されている。ステンシルマスクには、シリコンメ
ンブレンが用いられており、メンブレンマスクには、Ｓ
ｉＮメンブレンにＷ膜やＣｒ膜をパターニングしてなる
ものが使用されている。
は、ステンシルマスクまたはメンブレンマスクの２種類
に分類されている。ステンシルマスクには、シリコンメ
ンブレンが用いられており、メンブレンマスクには、Ｓ
ｉＮメンブレンにＷ膜やＣｒ膜をパターニングしてなる
ものが使用されている。
【０００３】散乱マスクを用いる方法では、吸収マスク
と異なり、電子線をマスク薄膜に吸収させずに散乱させ
て、得られた散乱コントラストを用いて電子線転写露光
を行う。このため、露光時のマスクの温度が少なく、露
光パターン精度が上がる特徴がある。
と異なり、電子線をマスク薄膜に吸収させずに散乱させ
て、得られた散乱コントラストを用いて電子線転写露光
を行う。このため、露光時のマスクの温度が少なく、露
光パターン精度が上がる特徴がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ステンシルタイプの散
乱マスクは、透過電子をそのまま転写露光に使用するた
め、電子光学系の能力をフルに使用でき、高分解能露光
が可能である。しかしながら、転写パターンによっては
ステンシルマスクの特徴であるコンプリメンタリパター
ンが必要となり、マスク（露光パターン部）が２枚必要
となり、コンプリメンタリパターンの繋ぎが増えるなど
の問題がある。
乱マスクは、透過電子をそのまま転写露光に使用するた
め、電子光学系の能力をフルに使用でき、高分解能露光
が可能である。しかしながら、転写パターンによっては
ステンシルマスクの特徴であるコンプリメンタリパター
ンが必要となり、マスク（露光パターン部）が２枚必要
となり、コンプリメンタリパターンの繋ぎが増えるなど
の問題がある。
【０００５】一方、メンブレンタイプの散乱マスクは、
透過する電子がマスク薄膜に吸収され、薄膜の電子線エ
ネルギー吸収により電子光学系の色収差が増加するとい
う問題がある。
透過する電子がマスク薄膜に吸収され、薄膜の電子線エ
ネルギー吸収により電子光学系の色収差が増加するとい
う問題がある。
【０００６】本発明はかかる点に鑑みてなされたもので
あり、コンプリメンタリパターンの繋ぎが増えることが
なく、電子光学系の色収差を増加させることがない露光
装置、散乱マスク、露光方法及び半導体製造装置を提供
することを目的とする。
あり、コンプリメンタリパターンの繋ぎが増えることが
なく、電子光学系の色収差を増加させることがない露光
装置、散乱マスク、露光方法及び半導体製造装置を提供
することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、光源からの光
を散乱マスクを介して被露光体に照射する露光装置にお
いて、前記散乱マスクは、電子線一括転写露光装置に使
用するマスクであって、貫通穴を有するステンシルタイ
プマスクと、本体薄膜上に前記本体薄膜と異なる薄膜の
パターンを有するメンブレンタイプマスクとを備えたこ
とを特徴とする露光装置を提供する。
を散乱マスクを介して被露光体に照射する露光装置にお
いて、前記散乱マスクは、電子線一括転写露光装置に使
用するマスクであって、貫通穴を有するステンシルタイ
プマスクと、本体薄膜上に前記本体薄膜と異なる薄膜の
パターンを有するメンブレンタイプマスクとを備えたこ
とを特徴とする露光装置を提供する。
【０００８】本発明は、電子線一括転写露光装置に使用
する散乱タイプのマスクであって、前記マスクは、貫通
穴を有するステンシルタイプマスクと、本体薄膜上に前
記本体薄膜と異なる薄膜のパターンを有するメンブレン
タイプマスクとを備えたことを特徴とする散乱マスクを
提供する。
する散乱タイプのマスクであって、前記マスクは、貫通
穴を有するステンシルタイプマスクと、本体薄膜上に前
記本体薄膜と異なる薄膜のパターンを有するメンブレン
タイプマスクとを備えたことを特徴とする散乱マスクを
提供する。
【０００９】この構成によれば、電子線一括露光装置の
マスクを必要に応じてステンシルタイプとメンプレンタ
イプで構成することが可能となり、両者で一枚のマスク
として両タイプのマスクの欠点を補うことが可能とな
る。これにより、コンプリメンタリパターンの繋ぎが増
えることがなく、電子光学系の色収差を増加させること
がない散乱マスクを実現することができる。
マスクを必要に応じてステンシルタイプとメンプレンタ
イプで構成することが可能となり、両者で一枚のマスク
として両タイプのマスクの欠点を補うことが可能とな
る。これにより、コンプリメンタリパターンの繋ぎが増
えることがなく、電子光学系の色収差を増加させること
がない散乱マスクを実現することができる。
【００１０】本発明の散乱マスクにおいては、ステンシ
ルタイプマスクがシリコンで構成されていることが好ま
しい。また、本発明の散乱マスクにおいては、メンブレ
ンタイプマスクの本体薄膜がＳｉ、ＳｉＣ、ＳｉＮ、ダ
イヤモンド、及びＢＮからなる群より選ばれたもので構
成されていることが好ましい。
ルタイプマスクがシリコンで構成されていることが好ま
しい。また、本発明の散乱マスクにおいては、メンブレ
ンタイプマスクの本体薄膜がＳｉ、ＳｉＣ、ＳｉＮ、ダ
イヤモンド、及びＢＮからなる群より選ばれたもので構
成されていることが好ましい。
【００１１】また、本発明の散乱マスクにおいては、転
写パターンの８０％以上のイメージコントラストを得る
ため、マスク本体の薄膜とパターン薄膜の電子線透過率
が１０：１以上であることが好ましく、薄膜のパターン
がＣｒ、Ｗ、及びＴａからなる群より選ばれた少なくと
も一つであることが好ましい。また、本発明の散乱マス
クにおいては、マスクは、支持プレート上にステンシル
タイプマスク及びメンブレンタイプマスクが一体的に固
定されてなることが好ましい。
写パターンの８０％以上のイメージコントラストを得る
ため、マスク本体の薄膜とパターン薄膜の電子線透過率
が１０：１以上であることが好ましく、薄膜のパターン
がＣｒ、Ｗ、及びＴａからなる群より選ばれた少なくと
も一つであることが好ましい。また、本発明の散乱マス
クにおいては、マスクは、支持プレート上にステンシル
タイプマスク及びメンブレンタイプマスクが一体的に固
定されてなることが好ましい。
【００１２】本発明は、電子線一括転写露光装置に使用
するマスクであって、貫通穴を有するステンシルタイプ
マスクと、本体薄膜上に前記本体薄膜と異なる薄膜のパ
ターンを有するメンブレンタイプマスクとを備えた散乱
マスクに対して光源からの光を照射して、前記散乱マス
クを介した光により被露光体を露光することを特徴とす
る露光方法を提供する。
するマスクであって、貫通穴を有するステンシルタイプ
マスクと、本体薄膜上に前記本体薄膜と異なる薄膜のパ
ターンを有するメンブレンタイプマスクとを備えた散乱
マスクに対して光源からの光を照射して、前記散乱マス
クを介した光により被露光体を露光することを特徴とす
る露光方法を提供する。
【００１３】本発明は、少なくとも露光装置を備えた半
導体製造装置であって、前記露光装置は、光源からの光
を散乱マスクを介して被露光体に照射するものであり、
前記散乱マスクは、電子線一括転写露光装置に使用する
マスクであって、貫通穴を有するステンシルタイプマス
クと、本体薄膜上に前記本体薄膜と異なる薄膜のパター
ンを有するメンブレンタイプマスクとを備えたことを特
徴とする半導体製造装置を提供する。
導体製造装置であって、前記露光装置は、光源からの光
を散乱マスクを介して被露光体に照射するものであり、
前記散乱マスクは、電子線一括転写露光装置に使用する
マスクであって、貫通穴を有するステンシルタイプマス
クと、本体薄膜上に前記本体薄膜と異なる薄膜のパター
ンを有するメンブレンタイプマスクとを備えたことを特
徴とする半導体製造装置を提供する。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明の骨子は、露光装置のマス
クステージ上に２種類のマスクを保持し、同一チップを
露光する時にマスクを使い分けることにより、２種類の
マスクの欠点を補うことである。この場合、例えば、ス
テンシルマスク製作プロセスとメンブレンマスク制作プ
ロセスとは異なるため、それぞれのマスクを製作して、
同じマスク枠（サポートフレーム）に貼り付けて、マス
クを製作する。
クステージ上に２種類のマスクを保持し、同一チップを
露光する時にマスクを使い分けることにより、２種類の
マスクの欠点を補うことである。この場合、例えば、ス
テンシルマスク製作プロセスとメンブレンマスク制作プ
ロセスとは異なるため、それぞれのマスクを製作して、
同じマスク枠（サポートフレーム）に貼り付けて、マス
クを製作する。
【００１５】以下、本発明の実施の形態について、添付
図面を参照して詳細に説明する。図１は、本発明の散乱
マスクを備えた露光装置の構成を示す図である。この露
光装置において、ウエハステージ１０上には、被露光体
であるウエハ９が載置されている。ウエハ９の上方に
は、光源である電子銃１が設置されている。この電子銃
１の下方には、電子銃１から出射されるマスク照明ビー
ム３をコリメートする照明系２が配置されている。
図面を参照して詳細に説明する。図１は、本発明の散乱
マスクを備えた露光装置の構成を示す図である。この露
光装置において、ウエハステージ１０上には、被露光体
であるウエハ９が載置されている。ウエハ９の上方に
は、光源である電子銃１が設置されている。この電子銃
１の下方には、電子銃１から出射されるマスク照明ビー
ム３をコリメートする照明系２が配置されている。
【００１６】この照明系２の下方には、一括転写領域
（ＳＦサイズ）１５を調整するための偏向器１３が配置
されている。また偏向器１３の下方には、電子銃１から
出射されるマスク照明ビーム（電子線）３が照射される
マスクステージ５が配置されており、そのマスクステー
ジ５上には、マスク４が配置されている。このマスク４
は、図２に示すように、４つの矩形の一括転写領域１５
を区画するように柱１４が設けられて構成されている。
（ＳＦサイズ）１５を調整するための偏向器１３が配置
されている。また偏向器１３の下方には、電子銃１から
出射されるマスク照明ビーム（電子線）３が照射される
マスクステージ５が配置されており、そのマスクステー
ジ５上には、マスク４が配置されている。このマスク４
は、図２に示すように、４つの矩形の一括転写領域１５
を区画するように柱１４が設けられて構成されている。
【００１７】このマスクステージ５とウエハステージ１
０との間には、第１投影レンズ６、散乱防止アパーチャ
７、第２投影レンズ８、及び偏向器１２が順次配置され
ている。このように配置された露光装置において、電子
銃１から出射されたマスク照明ビーム３がマスク４を通
過して投影系光路１１を経てウエハステージ１０上のウ
エハ９に照射される。
０との間には、第１投影レンズ６、散乱防止アパーチャ
７、第２投影レンズ８、及び偏向器１２が順次配置され
ている。このように配置された露光装置において、電子
銃１から出射されたマスク照明ビーム３がマスク４を通
過して投影系光路１１を経てウエハステージ１０上のウ
エハ９に照射される。
【００１８】マスク４は、図３（ａ），（ｂ）に示すよ
うに、例えば２００ｍｍウエハサイズ、厚み５ｍｍでマ
スク貼り付け部に穴を空けた円形状のシリコンサポート
フレーム１８にステンシルマスク部１６及びメンブレン
マスク部１７を貼り付けて構成されている。ここでは、
２つのステンシルマスク部１６の間にメンブレンマスク
部１７が配置されている。
うに、例えば２００ｍｍウエハサイズ、厚み５ｍｍでマ
スク貼り付け部に穴を空けた円形状のシリコンサポート
フレーム１８にステンシルマスク部１６及びメンブレン
マスク部１７を貼り付けて構成されている。ここでは、
２つのステンシルマスク部１６の間にメンブレンマスク
部１７が配置されている。
【００１９】図３（ｃ）は、図３（ｂ）のＸ部を拡大し
た図であり、図３（ｃ）に示すように、メンブレンマス
ク部１７のマスク強度を上げるため、個々のメンブレン
は、柱１４で１ｍｍ角に区切られている。
た図であり、図３（ｃ）に示すように、メンブレンマス
ク部１７のマスク強度を上げるため、個々のメンブレン
は、柱１４で１ｍｍ角に区切られている。
【００２０】ステンシルマスクの製作方法は、UCHIKAWA
ら（J.Vac.Sci.Technol.B1999）に開示されており、メ
ンブレンマスクの製作方法については、Dicksら（Jpn.
J.Appl.Phys.36,7564,(1997)）に開示されている。これ
らの方法により、ステンシルマスク部１６用にシリコン
メンブレンマスクを製作し、メンブレンマスク部１７用
にＳｉＮメンブレン上にＷ／Ｃｒパターンを形成してな
るメンブレンマスクを製作した。
ら（J.Vac.Sci.Technol.B1999）に開示されており、メ
ンブレンマスクの製作方法については、Dicksら（Jpn.
J.Appl.Phys.36,7564,(1997)）に開示されている。これ
らの方法により、ステンシルマスク部１６用にシリコン
メンブレンマスクを製作し、メンブレンマスク部１７用
にＳｉＮメンブレン上にＷ／Ｃｒパターンを形成してな
るメンブレンマスクを製作した。
【００２１】ここで、ステンシルマスクを構成する材料
としては、シリコンなどを挙げることができる。また、
メンブレンマスクの本体薄膜を構成する材料としては、
Ｓｉ、ＳｉＣ、ＳｉＮ、ダイヤモンド、及びＢＮからな
る群より選ばれたものが挙げられる。また、メンブレン
マスクの薄膜のパターンを構成する材料は、Ｃｒ、Ｗ、
及びＴａからなる群より選ばれた少なくとも一つが挙げ
られる。
としては、シリコンなどを挙げることができる。また、
メンブレンマスクの本体薄膜を構成する材料としては、
Ｓｉ、ＳｉＣ、ＳｉＮ、ダイヤモンド、及びＢＮからな
る群より選ばれたものが挙げられる。また、メンブレン
マスクの薄膜のパターンを構成する材料は、Ｃｒ、Ｗ、
及びＴａからなる群より選ばれた少なくとも一つが挙げ
られる。
【００２２】パターンによりマスクタイプを選択する場
合、微細パターン部にはステンシルタイプを用い、比較
的大きなパターンが広い面積に分散している部分にはメ
ンブレンタイプを用いる。例えば、ロジックパターン
（最小線幅７０ｎｍ）の部分では、ゲート部など９０ｎ
ｍ以下のパターンにステンシルタイプを用い、それ以外
のパターンにメンブレンタイプを使用する。さらに、コ
ンプリメンタリパターンの有無の条件を考慮して、パタ
ーンの振り分けを行うことが好ましい。
合、微細パターン部にはステンシルタイプを用い、比較
的大きなパターンが広い面積に分散している部分にはメ
ンブレンタイプを用いる。例えば、ロジックパターン
（最小線幅７０ｎｍ）の部分では、ゲート部など９０ｎ
ｍ以下のパターンにステンシルタイプを用い、それ以外
のパターンにメンブレンタイプを使用する。さらに、コ
ンプリメンタリパターンの有無の条件を考慮して、パタ
ーンの振り分けを行うことが好ましい。
【００２３】本実施の形態では、図４（ａ）に示すよう
に、マスクα、γがステンシルマスク部１６であり、マ
スクβがメンブレンマスク部１７である。ステンシルマ
スク部１６（α、γ）、メンブレンマスク部１７（β）
は、サポートフレーム１８には、接着剤などを用いてス
テンシルマスクとメンブレンマスクを貼り合わせて、図
４（ｂ）に示すようなマスク４を得る。
に、マスクα、γがステンシルマスク部１６であり、マ
スクβがメンブレンマスク部１７である。ステンシルマ
スク部１６（α、γ）、メンブレンマスク部１７（β）
は、サポートフレーム１８には、接着剤などを用いてス
テンシルマスクとメンブレンマスクを貼り合わせて、図
４（ｂ）に示すようなマスク４を得る。
【００２４】なお、接着剤には、例えば常温硬化タイプ
のものを用いる。また、貼り合わせ方法としては、陽極
接合、共晶接合などを挙げることができる。特に、マス
ク貼り付け時にマスク温度が上昇することによるマスク
歪の発生を防止するために、常温で接合することが望ま
しい。
のものを用いる。また、貼り合わせ方法としては、陽極
接合、共晶接合などを挙げることができる。特に、マス
ク貼り付け時にマスク温度が上昇することによるマスク
歪の発生を防止するために、常温で接合することが望ま
しい。
【００２５】このようにサポートフレーム１８に２種類
のマスクを貼り付けてなる散乱マスクを一体として、Ｅ
Ｂステッパのレチクルステージにホールドし、ウエハヘ
の転写露光を行う。
のマスクを貼り付けてなる散乱マスクを一体として、Ｅ
Ｂステッパのレチクルステージにホールドし、ウエハヘ
の転写露光を行う。
【００２６】次に、上記構成を有する露光装置の動作に
ついて説明する。図１に示す露光装置において、電子ビ
ームは１００ｋＶで１／４縮小とし、一括転写領域（Ｓ
Ｆサイズ）はマスク上で１ｍｍ角、ウエハ上で０．２５
ｍｍ角とし、電流は１０μＡ程度／ＳＦ、レジスト感度
１０μＣ／ｃｍ2とした。
ついて説明する。図１に示す露光装置において、電子ビ
ームは１００ｋＶで１／４縮小とし、一括転写領域（Ｓ
Ｆサイズ）はマスク上で１ｍｍ角、ウエハ上で０．２５
ｍｍ角とし、電流は１０μＡ程度／ＳＦ、レジスト感度
１０μＣ／ｃｍ2とした。
【００２７】電子統１から出射した電子線３は、照明系
２によりコリメートされ、マスク４を照明する。この
際、偏向器１３により、マスク４上を照明するＳＦ１５
を選択する。マスクパターンは、第１投影レンズ６及び
第２投影レンズ８により、ウエハ９に結像される。この
とき、偏向器１２により露光位置が決められる。
２によりコリメートされ、マスク４を照明する。この
際、偏向器１３により、マスク４上を照明するＳＦ１５
を選択する。マスクパターンは、第１投影レンズ６及び
第２投影レンズ８により、ウエハ９に結像される。この
とき、偏向器１２により露光位置が決められる。
【００２８】露光時には、図２に示すように、マスク４
の柱１４が省かれ、マスク４のＳＦ−Ａが隣接するＳＦ
−Ｂ、ＳＦ−Ｃ、ＳＦ−Ｄに繋ぎ合うように露光され
る。すなわち、マスク４上の隣り合うＳＦ−Ａ、ＳＦ−
Ｂ、ＳＦ−Ｃ、ＳＦ−Ｄは、ウエハ上のＳＦ露光領域
Ａ’、Ｂ’、Ｃ’、Ｄ’に転写される。
の柱１４が省かれ、マスク４のＳＦ−Ａが隣接するＳＦ
−Ｂ、ＳＦ−Ｃ、ＳＦ−Ｄに繋ぎ合うように露光され
る。すなわち、マスク４上の隣り合うＳＦ−Ａ、ＳＦ−
Ｂ、ＳＦ−Ｃ、ＳＦ−Ｄは、ウエハ上のＳＦ露光領域
Ａ’、Ｂ’、Ｃ’、Ｄ’に転写される。
【００２９】このマスク４は、散乱タイプのマスクであ
るため、ステンシルマスク部１６ではメンブレン部１７
を照明した電子線がメンブレンにより散乱され、メンブ
レンマスク部１７ではパターン（メンブレン）部を照明
した電子線がメンブレンによリ散乱される。このとき、
電子線は、散乱アパーチャ７にてカットされるため、ウ
エハ上の結像には関与しない。
るため、ステンシルマスク部１６ではメンブレン部１７
を照明した電子線がメンブレンにより散乱され、メンブ
レンマスク部１７ではパターン（メンブレン）部を照明
した電子線がメンブレンによリ散乱される。このとき、
電子線は、散乱アパーチャ７にてカットされるため、ウ
エハ上の結像には関与しない。
【００３０】この場合、メンブレンマスクの場合、照射
電子を散乱するため、ステンシルマスクと同等な照射条
件とならないが、メンブレンマスクでの適正照射量を基
本として、ステンシルマスクでは適正照射量に合うよう
にビームブランキングをおこなって露光時間を短くし
た。
電子を散乱するため、ステンシルマスクと同等な照射条
件とならないが、メンブレンマスクでの適正照射量を基
本として、ステンシルマスクでは適正照射量に合うよう
にビームブランキングをおこなって露光時間を短くし
た。
【００３１】このように本実施の形態に係る散乱マスク
を用いることにより、電子線一括露光装置のマスクを必
要に応じてステンシルタイプとメンプレンタイプで構成
することが可能となり、両者で一枚のマスクとして両タ
イプのマスクの欠点を補うことが可能となる。これによ
り、コンプリメンタリパターンの繋ぎが増えることがな
く、電子光学系の色収差を増加させることがない散乱マ
スクを実現することができる。
を用いることにより、電子線一括露光装置のマスクを必
要に応じてステンシルタイプとメンプレンタイプで構成
することが可能となり、両者で一枚のマスクとして両タ
イプのマスクの欠点を補うことが可能となる。これによ
り、コンプリメンタリパターンの繋ぎが増えることがな
く、電子光学系の色収差を増加させることがない散乱マ
スクを実現することができる。
【００３２】本発明は上記実施の形態に限定されず、種
々変更して実施することが可能である。例えば、上記実
施の形態で説明した材料、寸法などには限定されず、適
宜変更して実施することが可能である。
々変更して実施することが可能である。例えば、上記実
施の形態で説明した材料、寸法などには限定されず、適
宜変更して実施することが可能である。
【００３３】本発明の散乱マスクは、洗浄装置、レジス
ト塗布装置、成膜装置、露光装置などを備えた半導体製
造装置における露光装置に用いることができる。
ト塗布装置、成膜装置、露光装置などを備えた半導体製
造装置における露光装置に用いることができる。
【００３４】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、電
子線一括露光装置のマスクを必要に応じて２種類のマス
ク、例えばステンシルタイプとメンプレンタイプで構成
することが可能となり、両者で一枚のマスクとして両タ
イプのマスクの欠点を補うことが可能となる。これによ
り、コンプリメンタリパターンの繋ぎが増えることがな
く、電子光学系の色収差を増加させることがない散乱マ
スクを実現することができる。その結果、ＥＰＬマスク
に対する要求を満足するマスクの供給が可能になる。
子線一括露光装置のマスクを必要に応じて２種類のマス
ク、例えばステンシルタイプとメンプレンタイプで構成
することが可能となり、両者で一枚のマスクとして両タ
イプのマスクの欠点を補うことが可能となる。これによ
り、コンプリメンタリパターンの繋ぎが増えることがな
く、電子光学系の色収差を増加させることがない散乱マ
スクを実現することができる。その結果、ＥＰＬマスク
に対する要求を満足するマスクの供給が可能になる。
【図１】本発明の一実施の形態に係る散乱マスクを備え
た電子線一括露光装置の構成を示す概略図である。
た電子線一括露光装置の構成を示す概略図である。
【図２】電子線一括露光の露光原理を説明するための図
である。
である。
【図３】本発明の一実施の形態に係る散乱マスクを示す
図であり、（ａ）は側面図であり、（ｂ）は平面図であ
り、（ｃ）は（ｂ）におけるＸ部の拡大図である。
図であり、（ａ）は側面図であり、（ｂ）は平面図であ
り、（ｃ）は（ｂ）におけるＸ部の拡大図である。
【図４】（ａ），（ｂ）は、本発明の一実施の形態に係
る散乱マスクの製作方法を説明するための図である。
る散乱マスクの製作方法を説明するための図である。
１…電子銃、２…照明系、３…マスク照明ビーム、４…
散乱マスク、５…マスクステージ、６…第１投影レン
ズ、７…散乱防止アパーチャ、８…第２投影レンズ、９
ウエハ、１０…ウエハステージ、１１…投影系光路、１
２，１３…偏向器、１４…柱、１５…ＳＦ（サブフィー
ルド）、１６…ステンシルマスク部、１７…メンブレン
マスク部、１８…サポートフレーム。
散乱マスク、５…マスクステージ、６…第１投影レン
ズ、７…散乱防止アパーチャ、８…第２投影レンズ、９
ウエハ、１０…ウエハステージ、１１…投影系光路、１
２，１３…偏向器、１４…柱、１５…ＳＦ（サブフィー
ルド）、１６…ステンシルマスク部、１７…メンブレン
マスク部、１８…サポートフレーム。
Claims (9)
- 【請求項１】 光源からの光を散乱マスクを介して被露
光体に照射する露光装置において、前記散乱マスクは、
電子線一括転写露光装置に使用するマスクであって、貫
通穴を有するステンシルタイプマスクと、本体薄膜上に
前記本体薄膜と異なる薄膜のパターンを有するメンブレ
ンタイプマスクとを備えたことを特徴とする露光装置。 - 【請求項２】 電子線一括転写露光装置に使用する散乱
タイプのマスクであって、前記マスクは、貫通穴を有す
るステンシルタイプマスクと、本体薄膜上に前記本体薄
膜と異なる薄膜のパターンを有するメンブレンタイプマ
スクとを備えたことを特徴とする散乱マスク。 - 【請求項３】 ステンシルタイプマスクがシリコンで構
成されていることを特徴とする請求項２記載の散乱マス
ク。 - 【請求項４】 メンブレンタイプマスクの本体薄膜がＳ
ｉ、ＳｉＣ、ＳｉＮ、ダイヤモンド、及びＢＮからなる
群より選ばれたもので構成されていることを特徴とする
請求項２記載の散乱マスク。 - 【請求項５】 薄膜のパターンは、メンブレンタイプマ
スクの本体薄膜に比べて電子線の透過率が１／１０以下
に調整されていることを特徴とする請求項４記載の散乱
マスク。 - 【請求項６】 薄膜のパターンがＣｒ、Ｗ、及びＴａか
らなる群より選ばれた少なくとも一つであることを特徴
とする請求項５記載の散乱マスク。 - 【請求項７】 マスクは、支持プレート上にステンシル
タイプマスク及びメンブレンタイプマスクが一体的に固
定されてなることを特徴とする請求項２記載の散乱マス
ク。 - 【請求項８】 電子線一括転写露光装置に使用するマス
クであって、貫通穴を有するステンシルタイプマスク
と、本体薄膜上に前記本体薄膜と異なる薄膜のパターン
を有するメンブレンタイプマスクとを備えた散乱マスク
に対して光源からの光を照射して、前記散乱マスクを介
した光により被露光体を露光することを特徴とする露光
方法。 - 【請求項９】 少なくとも露光装置を備えた半導体製造
装置であって、前記露光装置は、光源からの光を散乱マ
スクを介して被露光体に照射するものであり、前記散乱
マスクは、電子線一括転写露光装置に使用するマスクで
あって、貫通穴を有するステンシルタイプマスクと、本
体薄膜上に前記本体薄膜と異なる薄膜のパターンを有す
るメンブレンタイプマスクとを備えたことを特徴とする
半導体製造装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000263096A JP2002075842A (ja) | 2000-08-31 | 2000-08-31 | 露光装置、散乱マスク、露光方法及び半導体製造装置 |
| US09/944,531 US6620558B2 (en) | 2000-08-31 | 2001-08-31 | Scattering-reticle assemblies for electron-beam microlithography including a scattering-stencil reticle portion and a scattering-membrane reticle portion |
| US10/622,529 US6767691B2 (en) | 2000-08-31 | 2003-07-17 | Scattering-reticle assemblies for electron-beam microlithography including a scattering-stencil reticle portion and a scattering-membrane reticle portion |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000263096A JP2002075842A (ja) | 2000-08-31 | 2000-08-31 | 露光装置、散乱マスク、露光方法及び半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002075842A true JP2002075842A (ja) | 2002-03-15 |
Family
ID=18750685
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000263096A Pending JP2002075842A (ja) | 2000-08-31 | 2000-08-31 | 露光装置、散乱マスク、露光方法及び半導体製造装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6620558B2 (ja) |
| JP (1) | JP2002075842A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002061813A1 (fr) * | 2001-01-30 | 2002-08-08 | Advantest Corporation | Dispositif a faisceau d'electrons, element de formation de faisceaux d'electrons et procede de fabrication dudit element |
| US8273179B2 (en) | 2003-03-27 | 2012-09-25 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Deposition mask for display device and method for fabricating the same |
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|---|---|---|---|---|
| JP2002075842A (ja) * | 2000-08-31 | 2002-03-15 | Nikon Corp | 露光装置、散乱マスク、露光方法及び半導体製造装置 |
| JP4252262B2 (ja) * | 2002-07-11 | 2009-04-08 | 株式会社オクテック | 露光用転写マスクの製造方法 |
| EP1503244A1 (en) | 2003-07-28 | 2005-02-02 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus and device manufacturing method |
| CN105226007B (zh) | 2014-06-13 | 2018-10-16 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 金属互连结构的制作方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2002075842A (ja) * | 2000-08-31 | 2002-03-15 | Nikon Corp | 露光装置、散乱マスク、露光方法及び半導体製造装置 |
-
2000
- 2000-08-31 JP JP2000263096A patent/JP2002075842A/ja active Pending
-
2001
- 2001-08-31 US US09/944,531 patent/US6620558B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-07-17 US US10/622,529 patent/US6767691B2/en not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
| WO2002061813A1 (fr) * | 2001-01-30 | 2002-08-08 | Advantest Corporation | Dispositif a faisceau d'electrons, element de formation de faisceaux d'electrons et procede de fabrication dudit element |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6620558B2 (en) | 2003-09-16 |
| US20020042006A1 (en) | 2002-04-11 |
| US6767691B2 (en) | 2004-07-27 |
| US20040081916A1 (en) | 2004-04-29 |
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